專利名稱：點結(jié)構(gòu)體、磁記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及點結(jié)構(gòu)體、具有點結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
對于HDD等磁記錄裝置的高速、大容量、低成本化，提高記錄 介質(zhì)的記錄密度是不可欠缺的。HDD是將成為記錄層的磁性薄膜上 的磁性粒子的磁化狀態(tài)用作數(shù)據(jù)的比特信息的裝置，為了實現(xiàn)高記錄 密度化而需要縮小磁性粒子。但是，在以往的水平磁記錄介質(zhì)中，如 果過度縮小磁性粒子則熱穩(wěn)定性大幅降低，所記錄的磁化方向產(chǎn)生混 亂，造成所記錄的信息消失，所以磁性粒子的縮小化存在界限，并且， 認為當前已接近該界限。
為了解決該問題，近年來，開發(fā)出了使用垂直磁記錄方式的介質(zhì) (例如參照非專利文獻l)。垂直磁記錄介質(zhì)抗熱擺動能力強，且可 以進一步減小比特間隔，所以存在可以實現(xiàn)超過水平磁記錄介質(zhì)的磁 性粒子的縮小化界限的高密度化的可能性。但是，當前的垂直磁記錄 介質(zhì)的記錄膜與以往的水平磁記錄介質(zhì)同樣地是磁性薄膜，磁性粒子 的尺寸、形狀是不規(guī)則的。因此，依然存在比特間的偏差、以及在再 現(xiàn)信號中產(chǎn)生噪聲的問題。
為了解決該問題，提出了被稱為圖案化介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)(例如 參照非專利文獻2)。它是通過微細加工使記錄層的磁性粒子的尺寸、 形狀一致，使磁性粒子成為點狀而形成于盤上的介質(zhì)，這對解決上述 的問題是有效的。另一方面，為了使易磁化軸相對于基板面水平或垂 直地取向，以結(jié)晶性良好的狀態(tài)形成磁記錄介質(zhì)中的記錄層的磁性膜 是不可欠缺的。為此，與記錄膜同樣地，記錄膜的基底膜的結(jié)晶性也 是重要的。因此，在使磁記錄介質(zhì)的記錄膜的磁性粒子形成為點狀的圖案化介質(zhì)中，在形成點結(jié)構(gòu)時，需要極力避免由于蝕刻、使用金屬 模具的痕跡等而引起的機械性損傷等降低記錄膜和基底膜的結(jié)晶性 的工藝。
非專利文獻1細江讓「磁気記録媒體J 、第2 8回応用磁 気學會廿^一只夕一乂" r応用磁気?；A(chǔ)」(2004.7.13-15)、第 1-13頁
非專利文獻2S. Y. Chou et al.: J. Appl. Phys. 76， 6673( 1994 )

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在相對于具有晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)的第 l層離散地配置有第2層的點狀結(jié)構(gòu)體中，笫l層以及第2層的結(jié)晶 性都良好的點狀結(jié)構(gòu)體，以及在使用了圖案化介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)中記 錄膜、基底膜的結(jié)晶性都良好的磁記錄介質(zhì)及其制造方法，以實現(xiàn)高 功能、高可靠性的磁記錄裝置。
本發(fā)明提供一種點結(jié)構(gòu)體，相對連續(xù)的第l層配置有離散的第2 層，其特征在于，上述第l層具備具有晶體結(jié)構(gòu)的薄膜；和在上述 薄膜上使用光致抗蝕劑形成的1個或多個槽部中埋入與上述薄膜的材 料相同的材料而一體形成的結(jié)構(gòu)，通過去除上述光致抗蝕劑形成的槽 部中埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成上述第2層。
本發(fā)明提供一種點結(jié)構(gòu)體的制造方法，在該結(jié)構(gòu)體中，相對連續(xù) 的第l層配置有離散的第2層，其特征在于，在具有晶體結(jié)構(gòu)的薄膜 上使用光致抗蝕劑形成1個或多個槽部，在上述槽部中埋入與上述薄 膜的材料相同的材料而形成上述第l層，在去除上述光致抗蝕刑而形 成的槽部中埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成離散的上述第2 層。
