專利名稱：非易失性存儲(chǔ)器件及其編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器件和/或用于對(duì)其編程的方法。本發(fā)明還包括 具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體器件的實(shí)現(xiàn)。
背景技術(shù)：
諸如MP3播放器、個(gè)人多媒體播放器(PMP)、移動(dòng)電話機(jī)、筆記本計(jì) 算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等的移動(dòng)裝置中越來越多地使用易失性和非易 失性存儲(chǔ)器。這些移動(dòng)裝置需要具有較大的存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)部件用于提供各 種功能(例如，播放運(yùn)動(dòng)圖像)。較大容量存儲(chǔ)部件的一個(gè)示例是多位存儲(chǔ) 器件，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)(例如，2或更多位數(shù)據(jù))。為清楚起 見，以下將存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元稱為多電平單元(MLC)。
當(dāng)在單個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)時(shí)，該存儲(chǔ)單元受與兩種閾值電壓狀 態(tài)之一對(duì)應(yīng)的閾值電壓制約。例如，在給定時(shí)刻存儲(chǔ)單元具有代表數(shù)據(jù)'1， 和數(shù)據(jù)'0，的兩種狀態(tài)之一。當(dāng)單個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)時(shí)，該存儲(chǔ)單 元受與四種閾值電壓狀態(tài)之一對(duì)應(yīng)的閾值電壓制約。例如，在給定時(shí)刻存儲(chǔ)
單元具有代表數(shù)據(jù)'11，、數(shù)據(jù)'10，、數(shù)據(jù)'00，、和數(shù)據(jù)'01，的四種狀 態(tài)之一。也就是說，對(duì)于每個(gè)單元n位，通常需要2n種閾值電壓狀態(tài)。
為了將閾值電壓分布輪廓(profile)保持在相應(yīng)的窗口內(nèi)，可以將閾值 電壓調(diào)整為在每個(gè)窗口內(nèi)密集。為實(shí)現(xiàn)該調(diào)整，可以使用諸如遞增步進(jìn)脈沖 編程(ISPP)的編程方法。在示例ISPP方法中，在重復(fù)編程循環(huán)時(shí)閾值電 壓以編程電壓的遞增率提升?？梢酝ㄟ^降低編程電壓的遞增率來控制閾值電 壓的分布。圖1示出傳統(tǒng)ISPP編程周期(cycle)的示例。這里遍及說明全 文中，作為編程操作的單位，'編程循環(huán)(loop)，是指在其期間向字線提供 具有單個(gè)脈沖的編程電壓Vpgm以及與編程電壓對(duì)應(yīng)的4t驗(yàn)-讀電壓Vfy的 時(shí)間段。才艮據(jù)示例ISPP方法，'編程周期，是指在其期間利用多個(gè)編程循環(huán) 編程存儲(chǔ)單元的時(shí)間段。因此，編程周期可以包含幾個(gè)編程循環(huán)，其中編程 電壓Vpgm可以增加。在每次施加編程電壓之后，利用與閾值電壓狀態(tài)的閾
8值電壓對(duì)應(yīng)的沖t驗(yàn)-讀電壓Vfy讀取已編程的數(shù)據(jù)。如果讀取的數(shù)據(jù)指示已
編程數(shù)據(jù)，則編程周期結(jié)束，否則，遞增編程電壓Vpgm并發(fā)生下一個(gè)編程 循環(huán)。
通過使用這樣的ISPP方法，MLC利用LSB和MSB頁編程存儲(chǔ)2位數(shù) 據(jù)。最高有效位(MSB)是指MLC中存儲(chǔ)的2位數(shù)據(jù)的高位，而最低有效 位(LSB)是指MLC中存儲(chǔ)的2位數(shù)據(jù)的低位。在使用頁單位編程的傳統(tǒng) NAND閃速存儲(chǔ)器件中，可以通過依次寫相應(yīng)的LSB和MSB來編程一個(gè)頁。
圖2示意性地示出包含MLC的傳統(tǒng)閃速存儲(chǔ)器件的編程次序。參照?qǐng)D 2,在編程MLC時(shí)，可以順序地編程LSB和MSB。在編程LSB時(shí)，可以將 選擇用于編程的MLC從擦除狀態(tài)'11，設(shè)置為狀態(tài)'10，，或者可以維持擦 除狀態(tài)'11，。隨后，在編程所選MLC的MSB時(shí)，MSB可以轉(zhuǎn)變?yōu)?0，。 例如，可以將MLC /人擦除狀態(tài)'11，編程為狀態(tài)'01，?；蛘咭呀?jīng)在LSB 編程步驟中被編程為狀態(tài)'10，的MLC可以維持狀態(tài)'10，或轉(zhuǎn)變?yōu)闋顟B(tài) '00，。然而，LSB編程搮:作可以涉及相對(duì)于MSB編程操作的單元閾值電壓 的上升率。換句話說，LSB編程操作可以包含比MSB編程操作更多數(shù)量的 編程循環(huán)。隨著編程循環(huán)的數(shù)量增加，在鄰近存儲(chǔ)單元中可能導(dǎo)致耦合效應(yīng)。
圖3A示出MLC閃速存儲(chǔ)器件中用于在LSB編程期間抑制因鄰近單元 之間的耦合效應(yīng)造成的上升閾值電壓的影響和/或減少耦合效應(yīng)的LSB編程 方法。參照?qǐng)D3A，在LSB編程期間，將所選MLC從擦除狀態(tài)'11， (10) 編程為臨時(shí)狀態(tài)'10*， (20)而不是狀態(tài)'10' (30)。該示例中，檢-驗(yàn)讀電 壓Vfy2—low可以低于與狀態(tài)'10， (30)對(duì)應(yīng)的檢驗(yàn)讀電壓Vfy2。結(jié)果， 在LSB操作期間，因?yàn)槭褂幂^低的閾值電壓(例如，較低的檢驗(yàn)讀電壓 Vfy2—low)將MLC從擦除狀態(tài)'11，轉(zhuǎn)變?yōu)榕R時(shí)狀態(tài)'10*， (20)，所以可 以減少對(duì)鄰近單元的耦合效應(yīng)
