專利名稱：：具閃存測(cè)試功能的控制器及其儲(chǔ)存系統(tǒng)與測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)，特別涉及一種具閃存測(cè)試功能的控制器及其儲(chǔ)存系統(tǒng)與測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
：數(shù)字相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來(lái)的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存介質(zhì)的需求也急速增加。由于閃存(FlashMemory)具有數(shù)據(jù)非揮發(fā)性、省電、體積小與無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)等的特性，適合可攜式應(yīng)用，最適合使用于這類(lèi)可攜式由電池供電的產(chǎn)品上。固態(tài)硬盤(pán)就是一種以NAND閃存作為儲(chǔ)存介質(zhì)的儲(chǔ)存裝置。閃存儲(chǔ)存裝置的閃存芯片(chip)會(huì)依據(jù)其設(shè)計(jì)容量包括1個(gè)或多個(gè)閃存晶粒(die)，且閃存晶粒會(huì)劃分為多個(gè)實(shí)體區(qū)塊，以作為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)之用。一般來(lái)說(shuō)，廠商在完成閃存儲(chǔ)存裝置的制造后，會(huì)對(duì)此閃存儲(chǔ)存裝置進(jìn)行其中之實(shí)體區(qū)塊的讀寫(xiě)測(cè)試，以確保閃存儲(chǔ)存裝置的質(zhì)量。在對(duì)閃存儲(chǔ)存裝置進(jìn)行讀取測(cè)試時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)的方法是將此閃存儲(chǔ)存裝置連接于安裝一測(cè)試軟件的一主機(jī)系統(tǒng)上，并且由此測(cè)試軟件對(duì)此閃存儲(chǔ)存裝置進(jìn)行讀寫(xiě)來(lái)測(cè)試此閃存儲(chǔ)存裝置的閃存芯片是否可正常儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。一般來(lái)說(shuō)，實(shí)體區(qū)塊會(huì)由閃存儲(chǔ)存裝置的閃存控制器邏輯地分組為系統(tǒng)區(qū)(systemarea)、數(shù)據(jù)區(qū)(dataarea)、備用區(qū)(sparearea)與取代區(qū)(replacementarea)。系統(tǒng)區(qū)的實(shí)體區(qū)塊是用以儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)的相關(guān)重要信息，而取代區(qū)的實(shí)體區(qū)塊是用以取代數(shù)據(jù)區(qū)或備用區(qū)中已損壞的實(shí)體區(qū)塊損壞，因此在一般存取狀態(tài)下，主機(jī)系統(tǒng)無(wú)法存取系統(tǒng)區(qū)與取代區(qū)中的實(shí)體區(qū)塊。至于歸類(lèi)為數(shù)據(jù)區(qū)的實(shí)體區(qū)塊中會(huì)儲(chǔ)存由寫(xiě)入指令所寫(xiě)入的有效數(shù)據(jù)，而備用區(qū)中的實(shí)體區(qū)塊是用以在執(zhí)行寫(xiě)入指令時(shí)替換數(shù)據(jù)區(qū)中的實(shí)體區(qū)塊。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)閃存儲(chǔ)存裝置接收到主機(jī)系統(tǒng)的寫(xiě)入指令而對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)的實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行寫(xiě)入時(shí)，閃存儲(chǔ)存裝置會(huì)從備用區(qū)中提取一實(shí)體區(qū)塊，并且將在數(shù)據(jù)區(qū)中欲寫(xiě)入的實(shí)體區(qū)塊中的有效舊數(shù)據(jù)與欲寫(xiě)入的新數(shù)據(jù)寫(xiě)入至從備用區(qū)中提取的實(shí)體區(qū)塊中，并且將已寫(xiě)入新數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊邏輯地關(guān)聯(lián)為數(shù)據(jù)區(qū)，并且將原本數(shù)據(jù)區(qū)的實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行抹除并邏輯地關(guān)聯(lián)為備用區(qū)。為了能夠讓主機(jī)系統(tǒng)能夠順利地存取以輪替方式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的實(shí)體區(qū)塊，閃存儲(chǔ)存裝置會(huì)提供邏輯區(qū)塊給主機(jī)系統(tǒng)。也就是說(shuō)，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)會(huì)透過(guò)在邏輯地ilh~^f^iikiltff^M^(logicaladdress-physicaladdressmappingtable)中i己新邏輯區(qū)塊與數(shù)據(jù)區(qū)的實(shí)體區(qū)塊之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)反映實(shí)體區(qū)塊的輪替。所以主機(jī)系統(tǒng)僅需要針對(duì)所提供邏輯區(qū)塊進(jìn)行寫(xiě)入，而閃存儲(chǔ)存裝置會(huì)依據(jù)邏輯地址-實(shí)體地址映射表對(duì)所對(duì)應(yīng)的實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。由于上述閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)的運(yùn)作特性，因此，由主機(jī)系統(tǒng)上的測(cè)試軟件來(lái)對(duì)閃存儲(chǔ)存裝置進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試無(wú)法保證所有實(shí)體區(qū)塊都已進(jìn)行測(cè)試。此外，在閃存儲(chǔ)存裝置中閃存芯片內(nèi)的閃存晶粒由閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)中的閃存控制器管理，因此由主機(jī)系統(tǒng)上的測(cè)試軟件來(lái)對(duì)閃存儲(chǔ)存裝置進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試時(shí)，必須依照閃存控制器的相關(guān)規(guī)格寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)，而無(wú)法同步對(duì)閃存儲(chǔ)存裝置中的所有閃存晶粒執(zhí)行寫(xiě)入運(yùn)作。因此當(dāng)待測(cè)試的閃存儲(chǔ)存裝置中的閃存芯片是由多個(gè)閃存晶粒所組成時(shí)，現(xiàn)有的測(cè)試方法需要大量的時(shí)間才能完成對(duì)所有閃存晶粒的讀寫(xiě)動(dòng)作。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其能夠有效地對(duì)與其連接的閃存芯片的所有實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行測(cè)試。