專利名稱：：電阻式存儲器器件和形成電阻式存儲器器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的實(shí)施例涉及電阻式存儲器器件以及形成電阻式存儲器器件的方法，并且具體涉及能夠以高集成度來集成的相變存儲器器件以及形成該相變存儲器器件的方法。
背景技術(shù)：
：相變存儲器器件是使用諸如硫族化物(chalcogenide)的相變材料的傳導(dǎo)率(或電阻率)的不同來存儲和讀取信息的存儲器器件。這些相變存儲器器件由于其諸如隨機(jī)存取和非易失性的特性，因此突顯為下一代存儲器。然而，與其他存儲器器件一樣，由于相變存儲器器件要求較高級別的集成度，所以需要能夠滿足該要求的新的相變存儲器器件以及形成該相變存儲器器件的方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供具有高集成度的電阻式存儲器器件以及形成該電阻式存儲器器件的方法。本發(fā)明的實(shí)施例還提供具有高集成度的相變存儲器器件以及形成該相變存儲器器件的方法。5在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，電阻式存儲器器件包括在襯底上形成的電阻式存儲器元件。第一絕緣層覆蓋電阻式存儲器元件的側(cè)表面。在電阻式存儲器元件上提供導(dǎo)線。第二絕緣層覆蓋該導(dǎo)線的側(cè)表面。第一絕緣層和第二絕緣層至少在從下述組中選擇出的至少一個(gè)方面有所不同所述組由硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度組成。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，形成電阻式存儲器器件的方法包括在襯底上形成具有第一開口的第一絕緣層。在第一開口中形成電阻式存儲器元件。在電阻式存儲器元件和第一絕緣層上形成具有暴露出電阻式存儲器元件的開口的第二絕緣層。通過用傳導(dǎo)材料填充開口來形成與電阻式存儲器元件連接的導(dǎo)線。形成第一絕緣層和第二絕緣層使得第一絕緣層和第二絕緣層在下述特征中至少具有一處不同所述特征諸如硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度。仍在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，形成電阻式存儲器器件的方法包括在襯底上形成電阻式存儲器元件。在襯底上形成覆蓋電阻式存儲器元件的側(cè)壁的第一絕緣層。在電阻式存儲器元件和第一絕緣層上形成具有暴露出電阻式存儲器元件的開口的第二絕緣層。通過用傳導(dǎo)材料填充開口來形成與電阻式存儲器元件連接的導(dǎo)線。形成第一絕緣層和第二絕緣層使得第一絕緣層和第二絕緣層在下述特征中至少具有一處不同所述特征諸如硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度。附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書并組成本說明書的一部分。本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說明一起用于對本發(fā)明的原理進(jìn)行解釋。在圖中圖l是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在其上形成電阻式存儲器器件的襯底的一些單元陣列區(qū)的俯視圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的一些單元陣列區(qū)的等效電路圖3到7是用于解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，形成相變存儲器器件的方法的截面圖8和9是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變材料的各種圖案的俯視圖10到13是用于解釋形成圖3的相變存儲器器件的方法的部分截面圖14說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件；圖15到18是用于解釋形成圖4的相變存儲器器件的方法的部分截面圖19到22是用于解釋形成圖5的相變存儲器器件的方法的部分截面圖23到26是用于解釋形成圖6的相變存儲器器件的方法的部分截面圖27到29是用于解釋形成圖7的相變存儲器器件的方法的部分截面圖30是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件的截面圖；以及圖31到38示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例涉及電阻式存儲器器件以及形成電阻式存儲器器件的方法。電阻式存儲器器件是一類使用電阻式存儲器元件的存儲器器件，該電阻式存儲器元件根據(jù)施加的信號，可以代表至少兩種可辨別的電阻狀態(tài)，例如高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)。電阻式存儲器元件可以包括諸如鈣鈦礦存儲器元件、相變存儲器元件、磁阻存儲器元件、傳導(dǎo)金屬氧化物(CMO)存儲器元件、固體電解質(zhì)存儲器元件、聚合物存儲器元件等。鈣鈦礦存儲器元件可以包括諸如巨磁阻(CMR)材料、高溫超導(dǎo)(HTSC)材料等。固體電解質(zhì)存儲器元件具有可在固體電解質(zhì)中移動的金屬離子，所以固體電解質(zhì)存儲器元件可以包括可形成傳導(dǎo)橋接(conductivebridging)的材料?，F(xiàn)在將使用采用相變存儲器元件的電阻式存儲器器件來描述本發(fā)明的示例實(shí)施例。相應(yīng)地，應(yīng)當(dāng)理解以下提到的描述可以應(yīng)用于采用上述各種類型存儲器元件的電阻式存儲器器件。本發(fā)明的實(shí)施例提供相變存儲器器件以及形成該相變存儲器器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲器器件包括相變存儲器元件。相變存儲器元件可以包括相變材料。例如，應(yīng)當(dāng)理解，相變存儲器元件可以指示相變材料層以及與相變材料層的兩個(gè)表面連接的兩個(gè)電極。而且，應(yīng)當(dāng)理解，相變存儲器元件指示相變材料。相變材料可以是這樣的材料，該材料的結(jié)晶態(tài)取決于熱量而在顯現(xiàn)不同電阻狀態(tài)的多個(gè)結(jié)晶態(tài)之間反向改變?？梢允褂秒娦盘?諸如電流、電壓)、光信號、輻射等來改變相變材料的結(jié)晶態(tài)。例如，當(dāng)電流在與相變材料的兩端連接的電極之間流動時(shí)，通過電阻加熱對相變材料提供熱量。此時(shí)，根據(jù)提供的熱量強(qiáng)度和提供的時(shí)間，可以改變相變材料的結(jié)晶態(tài)。例如，相變材料可以具有帶有高電阻的無定形態(tài)(或復(fù)位狀態(tài))和帶有低電阻的結(jié)晶態(tài)(或設(shè)置狀態(tài))。相變材料可以包括，例如硫族化物。當(dāng)用"XY"來代表根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變材料時(shí)，"X"可以包括從由碲(Te)、硒(Se)、硫(S)、和針(Po)組成的組中選出的至少一項(xiàng)，并且"Y"可以包括從由銻(Sb)、砷(As)、鍺(Ge)、錫(Sn)、磷(P)、氧(0)、銦(In)、鉍(Bi)、銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、硼(B)、氮(N)和硅(SO組成的組中選出的至少一項(xiàng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變材料的示例可以包括硫族化物諸如Ge-Sb-Te(GST)、Ge-Bi-Te(GBT)、As-Sb-Te、As-Ge-Sb-Te、Sn-Sb-Te、In-Sn-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、周期表的族5A中的元素-Sb-Te、周期表的族6A中的元素-Sb-Te、周期表的族5A中的元素-Sb-Se、周期表的族6A中的元素-Sb-Se，還可以包括雜質(zhì)摻雜進(jìn)上述硫族化物中的硫族化物。