專利名稱：一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲(chǔ)器器件的擦除方 法，以及一種非易失存儲(chǔ)器器件的擦除裝置。
背景技術(shù)：
隨著各種電子裝置及嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，如計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助 理、移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)等，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單， 外圍器件少，價(jià)格低廉的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器 件。非易失性存儲(chǔ)器件就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。一個(gè)非易失存儲(chǔ)器通常也是一 個(gè)MOS管，擁有一個(gè)源極(source)，一個(gè)漏極(drain)，一個(gè)門極(gate)，另外還有一個(gè)浮動(dòng) 柵極(floating gate)?？梢?，它的構(gòu)造和一般的MOS管略有不同，多了一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O，該浮 動(dòng)?xùn)艠O被絕緣體隔絕于其他部分。以閃存(Flash Memory)為例，它是一種基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器，具有系統(tǒng)掉電后仍 可保留內(nèi)部信息、在線擦寫等功能特點(diǎn)，閃存的擦除方法是在源極加正電壓，利用浮動(dòng)?xùn)?極與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動(dòng)?xùn)艠O的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正 電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，閃存不能按字節(jié)擦除，而只能以全片(Flash chip)或分塊(block)的形式擦除。一個(gè)閃存中包括若干個(gè)存儲(chǔ)塊(block)，現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)對(duì)整個(gè)Flash chip進(jìn)行 擦除操作時(shí)，是以block為單位逐個(gè)進(jìn)行擦除。例如，某個(gè)Flash包括A、B、C三個(gè)block， 完成整個(gè)Flash chip的擦除操作則需要先對(duì)A block進(jìn)行擦除，然后對(duì)B block進(jìn)行 擦除，最后對(duì)C block進(jìn)行擦除。，并且，這種擦除是針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元(cell)進(jìn)行的， 即需要針對(duì)block中的每個(gè)cell執(zhí)行預(yù)編程(pre-program)、擦除(erase)及軟件編程 (post-program)等的步驟才能得以實(shí)現(xiàn)，顯然這種擦除方式比較耗費(fèi)時(shí)間。再者，由于實(shí)際 中一個(gè)閃存中所包括的存儲(chǔ)塊較多，閃存的容量越來越大，并且為減少Flash的擦寫次數(shù)， 現(xiàn)有技術(shù)也越來越趨向于采用較小的存儲(chǔ)塊來作為擦除單元，在這種情況下，一個(gè)閃存中 的存儲(chǔ)塊將更多，采用這種以block為單位逐個(gè)擦除的方式對(duì)整個(gè)Flash chip進(jìn)行擦除， 不僅耗時(shí)，而且速度較慢，擦除效率較為低下。因此，目前需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是如何能夠創(chuàng)新地 提出一種非易失存儲(chǔ)器的擦除機(jī)制，用以節(jié)省進(jìn)行擦除操作的時(shí)間，提高擦除速度和效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種非易失存儲(chǔ)器器件的擦除方法，用以節(jié)省 進(jìn)行擦除操作的時(shí)間，提高擦除速度和效率。本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)問題是提供一種非易失存儲(chǔ)器器件的擦除裝置，用 以保證上述方法在實(shí)際中的應(yīng)用。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種非易失存儲(chǔ)器器件的擦除方法，包括確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。優(yōu)選的，所述并行擦除的步驟包括
對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新 進(jìn)行擦除操作；在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。優(yōu)選的，所述并行擦除的步驟包括對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重 新進(jìn)行擦除操作；在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。優(yōu)選的，所述預(yù)編程操作進(jìn)一步包括識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行預(yù)編程操作的存儲(chǔ)單元；針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作；所述軟編程操作進(jìn)一步包括識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行軟編程操作的存儲(chǔ)單元；針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行軟編程操作。