專利名稱：缺陷檢查方法以及使用該方法的磁盤驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及提高磁盤缺陷檢測過程的準(zhǔn)確度的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動器(HDD )是被適配為使用磁頭記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲設(shè) 備。近年來，傳統(tǒng)HDD的數(shù)據(jù)存儲容量、設(shè)備的集成密度以及物理大小的 小型化全部都在增強(qiáng)。在磁盤旋轉(zhuǎn)方向上的數(shù)據(jù)記錄密度可以使用每英寸比 特(BPI)值來表示。在橫穿磁盤的徑向方向上的數(shù)據(jù)記錄密度可以使用每 英寸磁軌(TFI)值來表示。然而，如所表示的，在當(dāng)今的HDD中，數(shù)據(jù)記 錄密度已經(jīng)迅速增加。結(jié)果，需要更好的及更精密的機(jī)制來讀取已經(jīng)以極大 增加的密度記錄在最新的HDD上的數(shù)據(jù)。
在HDD中所使用的"》茲盤，，記錄介質(zhì)將典型地包括正常和缺陷區(qū)域。 與由正常數(shù)據(jù)讀取所產(chǎn)生的信號相比，寫入到某些物理上有缺陷的區(qū)域的數(shù) 據(jù)被再現(xiàn)為具有降低的幅度和/或減弱的信噪比的信號。在某個(gè)方面，從對有 缺陷的硬盤區(qū)域的數(shù)據(jù)讀取:操作中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號的 一致性不能夠確保。因 而，在制造HDD的過程中，必須執(zhí)行磁盤缺陷檢查，以便確保HDD的性 能質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種缺陷檢查方法，該方法選擇使對HDD中的磁 盤進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作的信號噪聲最小化的記錄密度。
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種缺陷檢查方法，該方法包括關(guān)于除 磁盤驅(qū)動器的磁盤之外的磁盤驅(qū)動器的部件的因素，確定用于磁盤缺陷檢測 的獨(dú)立的記錄密度值；并使用用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值來執(zhí)行 》茲盤缺陷檢查。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種磁盤驅(qū)動器，包括被適配為存儲數(shù)據(jù)的磁盤；磁頭，用于在寫操作期間將測試圖案數(shù)據(jù)寫入到磁盤上的測試區(qū)
域、以及在讀操作期間從測試區(qū)域讀取測試圖案數(shù)據(jù)用以產(chǎn)生對應(yīng)的測試圖
案信號；自動增益控制(AGC)電路，用于依照對應(yīng)的測試圖案信號的幅值 來控制增益值；以及控制器，用于在多個(gè)寫操作期間以及在多個(gè)讀操作期間 控制磁頭，每一個(gè)寫操作是關(guān)于多個(gè)記錄密度值中的一個(gè)來執(zhí)行的，每一個(gè) 讀操作是在多個(gè)寫操作中的對應(yīng)的一個(gè)之后執(zhí)行的，用以產(chǎn)生對應(yīng)的測試圖 案信號，并且該控制器還用于關(guān)于對應(yīng)的測試圖案信號和AGC電路增益值 來選擇多個(gè)記錄密度值中的一個(gè)作為獨(dú)立記錄密度值，其中該獨(dú)立記錄密度 值隨后被用在^茲盤缺陷檢查中。


將參照

示范性實(shí)施例，其中
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動器(HDD )的頭磁盤組件(head disk assembly)的平面圖2是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于控制圖1的HDD的電系統(tǒng)的方框
