專利名稱：修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方法，熔絲單 元可通過標(biāo)準(zhǔn)接口直4妻進(jìn)行編程程序，以有效的減少修補(bǔ)時(shí)間及降低成本。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的存儲(chǔ)裝置，由于容量的要求越來越高，所以封裝程序?qū)⑾鄬?duì)的變的 更復(fù)雜與困難。在制程程序中，高整合的存儲(chǔ)裝置容易出現(xiàn)較多的缺陷存儲(chǔ)晶 胞。因此，存儲(chǔ)裝置隨著容量的增加將產(chǎn)生更多的缺陷存儲(chǔ)晶胞，而將進(jìn)一步 影響到存儲(chǔ)裝置的良率。
傳統(tǒng)上，常使用冗余存儲(chǔ)陣列來提升存儲(chǔ)裝置的良率，并且該冗余存儲(chǔ)陣 列是為冗余存儲(chǔ)晶胞所組成。當(dāng)缺陷存儲(chǔ)晶胞出現(xiàn)于存儲(chǔ)裝置的主存儲(chǔ)陣列中 時(shí)，圍繞在主存儲(chǔ)陣列四周的冗余存儲(chǔ)晶胞將取代缺陷存儲(chǔ)晶胞。因此，在制 程程序中，冗余存儲(chǔ)陣列的采用將有效的提升存儲(chǔ)裝置的良率。
又，習(xí)用技術(shù)中，各冗余存儲(chǔ)陣列分別通過一熔絲連接至主存儲(chǔ)陣列中對(duì) 應(yīng)的位元線及字線。在進(jìn)行一缺陷存儲(chǔ)晶胞修補(bǔ)時(shí)，對(duì)應(yīng)的熔絲將通過一激光 光束熔斷，以使得熔絲呈現(xiàn)開啟的狀態(tài)，如此，冗余存儲(chǔ)晶胞將根據(jù)熔斷的熔 絲，取代缺陷存儲(chǔ)晶胞。相反的，若無缺陷存儲(chǔ)晶胞的產(chǎn)生，各熔絲將保持關(guān) 閉的狀態(tài)。藉此，缺陷存儲(chǔ)晶胞產(chǎn)生時(shí)，熔絲將被編程開啟，以對(duì)于主存儲(chǔ)陣 列中的缺陷存儲(chǔ)晶胞的地地址進(jìn)行修補(bǔ)。
在進(jìn)行修補(bǔ)的過程中，往往必須使用一激光機(jī)臺(tái)，并通過激光機(jī)臺(tái)來產(chǎn)生 激光光束以熔斷熔絲。然，移動(dòng)激光機(jī)臺(tái)是相當(dāng)不便的，并且將會(huì)增加成本及 修補(bǔ)周期。此外，使用上述方式，當(dāng)存儲(chǔ)裝置已經(jīng)封裝后，即使之后發(fā)現(xiàn)失敗 的存儲(chǔ)晶胞仍不能進(jìn)一步修補(bǔ)，將使得存儲(chǔ)裝置成為一劣品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的在于提供一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方法，其中存儲(chǔ)模塊通過編程接口直接編程熔絲單元，甚至在完成封裝程序之后， 即使找到缺陷的存儲(chǔ)晶胞，仍可修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞。
本發(fā)明次要目的在于提供一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方 法，其中標(biāo)準(zhǔn)接口的編程接口用以修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞，如此將有效的減少修補(bǔ) 周期及成本，并且修補(bǔ)程序?qū)⒏憷?br> 本發(fā)明又一目的在于提供一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方 法，其中一編程模式設(shè)定于一模式暫存器中，如此存儲(chǔ)模塊將根據(jù)一編程指令 以進(jìn)入編程模式及標(biāo)準(zhǔn)模式的其中之一 。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)
