專利名稱：磁頭和磁存儲裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及把被磁記錄的信息再生(或稱"重放，，)的磁頭及其制 造方法、以及搭載有該磁頭的磁存儲裝置，尤其涉及具有高的再生輸 出的磁頭以及搭載有該磁頭的磁存儲裝置。
背景技術：
磁存儲裝置中的記錄密度一直在顯著提高，對于磁存儲裝置中搭 載的磁頭在磁道寬度的狹窄化的同時還要求與記錄和再生這兩個特性 相關的高性能化。另外，關于再生特性，通過對利用了磁阻效應的MR頭進行研發(fā)而日益提高靈敏度。在約幾Gb/in2的低記錄密度下利 用各向異性磁阻效應(AMR)把記錄介質(zhì)上的磁信號變換成電信號， 但如果是比它更高的高記錄密度則采用更高靈敏度的巨磁阻效應 (GMR)。而且，針對高記錄密度化的要求，伴隨著使上部磁屏蔽層和下部 磁屏蔽層之間的距離(再生間隙長度)的狹窄化，還進行了對提高靈 敏度有利的使檢測電流沿與膜面大致垂直的方向流動的CPP (電流垂 直膜面)方式的研發(fā)，報告了利用了 CPP-GMR或隧道磁阻效應 (TMR)的/P茲再生頭。用圖l和圖2說明CPP方式的磁再生頭的基本結(jié)構(gòu)，圖l是示 出CPP方式的》茲再生頭的平行于介質(zhì)對置面的剖面(與元件高度方向 垂直的剖面)的示意圖。圖1中的X、 Y、 Z軸分別表示磁道寬度方向、 元件高度方向、磁阻效應膜的膜厚方向。以后的圖中X、 Y、 Z軸分別 表示與圖1所示的X、 Y、 Z軸相同的軸。磁道寬度用箭頭T表示， 磁道寬度方向回填(refill)膜1與磁阻效應膜3的磁道寬度方向側(cè)壁 面相接地設置。磁阻效應膜3具有用固定層31和自由層33夾持絕緣阻隔層32的結(jié)構(gòu)?？v偏壓施加層或側(cè)屏蔽層5即使沒有也可以。另外， 圖1中，2表示上部磁屏蔽層，4表示下部磁屏蔽層。圖2是沿圖1中 的a-a'線剖切時的CPP方式的磁再生頭的元件高度方向的剖面示意 圖。圖2中，右側(cè)是磁再生頭的介質(zhì)對置面112。與磁道寬度方向同 樣地，元件高度方向回填膜6與磁阻效應膜3的壁面相接地設置。磁 道寬度方向回填膜1和元件高度方向回填膜6中主要使用作為絕緣膜 的氧化鋁。在CPP方式的磁再生頭中，由于盡可能地減小再生間隙長度， 通常把上、下部磁屏蔽層2、 4和磁阻效應膜3做成電氣相接。上部磁 屏蔽層2和下部磁屏蔽層4兼作用來使電流在磁阻效應膜3中流動的 電極。這時，如果在磁阻效應膜3以外的上、下部磁屏蔽層2、 4之間 存在電氣短路的電路，則其成為檢測電流的漏泄路徑，所以輸出會降 低。作為擔心形成短路電路的位置之一，可以舉出磁阻效應膜3的側(cè) 壁面。這與磁再生頭的形成方法有關系。圖3示出CPP方式的磁再生 頭的兩種工序流程圖。磁再生頭的制造工序由下部磁屏蔽層的形成工 序、磁阻效應膜的形成工序、磁阻效應膜的構(gòu)圖工序、上部磁屏蔽層 的形成工序組成，圖3所示的兩種工序流程的不同之處僅在于形成磁 阻效應膜的元件高度的工序與形成磁道寬度的工序的順序，該順序因 情況而異，先進行哪一個都可以。在對磁阻效應膜進行構(gòu)圖而形成元件高度的工序和形成磁道寬 度的工序中，如圖4所示，用預定大小的抗蝕劑掩模101保護磁阻效 應膜3 (圖4 ( a ))，將不要的區(qū)域蝕刻掉(圖4 ( b ))。在該蝕刻 工序中一般使用借助于利用Ar離子的離子束蝕刻法和利用氯系氣體 或CO系氣體的RIE法進行的蝕刻。蝕刻后，形成元件高度方向回填 膜6或磁道寬度方向回填膜1 (圖4 (c))，通過用剝離(lift-off) 法除去抗蝕劑掩模101和多余的回填膜，分別形成磁阻效應膜3的元 件高度或磁道寬度(圖4 (d))。