專利名稱：非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及兩種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法。
背景技術(shù)：
在開發(fā)、設(shè)計(jì)和調(diào)試存儲(chǔ)器的過程中，需要對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證。針對(duì)存 儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證可以采用能夠代替實(shí)際存儲(chǔ)器硬件功能的行為模型(即虛擬存儲(chǔ)器) 來進(jìn)行，具體可以通過生成測(cè)試代碼(testbench)，使用仿真軟件(如NC_Verilog軟件或 modelsim軟件)來實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于這種虛擬存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證，實(shí)質(zhì)上與實(shí)際存儲(chǔ)器硬件的 仿真驗(yàn)證并無二致，以對(duì)某個(gè)虛擬閃存(Flash Memory)的進(jìn)行仿真驗(yàn)證過程的擦除步驟為 例，具體所要執(zhí)行的步驟包括步驟S1、加載數(shù)據(jù)D8 (8位的指令碼)和24位的地址；步驟S2、接收到所述指令和地址后，對(duì)指定的Block中所有的地址進(jìn)行擦除。在執(zhí) 行擦除代碼的過程中，通過時(shí)間計(jì)數(shù)器(TMCNT)計(jì)數(shù)，完成擦除步驟的各個(gè)操作狀態(tài)，即預(yù) 編程(pre_program)操作、擦除(erase)操作和軟編程(soft_program)操作三個(gè)狀態(tài)。以下根據(jù)實(shí)際中的情況對(duì)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器仿真驗(yàn)證過程的擦除步驟所需花費(fèi)的 時(shí)間進(jìn)一步說明。一、預(yù)編程操作的時(shí)間預(yù)編程操作是針對(duì)一個(gè)Block中每個(gè)的地址所進(jìn)行的操作，主要需要進(jìn)行預(yù)編 程校驗(yàn)(pre_verify)和預(yù)編程操作(pre_program)通常，一個(gè)Block可以分為256個(gè) Page。先對(duì)一個(gè)Page的地址進(jìn)行pre_verify，如果校驗(yàn)不正確，則對(duì)這個(gè)Page進(jìn)行pre_ program ；然后再對(duì)這個(gè)Page進(jìn)行pre—verify ；如果校驗(yàn)正確，則對(duì)下一個(gè)Page進(jìn)行pre_ verify,如此循環(huán)，直至完成256個(gè)Page。一般情況下，一個(gè)地址 pre_verify 狀態(tài)的 TMCNT = 2，則一個(gè) Blockpre_verify 需要花費(fèi)的時(shí)間為2x50x256x256ns，即131072個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘(EMSCLK，一般為50ns)一 個(gè)地址pre_program狀態(tài)的TMCNT = 50，則一個(gè)Block pre_program需要花費(fèi)的時(shí)間為 50X50X256X256ns,即 3276800 個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。二、擦除操作的時(shí)間擦除操作是針對(duì)一個(gè)Block所進(jìn)行的操作，主要需要進(jìn)行擦除操作(erase)和擦 除校驗(yàn)(erase_verify)。erase是針對(duì)一個(gè)Block所有地址一次性同時(shí)完成的；erase完 成后，再對(duì)所有地址順序進(jìn)行erase_verify。一般情況下，一個(gè) Block erase 狀態(tài)的 TMCNT = 499968，即一個(gè) Blockerase 需要 花費(fèi)的時(shí)間為499968個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘；一個(gè)地址erase_verify狀態(tài)的TMCNT = 2，則一個(gè)Block erase_verify需要花費(fèi)的時(shí)間為2x50x256x256ns，即131072個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。三、軟編程操作的時(shí)間軟編程操作是針對(duì)一個(gè)Block中每個(gè)地址進(jìn)行的操作，但此操作是256個(gè)page同時(shí)進(jìn)行的。主要需要進(jìn)行軟編程校驗(yàn)(s0ft_Verify)和軟編程操作(S0ft_pr0gram)先進(jìn) 行soft_verify操作，如果校驗(yàn)不正確，則進(jìn)行soft_program，然后再進(jìn)行soft_verify ；正 確則結(jié)束該仿真驗(yàn)證過程的擦除步驟。一般情況下，一個(gè)Block soft_program是256個(gè)page同時(shí)進(jìn)行的，page中每個(gè) 地址的 TMCNT = 2000,則一個(gè) Block soft_program 需要花費(fèi)的時(shí)間為 2000x50x256ns，即 512000個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘；一個(gè)Block soft_verify也是256個(gè)page同時(shí)進(jìn)行的，page中每個(gè)地 址的TMCNT = 3，則一個(gè)Blocksoft_verify需要花費(fèi)的時(shí)間為3x50x256ns，即768個(gè)內(nèi)部 時(shí)鐘。以上操作時(shí)序的設(shè)計(jì)是為了滿足狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中的電壓變化，也就是說，只有經(jīng) 過所需要的時(shí)間，每個(gè)狀態(tài)中的地址、存儲(chǔ)頁或存儲(chǔ)塊才能達(dá)到所需要的電壓值。從上述操 作時(shí)序可以看出，在實(shí)際中驗(yàn)證存儲(chǔ)塊不同的操作狀態(tài)，需要花費(fèi)很長(zhǎng)的時(shí)間才能完成，仿 真效率極為低下。因此，目前需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是如何能夠創(chuàng)新地 提出一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證機(jī)制，在能夠保證仿真驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，減少針對(duì) 存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證的時(shí)間，提高采用虛擬存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供兩種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法，用以在 能夠保證仿真驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，減少針對(duì)存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證的時(shí)間，提高采用虛擬 存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證效率。