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，包括確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一存儲(chǔ)塊中；并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。優(yōu)選的，所述并行擦除的步驟包括對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行 擦除操作；在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。優(yōu)選的，所述并行擦除的步驟包括對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn) 行擦除操作；在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置，包括內(nèi)部電源模塊，用于同時(shí)對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行供電，以及進(jìn)行兩個(gè)存儲(chǔ)塊的選通控 制、電源切換控制和操作狀態(tài)控制；
存儲(chǔ)塊確定模塊，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；存儲(chǔ)塊擦除模塊，用于并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。優(yōu)選的，所述存儲(chǔ)塊擦除模塊包括存儲(chǔ)塊預(yù)編程子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；存儲(chǔ)塊擦除子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；存儲(chǔ)塊擦除驗(yàn)證子模塊，用于針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若則，則觸發(fā)存儲(chǔ)塊軟編程子模塊；若否，則觸發(fā)存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊；存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊，用于對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行擦除操作；存儲(chǔ)塊軟編程子模塊，用于在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置，包括內(nèi)部電源模塊，用于進(jìn)行兩個(gè)扇區(qū)的選通控制和操作狀態(tài)控制；扇區(qū)確定模塊，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一存儲(chǔ)塊中；扇區(qū)擦除模塊，用于并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。優(yōu)選的，所述扇區(qū)擦除模塊包括扇區(qū)預(yù)編程子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；扇區(qū)擦除子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；扇區(qū)擦除驗(yàn)證子模塊，用于針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若則，則觸發(fā)扇區(qū)軟編程子模塊；若否，則觸發(fā)扇區(qū)重新擦除子模塊；扇區(qū)重新擦除子模塊，用于對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行擦除操作；扇區(qū)軟編程子模塊，用于在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過采用兩個(gè)block為單位，在對(duì)整個(gè)Flash chip進(jìn)行擦除操作時(shí)，例如， 某個(gè)Flash包括A、B、C、D四個(gè)block，完成整個(gè)Flash chip的擦除操作則需要先對(duì)A block 和B block進(jìn)行擦除，然后對(duì)Cblock和Dblock進(jìn)行擦除。由于在同時(shí)對(duì)兩個(gè)block進(jìn) 行擦除的過程中，預(yù)編程，擦除，軟編程這些操作都是并行的，所以本發(fā)明相較于采用現(xiàn)有 技術(shù)采用單個(gè)block的操作來說，完成整個(gè)chip的erase節(jié)省了較多的時(shí)間。再者，本發(fā)明可以串行進(jìn)行兩個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作，使兩個(gè)存儲(chǔ)塊共用一套 地址計(jì)數(shù)器，擦除驗(yàn)證操作在整個(gè)擦除操作中所占的時(shí)間比例不大，在這種情況下，還可以 進(jìn)一步減小存儲(chǔ)器的面積。


圖1是本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例1的流程圖；圖2是本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例2的流程圖；圖3是本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例3的流程圖；圖4是本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)框圖；圖5是本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，首先簡(jiǎn)單介紹幾種非易失存儲(chǔ)器的工作原理。典型的非易失存儲(chǔ)器包括EPROM (可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM (電擦寫可 編程只讀存儲(chǔ)器)及FLASH MEMORY(閃存)。EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦 去，然后重新寫入。其基本存儲(chǔ)單元cell電路常采用浮動(dòng)?xùn)艠O雪崩注入式MOS電路，簡(jiǎn)稱 為FAM0S。