摻雜進(jìn)硫族化物的雜質(zhì)可以包括，例如氮、氧、硅、或其組合。本發(fā)明的實(shí)施例提供形成用于在相變存儲器元件之間絕緣的絕緣層以及用于在例如導(dǎo)線的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間絕緣的絕緣層的方法。而且，本發(fā)明的實(shí)施例提供形成多種導(dǎo)線的方法，所述多種導(dǎo)線諸如在單元陣列區(qū)中的位線和字線以及在外圍電路區(qū)中的局部導(dǎo)線，還提供在相變存儲器器件中傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間的互連方法。隨著集成度的增加，在水平方向上元件之間的距離、在諸如位線和局部導(dǎo)線的多種導(dǎo)線之間的距離、以及這類導(dǎo)線的線寬減小了，而在垂直方向上堆疊在襯底上的絕緣層以及傳導(dǎo)層的高度增加了。例如，在相變存儲器元件的情形中，其高度和寬度減小了。在鄰近相變存儲器元件之間的距離也減小了。當(dāng)在這種情形下形成相變存儲器元件時(shí)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于熱處理等引起相變存儲器元件變形。而且，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)如果相變存儲器元件，尤其是相變材料變形，則在相變材料和電極之間的界面特征劣化，并且因此設(shè)置電阻(setresistance)增加。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了防止相變存儲器元件和相變材料層變形，相變材料層和包圍相變材料層的絕緣層具有相同的應(yīng)力特性。例如，包圍相變存儲器元件的絕緣層顯現(xiàn)"拉應(yīng)力"。包圍相變存儲器元件的絕緣層可以由具有下述應(yīng)力特性的材料形成該應(yīng)力特性可以對相變存儲器元件在存儲操作中具有的應(yīng)力進(jìn)行補(bǔ)償。包圍相變存儲器元件的絕緣層可以具有，例如，大約5xl0&yne/cn^的拉應(yīng)力。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，包圍相變存儲器元件的絕緣層可以由具有高硬度以最小化相變存儲器元件的移動的材料來形成。而且，仍是根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，包圍相變存儲器元件的絕緣層可以由具有低導(dǎo)熱率的材料形成。所以可能減少在鄰近相變存儲器元件之間的熱干擾。在垂直方向上的高度增加可能會造成諸如接觸孔、通孔等的各種開口中的寬高比(aspectratio)的增加，所述各種開口用于在較低及較高傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線之間、傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間、或?qū)Ь€之間的電連接。隨著鄰近導(dǎo)線之間的距離減小，使用蝕刻來形成導(dǎo)線就變得困難，并且由于線寬的減小引起導(dǎo)線的電阻增加。而且，隨著開口的寬高比的增加，用傳導(dǎo)材料填充開口就變得困難，并且填充進(jìn)開口的傳導(dǎo)材料的電阻也增加。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，至少一個(gè)導(dǎo)線，例如位線，是使用大馬士革技術(shù)(damascenetechnique)由銅來形成的。為了減少在鄰近導(dǎo)線之間的寄生電容，包圍導(dǎo)線的絕緣層可以由例如具有低介電常數(shù)的低k材料來形成。例如，覆蓋諸如位線的導(dǎo)線的側(cè)表面的絕緣層可以由介電常數(shù)低于在相變存儲器元件的側(cè)表面上形成的絕緣層的材料形成。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，為了獲得低介電常數(shù)，包圍導(dǎo)線的絕緣層可以由多孔材料形成。例如，包圍導(dǎo)線的絕緣層可以由孔隙度高于包圍相變存儲器元件的絕緣層的材料形成。仍是在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，包圍導(dǎo)線的絕緣層可以由硬度低于包圍相變存儲器元件的絕緣層的材料形成。在本發(fā)明的再一其他實(shí)施例中，包圍導(dǎo)線的絕緣層可以由拉應(yīng)力低于包圍相變存儲器元件的絕緣層的材料形成。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，當(dāng)使用大馬士革技術(shù)來形成銅位線時(shí)，用于在傳導(dǎo)區(qū)之間、在傳導(dǎo)區(qū)和導(dǎo)線之間、或在導(dǎo)線之間電連接的接觸結(jié)構(gòu)的一部分是由在鄰近銅位線的位置處的銅形成的。例如，當(dāng)形成用于位線的條型開口時(shí)，形成用于一部分接觸結(jié)構(gòu)的孔型開口，用銅來填充用于位線的條型開口以形成銅位線，并且用銅來填充用于一部分接觸結(jié)構(gòu)的開口，以形成銅接線柱(stud)?，F(xiàn)在將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，可以用各種形式來實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)被解釋為受限于此處所闡述的實(shí)施例；相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開詳盡和完整，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的概念。在附圖中，圖中相同的附圖標(biāo)記指相同的元件，所以將省略對它們的描述。在與本說明書的元件相關(guān)使用的諸如"下表面"和"上表面"的術(shù)語是關(guān)系術(shù)語，其分別指示"相對接近襯底主表面的表面"或"相對遠(yuǎn)離襯底主表面的表面"。而且，還將理解，在本說明書中，可以相對襯底的主表面來比較元件表面的高度。例如，將理解，當(dāng)一個(gè)元件的下表面是指與另一元件的下表面相比而言"較低"時(shí)，該描述可以指示一個(gè)元件的下表面相比另一元件的下表面，位置離襯底的主表面更近。在本說明書中使用的術(shù)語"傳導(dǎo)材料"包括但不限于金屬、傳導(dǎo)金屬氮化物、傳導(dǎo)金屬氧化物、傳導(dǎo)氮氧化物、硅化物、金屬合金或其組合。金屬的示例包括銅(Cu)、鋁(Al)、鎢鈦(TiW)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)等。傳導(dǎo)金屬氮化物包括但不限于-例如，氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鉬(MoN)、氮化鈮(NbN)、氮化硅鈦(TiSiN)、氮化鋁鈦(TiAlN)、氮化硼鈦(TiBN)、氮化硅鋯(ZrSiN)、氮化硅鉤(WSiN)、氮化硼鴇(WBN)、氮化鋁鋯(ZrA1N)、氮化硅鉬(MoSiN)、氮化鋁鉬(MoA1N)、氮化硅鉭(TaSiN)、氮化鋁鉭(TaAlN)等。