專(zhuān)利名稱(chēng)：電子存儲(chǔ)裝置及其存儲(chǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子存儲(chǔ)裝置及其存儲(chǔ)方法，特別是涉及一種可用于多層單元記 憶體(Multi-Level Cell, MLC)的具有資料糾錯(cuò)功能的電子存儲(chǔ)裝置及其存儲(chǔ)方法。
背景技術(shù)：
目前，由于快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)技術(shù)的崛起，使得電子資料除了儲(chǔ)存于一 般磁性硬盤(pán)外，亦可便捷地存儲(chǔ)于快閃記憶體中?？扉W存儲(chǔ)器是一種非揮發(fā)性的存儲(chǔ)元件，其具有低電耗、高存取速率、耐震及重量 輕等優(yōu)點(diǎn)，因此廣為各種主機(jī)系統(tǒng)，如個(gè)人電腦、筆記本電腦、PDA、手機(jī)等所采用，使得以各 種各樣以快閃記憶體為存儲(chǔ)媒介的電子存儲(chǔ)裝置，如快捷卡(Express Card)、閃存卡、優(yōu)盤(pán) (USB Flash Drive)、MP3Player等產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于人們的日常生活中。其中，NAND型MLC閃存，因其具備容量高、成本低、寫(xiě)入速度快等優(yōu)點(diǎn)，故被普遍 應(yīng)用于資料存儲(chǔ)領(lǐng)域；同時(shí)，為進(jìn)一步提高存儲(chǔ)容量，降低單位成本，業(yè)者更推出了具四種 不同狀態(tài)的單一記憶單元浮動(dòng)閘(Floating Gate)，以保存兩個(gè)位元的多層單元記憶體的 NAND型存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器在資料存儲(chǔ)產(chǎn)品上普遍被采用。雖然，NAND型MLC閃存，能大幅提高存儲(chǔ)容量，降低成本，但其產(chǎn)品特性較先前的 單值單元記憶體(Single-Level Cell，SLC)閃存卻有較多限制。例如記憶區(qū)塊經(jīng)抹除后 其中各個(gè)記憶頁(yè)只能進(jìn)行一次寫(xiě)入資料的燒錄作業(yè)(Number-Of-Programming，NOP限制為 1次)、使用壽命較短(累計(jì)抹除次數(shù)為10K次)、燒錄時(shí)間較長(zhǎng)、須采用修正能力較強(qiáng)的錯(cuò) 誤修正碼(Error Correction Code，ECC)、在一記憶區(qū)塊中燒錄資料時(shí)，須循序自地址較低 的記憶頁(yè)開(kāi)始燒錄等限制。在燒錄MLC閃存時(shí)，將單一記憶單元所記錄的兩個(gè)位元，分別構(gòu)成同一記憶區(qū)塊 中的兩個(gè)記憶頁(yè)，而形成低次位稱(chēng)為L(zhǎng)SB記憶頁(yè)(Least Significant Bit, LSB Page)和高 次位稱(chēng)為MSB記憶頁(yè)(Most Significant Bit Page, MSB Page)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。兩者雖具有 不同的記憶頁(yè)，但實(shí)質(zhì)上仍以同一組記憶單元進(jìn)行記錄，該組記憶單元被稱(chēng)為配對(duì)記憶頁(yè) (Paired Page)。在一對(duì)配對(duì)記憶頁(yè)中，LSB記憶頁(yè)的地址與MSB記憶頁(yè)的地址并不相鄰， 因而在其使用過(guò)程中，易有兩者分別記錄不同指令寫(xiě)入資料的現(xiàn)象，該現(xiàn)象也易導(dǎo)致在成 功將資料記錄在LSB記憶頁(yè)后，執(zhí)行下一指令將資料寫(xiě)入MSB記憶頁(yè)時(shí)，發(fā)生指令中斷，而 使得在先已經(jīng)完成記錄的LSB記憶頁(yè)內(nèi)保存的資料發(fā)生錯(cuò)誤而喪失。圖1A、圖1B、圖IC是LSB記憶頁(yè)與MSB記憶頁(yè)的燒錄過(guò)程的現(xiàn)有技術(shù)。