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸 分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在Si02絕緣層中，與 四周無直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮動(dòng)?xùn)艠O是否帶電來表示存1或者0，浮動(dòng)?xùn)艠O帶電后 (譬如負(fù)電荷)，就在其下面，源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示 存入0。若浮動(dòng)?xùn)艠O不帶電，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1。EEPROM基本存儲(chǔ)單元cell與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮動(dòng)?xùn)艠O 的上面再生成一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O，前者稱為第一級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O，后者稱為第二級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O?？山o第 二級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O引出一個(gè)電極，使第二級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮動(dòng) 柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入第一浮動(dòng)?xùn)艠O，即編程寫入。若使VG為負(fù)電壓， 第一級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O的電子將散失，即擦除。擦除后可重新寫入。閃存的基本單元電路與EEPROM類似，也是由雙層浮動(dòng)?xùn)艠OMOS管組成，但是第一 層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層，可給第二級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O引出一個(gè)電極，使第二級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O接 某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮動(dòng)?xùn)艠O與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入第一浮 動(dòng)?xùn)艠O，即編程寫入；擦除方法是在源極加正電壓，利用第一級(jí)浮動(dòng)?xùn)艠O與源極之間的隧道 效應(yīng)，把注入至浮動(dòng)?xùn)艠O的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的 源極聯(lián)在一起，所以閃存不能按字節(jié)擦除，而只能分扇區(qū)、分塊或全片擦除。隨著半導(dǎo)體技 術(shù)的改進(jìn)，閃存也實(shí)現(xiàn)了單晶體管(IT)的設(shè)計(jì)，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動(dòng)?xùn)?和選擇柵，在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮動(dòng)棚。浮動(dòng)?xùn)虐?裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導(dǎo)電流的選擇/控制柵。 數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮?。有電子?，無電子為1。參考圖1，示出了本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例1的流程圖，具體 可以包括以下步驟步驟101、確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；步驟102、并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。以下以在閃存中擦除為例進(jìn)一步說明本發(fā)明。閃存的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫 入操作之前必須先執(zhí)行擦除(erase)操作。閃存由具有多個(gè)扇區(qū)的存儲(chǔ)塊(block)組成， 每個(gè)扇區(qū)(sector)對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元(cell)陣列。閃存只能進(jìn)行有限次地寫操作和擦除 操作，并且只能在預(yù)先被擦除的扇區(qū)內(nèi)針對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作，以及只能在大的存儲(chǔ)塊 內(nèi)進(jìn)行擦除操作，因此，寫操作和擦除操作比讀操作需要花費(fèi)更多時(shí)間。
閃存存儲(chǔ)單元的寫操作稱為編程(program)，一般可以使用熱點(diǎn)子注入的方式使 電子穿過溝道達(dá)到浮動(dòng)?xùn)艠O(Floating Gate)TO上，導(dǎo)致閾值電壓(VT)上升，該操作發(fā)生 時(shí)，存儲(chǔ)單元處于關(guān)閉狀態(tài)，不能傳導(dǎo)電流，所以使得存儲(chǔ)單元從一個(gè)中立狀態(tài)(擦除狀 態(tài))變到寫操作狀態(tài)，即從存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)從“1”變到“0”。擦除操作是基于隧道效應(yīng)， 使電子從浮動(dòng)?xùn)艠Ore到達(dá)P阱。這樣存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)又從“0”變到“1”。具體而言，閃存中的一個(gè)存儲(chǔ)單元用以記錄一個(gè)二進(jìn)制位的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元可以包括控制柵極(Control Gate)CG、浮動(dòng)?xùn)艠O(Floating Gate)TO、源極S與漏極D。