專利名稱：缺陷區(qū)域管理方法及裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及只寫一次的光學記錄介質(zhì)，用于管理其中缺陷管理信息的方法和 裝置，尤其涉及用于分配臨時缺陷管理區(qū)域的方法和裝置、用于對缺陷管理分配備 用區(qū)域的方法、以及光學記錄介質(zhì)，其中在諸如Blu-ray (藍射線)盤的只寫一次 類型的光學記錄介質(zhì)上分配臨時缺陷管理區(qū)域和備用區(qū)域。
背景技術(shù)：
作為一類光學記錄介質(zhì)，光盤可記錄大量數(shù)據(jù)并得到了廣泛的使用。當前， 諸如藍射線(Blu-my)盤的一類新穎的高密度數(shù)字多功能盤(HD-DVD)正在開發(fā) 中。該類介質(zhì)可長時間地記錄并存儲高質(zhì)量的視頻數(shù)據(jù)和高保真的音頻數(shù)據(jù)。Blu-ray盤是可存儲比常規(guī)DVD更多數(shù)據(jù)量的新一代光學記錄方案。Blu-ray盤一般采用波長為405納米的紫光藍激光。該波長比常規(guī)DVD上使 用的紅色激光短。紅色激光的波長是650納米。Blu-ray盤厚度為1.2毫米直徑為 12厘米，并包括厚度約為0.1毫米的光線傳送層。因此，Blu-ray盤可存儲比常規(guī) DVD更多的數(shù)據(jù)量。用于讀寫B(tài)lu-ray盤上數(shù)據(jù)的光盤裝置如圖1所示。它包括用于從光盤10中 讀寫信號的光學采集器11、用于將從光學采集器11中讀取的信號處理成重放信號， 或用于將外部輸入數(shù)據(jù)流調(diào)制并處理成適于記錄的記錄信號的視頻盤記錄儀 (VDR)系統(tǒng)12、以及用于編碼外部輸入的模擬信號并將已編碼的模擬信號輸出 到VDR系統(tǒng)12的編碼器13。Blu-ray盤可以是可改寫類型的，在此稱為Blu-my可改寫盤(BD-RE)。 BD-RE 具有可改寫功能，使得視頻和音頻數(shù)據(jù)能在其上重復寫入、擦除、并改寫。如圖2所示的BD-RE分成導入?yún)^(qū)域(UA)、數(shù)據(jù)區(qū)域和導出區(qū)域(LOA)， 且數(shù)據(jù)區(qū)域的前后都分配有內(nèi)部備用區(qū)域(ISA)和外部備用區(qū)域(OSA)。使用以上述方式配置的BD-RE，圖1所示的光盤裝置的VDR系統(tǒng)12將外部 輸入的數(shù)據(jù)編碼并調(diào)制成適于記錄的信號，并按對應于錯誤校正塊單元的簇單元進 行記錄。如果在BD-RE上記錄數(shù)據(jù)時在數(shù)據(jù)區(qū)域中出現(xiàn)了缺陷區(qū)域，則根據(jù)線性 替換操作在缺陷區(qū)域上記錄的一個簇單元數(shù)據(jù)也被記錄在備用區(qū)域上(例如 BD-RE上的內(nèi)部備用區(qū)域)。可執(zhí)行一系列的線性替換操作。因此，即使在可改寫B(tài)lu-ray盤的數(shù)據(jù)區(qū)域中出現(xiàn)了缺陷區(qū)域，光盤裝置的 VDR系統(tǒng)12仍然將在缺陷區(qū)域上記錄的簇單元數(shù)據(jù)記錄到備用區(qū)域上。當對可改 寫B(tài)lu-ray盤執(zhí)行回放操作時，讀取并重放記錄在備用區(qū)域上的數(shù)據(jù)從而可防止數(shù) 據(jù)錄制出錯。有關Blu-ray盤的各種標準正在開發(fā)中。在這方面，數(shù)據(jù)不能改寫(不可改寫的)而只能寫一次的第二類Blu-ray盤， 在此稱為只寫一次的Blu-ray盤(BD-WO)。當不需要重復改寫數(shù)據(jù)時，只寫一次 的Blu-ray盤就有用了。在BD-WO中，需要管理缺陷區(qū)域。但是由于可在BD-RE上重復記錄數(shù)據(jù)(因為BD-RE的特征)，可改寫B(tài)lu-ray 盤的缺陷管理區(qū)域(DMA)的大小相對較小(參見圖2中的DMA1 DMA4)。相 反，由于在只寫一次Blu-ray盤上只能記錄數(shù)據(jù)一次，BD-WO中管理缺陷區(qū)域所 需的區(qū)域比只寫一次Blu-ray盤所需區(qū)域大。因此，應將足夠大的缺陷管理區(qū)域分 配給BD-WO。當應用了橫截面雙層記錄技術(shù)使得該盤一側(cè)上具有0.85 NA (透鏡數(shù)字孔徑) 的兩個記錄層時，具有足夠大的缺陷管理區(qū)域的諸如BD-WO的Blu-ray盤可存儲 比常規(guī)DVD更大量的數(shù)據(jù)。存儲容量的增長通過經(jīng)透鏡到達光盤的近距離輻射射 線來獲取。Blu-ray盤一般具有高數(shù)字孔徑透鏡、增大的密度、以及0.32pm的磁跡間距。 使用Blu-ray盤技術(shù)制造的光盤能以比DVD ROM和CD ROM快得多的速度來傳 送數(shù)據(jù)。在格式化視頻和音頻數(shù)據(jù)時，當前應用于DVD的諸如MPEG2 (視頻)、 AC3、 MPEG1和層2 (音頻)的格式化方法應當用來保持與常規(guī)方法的兼容性。 有效保護數(shù)據(jù)的HD-DVD類盤(諸如BD-WO)的特征應當是使得其數(shù)據(jù)可在大 多數(shù)當前使用的常規(guī)DVD盤上存儲并從其中進行復制。5發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及諸如BD-WO的只寫一次光學記錄介質(zhì)、其缺陷管理信息 管理方法、以及用于實現(xiàn)該方法的裝置，基本上避免了因背景技術(shù)的限制和缺點而 引起的一個或多個問題。本發(fā)明的一個目的是要提供用于管理只寫一次光學記錄介質(zhì)上的缺陷管理信 息的方法，以及包括缺陷管理信息的記錄區(qū)域的記錄介質(zhì)。本發(fā)明的另一 目的是要提供對只寫一次Blu-ray盤的缺陷管理方法，以及包括 缺陷管理信息的記錄區(qū)域的記錄介質(zhì)。