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方 法，包括獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除步驟的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述內(nèi)部 時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼 包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼；依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除代碼和內(nèi)部時(shí)鐘參 數(shù)對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。優(yōu)選的，所述擦除步驟包括預(yù)編程操作、擦除操作和軟編程操作；所述內(nèi)部時(shí)鐘參 數(shù)包括針對(duì)所述擦除操作的第一內(nèi)部時(shí)間參數(shù)，針對(duì)預(yù)編程操作的第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，以 及，針對(duì)軟編程操作的第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)；其中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第一 正常值，所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第二正常值，所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置 為低于第三正常值；所述擦除代碼包括預(yù)編程操作代碼、擦除操作代碼和軟編程操作代碼， 所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證步驟包括預(yù)編程校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行預(yù)編程操作，若是，則執(zhí)行預(yù) 編程步驟；若否，則執(zhí)行擦除步驟；預(yù)編程步驟、按照所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和預(yù)編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù) 編程操作，并返回執(zhí)行預(yù)編程校驗(yàn)步驟；擦除步驟、按照所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和擦除操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除操作；擦除校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述擦除操作是否成功，若否，則返回執(zhí)行擦除步驟；若是，則 執(zhí)行軟編程校驗(yàn)步驟；軟編程校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行軟編程操作，若是，則執(zhí)行軟 編程步驟；若否，則結(jié)束所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證過程；軟編程步驟、按照所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和軟編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行軟 編程操作，并返回執(zhí)行軟編程校驗(yàn)步驟。優(yōu)選的，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)還包括針對(duì)寫操作的第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述第四內(nèi) 部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第四正常值；所述測(cè)試代碼還包括寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地 址代碼；所述方法還包括依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫操作代碼和 第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。優(yōu)選的，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟包括寫入校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則執(zhí)行寫入步驟； 若否，則結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程；寫入步驟、按照所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操 作，并返回執(zhí)行寫入校驗(yàn)步驟。優(yōu)選的，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第 一正常值為499968個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘；所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁 的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第二正常值為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘；所述第三內(nèi)部時(shí)鐘 參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第三正常值為 2000個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。優(yōu)選的，所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí) 間參數(shù)，所述第四正常值為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法，包括獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)寫操作的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述寫操作 內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼 包括寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼；依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫操作代碼和 寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。優(yōu)選的，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟包括校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則按照所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操 作，并返回所述校驗(yàn)步驟；若否，則結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程。