本發(fā)明提供一種閃存測(cè)試方法，其能夠有效地對(duì)閃存芯片的所有實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行測(cè)試o本發(fā)明提供一種閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其能有效地對(duì)其閃存芯片的所有實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行測(cè)試o本發(fā)明提供一種具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其包括微處理器單元、閃存接口單元、主機(jī)接口單元與存儲(chǔ)單元測(cè)試單元(memorycelltestingunit)。閃存接口單元連接到微處理器單元，且用以連接多個(gè)閃存晶粒且每一閃存晶粒包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊。主機(jī)接口單元連接到微處理器單元，且用以連接一主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)單元測(cè)試單元是連接到微處理器單元，用以同時(shí)地使能每一閃存晶粒，并以一廣播方式在每一閃存晶粒中同時(shí)寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，其中存儲(chǔ)單元測(cè)試單元會(huì)從每一實(shí)體區(qū)塊中讀取測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器更包括錯(cuò)誤檢查與校正單元(ErrorCheckingandCorrectingUnit)，用以根據(jù)上述測(cè)試信息產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode)，并且依據(jù)此錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正，其中上述存儲(chǔ)單元測(cè)試單元根據(jù)該檢查與校正的結(jié)果正結(jié)果判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述之存儲(chǔ)單元測(cè)試單元會(huì)根據(jù)每一閃存晶粒的識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)實(shí)體地址將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至實(shí)體區(qū)塊中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述之存儲(chǔ)單元測(cè)試單元?jiǎng)討B(tài)地傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給所連接的主機(jī)系統(tǒng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述測(cè)試狀態(tài)信息包括目前狀態(tài)區(qū)位與錯(cuò)誤數(shù)字段，其中目前狀態(tài)區(qū)位記錄每一閃存晶粒的測(cè)試進(jìn)度，而錯(cuò)誤數(shù)字段記錄每一閃存晶粒中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述存儲(chǔ)單元測(cè)試單元建立一錯(cuò)誤列表，用以記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述錯(cuò)誤列表包括錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位與地址字段，其中錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型，而地址字段記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述存儲(chǔ)單元測(cè)試單元將上述錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在上述任一實(shí)體區(qū)塊中。本發(fā)明提供一種閃存測(cè)試方法，用以測(cè)試多個(gè)閃存晶粒且每一閃存晶粒具有多個(gè)實(shí)體區(qū)塊，該閃存測(cè)試方法包括使用一主機(jī)系統(tǒng)向一閃存控制器發(fā)送一閃存測(cè)試請(qǐng)求，其中所述閃存晶粒連接到該閃存控制器。該閃存測(cè)試方法也包括由該閃存控制器同時(shí)地使能每一所述閃存晶粒并以一廣播方式在每一閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，并且由該閃存控制器從每一實(shí)體區(qū)塊中讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存測(cè)試方法更包括由此閃存控制器建立一錯(cuò)誤列表，以記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述在每一閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)與讀取測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊的步驟包括根據(jù)測(cè)試信息產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼；依據(jù)錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正；以及根據(jù)檢查與校正的結(jié)果判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述以廣播方式在每一閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)的步驟包括根據(jù)每一閃存晶粒的識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所產(chǎn)生的實(shí)體地址將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至實(shí)體區(qū)塊中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存測(cè)試方法更包括使用上述主機(jī)系統(tǒng)向上述閃存控制器發(fā)送一閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求，并且由上述閃存控制器動(dòng)態(tài)地建立與傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給上述主機(jī)系統(tǒng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述建立測(cè)試狀態(tài)信息的步驟包括記錄每一閃存晶粒的目前測(cè)試進(jìn)度，以及記錄每一閃存晶粒中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述建立該錯(cuò)誤列表的步驟包括記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型，以及記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存測(cè)試方法更包括將上述錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在上述任一實(shí)體區(qū)塊中。