本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征將在隨后的說明書中進行部分地陳述，且它 們對本領域技術(shù)人員而言在仔細閱讀隨后的內(nèi)容之后將部分地變得更為顯然，或者 可從本發(fā)明的實踐中學習。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可通過在說明書及其權(quán)利要求 書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)并獲取。為了達到這些目的和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此包括并廣泛描述 地，對只寫一次記錄介質(zhì)的缺陷管理方法包括管理具有至少一個記錄層的只寫一次 的光學記錄介質(zhì)上的缺陷的方法，該方法包括將至少一個替換區(qū)域和多個臨時缺陷 管理區(qū)域分配到光學記錄介質(zhì)的步驟，其中臨時缺陷管理區(qū)域是分別提供的；并將 缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區(qū)域的至少之一上。在本發(fā)明的另一方面中，管理只寫一次的光學記錄介質(zhì)上的缺陷的裝置具有 至少一個記錄層，該裝置包括用于將至少一個替換區(qū)域和多個臨時缺陷管理區(qū)域分 配到光學記錄介質(zhì)的步驟，其中臨時缺陷管理區(qū)域被分別提供；以及用于將缺陷管 理信息記錄在多個臨時缺陷管理區(qū)域的至少之一上的裝置。在本方面的又一方面中，只寫一次的光學記錄介質(zhì)包括至少一個替換區(qū)域； 以及多個分配到光學記錄介質(zhì)的臨時缺陷管理區(qū)域，其中臨時缺陷管理區(qū)域被分別 提供?？梢岳斫猓景l(fā)明的前面一般描述和隨后詳細描述都是示例性和解釋性的， 并且旨在提供本發(fā)明的如權(quán)利要求聲明的進一步解釋。


參閱附圖和以下詳細說明書，本發(fā)明的其它目標和優(yōu)點可得到更全面的理解，其中圖1是一般光盤裝置的示意配置；圖2示出BD-RE記錄區(qū)域的配置；圖3示出本發(fā)明BD-WO的光盤裝置的示意配置；圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的只寫一次光學記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域的一個示例；圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的只寫一次光學記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域的另一示例；圖6示出根據(jù)本發(fā)明又一實施例的只寫一次光學記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域的又一示例；圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的只寫一次光學記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域的另一示例；圖8示出本發(fā)明的臨時缺陷管理區(qū)域使用方法的一個示例；圖9示出本發(fā)明的臨時缺陷管理區(qū)域使用方法的另一示例；圖10示出本發(fā)明的臨時缺陷管理信息的合成方法的一個示例；圖11示出本發(fā)明的臨時缺陷管理信息的合成方法的另一示例；圖12根據(jù)本發(fā)明一實施例示出TDDS的配置和信息內(nèi)容的一個示例；圖13是示出本發(fā)明的臨時缺陷管理區(qū)域的已滿標記配置的一個示例的示圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將詳細引用本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。可能時，相同 的標號將在所有附圖中使用以指相同或相似的部件。參見圖13，根據(jù)本發(fā)明的BD-WO的光盤記錄/復制裝置20包括光學采集器 22，用于從諸如BD-WO的光學記錄介質(zhì)21中讀/寫數(shù)據(jù)、用于控制光學采集器22 以保持光學采集器22中物鏡和光學記錄介質(zhì)21之間距離并用于跟蹤附著軌跡的的 采集伺服單元23、用于處理輸入數(shù)據(jù)并將其提供給光學采集器22的數(shù)據(jù)處理器24、 用于與外部主機30交換數(shù)據(jù)的接口25、用于擦除有關缺陷管理的信息的存儲器27、 以及用于控制以上單元的微型計算機26。裝置20的所有組件在操作上都可耦合。 主機30與裝置20的接口 25相連，用于記錄/復制送往/來自光學記錄介質(zhì)21的數(shù) 據(jù)以交換命令和數(shù)據(jù)。當載入諸如BD-WO的光學記錄介質(zhì)時，裝置20將諸如DMA (缺陷管理區(qū) 域)信息、TDMA (臨時缺陷管理區(qū)域)信息等的有關缺陷管理的信息載入存儲器 27或其它適當存儲器。在操作期間，存儲器27根據(jù)缺陷管理操作周期性地更新?，F(xiàn)有方法可使用圖1和圖3中所示的裝置或其它適當裝置或系統(tǒng)來實現(xiàn)。圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的BD-WO的記錄區(qū)域配置的一個示例。圖4 中所示的BD-WO具有單層盤的結(jié)構(gòu)(即它具有單個記錄層)。此外，圖4中所示 的BD-WO包括導入?yún)^(qū)域(LIA)、數(shù)據(jù)區(qū)域和導出區(qū)域(LOA)。用戶數(shù)據(jù)區(qū)域位 于數(shù)據(jù)區(qū)域。導入和導出區(qū)域包括最終的或持久的缺陷管理區(qū)域(DMA 1~DMA 4)。每個區(qū)域中所示箭頭分別表示數(shù)據(jù)記錄方向的示例。