專利名稱：具有共享源極線的mram裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明大體上涉及具有共享源極線的磁致電阻隨機存取存儲器(MRAM)裝置。
背景技術：
常規(guī)自旋轉移矩磁致電阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)位單元包含晶體管和磁性 隧道結(MTJ)結構?；綧TJ結構由夾住隧道勢壘層的兩個磁電極組成。每一磁電極的磁 矩沿著伸長元件的長軸定向。在隧道勢壘的任一側上兩個磁性層之間的平行和反平行磁矩 定向帶來跨越勢壘的兩個不同電阻，導致兩個存儲器狀態(tài)。磁電極中的一者具有可基于所 施加電流密度和方向而切換的磁矩方向。另一磁電極具有固定在特定方向的磁化。存儲器陣列中的常規(guī)STT-MRAM位單元按列布置，其中對于每一列有個別位線和 源極線。特定列的位線和源極線提供用于將數(shù)據(jù)值讀取和寫入到列的一個或一個以上位單 元的雙向電流路徑。字線耦合到位單元的每一行以使得能夠選擇特定行的位單元用于數(shù)據(jù) 讀取和寫入操作。常規(guī)STT-MRAM裝置的一個限制是因由于存儲器陣列中的源極線配置帶來的位線 與源極線間距引起的低陣列密度。因為STT-MRAM使用雙向電流來寫入補充數(shù)據(jù)，所以源極 線無法連接到接地也無法在整個陣列上共享，而在其它存儲器技術中這是可能的。事實上， 常規(guī)MRAM存儲器陣列每列具有一個源極線，由于存儲器陣列中密集金屬線的數(shù)目增多而 與其它存儲器技術相比具有對應增大的面積。

發(fā)明內容
在特定實施例中，揭示一種存儲器裝置。所述存儲器裝置包含第一存儲器單元和 第二存儲器單元。所述存儲器裝置包含第一位線，其與所述第一存儲器單元相關聯(lián)；以及 第二位線，其與所述第二存儲器單元相關聯(lián)。所述存儲器裝置進一步包含共享源極線，其耦 合到所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元。在另一實施例中，存儲器裝置包含第一存儲器單元，其包含第一磁性隧道結(MTJ) 裝置和第一晶體管。存儲器裝置還包含第二存儲器單元，其包含第二 MTJ裝置和第二晶體 管。存儲器裝置包含第一導體，其耦合到所述第一晶體管的第一柵極端子且耦合到所述第 二晶體管的第二柵極端子。存儲器裝置進一步包含第二導體，其耦合到所述第一晶體管的 第一源極端子且耦合到所述第二晶體管的第二源極端子。在另一實施例中，存儲器裝置包含第一存儲器單元，其包含第一 MTJ裝置和第二 MTJ裝置。存儲器裝置還包含第二存儲器單元，其包含第三MTJ裝置和第四MTJ裝置。存儲 器裝置包含第一位線，其與所述第一存儲器單元相關聯(lián)；以及第二位線，其與所述第二存儲 器單元相關聯(lián)。存儲器裝置進一步包含源極線，其耦合到所述第一存儲器單元且耦合到所 述第二存儲器單元。在另一實施例中，揭示一種使用耦合到存儲器裝置的多個單元的共享源極線的方 法。所述方法包含在所述存儲器裝置的數(shù)據(jù)操作期間將電流施加于源極線。所述源極線耦據(jù)存儲單元和第二數(shù)據(jù)存儲單元。所揭示實施例提供的一個特定優(yōu)點是減小的裝置面積。需要較少的線來存取MTJ 存儲器陣列的單元，且因此較少的裝置面積被保留用于線之間的分隔。陣列密度可增加，因 為需要較少的線。另一優(yōu)點是由于源極線的數(shù)目減少帶來的簡化的源極線布線。所揭示實 施例的MRAM裝置可比相當?shù)腟RAM裝置小，且制造起來可較為便宜。另外，所揭示實施例的 MRAM裝置可比相當?shù)目扉W存儲器裝置速度快。在審閱整個申請案之后將明了本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和特征，整個申請案包含 以下部分


具體實施方式
和權利要求書。

圖1是具有共享源極線的MRAM裝置的特定說明性實施例的框圖；圖2是具有共享源極線的MRAM裝置的第二說明性實施例的圖；圖3是具有共享源極線的MRAM裝置的第三說明性實施例的圖；圖4是使用耦合到存儲器裝置的多個單元的共享源極線的方法的特定說明性實 施例的流程圖；以及圖5是包含存儲器裝置的通信裝置的框圖，所述存儲器裝置包含多個磁性隧道結 (MTJ)單元。