雖然圖4中未圖示，有時在形成磁 道寬度的工序中在磁道寬度方向回填膜1上還形成側(cè)屏蔽膜或縱偏壓施力口層o在圖4(b)所示的蝕刻時，發(fā)生被蝕刻物再次附著在磁阻效應膜 3的壁面上的被稱作"再附著，，的現(xiàn)象。該再附著物是由形成磁阻效應 膜3或下部磁屏蔽層4的金屬構(gòu)成的膜，具有導電性，所以擔心其成 為上述的檢測電流的漏泄路徑。在曰本特開2003-86861號公報中公開了在進行磁道寬度形成工 序時，通過在蝕刻后使再附著物氧化而防止在磁阻效應膜3的磁道寬 度方向的壁面上附著的再附著所導致的檢測電流的漏泄的方法。該方 法的特征在于通過氧化使再附著物被用作磁道寬度方向回填膜的一部 分這一點。而在日本特開2002-26423號公報中，公開了通過在圖4 (b)所 示的蝕刻中，用磁道寬度形成用的抗蝕劑掩?；蛟叨刃纬捎玫目?蝕劑掩模以預定形狀來掩蔽在下部磁屏蔽層4上形成的磁阻效應膜3， 在以第一入射角9i入射離子束而進行蝕刻之后，以相對于磁阻效應膜3比該笫一蝕刻的入射角9i更傾斜的第二入射角e2 (e^ej入射離子束而進行蝕刻，從而除去在磁阻效應膜3的壁面上附著的再附著物的方法。在此，入射角是入射離子相對于基板的法線所成的角度。作為該兩階^殳蝕刻的更高級的方法，日本特開2006-24294號乂> 報公開了使用兩個回填膜，第二回填膜的硬度比最初的回填膜硬度低， 以使得不形成難以入射用來除去再附著物的離子束的部分的方法。專利文獻1:日本特開2003-86861號〃>才艮專利文獻2:日本特開2002-26423號公報專利文獻3:日本特開2006-24294號公報發(fā)明內(nèi)容(發(fā)明要解決的問題) 但是，在磁道寬度為40nm以下的CPP-GMR頭的情況下，即使 利用上述那樣的高級的兩階段蝕刻，也會產(chǎn)生過大的檢測電流漏泄。 本發(fā)明的目的在于提供防止這樣的過大的檢測電流漏泄的磁頭。(用來解決問題的手段)本發(fā)明人為了在磁道寬度40nm以下的CPP-GMR頭中防止檢測 電流的漏泄而進行了認真研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了在由鈷氧化物、銅氧化物 或釕氧化物形成的絕緣阻隔層中含有鈦或鎳或者這二者是有效的。而 且，發(fā)現(xiàn)了，更優(yōu)選地，在上述絕緣阻隔層中含有2.2at.。/。以上的鈦或 鎳或這兩者是有效的。 (發(fā)明的效果)如果采用本發(fā)明，可以得到檢測電流的漏泄少、高輸出的》茲頭。 而且，根據(jù)本發(fā)明可以以高的成品率制造可靠性高的磁頭。通過搭載 本發(fā)明的磁再生頭，可以實現(xiàn)具有高的記錄密度的磁存儲裝置。


圖1是CPP方式磁再生頭的磁道寬度方向剖面的示意圖。 圖2是CPP方式磁再生頭的元件高度方向剖面的示意圖。 圖3是示出CPP方式磁再生頭的制造工序的流程圖。 圖4是表示現(xiàn)有的磁再生頭的制造工序的剖面示意圖。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的磁再生頭的元件高度方向剖面的示意圖。 圖6是表示根據(jù)本發(fā)明的磁再生頭的制造工序的元件高度方向剖 面的示意圖。圖7是示出鈦的氧缺乏減少效果的圖。圖8是示出鎳的氧缺乏減少效果的圖。圖9是示出鎳和鈦共存時的氧缺乏減少效果的圖。圖10是搭載了面內(nèi)記錄用記錄元件的磁再生頭的示意剖面圖。圖ll是搭載了垂直記錄用記錄元件的磁再生頭的示意剖面圖。圖12是磁存儲裝置的示意圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的磁再生頭的另一例的元件高度方向剖面的 示意圖。