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的自動增益控制(AGC )電路的方框圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的缺陷檢查方法的流程圖；以及 圖5是概要說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定用于磁盤缺陷檢查的記錄密度 的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以多樣地來實(shí) 現(xiàn)以及不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅由所示的示例來限定。
的頭磁盤組件(HDA)進(jìn)行組合來實(shí)現(xiàn)。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的HDD中的HAD IO的主要機(jī)械部件。參 照圖1， HAD 10包括由主軸電機(jī)14旋轉(zhuǎn)的至少一個(gè)磁》茲盤12以及靠近磁 盤12的表面放置的換能器(transducer)(未示出)。
換能器檢測磁盤12的磁場并磁化磁盤12,從而使得能夠記錄和再現(xiàn)信 息。將換能器描述為單個(gè)部件，但應(yīng)當(dāng)理解的是，換能器可以包括用于磁化磁盤12的寫換能器(也稱為"寫入器")以及用于檢測磁盤12的磁場的分
離的讀換能器(也稱為"讀出器")。讀換能器可以由磁電阻(MR)元件來 形成。
換能器可以集成到磁頭16中。磁頭16被配置為在換能器和磁盤12的 表面之間產(chǎn)生空氣軸承(bearing)。磁頭16集成到^茲頭組組件22 (HSA), 該組件附在具有音圈26的致動器臂24上。音圈26靠近》茲性組件28放置以 便激勵(lì)音圈電機(jī)(VCM) 30。向音圈26提供的電流產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩，用于相對于 軸承組件32旋轉(zhuǎn)致動器臂24。致動器臂24的旋轉(zhuǎn)使換能器能夠在磁盤12 的表面來回移動。
信息存儲在磁盤12的多個(gè)同心軌道34上。軌道34中的每一個(gè)通常包 括多個(gè)扇區(qū)。每一個(gè)扇區(qū)包括數(shù)據(jù)字段和伺服字段。在伺服字段，記錄前同 步信號(preamble )、伺服地址/索引標(biāo)記(SAM/SIM)、格雷碼(gray code ) 以及突發(fā)信號。換能器在磁盤12的表面來回移動，以便在軌道34中讀取或 寫入信息。
圖2是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于控制圖1的HDD的電系統(tǒng)40的主 要組件的方框圖。參照圖2,電系統(tǒng)40包括通過讀/寫(R/W)通道電^各44 和預(yù)放大器46而連接到磁頭16的控制器42。
控制器42可以是數(shù)字信號處理器(SDP)、微處理器、微控制器等等。 控制器42通過主機(jī)接口 54接收來自主機(jī)裝置(未示出)的命令，并控制 R/W通道電路44以便從磁盤12讀取信息或?qū)⑿畔懭氲酱疟P12。
控制器42還連接到用于為音圈26提供驅(qū)動電流的音圈電機(jī)(VCM)驅(qū) 動單元48，并將控制信號發(fā)送到VCM驅(qū)動單元48以便控制-茲頭16的運(yùn)動。
在只讀存儲器(ROM)50中存儲用于控制HDD的固件和各種控制數(shù)據(jù)。 另夕卜，稍后將參照圖4和圖5所描述的用于執(zhí)行缺陷檢查方法的程序代碼和 信息4皮存儲在ROM 50中。
當(dāng)向HDD提供電源時(shí)，從磁盤12的維持磁道柱面(也稱為"系統(tǒng)磁道 柱面")的區(qū)域讀取的多條磁盤驅(qū)動器信息被加載到隨機(jī)存取存儲器(RAM) 52。具體而言，在維持磁道柱面的區(qū)域中存儲缺陷列表信息。
下面，將描述圖1和圖2的HDD的一般操作。
