專(zhuān)利名稱(chēng)：盤(pán)片設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤(pán)片設(shè)備，尤其是涉及即使在高海拔高度處也能夠使用的 盤(pán)片設(shè)備。
背景技術(shù)：
硬盤(pán)設(shè)備通常包括磁盤(pán)(即，盤(pán)片)，面對(duì)該磁盤(pán)表面的讀/寫(xiě)磁頭以 從該磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和向該磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，以及支撐所述磁頭的臂。
在硬盤(pán)設(shè)備使用期間，磁盤(pán)高速旋轉(zhuǎn)。當(dāng)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁頭在略微位 于所述磁盤(pán)表面上方的薄層空氣上浮動(dòng)。在磁盤(pán)上方浮動(dòng)的同時(shí)，磁頭從 磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。然而，磁頭與磁盤(pán)之間的空氣層厚度在 高海拔高度處由于大氣壓的下降而減小。結(jié)果，磁頭可能會(huì)觸碰到磁盤(pán)。
在JP-A-2005-222695公開(kāi)的技術(shù)中，響應(yīng)于大氣壓的下降，磁盤(pán)的轉(zhuǎn) 速增加超過(guò)額定轉(zhuǎn)速。在該方法中，增加讀/寫(xiě)磁頭與磁盤(pán)之間的距離以防 止磁頭觸碰到磁盤(pán)。在JP-A-2006-92709公開(kāi)的技術(shù)中，將加熱器安裝到 具有讀/寫(xiě)磁頭并面對(duì)磁盤(pán)的滑撬(slider)上。安裝該加熱器以面對(duì)磁盤(pán)。 磁頭與磁盤(pán)之間的距離通過(guò)使用該加熱器加熱滑撬與磁盤(pán)之間的空氣而增 加。由此，可以防止磁頭觸碰到磁盤(pán)。
如上所述，在JP-A-2005-222695公開(kāi)的技術(shù)中，使磁盤(pán)以超過(guò)額定轉(zhuǎn) 速的速度旋轉(zhuǎn)。因此，需要將額定轉(zhuǎn)速設(shè)置得低于通常值。結(jié)果，采用該 技術(shù)的硬盤(pán)設(shè)備具有減少的存儲(chǔ)容量。在JP-A-2006-92709公開(kāi)的技術(shù)中， 通過(guò)加熱器加熱滑撬與磁盤(pán)之間的空氣以增加磁頭與磁盤(pán)之間的距離。在 這種情況下，該距離很可能隨著溫度的變化而變化。因此，很難精確地控 制該距離。如果距離變得太小，則磁頭會(huì)觸碰到磁盤(pán)。相反，如果距離變 得太大，則磁頭可能無(wú)法從磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)
發(fā)明內(nèi)容
考慮上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種盤(pán)片設(shè)備，其即使在高海 拔高度處也能夠精確地控制磁頭與磁盤(pán)之間的磁頭距離。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面， 一種盤(pán)片設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)、磁頭、臂、 電加熱部件、距離確定電路和距離控制電路。磁頭面對(duì)磁盤(pán)的表面設(shè)置并 且從磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和/或向磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。臂在一端部處支撐磁頭并且包括 與所述磁盤(pán)表面平行設(shè)置的上部和下部板部件。下部板部件位于上部板部 件與磁盤(pán)表面之間。電加熱部件通過(guò)接收電流加熱所述臂的上部和下部板 部件。距離確定電路確定與所述磁頭和磁盤(pán)表面之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的 磁頭距離關(guān)聯(lián)值。當(dāng)所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明磁頭距離小于閾值距離時(shí)， 距離控制電路通過(guò)向加熱部件提供電流來(lái)增加所述磁頭距離。上部板部件 具有第一線(xiàn)性膨脹系數(shù)。下部板部件具有大于所述第一線(xiàn)性膨脹系數(shù)的第 二線(xiàn)性膨脹系數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面， 一種盤(pán)片設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)、磁頭、臂、 電加熱部件、距離確定電路和距離控制電路。磁頭面對(duì)所述磁盤(pán)的表面并 從磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和/或向磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。