優(yōu)選的，所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的 時(shí)間參數(shù)，所述正常值為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明通過設(shè)置非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中針對(duì)擦除步驟和/或?qū)懖僮鞯膬?nèi)部時(shí)鐘參數(shù) 為低于正常值的參數(shù)，來減少相應(yīng)的操作狀態(tài)所需要花費(fèi)的時(shí)間，從而加快操作的完成，提 高存儲(chǔ)器功能仿真驗(yàn)證的效率；并且，由于僅僅是減少實(shí)際中電流電壓變化的時(shí)序，所以并 不會(huì)影響存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證結(jié)果。本方案采用了本領(lǐng)域技術(shù)人員由于技術(shù)偏見而舍棄 的技術(shù)手段，以簡(jiǎn)單易行的方式很好地解決了存儲(chǔ)器功能仿真驗(yàn)證的時(shí)間過長(zhǎng)，仿真效率 低下的問題。


圖1是本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例1的流程圖；圖2是本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例2的流程圖；圖3是本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例3的流程圖；圖4是本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例4的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí) 施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。隨著仿真技術(shù)的發(fā)展，針對(duì)存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證，一般都是采用能夠代替實(shí)際 存儲(chǔ)器硬件功能的行為模型(即虛擬存儲(chǔ)器)來進(jìn)行，這種虛擬存儲(chǔ)器可以模擬實(shí)際存儲(chǔ) 器硬件的電路工作情況；相關(guān)技術(shù)人員在進(jìn)行仿真驗(yàn)證的過程中，可以通過寫入測(cè)試代碼 (testbench)來模擬該存儲(chǔ)器電路的外部環(huán)境，然后用仿真軟件來查看這個(gè)電路的輸出信 號(hào)的波形，即仿真驗(yàn)證結(jié)果。例如，寫入測(cè)試代碼為Command :02h 24，hOOOOOO 8，hl2 8，h34 8，h56 ......其中，02h是指令代碼(寫操作)；24，h000000是首地址代碼；8，hl2、8，h34和 8，h56是指將這些數(shù)據(jù)分別寫入地址24，h000000、24，h000001和24，h000002中。基于上述指令，執(zhí)行寫操作(page program)的功能仿真驗(yàn)證過程為A[23:0] = 24，h000000，寫入的數(shù)據(jù) D[7:0] = 8，hl2 ；A[23:0] = 24，h000001，寫入的數(shù)據(jù) D[7:0] = 8，h34 ；A[23:0] = 24，h000002，寫入的數(shù)據(jù) D[7:0] = 8，h56 ；......或如，寫入測(cè)試代碼為Command :03h 24，hOOOOOO其中，03h是指令代碼(讀操作)；24’ hOOOOOO是首地址代碼；執(zhí)行寫操作(page program)，然后再進(jìn)行讀數(shù)據(jù)操作(read data)的功能仿真驗(yàn) 證過程為A[23:0] = 24’ h000000，讀出的數(shù)據(jù) D[7:0] = 8，hl2 ；A [23 0] = 24，h000001，讀出的數(shù)據(jù) D [7:0] = 8，h34 ；A [23 0] = 24，h000002，讀出的數(shù)據(jù) D [7:0] = 8，h56 ；......
或如，寫入測(cè)試代碼為Command :D8h 24' hOOOOOO其中，D8h是指令代碼(擦除操作)；24’ h000000是首地址代碼；當(dāng)執(zhí)行塊擦除操作時(shí)，以首地址(24’ h000000)對(duì)應(yīng)的一個(gè)Block進(jìn)行擦除，也就 是從地址24，h000000到24，hOOffff所有的地址進(jìn)行擦除。順序執(zhí)行寫操作，讀操作，擦除操作，讀操作的功能仿真驗(yàn)證結(jié)果為A[23 0] = 24，h000000，讀出的數(shù)據(jù) D [7:0] = 8' hff ；A[23 0] = 24，h000001，讀出的數(shù)據(jù) D [7:0] = 8' hff ；A[23:0] = 24，h000002，讀出的數(shù)據(jù) D[7:0] = 8' hff ；......可以理解的是，為了保證仿真驗(yàn)證結(jié)果的有效性，這種虛擬存儲(chǔ)器必須盡可能真 實(shí)地反映實(shí)際存儲(chǔ)器硬件的工作情況，在實(shí)際存儲(chǔ)器的電路設(shè)計(jì)中，是靠電壓和電流來進(jìn) 行電路的驗(yàn)證。而相應(yīng)于不同操作，電壓和電流是變化的，并且這種變化需要一定時(shí)間才能 完成。所以，現(xiàn)有技術(shù)在采用虛擬存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證時(shí)，為盡可能真實(shí)地模 擬實(shí)際存儲(chǔ)器，會(huì)針對(duì)各個(gè)操作相應(yīng)設(shè)計(jì)滿足電流電壓變化的時(shí)序，例如，實(shí)際存儲(chǔ)器中一 個(gè)Block的擦除操作需要花費(fèi)499968x50ns的時(shí)間，那么在虛擬存儲(chǔ)器中也會(huì)相應(yīng)地設(shè)計(jì) 該操作的時(shí)序?yàn)門MCNT = 499968。上述做法是長(zhǎng)期以來本領(lǐng)域技術(shù)人員的處理方式，現(xiàn)有技術(shù)中，即使希望在保證 仿真驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，減少仿真驗(yàn)證的時(shí)間，提高仿真驗(yàn)證效率，本領(lǐng)域技術(shù)人員也只會(huì) 從簡(jiǎn)化測(cè)試代碼、減少設(shè)計(jì)邏輯、提高軟件運(yùn)行效率的角度來考慮，并不會(huì)去考慮其它方面 的可能性。然而，本專利發(fā)明人注意到，在針對(duì)存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證中，只有三種邏輯值， 即0 (低電平)，1 (高電平)，Z (高阻)，通過這些邏輯值就可以驗(yàn)證電路功能是否正確。在 進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證時(shí)，主要驗(yàn)證的是擦除的功能是否正確，操作時(shí)序并不是重點(diǎn)。從 實(shí)際情況而言，擦除步驟在電路設(shè)計(jì)中通過TMCNT計(jì)數(shù)來完成各個(gè)操作狀態(tài)，當(dāng)TMCNT為某 一定值時(shí)，結(jié)束當(dāng)前的狀態(tài)，進(jìn)入下一個(gè)狀態(tài)，電壓也隨之改變。