專利名稱：圖案化磁記錄介質及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質，更詳細而言，涉及信息記錄區(qū)域被劃分 為道狀和/或點狀的凹凸圖案的圖案化磁記錄介質及其制造方法。
背景技術：
由于磁記錄介質所需要的磁體開發(fā)、垂直磁化方式的采用、在磁 記錄裝置的寫入讀出時磁頭低浮上化所導致的磁頭和磁記錄介質表面 的狹小化等，磁記錄介質的記錄容量正在顯著增加。
這樣的磁記錄介質通常具有在鋁等金屬基板、玻璃基板、塑料膜 基板等非磁性基板上，隔著底層將磁性層和保護層依次疊層得到的結 構。
保護層將實質上由金屬成分構成的磁性層與外部氣氛隔斷，以防 止其腐蝕為目的， 一直使用無機薄膜、非磁性金屬膜等，但隨著磁頭 的低浮上化而更加要求薄膜化，各種形態(tài)的碳膜由于對與磁頭接觸的 耐破損性、耐磨耗性、在保護層上涂布的潤滑劑的吸附性等優(yōu)異而將 被大量使用。
作為這些碳膜，有利用將石墨用于靶材的磁控濺射法而形成的石
墨膜；利用將烴，例如甲烷、乙垸、丙垸、丁烷等院烴類、乙烯、丙 烯等烯烴類、乙炔等炔烴類等用作原料的等離子體CVD法形成的類金 剛石碳(DLC)膜；利用陰極使用純石墨靶材、通過放電在耙材上產(chǎn) 生電弧而生成碳等離子體、在基材上排列該碳等離子體而形成碳膜的 Filtered Cathodic Arc (FCA)、法或者Filtered Cathodic Vacuum Arc (FCVA)法形成的四面體碳(ta-C)膜等，并提出了由在利用等離子 體CVD法形成的DLC膜上疊層ta-C膜得到的二層結構所構成的保護 層(專利文獻l、 2等)。
作為下一代的磁記錄介質，提出了信息記錄區(qū)域被劃分為具有道 狀或點狀的納米級凹凸圖案、各種信息被磁記錄在這些凸部和/或凹部中的離散磁道介質(DTM: discrete track media)和規(guī)則介質(BPM: bit pattern media)等圖案化磁記錄介質(專利文獻3、 4等)。
上述ta-C膜的整體硬度(bulkhardness)是65 75Gpa，與利用等 離子體CVD法形成的DLC膜的整體硬度10 35GPa比較，是高硬度 且致密的膜，能夠期待作為磁記錄介質的保護膜，但是，即使在磁性 層上形成單層的ta-C膜，要滿足保護層要求的全部所希望特性也是極 其困難的。
上述專利文獻1和2分別提出了通過使在平坦的磁性層上形成的 保護層為ta-C層/其它碳層的二層結構，防止ta-C層形成時的離子入 射所伴隨的磁記錄層的惡化，并提高保護層與在其上形成的潤滑劑層 的密合性。
上述提案都是以在平坦的磁性層上形成的由二層結構構成的保護 層作為前提，在作為下一代磁記錄介質而正在進行研究的、使用DTM 或BPM那樣的具有凹凸圖案的圖案化磁記錄介質的磁記錄裝置中，與 以往的使用CSS (接觸-啟動-停止)方式的硬盤裝置等不同，采用磁頭 在接觸磁記錄介質上的狀態(tài)下進行滑動來進行信息寫入/讀出的方 式，因此，關于在用于圖案化磁記錄介質的保護層時所產(chǎn)生的課題還 沒有研究。
在DTM或BPM那樣的磁性層具有凹凸圖案的圖案化磁記錄介質 中，對于具有凹凸圖案的磁性層的保護層而言，在要求具有防止腐蝕 的充分的耐腐蝕性的同時，要求具有與磁頭接觸時的良好的滑動性。