根據(jù)本發(fā)明，臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1或TDMA2)在BD-WO的導入?yún)^(qū) 域和數(shù)據(jù)區(qū)域中提供。在此，TDMA (臨時缺陷管理區(qū)域)可與最終缺陷管理區(qū)域 (DMA 1、 DMA2、 DMA 3、 DMA4)區(qū)分開。特別地，臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA) 是在BD-WO完成之前用來"臨時"記錄并管理缺陷管理信息的BD-WO區(qū)域。然 后，缺陷管理信息被記錄到圖4所示記錄層的多個缺陷管理區(qū)域至少一個上，例如 DMA 1~DMA 4。例如當已經(jīng)完成將數(shù)據(jù)記錄在BD-WO的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域時， BD-WO被視為要完成了。圖4所示BD-WO的數(shù)據(jù)區(qū)域包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)域、內(nèi)部備用區(qū)域(ISAO)和 外部備用區(qū)域(OSA0)。在OSA0中提供了第二個TDMA2。 OSAO還可包括一個 替換區(qū)域R/A，用于替換記錄對應于用戶數(shù)據(jù)區(qū)域中缺陷的數(shù)據(jù)。整個ISA0可用 作R/A。 g卩，在圖4所示實施例中，可在BD-WO上的指定區(qū)域分開提供多個臨時 缺陷管理區(qū)域(TDMA1、 TDMA 2)。例如，TDMA 1在導入?yún)^(qū)域中提供，而TDMA 2在外部備用區(qū)域中提供。這種指定區(qū)域的一個示例是BD-WO的內(nèi)部圓周區(qū)域和 外部圓周區(qū)域。特別地，圖4示意地示出內(nèi)部圓周區(qū)域在內(nèi)部圓周區(qū)域提供而外部 圓周區(qū)域在數(shù)據(jù)區(qū)域的末端部分提供。在BD-WO外部圓周區(qū)域中提供的TDMA2的大小可以是固定的。另一方面， TDMA2的大小可根據(jù)備用區(qū)域(例如OSA0)的大小而改變。在更具體的示例中， 當OSA的大小是Nx 256簇時，TDMA2的大小是Mx 256簇。在此，M是根據(jù) N/4確定的整數(shù)(M=N/4)。例如，當N-64時，備用區(qū)域(OSA0)的大小是16384 簇，且因為M-N/4， TDMA2的大小是4096簇。為什么在BD-WO的外部圓周區(qū)域中提供的TDMA 2的大小可根據(jù)備用區(qū)域 (OSA0)的大小而改變是有原因的。 一個原因是，當在備用區(qū)域中提供要寫入數(shù) 據(jù)的替換區(qū)域時，替換區(qū)域的大小、臨時缺陷管理區(qū)域的大小和備用區(qū)域的大小是 互相相關的。如果其中之一的大小減小，則其它的大小將增大(反之亦然)。與 TDMA2的大小相比，在該特定實施例中，在內(nèi)部圓周區(qū)域(導入?yún)^(qū)域)內(nèi)提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1)的大小保持固定值。在本發(fā)明的該實施例中，導入 區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1)可根據(jù)TDMA2的使用而使用。例如， 當備用區(qū)域(OSA0)中提供的TDMA2不管理缺陷時，可將備用區(qū)域分配為具有 '0'大小。因而，TDMA2的大小變成'0'。當所有的數(shù)據(jù)區(qū)域都用來記錄用戶 數(shù)據(jù)時這種情形會存在。無論如何，導入?yún)^(qū)域的TDMA 1仍然可用，且通過使用 DDS (盤定義結(jié)構(gòu))對特定信息的管理和描述也可用。然而，DDS不可用于缺陷 列表的管理。以下將參照圖10和圖11提供更具體的討論。當在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域中檢測到缺陷區(qū)域時，要記錄到缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)被記錄到 替換區(qū)域R/A，且與該缺陷區(qū)域相關聯(lián)的缺陷管理信息被記錄到TDMA 1和TDMA 2的一個或多個中。圖5示出本發(fā)明一實施例，它示出了BD-WO的另一配置。圖5所示的BD-WO 是具有包括導入?yún)^(qū)域、數(shù)據(jù)區(qū)域和導出區(qū)域的配置的單層盤。每個區(qū)域中的箭頭被 用來表示記錄數(shù)據(jù)的方向。每一個內(nèi)部和外部備用區(qū)域ISA0和OSA0都包括一替 換區(qū)域R/A，用于替換記錄對應于用戶數(shù)據(jù)區(qū)域中缺陷區(qū)域(如果發(fā)現(xiàn)的話)的 數(shù)據(jù)。在圖5所示實施例中，在數(shù)據(jù)區(qū)域的開始部分(例如內(nèi)部備用區(qū)域ISAO)提 供了臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1)。第二個TDMA2在外部備用區(qū)域(OSAO)中 提供。結(jié)果，在本發(fā)明該實施例中，在BD-WO的預定區(qū)域中(ISAO、 OSAO)分 開提供了多個臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1和TDMA2)。第一個TDMA(TDMA 1) 在內(nèi)部備用區(qū)域中提供，而第二個TDMA (TDMA2)在外部備用區(qū)域中提供。廣 言之，多個臨時缺陷管理區(qū)域的每一個在BD-WO的指定區(qū)域中分開提供。在此示 例中，指定區(qū)域是內(nèi)部圓周區(qū)域和外部圓周區(qū)域。