而事實(shí)上，在進(jìn)行存儲(chǔ)器功 能的仿真驗(yàn)證時(shí)，0和1之間的互相轉(zhuǎn)換是瞬時(shí)改變的，并不需要花費(fèi)時(shí)間。對(duì)此，本專利發(fā)明人提出了一種創(chuàng)新的存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證方案，該方案的核 心構(gòu)思之一在于，通過設(shè)置非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中針對(duì)擦除步驟和/或?qū)懖僮鞯膬?nèi)部時(shí)鐘參數(shù) 為低于正常值的參數(shù)，來減少相應(yīng)的操作狀態(tài)所需要花費(fèi)的時(shí)間，從而加快操作的完成，提 高存儲(chǔ)器功能仿真驗(yàn)證的效率；并且，由于僅僅是減少實(shí)際中電流電壓變化的時(shí)序，所以并 不會(huì)影響存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證結(jié)果。本方案采用了本領(lǐng)域技術(shù)人員由于技術(shù)偏見而舍棄 的技術(shù)手段，以簡(jiǎn)單易行的方式很好地解決了存儲(chǔ)器功能仿真驗(yàn)證的時(shí)間過長(zhǎng)，仿真效率 低下的問題。參考圖1，示出了本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例1的流程 圖，具體可以包括以下步驟步驟101、獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除步驟的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)， 所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；步驟102、生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼；步驟103、依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除代碼和內(nèi) 部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。由于在仿真驗(yàn)證過程中，擦除步驟所花費(fèi)的時(shí)間是最長(zhǎng)的，一般而言，經(jīng)過預(yù)編程 操作狀態(tài)時(shí)，一個(gè)Block需要花3276800個(gè)EMSCLK時(shí)間才能完成；經(jīng)過擦除(erase)操作 狀態(tài)時(shí)，一個(gè)Block需要花499968個(gè)EMSCLK時(shí)間才能完成；經(jīng)過軟編程操作狀態(tài)時(shí)，一個(gè) Block需要花512000個(gè)EMSCLK時(shí)間才能完成。因而在本實(shí)施例中，可以將針對(duì)擦除步驟的 內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)設(shè)置為低于正常值，即完全不考慮電流電壓變化的時(shí)間，只留出擦除步驟執(zhí) 行的時(shí)間即可，從而不僅不會(huì)影響仿真驗(yàn)證結(jié)果，還有效減少了存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證中 擦除步驟所花費(fèi)的時(shí)間，提高了采用虛擬存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證效率。在具體實(shí)現(xiàn)中，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)可以在存儲(chǔ)器的TMCNT中設(shè)置。在這種情況下， 所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)則可以根據(jù)實(shí)際中TMCNT的取值要求來設(shè)定，例如，在預(yù)編程和軟編程 操作中，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)可以為針對(duì)目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí) 間參數(shù)；在擦除操作中，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)可以為針對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)。參考圖2，示出了本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例2的流程 圖，具體可以包括以下步驟步驟201、獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除步驟的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)； 其中，所述擦除步驟包括預(yù)編程操作、擦除操作和軟編程操作；所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)包括針對(duì) 所述擦除操作的第一內(nèi)部時(shí)間參數(shù)，針對(duì)預(yù)編程操作的第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，以及，針對(duì)軟編 程操作的第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)；并且，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第一正常值，所述 第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第二正常值，所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第三正 常值；在具體實(shí)現(xiàn)中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)、第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù) 均可以在存儲(chǔ)器的TMCNT中設(shè)置。其中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊進(jìn)行操 作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第一正常值可以為499968個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是說，針對(duì)擦除操 作的TMCNT可以設(shè)置為1-499967 ；所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁 的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第二正常值可以為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是 說，針對(duì)預(yù)編程操作的TMCNT可以設(shè)置為1-49 ；所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊 中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第三正常值可以為2000個(gè)內(nèi) 部時(shí)鐘，也就是說，針對(duì)軟編程操作的TMCNT可以設(shè)置為1-1999。