專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其磨損平衡方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng) 及其磨損平4軒(wear-leveling)方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備被配置來在其中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備通常分 為易失性類型和非易失性類型。非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備即使沒有電源也能夠保 持其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而易失性存儲(chǔ)器設(shè)備在電源中斷或停止時(shí)會(huì)丟失它們的 數(shù)據(jù)。
由于具有低功耗的數(shù)據(jù)保持能力，非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備目前被認(rèn)為是便 攜式裝置的有用的存〗諸媒體。非易失性存儲(chǔ)器包括下列各種類型，例如，閃 存、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)等等。
閃存適用于高集成密度，由于非易失性優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)系統(tǒng)上。 通過包括多個(gè)存儲(chǔ)器塊來組織閃存。
MRAM類似于硬盤，依靠磁屬性來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。MRAM利用鐵磁隧道磁 滯電阻(TMR)器件來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
PRAM可以使用諸如硫化物合金(例如，Ge2Sb2Te5; GST)之類的薄 膜材料來運(yùn)行，它們用于CD-ROM或DVD-RAM中。這種石克化物合金的阻 抗在非結(jié)晶狀態(tài)下變得更大，但是在結(jié)晶狀態(tài)下變得更小。因此，通過感測(cè) 來自硫化物合金薄膜的阻抗級(jí)別將數(shù)據(jù)"1"或"0"存儲(chǔ)在其中。
FeRAM利用鐵電材料來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在鐵電材料中，極化作用 (polarization)是通過向其施加的電壓來定向的。因此，參考FeRAM中的被極化的取向來區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)。
同時(shí)，存儲(chǔ)在這樣的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備中的數(shù)據(jù)的改變次數(shù)是受到限制 的，因?yàn)橥ㄟ^重復(fù)性的寫和擦除操作，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備逐漸變得磨損。 隨著磨損程度的增加，會(huì)花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí)間來改變(例如寫或擦除)數(shù)據(jù)，這 在改變數(shù)據(jù)的同時(shí)會(huì)增加故障的概率。結(jié)果，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的單位單元
(unit cell)可能喪失了它自己的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備中，對(duì)寫和擦除操作的耐磨損性(wearability)通常 表示為耐久性(endurance)的指標(biāo)。由可操作(或可使用)的無故障的寫或 擦除次數(shù)來確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的耐久性。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的耐久性通 常在可使用次數(shù)上高達(dá)幾萬到幾百萬次。
為了延長(zhǎng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的壽命(或耐磨損性)，需要均勻的數(shù)據(jù)改變 事件(例如，寫或擦除)。如果用于改變數(shù)據(jù)狀態(tài)的操作集中在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 設(shè)備的特定區(qū)域上，則最終會(huì)導(dǎo)致該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的壽命極大地衰減。
以顯著地延長(zhǎng)其壽命。
人們已經(jīng)提出了平衡或管理諸如閃存之類的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的耐磨損 性的多種方式。然而，與其他類型的存儲(chǔ)器不同，閃存在覆寫模式中是不可 操作的。如果將用于閃存的磨損平衡方案應(yīng)用到PRAM、 MRAM或FeRAM， 則PRAM、 MRAM或FeRAM的性能將降低，因?yàn)檫@些存儲(chǔ)器在覆寫模式中 是可操作的。因此，需要提供一種用于可在覆寫模式中操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 系統(tǒng)的磨損平衡方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各方面致力于一種具有改進(jìn)的磨損平衡方案的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系 統(tǒng)，所述改進(jìn)的磨損平衡方案根據(jù)數(shù)據(jù)類型來選擇性地布置磨損平衡單元。
本發(fā)明的各方面也致力于 一種根據(jù)數(shù)據(jù)類型選擇性地布置磨損平衡單元 的磨損平衡方法。
本發(fā)明的各方面也致力于一種能夠通過根據(jù)數(shù)據(jù)類型選擇性地布置磨損 平衡單元來延長(zhǎng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的壽命的磨損平衡方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括非易失性 存儲(chǔ)器，其包括多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊被劃分為多個(gè)條目；文件系統(tǒng)，其檢測(cè)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的類型，并且根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來分配用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的邏