具體實施例方式參看圖1，描繪具有共享源極線的MRAM裝置的特定說明性實施例的框圖，且所述 MRAM裝置大體上指定為100。裝置100包含第一代表性存儲器單元102和第二代表性存儲 器單元104。第一位線(BLO) 114耦合到第一存儲器單元102。與第一位線114不同的第二 位線(BLl) 116耦合到第二存儲器單元104。共享源極線(SLO) 118耦合到第一存儲器單元 102和第二存儲器單元104。字線(WLO) 116耦合到第一存儲器單元102和第二存儲器單元 104。第一存儲器單元102包含耦合到第一位線114的磁性隧道結(MTJ)裝置106。MTJ 裝置106還耦合到開關110，例如晶體管。開關110經(jīng)配置以響應于經(jīng)由字線116接收的控 制信號而將MTJ裝置106選擇性耦合到源極線118。在特定實施例中，MTJ裝置106是自旋轉移矩(STT)裝置，其適于在平行于或反平 行于參考場的方向上存儲可編程的磁場。當磁場平行時，MTJ裝置106展現(xiàn)比當磁場反平 行時低的電阻。存儲在MTJ裝置106處的數(shù)據(jù)值(例如，“0”或“1”)對應于磁場的平行或 反平行狀態(tài)，所述狀態(tài)可通過MTJ裝置106的所得電阻確定。第二存儲器單元104包含耦合到第二位線116的磁性隧道結(MTJ)裝置108。MTJ 裝置108還耦合到開關112，例如晶體管。開關112經(jīng)配置以響應于經(jīng)由字線116接收的控 制信號而將MTJ裝置108選擇性耦合到共享源極線118。在特定實施例中，MTJ裝置108是STT裝置，其適于在平行于或反平行于參考場的 方向上存儲可編程的磁場?？纱鎯υ贛TJ裝置108處的數(shù)據(jù)值(例如，“0”或“1”)對應于 磁場的平行或反平行狀態(tài)，所述狀態(tài)可通過MTJ裝置108的所得電阻確定。在操作期間，可使用相關聯(lián)位線114、116和共同(即，共享)源極線118從第一存
5儲器單元102或第二存儲器單元104讀取數(shù)據(jù)或向第一存儲器單元102或第二存儲器單元 104寫入數(shù)據(jù)?？赏ㄟ^在源極線118和與選定存儲器單元102或104相關聯(lián)的相應位線114 或116之間施加電位差來讀取數(shù)據(jù)?？山?jīng)由字線116發(fā)送控制信號以使得電流能夠流過開 關110、112?？蓪⒔?jīng)過源極線118或經(jīng)過相關聯(lián)位線114或116的所得電流與參考電流進 行比較以確定選定存儲器單元102或104處的數(shù)據(jù)值。還可通過施加大到足以改變選定存 儲器單元102或104的相應MTJ裝置106或108的可編程磁場的方向的電流而將數(shù)據(jù)存儲 在選定存儲器單元102或104處。在第一存儲器單元102的讀取操作期間，第一位線114攜載第一電壓，第二位線 116攜載第二電壓，且源極線118攜載第三電壓。為了防止第二存儲器單元104將電流引入 到源極線118，第二位線116處的第二電壓可與源極線118處的第三電壓相同。在特定實施 例中，第二位線116和源極線118經(jīng)偏置，以使得第二電壓與第三電壓之間的差不會大到足 以干擾第二存儲器單元104。在替代實施例中，單獨的字線(未圖示)可耦合到第一存儲器單元102和第二存 儲器單元104以獨立地操作開關110、112且選擇性地激活或減活存儲器單元102、104處的 數(shù)據(jù)操作。可將電流施加于源極線118，且可將經(jīng)激活存儲器單元102或104的位線114或 116處的所得電壓與參考電壓進行比較以確定存儲在經(jīng)激活(S卩，選定)存儲器單元102或 104處的數(shù)據(jù)值。參看圖2，描繪具有共享源極線的MRAM裝置的第二說明性實施例的圖，且所述 MRAM裝置大體上指定為200。裝置200包含第一代表性存儲器單元202和第二代表性存儲 器單元204。選擇存儲器單元，且經(jīng)由各種導體處的信號執(zhí)行存儲器操作，所述導體例如代 表性第一位線(BLO) 206、第二位線(BLl) 208、源極線(SLO) 210以及字線(WLO) 214。包含第 一存儲器單元202的第一列存儲器單元與包含第二存儲器單元204的第二列存儲器單元共 享源極線210。