圖3B示意性地示出隨LSB編程之后執(zhí)行的傳統(tǒng)MSB編程方法。參照 圖3B， Casel、 Case2、和Case3代表用于從臨時(shí)狀態(tài)'10*，或擦除狀態(tài)'11， 轉(zhuǎn)變MSB的狀態(tài)轉(zhuǎn)變樣式(pattern)。可以將MSB從擦除狀態(tài)'11，轉(zhuǎn)變 為狀態(tài)'01，來編程MLC?？梢詫⒁呀?jīng)被編程為臨時(shí)狀態(tài)'10*，的MLC 編程為狀態(tài)'10，或狀態(tài)'00'。該示例中，即^f更臨時(shí)狀態(tài)'10*'的分布4侖 廓已經(jīng)被鄰近存儲(chǔ)單元的耦合效應(yīng)擴(kuò)展，MSB編程操作也可以幫助使得閾 值電壓的分布造成較為密集的輪廓('10，或'00，)。然而，4艮據(jù)傳統(tǒng)數(shù)據(jù)編程方法，用于MSB的編程時(shí)間對(duì)于Casel、Case2、 和Case3可能變化。在編程一個(gè)MSB頁時(shí)，在多個(gè)編程循環(huán)中順序地執(zhí)4亍 Casel、 Case2、和Case3,因而用于一個(gè)MSB頁的編程時(shí)間可能相對(duì)較長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例提供非易失性存儲(chǔ)器件和/或用于對(duì)其編程的方法。
所述非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn) 多個(gè)狀態(tài)之一，而每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述編程方法包括同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一 選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài) 編程為精細(xì)(refined)第三選擇狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選 擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
在另 一個(gè)實(shí)施例中，所述編程方法包括同時(shí)向第 一和第二存儲(chǔ)單元施加 相同的遞增編程電壓序列以使得(1)第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)改變?yōu)?第二選擇狀態(tài)、以及(2)第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)改變?yōu)榫?xì)第三選 擇狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更窄的閾值分布。
在另一個(gè)實(shí)施例中，所述編程方法包括同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第 一選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第一選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第二選 擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)。所述精細(xì)第 一選擇狀態(tài)具有比第 一選擇狀 態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的 檢驗(yàn)電壓。
在另一個(gè)實(shí)施例中，所述編程方法包括同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從臨 時(shí)狀態(tài)編程為第一選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編 程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)。所述臨時(shí)狀態(tài)代表比所述多位數(shù)據(jù)更少的位，而且 所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
所述半導(dǎo)體器件的實(shí)施例包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ)單元 陣列。每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，而每個(gè)狀態(tài)代表不同的多 位數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ)正被編程到 所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)；電壓產(chǎn)生器，被配置為產(chǎn)生用于施加 到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓；以及譯碼器，被配置為向所述非易失 性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓?？刂破鞅慌渲脼榭刂扑鲭妷寒a(chǎn)生器、所述譯碼器、和所述頁緩沖器以同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編