輯塊或條目；和轉(zhuǎn)換(translation)層，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來平衡所述邏輯 塊或條目上的磨損程度。
所分配的邏輯塊中的每個(gè)條目可以具有條目磨損次數(shù)，以及所述轉(zhuǎn)換層 可以檢測(cè)所分配的邏輯塊中的所分配條目的條目磨損次數(shù)是否達(dá)到預(yù)定的閾 值，且根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果來交換存儲(chǔ)在所分配的邏輯塊的多個(gè)條目中的數(shù)據(jù)。
所述轉(zhuǎn)換層可被配置來通過將其磨損次數(shù)達(dá)到所述閾值的條目中存儲(chǔ)的 數(shù)據(jù)交換為存儲(chǔ)在具有更小磨損次數(shù)的另一條目中的數(shù)據(jù)，來進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。
所述轉(zhuǎn)換層可被配置來彼此交換所述多個(gè)條目的數(shù)據(jù)，直到所分配的邏 輯塊的所有條目磨損次數(shù)達(dá)到所述閾值。
所述轉(zhuǎn)換層可被配置來根據(jù)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的更新頻率來確定所述閾值。
如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的更新頻率高，則所述轉(zhuǎn)換層可被配置來增加所述閾值。
如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的更新頻率低，則所述轉(zhuǎn)換層可被配置來降低所述閾值。
如果所述條目的條目磨損次數(shù)達(dá)到所述閾值，則所述轉(zhuǎn)換層可被配置來 將塊磨損次數(shù)增加所述閾值，并且重置所述條目磨損次數(shù)。
當(dāng)恢復(fù)所述邏輯塊時(shí)，如果所述條目的條目磨損次數(shù)的變化較小，則所 述轉(zhuǎn)換層可被配置來將所述塊磨損次數(shù)增加所述條目磨損次數(shù)的平均值，并 且重置所述條目磨損次數(shù)。
當(dāng)恢復(fù)所述邏輯塊時(shí)，如果所述條目的條目磨損次數(shù)的變化較大，則所 述轉(zhuǎn)換層可以使所述邏輯塊無效，并且維持所述條目磨損次數(shù)。
所述文件系統(tǒng)可以是文件分配表(FAT)、 Symbian FAT、和嵌入式文件 系統(tǒng)2 (EFS2)中的一個(gè)。
如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)，則所述文件系統(tǒng)可被配置來分配用于存儲(chǔ) 所述熱數(shù)據(jù)的條目。
如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是冷數(shù)據(jù)，則所述文件系統(tǒng)可被配置來分配用于存儲(chǔ) 所述冷數(shù)據(jù)的邏輯塊。
所述轉(zhuǎn)換層可被配置來參考所述塊磨損次數(shù)來分配所述邏輯塊。
所述轉(zhuǎn)換層可被配置來首先分配具有最小磨損次數(shù)的邏輯塊。
所述非易失性存儲(chǔ)器可以是可覆寫的。所述非易失性存儲(chǔ)器可以是相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的 一個(gè)。
所述邏輯塊的大小可以根據(jù)所述文件系統(tǒng)的類型。
所述文件系統(tǒng)可被配置來向所述轉(zhuǎn)換層提供所述邏輯塊的大小信息。 所述文件系統(tǒng)可被配置來針對(duì)建立或安裝時(shí)間確定邏輯塊的大小。 所述條目的大小可以根據(jù)所述文件系統(tǒng)的類型。
所述文件系統(tǒng)可被配置來向所述轉(zhuǎn)換層提供所述條目的大小信息。 所述文件系統(tǒng)可被配置來針對(duì)建立或安裝時(shí)間確定條目的大小。 根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的磨損平衡 方法，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)具有多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊被劃分為多個(gè)條 目。所述方法包括檢測(cè)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的類型，并且根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型分配
用于所述數(shù)據(jù)的邏輯塊或條目；以及根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型管理所述邏輯塊或條 目的磨損程度。
根據(jù)本發(fā)明的各方面，通過根據(jù)數(shù)據(jù)類型選擇性地布置磨損平衡單元改 進(jìn)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的性能。
而且，通過根據(jù)數(shù)據(jù)類型選擇性地布置磨損平衡單元延長(zhǎng)了半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器設(shè)備的壽命。
通過參考說明書的剩余部分和附圖，可以實(shí)現(xiàn)這里的本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu) 點(diǎn)的更深理解。


將參考下列附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的非限制且非窮盡的實(shí)施例，其中， 貫穿各個(gè)附圖，除非相反指定，否則類似的附圖表示表示類似的部件。附圖
中
圖1是根據(jù)本發(fā)明各方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方案的處理層的實(shí)施例的框圖； 圖3示出了 FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；
圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方法的實(shí)施例的流程
圖5A和圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的邏輯塊的實(shí)施例；