在數(shù)據(jù)讀取模式中，HDD通過使用在預(yù)放大器46中固定的增益值來放 大通過磁頭16從磁盤12中檢測到的電信號。之后，R7W通道電路44通過根據(jù)信號幅值自動變化增益的自動增益控制(AGC )電路來放大從預(yù)放大器 46輸出的信號，將該信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并執(zhí)行解碼處理，從而檢測數(shù)據(jù)。 控制器42通過使用里德-所羅門(Reed-Solomon )碼對檢測到的數(shù)據(jù)執(zhí)行糾 錯(cuò)處理，將檢測到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成流數(shù)據(jù)，并通過主機(jī)接口 54將該流數(shù)據(jù)發(fā) 送到主機(jī)裝置(未示出)。
之后，在數(shù)據(jù)寫模式中，HDD通過主機(jī)接口 54從主機(jī)裝置(未示出) 接收數(shù)據(jù)，控制器42將根據(jù)Reed-Solomon碼的用于糾錯(cuò)的奇偶校驗(yàn)符號添 加到該數(shù)據(jù)，R/W通道電路44將該數(shù)據(jù)編碼以適于記錄通道，以及通過^f吏 用由預(yù)放大器46所放大的記錄電流、經(jīng)由磁頭16而將數(shù)據(jù)記錄到磁盤12。
AGC電路。
參照圖3， AGC電路包括可變增益放大器310、低通濾波器(LPF)320、 模-數(shù)轉(zhuǎn)換器330和增益控制器340。
可變增益放大器310通過經(jīng)由增益控制器340所產(chǎn)生的限定的增益值 Gi來放大從預(yù)放大器46輸入的信號S—in，并將信號輸出到LPF 320。
LPF 320使從可變增益放大器310輸出的信號的低頻分量通過而阻擋高 頻噪聲。
模-數(shù)轉(zhuǎn)換器330將從LPF 320輸出的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并輸出 該數(shù)字信號。
增益控制器340接收從模-數(shù)轉(zhuǎn)換器330輸出的數(shù)字信號，并根據(jù)輸入 到增益控制器340的數(shù)字信號的幅值來控制可變增益放大器310的增益值 Gi。也就是說，當(dāng)輸入數(shù)字信號的幅值小于目標(biāo)值時(shí)，增大增益值Gi。而當(dāng) 輸入數(shù)字信號的幅值大于目標(biāo)值時(shí)，減小增益值Gi。因此，增益值Gi與輸 入到可變增益放大器310的信號的幅值成反比。
具體地，當(dāng)輸入到可變增益放大器310的信號的幅值非常小時(shí)，即使可 變增益放大器310的增益值Gi被最大化，從模-數(shù)轉(zhuǎn)換器330輸出的數(shù)字信 號的幅值也可能小于目標(biāo)值。
所示實(shí)施例中的控制器42用于當(dāng)多個(gè)記錄密度值變化時(shí)，控制測試 圖案的記錄和再現(xiàn)；當(dāng)再現(xiàn)測試圖案時(shí)，根據(jù)由圖3所示的AGC電路的增 益控制器340所產(chǎn)生的增益值Gi,確定用于磁盤缺陷檢查的記錄密度值；以 及使用所確定的用于磁盤缺陷檢查的記錄密度值，控制磁盤缺陷檢查的執(zhí)行。
另外，控制器42可以關(guān)于增益值Gi-信號重建比來確定用于磁盤缺陷檢 查的記錄密度值，其中增益值Gi-信號重建比的增益值Gi對應(yīng)于由AGC電 路的增益控制器340所產(chǎn)生的增益值Gi。另外，控制器42可以根據(jù)增益值 Gi與輸出信號S_out的幅值之比來確定用于磁盤缺陷檢查的記錄密度值，其 中輸出信號S—out是從AGC電路輸出的。
用于磁盤缺陷檢查的獨(dú)立的記錄密度值可以被單獨(dú)確定，而不管在根據(jù) 一個(gè)或多個(gè)條件或部件因素而執(zhí)行的數(shù)據(jù)讀/寫操作期間所使用的記錄密度 值如何。也就是說，不管在制造時(shí)或在讀/寫操作期間所建立的記錄密度值如 何，與磁盤缺陷檢查例程相關(guān)的獨(dú)立的記錄密度值可以被特定識別，用以運(yùn) 行用于HDD的特定的測試或診斷處理，諸如缺陷-茲盤區(qū)域的識別。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，用于磁盤缺陷檢查的獨(dú)立的記錄密度值以每 英寸比特(BPI)值的單位來表示，并與用以在讀/寫通道中處理數(shù)據(jù)的頻率 相關(guān)地來確定。如上所述，讀/寫^t據(jù)通道在HDD內(nèi)的電部件上。