本發(fā)明提供一種具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其包括連接器、多個(gè)閃存晶粒與閃存控制器。連接器用以連接一主機(jī)系統(tǒng)，閃存晶粒包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊。閃存控制器連接到連接器與閃存晶粒，其中閃存控制器用以同時(shí)地使能每一閃存晶粒并以一廣播方式在每一閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)，并且閃存控制器用以從每一實(shí)體區(qū)塊中讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器，用以根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼，依據(jù)錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正，并且根據(jù)檢查與校正的結(jié)果判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器會(huì)根據(jù)每一閃存晶粒的一識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所產(chǎn)生的實(shí)體地址將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至實(shí)體區(qū)塊中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器動(dòng)態(tài)地傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給上述主機(jī)系統(tǒng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述測(cè)試狀態(tài)信息包括目前狀態(tài)區(qū)位與錯(cuò)誤數(shù)字段，其中目前狀態(tài)區(qū)位是記錄每一閃存晶粒的測(cè)試進(jìn)度，而錯(cuò)誤數(shù)字段記錄每一閃存晶粒中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器建立一錯(cuò)誤列表，用以記錄判斷為損7壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述錯(cuò)誤列表包括錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位與地址字段，其中錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位是記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型，而地址字段記錄判斷為損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述閃存控制器將上述錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在上述任一實(shí)體區(qū)塊中?；谏鲜?，本發(fā)明可確保所有實(shí)體區(qū)塊都已進(jìn)行測(cè)試，并且大幅縮短測(cè)試所需的時(shí)間。為讓本發(fā)明之上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是本發(fā)明一范例實(shí)施例的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)的概要方塊圖。圖2是本發(fā)明一范例實(shí)施例的錯(cuò)誤列表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明一范例實(shí)施例測(cè)試狀態(tài)信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示閃存測(cè)試方法的流程圖。主要的附圖標(biāo)記說(shuō)明100閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)110閃存芯片110-1、110-2、110-3、110-4閃存晶粒120連接器130閃存控制器130a微處理器單元130b:閃存接口單元130c:主機(jī)接口單元130d存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130e錯(cuò)誤檢查與校正單元152、156:數(shù)據(jù)總線154、158:控制總線200主機(jī)系統(tǒng)210測(cè)試應(yīng)用程序300總線250錯(cuò)誤列表252錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位254地址字段350測(cè)試狀態(tài)信息352:目前狀態(tài)區(qū)位354錯(cuò)誤數(shù)字段400測(cè)試程序8S401、S403、S405、S407、S409、S411、S413、S415、S417測(cè)試程序的步驟具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例所繪示的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)的概要方塊圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100與主機(jī)系統(tǒng)200連接，以使主機(jī)系統(tǒng)200可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100，或從閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100中讀取數(shù)據(jù)。在本范例實(shí)施例中，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100為固態(tài)硬盤(pán)(SolidStateDrive,SSD)。但必須了解的是在本發(fā)明另一實(shí)施例中，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100也可以是記憶卡或隨身碟。閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100包括閃存芯片110、連接器120與閃存控制器130。閃存芯片110電性連接至閃存控制器130并且用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。在本范例實(shí)施中，閃存芯片110為多層存儲(chǔ)單元(MultiLevelCell，MLC)NAND閃存芯片。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，單層存儲(chǔ)單元(SingleLevelCell,SLC)NAND閃存芯片亦可應(yīng)用于本發(fā)明。具體來(lái)說(shuō)，閃存芯片110包括閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4。其中，閃存晶粒110-1與閃存晶粒110-2經(jīng)由數(shù)據(jù)總線152與控制總線154連接到閃存控制器130，并且閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4經(jīng)由數(shù)據(jù)總線156與控制總線158連接到閃存控制器130。