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的條目單元磨損平衡方法的實(shí)施例；圖7中的(a)到(d)示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的條目單元磨損平衡方 法的詳細(xì)過程的實(shí)施例；
圖8A到圖8C示出了通過根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方法初始化條目 磨損次數(shù)的處理的實(shí)施例；和
圖9是包括根據(jù)本發(fā)明各方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的實(shí)施例 的框圖。
具體實(shí)施例方式
下面，通過考慮數(shù)據(jù)類型的磨損平衡特征，將參考附圖更詳細(xì)地描述根 據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明能夠以不同的方式體現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)被 曲解為限于此處所闡述的實(shí)施例。整個(gè)附圖中類似的附圖標(biāo)記表示類似的元 件。
應(yīng)該理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二等等此處可被用來描述各種元件，但這 些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用于進(jìn)行彼此區(qū)分，但是并不暗示必 需的元件順序。例如，第一元件可以稱作第二元件，以及類似地，第二元件 可以稱作第一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或" 包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的任意及所有組合。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不意欲限制本發(fā)明。 如這里所使用的，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"、"所述"除非上下文清楚指出， 否則旨在同樣包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，術(shù)語(yǔ)"包括"、"包含"、"具有" 和/或"含有，，當(dāng)在這里使用時(shí)指定所陳述特征、步驟、操作、元件和/或組件 的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、步驟、操作、元件、組件和/或其 群組的存在或添加。
根據(jù)本發(fā)明多方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備以各種方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。例如，根據(jù)。
元數(shù)據(jù)被提供用來描述用戶數(shù)據(jù)。元數(shù)據(jù)定義用戶數(shù)據(jù)中涉及的位置、 大小、屬性等。元數(shù)據(jù)被系統(tǒng)參考，但是不被用戶識(shí)別。
元數(shù)據(jù)與用戶數(shù)據(jù)一起被更新。否則，也允許排它地更新元數(shù)據(jù)，但是 不允許更新用戶數(shù)據(jù)。因此，元凝:據(jù)可以比用戶數(shù)據(jù)更頻繁地被更新。
用戶數(shù)據(jù)分為熱數(shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)。熱數(shù)據(jù)是指尺寸小且被高頻率存取的數(shù)據(jù)。例如，熱數(shù)據(jù)可以是移動(dòng)通信終端的聯(lián)系地址數(shù)據(jù)。
元數(shù)據(jù)尺寸小并且被頻繁地修改。下文中，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例將元數(shù) 據(jù)認(rèn)為是等同于熱數(shù)據(jù)。
冷數(shù)據(jù)是指尺寸大且被低頻率存取的數(shù)據(jù)。例如，冷數(shù)據(jù)可以是大容量 多媒體(視頻或音頻)數(shù)據(jù)。通常，多媒體數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)大小或者容量上較大 且以低頻率被存取。
本發(fā)明的特點(diǎn)在于考慮數(shù)據(jù)類型(例如熱數(shù)據(jù)或冷數(shù)據(jù))提供磨損平衡。 下文中將結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明的磨損平衡方案的示例性方面。
圖1是根據(jù)本發(fā)明各方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí)施例的框圖。
參考圖1，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)100由中央處理單元(CPU) 110、主存儲(chǔ) 器120和PRAM 130組成。在圖1中，實(shí)線表示通過其傳送數(shù)據(jù)和命令的總 線。PRAM 130作為非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，被用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。即使當(dāng)對(duì)PRAM 130中止電源時(shí)，它也保持它的數(shù)據(jù)。
PRAM 130中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在被加載到主存儲(chǔ)器120之后由CPU IIO處理。 通過CPU 110處理的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在PRAM 130中。利用這樣的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器系統(tǒng)100能夠進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡功能。
圖2是根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方案的處理層的實(shí)施例的框圖。
依靠應(yīng)用程序210、文件系統(tǒng)220、轉(zhuǎn)換層230和PRAM 240來執(zhí)行根據(jù) 該實(shí)施例的磨損平tf方案。
應(yīng)用程序210、文件系統(tǒng)220和轉(zhuǎn)換層230 ^R加載到主存儲(chǔ)器120并且 通過CPU 110來處理。