臂在一端部處支撐磁頭并且包括與 磁盤(pán)表面平行設(shè)置的上部和下部板部件。下部板部件位于上部板部件與磁 盤(pán)表面之間。電加熱部件通過(guò)接收電流加熱所述臂的下部板部件。距離確 定電路確定與所述磁頭和磁盤(pán)表面之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的磁頭距離關(guān)聯(lián) 值。當(dāng)該磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明磁頭距離小于閾值距離時(shí)，距離控制電路通 過(guò)向加熱部件提供電流來(lái)增加所述磁頭距離。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面， 一種盤(pán)片設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)、磁頭、臂、 電加熱部件、距離確定電路和距離控制電路。磁頭面對(duì)磁盤(pán)表面設(shè)置并且 從磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)和/或向磁盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。所述臂在一端部處支撐磁頭并且包 括其彈性隨著溫度的升高而增加的彈性部件。電加熱部件通過(guò)接收電流加 熱所述臂的彈性部件。距離確定電路確定與所述磁頭和所述磁盤(pán)表面之間 的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的磁頭距離關(guān)聯(lián)值。當(dāng)該磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明磁頭距離 小于閾值距離時(shí)，距離控制單元通過(guò)向加熱部件提供電流而增加所述臂的 彈性部件的彈性。


本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面參照附圖的描述而 變得更加明顯。在附圖中
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的硬盤(pán)設(shè)備的透視圖； 圖2是表示圖1中硬盤(pán)設(shè)備的萬(wàn)向節(jié)；
圖3是表示由圖1中硬盤(pán)設(shè)備的處理單元執(zhí)行的過(guò)程方框圖； 圖4是表示由根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的硬盤(pán)設(shè)備的處理單元執(zhí)行的過(guò) 程方框圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的硬盤(pán)設(shè)備的萬(wàn)向節(jié)的仰視圖6是表示從圖5中箭頭VI所示的方向觀看的萬(wàn)向節(jié)的正視圖；以及
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的硬盤(pán)設(shè)備的萬(wàn)向節(jié)的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施例)
參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的硬盤(pán)設(shè)備1包括殼體2和容納在 該殼體2中的多個(gè)磁盤(pán)(即，具有磁性表面的盤(pán)片)3。在第一實(shí)施例中， 硬盤(pán)設(shè)備1包括三個(gè)磁盤(pán)3。每個(gè)磁盤(pán)3為圓形且形狀相同。
磁盤(pán)3以某種方式連接到公共主軸(spindle shaft) 4以使得磁盤(pán)3 被保持為平行于殼體2的底部并且各磁盤(pán)3之間間隔相等的距離。主軸4 用于使磁盤(pán)3旋轉(zhuǎn)。
每個(gè)磁盤(pán)3都設(shè)置有一對(duì)臂5。臂5分別面對(duì)磁盤(pán)3的兩側(cè)，以使得可 以從磁盤(pán)3的兩側(cè)讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)3的兩側(cè)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。每個(gè)臂5可以在 公共軸6上擺動(dòng)到預(yù)定角度。音圈馬達(dá)7允許臂5擺動(dòng)。處理單元8控制 主軸4和音圈馬達(dá)7以控制磁盤(pán)3的旋轉(zhuǎn)和臂5的擺動(dòng)。