例如代表性多路復用器212的一個或一個以上多路復用器耦合到位線和源 極線。第一存儲器單元202包含第一磁性隧道結(MTJ)裝置220，其耦合到第一位線206 和第一晶體管222。第二存儲器單元204包含第二 MTJ裝置230，其耦合到第二位線208和 第二晶體管232。第一晶體管222的第一源極端子和第二晶體管232的第二源極端子各自 耦合到源極線210。第一晶體管222的第一柵極端子和第二晶體管232的第二柵極端子各 自耦合到字線214?？稍诶缗c第一位線206和源極線210相關聯(lián)的第一存儲器單元202的選定單元 處執(zhí)行讀取或寫入操作。多路復用器212將第一位線206和源極線210連接到讀取或寫入 電路(未圖示)。因為第一存儲器單元202與第二存儲器單元204共享源極線210，所以當 執(zhí)行讀取操作時，讀取電路可將第二位線208連接到與源極線210相同的電壓電平以防止 第二存儲器單元204處的不希望的操作。舉例來說，讀取電路可將第一位線206耦合到電 源電壓，且可在發(fā)送激活信號之前將源極線210和第二位線208兩者耦合到字線214。為了在第一存儲器單元202處執(zhí)行讀取操作，可以讀取電壓電平偏置第一位線 206，且可將源極線210和第二位線208連接到不同電壓電平?？蓪⒖刂齐妷菏┘佑谧志€ 214以激活對應行的存儲器單元，包含存儲器單元202和204。第一位線206與源極線210 之間的電壓差引起電流流過第一位線206、第一 MTJ裝置220、第一開關222和源極線210。
6可將所述電流與參考電流進行比較以確定是“0，，值還是“ 1，，值存儲在第一存儲器單元202 處。為了在第二存儲器單元204處執(zhí)行讀取操作，可以與源極線210大體上相同的電 壓電平偏置第一位線206，且可以讀取電壓電平偏置第二位線208?？蓪⒌诙痪€208或源 極線210上的所得電流與參考電流進行比較以確定存儲在第二存儲器單元204處的數(shù)據(jù)值。可通過經(jīng)由字線選擇行且將寫入電流施加到選定位線來執(zhí)行寫入操作。舉例來 說，可通過選擇字線214且將電流施加到第一位線206來在第一存儲器單元202處執(zhí)行寫 入操作，其中返回路徑經(jīng)過源極線210。第一位線206與源極線210之間電流的方向確定了 寫入到選定單元202的數(shù)據(jù)值。源極線210在包含第一存儲器單元206的第一列存儲器單 元和包含第二存儲器單元208的第二列存儲器單元兩者處的讀取操作期間和寫入操作期 間起作用。參看圖3，其描繪具有共享源極線的MRAM裝置的第三說明性實施例的圖，且所述 MRAM裝置大體上指定為300。裝置300包含例如第一代表性存儲器單元302和第二代表性 存儲器單元304的存儲器單元的陣列。第一源極線(SL0)306、第一位線(BL1)308和第二位 線(BL2) 310耦合到第一存儲器單元302。第二源極線(SLl) 312耦合到第一存儲器單元302 和第二存儲器單元304。第三位線(BL3)314、第四位線(BL4) 316和第三源極線(SL2)318 耦合到第二存儲器單元304。第一存儲器單元302和第二存儲器單元304各自耦合到字線 (WLO) 322。多路復用器324耦合到與陣列的多個存儲器單元相關聯(lián)的位線和源極線。第一存儲器單元302包含第一磁性隧道結(MTJ)裝置330和第二 MTJ裝置332。 第一晶體管334耦合到第一 MTJ裝置330且第二晶體管336耦合到第二 MTJ裝置332。晶 體管334和336中的至少一者耦合到第二源極線312，第二源極線312是與第二存儲器單 元304共享。如所描繪，第一源極線306耦合到第一晶體管334且第二源極線312耦合到 第二晶體管336。字線322耦合到第一和第二晶體管334、336中的每一者的控制端子。在 特定實施例中，第一存儲器單元302作為互補裝置單元操作，其中第一 MTJ裝置330和第二 MTJ裝置332存儲互補的數(shù)據(jù)值。第二存儲器單元304包含第三MTJ裝置340和第四MTJ裝置342。第三晶體管344 耦合到第三MTJ裝置340且第四晶體管346耦合到第四MTJ裝置342。晶體管344和346 中的至少一者耦合到第二源極線312，第二源極線312是與第一存儲器單元304共享。