應(yīng)用程序210響應(yīng)于用戶的輸入而處理數(shù)據(jù)。應(yīng)用程序210處理數(shù)據(jù)并 且向文件系統(tǒng)220提供用于存儲(chǔ)所處理的數(shù)據(jù)的命令。
文件系統(tǒng)220響應(yīng)于從應(yīng)用程序210提供的命令而分配存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的區(qū)域。 并且，文件系統(tǒng)220向轉(zhuǎn)換層230傳送與待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相關(guān)的信息。轉(zhuǎn)換層 230響應(yīng)于從文件系統(tǒng)220提供的信息而管理數(shù)據(jù)。
下文中將假設(shè)熱數(shù)據(jù)正被存儲(chǔ)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備中。為了存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)， 應(yīng)用程序210將相應(yīng)的命令傳送到文件系統(tǒng)220。文件系統(tǒng)220響應(yīng)于/人應(yīng) 用程序210提供的命令而分配用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的區(qū)域。并且，文件系統(tǒng)220通 知轉(zhuǎn)換層230待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)。轉(zhuǎn)換層230響應(yīng)于從文件系統(tǒng)提供的 信息而管理熱數(shù)據(jù)。在這些實(shí)施例中，PRAM 240被例示為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備。PRAM 240 是一種依靠具有隨溫度可變的電阻的可導(dǎo)電材料來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ) 器設(shè)備。
PRAM 240以低功率操作，因此具有非易失性特性。在PRAM 240的寫 操作中，電流使得相變材料轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)或非結(jié)晶狀態(tài)。通過流經(jīng)相變材 料的電流的速率和持續(xù)時(shí)間來確定相變材料的這種結(jié)晶狀態(tài)或非結(jié)晶狀態(tài)。 PRAM240通過電流根據(jù)相變材料的阻抗間隙來區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)"1"或"0"。
PRAM是一種其中不必進(jìn)行寫前擦除操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備。本發(fā)明 可應(yīng)用于能夠在其中覆寫數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，不限于PRAM?？筛矊?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備表示不必進(jìn)行寫前擦除操作的非易失性存儲(chǔ)器單元。例如， 可覆寫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備包括MRAM和FeRAM。
然而存在各種文件系統(tǒng)，在這些實(shí)施例中，通過采用文件分配表(FAT) 作為文件系統(tǒng)220來例示本發(fā)明。
圖3示出了示例FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。參考圖3,在FAT文件系統(tǒng)300 中，PRAM 240被劃分為引導(dǎo)記錄字段310、第一 FAT字段(FAT #1 ) 320、 第二FAT字段(FAT#2) 330和數(shù)據(jù)字段340。
引導(dǎo)記錄字段310存儲(chǔ)用于引導(dǎo)系統(tǒng)的機(jī)器碼和FAT文件系統(tǒng)300的設(shè) 置值。引導(dǎo)記錄字段310也被稱作基本輸入輸出系統(tǒng)(bios)參數(shù)塊(BPB)。
第一 FAT字段(FAT #1 ) 320和第二 FAT字段(FAT #2 ) 330存儲(chǔ)用于 管理簇的表。所述簇是指待分配用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的最小單元。因此，所述簇被 稱作"分配單元"。
第一FAT字段(FAT #1 ) 320用于跟蹤簇與文件之間的分配模式。參考 第一FAT字段(FAT弁1 ) 320，它識(shí)別簇的被使用狀態(tài)、以及簇與文件之間的 連接模式。如果第一FAT字段(FAT #1 ) 320損壞，則不能讀取文件。由于 該原因，第二FAT字段(FAT#2) 330被提供作為副本。因此，第二FAT字 段(FAT#2) 330在內(nèi)容上與第一FAT字段(FAT#1 ) 320相同。
數(shù)據(jù)字段340存儲(chǔ)文件和目錄。目錄包括目錄條目。目錄條目包含諸如 文件名、文件大小、和文件位置之類的文件屬性。
在FAT文件系統(tǒng)中，經(jīng)常被存取的數(shù)據(jù)，例如FAT #1 320、 FAT #2 330 或目錄條目，對(duì)應(yīng)于熱數(shù)據(jù)。但是很少被存取的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于冷數(shù)據(jù)。
根據(jù)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是熱或冷數(shù)據(jù)的條件，本發(fā)明使得磨損平衡方案能夠?qū)τ诿糠N類型的數(shù)據(jù)而有所不同。下文中將結(jié)合圖4來描述根據(jù)本發(fā)明各方 面的磨損平纟軒方法的實(shí)施例。
圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方法的實(shí)施例的流程圖。
參考圖4，首先檢測(cè)數(shù)據(jù)的類型(步驟410)。通過文件系統(tǒng)220來檢測(cè) 數(shù)據(jù)類型。如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是冷數(shù)據(jù)，則文件系統(tǒng)通知轉(zhuǎn)換層230待存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)是冷數(shù)據(jù)。文件系統(tǒng)220分配PRAM 240的整個(gè)邏輯塊以i"更存儲(chǔ)冷數(shù) 據(jù)。