每個(gè)臂5包括連接到軸6的基座51以及安裝在基座51頂端的萬(wàn)向節(jié) 52。如圖2所示，萬(wàn)向節(jié)52包括被保持為平行于磁盤(pán)3表面的上部長(zhǎng)板53 和下部長(zhǎng)板54。將隔離片55插入在上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54的端部之間 以使得上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54相互隔離。上部長(zhǎng)板53由具有第一線(xiàn)性 膨脹系數(shù)的第一金屬材料制成。下部長(zhǎng)板54由具有第二線(xiàn)性膨脹系數(shù)的第 二金屬材料制成。下部長(zhǎng)板54的第二線(xiàn)性膨脹系數(shù)大于上部長(zhǎng)板53的第 一線(xiàn)性膨脹系數(shù)。讀/寫(xiě)磁頭9固定在下部長(zhǎng)板54的底部表面的端部以面對(duì)磁盤(pán)3的表 面。通過(guò)磁頭9磁性地從磁盤(pán)3讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)3寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
而且，如圖1所示，將兩條電加熱線(xiàn)10固定到上部長(zhǎng)板53的頂部表 面。盡管在圖中未示出，將另外兩條電加熱線(xiàn)10固定到下部長(zhǎng)板54。每條 加熱線(xiàn)10根據(jù)由圖3所示的加熱器驅(qū)動(dòng)器11提供的電流大小(magnitude) 而產(chǎn)生熱量。
當(dāng)電流流經(jīng)固定到上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54的加熱線(xiàn)10時(shí)，由加熱 線(xiàn)10產(chǎn)生的熱量被傳送到上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54。結(jié)果，上部長(zhǎng)板53 和下部長(zhǎng)板54的溫度增加，并且上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54相應(yīng)地膨脹。 由于下部長(zhǎng)板54的第二線(xiàn)性膨脹系數(shù)大于上部長(zhǎng)板53的第一線(xiàn)性膨脹系 數(shù)，下部長(zhǎng)板54比上部長(zhǎng)板53膨脹得更多。因而，萬(wàn)向節(jié)52沿遠(yuǎn)離磁盤(pán) 3的方向翹曲，并且相應(yīng)地，固定到萬(wàn)向節(jié)52端部的磁頭9沿遠(yuǎn)離磁盤(pán)3 的方向偏移。萬(wàn)向節(jié)52的翹曲量取決于上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54的膨脹 量。上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54的膨脹量取決于提供給電加熱線(xiàn)10的電流 大小。因此，通過(guò)控制提供給加熱線(xiàn)10的電流大小，可以控制磁頭9與磁 盤(pán)3之間的磁頭距離。
如上所述，處理單元8控制主軸4和音圈馬達(dá)7以控制磁盤(pán)3的旋轉(zhuǎn) 和臂5的擺動(dòng)。另外，處理單元8使磁頭9從磁盤(pán)3讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)3 寫(xiě)入數(shù)據(jù)。而且，處理單元8執(zhí)行海拔高度確定過(guò)程以接連確定硬盤(pán)設(shè)備1 的當(dāng)前海拔高度，并且處理單元8執(zhí)行磁頭距離控制過(guò)程以基于當(dāng)前海拔 高度控制磁頭9與磁盤(pán)3之間的磁頭距離。這樣，當(dāng)前海拔高度與磁頭距 離相關(guān)聯(lián)并且用作磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
圖3表示處理單元8執(zhí)行的海拔高度確定過(guò)程和磁頭距離控制過(guò)程的 方框圖?？刂破?00包括在導(dǎo)航裝置中并且執(zhí)行當(dāng)前位置確定處理、路線(xiàn) 指引處理等，其中導(dǎo)航裝置安裝在車(chē)輛上。例如，控制器100從位置檢測(cè) 器(未示出)接收位置信號(hào)并且基于該位置信號(hào)接連確定車(chē)輛的當(dāng)前位置， 包括當(dāng)前海拔高度。而且，控制器100從地圖數(shù)據(jù)輸入設(shè)備接收地圖數(shù)據(jù) 并且使用該地圖數(shù)據(jù)提供路線(xiàn)指引。
在第一實(shí)施例中，硬盤(pán)設(shè)備1包括在導(dǎo)航裝置中。處理單元8的處理 器81從控制器100接連接收表示當(dāng)前海拔高度的海拔高度信號(hào)。處理單元8具有存儲(chǔ)器82，其存儲(chǔ)用于定義當(dāng)前海拔高度與提供給加 熱線(xiàn)10的電流大小之間映射關(guān)系的海拔高度-電流表。存儲(chǔ)器82優(yōu)選地為 非易失性存儲(chǔ)器，例如電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)。
在海拔高度-電流表中，將電流保持為0直到當(dāng)前海拔高度超過(guò)閾值海 拔高度。在當(dāng)前海拔高度超過(guò)閾值海拔高度時(shí)，隨著當(dāng)前海拔高度的增加， 電流逐步分段地增加或連續(xù)增加。將閾值海拔高度設(shè)置約為硬盤(pán)設(shè)備1的 最大可用海拔高度(例如，3000米)。