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基板上具有基底層， 在上述基底層上使用光致抗蝕劑形成的1個或多個槽部中埋入與上述 基底層的材料相同的材料，在通過去除上述光致抗蝕劑形成的槽部中 埋入記錄層的磁性膜。本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在基板上 具有基底層，在上述基底層上使用光致抗蝕劑形成1個或多個槽部， 在上述槽部中埋入了與上述基底層的材料相同的材料之后，在去除上 述光致抗蝕劑而形成的槽部中埋入記錄層的磁性膜。
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基板上具有軟磁性 層，在上述軟磁性層上具有基底層，在上述基底層上使用光致抗蝕劑 形成的1個或多個槽部中埋入與上述基底層的材料相同的材料，在通 過去除上述光致抗蝕劑形成的槽部中埋入記錄層的磁性膜。
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在基板上 形成軟磁性層，在上述軟磁性層上形成基底層，在上述基底層上使用 光致抗蝕劑形成1個或多個槽部，在上述槽部中埋入與上述基底層的 材料相同的材料，在去除上述光致抗蝕劑而形成的槽部中埋入記錄層 的磁性膜。
在本發(fā)明中，點結(jié)構(gòu)體是指，對于連續(xù)的第l層配置有離散的第
2層。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，位于記錄層的下部的基底層相當于 該第1層，記錄層的磁性膜相當于笫2層。
另外，優(yōu)選的是，在本發(fā)明的點結(jié)構(gòu)體的第l層中的利用光致抗 蝕劑形成的槽部中、或者在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的基地層中的利用光 致抗蝕劑形成的槽部中，通過外延生長來埋入與第l層或基底層相同 的材料。
另外，優(yōu)選的是，在溶液中去除光致抗蝕劑而形成槽部，在該槽 部或第2層中通過外延生長來埋入記錄層材料。
本發(fā)明的發(fā)明者對磁記錄介質(zhì)中的材料結(jié)構(gòu)、制造方法再次進行 研究，發(fā)現(xiàn)如下的情況在基底層上利用光致抗蝕劑形成槽部、在該 槽部中通過外延生長來埋入與基底層材料相同的膜、在溶液中去除光 致抗蝕劑而形成的槽部中，最后通過外延生長來埋入記錄層的磁性膜 來形成，從而可以提供一種記錄層的磁性膜、基底膜的結(jié)晶性都良好、 且高功能、高可靠性的磁記錄介質(zhì)。
此時，優(yōu)選的是，基底層的材料與記錄層中使用的磁性元素的Fe、 Co、 Ni等相比，最密面原子間距離、楊氏模量都大，在水平磁 記錄介質(zhì)中使用包括具有體心立方結(jié)構(gòu)的Cr、 W、 Mo等的材料，在 垂直磁記錄介質(zhì)中使用包括具有六方最密結(jié)構(gòu)的Ru、 Os、 Re等的材 料。由此，磁性層成為拉伸畸變狀態(tài)，與無畸變狀態(tài)、壓縮畸變狀態(tài) 相比，磁性原子的磁矩增大，記錄層的熱穩(wěn)定性提高，再現(xiàn)信號增大。 根據(jù)本發(fā)明，可以制造出結(jié)晶性良好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、磁記錄比 特的偏差少的磁記錄介質(zhì)以及點結(jié)構(gòu)體。


圖l是實施例1的磁記錄介質(zhì)的剖面圖。
圖2是實施例1的磁記錄介質(zhì)的另一個例子的剖面圖。
圖3是實施例1的磁記錄介質(zhì)的又一個例子的剖面圖。
圖4是具有圖2的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖5是具有圖2的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖6是具有圖2的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖7是具有圖2的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖8是實施例2的磁記錄介質(zhì)的剖面圖。
圖9是實施例2的磁記錄介質(zhì)的另一個例子的剖面圖。
圖IO是實施例2的磁記錄介質(zhì)的又一個例子的剖面圖。
圖ll是實施例2中的磁記錄介質(zhì)的進一步又一例子的剖面圖。