更精確地，在圖5所示實施例中， 內(nèi)部圓周區(qū)域在數(shù)據(jù)區(qū)域的開始部分提供，而外部圓周區(qū)域在數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)束部分 提供。在該實施例中，在BD-WO的外部區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(例如 TDMA2)的大小是固定的或可根據(jù)備用區(qū)域(OSAO)的大小是可變的。類似地， TDMA1的大小可固定或按需變化。但是，導入?yún)^(qū)域中的TDMA1最好具有固定大 小，而OSAO中的TDMA 2具有可變大小。根據(jù)該示例，當檢測到缺陷區(qū)域時，要記錄到缺陷區(qū)域中的數(shù)據(jù)被記錄到替 換區(qū)域R7A，而與該缺陷區(qū)域相關聯(lián)的缺陷管理信息被記錄在TDMA 1和TDMA2 的一個或多個中。用于記錄缺陷信息的替換區(qū)域在備用區(qū)域之一中提供。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的BD-WO的另一記錄區(qū)域配置。圖6中示出的BO-WO 具有兩個記錄層(層0和1)。第一層(層0)包括導入?yún)^(qū)域、數(shù)據(jù)區(qū)域50a、以及 外部區(qū)域"外部區(qū)域0"。第二層(層l)包括導出區(qū)域、數(shù)據(jù)區(qū)域50b、以及外部 區(qū)域"外部區(qū)域1"。在每一層上都提供多個DMA (DMA1 DMA4)。每個數(shù)據(jù)區(qū) 域50a和50b包括至少一個備用區(qū)域。相應區(qū)域中的箭頭表示記錄方向的示例。
在該實施例中，臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1或TDMA3)在導入?yún)^(qū)域或?qū)С?區(qū)域中的每一層上提供。內(nèi)部備用區(qū)域(ISAO、 ISA1)和外部備用區(qū)域(OSA0、 0SA1)分別在每一層上的數(shù)據(jù)區(qū)域50a和50b中提供。臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 2或TDMA4)分別在外部備用區(qū)域(OSAO或OSA1)的每一層上提供。在該示 例中，整個ISAO和ISA1都可用作替換R/A。 OSA0和0SA1的每一個都可包括替 換區(qū)域R/A。
該實施例可廣泛地描述為具有多個分開的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1、 TDMA3、 TDMA2、 TDMA4)，每一個都在BD-WO的指定區(qū)域中提供。第一對 (TDMA1、 TDMA3)在導入和導出區(qū)域中提供，而第二對(TDMA2、 TDMA4) 在外部備用區(qū)域OSA0和0SA1中提供。該實施例還可被描述為多個臨時缺陷管理 區(qū)域，分別在雙層BD-WO的內(nèi)部圓周區(qū)域和外部圓周區(qū)域中的(每一層上)指定 區(qū)域內(nèi)提供。特別地，內(nèi)部圓周區(qū)域在導入和導出區(qū)域中提供，而外部圓周區(qū)域在 相應數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)束部分提供。
在BD-WO的外部圓周區(qū)域中提供的TDMA 2和TDMA 4的大小固定或可根 據(jù)相關聯(lián)備用區(qū)域的大小而變化。例如，當外部圓周區(qū)域(OSA0、 0SA1)之一的 大小是N x 256簇時，TDMA2和TDMA4之一的尺寸可以變成M x 256簇。這里， M是根據(jù)N/4(M/4)確定的整數(shù)。例如，當N:32時，每個(或任一個)外部備用區(qū) 域(OSA0、 0SA1)的大小是8192簇，而每個(或任一個)TDMA 2和TDMA 4 的大小變成2048簇(TDMA2=TDMA4=8192簇)，因為M=N/4=8。類似地，TDMA 1和3的大小可固定或變化。但導入和導出區(qū)域中的每個TDMA1和3最好都具有 固定大小，而外部備用區(qū)域OSA0和0SA1中的每個TDMA 2和4則具有可變大
為什么在BD-WO的外部圓周區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 2、 TDMA4)的大小可根據(jù)備用區(qū)域(OSA0、 0SA1)的大小而改變是有原因的。一 個原因是，當在備用區(qū)域中提供替換區(qū)域作為臨時缺陷管理區(qū)域的備選時，替換區(qū) 域的大小、臨時缺陷管理區(qū)域的大小和備用區(qū)域的大小是互相相關的。相比之下，在內(nèi)部圓周區(qū)域(導入和導出區(qū)域)中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1、 TDMA 3)的大小最好是固定的。
在圖6示例中，在導入和導出區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1、 TDMA3)可根據(jù)臨時先前管理區(qū)域TDMA2、 TDMA4的使用而使用。例如，當 外部備用區(qū)域(OSA0、 0SA1)中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA2、 TDMA4) 不管理缺陷區(qū)域時，備用區(qū)域(ISA0、 ISA1)可分配為W大小。因而，當所有 數(shù)據(jù)區(qū)域用來記錄用戶數(shù)據(jù)時，TDMA2的大小變成'0'。然而，導入?yún)^(qū)域的臨時 缺陷管理區(qū)域(TDMA1、 TDMA3)仍然可用，且指定信息的管理和描述仍然可 以進行。在該情形中，不能管理DFL (缺陷列表)。這在下面將參照圖10和圖11 進行更詳細的描述。