(附圖標記說明) 1:磁道寬度方向回填膜；2:上部磁屏蔽層；3: /磁阻效應膜；4:下部磁屏蔽層；5:縱偏壓施加層或側(cè)屏蔽層；6:元件高度方向回填膜；7:元件高度方向的第一回填膜；8:元件高度方向的第二回填膜；31:固定層；32:絕緣阻隔層；33:自由層；51:固定層；52:非磁性層；53:絕緣阻隔層；54:自由層；101:磁道寬度形成用的抗蝕劑掩才莫;111:元件高度形成用的抗蝕劑掩模;112:介質(zhì)對置面；180:下部磁極；190:上部》茲才及；200:線圏；210:線圏絕緣膜；220:間隙；230:輔助》茲極；240:主》茲極；250:磁頭；260:萬向架；270:磁記錄介質(zhì)；280:音圏馬達；290:馬達；300:信號處理電路。
具體實施方式
下面，用附圖所示的實施例詳細說明本發(fā)明的實施方式。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的磁再生頭的一例的傳感器部分的元件高 度方向剖面的圖。圖6是說明其制造方法的圖，示出了各工序中的元 件高度方向的剖面。用圖6說明具有圖5所示結(jié)構(gòu)的磁再生頭的制造方法。另外，本 實施例中所示的磁再生頭是通過如圖3(a)那樣，相比磁道寬度的形 成工序，先進行元件高度的形成工序的方法而制成的。首先，在由氧 化鋁.鈦碳化物(T》《大^夕》力一戸4 K)等構(gòu)成的基板表面上形 成Ah03等的絕緣體的膜，利用化學機械研磨法(CMP)等進行精密 研磨后形成下部磁屏蔽層4。而且，在從在后面的工序中形成磁阻效 應膜3的位置離開的部分上形成引出電極膜(未圖示)。它由例如Ta 和Au和Ta的層疊膜構(gòu)成。在該下部磁屏蔽層4上用例如濺射法或離子束濺射法制作磁阻效 應膜3 (圖6 ( a ))。磁阻效應膜3具有由包含例如Co-Fe系合金 的鐵磁性體的層構(gòu)成的固定層51;由氧化鎂、氧化鋁、氧化鈦等構(gòu)成 的非磁性層52;由鈷氧化膜、銅氧化膜或釕氧化膜形成的絕緣阻隔層 53;由包含Ni-Fe系合金或Co-Fe系合金等的層構(gòu)成的自由層54。此 時，在絕緣阻隔層53中，作為添加元素含有2.2at.o/。以上的鈦和鎳中 的至少一種、或者鈦和鎳兩者合計2.2".%以上。非>磁性層52作為用 來提高絕緣阻隔層53的密合性的接合層而形成。然后，進行元件高度方向的形成。首先，在磁阻效應膜3上涂敷 抗蝕劑，用膝光裝置曝光后，通過用顯影液將其顯影，構(gòu)圖成所期望 的形狀，將其作為剝離掩模lll (圖6 (a))。該剝離掩模lll也可 以構(gòu)成為在抗蝕劑下涂敷聚二甲基戊二酰亞胺、并與抗蝕劑同時進行 構(gòu)圖而成的雙層結(jié)構(gòu)。然后對磁阻效應膜3進行離子束蝕刻、反應性 離子蝕刻(RIE)等的干法蝕刻，通過蝕刻形成元件高度方向的圖案(圖6 (b))。在該蝕刻之后，通過以第二入射角再次進行離子束蝕刻，該第二 入射角比第一蝕刻相對于基板更傾斜，可以除去第一蝕刻時在元件壁 面上附著的再附著物。第二蝕刻的入射角度優(yōu)選為60度 80度。另夕卜， 也可以交互地多次重復第1蝕刻和第2蝕刻而進行元件高度方向的形 成；也可以在第l蝕刻和第2蝕刻之間進行采用了與第一蝕刻和第二 蝕刻不同的手法或不同的離子入射角度的蝕刻。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在這樣的蝕刻工序中，氧能夠從磁阻效應膜3中 的由氧化物層構(gòu)成的絕緣阻隔層53的側(cè)壁表面脫離而造成氧缺乏。還 發(fā)現(xiàn)，如果存在該氧缺乏，則絕緣阻隔層53的絕緣性變差，即使在除 去了再附著層的情況下也會發(fā)生過大的檢測電流漏泄。已知該漏泄的 原因是，如果形成磁道寬度40nm以下的CPP-GMR頭，則由于寬度 窄的氧化物層(鈷氧化膜、銅氧化膜、釕氧化膜)中存在大量晶體缺 陷，氧通過這些缺陷而移動，氧容易從表面脫離，特別容易形成氧缺 乏。