作為具有凹凸圖案的磁性層的保護層，在利用FCA法或FCVA法 形成高硬度且滑動性優(yōu)異的ta-C層單層時，由于碳等離子體的直進性 高，所以難以沿著凹凸均勻成膜，而從膜難以附著之處進行腐蝕，因 而不能作為保護層發(fā)揮作用。另外，相比于DLC膜，ta-C膜在受到垂 直方向的力作用時容易破裂，從破裂的部分也進行磁性層的腐蝕。
而且，在公開了圖案化磁記錄介質的專利文獻3和4的任意一篇 中，都沒有記載在磁性層上形成納米級凹凸圖案的具體方法。
專利文獻1:日本特開2003—346322號公報
專利文獻2:日本特開2004 — 054991號公報
專利文獻3:日本特開2003—203301號公報專利文獻4:日本特開2003 —123201號公報

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，提供一種圖案化磁記錄介質及其制造方法， 該圖案化磁記錄介質的信息記錄區(qū)域被劃分為道狀和/或點狀的凹凸 圖案，防止從具有與上述凹凸圖案對應的凹凸圖案的磁性層發(fā)生腐蝕， 并且與磁頭的滑動性優(yōu)異。
本發(fā)明的發(fā)明人等為了達到上述目的而進行了深入研究，結果發(fā) 現(xiàn)，通過使用納米壓印法，能夠容易地形成具有與劃分信息記錄區(qū)域 的所希望的納米級凹凸圖案對應的凹凸圖案的磁性層，在所形成的具 有凹凸圖案的磁性層上，利用CVD法形成由DLC膜構成的保護層， 在該DLC膜上利用FCA法形成比DLC膜硬度更高的ta-C膜，由此能 夠得到具有凹凸圖案的磁性層的充分的耐腐蝕性以及磁頭的良好滑動 性，從而完成了本發(fā)明。
本發(fā)明的圖案化磁記錄介質，其信息記錄區(qū)域被劃分為道狀和/ 或點狀的凹凸圖案，其特征在于，包括基體、配置在該基體上的底 層、配置在該底層上的具有與上述信息記錄區(qū)域對應的凹凸圖案的磁 性層、覆蓋該具有凹凸圖案的磁性層的第一保護層、和形成在該第一 保護層的凸部圖案的至少頂部的第二保護層。上述第二保護層由利用 FCA法或FCVA法形成的四面體碳(ta-C)膜構成。
上述信息記錄區(qū)域被上述具有凹凸圖案的磁性層的至少凸部圖案 劃分，或者也可以被凸部圖案和凹部圖案的雙方劃分。
上述第一保護層優(yōu)選為利用等離子體CVD法形成的無機膜或碳 膜，更優(yōu)選為利用等離子體CVD法形成的類金剛石碳(DLC)膜。
本發(fā)明的圖案化磁記錄介質的制造方法的特征在于，包括在配 置在基體上的底層上形成磁性層的工序，其中，該磁性層具有與劃分 信息記錄區(qū)域的道狀和/或點狀的凹凸圖案對應的凹凸圖案；在上述
具有凹凸圖案的磁性層上形成第一保護層的工序；和在上述第一保護
層的凹凸圖案的至少凸部的頂部形成由ta-C膜構成的第二保護層的工 序。上述具有凹凸圖案的磁性層的形成工序包括在底層或磁性層或 者臨時保護層上形成光固化性抗蝕劑的蝕刻圖案的工序；和沿著該蝕刻圖案蝕刻底層或磁性層或者臨時保護層以及磁性層而在底層或磁性 層上形成凹凸圖案的工序。上述第一保護層的形成工序包括利用等離
子體CVD法形成無機膜或碳膜的工序；由ta-C膜構成的第二保護層的 形成工序包括FCA法或FCVA法。