程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì) 第三選擇狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電 壓。
本發(fā)明還涉及所述半導(dǎo)體器件的實(shí)現(xiàn)。
例如， 一種示例實(shí)現(xiàn)是卡。在一個(gè)實(shí)施例中，所述卡包括存儲(chǔ)器以及配 置用于控制所述存儲(chǔ)器的控制單元。所述存儲(chǔ)器包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非 易失性存儲(chǔ)單元陣列。每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，而每個(gè)狀 態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)。所述存儲(chǔ)器進(jìn)一步包括頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ) 正被編程到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)；電壓產(chǎn)生器，#1配置為產(chǎn) 生用于施加到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓；以及譯碼器，被配置為向 所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓?？刂破鞅慌渲脼榭刂扑鲭妷?產(chǎn)生器、所述譯碼器、和所述頁緩沖器以同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一 選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài) 編程為精細(xì)第三選4奪狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高 的才t驗(yàn)電壓。
另一種示例實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包括總線、連接到 所述總線的半導(dǎo)體器件、連接到所述總線的輸入/輸出設(shè)備、以及連接到所述 總線的處理器。所述處理器被配置為經(jīng)由所述總線與所述輸入/輸出設(shè)備和所 述半導(dǎo)體器件通信。所述半導(dǎo)體器件包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性存儲(chǔ) 單元陣列。每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，而每個(gè)狀態(tài)代表不同 的多位數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ)正被編 程到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)；電壓產(chǎn)生器，；陂配置為產(chǎn)生用于 施加到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓；以及譯碼器，#1配置為向所述非 易失性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓?？刂破鞅慌渲脼榭刂扑鲭妷寒a(chǎn)生 器、所述譯碼器、和所述頁緩沖器以同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇 狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程 為精細(xì)第三選擇狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢 驗(yàn)電壓。


將參照附圖描述未限制性且非窮舉性的示例實(shí)施例，其中除非另外指
明，各附圖中類似的引用數(shù)字指代類似的部分。附圖中 圖1示出傳統(tǒng)ISPP編程周期；
圖2是示出MLC閃速存儲(chǔ)器件中的傳統(tǒng)編程方法的示意圖； 圖3A是示出編程MLC閃速存儲(chǔ)器件的傳統(tǒng)方法的示意意圖: 、 、、'口°' , 、，、
圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖5更詳細(xì)地示出圖4中的單元陣列的一部分；
圖6是示出根據(jù)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖7A-7D示出才艮據(jù)圖6的方法的狀態(tài)轉(zhuǎn)變；
圖8示出圖6的方法的ISPP時(shí)序圖9是示出根據(jù)另一個(gè)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖； 圖10A-IOD示出根據(jù)圖9的方法的狀態(tài)轉(zhuǎn)變； 圖11示出圖9的方法的ISPP時(shí)序圖12是示出根據(jù)另 一個(gè)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖13A-13E示出根據(jù)圖12的方法的狀態(tài)轉(zhuǎn)變；
圖14示出圖12的方法的ISPP時(shí)序圖15-22示出所述半導(dǎo)體器件的應(yīng)用的示例實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照其中示出本發(fā)明的某些示例實(shí)施例的附圖更全面地描述本 發(fā)明的各種示例實(shí)施例。附圖中，為清楚起見夸大了層和區(qū)域的厚度。