在待存儲(chǔ)的存儲(chǔ)是冷數(shù)據(jù)的情況下，轉(zhuǎn)換層230對(duì)多個(gè)邏輯塊實(shí)施磨損 平衡(步驟430)。在磨損平衡操作中，確定邏輯塊的磨損次數(shù)。然后，具有 最小磨損次數(shù)的邏輯塊被優(yōu)先地分配。
這里，邏輯塊是指以邏輯單位從PRAM 240的存儲(chǔ)器單元陣列劃分的扇 區(qū)。該邏輯塊與存儲(chǔ)器單元陣列的物理結(jié)構(gòu)不同。為了便于描述，邏輯塊的 大小可以與文件系統(tǒng)的分配單元(例如，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)的簇)相同。但是本 發(fā)明在邏輯塊大小方面不限于此。也可以對(duì)于建立或安裝時(shí)間確定邏輯塊的 大小。
如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)，則文件系統(tǒng)220通知轉(zhuǎn)換層230待存儲(chǔ)的 數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)。而且，文件系統(tǒng)220將邏輯塊部分地分配為用于存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù) 的區(qū)域。在該實(shí)施例中，通過條目部分地定義邏輯塊。邏輯塊的區(qū)域中的條 目用于存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)。為了便于描述，條目的大小可以與FAT文件系統(tǒng)的目錄 條目的大小相同。但是本發(fā)明在條目大小方面不限于此。也可以對(duì)于建立或 安裝時(shí)間確定條目的大小。
總之，如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是冷數(shù)據(jù)，則在邏輯塊級(jí)別上執(zhí)行磨損平衡處 理(參考步驟430)。這是因?yàn)槔鋽?shù)據(jù)的特征在于它在邏輯塊級(jí)別上被磨損。 相反，如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)，則熱數(shù)據(jù)在邏輯塊級(jí)別上被磨損之前通 常在條目級(jí)別上被磨損(參考步驟420)。也就是，根據(jù)熱數(shù)據(jù)的特性，它是 在條目級(jí)別上被磨損的?，F(xiàn)在，下文中將結(jié)合附圖來描述根據(jù)本發(fā)明各方面 的邏輯塊的結(jié)構(gòu)。
圖5A和圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的邏輯塊的實(shí)施例。
圖5A示出了存儲(chǔ)冷數(shù)據(jù)(CD)的邏輯塊。參考圖5A,邏輯塊的首部存 儲(chǔ)關(guān)于邏輯塊的信息。具體地，邏輯塊的首部存儲(chǔ)塊磨損次數(shù)作為Blk—cnt。在分配邏輯塊的同時(shí)，塊磨損次數(shù)被轉(zhuǎn)換層230參考。在分配邏輯塊中，
為了平衡邏輯塊的磨損程度的目的，首先分配具有最小塊磨損次數(shù)的邏輯塊。
圖5B示出了存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)(HD)的邏輯塊。參考圖5B，邏輯塊的首部存 儲(chǔ)塊磨損次數(shù)Blkjnt。該邏輯塊包括多個(gè)條目E1 E4。每個(gè)條目存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù) HD。
條目磨損次數(shù)El_cnt ~ E4—cnt表示條目E1 E4的磨損程度。條目磨損次 數(shù)El一cnt-E4—cnt被轉(zhuǎn)換層230參考，被用作用于平衡磨損的參考。條目磨 損次數(shù)El一cnt E4—cnt可被存儲(chǔ)在邏輯塊的首部中或者其他字段中。例如， 條目磨損次數(shù)El一cnt E4_cnt可以與塊磨損次數(shù)Blk_cnt —起以表的形式存 儲(chǔ)在PRAM 240中，并且被轉(zhuǎn)換層230參考。
盡管圖5B中所示的邏輯塊包括四個(gè)條目E1 E4，但是本發(fā)明不限于此。 條目數(shù)根據(jù)數(shù)據(jù)類型可變。
延長(zhǎng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的壽命要求使得條目的磨損程度均勻。下文中將
結(jié)合附圖來描述根據(jù)本發(fā)明各方面的條目單元磨損平衡方法。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的條目單元磨損平衡方法的實(shí)施例。 參考圖6，邏輯塊包括多個(gè)條目E1 E4。括號(hào)中包括的數(shù)目表示磨損次 數(shù)的數(shù)目。條目E1 E4分別存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)HD1 HD4。例如，第一條目El存儲(chǔ) 第一熱數(shù)據(jù)HDl,并且第一條目El的磨損次數(shù)在該實(shí)施例中是4。
根據(jù)本發(fā)明，其磨損次數(shù)的數(shù)目達(dá)到閾值的條目中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被交換為 其磨損次數(shù)是所有條目中磨損次數(shù)最小的條目中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。磨損次數(shù)達(dá)到 閾值的條目的數(shù)據(jù)大多數(shù)具有高頻率的更新，而其磨損次數(shù)是所有條目中磨 損次數(shù)最小的條目的數(shù)據(jù)可能具有低頻率的更新。通過高頻率數(shù)據(jù)和低頻率 數(shù)據(jù)之間的這種交換的重復(fù)，能夠平衡條目的磨損程度。
可以任意地設(shè)置所述閾值。例如，如果頻繁地更新數(shù)據(jù)，則應(yīng)用大閾值。 相反，除非頻繁地更新數(shù)據(jù)，否則可以應(yīng)用小閾值。在本實(shí)施例中，假設(shè)閾 值是5。
現(xiàn)在將描述校正第一條目El的熱數(shù)據(jù)HD1的情況。第一條目El的磨損 次數(shù)通過校正從4變成預(yù)定的閾值(即，5)。而且，第三條目E3具有最小的 磨損次數(shù)。因此，第一條目El的熱數(shù)據(jù)HD1被交換為第三條目E3的熱數(shù)據(jù) HD3。盡管未示出，但是可以提供用于在條目之間交換數(shù)據(jù)的緩沖器，因?yàn)?條目的數(shù)據(jù)可以通過覆寫來擦除。結(jié)果，熱數(shù)據(jù)HD3被存儲(chǔ)在第一條目El中，熱數(shù)據(jù)HD1被存儲(chǔ)在第三 條目E3中。因此，第一條目El和第三條目E3變?yōu)榉謩e具有它們校正后的 條目磨損次數(shù)5和2。