作為在底層或磁性層或者臨時保護層上形成光固化性抗蝕劑的蝕 刻圖案的工序，包括在底層或磁性層或者臨時保護層上涂布光固化 性抗蝕劑的工序；和在上述抗蝕劑的涂布膜上按壓具有所希望的凹凸 圖案的石英模具并隔著該石英模具照射紫外線，使上述抗蝕劑固化而 形成蝕刻圖案的工序，適合采用上述石英模具具有納米級凹凸圖案的 納米壓印法。
第一保護層的形成工序優(yōu)選包括利用等離子體CVD法形成類金剛 石碳(DLC)膜的工序。
本發(fā)明的圖案化磁記錄介質，在第一保護層上具有滑動性優(yōu)異的 由ta-C膜構成的第二保護層，由此，在信息寫入讀出時，磁頭能夠在 與磁記錄介質上接觸的條件下滑動，磁頭和磁性層的間隔縮短至實質 上是磁性層上的第一保護層厚度和第二保護層厚度的合計厚度，結果 具有下述優(yōu)點能夠達到大記錄容量，在作為信息記錄區(qū)域被劃分的 一個一個道狀和/或點狀的凹凸圖案中，通常的信息自不用說，而且 能夠登錄磁記錄介質的固有信息，例如管理者信息、信息的種類、信 息的讀出編號等操作性信息等信息。
另外，包含作為凹凸圖案被形成的磁性層的信息記錄區(qū)域，就連 其直立部也被覆蓋性優(yōu)異的第一保護層覆蓋，由此能夠得到良好的耐 腐蝕性，而且，在與磁頭接觸的第一保護層的凸部圖案的頂部配置由 ta-C膜構成的第二保護層，由此能夠得到極其良好的磁頭滑動性。
另外，在圖案化磁記錄介質的制造方法中使用納米壓印法，由此 能夠容易地劃分包含具有所希望的納米級凹凸圖案的磁性層的信息記 錄區(qū)域。


圖1是表示本發(fā)明的圖案化磁記錄介質的一個實施方式的截面圖。 圖2是表示實施例1的金屬溶出試驗1的結果的圖。圖3是表示實施例1的滑動試驗的結果的圖。 圖4是表示實施例1的金屬溶出試驗2的結果的圖。 圖5是表示在底層或磁性層形成凹凸圖案的工序圖。 符號說明
l...基體、2...底層、3...磁性層、4...第一保護層、4a.,.臨時保護層、 5…第二保護層(ta-C膜)
具體實施例方式
在本說明書中，"圖案化磁記錄介質"，是將包含磁性層的信息記 錄區(qū)域作為具有道狀和/或點狀的納米級凹凸圖案配置在基體上、上 述凹凸圖案的凸部和/或凹部作為信息記錄區(qū)域而被劃分的磁記錄介 質。
根據(jù)表示其一個實施方式的圖1，對本發(fā)明的圖案化磁記錄介質進
行說明。在圖1中，圖案化磁記錄介質由以下構成基體l、該基體l
上的底層2、在該底層2上作為具有道狀和/或點狀的納米級凹凸圖案 被配置的磁性層3、覆蓋該磁性層3的凹凸圖案的全部的第一保護層4、 和覆蓋凹凸圖案頂部與底部的由四面體碳(ta-C)膜構成的第二保護層
在本發(fā)明中，基體l是在通常的磁記錄介質中所使用的各種基體， 例如是玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、非磁性金屬基板等各種基板 和非磁性金屬鼓等。
底層2由非磁性或軟磁性材料，例如Co、 CoNi類合金等具有垂直 磁各向異性的材料或坡莫合金等軟磁性材料等構成，具有平坦的表面， 或在表面具有與磁性層3對應的納米級凹凸圖案。