存儲(chǔ)單 元的數(shù)據(jù)是以浮動(dòng)?xùn)艠Ore中所儲(chǔ)存的電荷量多少而定當(dāng)浮動(dòng)?xùn)艠Ore中儲(chǔ)存大量的電子， 此時(shí)需要給予控制柵極CG —個(gè)高電壓的閾值電壓，例如是大于5V，才能使此存儲(chǔ)單元的源 極S與漏極D導(dǎo)通，一般定義此時(shí)的數(shù)據(jù)為ο ；當(dāng)浮動(dòng)?xùn)艠Ore中儲(chǔ)存少量的電子，此時(shí)只需 要給予控制柵極CG —個(gè)低電壓的閾值電壓，例如是小于3. 2V，即可使此存儲(chǔ)單元的源極S 與漏極D導(dǎo)通，一般定義此時(shí)的數(shù)據(jù)為1。將多個(gè)存儲(chǔ)單元連接在一起即可形成作為一個(gè)扇區(qū)的存儲(chǔ)單元陣列，其具體連接 方式為，存儲(chǔ)單元陣列的列連接著每個(gè)存儲(chǔ)單元的漏極，被稱為位線；而陣列的行連接著每 個(gè)單元的柵極，被稱為字線；在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)入寫操作時(shí)，需要同時(shí)在位線和字線加載電壓。一個(gè)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)共享一作為源極的P阱(P substrate)，所以擦除 (erase)操作是針對(duì)存儲(chǔ)塊進(jìn)行的。當(dāng)進(jìn)行擦除操作時(shí)，一擦除電壓被施加到被選中存儲(chǔ) 塊的P阱，并向被選中存儲(chǔ)塊的字線施加OV電壓，以及將未被選中存儲(chǔ)塊的字線浮置。對(duì) 于被選中的存儲(chǔ)塊而言，所施加的擦除電壓形成的電場(chǎng)造成了一個(gè)電勢(shì)勢(shì)壘，它給其浮動(dòng) 柵極中的電子提供了一條由浮動(dòng)?xùn)艠O到達(dá)P阱的通路，從而改變被選中存儲(chǔ)塊中的邏輯狀 態(tài)。而對(duì)于未被選中的存儲(chǔ)塊而言，其字線的電位通過電容耦合而升高，因此不會(huì)被擦除。本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，采用一種針對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行操作的方式快 速擦除整個(gè)存儲(chǔ)器。在具體實(shí)現(xiàn)中，閃存的擦除/寫入操作可以通過命令用戶接口(⑶I)對(duì)特定的地 址寫入特定的指令序列，閃存對(duì)指令進(jìn)行譯碼后，啟動(dòng)內(nèi)部狀態(tài)機(jī)(WSM)進(jìn)行相應(yīng)操作，從 而使其自動(dòng)完成指令序列要求的功能。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例，用戶向閃存發(fā)送指向欲擦除的 兩個(gè)存儲(chǔ)塊地址的擦除指令，存儲(chǔ)器接收到該指令后進(jìn)行譯碼，確定將需要進(jìn)行擦除的存 儲(chǔ)塊的位置，并啟動(dòng)內(nèi)部狀態(tài)機(jī)，同時(shí)對(duì)這兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除操作。在實(shí)際中，為保證在 并行操作時(shí)能對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊提供穩(wěn)定的編程及擦除電壓，所選取的兩個(gè)存儲(chǔ)塊優(yōu)選為相鄰 存儲(chǔ)塊。在本實(shí)施例中，所述步驟102可以包括以下子步驟子步驟201、對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；所述預(yù)編程操作是針對(duì)各存儲(chǔ)塊中的各扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元寫入0，以提高擦除的 穩(wěn)定性。一種將存儲(chǔ)單元寫入O的方法可以為給予控制柵極一高電壓，如10V，并注入6V 的電壓至漏極D、注入約OV的電壓至源極s，從而使將大量的電子注入浮動(dòng)?xùn)艠Ore，使閾值 電壓上升。優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，本步驟還可以包括以下步驟識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行預(yù)編程操作的存儲(chǔ)單元；針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作。
可以理解的是，在實(shí)際中，對(duì)于存儲(chǔ)塊中的存儲(chǔ)單元而言，并不是每一個(gè)都必須進(jìn)行預(yù)編程操作，即一些存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)本來就是“0”，那么對(duì)于這部分存儲(chǔ)單元就可以不必要進(jìn)行預(yù)編程操作；而只對(duì)需要進(jìn)行預(yù)編程操作的存儲(chǔ)單元，如數(shù)據(jù)為“1”的存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作即可。子步驟202、對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；所述擦除操作是指對(duì)扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元寫入1。一種將存儲(chǔ)單元寫入1的方法為給予控制柵極CG —負(fù)電壓，例如是-11伏特，并給予3伏特的電壓至源極S，如此即可取出浮動(dòng)?xùn)艠OFG中的電子，存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)又從“0”變到“1”，使閾值電壓降低。子步驟203、針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若是，則執(zhí)行步驟205 ；若否，則執(zhí)行步驟204，對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行擦除操作；在實(shí)際中，待擦除操作完成之后，就進(jìn)入擦除驗(yàn)證狀態(tài)。