于是，本發(fā)明人為了降低構(gòu)成絕緣阻隔層53的氧化物層的氧缺 乏進行了認真研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在氧化物層中含有鈦或鎳或者這二者是 有效的。而且，發(fā)現(xiàn)了，更優(yōu)選地，在氧化物層中含有2.2at。/。以上的 鈦或鎳、或者含有合計為2.2at.。/。以上的這兩種是有效的。通過使氧化 膜成為這樣的材料可以防止氧缺乏，可以進一步減小磁道寬度。然后，用'減射法或離子束濺射法形成由復層構(gòu)成的元件高度方向 回填膜6(圖6(c))。更優(yōu)選地，把元件高度方向回填膜6的構(gòu)成 和膜厚設計成，在形成磁道寬度的蝕刻工序的第一蝕刻中元件高度方 向回填膜6與磁阻效應膜3被蝕刻的深度相等。這是因為，如上所述， 不產(chǎn)生在之后進行的形成磁道寬度的工序中在進行用來除去再附著的 第二蝕刻時離子束難以入射到的位置。這在日本特開2006-24294號公 報中有記栽。元件高度方向回填膜6中與磁阻效應膜3直接相接的第 一回填膜7是絕緣膜，為了抑制由熱造成的磁阻效應膜的特性劣化而 優(yōu)選地用氧化鋁形成。元件高度方向回填膜6中在第一回填膜7上形成的笫二回填膜8 既可以是絕緣材料也可以是金屬材料，但是由于如上所述，為了不產(chǎn) 生在之后進行的形成磁道寬度的工序中在進行用來除去再附著的第二 蝕刻時離子束難以入射到的位置，更優(yōu)選地，是形成磁道寬度的工序 中的第一蝕刻的蝕刻速度比第一回填膜7快的材料。例如，在形成磁道寬度的工序中的第 一 蝕刻中考慮離子束蝕刻 時，由于蝕刻速度的大小與硬度有關系，所以使第二回填膜8的硬度 比第一回填膜7的硬度低是重要的。即，希望第一回填膜7是硬度高 的絕緣材料。具體地可以考慮氧化鋁、Ti氧化物等。硬度可以用例如 維氏硬度比較。在考慮到由熱造成的磁阻效應膜3的特性劣化而在第 一回填膜7中采用了氧化鋁時，作為第二回填膜8具體考慮的材料有 Ni氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta氧化物等。另夕卜，在形成磁道寬度的工序中的第一蝕刻中考慮利用CO+NH3 系氣體或氯系氣體的反應性蝕刻時，由于蝕刻速度的大小與反應生成 物的蒸汽壓有關系，所以更優(yōu)選地，使第二回填膜8的反應生成物的 蒸汽壓比第 一 回填膜7的反應生成物的蒸汽壓高。以上描述了由兩層構(gòu)成的元件高度方向回填膜，但也可以繼續(xù)在 第二回填膜8上形成第三、第四......回填膜而形成更多層的結(jié)構(gòu)。其中，這些第三、第四回填膜都與第二回填膜8同樣地，優(yōu)選是形成磁 道寬度的工序中的第一蝕刻的蝕刻速度比第一回填膜7快的材料。而 且，為了使在之后進行的磁道寬度形成工序中的圖案形成變得容易， 希望圖6 (c)所示的元件高度方向回填膜6的厚度B與磁阻效應膜3 的厚度C接近。然后用有機溶劑除去剝離掩才莫lll，得到圖6 (d)所 示的形狀。在該工序以后進行磁道寬度的形成(這一點圖中未示出)。在該 磁道寬度的形成中，與元件高度形成同樣地，用抗蝕劑、或者抗蝕劑 和PMGI制作抗蝕劑掩模，對磁阻效應膜3進行離子束蝕刻、反應性 離子蝕刻(RIE)等的干法蝕刻，通過蝕刻形成磁道寬度。在該蝕刻 之后，通過以第二入射角進行蝕刻，該第二入射角比第一蝕刻相對于基板更傾斜，可以除去第一蝕刻時在元件側(cè)壁面上附著的再附著物。此時，如果使元件高度方向回填膜6為復層結(jié)構(gòu)，用比第一回填 膜7蝕刻速度快的材料形成第二回填膜8，則在第二蝕刻時離子束充 分地照射到元件側(cè)壁面上，還能充分地除去再附著層，所以是更優(yōu)選 的。