傳導(dǎo)氮氧化物的示例包括但不限于氮氧化鈦(TiON)、氮氧化鋁鈦(TiA10N)、氮氧化鴿(WON)、氮氧化鉭(TaON)等。傳導(dǎo)金屬氧化物的示例包括但不限于傳導(dǎo)新穎金屬氧化物，諸如氧化銥(IrO)、氧化釕(RuO)等。在本說明書中，"襯底"或"半導(dǎo)體襯底"或"半導(dǎo)體層"可以指示具有硅表面的基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。而且，"襯底"或"半導(dǎo)體襯底"或"半導(dǎo)體層"可以指示傳導(dǎo)區(qū)、和絕緣區(qū)、和/或在其上形成器件的基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。這類基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)可以指示例如，硅層、絕緣體上硅(SOI)層、硅鍺(SiGe)層、鍺(Ge)層、鎵砷(GaAs)層、摻雜或未慘雜的硅層、由半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)支持的硅外延層、或任何半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)?上"或"在另一元件或?qū)由闲纬?時(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由匣蛟诹硪辉驅(qū)由闲纬?，或者可以存在或形成介于中間的元件或?qū)印６?，還將理解，盡管在本說明書中可以使用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等來描述各種元件，例如接線柱(stud)、導(dǎo)線、接觸栓塞、絕緣層、傳導(dǎo)材料、接觸孔、通孔、開口等，但是從頭至尾在本說明書當(dāng)中，這些元件不受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于區(qū)別一個(gè)元件與另一區(qū)。圖l是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在其上提供有電阻式存儲器器件的襯底100的單元陣列區(qū)的一部分的俯視圖。參照圖l，襯底100包括具有在第一方向上，例如在行方向上延伸的條紋圖案的元件區(qū)ACT。通過將雜質(zhì)注入該元件區(qū)ACT，可以形成字線WL。淺溝槽隔離區(qū)STI位于元件區(qū)ACT之外的區(qū)。將具有在列方向上延伸的條紋圖案的位線BL布置成跨過字線WL?？梢詫⒋鎯ζ鲉卧糜谖痪€BL和字線WL的交叉部分。在本發(fā)明的實(shí)施例中，存儲器單元可以包括，例如電阻式存儲器元件Mp，諸12如相變存儲器元件。電阻式存儲器元件Mp的一端與位線BL連接，而另一端與字線WL連接?？梢詫⒂糜谶x擇電阻式存儲器元件Mp的選擇元件置于字線WL和電阻式存儲器元件Mp的另一端之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電阻式存儲器元件Mp可以包括相變材料。為了減小字線WL的電阻，字線WL可以通過字線接觸結(jié)構(gòu)WLC與具有低電阻的導(dǎo)線電連接。例如，可以將用于減小字線WL電阻的具有低電阻的導(dǎo)線稱為上字線UWL，因?yàn)樵搶?dǎo)線相比字線WL距離襯底100更遠(yuǎn)?？紤]該上字線，可以將字線WL稱為下字線。而且，將理解，字線WL可以指示上字線UWL以及下字線LWL。可以將字線接觸結(jié)構(gòu)WLC置于在第一方向上彼此鄰近的電阻式存儲器元件Mp之間。可以每預(yù)定數(shù)量的(一個(gè)或多個(gè))存儲器單元(例如每八個(gè)鄰近存儲器單元)形成字線接觸結(jié)構(gòu)WLC。gp，可以在第一方向上在彼此鄰近的接觸結(jié)構(gòu)WLC之間布置八個(gè)存儲器單元。而且，可以每未規(guī)定數(shù)量的存儲器單元就形成接觸結(jié)構(gòu)WLC。g卩，可以在第一方向上在彼此鄰近的接觸結(jié)構(gòu)WLC之間布置不同數(shù)量的存儲器單元，例如16、32個(gè)存儲器單元。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的單元陣列區(qū)的一部分的等效電路圖。參照圖2，電阻式存儲器元件Mp的一端可以與位線BL連接，而另一端可以與字線WL連接。用于選擇存儲器元件Mp的選擇元件D可以包括但不限于二極管、MOS晶體管、和MOS二極管。在圖2中將二極管D示出為選擇元件的一個(gè)示例。參照圖3，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件。在以下要描述的實(shí)施例中，為了描述上的便利，可以將包圍相變存儲器元件(例如相變材料層)的絕緣層稱為"第一絕緣層"(或單元絕緣層)，并且將包圍導(dǎo)線(例如位線)的絕緣層稱為"第二絕緣層"(或?qū)Ь€的絕緣層)。參照圖3，相變材料層130與第一電極120連接，并且在襯底100上方提供第二電極140。相變材料層130可以包括硫族化物。在相變材料層130和襯底100之間提供第一電極120。第一電極120可以被限定在接觸孔115之中，接觸孔115穿透在襯底100上形成的層間絕緣層110。在第二電極140上提供導(dǎo)線，例如位線180。g卩，在位線180和相變材料層130之間提供第二電極。第一絕緣層150包圍相變材料層130。例如，在相變材料層130的側(cè)表面上提供第一絕緣層150。第一絕緣層150的上表面可以與第二電極140的上表面共平面。因此，相變材料層130的上表面可能低于第一絕緣層150的上表面。第二絕緣層160包圍位線180。例如，在位線180的側(cè)表面上提供第二絕緣層160。可以將位線180限定在第二絕緣層160的開口165之內(nèi)。例如，可以通過對第二絕緣層160進(jìn)行構(gòu)圖以形成開口165，并且隨后用諸如銅的傳導(dǎo)材料填充開口165，來形成位線180。即，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成位線180。可以在銅位線180和第二電極140之間提供傳導(dǎo)阻擋層170?？梢栽陂_口165的底部和側(cè)壁上提供傳導(dǎo)阻擋層170。根據(jù)本實(shí)施例，由具有不同特性的材料形成第一絕緣層150和第二絕緣層160。第一絕緣層150和第二絕緣層160在硬度、孔隙度、介電常數(shù)、應(yīng)力、和/或?qū)崧史矫骘@現(xiàn)出不同。例如，第一絕緣層150可以由具有高硬度、低孔隙度、拉應(yīng)力、和/或低導(dǎo)熱率的材料形成。第二絕緣層160可以由具有低硬度、低介電常數(shù)、和/或高孔隙度的材料形成。例如，第一絕緣層150可以由相比第二絕緣層160具有相對較高硬度、較高介電常數(shù)、較低孔隙度、較高拉應(yīng)力、和/或較低導(dǎo)熱率的材料形成。例如，第一絕緣層150可以顯現(xiàn)大約5xl0^yne/cn^的拉應(yīng)力。第二絕緣層160可以顯現(xiàn)較低的拉應(yīng)力或可以不顯現(xiàn)拉應(yīng)力。盡管在圖中沒有示出，但是可以進(jìn)一步提供帽蓋層(cappinglayer)。例如，該帽蓋層可以由氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(A10x)、氧化鈦(Ti02)等形成。該帽蓋層可以是，例如提供在第二電極140之上。圖4到7是說明根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的相變存儲器器件的截面圖。