此外，閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4劃分為多個(gè)實(shí)體區(qū)塊。必須了解的是在本范例實(shí)施例中，閃存芯片110以具有4個(gè)閃存晶粒的例子來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，然而本發(fā)明不限于此，本發(fā)明可應(yīng)用于具有任意數(shù)目閃存晶粒的閃存芯片。每一實(shí)體區(qū)塊通常會(huì)分割為一個(gè)以上個(gè)頁(yè)面(page)，例如64個(gè)頁(yè)面、128個(gè)頁(yè)面、256個(gè)頁(yè)面等。頁(yè)面通常為程序化(program)的最小單元。但要特別說(shuō)明的是在一些不同的閃存設(shè)計(jì)中，最小的程序化單位也可為一個(gè)扇區(qū)(sector)。也就是說(shuō)，一個(gè)頁(yè)面中有多個(gè)扇區(qū)并以一個(gè)扇區(qū)為程序化的最小單元。換言之，頁(yè)面為寫(xiě)入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)的最小單元。每一頁(yè)面通常包括使用者數(shù)據(jù)區(qū)D與冗余區(qū)R。使用者數(shù)據(jù)區(qū)用以儲(chǔ)存使用者的數(shù)據(jù)，而冗余區(qū)用以儲(chǔ)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，錯(cuò)誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode)。為對(duì)應(yīng)于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的扇區(qū)(sector)大小，一般而言，使用者數(shù)據(jù)區(qū)D通常為512字節(jié)，而冗余區(qū)R通常為16字節(jié)。也就是說(shuō)一個(gè)頁(yè)面地址為一個(gè)扇區(qū)。然而，亦可以多個(gè)扇區(qū)形成一個(gè)頁(yè)面地址。在本范例實(shí)施例中，每一頁(yè)面包括4個(gè)扇區(qū)。連接器120用以經(jīng)總線300連接主機(jī)系統(tǒng)200。在本實(shí)施例中，連接器120為SATA連接器。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，連接器120亦可以是USB連接器、IEEE1394連接器、PCIExpress連接器、MS連接器、MMC連接器、SD連接器、CF連接器、IDE連接器或其他適合的連接器。閃存控制器130會(huì)執(zhí)行以硬件形式或韌體形式設(shè)置的多個(gè)邏輯開(kāi)關(guān)或機(jī)械指令以配合連接器120與閃存芯片110來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入、讀取與抹除等運(yùn)作。特別是，閃存控制器130具有測(cè)試閃存芯片110的功能。具體來(lái)說(shuō)，在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)200包括測(cè)試應(yīng)用程序210，并且當(dāng)主機(jī)系統(tǒng)200執(zhí)行測(cè)試應(yīng)用程序210時(shí)會(huì)命令閃存控制器130測(cè)試閃存芯片110的實(shí)體區(qū)塊是否可被正常讀取、寫(xiě)入與抹除。閃存控制器130包括微處理器單元130a、閃存接口單元130b、主機(jī)接口單元130c與存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d。微處理器單元130a用以控制閃存控制器130的整體運(yùn)作。也就是說(shuō)，閃存控制器130內(nèi)所有組件的運(yùn)作都由微處理器單元130a來(lái)控制。閃存接口單元130b連接到微處理器單元130a，并且用以存取閃存芯片110。也就是，欲寫(xiě)入至閃存芯片110的數(shù)據(jù)會(huì)經(jīng)由閃存接口單元130b轉(zhuǎn)換為閃存芯片110所能接受的格式。主機(jī)接口單元130c連接到微處理器單元130a，并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)200所傳送的指令。也就是，主機(jī)系統(tǒng)200所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)透過(guò)主機(jī)接口單元130c來(lái)傳送至微處理器單元130a。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口單元130c為SATA接口。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口單元130c亦可以是USB接口、IEEE1394接口、PCIExpress接口、MS接口、MMC接口、SD接口、CF接口、IDE接口或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸接口。值得一提的是主機(jī)接口單元130c必須與連接器120相對(duì)應(yīng)。也就是說(shuō)，主機(jī)接口單元130c必須與連接器120互相搭配來(lái)配置。存儲(chǔ)單元(memorycell)測(cè)試單元130d連接到微處理器單元130a，并且用以對(duì)閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的實(shí)體區(qū)塊進(jìn)行測(cè)試，以判斷閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4中是否存有損壞(或不良)的實(shí)體區(qū)塊。例如，在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d會(huì)在閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的每一實(shí)體區(qū)塊中寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，并且讀取此測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一實(shí)體區(qū)塊是否可被正常寫(xiě)入與讀取。此外，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d更會(huì)根據(jù)閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的一識(shí)別碼(ID)來(lái)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所產(chǎn)生的實(shí)體地址將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至所述實(shí)體區(qū)塊中。此外，在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，閃存控制器130更包括錯(cuò)誤檢查與校正單元130e。錯(cuò)誤檢查與校正單元130e是用以依據(jù)欲寫(xiě)入至閃存芯片110的數(shù)據(jù)來(lái)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼，并且可依據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼來(lái)檢查所讀取的數(shù)據(jù)是否正確。