按照如下方式建立該海拔高度-電流表。測(cè)量當(dāng)前海拔高度與磁頭距離 減少之間的第一關(guān)系。而且，測(cè)量提供給加熱線(xiàn)10的電流大小與萬(wàn)向節(jié)52 的翹曲量之間的第二關(guān)系?；谠摰谝缓偷诙P(guān)系，確定提供給加熱線(xiàn)10 的電流大小以使得萬(wàn)向節(jié)52翹曲來(lái)校正(即，取消)由于當(dāng)前海拔高度的
增加導(dǎo)致的磁頭距離的減少。
處理器81接收輔助(ACC)信號(hào)并且基于該輔助信號(hào)的接收檢測(cè)該車(chē) 輛的點(diǎn)火處于輔助位置。然后，如果處理器81進(jìn)一步檢測(cè)到硬件設(shè)備1正 在工作，則處理器81執(zhí)行下述的海拔高度確定過(guò)程和磁頭距離控制過(guò)程。
首先，處理器81從導(dǎo)航裝置的控制器100獲得表示當(dāng)前海拔高度的海 拔高度信號(hào)。如果當(dāng)前海拔高度小于或等于閾值海拔高度，則處理器81確 定該磁頭距離為磁頭9與磁盤(pán)3之間的正常距離。然后，處理器81使提供 給加熱線(xiàn)10的電流大小為0。相反，如果當(dāng)前海拔高度超過(guò)閾值海拔高度， 則處理器81確定該磁頭距離大于正常距離。然后，處理器81通過(guò)參照存 儲(chǔ)在存儲(chǔ)器82中的海拔高度-電流表來(lái)決定提供給加熱線(xiàn)10的電流大小。 然后，處理器81向加熱器驅(qū)動(dòng)器11傳送命令信號(hào)以使加熱器驅(qū)動(dòng)器11向 加熱線(xiàn)10提供具有所述大小的電流。加熱器驅(qū)動(dòng)器11基于所述命令信號(hào) 決定對(duì)應(yīng)于所述大小的占空比并且將具有該占空比的電流提供給加熱線(xiàn) 10。
在這種方法中，萬(wàn)向節(jié)52翹曲以校正由于大氣壓的下降導(dǎo)致的磁頭距 離的減少，以使得磁頭9與磁盤(pán)3之間的磁頭距離即使在高海拔高度處也 保持到正常距離。因此，可以防止磁頭9觸碰到磁盤(pán)3并且磁頭9也能夠 正確地從磁盤(pán)3讀取數(shù)據(jù)和向磁盤(pán)3寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
根據(jù)第一實(shí)施例，控制磁頭距離而無(wú)需控制磁盤(pán)3的轉(zhuǎn)速。在這種方法中，不需要降低磁盤(pán)3的額定轉(zhuǎn)速。另外，控制磁頭距離而無(wú)需加熱空 氣。在這種方法中，減小了溫度改變對(duì)磁頭距離控制精度的影響，從而可 以精確地控制該磁頭距離。 (第二實(shí)施例)
參照?qǐng)D4描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖4表示由第二實(shí)施例的處理單 元8執(zhí)行的磁頭距離確定過(guò)程和磁頭距離控制過(guò)程的方框圖。第一實(shí)施例 與第二實(shí)施例之間的區(qū)別如下。
在第一實(shí)施例中，由導(dǎo)航裝置檢測(cè)的當(dāng)前海拔高度與磁盤(pán)3和磁頭9 之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)。也就是說(shuō)，基于當(dāng)前海拔高度測(cè)量(估計(jì))磁頭 距離。另一方面，在第二實(shí)施例中，磁頭距離由激光設(shè)備12實(shí)際測(cè)量。
激光設(shè)備12包括激光發(fā)射器(未示出)和激光接收器(未示出)。激 光發(fā)射器和激光接收器固定到磁頭9或下部長(zhǎng)板54的底部表面，以使得激 光發(fā)射器和激光接收器能夠面對(duì)磁盤(pán)3。激光發(fā)射器向磁盤(pán)3發(fā)射激光，并 且激光接收器接收由磁盤(pán)3反射的激光。
處理器81控制激光設(shè)備12以使激光發(fā)射器發(fā)射激光。處理器81測(cè)量 從激光發(fā)射器發(fā)射激光到激光接收器接收所反射的激光的時(shí)間。處理器81 基于所測(cè)量的時(shí)間來(lái)測(cè)量磁頭9與磁盤(pán)3之間的磁頭距離。
第二實(shí)施例的存儲(chǔ)器82存儲(chǔ)用于定義磁頭距離與提供給加熱線(xiàn)10的 電流大小之間映射關(guān)系的距離-電流表。在該距離-電流表中，電流被保持 為0直到測(cè)量的磁頭距離小于或等于閾值距離。當(dāng)測(cè)量的磁頭距離小于或 等于閾值距離時(shí)，隨著測(cè)量的磁頭距離的減小，電流逐步分段地增加或連 續(xù)增加。將閾值距離設(shè)置為磁頭9與磁盤(pán)3之間的正常距離。
按照如下方式建立距離-電流表。測(cè)量提供給加熱線(xiàn)10的電流大小與 萬(wàn)向節(jié)52的翹曲量之間的關(guān)系?；谠撽P(guān)系，決定提供給加熱線(xiàn)10的電 流大小以使得萬(wàn)向節(jié)52的翹曲能夠等于測(cè)量的磁頭距離與閾值距離之間的 差值。