與上述同樣地，在這些蝕刻工序中，在由氧化膜構(gòu)成的絕緣阻隔 層中含有鈦或鎳或者這兩者，以使得氧不能從磁阻效應膜3中的由氧 化膜構(gòu)成的絕緣阻隔層的側(cè)壁表面脫離而導致氧缺乏，這點是重要的。在蝕刻了磁阻效應膜3之后，形成磁道寬度方向回填膜。只要該 磁道寬度方向回填膜的與磁阻效應膜3直接相接的材料是絕緣材料， 是不是復層結(jié)構(gòu)都可以。希望該磁道寬度方向回填膜中至少與磁阻效 應膜3直接相接的層由氧化鋁構(gòu)成。而且，在該磁道寬度方向回填膜 上還可以形成縱偏壓施加層或側(cè)屏蔽層，但也可以沒有該縱偏壓施加 層或側(cè)屏蔽層。最后，用例如有機溶劑除去抗蝕劑掩模，完成磁道寬 度方向的形成。然后，在磁阻效應膜3的上部形成由軟磁性體構(gòu)成的上部磁屏蔽 層2 (圖6 (e))。在形成該上部磁屏蔽層2時，也可以在磁阻效應 膜3的上部形成作為基底層的Ta、 MCr等的金屬膜后再形成上部磁 屏蔽層2。然后，經(jīng)過疊加引出端子的工序、或制作用來向介質(zhì)記錄 信息的記錄元件的工序之后，利用滑塊形成工序形成介質(zhì)對置面112， 由此獲得由圖5示出其剖面的根據(jù)本發(fā)明的磁再生頭。在由氧化膜構(gòu)成的絕緣阻隔層中含有鈦或鎳或者這兩者對于減 少氧缺乏是有效的，已對此進行了說明，圖7、圖8、圖9示出了磁道 寬度為30nm的情況下的這些效果。圖7是在氧化膜中添加鈦時的氧 缺乏減少效果；圖8是在氧化膜中添加鎳時的氧缺乏減少效果；圖9 是在氧化膜中以相同濃度添加鈦和鎳這兩者時的氧缺乏減少效果。氧 缺乏的濃度用例如日本特開2004-28849號公報中記載的正電子壽命測 定法進行了測定。從這些圖看出，添加濃度2.2at.。/。以上的鎳的氧缺乏 減少效果為約一個數(shù)量級，添加濃度2.2at。/。以上的鈦的氧缺乏減少效果為約兩個數(shù)量級，分別以1.1at。/。以上添加鈥和鎳這兩者時的氧缺乏 減少效果為約三個數(shù)量級。另外，雖然圖9中示出的是以相同濃度添 加鈦和鎳的情況，但不必非要以相同濃度添加，只要兩者的合計濃度 為2.2at.%以上，就能獲得從一個數(shù)量級到三個數(shù)量級的范圍的氧缺乏 減少效果。由此可以看出，添加濃度2.2at.。/o以上的鎳具有約一個數(shù)量級的 漏泄電流降低效果，添加濃度2.2at.。/。以上的鈦具有約兩個數(shù)量級的漏 泄電流降低效果，分別以1.1at.o/。以上添加鈦和鎳這兩者時具有約三個 數(shù)量級的漏泄電流降低效果。另外，只要以鈦和鎳兩者的合計濃度為 2.2at.。/。以上的方式添加，就具有從一個到三個數(shù)量級的范圍的漏泄電 流降低效果。這些效果是通過由于在由鈷氧化膜、銅氧化膜、釕氧化 膜構(gòu)成的氧化物層中存在的鎳、鈦填埋氧化物層的晶體缺陷，所以在 晶體中氧原子難以移動，氧難以脫離而得到的效果。在沒有鎳或鈦時，由于寬度窄的氧化物層(鈷氧化膜、銅氧化膜、釕氧化膜)中存在大 量晶體缺陷，氧通過這些缺陷而移動，所以氧容易從表面脫離，容易形成氧缺乏。氧缺乏成為檢測電流的漏泄路徑。因此，鈥、鎳的添加 由于減少氧缺乏而具有能減少檢測電流的漏泄的效果。由此，磁道寬 度40nm以下的CPP-GMR頭的可靠性、成品率提高。另外，在氧化物層不是鈷氧化膜、銅氧化膜、釕氧化膜中的任何 一個時無法獲得在此所述的效果。另外，在此所示的效果雖然是磁道 寬度為30nm時的效果，但也是在條件更緩和的磁道寬度30 40nm以 下的情況下總能得到的效果。圖10、圖11是把本發(fā)明的磁再生頭和記錄元件組合起來的磁頭 的示意剖面圖。圖10示出面內(nèi)磁記錄方式的磁頭，圖ll示出垂直磁 記錄方式的磁頭。如圖10所示，在面內(nèi)磁記錄方式的磁頭的情況下， 記錄元件由下部》茲極180、上部》茲極190、線圏200、線圏絕緣膜210、 間隙220構(gòu)成。