方法，其主要結(jié)構(gòu)包括有 一編程接口，包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，是由該存儲(chǔ)模塊 的一標(biāo)準(zhǔn)接口中所選定而成，用于輸入復(fù)數(shù)個(gè)編程指令及復(fù)數(shù)個(gè)編程數(shù)據(jù)；一 模式暫存器，連接至該標(biāo)準(zhǔn)接口，用以接收該編程指令，并根據(jù)該編程指令進(jìn) 入一編程模式及一標(biāo)準(zhǔn)模式的其中的一者； 一控制信號(hào)產(chǎn)生器，連接至該標(biāo)準(zhǔn) 接口及該模式暫存器，用以接收該編程指令及該編程數(shù)據(jù)； 一熔絲單元，連接 該控制信號(hào)產(chǎn)生器； 一主存儲(chǔ)陣列，包括有復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)晶胞，連接該控制信號(hào) 產(chǎn)生器；及一冗余存儲(chǔ)陣列，包括有復(fù)數(shù)個(gè)冗余存儲(chǔ)晶胞，連接該熔絲單元及 該控制信號(hào)產(chǎn)生器，并根據(jù)該熔絲單元以取代該主存儲(chǔ)陣列中的缺陷存儲(chǔ)晶胞； 其中，當(dāng)該存儲(chǔ)模塊在該編程模式時(shí)，該控制信號(hào)產(chǎn)生器根據(jù)該編程指令及該 編程數(shù)據(jù)編程該熔絲單元。
為達(dá)成上述另一目的，本發(fā)明提供一種缺陷存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法，其主要 步驟包括有定義一編程接口，其包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，并由該存儲(chǔ)模塊的一標(biāo) 準(zhǔn)接口中所選定而成；根據(jù)該編程接口所輸入的一第一編程指令進(jìn)入一編程模 式；栓鎖該編程接口所輸入的至少一編程數(shù)據(jù)；拉升一工作電壓，并且根據(jù)該 編程接口所輸入的該編程數(shù)據(jù)及一第二編程指令編程一熔絲單元；恢復(fù)該工作 電壓，并且根據(jù)該編程接口所輸入的一第三編程指令停止編程該熔絲單元；及 根據(jù)該編程接口所輸入的一第四編程指令離開該編程模式。
本發(fā)明的有益效果在于記憶存儲(chǔ)模組模塊10能夠通過模塊本身的標(biāo)準(zhǔn)接口 1 3來進(jìn)行缺陷記憶存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)，不僅可直接對(duì)于熔絲進(jìn)行編程，以減少修補(bǔ) 時(shí)間及降低成本，并且不需要激光機(jī)臺(tái)即可完成編程動(dòng)作。此外，即使完成存 儲(chǔ)模塊10的封裝，仍可對(duì)于缺陷的記憶存儲(chǔ)晶胞進(jìn)行修補(bǔ)，藉此以增加產(chǎn)品良 率。


圖1為本發(fā)明存儲(chǔ)模塊的編程接口的方塊示意圖2為本發(fā)明存儲(chǔ)模塊一較佳實(shí)施例的電路方塊示意圖； 圖3為本發(fā)明缺陷列存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法的方法流程圖； 圖4為本發(fā)明缺陷行存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法的方法流程圖。 附圖標(biāo)記說明
10-存儲(chǔ)模塊；ll-編程指令；12-編程數(shù)據(jù)；13-標(biāo)準(zhǔn)接口； 15 -編程 接口； 17-模式暫存器；19-控制信號(hào)產(chǎn)生器；20-熔絲陣列；21-觸發(fā)器；2 3-熔絲陣列；31-主存儲(chǔ)陣列；33-冗余存儲(chǔ)陣列；331-列冗余存儲(chǔ)陣列；3 33-行冗余存儲(chǔ)陣列。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1,是為本發(fā)明存儲(chǔ)模塊的編程接口的方塊示意圖。如圖所示，本 發(fā)明存儲(chǔ)模塊10包括有一標(biāo)準(zhǔn)接口 13，該標(biāo)準(zhǔn)接口 13包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，并 且復(fù)數(shù)個(gè)接腳中亦可選擇部份接腳來作為一編程接口 15，例如CAS、 RAS、 A0、 Al、 A2及A3。并且，存儲(chǔ)模塊IO可通過標(biāo)準(zhǔn)接口 13中的編程接口 15 來進(jìn)行缺陷存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)。此外，上述編程接口 15的接腳僅是為本發(fā)明其中 一實(shí)施例而已，該編程界面15亦可從標(biāo)準(zhǔn)接口 13中選定別的接腳來組成，藉 此以符合實(shí)際的設(shè)計(jì)需求。
請(qǐng)參閱圖2,是為本發(fā)明存儲(chǔ)模塊一較佳實(shí)施例的電路方塊示意圖。如圖所 示，存儲(chǔ)模塊10包括有一編程接口 15、 一模式暫存器17、 一控制信號(hào)產(chǎn)生器1 9、 一熔絲單元20、 一主存儲(chǔ)陣列31及一冗余存儲(chǔ)陣列33。