當發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)域時，要記錄到用戶數(shù)據(jù)區(qū)域的缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)被記錄到替換 區(qū)域R/A，且與缺陷區(qū)域相關聯(lián)的缺陷管理信息被記錄到BD-WO預定區(qū)域中提供 的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1、 TDMA2、 TDMA3、 TDMA4)的一個或多個之 中。在圖6示例中，在備用區(qū)域之一的一部分中提供替換區(qū)域。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的BD-WO的記錄區(qū)域配置的另一示例。，除了 現(xiàn)在TDMA在每一層的內(nèi)部和外部備用區(qū)域中提供之外，該示例與圖6的示例相 同。即，圖7的示例是圖5中所示單層盤配置的雙層盤版本。
特別地，圖7中的BD-W0示出雙層BD-W0的配置，包括導入?yún)^(qū)域、導出區(qū) 域、數(shù)據(jù)區(qū)域50a和50b、以及外部區(qū)域(外部區(qū)域0、全部區(qū)域l)相應區(qū)域中
的箭頭表示記錄方向的示例。
根據(jù)本實施例，第一臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1、 TDMA3)在每個記錄層 上相應數(shù)據(jù)區(qū)域50a、 50b的開始部分提供。即，它們在數(shù)據(jù)區(qū)域的內(nèi)部備用區(qū)域 ISA0和ISA1中提供。第二臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA2、 TDMA 4)在每個記錄 層上相應數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)束部分處提供。§卩，它們在數(shù)據(jù)區(qū)域50a和50b的外部備用 區(qū)域(OSA0、 0SA1)中提供。
描述性地，圖7中所示的本發(fā)明實施例包括多個臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA1、 TDMA2、 TDMA3、 TDMA4)，其中每個TDMA在數(shù)據(jù)區(qū)域的開始部分(內(nèi)部備 用區(qū)域)和數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)束部分(外部備用區(qū)域)提供。
在BD-WO的外部圓周區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA2、 TDMA4) 的大小可固定或根據(jù)外部備用區(qū)域(OSA0)的大小而變化。根據(jù)本實施例，如果 在將數(shù)據(jù)記錄到BD-WO時檢測到缺陷區(qū)域，要記錄到缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)可替換地記錄到替換區(qū)域R/A，且與缺陷區(qū)域相關聯(lián)的缺陷管理信息被記錄到它們相應的 BD-WO預定區(qū)域中提供的臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1、TDMA2、TDMA 3、TDMA 4)的一個或多個之中。TDMA1和3的大小固定，而TDMA2和4的大小可變。
在另一實施例中，記錄缺陷管理信息的方法包括以下步驟提供一最近的缺 陷管理區(qū)域和一臨時缺陷管理區(qū)域、替換地將缺陷管理信息記錄到備用區(qū)域而非臨 時缺陷管理區(qū)域、將缺陷管理信息記錄到在BD-WO相應預定區(qū)域中分開提供的多 個臨時缺陷管理區(qū)域中、并在完全使用臨時缺陷管理區(qū)域之后將缺陷管理信息記錄 到最近的缺陷管理區(qū)域。
將圖4中BD-WO的配置用作示例，提供了多個臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA 1、 TDMA2)，且在導出區(qū)域中提供的缺陷管理區(qū)域(DMA1、 DMA2 、 DMA3、 DMA 4)是最近的缺陷管理區(qū)域。如果在記錄數(shù)據(jù)時檢測到缺陷區(qū)域，則要記錄到數(shù)據(jù) 區(qū)域的數(shù)據(jù)被替換地記錄到備用區(qū)域中提供的替換區(qū)域，且相應缺陷管理信息被記 錄到臨時缺陷管理區(qū)域中。在臨時缺陷管理區(qū)域(TDMA)完全用完從而沒有更多 的TDMA可用于記錄缺陷管理信息之后，將"最后的"或最近的缺陷管理信息記 錄到最近的缺陷管理區(qū)域中(DMA1 DMA4)。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時缺陷管 理區(qū)域(TDMA 1 TDMA4)的方法的一個示例。在該方法中，TDMA 1存儲TDDS (臨時盤定義結(jié)構(gòu))和TDFL(臨時缺陷列表)。然而，盡管未在示圖中示出，TDMA 2也包括TDDS和TDFL。圖8中所示實施例示出特定缺陷管理信息(TDDS和 TDFL)在記錄到TDMA2之前被記錄到TDMA 1。盡管僅示出TDMA 1和TDMA 2，該方法可應用于所有TDMA (TDMA1 TDMA4)。
現(xiàn)在提供對TDDS和TDFL的討論。在本發(fā)明，TDDS指臨時盤定義結(jié)構(gòu)并 與DDS (盤定義結(jié)構(gòu))不同，因為TDDS是臨時的。類似地，TDFL指臨時缺陷 列表，并因為TDFL是臨時的也與DFL (缺陷列表)不同。在此，TDFL和TDDS 被包括在多個TDMA中。