磁性層3由含有Co、 Cr、 Ni、 Pt和包含這些的合金等磁性金屬的 層構成，具有納米級凹凸圖案，該納米級凹凸圖案的與劃分信息記錄 區(qū)域的道狀和/或點狀的凹凸圖案對應的凸部圖案和凹部圖案的寬分 別為100nm以下、優(yōu)選為10 60nm，深度為50nm以下、優(yōu)選為10 40nm。磁性層3被配置在凹凸圖案的至少凸部圖案上，但也可以被配 置在凸部圖案和凹部圖案雙方。
第一保護層4由膜厚5nm以下、優(yōu)選2.5 3.5nm的、硬度比較低、覆蓋性優(yōu)異的Si02等金屬氧化物膜、金屬氮化物膜等無機膜、石墨膜、
四面體碳(DLC)膜等碳膜構成。特別優(yōu)選由利用等離子體CVD法形 成的膜厚1 3nm的DLC膜構成。
另一方面，由ta-C膜構成的第二保護層5，是利用FCA法或FCVA 法形成的膜厚2.5nm以下、優(yōu)選lnm以下、最優(yōu)選0.3 0.7nm的具有 極高硬度的碳膜，被配置在具有凹凸圖案的第一保護膜層的至少凸部 圖案的頂部。
上述第一保護層4覆蓋被配置在基板1上的凹凸圖案，防止在磁 性層3和底層2中所含的金屬成分的腐蝕，另一方面，被配置在第一 保護層4的凹凸圖案的至少凸部圖案的頂部的第二保護層(ta-C膜)5， 使相對于與其接觸并滑動的磁頭的滑動性提高。
上述本發(fā)明的圖案化磁記錄介質通過下述方法制造在基體1上 形成磁性層3，該磁性層3具有與劃分信息記錄區(qū)域的道狀和/或點狀 的凹凸圖案對應的納米級凹凸圖案，在所形成的凹凸圖案上形成第一 保護層4和由ta-C膜構成的第二保護層5。
具有納米級凹凸圖案的磁性層3通過下述方法制造在基體1上 形成底層2和磁性層3或在磁性層3上再形成臨時保護層4a后，蝕刻 磁性層3或臨時保護層4a和磁性層3的方法；或者蝕刻在基體1上形 成的底層2，在底層2上形成納米級凹凸圖案后，在該底層2上形成磁 性層3的方法。前者適用于只在凸部圖案或在凸部圖案和凹部圖案雙 方配置磁性層3的圖案化磁記錄介質的制造，而后者適用于在凸部圖 案和凹部圖案雙方配置磁性層3的圖案化磁記錄介質的制造。
具有納米級凹凸圖案的底層2或磁性層3能夠通過下述納米壓印 法制造如圖5所示，在底層2或磁性層3或者臨時保護層4a上涂布 光固化性抗蝕劑，在該抗蝕劑涂膜上按壓形成有所希望的凹凸圖案的 石英模具，隔著該石英模具照射紫外線，使抗蝕劑涂膜固化而形成蝕 刻圖案，沿著該蝕刻保護膜將底層2或磁性層3蝕刻至所希望的深度。
在上述方法中，向基體1上形成底層2、向該底層2上形成磁性層 3和向該磁性層3上形成的臨時保護層4a的方法沒有特別限制，能夠 采用在以往的磁記錄介質制造中所采用的公知方法。
接著，在上述得到的具有凹凸圖案的磁性層上形成第一保護層4，至少在其凸部圖案的頂部形成由ta-C膜構成的第二保護層5。
在第一保護層4的形成方法中，能夠沒有特別限制地采用公知的 各種方法，但優(yōu)選采用能夠在凹凸圖案上形成均勻膜的等離子體CVD 法。另一方面，在由ta-C膜構成的第二保護層5的形成中，釆用FCA 法或FCVA法。
實施例
根據(jù)實施例和比較例對本發(fā)明進行更詳細地說明。 (實施例1) (試樣l)
在玻璃基板l上，利用濺射法形成由含有Cr、 Ti、 Co的至少一種 的材料構成的膜厚30nm的底層2，在該底層2上，利用濺射法形成由 Co-Cr-Pt合金構成的膜厚10nm的磁性層3。再在磁性層3上利用等離 子體CVD法形成由碳構成的膜厚4nm的臨時保護層4a。