編程接口 15用以輸入復(fù)數(shù)個(gè)編程指令11及復(fù)數(shù)個(gè)編程數(shù)據(jù)12。其中編程 數(shù)據(jù)12包括有修補(bǔ)地址信息，用以指示該主存儲(chǔ)陣列31中缺陷存儲(chǔ)晶胞的地 址。模式暫存器17連接標(biāo)準(zhǔn)接口 13以接收編程指令11,并用以記錄及發(fā)布存 儲(chǔ)模塊10的運(yùn)作模式，而且編程指令11用以決定模式暫存器17進(jìn)入一標(biāo)準(zhǔn)模 式或一編程j莫式。
控制信號(hào)產(chǎn)生器19連接標(biāo)準(zhǔn)接口 13及模式暫存器17,用以接收編程指令 11及編程數(shù)據(jù)12。當(dāng)模式暫存器17發(fā)布存儲(chǔ)模塊IO操作于編程模式時(shí)，控制 信號(hào)產(chǎn)生器19將根據(jù)編程指令11及編程數(shù)據(jù)12以進(jìn)行缺陷存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)程 序。熔絲單元20連接控制信號(hào)產(chǎn)生器19,包括有一觸發(fā)器21及一熔絲陣列23。 觸發(fā)器21用以鎖存從編程接口 15所輸入的編程數(shù)據(jù)12，而熔絲陣列23是由復(fù) 數(shù)個(gè)熔絲晶胞所組成，是為一非易失性存儲(chǔ)器，并與該觸發(fā)器21相連接。
此外，主存儲(chǔ)陣列31包括有復(fù)數(shù)個(gè)主存儲(chǔ)晶胞，而冗余存儲(chǔ)陣列包括有一 列冗余存儲(chǔ)陣列331及一行冗余存儲(chǔ)陣列333,并分別具有復(fù)數(shù)個(gè)冗余存儲(chǔ)晶胞。 主存儲(chǔ)陣列31、列冗余存儲(chǔ)陣列331及行冗余存儲(chǔ)陣列333分別連接控制信號(hào) 產(chǎn)生器19及熔絲單元20。
當(dāng)存儲(chǔ)模塊IO進(jìn)行產(chǎn)品可靠度測(cè)試，并在主存儲(chǔ)陣列31中發(fā)現(xiàn)缺陷存儲(chǔ) 晶胞，該模式暫存器17將會(huì)從編程接口 15中接收到編程指令11,而編程指令 11指示存儲(chǔ)模塊IO進(jìn)入編程模式，以使得存儲(chǔ)模塊IO操作于編程模式。
而控制信號(hào)產(chǎn)生器19根據(jù)編程指令11接收編程數(shù)據(jù)12,并將編程數(shù)據(jù)12 傳輸至觸發(fā)器21，而該觸發(fā)器21將鎖存住編程數(shù)據(jù)12。此外，在編程模式周 期中，控制信號(hào)產(chǎn)生器19將一工作電壓拉升至編程模式所要求的電壓量。藉此， 將根據(jù)編程數(shù)據(jù)12所指示的修補(bǔ)地址信息，以一高電壓編程熔絲陣列23中所 對(duì)應(yīng)的熔絲晶胞。
個(gè)別熔絲晶胞在完成編程程序后，炫絲陣列23中的編程熔絲晶胞將開啟列 冗余存儲(chǔ)陣列331中所對(duì)應(yīng)的列冗余存儲(chǔ)晶胞及行冗余存儲(chǔ)陣列333中所對(duì)應(yīng) 的行冗余存儲(chǔ)晶胞。如此，這對(duì)應(yīng)的列冗余存儲(chǔ)晶胞及這對(duì)應(yīng)的行冗余存儲(chǔ)晶 胞將可分別與主存儲(chǔ)陣列31中的缺陷的列存儲(chǔ)晶胞及行存儲(chǔ)晶胞相連接，以取 代缺陷的列存儲(chǔ)晶胞及行存儲(chǔ)晶胞。藉此，存儲(chǔ)模塊IO將可成為一無缺陷的存 儲(chǔ)模塊。
相對(duì)的，當(dāng)存儲(chǔ)模塊10進(jìn)行產(chǎn)品可靠度測(cè)試，并在主存儲(chǔ)陣列31中未發(fā) 現(xiàn)缺陷存儲(chǔ)晶胞，該模式暫存器17將會(huì)從編程接口 15接收到編程指令11,而 編程指令11指示存儲(chǔ)模塊IO進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)模式。存儲(chǔ)模塊IO操作于標(biāo)準(zhǔn)模式中， 控制信號(hào)產(chǎn)生器19將不會(huì)接收到編程指令11及編程數(shù)據(jù)12，熔絲單元20也不 會(huì)進(jìn)行編程，并且冗余存儲(chǔ)陣列33將處在關(guān)閉的狀態(tài)，而此時(shí)的存儲(chǔ)模塊10 可正常的存取主存儲(chǔ)陣列31中的數(shù)據(jù)。