臨時缺陷列表(TDFL)包含在使用介質(zhì)期間被確定為有缺陷的(部分)簇列 表。與此相關，TDDS指定有關缺陷管理的盤的格式和狀態(tài)，且一般而言提供整體 的管理信息。盤的格式可包括有關盤上區(qū)域的特定布局的信息，用于管理缺陷區(qū)域， 而盤的狀態(tài)可包括各種標記(解釋如下)。TDFL包括缺陷區(qū)域和替換區(qū)域的地址。 記錄在臨時缺陷管理區(qū)域(例如TDMA 1和TDMA2)的TDDS和TDFL,變成寫 入最近的缺陷管理區(qū)域(例如DMAl-4)的持久信息(DDS和DFL)。當盤完成或不再管理缺陷時，存儲在TDMA中的最后的TDDS和TDFL分別作為DDS信息 和DFL信息被傳送并記錄在DMA的至少之一。在將數(shù)據(jù)記錄到用戶數(shù)據(jù)區(qū)域期 間，周期性地或同時更新TDDS和TDFL，并將更新記錄在TDMA中。這些的特 定操作將隨著討論的進展而變得越來越顯然。
在圖8所示實施例中，TDMA 1首先(在TDMA2使用之前)用來將諸如TDDS 和TDFL信息的缺陷管理信息記錄其中。當TDMA 1裝滿時，TDMA2用來將缺陷 管理信息記錄其中。然而，在另一變體中，首先使用的是TDMA2 (在TDMA 1 之前)。在此情形中，當TDMA2裝滿時，TDMA1被用來記錄缺陷管理信息。在 這種情形中，提供多個TDMA中哪個區(qū)域已滿的通知的信息由TDMA的"已滿標 記"來表示。"已滿標記"指示是必要的，因為在此揭示的優(yōu)選實施例需要表示多 個TDMA中哪個區(qū)域已滿的信息。在一示例中，該TDMA 1已滿標記被包括在 TDDS中。
因此，在圖8的實施例中，順序使用TDMA 1和TDMA 2或TDMA 2和TDMA 1以將缺陷管理信息存儲其中。在其它實施例中，TDMA1和TDMA2位于BD-WO 的導入和導出區(qū)域。使用特定的TDMA依賴于各個因素，其示例將在對使用多個 TDMA的方法的討論中提供。
應注意，圖8的方法和在此討論的任何其它方法(圖9-13)可應用于圖4、 5、 6和7的盤結(jié)構(gòu)以及在此討論的任何其它變化。還應注意，本發(fā)明包括在BD-WO 的每個記錄層上包括一個或多個TDMA的實施例。
在圖8和隨后的圖9中，僅示出TDMA 1和2。這些僅是表示的一個示例， 并可表示位于BD-WO上的任何其它TDMA (例如TDMA 1和3、 TDMA2和4、 TDMA3和6等)。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時管理區(qū) 域(TDMA 1~ TDMA 4)的方法的另一個示例。然而，圖9的示例以及圖8的示 例在討論圖12所示的TDMA已滿標記以及圖13所示的相關結(jié)構(gòu)的示例之后將得 到更好的理解。
圖12示出根據(jù)本發(fā)明缺陷管理信息的寫入配置的一個示例。在該示例中示出 的是表示TDMA是否己滿的TDMA已滿標記。該已滿標記被記錄在TDDS中。如 上所述，TDDS包括整體的管理信息。為了管理本發(fā)明中的缺陷區(qū)域，使用TDMA '已滿標記和諸如'TDMA1大小'、^DMA2大小，等的指示符。另一方面，在每 個情形中并非都需要已滿標記和大小指示符。特別地，已滿標記提供有關特定區(qū)域
13是否已滿的信息，并可以是對應于特定區(qū)域的1比特指示。在所示實施例中，如果
特定區(qū)域是該結(jié)構(gòu)的TDMA，且相應已滿標記的比特值為"1"，則相應區(qū)域(例 如TDMA 1)被視為已滿或在(己滿，狀態(tài)。因此，由于該TDMA已滿，不再使 用該特定TDMA。
圖13示出8比特TDMA已滿標記的一個示例，表示一個或多個TDMA(TDMA 1 TDMA4)是否已滿。圖13中所示結(jié)構(gòu)包括在圖12所示TDDS的字段中。在 記錄如圖8所示的TDDS和TDFL時，TDDS的大小固定，例如1個簇，而TDFL 的大小可變。圖6和圖7中所示的雙層BD-WO的TDFL的大小可從1個簇變成8 個簇。該大小是考慮整個盤的容量和備用區(qū)域的大小而確定。
根據(jù)使用多個TDMA的方法，如果在將數(shù)據(jù)記錄到BD-WO時造成或發(fā)現(xiàn)缺 陷區(qū)域，記錄或要記錄在BD-WO缺陷區(qū)域上的數(shù)據(jù)被記錄到BD-WO的預定替換 區(qū)域(例如備用區(qū)域)。有關圖13的更多討論將在下面提供。
現(xiàn)在提供對圖9的討論。如所述，圖9示出本發(fā)明的臨時缺陷管理區(qū)域使用 方法的另一示例。在使用圖9中示出的使用臨時或缺陷管理區(qū)域的方法中，TDMA 1和TDMA2不需確定任何使用順序就可隨機使用。參照圖12和13討論的TDMA 已滿標記都可在此等價地應用。
如果在圖8和9所示情形中TDMA已滿標記表示特定TDMA已滿，隨后的 或另一個TDMA被用來將缺陷管理信息存儲其中。在諸如圖9所示情形的隨機情 形中，未指定使用順序。但是，如果所有TDMA已滿，則不再管理BD-WO上的 缺陷。當不再管理缺陷時，從TDMA傳送TDDS和TDFL的最后或最近信息，并 將其記錄在至少一個DMA (DMA 1 DMA4)上以反映當前的盤狀態(tài)。對DMA上 最終信息的記錄的更多討論將在后面提供。
根據(jù)圖9實施例，缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)被記錄在預定替換區(qū)域上。與該缺陷區(qū)域 和替換區(qū)域相關的缺陷管理信息被隨機記錄在所需TDMA上。例如，與位于 BD-WO上缺陷區(qū)域最近的TDMA可用于記錄這種缺陷管理信息。因此，如圖9 所示，TDMA可變化地或可按需使用。
在本發(fā)明的使用臨時缺陷管理區(qū)域的另一方法中，多個臨時缺陷管理區(qū)域可 依賴于各種條件可變地使用。
例如，考慮根據(jù)圖5-7所示的各個實施例用于管理缺陷的區(qū)域包括TDMA 1 和TDMA2。當使用BD-WO時，缺陷管理信息可僅記錄在TDMA2上。然后最近 的缺陷管理信息可在退出BD-WO時記錄在TDMA 1上。換言之，選擇記錄缺陷管理信息的區(qū)域在使用盤時記錄缺陷管理信息的區(qū)域和在退出盤時記錄缺陷管理信 息的區(qū)域之間確定。