在得到的臨時保護層4a上，使用勻膠機(spincoater)以旋涂法將 UV固化性抗蝕劑(商品名PAK-Ol，東洋合成(株)生產(chǎn))涂布40nm 厚度，以8(TC除去溶劑，在得到的涂膜的表面，以O.lMPa的壓力按 壓形成有道狀凹凸圖案的石英模具，隔著該石英模具照射紫外線，使 抗蝕劑固化后，取出石英模具，在磁性層3上形成線寬60nm、線厚 40nm、線間隔40nm的道狀蝕刻用的圖案。
利用得到的蝕刻圖案的凹凸膜厚差和由材質產(chǎn)生的蝕刻速度差， 蝕刻臨時保護層4a和磁性層3。蝕刻以加速電壓500V、離子束電流 200mA、氣體壓力2.0Xl(^Pa的條件照射氬離子，加工至除去凸部的 臨時保護層4a。為了調整錐體角度，將基板傾斜3。，以旋轉速度2 5rpm使之旋轉。由此，在磁性層3上形成線寬60nm、溝寬40nm、溝 深10nm、錐體角度60°的道狀凹凸圖案。
在形成了凹凸圖案的磁性層3上，利用等離子體CVD法，以乙烯 氣體為原料，在基板溫度150'C、氣體壓力0.1 0.7Pa的條件下，成膜 為2.0nm的DLC膜，形成覆蓋具有凹凸圖案的磁性層3的第一保護層 4。
接著，在上述第一保護層4上，使用FCA裝置，成膜為膜厚0.5nm的ta-C膜5，得到在第一保護層的凸部圖案頂部和凹部圖案底部形成 由ta-C膜構成的第二保護層5的本發(fā)明的圖案化磁記錄介質(試樣1)。 (比較試樣1)
在上述試樣1的調制工序中省略第一保護層4的形成工序，使用 FCA裝置在磁性層3上直接形成膜厚2.5nm的ta-C膜，除此以外，進 行與試樣1的調制同樣的處理，得到比較用的圖案化磁記錄介質(比 較試樣l)。 (比較試樣2)
在試樣1的調制中使用的凹凸圖案形成前的磁性層3上，利用等 離子體CVD法，采用與試樣1同樣的條件形成膜厚為2.0nm的DLC 膜，使用FCA裝置在其上成膜為膜厚0.5nm的ta-C膜，得到比較用的 磁記錄介質(比較試樣2)。 (比較試樣3)
在試樣1的調制中使用的凹凸圖案形成前的磁性層3上，使用FCA 裝置直接成膜為膜厚2.5nm的ta-C膜，得到比較用的磁記錄介質(比 較試樣3)。 (金屬溶出試驗l)
將在80°C、 90%RH的環(huán)境中放置了 lOOhr的試樣1和比較試樣1 切成20mmX20mm的方形試樣，以硅樹脂封閉周圍，防止金屬從保護 層形成面以外溶出，然后，在2(TC的lwt%Na2S04水溶液中浸漬30 分鐘，測定溶液的浸漬電位，分析在水溶液中溶出的金屬量。在圖2 中表示試驗結果。圖2表示以試樣1的溶出金屬量為1時，比較試樣1 的溶出金屬量。
圖2顯示，在試樣1中，在具有凹凸圖案的磁性層3上的利用CVD 法形成的DLC膜，作為防止金屬從具有凹凸圖案的磁性層的溶出的保 護層而充分地發(fā)揮功能。
另一方面顯示，在具有凹凸圖案的磁性層3上利用FCA形成的ta-C 膜單層(比較試樣1)，離子的直進性高，被有選擇地形成在凸部圖案 頂部和凹部圖案底部，在凹凸圖案的直立部幾乎不被形成，所以，金 屬從該凹凸圖案的直立部溶出，不發(fā)揮作為防止金屬從磁性層溶出的 保護層的功能。(滑動試驗)