圖12是具有圖9的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖13是具有圖9的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖14是具有圖9的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
圖15是具有圖9的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一部分的說明圖。
(附圖標記說明)
1、 100:基板；2、 5、 7、 12、 18、 20:基底層；9、 22:基底層 材料；3、 13:記錄層；4:晶種層；6、 19:記錄磁化穩(wěn)定化層；8、 21:光致抗蝕劑；10、 23:磁性材料埋入用槽部；11:軟磁性層；15: 第一軟磁性層；17:第二軟磁性層；14:預(yù)涂層；16:磁耦合層
具體實施例方式
以下，使用圖1至圖15對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。 (實施例1)
圖1是本實施例的磁記錄介質(zhì)的剖面圖。在基板1上具有基底層 2，在基底層2上成點狀地形成有記錄層3。此時，優(yōu)選為在基底層2 上利用光致抗蝕劑形成槽部，在該槽部中埋入與基底層材料相同的 膜，最后埋入記錄層3的磁性膜，以形成點狀的記錄層3。由此，基 底膜、磁性膜都成為機械性損傷少、且結(jié)晶性良好的膜。
基板l例如是玻璃基板、鋁基板、鋁合金基板等。記錄層3是如 CoCrPt或CoCrPt - Si02等那樣的由磁性合金、或者磁性合金與氧化 物等的顆粒膜、或者對它們添加了添加元素的材料等構(gòu)成。另外，基 底層2優(yōu)選由如下的材料構(gòu)成包括Cr、 W、 Mo等、具有體心立方 結(jié)構(gòu)，與記錄層的磁性元件的Co等相比最密面原子間距離和楊氏模 量都大。另外，優(yōu)選為記錄層的磁性原子的易磁化軸沿著相對于基板 水平的方向取向，進而磁性層成為拉伸畸變狀態(tài)，使得磁性原子的磁 矩與無畸變狀態(tài)、壓縮畸變狀態(tài)相比增大。
另外，本實施例的磁記錄介質(zhì)也可以如圖2所示，在基板l上具 有晶種層4，在晶種層4上具有基底層2，在基底層2上成點狀地形 成有記錄層3。在該情況下，與無晶種層的情況相比，基底層的體心 立方結(jié)構(gòu)的(100)面易于與基板平行地生長，基底層上的磁性層的磁性原子的易磁化軸也易于沿著相對于基板水平的方向取向。晶種層
4由Ni-P等Ni合金構(gòu)成。
另外，也可以如圖3所示，在基板1上具有晶種層4，在晶種層 4上具有基底層5，在基底層5上具有由磁性材料構(gòu)成的記錄磁化穩(wěn) 定化層6,在記錄磁化穩(wěn)定化層6上具有基底層2。在該情況下，基 底層2還承擔磁耦合層的作用，通過記錄磁化穩(wěn)定化層6的磁矩與記 錄層3的磁矩反鐵磁性耦合，從而可以作為熱穩(wěn)定性更優(yōu)良的磁記錄 介質(zhì)。另外，也可以在基底層5上交替地具有多層的記錄磁化穩(wěn)定化 層和非磁性的磁耦合層。
接下來，對本實施例的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個例子進行說
明。此處，使用圖4~圖7對圖2的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造方法進 行說明。
首先，如圖4所示，在基板1上通過鍍敷法、濺射法、CVD (Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉淀)法等形成晶種層4。 之后，通過外延生長來形成基底層7，涂敷圖案化用的光致抗蝕劑8。
之后，如圖5所示，通過光刻、顯影而形成槽部。
接下來，如圖6所示，在上述槽部中通過外延生長來埋入與基底 層7相同的材料。由此，基底層7的材料與埋入到槽部中的材料成為 一體，形成基底層2。
之后，通過將光致抗蝕劑8和堆積在光致抗蝕劑上的基底層材料 9浸漬到丙酮等溶液來同時去除，如圖7所示形成磁性材料埋入用槽 部10。
之后，在磁性材料埋入用槽部10中埋入磁性層，通過CMP (Chemical Mechanical Polishing,化學機械拋光)法等進行平坦化 處理，制造出圖2所示的磁記錄介質(zhì)。
另外，在實際的制造工藝中，然后，在圖2的介質(zhì)上形成含碳等 的保護膜，在保護膜上涂敷潤滑材料，但在此將其省略。