錯(cuò)誤檢查與校正單元為此領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此不詳細(xì)說(shuō)明其運(yùn)作方式。由此，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d可依據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼來(lái)驗(yàn)證測(cè)試數(shù)據(jù)是否被正確地寫(xiě)入至閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的每一實(shí)體區(qū)塊，或者測(cè)試數(shù)據(jù)是否正確地從閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的每一實(shí)體區(qū)塊中被讀取，或者閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的每一實(shí)體區(qū)塊是否被正確地抹除。值得一提的是在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d對(duì)閃存芯片110執(zhí)行測(cè)試時(shí)，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d會(huì)透過(guò)控制總線154與控制總線158同時(shí)使能(Enable)閃存晶粒110_1、閃存晶粒110_2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4，并且將測(cè)試數(shù)據(jù)同步地寫(xiě)入至閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4的實(shí)體區(qū)塊中。特別是，在本范例實(shí)施例中，由于測(cè)試閃存芯片110的動(dòng)作是由閃存控制器130來(lái)執(zhí)行，因此閃存控制器130可同時(shí)使能閃存晶粒110-1、閃存晶粒110-2、閃存晶粒110-3與閃存晶粒110-4以同步地寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)。值得一提的是在本發(fā)明另一范例實(shí)施10例中，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100亦可僅配置單一控制總線(即，控制總線154與控制總線158為同一控制總線)，并由此控制總線使能閃存芯片中的所有閃存晶粒。此外，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d會(huì)在完成對(duì)閃存芯片110的測(cè)試后，建立錯(cuò)誤列表以記錄測(cè)試結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)在測(cè)試過(guò)程中存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d發(fā)現(xiàn)閃存芯片110存有損壞的實(shí)體區(qū)塊時(shí)，則存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d會(huì)建立錯(cuò)誤列表以記錄每一損壞實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。圖2是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示錯(cuò)誤列表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，錯(cuò)誤列表250包括錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位252與地址字段254。錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位252用以記錄損壞實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型。例如，在本范例實(shí)施例中，錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位252會(huì)記錄此損壞實(shí)體區(qū)塊的異常情況屬于寫(xiě)入錯(cuò)誤、讀取錯(cuò)誤或抹除錯(cuò)誤。例如，在錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位252中0表示寫(xiě)入錯(cuò)誤，1表示讀取錯(cuò)誤，而2表示抹除錯(cuò)誤。地址字段254是用以記錄損壞實(shí)體區(qū)塊的地址，例如，地址字段254會(huì)包括兩個(gè)子字段分別地記錄此損壞實(shí)體區(qū)塊屬于哪個(gè)閃存晶粒及哪個(gè)實(shí)體區(qū)塊。例如，如圖2的范例所示，其中記錄2個(gè)發(fā)生錯(cuò)誤的損壞實(shí)體區(qū)塊，第一個(gè)錯(cuò)誤是寫(xiě)入錯(cuò)誤，且此損壞地址在閃存晶粒110-1的第26個(gè)實(shí)體區(qū)塊，并且第二個(gè)錯(cuò)誤是讀取錯(cuò)誤，且此損壞地址發(fā)生在閃存晶粒110-3的第56個(gè)實(shí)體區(qū)塊。值得一提的是，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d除了會(huì)將所建立的錯(cuò)誤列表250傳送給主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210外，亦會(huì)將錯(cuò)誤列表250儲(chǔ)存在閃存芯片110中未損壞的實(shí)體區(qū)塊內(nèi)。因此，已測(cè)試過(guò)之閃存芯片110的相關(guān)測(cè)試結(jié)果可由其他主機(jī)系統(tǒng)來(lái)讀取。例如，當(dāng)測(cè)試工程師使用主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210完成閃存芯片110的測(cè)試后，測(cè)試工程師可繼續(xù)進(jìn)行其他閃存芯片的測(cè)試程序，而其他工程師可于其他主機(jī)系統(tǒng)上讀取已完成測(cè)試之閃存芯片110中所儲(chǔ)存之測(cè)試結(jié)果，進(jìn)而執(zhí)行錯(cuò)誤分析等后續(xù)工作。此外，在存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d正對(duì)閃存芯片110執(zhí)行測(cè)試的過(guò)程中，主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210可持續(xù)地輪詢目前的測(cè)試狀況。例如，測(cè)試應(yīng)用程序210可在測(cè)試過(guò)程中以使用相關(guān)指令(例如，制造商指令(vendorcommand))向存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d下達(dá)閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求，以請(qǐng)求回報(bào)目前的測(cè)試狀態(tài)，由此可由測(cè)試者自行決定是否停止測(cè)試。