步驟202、生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述 測(cè)試代碼包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼；其中，所述擦除代碼包括預(yù)編程操作代碼、擦 除操作代碼和軟編程操作代碼；步驟203、依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除代碼和內(nèi) 部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。具體可以包括以下子步驟子步驟2031、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行預(yù)編程操作，若是，則執(zhí)行子步驟 2032 ；若否，則執(zhí)行子步驟2033 ；子步驟2032、按照所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和預(yù)編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作，并返回執(zhí)行子步驟2031 ；子步驟2033、按照所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和擦除操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除 操作；子步驟2034、校驗(yàn)所述擦除操作是否成功，若否，則返回執(zhí)行子步驟2033 ；若是， 則執(zhí)行子步驟2035 ；子步驟2035、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行軟編程操作，若是，則執(zhí)行子步驟 2036 ；若否，則執(zhí)行子步驟2037 ；子步驟2036、按照所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和軟編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行軟 編程操作，并返回執(zhí)行子步驟2035 ；子步驟2037、結(jié)束所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證過程。本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選應(yīng)用在閃存(Flash Memory)中。閃存是一種基于半導(dǎo)體的存 儲(chǔ)器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息、在線擦寫等功能特點(diǎn)，閃存的擦除方法是在源極 加正電壓，利用浮動(dòng)?xùn)艠O與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動(dòng)?xùn)艠O的負(fù)電荷吸引到源極。 由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，所以閃存不能按字節(jié)擦除，而只 能以Block (塊)為單位進(jìn)行擦除，并且這種擦除需要針對(duì)Block中的每個(gè)地址執(zhí)行預(yù)編程 (pre-program)、擦除(erase)及軟編程(post-program)操作。以下以針對(duì)閃存仿真驗(yàn)證過程中的一個(gè)Block擦除為例，更進(jìn)一步說明本實(shí)施 例。步驟Bi、生成testbench，采用NC_verilog軟件或者modelsim軟件對(duì)所述閃存的 功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證；公知的是，閃存采用SPI (串行外設(shè)接口)技術(shù)，發(fā)指令和傳送數(shù)據(jù)或地址都是采 用8位串行傳送的方式。步驟B2、對(duì)閃存中的一個(gè)Block進(jìn)行擦除，在這種情況下，所加載的數(shù)據(jù)是D8 (8 位的指令碼)+24位地址，接受到指令和地址后，將對(duì)指定Block中所有的地址進(jìn)行擦除；例如，若指令為D8h+24，h000000，則是以首地址(24，h000000)對(duì)應(yīng)的一個(gè)Block 進(jìn)行擦除，也就是從地址24’ h000000到24’ hOOfffT所有的地址進(jìn)行擦除。在執(zhí)行擦除步驟的過程中，通過TMCNT計(jì)數(shù)，來進(jìn)行各個(gè)操作狀態(tài)的完成，具體包 括子步驟B21、經(jīng)過第一個(gè)操作狀態(tài)預(yù)編程校驗(yàn)(pre_Verify)，即校驗(yàn)?zāi)繕?biāo)Block是 否需要進(jìn)行預(yù)編程操作；具體為，順序讀出目標(biāo)Block中每個(gè)page中每個(gè)地址的數(shù)據(jù)SA0UT，并判斷SAOUT 的值是否為全“0”，如果不為全“0”，則確定當(dāng)前page需要進(jìn)行預(yù)編程操作，執(zhí)行子步驟 B22 ；如果全為“0”，則確定當(dāng)前page無需進(jìn)行預(yù)編程操作，進(jìn)行下個(gè)page的校驗(yàn)，直到256 個(gè)page完成后，執(zhí)行子步驟B23 ；子步驟B22、進(jìn)入第二個(gè)操作狀態(tài)預(yù)編程(preprogram)，即對(duì)目標(biāo)Block中 的相應(yīng)page中每個(gè)地址寫為全“1”，采用現(xiàn)有技術(shù)，每個(gè)page中每個(gè)地址需要花50個(gè) EMSCLK (內(nèi)部時(shí)鐘50ns)時(shí)間寫數(shù)據(jù)，即需要設(shè)置TMCNT = 50，才能完成一個(gè)page中一個(gè)地 址的pre_program過程。而應(yīng)用本發(fā)明，針對(duì)Block中的相應(yīng)page的每個(gè)地址設(shè)置TMCNT =10，同樣也可以把一個(gè)page中一個(gè)地址寫為全“1”，完成一個(gè)page中一個(gè)地址的pre_program過程。直至Ll完成一個(gè)page中25Θ個(gè)地址pre_program過程針對(duì)Block中的某個(gè)page執(zhí)行完子步驟B22后，需要再返回子步驟B21，在獲得校 驗(yàn)結(jié)果為全0，即無需預(yù)編程的情況下，繼續(xù)對(duì)Block中的下一個(gè)page執(zhí)行子步驟B21和 B22 ；直至完成Block中的所有page。當(dāng)一個(gè)Block中的所有page經(jīng)子步驟B21校驗(yàn)為全 “0”時(shí)，執(zhí)行子步驟B23。子步驟B23、進(jìn)入第三個(gè)操作狀態(tài)擦除(erase)，將目標(biāo)Block寫“0”，此操作是針 對(duì)一個(gè)Block中的所有page —次性同時(shí)完成的。采用現(xiàn)有技術(shù)，一個(gè)Block需要花499968 個(gè)EMSCLK(內(nèi)部時(shí)鐘)時(shí)間擦除，即需要設(shè)置TMCNT = 499968，才能完成一個(gè)erase過程。 而應(yīng)用本發(fā)明，針對(duì)Block設(shè)置TMCNT = 10，同樣也可以把一個(gè)Block寫成“0”，完成一個(gè) Block的erase過程；然后進(jìn)入子步驟B24 ；子步驟B24、進(jìn)入第四個(gè)操作狀態(tài)擦除校驗(yàn)(erasejerify)，即校驗(yàn)上述erase操 作是否成功；這個(gè)操作是針對(duì)一個(gè)block中的所有page順序執(zhí)行的，通過順序讀出每個(gè)地址的 數(shù)據(jù)SAOUT來判斷其的值是否為全“ 1 ”，如果為全“ 1 ”，則繼續(xù)讀下一個(gè)地址，直到完成一個(gè) block中所有的地址后，則執(zhí)行子步驟B25 ；如果不為全“1”，則保存第一個(gè)不為全“1”所對(duì) 應(yīng)的地址ADDR，中斷子步驟B24，返回步驟B23重新擦除block，擦除結(jié)束進(jìn)入子步驟B24， 從地址ADDR開始進(jìn)行erase_verify。