在以旋轉速度1.0m / sec旋轉的比較試樣2和3的介質表面，以荷 重5.0gf將2.0mm①的鋁碳化硅(AlTiC)球擠壓1分鐘后，在試樣表 面照射激光，觀測反射光，計測在表面產(chǎn)生的劃痕數(shù)。在圖3中表示 測定結果。
圖3表示在平板上直接形成的ta-C膜單層(比較試樣3)比在平 板上的DLC膜上形成的ta-C膜(比較試樣2)難以破損。 (金屬溶出試驗2)
在以旋轉速度1.0m / sec旋轉的試樣1、比較試樣2和比較試樣3 的介質表面，反復進行100次以荷重5.0gf將2.0mm①的鋁碳化硅球擠 壓l分鐘的滑動試驗，在保護層上反復施加垂直方向的力。
將上述滑動試驗后的各試樣在80°C、 90%RH的環(huán)境下放置lOOhr 后，切下20mmX20mm的各試樣，以硅樹脂封閉周圍，防止金屬從保 護層面以外溶出，然后，在2(TC的lwt^Na2S04水溶液中浸漬30分鐘， 測定溶液的浸漬電位，分析在水溶液中溶出的金屬量。在圖4中表示 試驗結果。圖4表示以試樣1的溶出金屬量為1時，比較試樣2和比 較試樣3的溶出金屬量。
圖4顯示，試樣1無論磁性層3是否具有凹凸圖案，具有與在平 板狀的磁性層3上形成有DLC膜和ta-C膜的比較試樣2幾乎同等的防 止金屬從磁性層溶出的功能，另一方面顯示，在平板狀的磁性層3上 形成有ta-C膜單層的比較試樣3中，由滑動試驗產(chǎn)生的ta-C膜上的劃 痕損害磁性層的保護功能。 (實施例2)
在實施例1的試樣1的制造中，除了使磁性膜3的厚度為20nm， 并使磁性膜3的蝕刻深度為10nm以外，進行與試樣1同樣的處理，制 造圖案化磁記錄介質，該圖案化磁記錄介質在磁性層上具有線寬 60nm、溝寬40nm、溝深10nm的道狀凹凸圖案，在凸部圖案、凸部圖 案以下的下層和凹部圖案的底部存在磁性層3，并具有由DLC膜構成 的第一保護層和由ta-C膜構成的第二保護層。在得到的圖案化磁記錄 介質的滑動試驗后的金屬溶出試驗中，得到與上述實施例1的試樣1 同樣的結果。(實施例3)
在基板1上形成由含有Cr、 Ti、 Co的至少一種的材料構成的膜厚 70nm的底層2后，在底層2上涂布UV固化性抗蝕劑，在抗蝕劑的涂 膜上按壓形成有道狀凹凸圖案的石英模具，隔著該石英模具照射紫外 線，使抗蝕劑固化，形成圖案寬60nm、圖案間隔40nm的蝕刻圖案后， 沿著該蝕刻圖案蝕刻底層2，在底層2上形成圖案寬60nm、圖案間隔 40nm、圖案深10nm的凹凸圖案。
在形成了上述凹凸圖案的底層2上，將由Co-Cr-Pt合金構成的磁 性層3鍍膜至10nm厚度后，進行與實施例1的試樣1的制造同樣的處 理，在具有凹凸圖案的磁性層3上形成DLC膜和ta-C膜，制造在凸部 圖案和凹部圖案的底部存在磁性層3的圖案化磁記錄介質。在得到的 圖案化磁記錄介質的滑動試驗后的金屬溶出試驗中，得到與上述實施 例1的試樣1同樣的結果。
權利要求
1.一種圖案化磁記錄介質，所述圖案化磁記錄介質的信息記錄區(qū)域被劃分為道狀和/或點狀的凹凸圖案，其特征在于，包括基體、配置在該基體上的底層、配置在該底層上的具有與所述信息記錄區(qū)域對應的凹凸圖案的磁性層、覆蓋該具有凹凸圖案的磁性層的第一保護層、和形成在該第一保護層的凸部圖案的至少頂部的第二保護層，所述第二保護層由利用FCA法或FCVA法形成的四面體碳(ta-C)膜構成。