而如圖ll所示，在垂直磁記錄方式的磁頭的情況下， 作為記錄元件4吏用由輔助磁極230、主磁極240和線圏200、線圏絕緣 膜210構(gòu)成的單磁極頭。圖12是磁存儲裝置的示意圖。圖12 (a)是示意平面圖，圖12 (b)是示意剖面圖。該磁存儲裝置具有磁記錄介質(zhì)270、作為旋轉(zhuǎn) 驅(qū)動它的驅(qū)動部的馬達290、磁頭250、其驅(qū)動裝置即音圏馬達280、 以及處理向磁頭的輸入輸出信號的信號處理電路300。磁頭250是上 述的本發(fā)明的磁頭。即，磁頭250的再生頭具有》茲阻效應膜，在固定 層和自由層之間設置的由鈷氧化膜、銅氧化膜、釘氧化膜形成的絕緣 阻隔層含有鈦和鎳中的至少一種作為添加元素。由此，即使在磁道寬 度成為40nm以下的CPP-GMR頭的場合，也可以減少絕緣阻隔層的 氧缺乏，所以可以減小磁道寬度的尺寸，實現(xiàn)高記錄密度的磁存儲裝 置。磁頭250安裝在萬向架260的前端，利用音圏馬達280相對于磁 記錄介質(zhì)270相對地驅(qū)動從而定位在所希望的磁道上。從主機送來的 記錄信號經(jīng)信號處理電路300送到磁頭250的記錄頭，在磁記錄介質(zhì) 270中產(chǎn)生磁化翻轉(zhuǎn)而^皮記錄。另外，由^茲頭250的再生頭檢測磁記 錄介質(zhì)270的記錄磁化造成的泄漏磁場，檢測到的信號由信號處理電 路300處理后，作為再生信號發(fā)送給主機。圖13示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的另一構(gòu)成例。與圖5所示的實施 例的不同之處在于，構(gòu)成CPP-GMR頭所具有的》茲阻效應膜的絕緣阻 隔層的氧化物層是第一氧化物層531和第二氧化物層532的雙層結(jié)構(gòu) 這一點。通過使絕緣阻隔層為雙層結(jié)構(gòu)，兩層之間多存在了一個界面， 該界面具有緩和應力的擋板(damper)的作用。該兩層中的至少一層 是，作為添加元素含有鈦和鎳中的至少一種的氧化物層(鈷氧化膜、 銅氧化膜、釕氧化膜)。例如，第一氧化物層531是含有鈦和鎳中的 至少一種作為添加元素的鈷氧化膜，第二氧化物層532是銅氧化膜。 由此，減少氧缺乏，減少了檢測電流的漏泄，這與前面的實施例相同。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，其特征在于包含下部磁屏蔽層；上部磁屏蔽層；在上述下部磁屏蔽層和上述上部磁屏蔽層之間形成的磁阻效應膜；以及使電流在上述磁阻效應膜的膜厚方向上流動的單元，上述磁阻效應膜是依次形成固定層、非磁性層、絕緣阻隔層、自由層而得到的磁阻效應膜，上述絕緣阻隔層是含有鈦和鎳中的至少一種的鈷氧化膜。
2. 如權(quán)利要求l所述的磁頭，其特征在于 上述鈷氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at.。/。以上。
3. 如權(quán)利要求l所述的磁頭，其特征在于 上述鈷氧化膜含有鈦和鎳這兩種，其含量合計為2.2at.。/。以上。
4. 一種磁頭，其特征在于包含 下部磁屏蔽層； 上部磁屏蔽層；在上述下部》茲屏蔽層和上述上部磁屏蔽層之間形成的磁阻效應 膜；以及4吏電流在上述磁阻效應膜的膜厚方向上流動的單元， 上述磁阻效應膜是依次形成固定層、非磁性層、絕緣阻隔層、自由層而得到的磁阻效應膜，上述絕緣阻隔層是含有鈦和鎳中的至少一種的銅氧化膜。
5. 如權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于 上述銅氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at，。以上。