在圖IA 中，MLC閃存包括四個(gè)燒錄狀態(tài)“U”、“A”、“B”、“C”，每個(gè)狀態(tài)用兩個(gè)位元分別表示，而該兩 個(gè)位元分別屬于LSB記憶頁(yè)的位元或稱(chēng)低次位元(Lower Bit)，MSB記憶頁(yè)的位元或稱(chēng)高次 位元(Upper Bit)。圖IB中，在將資料寫(xiě)入到LSB記憶頁(yè)時(shí)(將LSB記憶頁(yè)的位元從1燒 錄到0)，記憶體位元的狀態(tài)由U轉(zhuǎn)換到A，藉此寫(xiě)入資料到LSB Page中。若寫(xiě)入資料要求 LSB Page的位元為1，則維持狀態(tài)U，無(wú)須改變記憶體單元的狀態(tài)。接著后續(xù)要寫(xiě)入資料到 MSB記憶頁(yè)時(shí)，則與相關(guān)的LSB Page的位元執(zhí)行如下燒錄過(guò)程
3
(1)若低次位元為1 (LSB記憶頁(yè)燒錄后為狀態(tài)U)，高次位元也為1，則存儲(chǔ)單元的 狀態(tài)維持在狀態(tài)U;(2)若低次位元為1 (LSB記憶頁(yè)燒錄后為狀態(tài)U)，高次位元為0，則將儲(chǔ)單元從狀 態(tài)U燒錄到狀態(tài)C ；(3)若低次位元為0 (LSB記憶頁(yè)燒錄后為狀態(tài)A)，高次位元為1，則存儲(chǔ)單元的狀 態(tài)維持在狀態(tài)A ；(4)若低次位元為0 (LSB記憶頁(yè)燒錄后為狀態(tài)A)，高次位元為1，則將單元從狀態(tài) A燒錄到狀態(tài)B。在上述配對(duì)記憶頁(yè)的架構(gòu)下，當(dāng)配對(duì)記憶頁(yè)中的LSB記憶頁(yè)已經(jīng)記錄有在先寫(xiě)入 動(dòng)作的資料，而控制器恰好正在執(zhí)行將資料燒錄到配對(duì)記憶頁(yè)中的MSB記憶頁(yè)時(shí)，發(fā)生突 然斷電，則不僅MSB記憶頁(yè)的資料將發(fā)生錯(cuò)誤，LSB記憶頁(yè)內(nèi)的資料也會(huì)同時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤而喪失。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具資料糾錯(cuò)功能的電子 存儲(chǔ)裝置及其資料糾錯(cuò)方法，使得電子存儲(chǔ)裝置不僅寫(xiě)入迅速，且可在斷電時(shí)仍能保證已 寫(xiě)入的資料的正確性。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種電子存儲(chǔ)裝置，其中，所述電子存儲(chǔ)裝置包括第一快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于存儲(chǔ)用戶(hù)資料的來(lái)源區(qū)塊；第二快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于備份該來(lái)源區(qū)塊LSB記憶頁(yè)的資料的備份區(qū) 塊；和一控制器，所述控制器與所述第一、第二快閃記憶體相連，且所述控制器可選擇 地對(duì)所述第一、第二快閃記憶體進(jìn)行資料讀寫(xiě)。進(jìn)一步地，所述控制器可同時(shí)對(duì)第一快閃記憶體與第二快閃記憶體進(jìn)行資料讀寫(xiě)。再進(jìn)一步地，所述控制器利用邏輯_實(shí)體轉(zhuǎn)換表記錄所述來(lái)源區(qū)塊地址和所述備 份區(qū)塊記錄信息。所述備份區(qū)塊記錄信息包括備份區(qū)塊芯片選擇訊號(hào)代碼、備份區(qū)塊地址和來(lái)源區(qū) 塊地址。更進(jìn)一步地，所述第一快閃記憶體包括第一記憶體單元陣列和第一記憶體緩沖 頁(yè)。所述第二快閃記憶體包括第二記憶體單元陣列和第二記憶體緩沖頁(yè)。本發(fā)明的技術(shù)方案還可以這樣實(shí)現(xiàn)一種電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，所述電子存儲(chǔ)裝置包括至少一個(gè)用于存儲(chǔ)用戶(hù)資 料的來(lái)源區(qū)塊和至少一個(gè)用于備份所述來(lái)源區(qū)塊LSB記憶頁(yè)資料的備份區(qū)塊，以及一連接 所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊的控制器，所述資料糾錯(cuò)方法包括以下步驟所述控制器致能所述來(lái)源區(qū)塊并輸入寫(xiě)入指令與第一資料存儲(chǔ)地址后除能；所述控制器致能所述備份區(qū)塊并輸入寫(xiě)入指令與第一資料存儲(chǔ)地址；