與第一實(shí)施例類(lèi)似，處理器81接收輔助信號(hào)并基于該輔助信號(hào)的接收 而檢測(cè)車(chē)輛的點(diǎn)火處于輔助位置。然后，如果處理器81進(jìn)一步檢測(cè)到硬盤(pán) 設(shè)備1正在工作，則處理器81執(zhí)行下述的磁頭距離確定過(guò)程和磁頭距離控 制過(guò)程。首先，處理器81使激光設(shè)備12的激光發(fā)射器向磁盤(pán)3發(fā)射激光。然 后，處理器81測(cè)量從激光發(fā)射器發(fā)射激光到激光設(shè)備12的激光接收器接 收由磁盤(pán)3反射的激光的時(shí)間。然后，處理器81基于所測(cè)量的時(shí)間測(cè)量磁 頭9與磁盤(pán)3之間的磁頭距離。如果測(cè)量的磁頭距離超過(guò)閾值距離，則處 理器81使提供給加熱線(xiàn)10的電流大小為0。相反，如果測(cè)量的磁頭距離小 于或等于閾值距離，則處理器81通過(guò)參照存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器82中的距離-電流 表來(lái)決定提供給加熱線(xiàn)10的電流大小。
接下來(lái)，處理器81向加熱器驅(qū)動(dòng)器11傳送命令信號(hào)以使加熱器驅(qū)動(dòng) 器11向加熱線(xiàn)IO提供具有所述大小的電流。加熱器驅(qū)動(dòng)器11基于所述命 令信號(hào)決定對(duì)應(yīng)于所述大小的占空比并且將具有該占空比的電流提供給加 熱線(xiàn)10。在這種方法中，萬(wàn)向節(jié)52翹曲以消除由于大氣壓的下降造成的測(cè)
量的磁頭距離與閾值距離之間的差值。因此，可以將磁頭距離保持為閾值 距離(即，正常距離)，從而即使在高海拔高度處也能夠防止磁頭9觸碰到 磁盤(pán)3。
根據(jù)第二實(shí)施例，控制磁頭距離而無(wú)需控制磁盤(pán)3的轉(zhuǎn)速。在這種方 法中，不需要降低磁盤(pán)3的額定轉(zhuǎn)速。而且，控制磁頭距離而無(wú)需加熱空 氣。在這種方法中，減少了溫度變化對(duì)磁頭距離控制精度的影響，從而可 精確地控制磁頭距離。 (第三實(shí)施例)
參照?qǐng)D5和圖6描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖5表示從磁盤(pán)3側(cè)觀察 的第三實(shí)施例的萬(wàn)向節(jié)20。圖6表示沿圖5中箭頭VI指示的方向觀察的萬(wàn) 向節(jié)20。第二實(shí)施例與第三實(shí)施例的區(qū)別如下。
如圖5和圖6所示，將三個(gè)讀寫(xiě)磁頭9a-9c固定到萬(wàn)向節(jié)20的端部。 每個(gè)磁頭9a-9c與第二實(shí)施例中的磁頭9具有相同的功能。萬(wàn)向節(jié)20包括 被保持為平行于磁盤(pán)3的上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板21。隔離片55插入在上 部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板21的端部之間以使得上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板21相 互隔離。
從圖5中可以看出，磁頭9a-9c沿著磁盤(pán)3的旋轉(zhuǎn)方向R排列以便得 磁盤(pán)3上的點(diǎn)P可以經(jīng)過(guò)每個(gè)磁頭9a-9c的下方。
因此，可以配置磁頭9a-9c以從磁盤(pán)3讀取相同的數(shù)據(jù)。然而，如圖6所示，下部長(zhǎng)板21具有不同厚度的三個(gè)部分。磁頭9a-9c分別固定到這三 個(gè)部分。結(jié)果，從下部長(zhǎng)板21的頂部表面F到磁頭9a-9c的距離彼此不同。 具體地說(shuō)，頂部表面F與磁頭9a之間的第一距離大于頂部表面F與磁頭9b 之間的第二距離。第二距離大于頂部表面F與磁頭9c之間的第三距離。第 一距離與第二距離之間的第一差值等于第二距離與第三距離之間的第二差 值。調(diào)節(jié)第一差值以使得當(dāng)磁頭9b能夠在正常條件下從磁盤(pán)3讀取數(shù)據(jù)時(shí)， 磁頭9a不能從磁盤(pán)3讀取數(shù)據(jù)。按照這種方式，磁頭9a-9c位于距離磁盤(pán) 3表面的不同高度處。
在第三實(shí)施例中，如果每個(gè)磁頭9b、 9c能夠(即，被允許)讀取數(shù)據(jù)， 盡管磁頭9a不能讀取數(shù)據(jù)的事實(shí)，處理器81確定磁頭距離等于閾值距離。 如果僅磁頭9c能夠讀取數(shù)據(jù)，則處理器81確定磁頭距離比閾值距離大預(yù) 定距離《。如果磁頭9a-9c都不能讀取數(shù)據(jù)，則處理器81確定磁頭距離比 閾值距離大預(yù)定距離2"。如果磁頭9a-9c都能夠讀取數(shù)據(jù)，則處理器81 確定磁頭距離比閾值距離小所述距離a 。按照這種方式，處理器81測(cè)量(估 計(jì))磁頭距離而無(wú)需使用第二實(shí)施例的激光設(shè)備12。然后，與第二實(shí)施例 類(lèi)似，處理器81通過(guò)參照存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器82中的距離-電流表來(lái)決定提供給 加熱線(xiàn)10的電流大小。 (第四實(shí)施例)