如 所描繪，第二源極線312耦合到第三晶體管344且第三源極線318耦合到第四晶體管346。 字線322耦合到第三和第四晶體管344、346中的每一者的控制端子。在特定實施例中，第 二存儲器單元304作為互補裝置單元操作，其中第三MTJ裝置340和第四MTJ裝置342存 儲互補的數(shù)據(jù)值。在特定實施例中，可通過經(jīng)由字線322選擇第一行存儲器單元而在第一存儲器單 元302處執(zhí)行讀取操作。施加于字線322的控制信號啟用了穿過相關聯(lián)行中的包含MTJ裝 置330、332、340和342的MTJ裝置中的每一者的電流路徑。多路復用器324處的讀取電路 (未圖示)將第一組讀取信號施加于第一源極線306和第一位線308以讀取存儲在第一MTJ 裝置330處的第一數(shù)據(jù)值。多路復用器324的讀取電路還將第二組讀取信號施加于第二源 極線312和第二位線310以讀取存儲在第二 MTJ裝置332處的第二數(shù)據(jù)值。
7
在特定實施例中，讀取信號可包含施加于位線和源極線上的電壓差。因為第二存 儲器單元304與第一存儲器單元302共享第二源極線312，所以將至少第三位線314設定于 與第二源極線312相同的電壓以防止穿過第三MTJ裝置340的去往或來自第二源極線312 的額外電流路徑。在特定實施例中，讀取電路將通過第一位線308的電流與通過第二位線310的電 流進行比較以確定存儲在第一存儲器單元302處的數(shù)據(jù)值。使用第一存儲器單元302中的 互補MTJ裝置330和332使得能夠在不產(chǎn)生用于比較的參考電流或電壓的情況下確定存儲 的數(shù)據(jù)值。在特定實施例中，可通過將控制信號施加于字線322以啟用穿過相關聯(lián)行中的包 含MTJ裝置330、332、340和342的MTJ裝置中的每一者的電流路徑來在第一存儲器單元 302處執(zhí)行寫入操作。多路復用器324處的寫入電路(未圖示)將第一組寫入信號施加于 第一源極線306和第一位線308以在第一 MTJ裝置330處寫入第一數(shù)據(jù)值。寫入電路還將 第二組寫入信號施加于第二源極線312和第二位線310以在第二 MTJ裝置332處寫入互補 的數(shù)據(jù)值。將至少第三位線314設定于與第二源極線312相同的電壓以防止穿過第三MTJ 裝置340的去往或來自第二源極線312的額外電流路徑。參看圖4，描繪使用存儲器裝置的多個單元的共享源極線的方法的特定說明性實 施例的流程圖。在402處，在特定實施例中，在耦合到存儲器裝置的第一數(shù)據(jù)存儲單元的第 一位線處設定第一電壓，且在耦合到存儲器裝置的第二數(shù)據(jù)存儲單元的第二位線處設定第 二電壓。在說明性實施例中，第一和第二數(shù)據(jù)存儲單元可為圖1到3中說明的裝置的存儲 器單元。移動到404，在存儲器裝置的數(shù)據(jù)操作期間將電流施加于源極線。源極線耦合到存 儲器裝置的第一數(shù)據(jù)存儲單元和第二數(shù)據(jù)存儲單元?？山?jīng)由電流源將電流提供到源極線， 或可響應于源極線與存儲器裝置的位線之間的電位差而在源極線處產(chǎn)生電流。在特定實施 例中，數(shù)據(jù)操作是數(shù)據(jù)讀取操作或數(shù)據(jù)寫入操作。第一數(shù)據(jù)存儲單元和第二數(shù)據(jù)存儲單元 的輸出可提供到多路復用器。在特定實施例中，第一數(shù)據(jù)存儲單元是包含單個磁性隧道結(MTJ)裝置的第一存 儲器單元。在另一特定實施例中，第一數(shù)據(jù)存儲單元是包含多個互補MTJ裝置的組合單元。 多個互補MTJ裝置包含用以存儲第一數(shù)據(jù)項目的第一 MTJ裝置和用以存儲第二數(shù)據(jù)項目的 第二 MTJ裝置。圖5是包含存儲器裝置的通信裝置500的框圖，所述存儲器裝置包含多個磁性隧 道結(MTJ)單元。通信裝置500包含MTJ單元的存儲器陣列532和MTJ單元的高速緩存存 儲器564，其耦合到例如數(shù)字信號處理器(DSP)510等處理器。通信裝置500還包含磁致電 阻隨機存取存儲器(MRAM)裝置566，其耦合到DSP 510。在特定實例中，MTJ單元的存儲器 陣列532、MTJ單元的高速緩存存儲器564和MRAM裝置566中的一者或一者以上被實施為 包含共享源極線以減少MRAM陣列面積的多個MTJ單元的裝置，如參看圖1到4所描述。