由此，制造出記錄層、基底層的結(jié)晶性都良好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、 磁記錄比特的偏差小的磁記錄介質(zhì)。(實施例2)
圖8是本實施例的磁記錄介質(zhì)的剖面圖。在基板100上具有軟磁 性層11,在軟磁性層11上具有基底層12,在基底層12上成點狀地 形成了記錄層13。此時，優(yōu)選為在基底層12上利用光致抗蝕劑形成 槽部，在該槽部中埋入與基底層材料相同的膜，最后埋入記錄層的磁 性膜，而形成點狀的記錄層13。由此，基底膜、磁性膜都成為機械性 損傷少、且結(jié)晶性良好的膜。
基板100例如由玻璃基板、鋁基板、鋁合金基板等構(gòu)成。軟磁性 層11由諸如MFe、 FeTaC、 CoTaZr等的鐵合金、鎳合金、鈷合金 等構(gòu)成。另外，記錄層13由諸如CoCrPt或CoCrPt-Si02等的磁性 合金、磁性合金與氧化物等的顆粒膜、或者對它們添加了添加元素的 材料等構(gòu)成。另外，基底層12優(yōu)選由如下的材料構(gòu)成包括Ru、 Os、 Re等、具有六方最密結(jié)構(gòu)，與記錄層的磁性元件的Co等相比最密面 原子間距離和楊氏模量都大。另外，優(yōu)選為記錄層的磁性原子的易磁 化軸沿著相對于基板垂直的方向取向，進而磁性層成為拉伸畸變狀 態(tài)，使得磁性原子的磁矩與無畸變狀態(tài)、壓縮畸變狀態(tài)相比增大。
另外，本實施例中的磁記錄介質(zhì)也可以如圖9所示，在基板100 上具有預(yù)涂層14，在預(yù)涂層14上具有軟磁性層11，在軟磁性層11 上具有基底層12,在基底層12上成點狀地形成記錄層13。
預(yù)涂層14在基板100為玻璃基板的情況下，優(yōu)選由NiTa、NiTaZr 等合金構(gòu)成，在基板100為鋁基板、鋁合金基板的情況下，優(yōu)選由組 成與基板材料不同的鋁合金等構(gòu)成。在該情況下，與無預(yù)涂層的情況 相比，與基板100的緊貼性提高。
或者，也可以如圖10所示，在基板100上具有預(yù)涂層14，在預(yù) 涂層14上具有第一軟磁性層15，在第一軟磁性層15上具有磁耦合層 16，在磁耦合層16上具有第二軟磁性層17，在第二軟磁性層17上具 有基底層12，在基底層12上點狀地形成記錄層13。
在該情況下，第一軟磁性層15的磁矩與第二軟磁性層17的磁矩 反鐵磁性耦合，可以降低來自這些軟磁性層的磁噪聲。磁耦合層16由包括Ru、 Os、 Re等的非磁性材料構(gòu)成。另外， 也可以在預(yù)涂層14上交替形成多層的軟磁性層和磁耦合層。
進而，也可以如圖11所示，在第二軟磁性層17上形成基底層 18,在基底層18上具有由磁性材料構(gòu)成的記錄磁化穩(wěn)定化層19。在 該情況下，記錄磁化穩(wěn)定化層19上的基底層12還承擔磁耦合層的作 用，通過記錄磁化穩(wěn)定化層19的磁矩與記錄層13的磁矩反鐵磁性耦 合，可以設(shè)為熱穩(wěn)定性更優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)。
另外，也可以在基底層18上交替具有多個層的記錄磁化穩(wěn)定化 層和非磁性的磁耦合層。
接下來，對本實施例的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個例子進行說
明。此處，使用圖12~圖15對圖9的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造方法 進行說明。
首先，在基板100上通過鍍敷法、濺射法、CVD法等，形成預(yù) 涂層14，在預(yù)涂層14上通過鍍敷法、濺射法、CVD法等，形成軟磁 性層ll。
之后，通過外延生長形成基底層20，涂敷圖案化用的光致抗蝕 劑21，如圖12所示。
之后，通過光刻、顯影，去除光致抗蝕劑21的一部分而形成槽 部，如圖13所示。
接下來，在上述槽部中通過外延生長來埋入與基底層20相同的 材料，如圖14所示。
之后，通過將剩余的光致抗蝕劑21和堆積在光致抗蝕劑上的基 底層材料22浸漬到丙酮等溶液而去除，如圖15所示形成磁性材料埋 入用槽部23。
之后，在磁性材料埋入用槽部23中埋入磁性層材料，通過CMP 法等進行平坦化，制造出圖9所示的磁記錄介質(zhì)。
另外，在實際的制造工藝中，之后，在圖9的介質(zhì)上形成包括碳 等的保護膜，在保護膜上涂敷潤滑材料，但在此省略。