參照?qǐng)D7描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖7表示第四實(shí)施例的萬(wàn)向節(jié)30 的側(cè)視圖。萬(wàn)向節(jié)30由具有橡膠彈性的彈性材料制成。萬(wàn)向節(jié)30的彈性 隨著溫度的升高而增加。萬(wàn)向節(jié)30與萬(wàn)向節(jié)52的下部長(zhǎng)板54具有相同的 形狀。將磁頭9固定到萬(wàn)向節(jié)30的底部表面的端部以面對(duì)磁盤(pán)3的表面。 盡管在圖7中未示出，與第一實(shí)施例類(lèi)似，萬(wàn)向節(jié)30安裝在臂5的基座51 的頂端處，并且將加熱線(xiàn)10固定到萬(wàn)向節(jié)30。
在第四實(shí)施例中，處理器81執(zhí)行前述實(shí)施例的磁頭距離確定過(guò)程以接 連測(cè)量磁頭9與磁盤(pán)3之間的磁頭距離。而且，處理器81執(zhí)行彈性控制過(guò) 程代替前述實(shí)施例的磁頭距離控制過(guò)程。彈性控制過(guò)程將在下文詳細(xì)介紹。 存儲(chǔ)器82存儲(chǔ)用于定義磁頭距離與提供給加熱線(xiàn)10的電流大小之間映射 關(guān)系的距離-電流表。
在該距離-電流表中，將電流保持為O直到測(cè)量的磁頭距離小于或等于閾值距離。當(dāng)測(cè)量的磁頭距離小于或等于閾值距離時(shí)，隨著測(cè)量的磁頭距
離的減小，電流逐步分段地增加或連續(xù)增加。將閾值距離設(shè)置為磁頭9與 磁盤(pán)3之間的正常距離。
按照如下方式建立距離-電流表。測(cè)量由于磁盤(pán)3以額定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)而導(dǎo) 致的氣流施加到萬(wàn)向節(jié)30端部的外力。由于萬(wàn)向節(jié)30由彈性材料制成， 萬(wàn)向節(jié)30由于該外力而彈性變形。萬(wàn)向節(jié)30的彈性變形量不僅取決于該 外力而且還取決于萬(wàn)向節(jié)30的彈性。如前所述，萬(wàn)向節(jié)30的彈性隨著溫 度的升高而增加。因此，萬(wàn)向節(jié)30的彈性取決于提供給萬(wàn)向節(jié)30的電流 大小。在該距離-電流表中，確定提供給加熱線(xiàn)10的電流大小以使得萬(wàn)向 節(jié)30能夠彈性變形以消除測(cè)量的磁頭距離與閾值距離之間的差值。
下面描述由處理器81執(zhí)行的彈性控制過(guò)程。在該彈性控制過(guò)程中，處 理器81判斷測(cè)量的磁頭距離是否大于或等于閾值距離。如果測(cè)量的磁頭距 離大于或等于閾值距離，則處理器81使提供給加熱線(xiàn)10的電流為0。相反， 如果測(cè)量的磁頭距離小于閾值距離，則處理器81通過(guò)參照存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器82 中的海拔高度-電流表來(lái)決定提供給加熱線(xiàn)10的電流大小。然后，處理器 81向加熱器驅(qū)動(dòng)器11傳送命令信號(hào)以使加熱器驅(qū)動(dòng)器11向加熱線(xiàn)10提供 具有所述大小的電流。加熱器驅(qū)動(dòng)器11基于所述命令信號(hào)決定對(duì)應(yīng)于所述 大小的占空比并將具有該占空比的電流提供給加熱線(xiàn)10。在這種方法中， 萬(wàn)向節(jié)30彈性變形以消除由于大氣壓的下降造成的測(cè)量的磁頭距離與閾值 距離之間的差值。因此，可以將磁頭距離保持為閾值距離(即，正常距離) 以使得即使在高海拔高度處也能夠防止磁頭9觸碰到磁盤(pán)3。
根據(jù)第四實(shí)施例，控制磁頭距離而無(wú)需控制磁盤(pán)3的轉(zhuǎn)速。在這種方 法中，不需要降低磁盤(pán)3的額定轉(zhuǎn)速。而且，控制磁頭距離而無(wú)需加熱空 氣。在這種方法中，減小了溫度變化對(duì)磁頭距離的控制精度的影響，從而 可精確地控制磁頭距離。 (變型)
可以按照各種方式修改上述實(shí)施例。例如，在第一實(shí)施例中，萬(wàn)向節(jié) 52的上部長(zhǎng)板53和下部長(zhǎng)板54可以由具有相同線(xiàn)性膨脹系數(shù)的金屬材料 制成。在這種情況下，加熱線(xiàn)10僅固定到下部長(zhǎng)板54。在這種方法中，只 有下部長(zhǎng)板54通過(guò)提供到加熱線(xiàn)10的電流膨脹，以使得萬(wàn)向節(jié)52能夠沿遠(yuǎn)離磁盤(pán)3的方向翹曲?？梢允褂秒娂訜岜∧ぬ娲訜峋€(xiàn)10。
在這些實(shí)施例中，磁頭9直接固定到萬(wàn)向節(jié)20、 30或52?？蛇x地，磁 頭9可以固定到被固定到萬(wàn)向節(jié)20、 30或52的滑橇。在這些實(shí)施例中， 磁頭9既執(zhí)行讀取數(shù)據(jù)又執(zhí)行寫(xiě)入數(shù)據(jù)的功能?？蛇x地，磁頭9可以執(zhí)行 讀取數(shù)據(jù)和寫(xiě)入數(shù)據(jù)中的至少一種。在第四實(shí)施例中，可以使用當(dāng)前海拔 高度代替磁頭距離。