當(dāng)將本實(shí)施例與圖3的實(shí)施例進(jìn)行比較時(shí)，本實(shí)施例類似于圖3的實(shí)施例之處在于包圍相變材料層的第一絕緣層和包圍位線的第二絕緣層是由具有不同特性的材料形成的，但是相比于參照圖3所描述的實(shí)施例在相變材料、第二電極、位線結(jié)構(gòu)等方面具有一些不同?，F(xiàn)在將參照附圖來描述這些不同。參照圖4，在第一絕緣層150中形成的接觸孔155之中并且在接觸孔155之外的第一絕緣層150上提供相變材料層130。例如，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成相變材料層。在第一絕緣層150上延伸的相變材料層的寬度w2可以比在接觸孔155中的相變材料層的寬度wl更寬。相變材料層130的上表面高于第一絕緣層150的上表面。第一絕緣層150覆蓋相變材料層130的一部分側(cè)表面，即，相變材料層130側(cè)表面的下部。第二絕緣層160覆蓋位線180的側(cè)表面和相變材料層130的一部分側(cè)表面，即，相變材料層130側(cè)表面的上部。參照圖5，與圖4所說明的實(shí)施例不同，僅將相變材料層130限定在第一絕緣層150的接觸孔155之中。例如，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成相變材料層130。相變材料層130的上表面與第一絕緣層150的上表面基本共平面。在本實(shí)施例中，提供位線180來接觸相變材料層130?？梢酝ㄟ^將傳導(dǎo)材料淀積在相變材料層130和第一絕緣層150上，并隨后執(zhí)行光刻處理來形成位線180，光刻處理以預(yù)定條紋圖案對淀積的傳導(dǎo)材料層進(jìn)行蝕刻。在第一絕緣層150上提供第二絕緣層160，以使得第二絕緣層160可以覆蓋位線180。在根據(jù)本實(shí)施例的相變存儲器器件中，省略了對應(yīng)于圖3中說明的實(shí)施例的第二電極140的組件，并且位線180與相變材料層130直接接觸以作用為第二電極。參照圖6，與圖4中所說明的實(shí)施例不同，在根據(jù)本實(shí)施例的相變存儲器器件中，可以用恒定厚度在接觸孔155的底部和側(cè)壁上形成相變材料層130。例如，相變材料層130填充第一絕緣層150的接觸孔155的一部分。相變材料層130的一部分可以從接觸孔155向外延伸?？梢栽谙嘧儾牧蠈?30上，g卩，在接觸孔155之內(nèi)和之外,形成第二電極140。在本實(shí)施例中，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成相變材料層130。參照圖7，與圖5所說明的實(shí)施例不同，在第一絕緣層150的側(cè)壁和底部上提供相變材料層130，并且在相變材料層130上且在第一絕緣層150的接觸孔155之中提供第二電極140。即，相變材料層130填充接觸孔155的一部分，而第二電極140填充接觸孔155的剩余部分。在本實(shí)施例中，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成相變材料層130。圖8和9是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變材料層130的各種配置的俯視圖。參照圖8，相變材料層130可以是分散在鄰近單元個(gè)體內(nèi)的島圖案(islandpattern)。而且，可以使相變材料層130形成為使得至少在列或行方向上鄰近的兩個(gè)單元共享相變材料層130。例如，圖9所說明的相變材料層130可以是在行或列方向上延伸的條紋圖案?，F(xiàn)在將參照附圖，描述形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件的方法。圖10到13是用于解釋形成圖3中說明的相變存儲器器件的方法的截面圖。參照圖IO，制備襯底IOO，在其上形成字線、選擇元件等?？梢酝ㄟ^將雜質(zhì)離子注入由器件隔離區(qū)限定的襯底100的元件區(qū)中來形成字線。選擇元件可以是例如二極管。例如，可以通過下述方式形成選擇元件形成具有選擇元件接觸孔的絕緣層，所述選擇元件接觸孔暴露出在其上形成字線的襯底上的字線；在該選擇元件接觸孔中形成半導(dǎo)體層，諸如鍺層、硅層、或硅鍺層；以及將雜質(zhì)注入該半導(dǎo)體層?？梢酝ㄟ^使用選擇性外延生長(SEG)或固相外延技術(shù)來形成選擇元件接觸孔中的半導(dǎo)體層。SEG技術(shù)是通過將由選擇元件接觸孔暴露出的字線用作種籽層來生長半導(dǎo)體外延層的方法。與此不同，固相外延技術(shù)是在選擇元件接觸孔中形成無定形半導(dǎo)體層或多晶半導(dǎo)體層并隨后對其結(jié)晶化的方法。在形成字線、選擇元件等之后，在襯底100上形成層間絕緣層110。對層間絕緣層110進(jìn)行構(gòu)圖，以形成限定第一電極并且暴露出對應(yīng)選擇元件的電極接觸孔115。將傳導(dǎo)材料填充在電極接觸孔115之中以形成第一電極120。相變材料層130對應(yīng)地與第一電極連接，并且形成第二電極140。根據(jù)本實(shí)施例，可以通過在第一電極120和層間絕緣層110上形成諸如硫族化物的相變材料層和用于第二電極的傳導(dǎo)材料，并隨后對相變材料層和用于第二電極的傳導(dǎo)材料進(jìn)行構(gòu)圖來形成相變材料層130和第二電極140。此處，可以進(jìn)一步在用于第二電極的傳導(dǎo)材料上形成帽蓋層。相應(yīng)地，將在第二電極140上提供帽蓋層?？梢栽趯ο嘧儾牧蠈雍陀糜诘诙姌O的傳導(dǎo)層進(jìn)行構(gòu)圖之后形成該帽蓋層。在該情形中，可以在相變材料層130和第二電極140的側(cè)表面以及在第二電極140的上表面上提供帽蓋層。在以下將要描述的實(shí)施例中，可以在用于第二電極的傳導(dǎo)層上形成該帽蓋層。參照圖ll，形成覆蓋相變材料層130的側(cè)表面和第二電極140的側(cè)表面的第一絕緣層150。例如，絕緣材料淀積在層間絕緣層110上，以覆蓋相變材料層130和第二電極140，并且對淀積的絕緣材料進(jìn)行蝕刻和平面化直到暴露出第二電極140為止。為了平面化蝕刻，可以使用化學(xué)機(jī)械拋光、回蝕(etchback)、或其組合。在形成了帽蓋層的情形中，帽蓋層在上述平面化蝕刻過程中可以作用為蝕刻停止層。為了防止相變材料層130變形，將第一絕緣層150形成為具有與相17變材料層130的應(yīng)力特性相同的應(yīng)力特性。例如，在相變材料層130具有拉應(yīng)力的情形中，將第一絕緣層150形成為具有拉應(yīng)力。例如，第一絕緣層150可以具有大約5xl(^dyne/cn^的拉應(yīng)力。第一絕緣層150由具有高硬度的材料形成，以便第一絕緣層150可以剛性地支撐相變材料層130。替代性地，由具有拉應(yīng)力和高硬度的材料來形成第一絕緣層。第一絕緣層可以由以下層形成通過使用高密度等離子體的氣相淀積法形成的氧化物層、通過氣相淀積法形成的氮氧化硅(SiON)、通過使用增強(qiáng)等離子體的氣相淀積法形成的氧化物層、和/或在高溫下通過氣相淀積法形成的氮化硅層。為了最小化第一絕緣層150和鄰近的相變材料層130之間的熱干擾，也可以由具有低導(dǎo)熱率的材料來形成第一絕緣層150。接下來，將參照圖12和13來描述使用大馬士革技術(shù)形成位線的過程。參照圖12，在第一絕緣層150上形成第二絕緣層160，第二絕緣層160具有條形開口165，該條形開口165暴露出在列方向(或垂直于地面的方向)上布置的多個(gè)第二電極140，并且在該條形開口165中形成位線。例如，可以通過形成覆蓋第二電極140和第一絕緣層150的絕緣材料層，并隨后移除一部分已形成的絕緣材料層來形成條形開口165。將第二絕緣層160形成為具有不同于第一絕緣層150的特性。例如，為了最小化鄰近位線之間的寄生電容，可以由具有低介電常數(shù)的材料和/或多孔材料來形成第二絕緣層160。為了可以容易地形成在其中形成位線的條形開口，可以由具有低硬度的材料來形成第二絕緣層160。