所述控制器致能所述來(lái)源區(qū)塊；對(duì)所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊同時(shí)進(jìn)行資料寫(xiě)入至完成寫(xiě)入。進(jìn)一步地，所述控制器將檢查所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊的資料寫(xiě)入狀態(tài)，至 所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊傳回寫(xiě)入完成信號(hào)。再進(jìn)一步地，所述控制器將資料同時(shí)寫(xiě)入來(lái)源區(qū)塊和備份區(qū)塊；當(dāng)讀取資料發(fā)生錯(cuò)誤處理碼且無(wú)法修正的錯(cuò)誤時(shí)，所述控制器檢查該資料的來(lái)源 區(qū)塊相應(yīng)的備份區(qū)塊資料；從備份區(qū)塊中讀取來(lái)源區(qū)塊的LSB記憶頁(yè)的備份資料。更進(jìn)一步地，所述控制器讀取資料時(shí)，若產(chǎn)生錯(cuò)誤且無(wú)法修正資料，則所述控制器 檢查讀取的來(lái)源區(qū)塊是否具有相應(yīng)的備份區(qū)塊，若該來(lái)源區(qū)塊沒(méi)有相應(yīng)的備份區(qū)塊，則不修正所述錯(cuò)誤。所述電子存儲(chǔ)裝置在來(lái)源區(qū)塊完成所有記憶頁(yè)的寫(xiě)入，或該來(lái)源區(qū)塊的抹除時(shí)， 所述控制器檢查該來(lái)源區(qū)塊的相應(yīng)備份區(qū)塊，并清除所述備份區(qū)塊的備份區(qū)塊記錄。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是該電子存儲(chǔ)器采用兩組快閃記憶體同時(shí) 保存一筆資料，可減低所須作業(yè)時(shí)間；且在發(fā)生資料讀寫(xiě)錯(cuò)誤時(shí)，可還原電子存儲(chǔ)器中LSB 記憶頁(yè)內(nèi)所保存記錄的資料。


圖IA為現(xiàn)有技術(shù)中MLC閃存燒錄狀態(tài)示意圖；圖IB為現(xiàn)有技術(shù)中LSB記憶頁(yè)的燒錄過(guò)程示意圖；圖IC為現(xiàn)有技術(shù)中MSB記憶頁(yè)的燒錄過(guò)程示意圖；圖2A為本發(fā)明快閃記憶體存儲(chǔ)裝置的第一種架構(gòu)圖；圖2B為本發(fā)明快閃記憶體存儲(chǔ)裝置的第二種架構(gòu)圖；圖3A為本發(fā)明的第一種將LSB記憶頁(yè)資料寫(xiě)入存儲(chǔ)器的作業(yè)流程圖；圖3B為本發(fā)明的第二種將LSB記憶頁(yè)資料寫(xiě)入存儲(chǔ)器的作業(yè)流程圖；圖4為本發(fā)明的來(lái)源區(qū)塊與備份區(qū)塊的關(guān)系說(shuō)明圖；圖5為本發(fā)明的來(lái)源區(qū)塊與備份區(qū)塊間，備份動(dòng)作示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖2A為本發(fā)明最佳實(shí)施方式快閃記憶體存儲(chǔ)裝置的第一種架構(gòu)圖。該實(shí)施方 式是一個(gè)采用MLC閃存作為存儲(chǔ)媒體的快閃記憶體存儲(chǔ)裝置，該儲(chǔ)存裝置包括第一快閃 記憶體201和第二快閃記憶體202，所述第一快閃記憶體201和第二快閃記憶體202可用 于存儲(chǔ)用戶(hù)資料；以及用于控制資料讀寫(xiě)的一控制器200。