通過交換操作的這種重復(fù)，被頻繁更新的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在已經(jīng)磨損所有條 目的最小次數(shù)的條目中。從而，所述方法能夠均勻或者平衡條目的磨損程度。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明各方面的條目單元磨損平衡方法的詳細(xì)過程的實(shí) 施例。
參考圖7，表(a)是包括四個(gè)條目E1 E4的邏輯塊。
條目E1 E4分別存儲(chǔ)熱數(shù)據(jù)HD1 HD4。首先，假設(shè)改變或更新熱數(shù)據(jù) HD2,并且閾值為5。
在表(a)中當(dāng)?shù)诙l目E2的磨損次數(shù)是4時(shí)，它在被更新時(shí)達(dá)到閾值。 因此，在表(b)中熱數(shù)據(jù)HD2被存儲(chǔ)在第一條目El中，其被限定在最小的 條目磨損次數(shù)。而且，熱數(shù)據(jù)HD1被存儲(chǔ)在第二條目E2中。從而，熱數(shù)據(jù) HD1在位置上變?yōu)闊釘?shù)據(jù)HD2。參考圖7的表(b),第一條目E1和第二條 目E2的磨損次數(shù)分別變?yōu)?和5。
接著，假設(shè)再次更新熱數(shù)據(jù)HD2。 一旦更新，第一條目El的磨損次數(shù) 從4達(dá)到預(yù)定的閾值。然后，在表(c)中，熱數(shù)據(jù)HD2被存儲(chǔ)在第四條目 E4中，其具有最小的條目磨損次數(shù)。而且，熱數(shù)據(jù)HD4被存儲(chǔ)在第一條目 El中。結(jié)果，熱數(shù)據(jù)HD2在位置上被交換為熱數(shù)據(jù)HD4。參考圖7的表(c)， 第一條目El和第四條目E4的磨損次數(shù)分別變?yōu)?和4。
另外，可以假設(shè)另外更新熱數(shù)據(jù)HD2。在更新之前第四條目E4的磨損 次數(shù)是4， 一旦更新，它變成閾值5。然而，如表(d)中所示，在其他條目 E1 E3之間沒有熱數(shù)據(jù)的位置交換的機(jī)會(huì)，因?yàn)樗鰲l目中的每一個(gè)的條目 磨損次數(shù)已經(jīng)達(dá)到預(yù)定的閾值5。即，僅熱數(shù)據(jù)HD4被更新以增加第四條目 E4的磨損次數(shù)。最后，所有條目E1 E4的磨損次數(shù)被限制在闊值(例如5)。
通過所述過程，平衡了條目的磨損程度。由于最頻繁更新的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ) 在具有最小磨損次數(shù)的條目中，因此所述過程平衡了條目的磨損程度。
另一方面，當(dāng)所有條目E1 E4達(dá)到預(yù)定的閾值時(shí)，必須重置(或初始化) 條目E1 E4的磨損次數(shù)(或磨損程度)。下文中將結(jié)合附圖來描述根據(jù)本發(fā) 明各方面的初始化處理的實(shí)施例。
圖8A到圖8C示出了通過根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方法來初始化條目磨損次數(shù)的處理的示例實(shí)施例。
圖8A示出了如果在該示例中所有條目E1 E4達(dá)到預(yù)定的閾值(即5 ) 則初始化條目磨損次數(shù)的特征。參考圖8A，如果條目磨損次數(shù)達(dá)到閾值，則 塊磨損次數(shù)增加和閾值一樣大的值。然后，條目磨損次數(shù)被重置為零。塊磨 損次數(shù)是5意味著所有條目E1 E4已經(jīng)磨損五次。在這種條件下，初始化處 理能夠通過將所有條目E1 E4重置為0來管理?xiàng)l目磨損次數(shù)。
圖8B和8C示出了在恢復(fù)邏輯塊的情況下初始化條目磨損次數(shù)的特征。 在這種情況下，與圖8A的特征不同，盡管所有條目磨損次數(shù)未達(dá)到閾值， 但是仍執(zhí)行初始化。
在該實(shí)施例中，基于條目磨損次數(shù)的變化來執(zhí)行初始化。這里，變化是 指條目磨損次數(shù)距平均值m有多遠(yuǎn)。例如，如果條目磨損次數(shù)距平均值m很 遠(yuǎn)，則這意味著變化較大。相反，如果條目磨損次數(shù)離平均值m較近，則這 意味著差量較小。
圖8B示出了當(dāng)條目磨損次凄史散布在小范圍內(nèi)(即小變化)時(shí)的初始化特 征。參考圖8B，條目磨損次數(shù)距平均值m較近地分布。在這種情況下，塊磨 損次數(shù)增加平均值m,并且條目磨損次數(shù)被重置為零。結(jié)果，假設(shè)所有條目 中的每一個(gè)已經(jīng)被磨損m次。由于條目磨損次數(shù)被限制在小變化內(nèi)，該方法 在平衡磨損程度方面是有效的。
圖8C示出了當(dāng)條目磨損次數(shù)散布在寬范圍內(nèi)(即大變化)時(shí)的初始化特 征。參考圖8C,條目磨損次數(shù)距平均值m遠(yuǎn)遠(yuǎn)地分布。在這種情況下，邏輯 塊的首部存儲(chǔ)無效信息。該無效信息是指邏輯塊仍未被分配并且被限制在可 用狀態(tài)，在該可用狀態(tài)下維持條目磨損次數(shù)。之后，如果邏輯塊被分配用于 數(shù)據(jù)，則參考條目磨損次數(shù)來執(zhí)行磨損平衡處理。由于在條目磨損次數(shù)之間 存在大偏差，因此維持該條目磨損次數(shù)以便平衡磨損程度。
盡管根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例被描述成邏輯塊對(duì)應(yīng)于簇以及條目對(duì)應(yīng)于目錄 條目，但是在結(jié)構(gòu)條件上不限于此。相反，可以按照文件系統(tǒng)的種類以各種 形式確定邏輯塊和條目的大小。
根據(jù)本發(fā)明的磨損平衡方法也可以由另 一種文件系統(tǒng)來進(jìn)行。存在其他 用于移動(dòng)通信i殳備的可用文件系統(tǒng)，例如Symbian FAT和嵌入式文件系統(tǒng)2 (EFS2 )。
Symbian操作系統(tǒng)(OS )是針對(duì)自1998年由歐洲移動(dòng)設(shè)備制造商聯(lián)盟(例如諾基亞、索尼愛立信和西門子)研發(fā)的移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、 智能電話等的移動(dòng)專用計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)。
EFS2是EFS的改進(jìn)版。EFS2用于由高通公司的實(shí)時(shí)執(zhí)行(REX) OS 管理的碼分多址(CDMA)移動(dòng)電話。
圖9是包括根據(jù)本發(fā)明各方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的實(shí)施例 的框圖。
參考圖9,根據(jù)本發(fā)明各方面的計(jì)算系統(tǒng)500由處理器510、控制器520、 輸入單元530、輸出單元540、閃存550和RAM 560組成。實(shí)線表示數(shù)據(jù)流 或通過其傳送命令的系統(tǒng)總線。