而且，與第一絕緣層150不同，可以由具有高導(dǎo)熱率的材料來形成第二絕緣層160。例如，第二絕緣層160可以由相比第一絕緣層150具有較高孔隙度、較低硬度、較低拉應(yīng)力、較高導(dǎo)熱率、和/或較低介電常數(shù)的材料形成。替代性地，可以由不具有拉應(yīng)力的材料來形成第二絕緣層160。為了低介電常數(shù)，第二絕緣層160可以由以下材料形成例如，硼摻雜氧化硅(BSG)、磷摻雜氧化物(PSG)、硼和磷摻雜氧化物(BPSG)、碳摻雜氧化硅、氫倍半硅氧烷(HSQ)、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、SiLK、聚酰亞胺、聚降冰片烯、聚合物電介質(zhì)材料等。而且，可以由使用原子層淀積方法的氧化物層，PETEOS氧化物、可流動氧化物(FOX)等，來形成第二絕緣層160。參照圖13，將例如銅的傳導(dǎo)材料填充在條形開口165中以形成銅位線180。在填充銅之前，可以在開口165中進(jìn)一步形成傳導(dǎo)阻擋層170。例如，在開口165之中和第二絕緣層160上形成銅之后，執(zhí)行平面化蝕刻過程，諸如化學(xué)機(jī)械拋光、回蝕，直到暴露出第二絕緣層160為止。在參照圖10到13描述的實(shí)施例中，可以通過傳導(dǎo)材料構(gòu)圖過程而不是大馬士革技術(shù)來形成位線，所述傳導(dǎo)材料構(gòu)圖過程通過對傳導(dǎo)材料層進(jìn)行蝕刻來形成期望的傳導(dǎo)圖案。圖14說明了通過前述傳導(dǎo)材料構(gòu)圖過程形成的相變存儲器器件。參照圖14，在第二電極140上提供層間絕緣層190。層間絕緣層190具有接觸孔195，該接觸孔195暴露出對應(yīng)的第二電極140。將傳導(dǎo)材料填充在接觸孔195之中以形成接觸栓塞197。提供位線180使其與布置在同一列中的接觸栓塞197電連接。第二絕緣層160包圍位線180?？梢栽谖痪€180和第接觸栓塞197之間提供傳導(dǎo)阻擋層170。圖15到18是用于解釋形成圖4的相變存儲器器件的方法的部分截面圖。與參照圖10到13所描述的實(shí)施例不同，可以通過使用大馬士革技術(shù)來形成相變材料層。將省略與在先前實(shí)施例中所描述的方法相重疊的描述。參照圖15，在襯底100上形成層間絕緣層110和第一電極120。形成具有接觸孔155的第一絕緣層150，接觸孔155限定形成相變材料層和第二電極的區(qū)。接觸孔155暴露出對應(yīng)的第一電極120。如前所述，可以通過淀積具有低導(dǎo)熱率、高硬度、和/或拉應(yīng)力的材料并移除一部分淀積的材料以暴露出第一電極120，來形成第一絕緣層150。參照圖16，在接觸孔155中和第一絕緣層150上形成硫族化物層135。在硫族化物層135上形成用于第二電極的傳導(dǎo)材料層145。參照圖17，對用于第二電極的傳導(dǎo)材料層145和硫族化物層135進(jìn)行構(gòu)圖，以形成相變材料層130和第二電極140。參照圖18，第二絕緣層160具有條形開口165，該條形開口165暴露出例如在列方向上布置的多個(gè)第二電極140。此后，將諸如銅的傳導(dǎo)材料填充在條形開口165中以形成如圖4說明的位線180。在本實(shí)施例中，可以用不同的圖案，例如用在列方向上延伸的條紋圖案來形成第一絕緣層150的接觸孔155。這樣，至少兩個(gè)鄰近的相變存儲器單元彼此共享相變材料。根據(jù)本實(shí)施例，鄰近第一電極120的一部分相變材料、在接觸孔155的底部上形成的相變材料不經(jīng)受蝕刻過程。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于相變材料層130的相變發(fā)生在鄰近第一電極120的部分，所以可能形成更可靠的相變材料層。參照圖19到22，將描述形成如圖5說明的相變存儲器器件的方法。與參照圖15到18所描述的實(shí)施例不同，位線直接接觸相變材料層。而且，相變材料層被限定在第一絕緣層的接觸孔之內(nèi)。參照圖19，如上所述，在襯底100上形成具有接觸孔155的第一絕緣層150，限定將要形成層間絕緣層IIO、第一電極120和相變材料層的區(qū)。隨后，在接觸孔155中和第一絕緣層150上形成用于相變材料層的硫族化物層135。參照圖20，執(zhí)行對硫族化物層135的平面化蝕刻，以移除接觸孔155之外的硫族化物層，從而形成限定在接觸孔155中的相變材料層130。參照圖21，在相變材料層130和第一絕緣層150上形成用于位線的傳導(dǎo)材料層185。在形成用于位線的傳導(dǎo)材料層185之前，可以進(jìn)一步形成用于阻擋層的傳導(dǎo)材料層175。參照圖22，對用于位線的傳導(dǎo)材料層185進(jìn)行構(gòu)圖，以形成與相變材料層130連接的位線180。此后，在第一絕緣層150和位線180上形成第二絕緣層160以覆蓋位線180。在本實(shí)施例中，基本上不產(chǎn)生對相變在其中發(fā)生的相變材料層的蝕刻。在本實(shí)施例中，可以用不同的圖案，例如用在列方向上延伸的條紋圖案，來形成第一絕緣層150的接觸孔155。這樣，至少兩個(gè)鄰近的相變存儲器單元彼此共享相變材料。圖23到26是用于解釋形成圖6的相變存儲器器件的方法的部分截面圖。與參照圖15到18所描述的實(shí)施例相同，通過使用大馬士革技術(shù)來形成本實(shí)施例中的相變材料層，但是，是以恒定厚度沿著第一絕緣層的接觸孔的底部和側(cè)壁來形成相變材料層。參照圖23，在襯底100上形成層間絕緣層IIO，第一電極120和具有暴露出第一電極120的接觸孔155的第一絕緣層150。在本實(shí)施例中，將理解，隨著第一絕緣層150的接觸孔155向襯底100前進(jìn)，其寬度減小，以便以后相變材料可以填充接觸孔155的一部分，g卩，沿著接觸孔155的側(cè)壁和底部形成相變材料。參照圖24，沿著接觸孔155的底部和側(cè)壁形成用于相變材料層的硫族化物層135。在硫族化物層135上形成用于第二電極的傳導(dǎo)材料層145，以填充接觸孔155。參照圖25，對用于第二電極的傳導(dǎo)材料層145和硫族化物層135執(zhí)行構(gòu)圖過程，以形成相變材料層130和第二電極140。參照圖26，形成第二絕緣層160，其具有暴露出例如在列方向上布置的第二電極140的條形開口165。此后，將諸如銅的傳導(dǎo)材料填充在條形開口165中以形成如圖6說明的位線180。在本實(shí)施例中，基本上不產(chǎn)生對相變在其中發(fā)生的相變材料層的蝕刻。在本實(shí)施例中，可以用不同的圖案，例如用在列方向上延伸的條紋圖案，來形成第一絕緣層150的接觸孔155。所以，至少兩個(gè)鄰近的相變存儲器單元彼此共享相變材料。參照圖27到29，將描述形成如圖7說明的相變存儲器器件的方法。參照圖27，在襯底100上形成層間絕緣層110，第一電極120和具有暴露出第一電極120的接觸孔155的第一絕緣層150。在本實(shí)施例中，將理解，隨著第一絕緣層150的接觸孔155向襯底100前進(jìn)，其寬度減小，以便沿著接觸孔155的側(cè)壁和底部形成相變材料。沿著接觸孔155的底部和側(cè)壁形成用于相變材料層的硫族化物層135。在硫族化物層135上形成用于第二電極的傳導(dǎo)材料層145，以完全填充接觸孔155。參照圖28，將接觸孔155之外的傳導(dǎo)材料層145和硫族化物層135移除，以形成限定在接觸孔155中的相變材料層130和第二電極140。參照圖29，用于位線的傳導(dǎo)材料層淀積在第二電極140和第一絕緣層150上，并隨后被構(gòu)圖以形成與第二電極140連接的位線180。此后，在第一絕緣層150和位線180上形成第二絕緣層160以覆蓋位線180。在本實(shí)施例中，基本上不產(chǎn)生對相變在其中發(fā)生的相變材料層的蝕刻。