其中，在每個(gè)快閃記憶體內(nèi)部， 分別具有存儲(chǔ)資料的記憶體單元陣列203和記憶體單元陣列204，以及相應(yīng)的可供資料暫 時(shí)存放的記憶體緩沖頁(yè)205和記憶體緩沖頁(yè)206，而所述控制器200可以通過(guò)信號(hào)CE1、CE2 選擇相應(yīng)的快閃記憶體對(duì)資料進(jìn)行讀寫(xiě)。圖2B為本發(fā)明最佳實(shí)施方式快閃記憶體存儲(chǔ)裝置的第二種架構(gòu)圖。該實(shí)施方式 是一個(gè)采用MLC閃存作為存儲(chǔ)媒體的快閃記憶體存儲(chǔ)裝置，該儲(chǔ)存裝置包括第一快閃記 憶體211和第二快閃記憶體212，所述第一快閃記憶體211和第二快閃記憶體212可用于存儲(chǔ)用戶(hù)資料；以及用于控制資料讀寫(xiě)的一控制器200。其中，在每個(gè)快閃記憶體內(nèi)部，分別 具有存儲(chǔ)資料的記憶體單元陣列213和記憶體單元陣列214，以及相應(yīng)的可供資料的暫時(shí) 存放的記憶體緩沖頁(yè)215和記憶體緩沖頁(yè)216，而所述控制器200可以通過(guò)選擇信號(hào)CE1、 CE2選擇相應(yīng)的快閃記憶體對(duì)資料進(jìn)行讀寫(xiě)。圖3A為本發(fā)明的第一種將LSB記憶頁(yè)資料寫(xiě)入存儲(chǔ)器的作業(yè)流程圖首先LSB資 料寫(xiě)入存儲(chǔ)器(步驟S301)，致能第一快閃記憶體選擇信號(hào)CEl (步驟S303)，然后輸入寫(xiě) 入指令與第一資料存儲(chǔ)地址(步驟S305)，并將第一快閃記憶體選擇信號(hào)予以除能(步驟 S307)；再致能第二快閃記憶體選擇信號(hào)CE2 (步驟S309)，并輸入寫(xiě)入指令與第二資料存儲(chǔ) 地址(步驟S311)；并將接著致能第一快閃記憶體選擇信號(hào)CEl (步驟S313)，此時(shí)即同時(shí)致 能了第一與第二快閃記憶體選擇信號(hào)，可以對(duì)其寫(xiě)入資料，傳輸資料到第一快閃記憶體與 第二快閃記憶體內(nèi)部的資料緩沖區(qū)(步驟S315)；然后輸入燒錄指令，同時(shí)啟動(dòng)第一快閃記 憶體與第二快閃記憶體的燒錄作業(yè)(步驟S317)；接著除能第一快閃記憶體選擇信號(hào)與第 二快閃記憶體選擇信號(hào)(步驟S319)；控制器將檢查第一快閃記憶體與第二快閃記憶體的 燒錄作業(yè)狀態(tài)(步驟S321)，至第一快閃記憶體與第二快閃記憶體均傳回?zé)涀鳂I(yè)成功信 號(hào)后，即結(jié)束(步驟S323)，此時(shí)將同一筆資料同時(shí)燒錄到第一快閃記憶體與第二快閃記憶 體的作業(yè)已經(jīng)完成。圖3B為本發(fā)明另一種將LSB記憶頁(yè)資料寫(xiě)入存儲(chǔ)器(步驟S302)的作業(yè)流程圖， 首先，控制器將同時(shí)致能第一和第二快閃記憶體選擇信號(hào)(步驟S304)，然后輸入寫(xiě)入指令 與第一、第二資料存儲(chǔ)地址(步驟S306)，傳輸資料到第一快閃記憶體和與第二快閃記憶體 各自的資料緩沖區(qū)(步驟S308)，輸入燒錄指令，同時(shí)啟動(dòng)第一快閃記憶體與第二快閃記憶 體的燒錄作業(yè)(步驟S310)，除能第一快閃記憶體選擇信號(hào)與第二快閃記憶體選擇信號(hào)(步 驟S312)，接著，控制器將檢查第一快閃記憶體與第二快閃記憶體的燒錄作業(yè)狀態(tài)(步驟 S314)，至第一快閃記憶體與第二快閃記憶體均傳回?zé)涀鳂I(yè)成功信號(hào)后，即結(jié)束將同一筆 資料同時(shí)燒錄到第一快閃記憶體與第二快閃記憶體的作業(yè)。本案的又一技術(shù)特征在于透過(guò)邏輯-實(shí)體轉(zhuǎn)換表中記錄的備份區(qū)塊(Backup Block)的地址，在先前保存的資料因其后的資料燒錄過(guò)程的中斷而導(dǎo)致毀損時(shí)，從備份區(qū) 塊取得正確資料予以還原。