6. 如權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于 上述銅氧化膜含有鈥和鎳這兩種，其含量合計為2.2at.。/。以上。
7. —種磁頭，其特征在于包含下部磁屏蔽層； 上部磁屏蔽層；膜；以及使電流在上述磁阻效應膜的膜厚方向上流動的單元， 上述磁阻效應膜是依次形成固定層、非磁性層、絕緣阻隔層、自由層而得到的磁阻效應膜，上述絕緣阻隔層是含有鈦和鎳中的至少一種的釕氧化膜。
8. 如權(quán)利要求7所述的磁頭，其特征在于 上述釕氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at.。/。以上。
9. 如權(quán)利要求7所述的磁頭，其特征在于 上述釕氧化膜含有鈦和鎳這兩種，其含量合計為2.2at.。/。以上。
10. —種磁存儲裝置，其特征在于包括 磁記錄介質(zhì)；在記錄方向上驅(qū)動上述》茲記錄介質(zhì)的驅(qū)動部； 具有記錄部和再生部的頭；4吏上述頭相對于上述》茲記錄介質(zhì)相對運動的單元；以及 用來進行向上述頭的信號輸入和來自上述頭的輸出信號的再生 處理的記錄再生處理單元；作為上述再生部具有如權(quán)利要求1所述的磁頭。
11. 如權(quán)利要求IO所述的磁存儲裝置，其特征在于 在上述磁頭中，上述鈷氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at.。/。以上。
12. —種磁存儲裝置，其特征在于包括 磁記錄介質(zhì)；在記錄方向上驅(qū)動上述/f茲記錄介質(zhì)的驅(qū)動部； 具有記錄部和再生部的頭；使上述頭相對于上述磁記錄介質(zhì)相對運動的單元；以及 用來進行向上述頭的信號輸入和來自上述頭的輸出信號的再生處理的記錄再生處理單元；作為上述再生部具有如權(quán)利要求4所述的磁頭。
13. 如權(quán)利要求12所述的磁存儲裝置，其特征在于 在上述磁頭中，上述銅氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at.。/。以上。
14. 一種磁存儲裝置，其特征在于包括 》茲i己錄^h質(zhì)；在記錄方向上驅(qū)動上述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部； 具有記錄部和再生部的頭；使上述頭相對于上述磁記錄介質(zhì)相對運動的單元；以及 用來進行向上述頭的信號輸入和來自上述頭的輸出信號的再生 處理的記錄再生處理單元；作為上述再生部具有如權(quán)利要求7所述的磁頭。
15. 如權(quán)利要求14所述的磁存儲裝置，其特征在于 在上述磁頭中，上述釕氧化膜含有鈦和鎳中的至少一種，其含量為2.2at.y。以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可靠性和成品率高的磁頭和磁存儲裝置。該磁頭包含下部磁屏蔽層(4)；上部磁屏蔽層(2)；在上述下部磁屏蔽層和上述上部磁屏蔽層之間形成的磁阻效應膜(3)；以及使電流在上述磁阻效應膜的膜厚方向上流動的單元，磁阻效應膜是依次形成固定層(51)、非磁性層(52)、由氧化物層構(gòu)成的絕緣阻隔層(53)、自由層(54)而得到的，氧化物層中含有鈦和鎳中的至少一種。
文檔編號G11B5/39GK101609688SQ20091000643
公開日2009年12月23日 申請日期2009年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月19日
發(fā)明者巖崎富生 申請人:株式會社日立制作所