在某些實(shí)施例中，在磁盤缺陷檢查期間使用的測試圖案是傳統(tǒng)上理解的 2T圖案。然而，本發(fā)明不限制于此，以及也可以在與多個(gè)記錄密度值相關(guān) 聯(lián)的獨(dú)立的記錄密度值的確定期間使用從某些其他類型的測試圖案產(chǎn)生的 測試圖案信號。
在磁盤缺陷檢查結(jié)束之后，控制器42確保合適的記錄密度值被恢復(fù)， 以用于根據(jù)HDD的預(yù)期操作條件在數(shù)據(jù)讀/寫操作期間使用。
圖4是概要說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用控制器42的磁盤缺陷檢查的 流程圖。
首先，相對于在從磁盤讀取/將數(shù)據(jù)寫入到磁盤中所使用的記錄密度值， 獨(dú)立地確定》茲盤驅(qū)動器中用于磁盤缺陷檢測的記錄密度值(S410)。因此，
"獨(dú)立的記錄密度值"是不考慮任何之前使用的"讀/寫記錄密度值"來確定 的。 一方面，獨(dú)立的記錄密度值是與當(dāng)前HDD用戶或操作條件相關(guān)聯(lián)地給 出的。這樣的當(dāng)前操作條件考慮僅僅除了與磁盤12相關(guān)聯(lián)的特定因素外的 其它各種HDD "部件因素"。因此，用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值 是通過考慮與除了磁盤12外的形成HDD的電氣的或機(jī)械的部件相關(guān)的因素 或影響來確定的。例如，在HDD中可以顯著地影響磁盤缺陷檢測例程的一 個(gè)HDD部件是磁頭16。因此，為了盡可能地減少磁頭16的影響，根據(jù)所示的實(shí)施例的缺陷檢查方法確定用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值，其 中，當(dāng)在讀/寫操作期間在正常磁盤區(qū)域中使用2T圖案作為測試圖案時(shí)，獨(dú)
立的記錄密度值是使來自2T圖案的信號被正確地維持而沒有失真的值。下 面將參照圖5的流程圖描述一種用以確定用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密 度值的 一種方法的更詳細(xì)的說明。
下面，使用如上所確定的用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值來執(zhí)行 磁盤缺陷檢測例程(S420)。也就是說，不考慮在數(shù)據(jù)讀/寫操作期間所使用 的頻率或在制造時(shí)或在之前操作期間由HDD所建立的記錄密度值，使用與 獨(dú)立的記錄密度值相關(guān)地定義的頻率來記錄測試圖案。因此，當(dāng)讀取具有在 前已記錄的測試圖案的區(qū)域時(shí)再現(xiàn)的測試圖案的幅值小于定義的閾值時(shí)，可 以確定所述數(shù)據(jù)區(qū)域?yàn)槿毕輩^(qū)域。這里，使用2T圖案作為測試圖案，以及 閾值可以是實(shí)驗(yàn)地及統(tǒng)計(jì)地獲得的基準(zhǔn)值，通過該基準(zhǔn)值可以區(qū)分正常數(shù)據(jù) 區(qū)域和有缺陷的數(shù)據(jù)區(qū)域。
通過執(zhí)行磁盤缺陷檢查例程，產(chǎn)生缺陷列表(S430),其中缺陷列表包 括有關(guān)在磁盤缺陷檢查例程期間檢測到的區(qū)域的磁盤位置信息。缺陷列表可 以存儲在磁磁盤12的維持磁道柱面區(qū)域。在后續(xù)的數(shù)據(jù)寫操作期間，缺陷 列表可以用于避免將數(shù)據(jù)寫入到缺陷區(qū)域。
圖5是概述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定用于磁盤缺陷檢查的獨(dú)立的記錄密 度值的方法(諸如圖4的操作S410中所執(zhí)行的一個(gè))的流程圖。