根據(jù)使用臨時缺陷管理區(qū)域的方法的另一實施例，當把數(shù)據(jù)記錄在BD-WO 上時，如果在記錄數(shù)據(jù)的過程期間造成或發(fā)現(xiàn)了缺陷區(qū)域，則記錄(或要記錄)在 缺陷區(qū)域上的數(shù)據(jù)被記錄在預定替換區(qū)域上。缺陷管理信息在使用該盤時被記錄在 TDMA2上。相同的缺陷管理信息在退出該盤時再次記錄在TDMA1上。
作為使用該盤的另一種方法，使用各種對象用來選擇多個臨時缺陷管理區(qū)域 之一。使用該盤的一種方法是基于重要性的。例如，當更新缺陷管理信息的重要性 較低時，TDMA2可用來記錄缺陷管理信息。當更新缺陷管理信息的重要性較高時， TDMA1 (取代TDMA2)可用來記錄缺陷管理信息。在此，用來確定重要性的準 則可不同地設置。刷新缺陷管理信息(更新)的頻率可以是有條件的，或基于設計 者的選擇。退出盤的時間還可被指定為是記錄缺陷管理信息中的重要時間。在這種 情形中使用盤的時間被視為較不重要，從而在該時間段中缺陷管理信息可在TDMA 2 (而不是TDMA1)上記錄。退出盤的時間被視為較重要，從而在該時間段中缺 陷管理信息可在TDMA1 (而不是TDMA2)上記錄。使用TDMA 1 (或TDMA3) 優(yōu)于使用TDMA2 (或TDMA4)，因為TDMA 1和3位于導入和導出區(qū)域而不是 數(shù)據(jù)區(qū)域，所以在載入盤時可更快速簡便地訪問它們。設計者決定使用的各方法可 區(qū)別地使用。
用來確定重要性的標準之一是更新間隔。換言之，如果前一缺陷管理信息的 更新時間與當前缺陷管理信息的更新時間之間的間隔較長，當前的更新信息被視為 相對重要。在此情形中，即使該盤正在使用中，缺陷管理信息仍可記錄到TDMA 1 上。確定重要性的另一準則是造成或發(fā)現(xiàn)的缺陷區(qū)域數(shù)量。如果有相對較多的缺陷 區(qū)域，由于它被視為需要更高可靠性，即使該盤正在使用中缺陷管理信息仍可被記 錄到TDMA 1上。
根據(jù)使用目標，如果根據(jù)重要性缺陷管理信息被記錄在TDMA上，由于TDMA 1位于內(nèi)磁軌上，重要信息在載入盤的初始時間一開始就能快速并精確地獲得。
圖10和11示出本發(fā)明的臨時缺陷管理信息合成方法的兩個不同示例。在一 實施例中，本發(fā)明提供合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中 TDDS和TDFL彼此分開。本發(fā)明的另一實施例提供合成缺陷管理信息并將其記錄 在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此結(jié)合。圖10示出前一情形(分開) 而圖11示出后一情形(結(jié)合)。在此，每次更新缺陷管理信息時，都把最近的TDFL和TDDS信息記錄到TDMA中。
特別地，圖10示出合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中 TDDS和TDFL彼此分開。每個TDDS具有例如1個簇的固定大小，而每個TDFL 的大小可變化，例如從1個簇到8個簇。
圖11示出示出合成缺陷管理信息并將其記錄在TDMA上的方法，其中TDMA 上的TDDS和TDFL彼此結(jié)合。缺陷管理信息以TDFL+TDDS的形式記錄，如圖 11所示。由于如上所述TDFL的大小可從1個簇到8個簇地變化，TDFL+TDDS 的大小也可從1個簇到8個簇地變化。
再參看圖12，每個TDMA (TDMA1 TDMA4)的大小以及TDMA已滿標記 在TDDS中示出。根據(jù)圖4和圖5的配置，僅描述TDMA1和TDMA2的大小的 信息在TDDS中提供。根據(jù)圖6和圖7的配置，可以說描述TDMA1、 TDMA2、 TDMA3和TDMA4的大小的信息在TDDS中提供。即，根據(jù)本發(fā)明缺陷管理信 息被記錄在BD-WO的預定區(qū)域中提供的多個臨時缺陷管理區(qū)域里。因此，信息和 比特的量和類型、以及用于描述TDMA大小的表達方式并不限于圖12的示圖。
再次參看圖13，畫出的8比特是示出臨時缺陷管理區(qū)域已滿標記的示例。 TDMA已滿標記的一個比特被分配給每個TDMA，如圖13所示從TDMA 1到 TDMA4。例如，具有值'00000011，的TDMA已滿標記表示TDMA 1和TDMA 2 己滿。其大小和位映像不限于圖13中描述的TDMA己滿標記的偏置。
如圖13所示，在該示例中，從TDMA 1到TDMA 4的每個TDMA對應于TDMA 已滿標記從b0到b3的每個比特。根據(jù)圖4和圖5中的盤配置，TDMA3和TDMA 4的已滿標記比特并不是必須定義的。TDMA3和TDMA4的已滿標記比特可根據(jù) 圖6和圖7中所示的雙層盤配置來定義。在雙層BD-WO中，從邏輯觀點看，TDMA 2和TDMA4可用作統(tǒng)一的臨時缺陷管理區(qū)域。類似地，TDMA 1和TDMA3也可 用作統(tǒng)一的臨時缺陷管理區(qū)域。因此，定義己滿標記的方法可以是對TDMA l+TDMA3定義一已滿標記(或比特)，而對TDMA2+TDMA4定義另一已滿標記 (或比特)。
因此，當缺陷管理信息被記錄到多個臨時缺陷管理區(qū)域時，系統(tǒng)可確定是否 有寫區(qū)域可用。
行業(yè)可應用性
本發(fā)明提供在BD-WO上寫入數(shù)據(jù)期間發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)域時的缺陷管理方法。特 別地，通過替換地將要記錄在缺陷區(qū)域中的缺陷管理信息記錄到BD-WO的替換區(qū)域，并通過將缺陷管理信息記錄到在盤的預定區(qū)域中分開提供的多個臨時缺陷管理
區(qū)域，可在BD-WO上實現(xiàn)使用缺陷管理信息來寫入、記錄、復制和管理缺陷區(qū)域。對本領域技術(shù)人員而言，可對本發(fā)明作出各種更改和變化而不偏離本發(fā)明的精神或范圍是顯而易見的。因而，本發(fā)明旨在包括落于所附權(quán)利要求書及其等效方案的范圍內(nèi)的本發(fā)明的更改和變化。