邏輯-實(shí)體轉(zhuǎn)換表中，除習(xí)知的實(shí)體區(qū)塊地址外，還有至少一 個(gè)備份區(qū)塊記錄，于備份區(qū)塊記錄中，保存有備份區(qū)塊芯片選擇訊號(hào)代碼(Chip Select Number)、備份區(qū)塊地址(Backup Block Address)、來(lái)源區(qū)塊地址(Source Block Address) 等相關(guān)信息；同時(shí)寫(xiě)入作業(yè)后，將來(lái)源區(qū)塊地址(致能第一快閃記憶體選擇信號(hào)后輸入的 區(qū)塊地址)，備份區(qū)塊地址(致能第二快閃記憶體選擇信號(hào)后輸入的區(qū)塊地址)，備份區(qū)塊 芯片選擇訊號(hào)代碼(第二快閃記憶體選擇信號(hào)代碼)輸入保存在第一快閃記憶體選擇信號(hào) 所代表存儲(chǔ)區(qū)間的邏輯_實(shí)體轉(zhuǎn)換表中的備份區(qū)塊記錄中。圖4是本發(fā)明的來(lái)源區(qū)塊與備份區(qū)塊的關(guān)系說(shuō)明圖。來(lái)源區(qū)塊為母記憶區(qū)塊、子 記憶區(qū)塊，子記憶區(qū)塊用于紀(jì)錄母記憶區(qū)塊的更新資料，或前一個(gè)子記憶區(qū)塊的更新資料。 備份區(qū)塊O或1對(duì)相應(yīng)地對(duì)子記憶區(qū)塊0或1中的資料進(jìn)行備份，即備份區(qū)塊0或1中LSB 記憶頁(yè)的資料用于備份子記憶區(qū)塊0或1中LSB記憶頁(yè)的資料。當(dāng)該子記憶區(qū)塊0或1已 經(jīng)存儲(chǔ)滿(mǎn)了資料(即最后一個(gè)記憶頁(yè)已完成寫(xiě)入動(dòng)作)或被抹除后，控制器200將檢查子 記憶區(qū)塊0或1是否已經(jīng)有相應(yīng)的備份區(qū)塊。如果有備份區(qū)塊0或1已經(jīng)備份了已抹除或已寫(xiě)完最后一記憶頁(yè)的子記憶區(qū)塊O或1的資料，控制器200將抹除備份區(qū)塊0或1，以釋 放備份區(qū)塊，供其它資料進(jìn)行存儲(chǔ)。執(zhí)行讀取作業(yè)時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)資料毀損，將進(jìn)行如下資料還原作業(yè)若發(fā)生的資料錯(cuò) 誤，通過(guò)ECC錯(cuò)誤處理碼無(wú)法修正時(shí)，則檢查讀取的記憶區(qū)塊，在邏輯_實(shí)體轉(zhuǎn)換表中，是否 有備份區(qū)塊；若該記憶區(qū)塊并未配置備份區(qū)塊，則發(fā)生讀取錯(cuò)誤無(wú)法修正；若發(fā)現(xiàn)該記憶 區(qū)塊具有備份區(qū)塊，則讀取備份區(qū)塊的備份資料，并傳回正確的備份資料。圖5是上述備份動(dòng)作示意圖，假定記憶頁(yè)0和記憶頁(yè)1是配對(duì)頁(yè)。如果在讀取子記憶區(qū)塊1的記憶頁(yè)0時(shí)，發(fā)生了 ECC錯(cuò)誤處理碼無(wú)法修正的錯(cuò)誤，控制器200將檢查子記 憶區(qū)塊1是否有相應(yīng)的備份區(qū)塊1。如果存在相應(yīng)的備份區(qū)塊1，則控制器200將讀取備份 區(qū)塊1的記憶頁(yè)0中LSB記憶頁(yè)的資料，去修復(fù)子記憶區(qū)塊1的記憶頁(yè)0中的資料。由于備份區(qū)塊仍須占用額外的存儲(chǔ)空間，且邏輯-實(shí)體轉(zhuǎn)換表內(nèi)的備份區(qū)塊記錄 空間也有一定的數(shù)量限制，因此，需要對(duì)已被使用過(guò)備份區(qū)塊進(jìn)行回收。本案的又一技術(shù)特征在于提供了一種備份區(qū)塊的回收作業(yè)當(dāng)來(lái)源區(qū)塊完成所有記憶頁(yè)的寫(xiě)入作業(yè)，或者被抹除時(shí)，則啟動(dòng)備份區(qū)塊的回收 作業(yè)，檢查作業(yè)如下1.控制器于完成一實(shí)體區(qū)塊的最后一個(gè)記憶頁(yè)的寫(xiě)入作業(yè)時(shí)，亦即完成該實(shí)體區(qū) 塊所有記憶頁(yè)的寫(xiě)入作業(yè)時(shí)，檢查邏輯_實(shí)體轉(zhuǎn)換表內(nèi)的備份區(qū)塊記錄，確定來(lái)源區(qū)塊是 否有一實(shí)體區(qū)塊的作為備份區(qū)塊，若有即啟動(dòng)該備份區(qū)塊的回收作業(yè)；2.