請(qǐng)參閱圖3,是為本發(fā)明缺陷列存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法的方法流程圖；本發(fā)明 存儲(chǔ)模塊IO可定義一編程接口 15，該編程接口 15包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，而該接 腳是由該存儲(chǔ)模塊10的一標(biāo)準(zhǔn)接口 13中所選定而成，并且可通過該編程接口 1 5以連續(xù)的輸入一連串的編程指令11。如圖所示，列存儲(chǔ)晶胞修補(bǔ)方法如以下步驟所述首先， 一第一列編程指 令通過編程接口 15輸入于存儲(chǔ)模塊IO，模式暫存器17將接收第一列編程指令， 以記錄及發(fā)布存儲(chǔ)模塊10進(jìn)入列編程模式，如步驟51。
當(dāng)存儲(chǔ)模塊IO操作于列編程模式，可通過編程接口 15繼續(xù)輸入一第二編 程指令，而后， 一控制信號(hào)產(chǎn)生器19接收第二編程指令將對(duì)于熔絲20進(jìn)行編 程，如步驟53。
同時(shí)間，控制信號(hào)產(chǎn)生器19通過編程接口 15接收到第二編程指令外，尚 接收到復(fù)數(shù)個(gè)編程數(shù)據(jù)12，該編程數(shù)據(jù)12包括有至少一列編程數(shù)據(jù)，并用以表 示列修補(bǔ)地址的信息。而后，控制信號(hào)產(chǎn)生器19將編程數(shù)據(jù)12傳輸至熔絲單 元20的觸發(fā)器21，觸發(fā)器21將鎖存住編程數(shù)據(jù)12。此外，在列編程模式期間， 控制信號(hào)產(chǎn)生器19會(huì)將一工作電壓拉升至編程模式所要求的電壓量?？刂菩盘?hào) 產(chǎn)生器19根據(jù)編程數(shù)據(jù)12所指示的修補(bǔ)地址信息，以一高電壓編程熔絲陣列2 3中所對(duì)應(yīng)的熔絲晶胞，藉此完成熔絲陣列23的個(gè)別熔絲晶胞編程動(dòng)作。然后， 已編程的熔絲晶胞將開啟列冗余存儲(chǔ)陣列33中所對(duì)應(yīng)的列冗余存儲(chǔ)晶胞，以使 得對(duì)應(yīng)的列冗余存儲(chǔ)晶胞連接缺陷列存儲(chǔ)晶胞，并以取代缺陷列存儲(chǔ)晶胞，如 步驟531。
當(dāng)存儲(chǔ)模塊IO根據(jù)編程數(shù)據(jù)12而完成全部缺陷列存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)，將通 過編程接口 15繼續(xù)輸入一第三編程指令。而控制信號(hào)產(chǎn)生器19從編程接口 15 接收到第三編程指令，將拉降工作電壓至正常的電壓值，并且停止熔絲單元20 的編程，如步驟55。
當(dāng)計(jì)憶模塊10的工作電壓恢復(fù)至正常的電壓值，可通過編程接口 15輸入 一第四編程指令，依此模式暫存器17將接收到第四編程指令。而模式暫存器1 7將根據(jù)第四編程指令的指示，以發(fā)布存儲(chǔ)模塊10離開列編程模式，并回復(fù)至 標(biāo)準(zhǔn)模式，如步驟57。
請(qǐng)參閱圖4，是為本發(fā)明缺陷行存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法的方法流程圖；本發(fā)明 存儲(chǔ)模塊10可定義一編程接口 15，該編程接口 15包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，而該接 腳是由該存儲(chǔ)模塊10的一標(biāo)準(zhǔn)接口 13中所選定而成，并且可通過該編程接口 1 5以連續(xù)的輸入一連串的編程指令11。
如圖所示，行存儲(chǔ)晶胞修補(bǔ)方法如以下步驟所述首先， 一第一行編程指 令通過編程接口 15輸入于存儲(chǔ)模塊10,模式暫存器n接收第一行編程指令， 以記錄及發(fā)布存儲(chǔ)模塊IO進(jìn)入行編程模式，如步驟61。當(dāng)存儲(chǔ)模塊IO操作于行編程模式，可通過編程接口 15繼續(xù)輸入一第二編
程指令，而后， 一控制信號(hào)產(chǎn)生器19接收第二編程指令將對(duì)于熔絲20進(jìn)行編 程，如步驟63。