這些改變和修改被理解為在由所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種盤(pán)片設(shè)備，包括可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)(3)；面對(duì)所述磁盤(pán)(3)的表面設(shè)置的磁頭(9，9a-9c)，其被配置為從所述磁盤(pán)(3)讀取數(shù)據(jù)和/或向所述磁盤(pán)(3)寫(xiě)入數(shù)據(jù)；臂(5)，其被配置為在一端部處支撐所述磁頭(9，9a-9c)，所述臂(5)包括平行于所述磁盤(pán)(3)的所述表面設(shè)置的上部和下部板部件(53、54)，所述下部板部件(54)位于所述上部板部件(53)與所述磁盤(pán)(3)的所述表面之間；電加熱部件(10)，其被配置為通過(guò)接收電流加熱所述臂(5)的所述上部和下部板部件(53、54)；距離確定電路(8)，其被配置為確定與所述磁頭(9，9a-9c)和所述磁盤(pán)(3)的所述表面之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的磁頭距離關(guān)聯(lián)值；以及距離控制電路(8)，其被配置為在所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明所述磁頭距離小于閾值距離時(shí)，通過(guò)向所述加熱部件(10)提供所述電流來(lái)增加所述磁頭距離，其中所述上部板部件(53)具有第一線(xiàn)性膨脹系數(shù)，并且其中所述下部板部件(54)具有大于所述第一線(xiàn)性膨脹系數(shù)的第二線(xiàn)性膨脹系數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述臂(5)的所述上部和下部板部件(53、 54)的每一個(gè)由金屬 材料制成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述距離確定電路(8)從導(dǎo)航裝置(100)獲得所述盤(pán)片設(shè)備的 當(dāng)前海拔高度并且將所獲得的海拔高度用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤(pán)片設(shè)備，進(jìn)一步包括激光設(shè)備(12)，其被配置為向所述磁盤(pán)(3)的所述表面發(fā)射激光并 且被配置來(lái)檢測(cè)從所述磁盤(pán)(3)的所述表面反射的所述激光，其中所述距離確定電路(8)獲得從發(fā)射所述激光時(shí)到檢測(cè)到所反射的 激光時(shí)的經(jīng)過(guò)時(shí)間，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的時(shí)間用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述磁頭(9、 9a-9c)包括沿所述磁盤(pán)(3)的旋轉(zhuǎn)方向(R)布 置并且在距離所述磁盤(pán)(3)的所述表面不同高度處通過(guò)所述臂(5)支撐 的多個(gè)磁頭(9a-9c)，其中所述距離確定電路(8)獲得被允許從所述磁盤(pán)(3)讀取所述數(shù) 據(jù)的所述多個(gè)磁頭(9a-9c)的數(shù)量，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的數(shù)量用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
6、 一種盤(pán)片設(shè)備，包括 可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)(3);面對(duì)所述磁盤(pán)(3)的表面設(shè)置的磁頭(9， 9a-9c)，其被配置為從所 述磁盤(pán)(3)讀取數(shù)據(jù)和/或向所述磁盤(pán)(3)寫(xiě)入數(shù)據(jù)；臂(5)，其被配置為在一端部處支撐所述磁頭(9， 9a-9c)，所述臂(5) 包括平行于所述磁盤(pán)(3)的所述表面設(shè)置的上部和下部板部件(53， 54)， 所述下部板部件(54)位于所述上部板部件(53)與所述磁盤(pán)(3)的所述 表面之間；電加熱部件(10)，其被配置為通過(guò)接收電流加熱所述臂(5)的所述 下部板部件(54);距離確定電路(8)，其被配置為確定與所述磁頭(9， 9a-9c)和所述 磁盤(pán)(3)的所述表面之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的磁頭距離關(guān)聯(lián)值；以及距離控制電路(8)，其被配置為在所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明所述磁頭 距離小于閾值距離時(shí)，通過(guò)向所述加熱部件(10)提供所述電流來(lái)增加所 述磁頭距離。