在計(jì)算系統(tǒng)500中，通過輸入單元(例如鍵盤、相機(jī)等)530從外部源 輸入數(shù)據(jù)。這樣的輸入數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在閃存550或RAM 560中。
控制器520操作來響應(yīng)于來自外部源的命令而控制計(jì)算系統(tǒng)500的組件。 處理器510響應(yīng)于控制器520的輸出而進(jìn)行處理操作。處理的結(jié)果^皮存儲(chǔ)在 閃存550或RAM 560中。
輸出單元540響應(yīng)于控制器520的控制來操作以輸出來自閃存550或 RAM 560的數(shù)據(jù)。輸出單元540為用戶提供來自閃存550中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的可 感知的模式。例如，輸出單元540可以包括顯示設(shè)備和揚(yáng)聲器。閃存550能 夠以根據(jù)本發(fā)明各方面的磨損平衡方案來工作。
可以經(jīng)由各種類型的封裝將閃存550和/或控制器520安裝在計(jì)算系統(tǒng) 500上。例如，閃存550和/或控制器520可以通過下列任何已知或后來開發(fā) 的封裝類型被放置在其上，例如包括層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、 芯片規(guī)模封裝(CSP)、塑料式引線芯片承載封裝(PLCC)、塑料雙列直插式封裝 (PDIP)、晶片包中管芯封裝(Die in Waffle Pack)、晶片形式的管芯封裝(Die in Wafer Form)、板上芯片技術(shù)(COB)、陶覺雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公 制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外型封裝(SOIC)、縮 小外型封裝(SSOP)、薄型小尺寸封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、單 列直插式封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)制造封裝(WFP)、晶片級(jí)處理 堆棧封裝(WSP)、或者晶片級(jí)處理封裝(WSP)。
盡管圖9中未示出，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)理解電源單元將電 力提供給計(jì)算系統(tǒng)500。而且，如果計(jì)算系統(tǒng)500是一種移動(dòng)設(shè)備，則它可 以進(jìn)一步包括用于向其提供電力的電池。計(jì)算系統(tǒng)500的性能和容量將與閃存550的性能和容量的改進(jìn)成比例地^是高。
根據(jù)本發(fā)明各方面的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)也可應(yīng)用于固態(tài)盤(SSD)。近年 來，SSD產(chǎn)品正受矚目為能夠替代硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的有竟?fàn)幜Φ慕鉀Q方 案。SSD比機(jī)械地工作的HDD在工作速度、外部影響和功耗上更有優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)也被利用為便攜式存儲(chǔ)設(shè)備。例如，半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)可被用作MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、PDA、或電子書的存儲(chǔ)設(shè) 備。而且，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)可被用作用于數(shù)字電視或個(gè)人計(jì) 算機(jī)的存儲(chǔ)單元。
旨在涵蓋落入本發(fā)明的精神和范疇之內(nèi)的所有如此修改、改進(jìn)和其他實(shí)施例。 因此，在法律允許的最大程度上，本發(fā)明的范疇將由所附權(quán)利要求及其等效 物的最廣允許解釋來確定，并且不應(yīng)當(dāng)由前面詳細(xì)的描述和附圖來限制或界 定。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括非易失性存儲(chǔ)器，其包括多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊被劃分為多個(gè)條目；文件系統(tǒng)，其檢測(cè)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的類型，并且根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來分配用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的邏輯塊或條目；和轉(zhuǎn)換層，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來平衡所述邏輯塊或條目的磨損程度。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所分配的邏輯塊中的每 個(gè)條目具有條目磨損次數(shù)，并且所述轉(zhuǎn)換層^r測(cè)所分配的邏輯塊中的所分配 條目的條目磨損次數(shù)是否達(dá)到預(yù)定的閾值，且根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果來交換所分配 的邏輯塊的多個(gè)條目中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)換層通過將其磨 損次數(shù)達(dá)到所述閾值的條目中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)交換為在具有更小磨損次數(shù)的另一 條目中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，來進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)換層交換所述多 個(gè)條目彼此的數(shù)據(jù)，直到所分配的邏輯塊的所有條目磨損次數(shù)達(dá)到所述閾值。
5. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)換層根據(jù)待存儲(chǔ) 的數(shù)據(jù)的更新頻率來確定所述閾值。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的更 新頻率高，則所述轉(zhuǎn)換層增加所述閾值。