在這個(gè)過程中，先驗(yàn)證第一個(gè)存儲(chǔ)塊，待第一個(gè)存儲(chǔ)塊驗(yàn)證完成之后，開始驗(yàn)證第二個(gè)存儲(chǔ)塊。如果通過擦除驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)還有某個(gè)模塊沒有擦除成功，則再向其加擦除電壓，重新進(jìn)行擦除操作。對(duì)于擦除成功的模塊，才跳轉(zhuǎn)步驟205。在本步驟中進(jìn)行串行操作的原因在于，使兩個(gè)存儲(chǔ)塊可以共用一個(gè)地址計(jì)數(shù)器，從而可以有效減少存儲(chǔ)器的面積，并節(jié)約資源。所述驗(yàn)證擦除是否成功的方法是在不同的操作過程中，使用不同的參考電壓和閾值電壓去讀存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。當(dāng)把某一個(gè)閾值電壓加到存儲(chǔ)單元的柵極，把漏極上的電流轉(zhuǎn)換為電壓后，同參考電壓進(jìn)行比較，判斷是“1”還是“0”，由判斷結(jié)果確定擦除成功還是失敗。以下以一種MLC Flash Memory (多層單元閃存)的讀取操作為例進(jìn)一步說明本發(fā)明擦除驗(yàn)證的過程。在MLC Flash Memory中，一個(gè)存儲(chǔ)單元(cell)包括兩個(gè)晶體管和兩個(gè)電容，以存儲(chǔ)四個(gè)狀態(tài)，兩位數(shù)據(jù)。對(duì)MLC Flash Memory進(jìn)行讀取操作大致可以包括以下三步第一步、在存儲(chǔ)cell陣列的字線WL和參考cell的柵極(gate)上施加相同的開啟電壓Vwl，在存儲(chǔ)cell陣列的位線(BL)和參考cell的漏極(drain)保持相近的電壓，如Iv。當(dāng)開始讀取數(shù)據(jù)時(shí)，晶體管打開，而由于陣列cell和參考cell的電荷狀態(tài)不同，從而會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生的電流不同；第二步、將上述陣列cell和參考cell的電流分別通過專門設(shè)計(jì)的I_V(電流-電壓)轉(zhuǎn)換電路(即將不同的電流通過相同的阻抗器件)，得到不同的電壓值，從而將電流差異轉(zhuǎn)化為了電壓差異；例如，對(duì)于MLC Flash Memory的存儲(chǔ)單元而言，就需要四個(gè)I-V(電流-電壓)轉(zhuǎn)換電路，一個(gè)I-V轉(zhuǎn)換電路對(duì)應(yīng)陣列cell，得到所需的存儲(chǔ)單元相應(yīng)的電壓值，另外三個(gè)I-V轉(zhuǎn)換電路對(duì)應(yīng)參考cell，得到三個(gè)參考電壓。第三步、通過比較器比較兩個(gè)電壓信號(hào)，即可得到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的狀態(tài)信息，再轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)，如，00、01、10、11。例如，將所需的存儲(chǔ)單元相應(yīng)的電壓值分別與三個(gè)參考電壓進(jìn)行兩兩比較，從而可以確定所需的存儲(chǔ)單元相應(yīng)的電壓值是落在那個(gè)電壓范圍內(nèi)，即可以確定該存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
子步驟205、在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程 操作。由于擦除操作是針對(duì)存儲(chǔ)塊中來進(jìn)行的，因此在寫入1的過程中，可能部分存儲(chǔ) 單元的浮動(dòng)?xùn)艠Ore會(huì)被移除過多的電子，而使得這部分存儲(chǔ)單元的閾值電壓過低，甚至可 能小于零。所以還需要通過軟編程操作來調(diào)整存儲(chǔ)單元的閾值電壓。例如，將3V電壓注入 控制柵極CG，并注入約5V的電壓到漏極D。因而，在本實(shí)施例中，本步驟可以進(jìn)一步包括以下步驟識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行軟編程操作的存儲(chǔ)單元；然后針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行軟編 程操作。所述識(shí)別操作可以通過選中一個(gè)block內(nèi)連到同一根位線上的所有cell，也就是 這些所有cell的漏極都連到一起，同參考電壓進(jìn)行比較，判定是“1”還是“0”來確定。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例，當(dāng)對(duì)整個(gè)Flash chip進(jìn)行擦除操作時(shí)，是以兩個(gè)block為單 位進(jìn)行擦除。例如，某個(gè)Flash包括A、B、C、D四個(gè)block，完成整個(gè)Flash chip的擦除操 作則需要先對(duì)A block和B block進(jìn)行擦除，然后對(duì)C block和D block進(jìn)行擦除。由于 在同時(shí)對(duì)兩個(gè)block進(jìn)行擦除的過程中，預(yù)編程，擦除，軟編程這些操作都是并行的，僅有 擦除驗(yàn)證操作是串行的，然而擦除驗(yàn)證在整個(gè)操作中所占的時(shí)間比例并不大，所以本發(fā)明 相較于采用現(xiàn)有技術(shù)采用單個(gè)block的操作來說，完成整個(gè)chip的erase節(jié)省了較多的時(shí) 間。參考圖2，示出了本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例2的流程圖，具體 可以包括以下步驟步驟301、確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；步驟302、并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。