同時(shí)間，控制信號(hào)產(chǎn)生器19通過編程接口 15接收到第二編程指令外，尚 接收到復(fù)數(shù)個(gè)編程數(shù)據(jù)12,該編程數(shù)據(jù)12包括有至少一行編程數(shù)據(jù)，并用以表 示行修補(bǔ)地址的信息。而后，控制信號(hào)產(chǎn)生器19將編程數(shù)據(jù)12傳輸至熔絲單 元20的觸發(fā)器21,觸發(fā)器21將鎖存住編程數(shù)據(jù)12。此外，在行編程模式期間， 控制信號(hào)產(chǎn)生器19會(huì)將一工作電壓拉升至編程模式所要求的電壓量。而控制信 號(hào)產(chǎn)生器19根據(jù)編程數(shù)據(jù)12所指示的修補(bǔ)地址信息，以一高電壓編程熔絲陣 列23中所對(duì)應(yīng)的熔絲晶胞，藉此完成熔絲陣列23的個(gè)別熔絲晶胞編程動(dòng)作。 然后，已編程的熔絲晶胞將開啟行冗余存儲(chǔ)陣列33中所對(duì)應(yīng)的行冗余存儲(chǔ)晶胞， 以使得對(duì)應(yīng)的行冗余存儲(chǔ)晶胞連接缺陷行存儲(chǔ)晶胞，并以取代缺陷行存儲(chǔ)晶胞， 如步驟631。
當(dāng)存儲(chǔ)模塊IO根據(jù)編程數(shù)據(jù)12而完成全部缺陷行存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)，將通 過編程接口 15繼續(xù)輸入一第三編程指令。而控制信號(hào)產(chǎn)生器19從編程接口 15 接收到第三編程指令，將拉降工作電壓至正常的電壓值，并停止熔絲單元20的 編程，如步驟65。
最后，當(dāng)計(jì)憶模塊10的工作電壓恢復(fù)至正常的電壓值，可通過編程接口 1 5輸入一第四編程指令，依此模式暫存器17將接收到第四編程指令。而模式暫 存器17將根據(jù)第四編程指令的指示，以發(fā)布存儲(chǔ)模塊10離開行編程模式，并 回復(fù)至標(biāo)準(zhǔn)模式，如步驟67。
總和上述，本發(fā)明的存儲(chǔ)模塊10能夠通過模塊本身的標(biāo)準(zhǔn)接口 13來進(jìn)行 缺陷存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)，不僅可直接對(duì)于熔絲進(jìn)行編程，以減少修補(bǔ)時(shí)間及降低 成本，并且不需要激光機(jī)臺(tái)即可完成編程動(dòng)作。此外，即使完成存儲(chǔ)模塊10的 封裝，仍可對(duì)于缺陷的存儲(chǔ)晶胞進(jìn)行修補(bǔ)，藉此以增加產(chǎn)品良率。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范 圍，即凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與 修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，包括有一編程接口，包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，是由該存儲(chǔ)模塊的一標(biāo)準(zhǔn)接口中所選定的接腳組成，用于輸入復(fù)數(shù)個(gè)編程指令及復(fù)數(shù)個(gè)編程數(shù)據(jù)；一模式暫存器，連接至該標(biāo)準(zhǔn)接口，用以接收該編程指令，并根據(jù)該編程指令進(jìn)入一編程模式及一標(biāo)準(zhǔn)模式的其中之一；一控制信號(hào)產(chǎn)生器，連接至該標(biāo)準(zhǔn)接口及該模式暫存器，用以接收該編程指令及該編程數(shù)據(jù)；一熔絲單元，連接該控制信號(hào)產(chǎn)生器；一主存儲(chǔ)陣列，包括有復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)晶胞，連接該控制信號(hào)產(chǎn)生器；及一冗余存儲(chǔ)陣列，包括有復(fù)數(shù)個(gè)冗余存儲(chǔ)晶胞，連接該熔絲單元及該控制信號(hào)產(chǎn)生器，并根據(jù)該熔絲單元以取代該主存儲(chǔ)陣列中的缺陷存儲(chǔ)晶胞；其中，當(dāng)該存儲(chǔ)模塊在該編程模式時(shí)，該控制信號(hào)產(chǎn)生器根據(jù)該編程指令及該編程數(shù)據(jù)編程該熔絲單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該熔絲單元包括有 一觸發(fā)器，連接該控制信號(hào)產(chǎn)生器；及一熔絲陣列，包括有復(fù)數(shù)個(gè)熔絲晶胞，連接該觸發(fā)器及該控制信號(hào)產(chǎn)生器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該熔絲陣列是為一非易 失性存儲(chǔ)器。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該冗余存儲(chǔ)陣列包括有 一列冗余存儲(chǔ)陣列及一行冗余存儲(chǔ)陣列。