7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的更 新頻率低，則所述轉(zhuǎn)換層降低所述閾值。
8. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果所述條目的條目磨 損次數(shù)達(dá)到所述閾值，則所述轉(zhuǎn)換層將塊磨損次數(shù)增加所述閾值，并且重置 所述條目磨損次數(shù)。
9. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中當(dāng)恢復(fù)所述邏輯塊時(shí)， 如果所述條目的條目磨損次數(shù)的變化較小，則所述轉(zhuǎn)換層將所述塊磨損次數(shù) 增加所述條目的條目磨損次數(shù)的平均值，并且重置所述條目磨損次數(shù)。
10. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中當(dāng)恢復(fù)所述邏輯塊時(shí)， 如果所述條目的條目磨損次數(shù)的變化較大，則所述轉(zhuǎn)換層使所述邏輯塊無效， 并且維持所述條目磨損次數(shù)。
11. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述文件系統(tǒng)是文件分配表FAT、 Symbian FAT、和嵌入式文件系統(tǒng)2 EFS2中的 一個(gè)。
12. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是 熱數(shù)據(jù)，則所述文件系統(tǒng)分配用于存儲(chǔ)所述熱數(shù)據(jù)的條目。
13. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是 冷數(shù)據(jù)，則所述文件系統(tǒng)分配用于存儲(chǔ)所述冷數(shù)據(jù)的邏輯塊。
14. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)換層參考所述 塊磨損次數(shù)來分配所述邏輯塊。
15. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述轉(zhuǎn)換層首先分配 具有最小磨損次數(shù)的邏輯塊。
16. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述非易失性存儲(chǔ)器 是可覆寫的。
17. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述非易失性存儲(chǔ)器 是相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、》茲隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的一個(gè)。
18. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述邏輯塊的大小是 根據(jù)所述文件系統(tǒng)的類型而確定的。
19. 如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述文件系統(tǒng)向所述 轉(zhuǎn)換層提供所述邏輯塊的大小信息。
20. 如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述文件系統(tǒng)確定針 對(duì)建立或安裝時(shí)間確定邏輯塊的大小。
21. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述條目的大小是根 據(jù)所述文件系統(tǒng)的類型而確定的。
22. 如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述文件系統(tǒng)向所述 轉(zhuǎn)換層提供所述條目的大小信息。
23. 如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述文件系統(tǒng)針對(duì)建 立或安裝時(shí)間確定條目的大小。
24. —種用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的磨損平衡方法，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系 統(tǒng)具有多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊被劃分為多個(gè)條目，所述方法包括檢測(cè)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的類型，并且根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型分配用于所述數(shù)據(jù)的 邏輯塊或條目；以及根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型管理所述邏輯塊或條目的磨損程度。
全文摘要
公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其磨損平衡方法。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器，其包括多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊被劃分為多個(gè)條目；文件系統(tǒng)，其檢測(cè)待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的類型，并且根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來分配用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的邏輯塊或條目；和轉(zhuǎn)換層，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)類型來平衡所述邏輯塊或條目的磨損程度。通過根據(jù)數(shù)據(jù)類型來管理邏輯塊或條目的磨損程度，增加了所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)的性能和壽命。
文檔編號(hào)G11C29/00GK101458969SQ20081018465
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2008年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者文珉洙, 趙準(zhǔn)永, 金秀貞 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社