本步驟可以包括以下子步驟子步驟3021、對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；子步驟3022、對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；子步驟3023、對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若是，則執(zhí)行子步驟 3025 ；若否，則執(zhí)行子步驟3024，對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行擦除操作；子步驟3035、在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編 程操作。本實(shí)施例與圖1所示的實(shí)施例區(qū)別在于，本實(shí)施例在執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作時(shí)，依然 采用并行地方式進(jìn)行，在這種情況下，需要對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)塊設(shè)置一個(gè)地址計(jì)數(shù)器，但能更好地 節(jié)省時(shí)間。優(yōu)選的是，本發(fā)明的非易失存儲(chǔ)器可以包括SLC Flash Memory (Single-Level Cell，單層單元閃存)和MLC Flash Memory (Multi-Level Cell，多層單元閃存)。參考圖3，示出了本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法實(shí)施例3的流程圖，具體 可以包括以下步驟步驟401、確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一存儲(chǔ)塊 中；步驟402、并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。
本實(shí)施例與前述實(shí)施例的區(qū)別在于，本實(shí)施例通過對(duì)位于同一存儲(chǔ)塊中的兩個(gè)扇 區(qū)同時(shí)進(jìn)行擦除操作，從而節(jié)省存儲(chǔ)塊的擦除時(shí)間，并進(jìn)一步節(jié)省全片擦除的時(shí)間。由于一個(gè)存儲(chǔ)塊由多個(gè)扇區(qū)組成，每個(gè)扇區(qū)(sector)對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)單元(cell) 陣列。該存儲(chǔ)單元陣列的列連接著每個(gè)存儲(chǔ)單元的漏極，被稱為位線；而陣列的行連接著每 個(gè)單元的柵極，被稱為字線；在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)入寫操作時(shí)，需要同時(shí)在位線和字線加載電壓， 該寫入操作只能在預(yù)先被擦除的扇區(qū)內(nèi)針對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行；一個(gè)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)共享 一作為源極的P阱(P substrate)，所以擦除(erase)操作是針對(duì)存儲(chǔ)塊進(jìn)行的。當(dāng)進(jìn)行擦 除操作時(shí)，一擦除電壓被施加到被選中存儲(chǔ)塊的P阱，P阱加的正壓會(huì)加到存儲(chǔ)塊內(nèi)的所有 扇區(qū)上。因而，對(duì)本實(shí)施例同時(shí)對(duì)兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行擦除時(shí)，無需增加擦除電壓即可實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明實(shí)施例中，為提高擦除效率，所述同一存儲(chǔ)塊中的兩個(gè)扇區(qū)優(yōu)選為相鄰 扇區(qū)。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例，所述并行擦除的步驟402可以包括以下子步驟子步驟Al、對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；子步驟A2、對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；子步驟A3、針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇區(qū) 重新進(jìn)行擦除操作；子步驟A4、在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例，所述并行擦除的步驟402可以包括以下子步 驟子步驟Bi、對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；子步驟B2、對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；子步驟B3、對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇 區(qū)重新進(jìn)行擦除操作；子步驟B4、在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。需要說明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列 的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)?依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知 悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明 所必須的。參考圖4，示出了本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)框圖，可 以包括以下模塊內(nèi)部電源模塊501，用于同時(shí)對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行供電，以及進(jìn)行兩個(gè)存儲(chǔ)塊的選通 控制、電源切換控制和操作狀態(tài)控制；存儲(chǔ)塊確定模塊502，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；存儲(chǔ)塊擦除模塊503，用于并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。 