由此，制造出結(jié)晶性良好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、磁記錄位的偏差少的 磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1. 一種點結(jié)構(gòu)體，對于連續(xù)的第1層配置有離散的第2層，其特征在于，上述第1層具備具有晶體結(jié)構(gòu)的薄膜、和在上述薄膜上利用光致抗蝕劑形成的1個或多個溝槽部中埋入與上述薄膜的材料相同的材料而一體形成的結(jié)構(gòu)，在通過去除上述光致抗蝕劑而形成的溝槽部中埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成了上述第2層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的點結(jié)構(gòu)體，其特征在于，在利用上述 光致抗蝕劑形成的溝槽部中通過外延生長埋入與上述薄膜的材料相 同的材料而形成了上述第l層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的點結(jié)構(gòu)體，其特征在于，在通過去除 上述光致抗蝕劑形成的溝槽部中通過外延生長埋入與上述薄膜的材 料不同的材料而形成了上述第2層。
4. 一種點結(jié)構(gòu)體的制造方法，在該結(jié)構(gòu)體中，對于連續(xù)的第1 層配置有離散的第2層，其特征在于，在具有晶體結(jié)構(gòu)的薄膜上利用 光致抗蝕劑形成1個或多個溝槽部，在上述溝槽部中埋入與上述薄膜 的材料相同的材料而形成上述第l層，去除上述光致抗蝕劑而形成溝 槽部，在該溝槽部中埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成離散的 上述第2層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的點結(jié)構(gòu)體的制造方法，其特征在于，與上述薄膜的材料相同的'材料而形^了上述第1層之后，'在通過去除 上述光致抗蝕劑而形成的溝槽部中埋入與上述薄膜的材料不同的材 料來形成上述第2層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的點結(jié)構(gòu)體的制造方法，其特征在于， 通過外延生長來埋入與上述薄膜的材料相同的材料而形成上述第1 層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的點結(jié)構(gòu)體的制造方法，其特征在于， 在通過外延生長來埋入與上述薄膜的材料相同的材料而形成了上述第1層之后，通過在溶液中去除上述光致抗蝕劑而形成溝槽部，在該 溝槽部中通過外延生長來埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成上述第2層。
8. —種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基板上具有基底層，在上 述基底層上利用光致抗蝕劑形成的l個或多個溝槽部中埋入有與上述 基底層的材料相同的材料，在通過去除上述光致抗蝕劑形成的溝槽部 中埋入有記錄層的磁性膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述與基 底層的材料相同的材料是通過外延生長而埋入的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述與基埋入的。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述基底 層是使用包含Cr、 W、 Mo中的任意一種的材料形成的，上述記錄層 是使用包含Co的材料形成的。
12. —種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在基板上具有基 底層，在上述基底層上利用光致抗蝕劑形成l個或多個溝槽部，在上 述溝槽部中埋入了與上述基底層的材料相同的材料之后，去除上迷光 致抗蝕劑而形成溝槽部，在該溝槽部中埋入記錄層的磁性膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所迷的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在入與上述基底層的材料相同的材料之后，在通過去除上述光致抗蝕劑 而形成的溝槽部中埋入上述記錄層的磁性膜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，通過外延生長來埋入與上述基體層的材料相同的材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在通過外延生長來埋入了與上述基底層的材料相同的材料之后， 通過在溶液中去除上述光致抗蝕劑而形成溝槽部，在該溝槽部中通過 外延生長來埋入上述記錄層的磁性膜。