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該編程指令包括有復(fù)數(shù) 個(gè)列編程指令及復(fù)數(shù)個(gè)行編程指令。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該編程數(shù)據(jù)包括有復(fù)數(shù) 個(gè)列編程數(shù)據(jù)及復(fù)數(shù)個(gè)行編程數(shù)據(jù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該編程模式包括有一列 編程模式及一行編程模式。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)模塊，其特征在于，該存儲(chǔ)模塊是為一DR AM存儲(chǔ)模塊及一 SDRAM存儲(chǔ)模塊的其中之一。
9. 一種缺陷存儲(chǔ)晶胞的修補(bǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟定義一編程接口，其包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，并由該存儲(chǔ)模塊的一標(biāo)準(zhǔn)接口中所選定的接腳組成；根據(jù)該編程接口所輸入的一第一編程指令進(jìn)入一編程模式； 栓鎖該編程接口所輸入的至少一編程數(shù)據(jù)；拉升 一 工作電壓，并且根據(jù)該編程接口所輸入的該編程數(shù)據(jù)及一第二編程 指令編程一熔絲單元；恢復(fù)該工作電壓，并且根據(jù)該編程接口所輸入的一第三編程指令停止編程 該熔絲單元；及根據(jù)該編程接口所輸入的一第四編程指令離開該編程模式。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該熔絲單元包括有一 觸發(fā)器及一熔絲陣列。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該觸發(fā)器用以栓鎖該 編程數(shù)據(jù)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該熔絲陣列是為一非 易失性存儲(chǔ)器。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該編程模式是為一修 補(bǔ)列存儲(chǔ)晶胞的列編程模式。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該編程模式是為一修 補(bǔ)行存儲(chǔ)晶胞的行編程模式。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該第一編程指令包括 一第一列編程指令，而該編程數(shù)據(jù)包括有至少一列編程數(shù)據(jù)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，該第一編程指令包括 一第一行編程指令，而該編程數(shù)據(jù)包括有至少一行編程數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種修補(bǔ)缺陷存儲(chǔ)晶胞的存儲(chǔ)模塊及其修補(bǔ)方法，其主要結(jié)構(gòu)包括有一編程接口、一模式暫存器、一控制信號(hào)產(chǎn)生器、一熔絲單元、一主存儲(chǔ)陣列及一冗余存儲(chǔ)陣列，其中編程接口包括有復(fù)數(shù)個(gè)接腳，并由存儲(chǔ)模塊的一標(biāo)準(zhǔn)接口中所選定而成，編程接口用于輸入復(fù)數(shù)個(gè)編程指令及編程數(shù)據(jù)，當(dāng)缺陷存儲(chǔ)晶胞出現(xiàn)于主存儲(chǔ)陣列時(shí)，模式暫存器將根據(jù)編程指令而進(jìn)入一編程模式，并依此編程熔絲單元，如此冗余存儲(chǔ)陣列的冗余存儲(chǔ)晶胞將可用于取代缺陷存儲(chǔ)晶胞，藉此，熔絲單元可通過標(biāo)準(zhǔn)接口直接進(jìn)行編程程序，以有效的減少修補(bǔ)時(shí)間及降低成本。
文檔編號(hào)G11C29/44GK101409110SQ20081017205
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
發(fā)明者丁子仁, 浚 夏, 陳和穎 申請(qǐng)人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司