在本實(shí)施例中，通過所述內(nèi)部電源模塊可以同時(shí)給多個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行供電，并滿足 多個(gè)存儲(chǔ)塊的選通控制，電源切換控制，操作狀態(tài)控制等，所以能夠確保并行擦除的可行性 和靈活性。在實(shí)際中，還可以通過配置寄存器用來設(shè)定將要編程的存儲(chǔ)塊的個(gè)數(shù)，然后根據(jù) 設(shè)置的地址，即可確定將要擦除的存儲(chǔ)塊的位置，在操作時(shí)，無需考慮區(qū)分所選中的存儲(chǔ)塊地址，就可以對(duì)這幾個(gè)存儲(chǔ)塊同時(shí)進(jìn)行操作。優(yōu)選的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)塊擦除模塊502可以進(jìn)一步包括以下子模 塊存儲(chǔ)塊預(yù)編程子模塊5031，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；存儲(chǔ)塊擦除子模塊5032，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；存儲(chǔ)塊擦除驗(yàn)證子模塊5033，用于針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若是，則觸發(fā)存儲(chǔ)塊軟編程子模塊5035 ；若否，則觸發(fā)存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊5034 ；存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊5034，用于對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行擦除操作；存儲(chǔ)塊軟編程子模塊5035，用于在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。作為另一實(shí)施例，所述存儲(chǔ)塊擦除驗(yàn)證子模塊也可以采用針對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行驗(yàn)證的方式。由于圖4所示的實(shí)施例與前述圖1和圖2所示的實(shí)施例較為相近，相關(guān)部分參 見前述實(shí)施例中的描述即可，在此就不贅述了。參考圖5，示出了本發(fā)明的一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)框圖，可以包括以下模塊內(nèi)部電源模塊601，用于進(jìn)行兩個(gè)扇區(qū)的選通控制和操作狀態(tài)控制；扇區(qū)確定模塊602，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一存儲(chǔ)塊中；扇區(qū)擦除模塊603，用于并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。由于一個(gè)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)共享一作為源極的P阱(P substrate)，所以擦除 (erase)操作是針對(duì)存儲(chǔ)塊進(jìn)行的。當(dāng)進(jìn)行擦除操作時(shí)，一擦除電壓被施加到被選中存儲(chǔ)塊 的P阱，P阱加的正壓會(huì)加到存儲(chǔ)塊內(nèi)的所有扇區(qū)上。因而，在本實(shí)施例中同時(shí)對(duì)兩個(gè)扇區(qū) 進(jìn)行擦除時(shí)，無需增加擦除電壓即可實(shí)現(xiàn)，即相應(yīng)的內(nèi)部電源模塊可以不需要具有同時(shí)對(duì) 兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行供電及相應(yīng)的電源切換控制能力。優(yōu)選的，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述扇區(qū)擦除模塊603可以進(jìn)一步包括以下子模塊扇區(qū)預(yù)編程子模塊6031，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；扇區(qū)擦除子模塊6032，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；扇區(qū)擦除驗(yàn)證子模塊6033，用于針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若則，則 觸發(fā)扇區(qū)軟編程子模塊6035 ；若否，則觸發(fā)扇區(qū)重新擦除子模塊6034 ；扇區(qū)重新擦除子模塊6034，用于對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行擦除操作；扇區(qū)軟編程子模塊6035，用于在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行 并行地軟編程操作。作為另一實(shí)施例，所述扇區(qū)擦除驗(yàn)證子模塊也可以采用針對(duì)兩個(gè)扇區(qū)并行驗(yàn)證的 方式。由于圖4所示的實(shí)施例與前述圖1和圖2所示的實(shí)施例較為相近，相關(guān)部分參見前 述實(shí)施例中的描述即可，在此就不贅述了。本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與 其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。以上對(duì)本發(fā)明所提供的非易失存儲(chǔ)器的擦除方法及非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置進(jìn) 行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明 書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，包括確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述并行擦除的步驟包括 對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行 擦除操作；在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述并行擦除的步驟包括 對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn) 行擦除操作；在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并行地軟編程操作。