控制器42首先確定磁盤驅(qū)動器是否已被切換到獨(dú)立的記錄密度值確定 模式(S501)。用于磁盤缺陷檢查的獨(dú)立的記錄密度值確定模式是用來在執(zhí) 行磁盤缺陷檢查之前確定單獨(dú)應(yīng)用于磁盤缺陷檢查的最優(yōu)記錄密度值。
一旦處于獨(dú)立的記錄密度值確定模式(S501-是)，則控制器42將每英 寸比特值或BPI(i)值設(shè)置為初始記錄密度值或BPI(O) (S502)。這里，初始 BPI(O)值表示可以用于磁盤缺陷檢查的最小記錄密度值。作為參照，本發(fā)明 的實(shí)施例可以預(yù)設(shè)可用于磁盤缺陷檢查的多個(gè)記錄密度值(如，BPI(O)、
BPI(l)、 BPI(2).......以及BPI(i—max))。控制器42可以接著選擇多個(gè)記錄
密度值中最合適用于預(yù)期的磁盤缺陷檢查的記錄密度值。
下面，將測試圖案寫入到在磁盤12內(nèi)所標(biāo)識的測試區(qū)域(S503 )。所示 出的實(shí)施例^^定傳統(tǒng)上理解的2T測試圖案作為測試圖案。
在將測試圖案寫入到測試區(qū)域之后，接著從測試區(qū)域讀取測試圖案(S504)。
從所讀取的記錄在測試區(qū)域的測試圖案中，檢測并存儲與AGC電路相 關(guān)的或由AGC電路控制的增益值Gi以及AGC電路的結(jié)果輸出信號的幅值 (S505 )。
在存儲增益值或輸出信號幅值之后，做出"當(dāng)前BPI(i)值"(即，在磁盤 缺陷檢查期間用于在HDD中當(dāng)前建立記錄密度值的BPI(i)值)是否對應(yīng)于 最大的BPI(i—max)值的確定(S506 )。
如果當(dāng)前BPI(i)值不是最大的BPI(i—max),則增加當(dāng)前BPI(i) ( S507 )
并重復(fù)測試圖案寫/讀/檢測循環(huán)。然而， 一旦當(dāng)前BPI(i)達(dá)到最大的
BPI(i一max),則使用通過寫/讀/;險(xiǎn)測循環(huán)導(dǎo)出的值來計(jì)算與多個(gè)記錄密度值中 的每一個(gè)相關(guān)聯(lián)的每個(gè)記錄密度的增益值一信號重建比(S508)。由每一記錄
密度值的記錄密度-信號重建比來表示的每一記錄密度的增益值，意思是在 AGC電路中產(chǎn)生的、與多個(gè)記錄密度BPI(i)值中的每一個(gè)相關(guān)的增益值Gi。 更具體而言，通過計(jì)算多個(gè)增益值Gi的平均值獲得每一個(gè)記錄密度的 增益值，多個(gè)增益值Gi是在AGC電路中針對多個(gè)記錄密度BPI(i)值中的每 一個(gè)來檢測的。之后，每一記錄密度的增益值-每一記錄密度的信號重建比 中的每一記錄密度的重建比是通過將AGC電路的輸出信號的目標(biāo)幅值與 AGC電路的實(shí)際輸出信號的幅值相比較來計(jì)算的。AGC電路的實(shí)際輸出信 號的幅值意思是在操作S505期間在AGC電路中檢測并存儲的輸出信號的幅 值的平均值。之后，每一記錄密度的重建比除以每一記錄密度的增益值，以 便計(jì)算每一記錄密度的增益值-每一記錄密度的信號重建比。
最后，根據(jù)每一記錄密度的增益值-每一計(jì)算的記錄密度的信號重建比 來確定最優(yōu)BPI值(S509)。例如，最優(yōu)BPI值可以是用于產(chǎn)生記錄密度的 增益值-每一記錄密度的信號重建比當(dāng)中最接近目標(biāo)值的增益值-信號重建比 的BPI值。這里，目標(biāo)值可以被定義為在磁盤缺陷檢測例程期間用于最小化 磁頭16的影響的最適當(dāng)?shù)闹?。可以利用?shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)上獲得目標(biāo)值。
下面說明用于確定最優(yōu)BPI值的一種可行的方法。
計(jì)算初始目標(biāo)值和與每一記錄密度相關(guān)聯(lián)的每一記錄密度的增益值-信 號重建比之間的差值。接著，可以將在與每一記錄密度相關(guān)聯(lián)的多個(gè)計(jì)算的 差值當(dāng)中的計(jì)算的差值中的一個(gè)識別為最小值。以這種方式，可以確定多個(gè) 記錄密度值中的一個(gè)為用于磁盤缺陷檢測的恰當(dāng)?shù)挠涗浢芏戎怠Ｔ诒景l(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)每一記錄密度的增益值-每一記錄密度 的信號重建比來確定最優(yōu)BPI值。然而，根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例，可以僅