控制器完成一實(shí)體區(qū)塊的抹除作業(yè)時(shí)，即完成回收該實(shí)體區(qū)塊內(nèi)的無(wú)效資料所 占用的存儲(chǔ)空間時(shí)，將檢查邏輯-實(shí)體轉(zhuǎn)換表的備份區(qū)塊記錄中，是否有一實(shí)體區(qū)塊作為 來(lái)源區(qū)塊的備份區(qū)塊，若有，即啟動(dòng)該備份區(qū)塊的回收作業(yè)。上述檢查作業(yè)完成后，則進(jìn)行備份區(qū)塊的回收作業(yè)首先致能第二快閃記憶體 選擇信號(hào)，然后輸入抹除指令，輸入備份區(qū)塊地址，輸入抹除作業(yè)啟動(dòng)指令；最后清除邏 輯-實(shí)體轉(zhuǎn)換表內(nèi)的備份區(qū)塊記錄，完成備份區(qū)塊回收作業(yè)。本發(fā)明中，所述存儲(chǔ)區(qū)塊容量不限為記憶體本身的單位容量(Block)，亦可為用戶(hù) 自行定義預(yù)設(shè)的容量。綜上所述，本發(fā)明為一種利用備份資料，防止資料讀寫(xiě)錯(cuò)誤的方法。通過(guò)將資料同 時(shí)寫(xiě)入兩個(gè)快閃記憶體，在讀取資料發(fā)生ECC錯(cuò)誤碼不能糾正的錯(cuò)誤時(shí)，從相應(yīng)的備份區(qū) 塊進(jìn)行讀取資料。透過(guò)修改邏輯_實(shí)體轉(zhuǎn)換表，釋放占用而未用的實(shí)體記憶區(qū)塊，能改善儲(chǔ) 存裝置的存取速度，并延長(zhǎng)儲(chǔ)存媒體的使用期限。以上所述僅為本發(fā)明的最佳實(shí)施方式，非因此局限本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，故舉凡運(yùn) 用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及圖示內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均同理包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于所述電子存儲(chǔ)裝置包括第一快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于存儲(chǔ)用戶(hù)資料的來(lái)源區(qū)塊；第二快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于備份該來(lái)源區(qū)塊LSB記憶頁(yè)的資料的備份區(qū)塊；和一控制器，所述控制器與所述第一、第二快閃記憶體相連，且所述控制器可選擇地對(duì)所述第一、第二快閃記憶體進(jìn)行資料讀寫(xiě)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于 憶體與第二快閃記憶體進(jìn)行資料讀寫(xiě)。
3.如權(quán)利要求1所述的電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于 表記錄所述來(lái)源區(qū)塊地址和所述備份區(qū)塊記錄信息。
4.如權(quán)利要求3所述的電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于 區(qū)塊芯片選擇訊號(hào)代碼、備份區(qū)塊地址和來(lái)源區(qū)塊地址。
5.如權(quán)利要求1所述的電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于 憶體單元陣列和第一記憶體緩沖頁(yè)。
6.如權(quán)利要求1或5所述的電子存儲(chǔ)裝置，其特征在于所述第二快閃記憶體包括第 二記憶體單元陣列和第二記憶體緩沖頁(yè)。