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述預(yù)編程操作進(jìn)一步包括 識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行預(yù)編程操作的存儲(chǔ)單元；針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行預(yù)編程操作； 所述軟編程操作進(jìn)一步包括 識(shí)別存儲(chǔ)塊中需要進(jìn)行軟編程操作的存儲(chǔ)單元； 針對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行軟編程操作。
5.一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，包括確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一存儲(chǔ)塊中； 并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述并行擦除的步驟包括 對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行擦除 操作；在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述并行擦除的步驟包括 對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地驗(yàn)證擦除是否成功，若否，則對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行擦 除操作；在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟編程操作。
8.一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置，其特征在于，包括內(nèi)部電源模塊，用于同時(shí)對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行供電，以及進(jìn)行兩個(gè)存儲(chǔ)塊的選通控制、電 源切換控制和操作狀態(tài)控制；存儲(chǔ)塊確定模塊，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊； 存儲(chǔ)塊擦除模塊，用于并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)塊擦除模塊包括 存儲(chǔ)塊預(yù)編程子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行預(yù)編程操作； 存儲(chǔ)塊擦除子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊并行地進(jìn)行擦除操作；存儲(chǔ)塊擦除驗(yàn)證子模塊，用于針對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)塊串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若則，則觸發(fā) 存儲(chǔ)塊軟編程子模塊；若否，則觸發(fā)存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊；存儲(chǔ)塊重新擦除子模塊，用于對(duì)擦除不成功的存儲(chǔ)塊重新進(jìn)行擦除操作； 存儲(chǔ)塊軟編程子模塊，用于在所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行并 行地軟編程操作。
10. 一種非易失存儲(chǔ)器的擦除裝置，其特征在于，包括內(nèi)部電源模塊，用于進(jìn)行兩個(gè)扇區(qū)的選通控制和操作狀態(tài)控制； 扇區(qū)確定模塊，用于確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)扇區(qū)，所述兩個(gè)扇區(qū)位于同一 存儲(chǔ)塊中；扇區(qū)擦除模塊，用于并行擦除所述兩個(gè)扇區(qū)。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述扇區(qū)擦除模塊包括 扇區(qū)預(yù)編程子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行預(yù)編程操作； 扇區(qū)擦除子模塊，用于對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)并行地進(jìn)行擦除操作；扇區(qū)擦除驗(yàn)證子模塊，用于針對(duì)各個(gè)扇區(qū)串行地驗(yàn)證擦除是否成功，若則，則觸發(fā)扇區(qū) 軟編程子模塊；若否，則觸發(fā)扇區(qū)重新擦除子模塊；扇區(qū)重新擦除子模塊，用于對(duì)擦除不成功的扇區(qū)重新進(jìn)行擦除操作； 扇區(qū)軟編程子模塊，用于在所述兩個(gè)扇區(qū)擦除成功后，對(duì)所述兩個(gè)扇區(qū)進(jìn)行并行地軟 編程操作。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非易失存儲(chǔ)器的擦除方法，包括確定非易失存儲(chǔ)器中欲擦除的兩個(gè)相鄰存儲(chǔ)塊；并行擦除所述兩個(gè)存儲(chǔ)塊。本發(fā)明可以節(jié)省進(jìn)行擦除操作的時(shí)間，提高擦除速度和效率。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101800078SQ20091007769
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者潘榮華 申請(qǐng)人:北京芯技佳易微電子科技有限公司