例如，當(dāng)存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d從主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210中接收到閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求時(shí)，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d會(huì)動(dòng)態(tài)地傳送測(cè)試狀態(tài)信息給主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210。由此，測(cè)試人員可依據(jù)目前的測(cè)試狀態(tài)決定是否停止測(cè)試。特別是，在測(cè)試應(yīng)用程序210下達(dá)閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求以請(qǐng)求回報(bào)目前的測(cè)試狀態(tài)的同時(shí)，閃存控制器130的存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d可繼續(xù)其對(duì)實(shí)體區(qū)塊所進(jìn)行的測(cè)試，而無(wú)需為了響應(yīng)測(cè)試狀態(tài)而暫停測(cè)試。圖3是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示測(cè)試狀態(tài)信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，測(cè)試狀態(tài)信息350包括目前狀態(tài)區(qū)位352與錯(cuò)誤數(shù)字段354。目前狀態(tài)區(qū)位352是記錄每一閃存晶粒的測(cè)試進(jìn)度，例如目前狀態(tài)區(qū)位352會(huì)記錄已完成測(cè)試或目前測(cè)試到哪個(gè)實(shí)體區(qū)塊，例如，在目前狀態(tài)區(qū)位352中0表示已完成，并且當(dāng)目前狀態(tài)區(qū)位352為非0時(shí)表示正進(jìn)行某個(gè)實(shí)體區(qū)塊的測(cè)試。錯(cuò)誤數(shù)字段354記錄每一閃存晶粒中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。例如，如圖3的范例所示，閃存晶粒110-1已完成測(cè)試，且其中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目為0；閃存晶粒110-2目前測(cè)試第1020個(gè)實(shí)體區(qū)塊，且其中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目為1；閃存晶粒110-3已完成測(cè)試，且其中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目為1；閃存晶粒110-4目前測(cè)試第1021個(gè)實(shí)體區(qū)塊，且其中損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目為0。在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d是以一韌體形式設(shè)置在控制器130中，例如以程序語(yǔ)言撰寫(xiě)相關(guān)機(jī)械指令并且儲(chǔ)存于程序內(nèi)存(例如，只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory,ROM))來(lái)實(shí)作存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d。當(dāng)閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100從主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210中接收到閃存測(cè)試請(qǐng)求時(shí)，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d的多個(gè)機(jī)器指令會(huì)由微處理器單元130a來(lái)執(zhí)行，以對(duì)閃存芯片110進(jìn)行測(cè)試。此外，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元測(cè)試單元130d亦可以一硬件形式設(shè)置在控制器130中。此外，雖未繪示于本范例實(shí)施例，但閃存控制器130可更包括緩沖存儲(chǔ)器、電源管理單元模塊等用于控制閃存控制器的一般功能組件。圖4是根據(jù)本發(fā)明一范例實(shí)施例繪示閃存測(cè)試方法的流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，在測(cè)試程序400中，首先由主機(jī)系統(tǒng)200的測(cè)試應(yīng)用程序210向閃存控制器130發(fā)送閃存測(cè)試請(qǐng)求(S401)。接著，當(dāng)閃存控制器130接收到測(cè)試請(qǐng)求時(shí)，由閃存控制器130在與其連接的每一閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)(S403)。例如，在本范例實(shí)施例中，閃存控制器130會(huì)經(jīng)過(guò)所有控制總線同時(shí)使能所有閃存晶粒，并以廣播方式同步地在所有閃存晶粒中寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)。在此所謂廣播方式是指透過(guò)數(shù)據(jù)總線152與數(shù)據(jù)總線156將數(shù)據(jù)同時(shí)寫(xiě)入至所有的閃存晶粒中。值得一提的是，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)100亦可僅配置單一數(shù)據(jù)總線(即，數(shù)據(jù)總線152與數(shù)據(jù)總線156為同一數(shù)據(jù)總線)，并由此數(shù)據(jù)總線將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至所有的閃存晶粒中。之后，在步驟S405中會(huì)從閃存晶粒的實(shí)體區(qū)塊中讀取此測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷實(shí)體區(qū)塊是否為損壞實(shí)體區(qū)塊。例如，在步驟S403中，當(dāng)寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)至實(shí)體區(qū)塊時(shí)，可依據(jù)此所寫(xiě)入的測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)生錯(cuò)誤檢查與校正碼，并將所產(chǎn)生的錯(cuò)誤檢查與校正碼寫(xiě)入至實(shí)體區(qū)塊中。之后，在步驟S405中可讀取在寫(xiě)入運(yùn)作中所寫(xiě)入的錯(cuò)誤檢查與校正碼并依據(jù)所讀取的錯(cuò)誤檢查與校正碼來(lái)判斷實(shí)體區(qū)塊是否發(fā)生寫(xiě)入、讀取或抹除錯(cuò)誤。倘若在步驟S405中判斷有損壞實(shí)體區(qū)塊時(shí)，則在步驟S407中會(huì)在錯(cuò)誤列表(例如，錯(cuò)誤列表250)中記錄損壞實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。然后，在步驟S409中會(huì)判斷是否從測(cè)試應(yīng)用程序210中接收到閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求。