7.一種電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，所述電子存儲(chǔ)裝置包括至少一個(gè)用于存儲(chǔ)用戶(hù)資料 的來(lái)源區(qū)塊和至少一個(gè)用于備份所述來(lái)源區(qū)塊LSB記憶頁(yè)資料的備份區(qū)塊，以及一連接所 述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊的控制器，所述資料糾錯(cuò)方法包括以下步驟所述控制器致能所述來(lái)源區(qū)塊并輸入寫(xiě)入指令與第一資料存儲(chǔ)地址后除能；所述控制器致能所述備份區(qū)塊并輸入寫(xiě)入指令與第一資料存儲(chǔ)地址；所述控制器致能所述來(lái)源區(qū)塊；對(duì)所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊同時(shí)進(jìn)行資料寫(xiě)入至完成寫(xiě)入。
8.如權(quán)利要求7所述的電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，其特征在于所述控制器將檢查所 述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊的資料寫(xiě)入狀態(tài)，至所述來(lái)源區(qū)塊和所述備份區(qū)塊傳回寫(xiě)入完 成信號(hào)。
9.如權(quán)利要求7所述的電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，其特征在于所述控制器將資料同 時(shí)寫(xiě)入來(lái)源區(qū)塊和備份區(qū)塊；當(dāng)讀取資料發(fā)生錯(cuò)誤處理碼且無(wú)法修正的錯(cuò)誤時(shí)，所述控制器檢查該資料的來(lái)源區(qū)塊 相應(yīng)的備份區(qū)塊資料；從備份區(qū)塊中讀取來(lái)源區(qū)塊的LSB記憶頁(yè)的備份資料。
10.如權(quán)利要求7所述的電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，其特征在于所述控制器讀取資料 時(shí)，若產(chǎn)生錯(cuò)誤且無(wú)法修正資料，則所述控制器檢查讀取的來(lái)源區(qū)塊是否具有相應(yīng)的備份 區(qū)塊，若該來(lái)源區(qū)塊沒(méi)有相應(yīng)的備份區(qū)塊，則不修正所述錯(cuò)誤。
11.如權(quán)利要求7所述的電子存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)方法，其特征在于所述電子存儲(chǔ)裝置在 來(lái)源區(qū)塊完成所有記憶頁(yè)的寫(xiě)入，或該來(lái)源區(qū)塊的抹除時(shí)，所述控制器檢查該來(lái)源區(qū)塊的 相應(yīng)備份區(qū)塊，并清除所述備份區(qū)塊的備份區(qū)塊記錄。所述控制器可同時(shí)對(duì)第一快閃記 所述控制器利用邏輯至實(shí)體轉(zhuǎn)換 所述備份區(qū)塊記錄信息包括備份 所述第一快閃記憶體包括第一記
全文摘要
本發(fā)明一種電子存儲(chǔ)裝置，其中，所述電子存儲(chǔ)裝置包括第一快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于存儲(chǔ)用戶(hù)資料的來(lái)源區(qū)塊；第二快閃記憶體，包括至少一個(gè)用于備份該來(lái)源區(qū)塊LSB記憶頁(yè)的資料的備份區(qū)塊；和一控制器，所述控制器與所述第一、第二快閃記憶體相連，且所述控制器可選擇地對(duì)所述第一、第二快閃記憶體進(jìn)行資料讀寫(xiě)。本發(fā)明的有益效果是采用兩組快閃記憶體同時(shí)保存一筆資料，可減低所須作業(yè)時(shí)間；并在發(fā)生資料讀寫(xiě)錯(cuò)誤時(shí)，可還原電子存儲(chǔ)器中記憶頁(yè)內(nèi)所保存記錄的資料。
文檔編號(hào)G11C16/08GK101872644SQ200910031588
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2009年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月24日
發(fā)明者方子維, 洪世芳 申請(qǐng)人:威剛科技(蘇州)有限公司