使用AGC電路的每一記錄密度的增益值來確定最優(yōu)BPI值。也就是說，在 這種情況下，具有最接近目標(biāo)增益值且屬于針對每一記錄密度而計(jì)算的增益 值中的增益值的記錄密度可以被確定作為用于磁盤缺陷檢測的記錄密度值。 另外，可以根據(jù)通過將對于每一記錄密度的AGC電路的輸出信號的幅 值除以AGC電路的增益值而荻得的值來確定最優(yōu)BPI值。也就是說，在這 種情況下，產(chǎn)生下述計(jì)算值的記錄密度可以被確定為用于^茲盤缺陷檢測的記 錄密度值該計(jì)算值屬于通過將對于每一記錄密度的AGC電路的輸出信號 的幅值除以AGC電路的增益值所獲得的計(jì)算值并且該計(jì)算值最接近目標(biāo) 值。
本發(fā)明不限制于此以及可以使用根據(jù)對于每一記錄密度的增益值和在 AGC電路中產(chǎn)生的輸出信號的多種多樣的技術(shù)來確定用于磁盤缺陷檢查的 最優(yōu)記錄密度。
僅當(dāng)執(zhí)行磁盤缺陷檢查時(shí)，才使用所確定的用于磁盤缺陷檢查的記錄密 度值。在完成磁盤缺陷檢查之后，恢復(fù)最初在磁盤驅(qū)動器上設(shè)置的記錄密度 值。
本發(fā)明可以作為方法、設(shè)備和系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)在軟件中實(shí)現(xiàn)本方法時(shí)， 其部件元素是執(zhí)行必要操作的代碼段。程序或代碼段可以被存儲在處理器可 讀介質(zhì)中并可以在傳輸媒介中或在通信網(wǎng)絡(luò)中通過與載波相結(jié)合的計(jì)算機(jī) 數(shù)據(jù)信號來發(fā)送。處理器可讀介質(zhì)可以是任一能夠存儲并發(fā)送數(shù)據(jù)的介質(zhì)。 處理器可讀介質(zhì)的示例包括電子電路、半導(dǎo)體存儲器設(shè)備、ROM、快閃存儲 器、可擦除ROM (EROM)、軟盤、光、硬盤、光纖、射頻(RF)網(wǎng)絡(luò)等。 計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號可以能夠經(jīng)由傳輸介質(zhì)來發(fā)送的任一信號，諸如電網(wǎng)絡(luò)信 道、光纖、空氣、電場、RF網(wǎng)絡(luò)等。
以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，而不脫離下面權(quán)利要求的范圍。
對相關(guān)文件的交叉使用
本申請要求于2008年4月3日申請的韓國專利申請?zhí)柎a 10-2008-0031372的權(quán)益，其實(shí)質(zhì)內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種缺陷檢查方法，包括關(guān)于除磁盤驅(qū)動器的磁盤之外的磁盤驅(qū)動器的部件因素，確定用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值；以及利用所述用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值來執(zhí)行磁盤缺陷檢查。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其中，確定所述用于磁盤缺 陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值而不考慮之前的讀/寫操作期間由所述磁盤驅(qū)動 器所使用的記錄密度值。