倘若在步驟S409中接收到閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求時(shí)，則在步驟S411中會(huì)建立測(cè)試狀態(tài)信息(例如，測(cè)試狀態(tài)信息350)并且將此測(cè)試狀態(tài)信息傳送給測(cè)試應(yīng)用程序210。此外，在步驟S413中會(huì)判斷是否從測(cè)試應(yīng)用程序210中接收到停止測(cè)試請(qǐng)求。倘若在步驟S413中接收到停止測(cè)試請(qǐng)求時(shí)，則將錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在閃存芯片中(S415)并結(jié)束測(cè)試程序400。此外，在步驟S417中會(huì)判斷是否仍有實(shí)體區(qū)塊未完成測(cè)試，倘若仍有實(shí)體區(qū)塊未完成測(cè)試時(shí)，則返回步驟S405，若已完成所有閃存晶粒的測(cè)試時(shí)，則會(huì)執(zhí)行步驟S415并結(jié)束測(cè)試程序400。綜上所述，本發(fā)明由閃存控制器依據(jù)主機(jī)系統(tǒng)的指示來(lái)對(duì)閃存芯片來(lái)執(zhí)行測(cè)試程序，因此可由閃存控制器對(duì)實(shí)體區(qū)塊直接進(jìn)行測(cè)試，而確保所有實(shí)體區(qū)塊都會(huì)被執(zhí)行測(cè)試。此外，本發(fā)明由閃存控制器來(lái)執(zhí)行測(cè)試程序，因此可同時(shí)使能所有閃存晶粒，對(duì)其進(jìn)行廣播式寫(xiě)入，因此可有效地縮短測(cè)試時(shí)間。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制。盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者替換不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。權(quán)利要求一種具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，包括一微處理器單元；一閃存接口單元，連接到該微處理器單元，用以連接多個(gè)閃存晶粒且每一閃存晶粒包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊；一主機(jī)接口單元，連接到該微處理器單元，用以連接一主機(jī)系統(tǒng)；以及一存儲(chǔ)單元測(cè)試單元，連接到該微處理器單元，該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元同時(shí)地使能每一所述閃存晶粒并以一廣播方式在每一所述閃存晶粒中同時(shí)寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，其中該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元從每一所述實(shí)體區(qū)塊中讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為一損壞實(shí)體區(qū)塊。2.如權(quán)利要求1所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，更包括一錯(cuò)誤檢查與校正單元，用以根據(jù)該測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼，并且依據(jù)該錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的該測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正；其中，該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元根據(jù)該檢查與校正的結(jié)果判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為該損壞實(shí)體區(qū)塊。3.如權(quán)利要求1所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元根據(jù)每一所述閃存晶粒的一識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所述實(shí)體地址將該測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至所述實(shí)體區(qū)塊中。4.如權(quán)利要求1所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元?jiǎng)討B(tài)地傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給該主機(jī)系統(tǒng)。5.如權(quán)利要求4所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該測(cè)試狀態(tài)信息包括一目前狀態(tài)區(qū)位，記錄每一所述閃存晶粒的測(cè)試進(jìn)度；以及一錯(cuò)誤數(shù)字段，記錄每一所述閃存晶粒中該損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。6.如權(quán)利要求1所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元建立一錯(cuò)誤列表，用以記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。7.如權(quán)利要求6所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該錯(cuò)誤列表包括一錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位，記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型；以及一地址字段，記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。8.如權(quán)利要求6所述的具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其中該存儲(chǔ)單元測(cè)試單元將該錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在所述實(shí)體區(qū)塊的其中之一中。9.一種閃存測(cè)試方法，用以測(cè)試多個(gè)閃存晶粒，其中每一所述閃存晶粒具有多個(gè)實(shí)體區(qū)塊，該閃存測(cè)試方法包括使用一主機(jī)系統(tǒng)向一閃存控制器發(fā)送一閃存測(cè)試請(qǐng)求，其中所述閃存晶粒連接到該閃存控制器；以及由該閃存控制器同時(shí)地使能每一所述閃存晶粒并以一廣播方式在每一所述閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，并且由該閃存控制器從每一實(shí)體區(qū)塊中讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為一損壞實(shí)體區(qū)塊。10.如權(quán)利要求9所述的閃存測(cè)試方法，更包括由該閃存控制器建立一錯(cuò)誤列表，以記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。11.