在本實(shí)施例中，可以用不同的圖案，例如用在列方向上延伸的條紋圖案，來形成第一絕緣層150的接觸孔155。所以，至少兩個(gè)鄰近的相變存儲器單元彼此共享相變材料。圖30是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件的截面圖，并且示出存儲器單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)的截面。為了更清晰地理解根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲器器件，將行方向上(按字線的延伸方向)的存儲器單元陣列區(qū)的截面和列方向上(按位線的延伸方向)的存儲器單元陣列區(qū)的截面全部示出。圖30的左側(cè)示圖是行方向上的截面圖，中間示圖是列方向上的截面圖，而圖30的右側(cè)示圖是外圍電路區(qū)中的截面圖。參照圖30，在存儲器單元陣列區(qū)的半導(dǎo)體襯底200上提供多個(gè)字線，即，下字線LWL。例如，可以通過用n型雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體層來形成下字線LWL。例如，下字線LWL可以在行方向上延伸。下字線LWL可以包括金屬層、傳導(dǎo)金屬氮化物層、傳導(dǎo)金屬氧化物層、傳導(dǎo)氮氧化物層、硅化物層、金屬合金層或這些的組合。絕緣層，例如器件隔離層210，可以使彼此鄰近的下字線LWL電絕緣。在外圍電路區(qū)中，可以在由器件隔離層210限定的活動區(qū)220B上提供用于驅(qū)動存儲器單元陣列區(qū)的驅(qū)動元件，例如驅(qū)動器晶體管230。在存儲器單元陣列區(qū)的襯底200上提供多個(gè)位線BL，以跨過下字線LWL。在外圍電路區(qū)，提供對應(yīng)于位線BL的第一導(dǎo)線M1。第一導(dǎo)線M1可以與驅(qū)動器晶體管230的柵極G、源極/漏極區(qū)S/D電連接。位線BL和第一導(dǎo)線可以包括銅。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，由于可以使用大馬士革技術(shù)由銅形成位線BL和第一導(dǎo)線M1，所以可能減小位線BL和第一導(dǎo)線Ml的電阻。23相變材料層300位于下字線LWL和位線BL之間。在相變材料層300和下字線LWL之間提供第一電極280和選擇元件250，并且在相變材料層300和位線BL之間提供第二電極310。換言之，第一電極280和第二電極310與相變材料層300電連接。可以將第一電極280用作為例如加熱器，用于對相變材料層300進(jìn)行加熱。例如，第一電極280通過諸如二極管的選擇元件250與下字線LWL電連接。第二電極310與位線BL電連接。作用為選擇元件的二極管250可以包括堆疊在襯底200上的n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層。p型半導(dǎo)體層可以鄰近于第一電極280，而n型半導(dǎo)體層可以鄰近于下字線LWL。在單元陣列區(qū)中，可以提供單元接觸栓塞290c，其鄰近于位線BL并且與下字線LWL電連接。可以將單元接觸栓塞290c制作成多層結(jié)構(gòu)。例如，單元接觸栓塞290c可以包括以接近襯底200的順序而順序堆疊的氮化鈦層、鉤層和銅層。例如，可以在穿透第三絕緣層380、第二絕緣層360、第一絕緣層320、第二層間絕緣層260和第一層間絕緣層240的單元接觸孔中提供單元接觸栓塞290c。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，可以提供對應(yīng)于單元接觸栓塞290c的外圍接觸栓塞290pl-290p3。外圍接觸結(jié)構(gòu)290pl-290p3與驅(qū)動器晶體管230的柵極G、源極/漏極區(qū)S/D，或雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)225電連接。與單元接觸栓塞類似，與源極/漏極區(qū)S/D連接的外圍接觸栓塞290pl可以包括以接近襯底200的順序而順序堆疊的氮化鈦層、鎢層和銅層。例如，與柵極G連接的外圍接觸栓塞290p2和2卯p3可以包括以接近襯底200的順序而堆疊的氮化鈦層、和鉤層。類似于單元接觸栓塞290cl，可以在穿透第三層間絕緣層380、第二絕緣層360、第一絕緣層320、第二層間絕緣層260和第一層間絕緣層240的外圍接觸孔中提供外圍接觸栓塞290pl?？梢栽诖┩傅谝唤^緣層320、第二層間絕緣層260和第一層間絕緣層240的外圍接觸孔中提供外圍接觸栓塞290p2和290p3。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以在第二絕緣層360和第一絕緣層320之間提供蝕刻停止層330。該蝕刻停止層330由相對于第二絕緣層360具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，用于減小下字線LWL的電阻的上字線UWL可以與單元接觸栓塞290c2連接。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，可以提供對應(yīng)于上字線UWL的第二導(dǎo)線M2。例如，第二導(dǎo)線M2可以與外圍接觸栓塞290pl連接。替代性地，第二導(dǎo)線M2可以與第一導(dǎo)線M1連接。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，因?yàn)榭梢允褂么篑R士革技術(shù)由銅來形成上字線UWL和第二導(dǎo)線M2，所WHi〕l減爿、卜空么考TTWT未n笛一旦姊iyn^7由陽—在單元陣列區(qū)中，在上字線UWL上提供全局位線GBL，并且在外圍電路區(qū)中，在第二導(dǎo)線M2上提供對應(yīng)于全局位線GBL的第三導(dǎo)線M3。全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3可以包括銅。因?yàn)榭梢允褂么篑R士革技術(shù)由銅來形成全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3，所以可以減小全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3的電阻。第三導(dǎo)線M3可以與第二導(dǎo)線M2電連接。可以在全局位線GBL和上字線UWL之間提供第四層間絕緣層400?？梢栽谌治痪€GBL和第三導(dǎo)線M3上提供鈍化層420。第一絕緣層320包圍相變材料層300的側(cè)表面，并且第二絕緣層360包圍位線BL和第一導(dǎo)線M1的側(cè)表面。在位線BL和上字線UWL之間以及在第一導(dǎo)線M1和第二導(dǎo)線M2之間提供層間絕緣層380。在上字線UWL和全局位線GBL之間以及在第二導(dǎo)線M2和第三導(dǎo)線M3之間提供層間絕緣層400。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，為了獲得較高的集成度，可以在襯底上以多層來形成相變存儲器器件?？梢杂枚喾N形式來具體化上述電阻式存儲器器件或者可以將其用作為用于各種裝置的一個(gè)元件。例如，可以應(yīng)用上述的電阻式存儲器器件以用于實(shí)現(xiàn)各種類型的存儲卡、USB存儲器、固態(tài)驅(qū)動器等。圖31說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，本實(shí)施例的裝置包括存儲器510和存儲器控制器520。存儲器510可以包括根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電阻式存儲器器件。存儲器控制器520可以供給用于控制存儲器510的操作的輸入信號。