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述距離確定電路(8)從導(dǎo)航裝置(100)獲得所述盤(pán)片設(shè)備的 當(dāng)前海拔高度并且將所獲得的海拔高度用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的盤(pán)片設(shè)備，進(jìn)一步包括激光設(shè)備(12)，其被配置來(lái)向所述磁盤(pán)(3)的所述表面發(fā)射激光并 且被配置來(lái)檢測(cè)從所述磁盤(pán)(3)的所述表面反射的所述激光，其中所述距離確定電路(8)獲得從發(fā)射所述激光時(shí)到檢測(cè)到所反射的 激光時(shí)的經(jīng)過(guò)時(shí)間，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的時(shí)間用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述磁頭(9、 9a-9c)包括沿所述磁盤(pán)(3)的旋轉(zhuǎn)方向(R)布 置并且在距離所述磁盤(pán)(3)的所述表面不同高度處通過(guò)所述臂(5)支撐 的多個(gè)磁頭(9a-9c)，其中所述距離確定電路(8)獲得被允許從所述磁盤(pán)(3)讀取所述數(shù) 據(jù)的所述多個(gè)磁頭(9a-9c)的數(shù)量，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的數(shù)量用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
10、 一種盤(pán)片設(shè)備，包括 可旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)(3);面對(duì)所述磁盤(pán)(3)的表面設(shè)置的磁頭(9， 9a-9c)，其被配置來(lái)從所 述磁盤(pán)(3)讀取數(shù)據(jù)和/或向所述磁盤(pán)(3)寫(xiě)入數(shù)據(jù)；臂(5)，其被配置來(lái)在一端部處支撐所述磁頭(9, 9a-9c)，所述臂(5) 包括具有彈性的彈性部件(30)，所述彈性隨著溫度的升高而增加；電加熱部件(10)，其被配置來(lái)通過(guò)接收電流加熱所述臂(5)的所述 彈性部件(30);距離確定電路(8)，其被配置來(lái)確定與所述磁頭(9， 9a-9c)和所述 磁盤(pán)(3)的所述表面之間的磁頭距離相關(guān)聯(lián)的磁頭距離關(guān)聯(lián)值；以及距離控制電路(8)，其被配置來(lái)在所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值表明所述磁頭距離小于閾值距離時(shí)，通過(guò)向所述加熱部件(10)提供電流來(lái)增加所述臂 (5)的所述彈性部件(30)的所述彈性。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述距離確定電路(8)從導(dǎo)航裝置(100)獲得所述盤(pán)片設(shè)備的 當(dāng)前海拔高度并且將所獲得的海拔高度用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的盤(pán)片設(shè)備，進(jìn)一步包括t/^夕Li tx^T±r 、丄厶乂 j 穴'i7乂HLi且xi^//旦^cu脳:tia v u 乂 hj//1 叫t/^夕u乂 i且被配置來(lái)檢測(cè)從所述磁盤(pán)(3)的所述表面反射的所述激光，其中所述距離確定電路(8)獲得從發(fā)射所述激光時(shí)到檢測(cè)到所反射的激光時(shí)的經(jīng)過(guò)時(shí)間，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的時(shí)間用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的盤(pán)片設(shè)備，其中所述磁頭(9、 9a-9c)包括沿所述磁盤(pán)(3)的旋轉(zhuǎn)方向(R)布 置并且在距離所述磁盤(pán)(3)的所述表面不同高度處通過(guò)所述臂(5)支撐 的多個(gè)磁頭(9a-9c)，其中所述距離確定電路(8)獲得被允許從所述磁盤(pán)(3)讀取所述數(shù) 據(jù)的所述多個(gè)磁頭(9a-9c)的數(shù)量，并且其中所述距離確定電路(8)將所獲得的數(shù)量用作所述磁頭距離關(guān)聯(lián)值。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種盤(pán)片設(shè)備，其中用于支撐磁頭(9，9a-9c)的臂(5)包括與磁盤(pán)(3)的表面平行設(shè)置的上部板和下部板(53，54)。下部板(54)具有比上部板(53)大的線(xiàn)性膨脹系數(shù)。上部板和下部板(53，54)設(shè)置有電加熱線(xiàn)(10)。當(dāng)盤(pán)片設(shè)備的當(dāng)前海拔高度超過(guò)閾值海拔高度時(shí)，向加熱線(xiàn)(10)提供電流以使得上部板和下部板(53，54)膨脹。由于上部板和下部板(53，54)之間的線(xiàn)性膨脹系數(shù)不同，臂(5)沿遠(yuǎn)離所述磁盤(pán)(3)的方向翹曲以使得磁頭(9，9a-9c)與磁盤(pán)(3)的表面之間的距離增加。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101430886SQ200810170458
公開(kāi)日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月7日
發(fā)明者彥坂隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社電裝