如權(quán)利要求9所述的閃存測(cè)試方法，其中在每一所述閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入該測(cè)試數(shù)據(jù)與讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為該損壞實(shí)體區(qū)塊的步驟包括根據(jù)該測(cè)試資料產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼；依據(jù)該錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的該測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正；以及根據(jù)該檢查與校正的結(jié)果判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為該損壞實(shí)體區(qū)塊。12.如權(quán)利要求9所述的閃存測(cè)試方法，其中以該廣播方式在每一所述閃存晶粒的每一所述實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入該測(cè)試數(shù)據(jù)的步驟包括根據(jù)每一所述閃存晶粒的一識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所述實(shí)體地址將該測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至所述實(shí)體區(qū)塊中。13.如權(quán)利要求9所述的閃存測(cè)試方法，更包括使用該主機(jī)系統(tǒng)向該閃存控制器發(fā)送一閃存測(cè)試回報(bào)請(qǐng)求，并且由該閃存控制器動(dòng)態(tài)地建立與傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給該主機(jī)系統(tǒng)。14.如權(quán)利要求13所述的閃存測(cè)試方法，其中建立該測(cè)試狀態(tài)信息的步驟包括記錄每一所述閃存晶粒的目前測(cè)試進(jìn)度；以及記錄每一所述閃存晶粒中該損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。15.如權(quán)利要求10所述的閃存測(cè)試方法，其中建立該錯(cuò)誤列表的步驟包括記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型；以及記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。16.如權(quán)利要求10所述的閃存測(cè)試方法，更包括將該錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在所述實(shí)體區(qū)塊的任一之中。17.一種具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，包括一連接器，用以連接一主機(jī)系統(tǒng)；多個(gè)快閃記體晶粒，每一所述閃存晶粒包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊；以及一閃存控制器，連接到該連接器與所述閃存晶粒，其中，該閃存控制器用以同時(shí)地使能每一所述閃存晶粒，并以一廣播方式在每一所述閃存晶粒的每一實(shí)體區(qū)塊中同時(shí)寫(xiě)入一測(cè)試數(shù)據(jù)，其中，該閃存控制器會(huì)從每一所述實(shí)體區(qū)塊中讀取該測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為一損壞實(shí)體區(qū)塊。18.如權(quán)利要求17所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中，該閃存控制器用以根據(jù)該測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)生一錯(cuò)誤檢查與校正碼，依據(jù)該錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的該測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行一檢查與校正，并且根據(jù)該檢查與校正的結(jié)果判斷每一所述實(shí)體區(qū)塊是否為該損壞實(shí)體區(qū)塊。19.如權(quán)利要求17所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該閃存控制器根據(jù)每一所述閃存晶粒的一識(shí)別碼(ID)產(chǎn)生欲寫(xiě)入的多個(gè)實(shí)體地址，并依據(jù)所述實(shí)體地址將該測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入至所述實(shí)體區(qū)塊中。20.如權(quán)利要求17所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該閃存控制器動(dòng)態(tài)地傳送一測(cè)試狀態(tài)信息給該主機(jī)系統(tǒng)。21.如權(quán)利要求20所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該測(cè)試狀態(tài)信息包括一目前狀態(tài)區(qū)位，記錄每一所述閃存晶粒的測(cè)試進(jìn)度；以及一錯(cuò)誤數(shù)字段，記錄每一所述閃存晶粒中該損壞實(shí)體區(qū)塊的數(shù)目。22.如權(quán)利要求17具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該閃存控制器建立一錯(cuò)誤列表，用以記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的相關(guān)信息。23.如權(quán)利要求22所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該錯(cuò)誤列表包括一錯(cuò)誤狀態(tài)區(qū)位，記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的錯(cuò)誤類(lèi)型；以及一地址字段，記錄判斷為該損壞實(shí)體區(qū)塊的實(shí)體區(qū)塊的地址。24.如權(quán)利要求22所述的具閃存測(cè)試功能的閃存儲(chǔ)存系統(tǒng)，其中該閃存控制器將該錯(cuò)誤列表儲(chǔ)存在所述實(shí)體區(qū)塊的任一之中。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種具閃存測(cè)試功能的閃存控制器，其包括微處理器單元、閃存接口單元、主機(jī)接口單元與存儲(chǔ)單元測(cè)試單元。閃存接口單元用以連接多個(gè)閃存芯片，其中每一閃存芯片包括多個(gè)閃存晶粒且每一閃存晶粒包括多個(gè)實(shí)體區(qū)塊。主機(jī)接口單元用以連接一主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)單元測(cè)試單元用以判斷這些閃存芯片的實(shí)體區(qū)塊是否可被正常地寫(xiě)入、讀取與抹除。基此，根據(jù)本發(fā)明的閃存控制器可在主機(jī)系統(tǒng)的指示下進(jìn)行閃存芯片的測(cè)試并且確保此閃存芯片內(nèi)的所有實(shí)體區(qū)塊皆可完成測(cè)試。文檔編號(hào)G11C29/56GK101853692SQ20091012926公開(kāi)日2010年10月6日申請(qǐng)日期2009年4月3日優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日發(fā)明者王敏丞,趙偉程,陳本慧申請(qǐng)人:群聯(lián)電子股份有限公司