例如，存儲器控制器520可以供給命令語言和地址信號。存儲器控制器520可以基于接收到的控制信號來控制存儲器510。圖32說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，本實(shí)施例的裝置包括與接口515連接的存儲器510。存儲器510可以包括根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的存儲器器件。接口515可以提供，例如外部輸入信號。例如，接口515可以提供命令語言和地址信號。接口515基于從外部產(chǎn)生的以及接收到的控制信號來控制存儲器510。圖33說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，除了用存儲卡530具體化存儲器510和存儲器控制器520以外，本發(fā)明的裝置類似于圖31的裝置。例如，存儲卡530可以是滿足與諸如數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等的電子器具兼容的標(biāo)準(zhǔn)的存儲卡。存儲器控制器520可以基于存儲卡從不同器件，例如外部器件接收到的控制信號來控制存儲器510。圖34說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的移動設(shè)備6000。移動設(shè)備6000可以是MP3、視頻播放器、視頻音頻播放器等。如圖所示，移動設(shè)備6000包括存儲器510和存儲器控制器520。存儲器510包括根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電阻式存儲器器件。移動設(shè)備6000可以包括編碼器和解碼器EDC610、呈現(xiàn)組件620、和接口630?？梢越?jīng)由存儲器控制器520，在存儲器510與編碼器和解碼器EDC610之間交換諸如視頻和音頻的數(shù)據(jù)。如虛線所指示的，可以在存儲器510與編碼器和解碼器EDC610之間直接交換數(shù)據(jù)。EDC610可以對將要存儲在存儲器510中的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。例如，EDC610可以將音頻數(shù)據(jù)編碼為MP3文件，并將編碼的MP3文件存儲在存儲器510中。替代性地，EDC610可以對MPEG視頻數(shù)據(jù)(例如，MPEG3、MPEG4等)進(jìn)行編碼，并將編碼的視頻數(shù)據(jù)存儲在存儲器510中。而且，EDC610可以包括根據(jù)不同數(shù)據(jù)格式對不同類型的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼的多個(gè)編碼器。例如，EDC610可以包括用于音頻數(shù)據(jù)的MP3編碼器和用于視頻數(shù)據(jù)的MPEG編碼器。EDC610可以對從存儲器510輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼。例如，EDC610可以將從存儲器510輸出的音頻數(shù)據(jù)解碼為MP3文件。替代性地，EDC610可以將從存儲器510輸出的視頻數(shù)據(jù)解碼為MPEG文件。而且，EDC610可以包括根據(jù)不同數(shù)據(jù)格式對不同類型的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼的多個(gè)解碼器。例如，EDC610可以包括用于音頻數(shù)據(jù)的MP3解碼器和用于視頻數(shù)據(jù)的MPEG解碼器。而且，EDC610可以僅包括解碼器。例如，可以將先前編碼的數(shù)據(jù)傳送到EDC610，解碼并隨后傳送到存儲器控制器520和/或存儲器510。EDC610經(jīng)由接口630接收用于編碼的數(shù)據(jù)或先前已編碼的數(shù)據(jù)。接口630可以遵從已知標(biāo)準(zhǔn)(例如USB、火線等)。接口630可以包括一個(gè)或多個(gè)接口。例如，接口630可以包括火線接口、USB接口等?？梢越?jīng)由接口630來輸出從存儲器510提供的數(shù)據(jù)。呈現(xiàn)組件620對由存儲器510和/或EDC610解碼的數(shù)據(jù)進(jìn)行呈現(xiàn)，使得用戶可以感知解碼的數(shù)據(jù)。例如，呈現(xiàn)組件620可以包括顯示視頻數(shù)據(jù)等的顯示屏以及用于輸出音頻數(shù)據(jù)的揚(yáng)聲器插座。27圖35說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，存儲器510可以與主機(jī)系統(tǒng)7000連接。存儲器510包括根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的電阻式存儲器器件。主機(jī)系統(tǒng)7000可以是處理系統(tǒng)，諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等。存儲器510可以是可分離的貯存介質(zhì)形式，例如，存儲卡、USB存儲器、或固態(tài)驅(qū)動器SSD。主機(jī)系統(tǒng)7000可以提供用于控制存儲器510的操作的輸入信號。例如，主機(jī)系統(tǒng)7000可以提供命令語言和地址信號。圖36說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。在該實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)7000與存儲卡530連接。主機(jī)系統(tǒng)7000向存儲卡530供給控制信號，使得存儲器控制器520控制存儲器510的操作。圖37說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的裝置，存儲器510可以與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)8000中的中央處理單元810連接。例如，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)8000可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)據(jù)助理等。存儲器510可以經(jīng)由總線與CPU810連接。圖38說明包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻式存儲器器件的裝置。如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的裝置9000可以包括控制器910，諸如鍵盤、顯示器等的輸入/輸出單元920，存儲器930，和接口940。在本實(shí)施例中，組成裝置的相應(yīng)組件可以經(jīng)由總線950彼此連接?？刂破?10可以包括至少一個(gè)微處理器、數(shù)字處理器、微控制器、或處理器。存儲器930可以存儲由數(shù)據(jù)和/或控制器910執(zhí)行的命令。接口940可以用于發(fā)射來自不同系統(tǒng)，例如通信網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)，或者向通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)射數(shù)據(jù)。