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，上述基底層是使用包含Cr、 W、 Mo中的任意一種的材料成膜的， 上述記錄層是使用包含Co的材料成膜的。
17. —種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基板上具有軟磁性層，在 上述軟磁性層上具有基底層，在上述基底層上利用光致抗蝕劑形成的 1個或多個溝槽部中埋入有與上述基底層的材料相同的材料，在通過 去除上述光致抗蝕劑形成的溝槽部中埋入有記錄層的磁性膜。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述的材料相同的材料是通過外延生長而埋入的。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述埋入有與上述基底層的材料相同的材料，在通過去除上述光致抗蝕劑 而形成的溝槽部中通過外延生長而埋入有上述記錄層的磁性膜。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述基 底層是使用包含Ru、 Os、 Re中的任意一種的材料形成的，上迷記錄 層是使用包含Co的材料形成的。
21. —種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在基板上形成軟 磁性層，在上述軟磁性層上形成基底層，在上述基底層上利用光致抗 蝕劑形成1個或多個溝槽部，在上述溝槽部中埋入與上述基底層的材 料相同的材料，去除上述光致抗蝕劑而形成溝槽部，在該溝槽部中埋 入記錄層的磁性膜。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在利用上述光致抗蝕劑形成的溝槽部中以比槽的深度淺的深度埋 入與上述基底層的材料相同的材料之后，在通過去除上述光致抗蝕劑 而形成的溝槽部中埋入上述記錄層的磁性膜。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，通過外延生長來埋入與上述基體層的材料相同的材料。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，通過外延生長來埋入與上述基底層的材料相同的材料，通過在溶 液中去除上述光致抗蝕劑而形成溝槽部，在該溝槽部中通過外延生長 來埋入上述記錄層的磁性膜。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，上述基底層是使用包含Ru、 Os、 Re中的任意一種的材料成膜的， 上述記錄層是使用包含Co的材料成膜的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種點結(jié)構(gòu)體、磁記錄介質(zhì)及其制造方法。在結(jié)晶性良好的點結(jié)構(gòu)體、以及使用了圖案化介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)中，形成結(jié)晶性良好的磁記錄點，而提供高功能、高可靠性的磁記錄裝置。在具有連續(xù)的第1層和離散的第2層的點結(jié)構(gòu)體中，在具有晶體結(jié)構(gòu)的薄膜上使用光致抗蝕劑形成槽部，在該槽部中通過外延生長來埋入與上述薄膜的材料相同的材料而形成第1層，在通過去除上述光致抗蝕劑而形成的槽部中，通過外延生長埋入與上述薄膜的材料不同的材料而形成第2層。在磁記錄介質(zhì)中，在基底層上使用光致抗蝕劑形成槽部，在該槽部中通過外延生長埋入與基底層材料相同的膜。之后，在通過在溶液中去除光致抗蝕劑而形成的槽部中，通過外延生長埋入記錄層的磁性膜。
文檔編號G11B5/64GK101414466SQ20081017019
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日
發(fā)明者鐘江義晴 申請人:株式會社日立制作所