權(quán)利要求
1.一種管理記錄介質(zhì)上的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟將至少一個備用區(qū)域分配到所述記錄介質(zhì)，并且當多個臨時缺陷管理區(qū)域分開提供時將至少一個臨時缺陷管理區(qū)域分配到所述備用區(qū)域；將缺陷管理信息記錄在第一臨時缺陷管理區(qū)域上；以及在所述第一臨時缺陷管理區(qū)域已滿之后，將缺陷管理信息記錄在第二臨時缺陷管理區(qū)域上，所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述備用區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到所述記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)域。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一個備用區(qū)域包括內(nèi)部 備用區(qū)域和外部備用區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到導入?yún)^(qū)域，并且所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述外部備用區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到所述內(nèi)部備用區(qū)域，并且所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述外部備用區(qū) 域。
6. 如權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，還包括 在所述多個臨時缺陷管理區(qū)域中的一個上記錄指示哪個臨時缺陷管理區(qū)域已滿的信息。
7. —種管理記錄介質(zhì)上的缺陷的裝置，其特征在于，所述裝置包括 記錄/再現(xiàn)裝置，被配置成將至少一個備用區(qū)域分配到所述記錄介質(zhì)，并且當多個臨時缺陷管理區(qū)域分開提供時將至少一個臨時缺陷管理區(qū)域分配到所述備用 區(qū)域，被配置成將缺陷管理信息記錄在第一臨時缺陷管理區(qū)域上，以及被配置成在所述第一臨時缺陷管理區(qū)域已滿之后，將缺陷管理信息記錄在第二臨時缺陷管理區(qū) 域上，所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述備用區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到所述記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)域。
9. 如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述至少一個備用區(qū)域包括內(nèi)部 備用區(qū)域和外部備用區(qū)域。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到導入?yún)^(qū)域，并且所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述外部備用區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一臨時缺陷管理區(qū)域被分 配到所述內(nèi)部備用區(qū)域，并且所述第二臨時缺陷管理區(qū)域被分配到所述外部備用區(qū) 域。
12. 如權(quán)利要求7-11中任一項所述的裝置，其特征在于，所述記錄/再現(xiàn)裝置 被配置成在所述多個臨時缺陷管理區(qū)域中的一個上記錄指示哪個臨時缺陷管理區(qū) 域已滿的信息。
13. —種管理記錄介質(zhì)上的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 從分配到所述記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)域的第一臨時缺陷管理區(qū)域再現(xiàn)缺陷管理信息；以及在所述第一臨時缺陷管理區(qū)域已滿之后，從分配到所述記錄介質(zhì)的備用區(qū)域 的第二臨時缺陷管理區(qū)域再現(xiàn)缺陷管理信息。
14. 一種管理記錄介質(zhì)上的缺陷的裝置，其特征在于，所述裝置包括 記錄/再現(xiàn)裝置，被配置成從分配到所述記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)域的第一臨時缺陷管理區(qū)域再現(xiàn)缺陷管理信息，并且被配置成在所述第一臨時缺陷管理區(qū)域已滿之 后，從分配到所述記錄介質(zhì)的備用區(qū)域的第二臨時缺陷管理區(qū)域再現(xiàn)缺陷管理信息。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種缺陷區(qū)域管理方法及裝置。揭示了一種管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質(zhì)上的缺陷的方法。管理至少一記錄層上缺陷的方法包括以下步驟將至少一個替換區(qū)域和多個臨時缺陷管理區(qū)域分配到光學記錄介質(zhì)，其中臨時缺陷管理區(qū)域分開提供，并將缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區(qū)域的至少一個上。
文檔編號G11B7/005GK101635152SQ20091016373
公開日2010年1月27日 申請日期2003年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月13日
發(fā)明者樸容徹, 金成大 申請人:Lg電子株式會社