圖5還展示顯示器控制器526，其耦合到數(shù)字信號處理器510和顯示器528。編碼 器/解碼器(CODEC) 534也可耦合到數(shù)字信號處理器510。揚聲器536和麥克風538可耦合 到 CODEC 534。圖5還指示無線控制器540可耦合到數(shù)字信號處理器510和無線天線542。在特定實施例中，輸入裝置530和電源544耦合到芯片上系統(tǒng)522。此外，在特定實施例中，如圖 5中說明，顯示器528、輸入裝置530、揚聲器536、麥克風538、無線天線542和電源544在芯 片上系統(tǒng)522的外部。然而，每一者可耦合到芯片上系統(tǒng)522的組件，例如接口或控制器。所屬領域的技術人員將進一步了解，結合本文所揭示的實施例描述的各種說明性 邏輯塊、配置、模塊、電路和算法步驟可實施為電子硬件、計算機軟件或所述兩者的組合。為 了清楚說明硬件與軟件的這種可交換性，上文已大體上在其功能性方面描述了各種說明性 組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。將此類功能性實施為硬件還是軟件取決于特定應用和對 整個系統(tǒng)施加的設計限制。熟練的技術人員可針對每一特定應用以不同方式實施所描述的 功能性，但不應將此類實施決策解釋為造成與本發(fā)明范圍的脫離。結合本文所揭示的實施例描述的方法或算法的步驟可直接在硬件中、在由處理器 執(zhí)行的軟件模塊中或在所述兩者的組合中實施。軟件模塊可駐留在RAM存儲器、快閃存儲 器、ROM存儲器、PROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可換式磁盤、 CD-ROM或此項技術中已知的任何其它形式的存儲媒體中。示范性存儲媒體耦合到處理器， 使得處理器可從存儲媒體讀取信息和向存儲媒體寫入信息。在替代方案中，存儲媒體可與 處理器成一體式。處理器和存儲媒體可駐留在ASIC中。ASIC可駐留在計算裝置或用戶終 端中。在替代方案中，處理器和存儲媒體可作為離散組件駐留在計算裝置或用戶終端中。提供先前對所揭示實施例的描述是為了使得所屬領域的技術人員能夠制作或使 用所揭示實施例。所屬領域的技術人員可容易了解對這些實施例的各種修改，且在不脫離 本發(fā)明精神或范圍的情況下，本文所界定的一般原理可適用于其它實施例。因此，本發(fā)明不 希望限于本文展示的實施例，而是應符合與所附權利要求書所界定的原理和新穎特征一致 的最廣可能范圍。
權利要求
一種存儲器裝置，其包括第一存儲器單元；第二存儲器單元；第一位線，其與所述第一存儲器單元相關聯(lián)；第二位線，其與所述第二存儲器單元相關聯(lián)；以及源極線，其耦合到所述第一存儲器單元且耦合到所述第二存儲器單元。
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單 元包含磁性隧道結(MTJ)裝置。
3.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括耦合到所述第一存儲器單元和所 述第二存儲器單元中的至少一者的字線。
4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中在所述第一存儲器單元的讀取期間，所述 第一位線攜載第一電壓，所述第二位線攜載第二電壓，且所述源極線攜載第三電壓。
5.根據(jù)權利要求4所述的存儲器裝置，其中所述第二電壓和所述第三電壓大體上相同。
6.根據(jù)權利要求4所述的存儲器裝置，其中所述第二電壓與所述第三電壓之間的差沒 有大到足以干擾所述第二存儲器單元。
7.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一位線與所述第二位線不同。
8.一種存儲器裝置，其包括第一存儲器單元，其包含第一磁性隧道結(MTJ)裝置和第一晶體管； 第二存儲器單元，其包含第二 MTJ裝置和第二晶體管；第一導體，其耦合到所述第一晶體管的第一柵極端子且耦合到所述第二晶體管的第二 柵極端子；以及第二導體，其耦合到所述第一晶體管的第一源極端子且耦合到所述第二晶體管的第二 源極端子。