3、 根據(jù)權(quán)利要求I所述的缺陷檢查方法，其中，所述用于磁盤缺陷檢 測的獨(dú)立的記錄密度值包括每英寸比特(BPI)值。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其中，所述用于磁盤缺陷檢 測的獨(dú)立的記錄密度值是關(guān)于用來在所述磁盤驅(qū)動器的讀/寫通道中處理數(shù) 據(jù)的頻率來確定的。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其中，所述確定所述用于磁 盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值包括對于在多個(gè)記錄密度值當(dāng)中的當(dāng)前記錄密度值，將測試圖案寫入到所述 石茲盤的測試區(qū)域；讀取所述測試區(qū)域，用以獲得再現(xiàn)測試圖案信號；計(jì)算對于與所述當(dāng)前記錄密度值對應(yīng)的再現(xiàn)測試圖案信號的增益值-信 號重建比；以及將所述當(dāng)前記錄密度值增加到最大記錄值。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷檢查方法，進(jìn)一步包括 在計(jì)算與對于與多個(gè)記錄密度值中的每一個(gè)對應(yīng)的再現(xiàn)測試圖案信號的每一增益值-信號重建比相關(guān)聯(lián)的增益值之后，關(guān)于與最接近于所定義的初始目標(biāo)值的值-重建比的值相關(guān)聯(lián)的增益值來確定所述多個(gè)記錄密度值中最優(yōu)的一個(gè)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述缺陷檢查方法，其中，每一增益值-信號重建比 的每一增益值是用于放大增益的自動增益控制(AGC)電路的增益值，該增 益依照對應(yīng)的再現(xiàn)測試圖案信號的幅值來變化。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其中，所述確定所述用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值包括針對多個(gè)記錄密度值中的每一個(gè)，將測試圖案寫入到測試區(qū)域； 檢測自動增益控制(AGC)電路的增益值，其中所述增益依照通過讀取所述測試區(qū)域再現(xiàn)的測試圖案信號的幅值來變化；以及關(guān)于所述多個(gè)記錄密度值及對應(yīng)的增益來確定最接近于初始目標(biāo)值的最優(yōu)增益值。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其中，所述確定所述用于f茲 盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值包括關(guān)于多個(gè)記錄密度值，連續(xù)地寫入測試圖像；針對所述多個(gè)記錄密度值中的每一個(gè)，測量與值-輸出信號幅值比相關(guān) 聯(lián)的增益，其中，所述增益值對應(yīng)于自動增益控制(AGC)電路的增益，該 增益依照通過讀取已寫入的測試圖案而再現(xiàn)的針對記錄密度值的測試圖案 信號的幅值來改變，其中所述增益值-輸出信號幅值比的輸出信號幅值是由 AGC電路輸出的信號的幅值；以及將所述多個(gè)記錄密度值中的一個(gè)確定為用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記 錄密度值，其中，所述獨(dú)立的記錄密度值對應(yīng)于與最接近于初始目標(biāo)值的值 -輸出信號幅值比相關(guān)聯(lián)的增益值。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1的所述缺陷檢查方法，進(jìn)一步包括將測試圖案寫入到所述磁盤的測試區(qū)域，通過從所述測試區(qū)域中讀取所 述測試圖案來生成測試圖案信號，以及當(dāng)所述測試圖案的幅值小于閾值時(shí)確 定所述測試區(qū)域是否是所述磁盤的缺陷區(qū)域。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的缺陷檢測方法，進(jìn)一步包括產(chǎn)生指示通過寺丸^f于所述》茲盤缺陷一企查而識別的所述》茲盤的一個(gè)或多個(gè) 缺陷區(qū)域的缺陷列表。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的缺陷檢測方法，進(jìn)一步包括 根據(jù)定義的操作條件恢復(fù)用于在讀/寫操作期間使用的記錄密度值。