裝置9000可以是移動系統(tǒng)，諸如PDA、便攜計(jì)算機(jī)、web平板電腦(webtablet)、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器、存儲卡或者可以發(fā)射和/或接收信息的不同系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可能形成具有高集成度的可靠的相變存儲器器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以增強(qiáng)相變材料和電極之間的接口特征以減小設(shè)置電阻。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可能形成可以高速操作的電阻式存儲器器件和相變存儲器器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以最小化鄰近存儲器單元之間的熱傳送。上述公開的主題被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，并且所附權(quán)利要求意欲涵蓋落于本發(fā)明的真正精神和范圍之內(nèi)的所有這類修改、改進(jìn)、以及其他實(shí)施例。所以，為了最大化法律許可的范疇，本發(fā)明的范圍由以下權(quán)利要求及其等效內(nèi)容的最寬可允許解釋所確定，并且不應(yīng)當(dāng)限制或限定于以上具體描述。權(quán)利要求1.一種電阻式存儲器器件，包括襯底上的電阻式存儲器元件；覆蓋所述電阻式存儲器元件的側(cè)表面的第一絕緣層；所述電阻式存儲器元件上的導(dǎo)線；以及覆蓋所述導(dǎo)線的側(cè)表面的第二絕緣層，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個(gè)方面有所不同，所述組包括硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度。2.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲器器件，其中所述第一絕緣層比所述第二絕緣層具有更高的硬度。3.如權(quán)利要求2所述的電阻式存儲器器件，其中所述第一絕緣層比所述第二絕緣層具有更低的孔隙度。4.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更低的介電常數(shù)。5.如權(quán)利要求4所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層包括硼摻雜氧化硅層、磷摻雜氧化物層、硼和磷摻雜氧化物層、碳摻雜氧化硅層、氫倍半硅氧垸(HSQ)層、甲基倍半硅氧烷(MSQ)層、SiLK層、聚酰亞胺層、聚降冰片烯層、或聚合物電介質(zhì)材料層。6.如權(quán)利要求4所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層包括低k材料層，所述低k材料層比氧化硅(Si02)具有更低的介電常數(shù)。7.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更高的孔隙度。8.如權(quán)利要求7所述的電阻式存儲器器件，其中所述第二絕緣層比所述第一絕緣層具有更低的介電常數(shù)。9.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲器器件，其中所述電阻式存儲器元件包括相變存儲器元件，并且所述第一絕緣層具有拉應(yīng)力以及比所述第二絕緣層具有更高的硬度和更低的孔隙度。10.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲器器件，其中所述導(dǎo)線包括與所述電阻式存儲器元件電連接的位線。11.一種形成電阻式存儲器器件的方法，包括在襯底上形成具有第一開口的第一絕緣層；在所述開口中形成電阻式存儲器元件；在所述電阻式存儲器元件和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，該第二絕緣層具有暴露出所述電阻式存儲器元件的開口；以及通過用傳導(dǎo)材料填充所述開口，來形成與所述電阻式存儲器元件連接的導(dǎo)線；其中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層使得所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個(gè)方面有所不同，所述組包括硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度。12.如權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述第一絕緣層由呈現(xiàn)拉應(yīng)力的絕緣材料形成。13.如權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述第二絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第一絕緣層具有更低的介電常數(shù)。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二絕緣層由以下材料形成硼摻雜氧化硅、磷摻雜氧化物、硼和磷摻雜氧化物、碳摻雜氧化硅、氫倍半硅氧垸(HSQ)、甲基倍半硅氧垸(MSQ)、SiLK、聚酰亞胺、聚降冰片烯、或聚合物電介質(zhì)材料。15.如權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述第一絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第二絕緣層具有更高的拉應(yīng)力、更高的硬度、以及更低的孔隙度。16.—種形成電阻式存儲器器件的方法，包括在襯底上形成電阻式存儲器元件；在所述襯底上形成第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋所述電阻式存儲器元件的側(cè)壁；在所述電阻式存儲器元件和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，該第二絕緣層具有暴露出所述電阻式存儲器元件的開口；以及通過用傳導(dǎo)材料填充所述開口，來形成與所述電阻式存儲器元件連接的導(dǎo)線，其中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層使得所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在從下述組中選擇出的至少一個(gè)方面有所不同，所述組包括硬度、應(yīng)力、介電常數(shù)、導(dǎo)熱率和孔隙度組成。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一絕緣層由具有拉應(yīng)力的絕緣材料形成。18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第一絕緣層具有更低的介電常數(shù)。19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一絕緣層由下述材料形成，該材料比所述第二絕緣層具有更高的拉應(yīng)力、更高的硬度、以及更低的孔隙度。全文摘要提供了一種電阻式存儲器器件以及形成該電阻式存儲器器件的方法，可以用高集成度集成該電阻式存儲器器件。包圍電阻式存儲器元件的絕緣層和包圍與該電阻式存儲器元件連接的導(dǎo)線的絕緣層具有不同的應(yīng)力、硬度、孔隙度、介電常數(shù)或?qū)崧?。文檔編號G11C11/56GK101533892SQ20091012743公開日2009年9月16日申請日期2009年3月11日優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日發(fā)明者林東源,柳庚昶,鄭基泰,鄭弘植,金亨俊申請人:三星電子株式會社