2. 如權利要求1所述的圖案化磁記錄介質，其特征在于-所述信息記錄區(qū)域被所述具有凹凸圖案的磁性層的至少凸部圖案劃分。
3. 如權利要求1或2所述的圖案化磁記錄介質，其特征在于 所述信息記錄區(qū)域被所述具有凹凸圖案的磁性層的凸部圖案和凹部圖案雙方劃分。
4. 如權利要求1或2所述的圖案化磁記錄介質，其特征在于 所述第一保護層由利用CVD法形成的無機膜或碳膜構成。
5. 如權利要求1或2所述的圖案化磁記錄介質，其特征在于 所述第一保護層由利用CVD法形成的類金剛石碳(DLC)膜構成。
6. —種圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在于，包括 在配置在基體上的底層上形成磁性層的工序，其中，該磁性層具有與劃分信息記錄區(qū)域的道狀和/或點狀的凹凸圖案對應的凹凸圖案；在所述具有凹凸圖案的磁性層上形成第一保護層的工序；和在所述第一保護層的至少凸部圖案的頂部形成由ta-C膜構成的第二保護層 的工序，所述具有凹凸圖案的磁性層的形成工序包括在底層或磁性層或 者臨時保護層上形成光固化性抗蝕劑的蝕刻圖案的工序；和沿著該蝕 刻圖案蝕刻底層或磁性層或者臨時保護層以及磁性層而在底層或磁性 層上形成凹凸圖案的工序，所述第一保護層的形成工序包括利用等離子體CVD法形成無機膜 或碳膜的工序；由ta-C膜構成的第二保護層的形成工序包括FCA法或 FCVA法。
7. 如權利要求6所述的圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在 于所述在底層或磁性層或者臨時保護層上形成光固化性抗蝕劑的蝕 刻圖案的工序包括在底層或磁性層或者臨時保護層上涂布光固化性 抗蝕劑的工序；和在所述抗蝕劑的涂布膜上按壓具有所希望的凹凸圖 案的石英模具并隔著該石英模具照射紫外線，使所述抗蝕劑固化而形 成蝕刻圖案的工序，采用了所述石英模具具有納米級凹凸圖案的納米 壓印法。
8. 如權利要求6所述的圖案化磁記錄介質的制造方法，其特征在 于所述第一保護層的形成工序是利用等離子體CVD法形成類金剛石 碳(DLC)膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供具備具有劃分信息記錄區(qū)域的凹凸圖案的磁性層、耐腐蝕性優(yōu)異的第一保護層和磁頭滑動性優(yōu)異的第二保護層的圖案化磁記錄介質及其制造方法。其包括具有劃分信息記錄區(qū)域的道狀和/或點狀的凹凸圖案的磁性層、覆蓋該磁性層的第一保護層和形成在該第一保護層的凸部圖案頂部上的第二保護層，該第二保護層由利用FCA法或FCVA法形成的四面體碳(ta-C)膜構成。其制造方法包括在底層或磁性層上利用納米壓印法形成光固化性抗蝕劑的蝕刻圖案、蝕刻底層或磁性層形成凹凸圖案的工序；在磁性層的凹凸圖案上利用等離子體CVD法形成第一保護層的工序；和在該第一保護層的凹凸圖案的至少頂部利用FCA法或FCVA法形成由四面體碳(ta-C)膜構成的第二保護層的工序。
文檔編號G11B5/74GK101515459SQ20091000763
公開日2009年8月26日 申請日期2009年2月16日 優(yōu)先權日2008年2月19日
發(fā)明者堀口道子 申請人:富士電機電子技術株式會社