13、 一種》茲盤驅(qū)動器，包括 磁盤，被適配為存儲數(shù)據(jù)；磁頭，用于在寫操作期間將測試圖案數(shù)據(jù)寫入到所述磁盤上的測試區(qū) 域，以及在讀操作期間從所述測試區(qū)域中讀取所述測試圖案數(shù)據(jù)用以生成對 應(yīng)的測試圖案信號；自動增益控制(AGC)電路，用于依照對應(yīng)的測試圖案信號的幅值控制增益值；以及控制器，用于在多個(gè)寫操作期間和在多個(gè)讀操作期間控制所述^f茲頭，每 個(gè)寫操作是關(guān)于多個(gè)記錄密度值中的一個(gè)執(zhí)行的，每一個(gè)讀操作是在所述多 個(gè)寫操作中的對應(yīng)的一個(gè)之后執(zhí)行的，用以產(chǎn)生對應(yīng)的測試圖案信號，該控制器還用于關(guān)于對應(yīng)的測試圖案信號和AGC電路增益來選擇多個(gè)記錄密度 值中的一個(gè)作為獨(dú)立的記錄密度值，其中所述獨(dú)立的記錄密度值此后被用在 磁盤缺陷檢查中。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的,茲盤驅(qū)動器，其中，關(guān)于用于在HDD的讀 /寫通道中處理數(shù)據(jù)的頻率，確定所述用于磁盤缺陷檢查的獨(dú)立的記錄密度 值。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤驅(qū)動器，其中，當(dāng)所述AGC電路的增 益值被用于產(chǎn)生最接近于初始目標(biāo)值的記錄密度值時(shí)，所述控制器確定記錄 密度值為用于磁盤缺陷檢測的記錄密度值。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤驅(qū)動器，其中，所述控制器根據(jù)增益 值-信號重建比來確定用于磁盤缺陷檢查的所述記錄密度值，其中所述增益-信號重建比的增益值對應(yīng)于再現(xiàn)所述測試圖案時(shí)所述AGC電^^的增益值。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤驅(qū)動器，其中，所述控制器根據(jù)增益 值-輸出信號幅值比來確定用于磁盤缺陷檢查的所述記錄密度值，其中所述 增益值-輸出信號幅值比的增益值對應(yīng)于再現(xiàn)所述測試圖案時(shí)所述AGC電路 的增益值，以及所述增益值-輸出信號幅值比的輸出信號幅值是從所述AGC 電路輸出的信號的幅值。
18、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤驅(qū)動器，其中，所述磁盤缺陷檢查包 括通過利用所述用于磁盤缺陷檢查的記錄密度值來將所述測試圖案記錄到 所述磁盤，再現(xiàn)其上已記錄所述測試圖案的區(qū)域，以及當(dāng)所述再現(xiàn)的測試圖 案的幅值小于數(shù)據(jù)區(qū)域中的閾值時(shí)，確定所述數(shù)據(jù)區(qū)域?yàn)槿毕輩^(qū)域。
19、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁盤驅(qū)動器，其中，所述控制器根據(jù)用戶 條件恢復(fù)所述磁盤驅(qū)動器的記錄密度值為在數(shù)據(jù)讀/寫中所使用的記錄密度 值。
全文摘要
提供一種磁盤缺陷檢測的方法和裝置。所述缺陷檢查方法包括關(guān)于除所述磁盤驅(qū)動器的磁盤之外的磁盤驅(qū)動器的部件因素，確定用于磁盤缺陷檢測的獨(dú)立的記錄密度值，以及使用用于磁盤缺陷檢測的所述獨(dú)立記錄密度值來執(zhí)行磁盤缺陷檢查。
文檔編號G11B20/18GK101552020SQ20091013384
公開日2009年10月7日 申請日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月3日
發(fā)明者趙才德, 鄭承烈, 金世賢 申請人:三星電子株式會社