子步驟B25、進(jìn)入第五個(gè)操作狀態(tài)軟編程校驗(yàn)(SOft_Verify)，即校驗(yàn)所述目標(biāo)擦 除塊是否需要進(jìn)行軟編程操作；soft_verify是進(jìn)行erase后電壓的比較，是針對(duì)一個(gè)Block中的所有page同時(shí) 進(jìn)行的操作，如果erase后的電壓沒有達(dá)到穩(wěn)定的電壓，將執(zhí)行子步驟B26;如果達(dá)到穩(wěn)定 電壓，整個(gè)狀態(tài)將結(jié)束，擦除步驟完成。子步驟B26、進(jìn)入第六個(gè)操作狀態(tài)軟編程(S0ft_pr0gram)，對(duì)目標(biāo)Block中所有 page同時(shí)進(jìn)行寫操作，以改變電壓值。采用現(xiàn)有技術(shù)，每個(gè)page中每個(gè)地址需要2000個(gè) EMSCLK時(shí)間寫數(shù)據(jù)，即需要設(shè)置TMCNT = 2000，才能完成一個(gè)page中一個(gè)地址的soft_ program過程。而應(yīng)用本發(fā)明，設(shè)置TMCNT = 10，同樣也可以把一個(gè)page中一個(gè)地址寫為 全“0”，直到完成一個(gè)page中256個(gè)地址soft_program，同時(shí)執(zhí)行一個(gè)Block中所有page 的S0ft_pr0gram。后，再返回執(zhí)行子步驟B25進(jìn)行校驗(yàn)，若已達(dá)到穩(wěn)定電壓，則結(jié)束擦除步 馬聚ο從上述過程可以看出，在針對(duì)存儲(chǔ)器功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證時(shí)，把針對(duì)擦除步驟各個(gè) 操作狀態(tài)的TMCNT設(shè)置低于正常值的較小值，不但不影響各個(gè)狀態(tài)讀寫的操作和結(jié)果，還 能大大提高驗(yàn)證的效率。參考圖3，示出了本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例3的流程 圖，具體可以包括以下步驟 步驟301、獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除操作的第一內(nèi)部時(shí)鐘參 數(shù)，針對(duì)預(yù)編程操作的第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，針對(duì)軟編程操作的第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，以及，具 有針對(duì)寫操作的第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)； 其中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第一正常值，所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù) 被設(shè)置為低于第二正常值，所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第三正常值，所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第四正常值。在具體實(shí)現(xiàn)中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)、第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù) 均可以在存儲(chǔ)器的TMCNT中設(shè)置。其中，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊進(jìn)行操 作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第一正常值可以為499968個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是說，針對(duì)擦除操 作的TMCNT可以設(shè)置為1-499967 ；所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁 的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第二正常值可以為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是 說，針對(duì)預(yù)編程操作的TMCNT可以設(shè)置為1-49 ；所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為控制目標(biāo)擦除塊 中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第三正常值可以為2000個(gè)內(nèi) 部時(shí)鐘，也就是說，針對(duì)軟編程操作的TMCNT可以設(shè)置為1-1999 ；所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為 針對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)；優(yōu)選的，所述第四正常值可以為50 個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是說，針對(duì)寫操作的TMCNT可以設(shè)置為1-49。步驟302、生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述 測(cè)試代碼包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼，以及，寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼； 其中，所述擦除代碼包括預(yù)編程操作代碼、擦除操作代碼和軟編程操作代碼；步驟303a、依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除操作代 碼和第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)、預(yù)編程操作代碼和第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)、軟編程操作代碼和第三內(nèi) 部時(shí)鐘參數(shù)，對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。