9.根據(jù)權利要求8所述的存儲器裝置，其進一步包括 第三導體，其耦合到所述第一 MTJ裝置；以及第四導體，其耦合到所述第二 MTJ裝置。
10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述第三導體為第一位線，且其中所述第 四導體為第二位線。
11.根據(jù)權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述第一導體為字線。
12.根據(jù)權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述第二導體是源極線。
13.根據(jù)權利要求12所述的存儲器裝置，其中所述源極線在讀取操作期間和寫入操作 期間起作用。
14.一種存儲器裝置，其包括第一存儲器單元，其包含第一磁性隧道結(MTJ)裝置和第二 MTJ裝置； 第二存儲器單元，其包含第三MTJ裝置和第四MTJ裝置； 第一位線，其與所述第一存儲器單元相關聯(lián)； 第二位線，其與所述第二存儲器單元相關聯(lián)；以及 源極線，其耦合到所述第一存儲器單元且耦合到所述第二存儲器單元。
15.根據(jù)權利要求14所述的存儲器裝置，其中所述第一存儲器單元包含耦合到所述第 一 MTJ裝置的第一晶體管和耦合到所述第二 MTJ裝置的第二晶體管，且其中所述源極線耦 合到所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一者。
16.根據(jù)權利要求15所述的存儲器裝置，其中所述第二存儲器單元包含耦合到所述第 三MTJ裝置的第三晶體管和耦合到所述第四MTJ裝置的第四晶體管，且其中所述源極線耦 合到所述第三晶體管和所述第四晶體管中的至少一者。
17.根據(jù)權利要求16所述的存儲器裝置，其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器 單元各自耦合到字線。
18.根據(jù)權利要求17所述的存儲器裝置，其中所述字線耦合到所述第一、第二、第三和 第四晶體管中的每一者的控制端子。
19.一種將一共享源極線與存儲器裝置的多個單元一起使用的方法，所述方法包括 在所述存儲器裝置的數(shù)據(jù)操作期間將電流施加于源極線，所述源極線耦合到所述存儲器裝置的第一數(shù)據(jù)存儲單元和第二數(shù)據(jù)存儲單元。
20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中所述第一數(shù)據(jù)存儲單元是包含單個磁性隧道結 (MTJ)裝置的第一存儲器單元。
21.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中所述第一數(shù)據(jù)存儲單元是包含多個互補磁性隧 道結(MTJ)裝置的組合單元，其中所述多個互補MTJ裝置各自包含用以存儲第一數(shù)據(jù)項目 的第一 MTJ裝置和用以存儲第二數(shù)據(jù)項目的第二 MTJ裝置。
22.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中將所述第一數(shù)據(jù)存儲單元和所述第二數(shù)據(jù)存儲 單元的輸出提供到多路復用器。
23.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)操作是數(shù)據(jù)讀取操作和數(shù)據(jù)寫入操作 中的一者。全文摘要
在特定實施例中，一種存儲器裝置包含第一存儲器單元和第二存儲器單元。所述存儲器裝置還包含第一位線，其與所述第一存儲器單元相關聯(lián)；以及第二位線，其與所述第二存儲器單元相關聯(lián)。所述存儲器裝置還包含源極線，其耦合到所述第一存儲器單元且耦合到所述第二存儲器單元。所述存儲器單元可由具有選擇場效應晶體管的自旋轉移矩磁致電阻存儲器單元形成。所述存儲器單元還可形成為互補單元對。對半選擇單元供電或在其上供電以防止讀取干擾。
文檔編號G11C11/16GK101925961SQ200880125502
公開日2010年12月22日 申請日期2008年12月19日 優(yōu)先權日2007年12月19日
發(fā)明者樸東奎, 楊賽森, 穆罕默德·H·阿布-拉赫馬, 鐘成 申請人:高通股份有限公司