具體地，所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證步驟可以包括以下子步驟子步驟Cl、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行預(yù)編程操作，若是，則執(zhí)行子步驟 C2 ；若否，則執(zhí)行子步驟C3;子步驟C2、按照所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和預(yù)編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編 程操作，并返回執(zhí)行子步驟Cl ；子步驟C3、按照所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和擦除操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除操 作；子步驟C4、校驗(yàn)所述擦除操作是否成功，若否，則返回執(zhí)行子步驟C3 ；若是，則執(zhí) 行子步驟C5 ；子步驟C5、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行軟編程操作，若是，則執(zhí)行子步驟 C6 ；若否，則執(zhí)行子步驟C7;子步驟C6、按照所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和軟編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行軟編 程操作，并返回執(zhí)行子步驟C5;子步驟C7、結(jié)束所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證過程。步驟303b、依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫 操作代碼和第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。優(yōu)選的，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟303b可以包括以下子步驟子步驟D1、校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則執(zhí)行子步驟D2 ；否則 結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程；子步驟D2、按照所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操 作，并返回執(zhí)行所述子步驟Dl。本實(shí)施例與圖2所示實(shí)施例的區(qū)別在于，進(jìn)一步減少存儲(chǔ)器功能仿真驗(yàn)證過程中寫操作指令操作狀態(tài)的時(shí)間，從而進(jìn)一步在不影響驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，加快擦除步驟的完 成，減少針對(duì)存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證的時(shí)間，提高采用虛擬存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證效率。參考圖4，示出了本發(fā)明的一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法實(shí)施例4的流程 圖，具體可以包括以下步驟步驟401、獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)寫操作的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所 述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；步驟402、生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述 測(cè)試代碼包括寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼；步驟403、依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫操 作代碼和寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟可以包括以下子 步驟子步驟4031、校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則執(zhí)行子步驟4032 ； 否則執(zhí)行子步驟4033 ；子步驟4032、按照所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行 寫操作，并返回所述子步驟4031 ；子步驟4033、結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程。在本實(shí)施例中，所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行 操作的時(shí)間參數(shù)，優(yōu)選的，所述正常值可以為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，也就是說，所述寫操作內(nèi)部時(shí) 鐘參數(shù)可以設(shè)置為1-49中的任一值。本實(shí)施例與圖1、圖2和圖3所示實(shí)施例的區(qū)別在于，在仿真驗(yàn)證過程中，僅減少寫 操作的時(shí)間，可以理解，本方案依舊可以在不影響仿真驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，達(dá)到提高仿真驗(yàn) 證效率的目的。本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與 其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。以上對(duì)本發(fā)明所提供的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中 應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助 理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想， 在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本 發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法，其特征在于，包括獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除步驟的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼；依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除代碼和內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述擦除步驟包括預(yù)編程操作、擦除操作和 軟編程操作；所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)包括針對(duì)所述擦除操作的第一內(nèi)部時(shí)間參數(shù)，針對(duì)預(yù)編程 操作的第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，以及，針對(duì)軟編程操作的第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)；其中，所述第一內(nèi) 部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第一正常值，所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第二正常值， 所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第三正常值；所述擦除代碼包括預(yù)編程操作代碼、擦 除操作代碼和軟編程操作代碼，所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證步驟包括預(yù)編程校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行預(yù)編程操作，若是，則執(zhí)行預(yù)編程 步驟；若否，則執(zhí)行擦除步驟；預(yù)編程步驟、按照所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和預(yù)編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程 操作，并返回執(zhí)行預(yù)編程校驗(yàn)步驟；擦除步驟、按照所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和擦除操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除操作； 擦除校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述擦除操作是否成功，若否，則返回執(zhí)行擦除步驟；若是，則執(zhí)行 軟編程校驗(yàn)步驟；軟編程校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)擦除塊是否需要進(jìn)行軟編程操作，若是，則執(zhí)行軟編程 步驟；若否，則結(jié)束所述擦除步驟的仿真驗(yàn)證過程；軟編程步驟、按照所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和軟編程操作代碼對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行軟編程 操作，并返回執(zhí)行軟編程校驗(yàn)步驟。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)還包括針對(duì)寫操作的 第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于第四正常值；所述測(cè)試代碼還包 括寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼；所述方法還包括依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫操作代碼和第四 內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟包括 寫入校驗(yàn)步驟、校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則執(zhí)行寫入步驟；若否，則結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程；寫入步驟、按照所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作， 并返回執(zhí)行寫入校驗(yàn)步驟。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)擦除塊 進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第一正常值為499968個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘；所述第二內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針 對(duì)目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第二正常值為50個(gè)內(nèi) 部時(shí)鐘；所述第三內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)擦除塊中每個(gè)存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí) 間參數(shù)，所述第三正常值為2000個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)寫入存 儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述第四正常值為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。
7.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法，其特征在于，包括獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)寫操作的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述寫操作內(nèi)部 時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼包括 寫操作代碼和寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼；依據(jù)所述寫入存儲(chǔ)頁的地址代碼確定目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁，并按照所述寫操作代碼和寫操 作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作的仿真驗(yàn)證。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述寫操作功能仿真驗(yàn)證的步驟包括校驗(yàn)所述目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁是否可以寫入；若是，則按照所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)和寫操作代碼對(duì)目標(biāo)寫入存儲(chǔ)頁進(jìn)行寫操作， 并返回所述校驗(yàn)步驟；若否，則結(jié)束所述寫操作的仿真驗(yàn)證過程。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述寫操作內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)為針對(duì)目標(biāo)寫 入存儲(chǔ)頁的每個(gè)地址進(jìn)行操作的時(shí)間參數(shù)，所述正常值為50個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證方法，包括獲取仿真存儲(chǔ)器，所述仿真存儲(chǔ)器具有針對(duì)擦除步驟的內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)，所述內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)被設(shè)置為低于正常值；生成測(cè)試代碼，依據(jù)所述測(cè)試代碼對(duì)存儲(chǔ)器的功能進(jìn)行仿真驗(yàn)證，所述測(cè)試代碼包括擦除代碼和擦除塊的地址代碼；依據(jù)所述擦除塊的地址代碼確定目標(biāo)擦除塊，并按照所述擦除代碼和內(nèi)部時(shí)鐘參數(shù)對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除步驟的仿真驗(yàn)證。本發(fā)明可以在能夠保證仿真驗(yàn)證結(jié)果的基礎(chǔ)上，減少針對(duì)存儲(chǔ)器功能的仿真驗(yàn)證的時(shí)間，提高采用虛擬存儲(chǔ)器的仿真驗(yàn)證效率。
文檔編號(hào)G11C16/02GK101887758SQ20091008391
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者涂美紅, 胡洪, 舒清明 申請(qǐng)人:北京芯技佳易微電子科技有限公司