這里公開本發(fā)明的詳細(xì)例示性實(shí)施例。然而，這里公開的具體結(jié)構(gòu)和功 能細(xì)節(jié)僅僅表示用于描述本發(fā)明的示例實(shí)施例的目的。本發(fā)明可以以許多替 換形式實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解讀為僅限于這里闡述的實(shí)施例。
從而，雖然本發(fā)明的示例實(shí)施例能夠具有多種改變和替換形式，其實(shí)施 例在附圖中作為示例示出并將在這里詳細(xì)描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，不意欲將 本發(fā)明的示例實(shí)施例限于所公開的具體形式，相反，本發(fā)明的示例實(shí)施例將 涵蓋落入本發(fā)明范圍內(nèi)的全部改變、等價(jià)物、和替換物。在附圖全部描述中 類似的數(shù)字指代類似的元件。不難理解，雖然這里可能使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但是 這些元件不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件與另 一個(gè)元 件區(qū)分開來。例如，可以將第一元件稱為第二元件，而且類似地，可以將第 二元件稱為第一元件，而不背離本發(fā)明的示例實(shí)施例的范圍。如這里使用的， 術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出條目的任何和全部組合。
不難理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"連接到"或"耦接到"另一個(gè)元件時(shí)， 其可以直接連接到或耦接到另一個(gè)元件，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng) 一個(gè)元件被稱為"直接連接到"或"直接耦接到"另一個(gè)元件時(shí)，不存在居 間元件。應(yīng)當(dāng)以類似的方式解釋用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語(例如， "在...之間"與"直接在…之間"、"鄰近"與"直接鄰近"等)。
這里使用的術(shù)語僅僅是用于描述具體實(shí)施例的目的，不意欲限制本發(fā)明 的示例實(shí)施例。如這里使用的，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"、和"該"意欲同 樣包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。還不難理解，這里使用的術(shù) 語"包括"和/或"包含"指明存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和 /或組件的存在，但是不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、 操作、元件、組件、和/或其群組。
還應(yīng)當(dāng)注意，在某些替換實(shí)現(xiàn)中，所示的功能/動(dòng)作可能不以附圖中指明 的次序發(fā)生。例如，依賴于涉及的功能/動(dòng)作，接連示出的兩個(gè)圖可能實(shí)際上 基本同時(shí)執(zhí)行、或可能有時(shí)以相反次序執(zhí)行。
圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。所述非易失性
存儲(chǔ)器件可以是閃速存儲(chǔ)器件。如所示，非易失性存儲(chǔ)器件100可以包括 單元陣列110，被配置為存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)；X-譯碼器120;頁緩沖器130; Y-通過門140;輸入/輸出緩沖器150、電壓產(chǎn)生器180;以及控制器170。圖5 示出，單元陣列110可以包括布置在字線WL與位線BL的交叉處的一組或 多組存儲(chǔ)單元MC。單元陣列110可以由存儲(chǔ)器塊構(gòu)成，每個(gè)存儲(chǔ)器塊可以 提供擦除的單位。每個(gè)存儲(chǔ)器塊還可以被定義為編程單位，而且可以被分割 為多個(gè)頁。每個(gè)頁可以是共享字線WL的一組存儲(chǔ)單元MC。
如圖5中所示，存儲(chǔ)單元110還被分組為串110一i。每個(gè)串110一i包括串 聯(lián)連接在關(guān)聯(lián)的位線BL與公共源極線CSL之間的地源極晶體管GST、形成 存儲(chǔ)單元MC的多個(gè)存儲(chǔ)單元晶體管MCT、以及串選擇晶體管SST。地源 極晶體管GST和串選擇晶體管SST的柵極分別連接到地源極線GSL和串選擇線SSL。存儲(chǔ)單元晶體管MCT的柵極連接到各條字線WL。 X-譯碼器120 選擇性地向地源極線GSL、串選擇線SSL、和字線WL施加電壓。
回到圖4，控制器170接收命令和地址信息。例如，控制器170可以接 收指令編程操作、讀取操作等的模式寄存器集?？刂破?70還可以接收與命 令關(guān)聯(lián)的地址信息，并將地址信息部分地譯碼。控制器170基于控制和地址 信息控制電壓產(chǎn)生器180、 X-譯碼器120、頁緩沖器130、 Y-通過門140、和 輸入/輸出緩沖器150。
在讀取操作期間，控制器170接收讀命令并讀取地址信息。控制器170 將讀取的地址部分地譯碼為行和列地址信息。控制器170控制電壓產(chǎn)生器 180以產(chǎn)生用于從單元陣列IIO讀取數(shù)據(jù)的電壓，并向X-譯碼器120提供行 地址信息。X",碼器120響應(yīng)于行地址信息選擇性地向單元陣列110的字線 WL提供來自電壓產(chǎn)生器180的字線電壓。至少在該示例實(shí)施例中，X-譯碼 器120可以響應(yīng)于行地址信息中的塊地址選擇存儲(chǔ)器塊，并選擇其中的頁。 在施加電壓時(shí)，X-譯碼器120施加足夠高的電壓以導(dǎo)通串選擇晶體管SST、 地源極晶體管GST、以及未選擇的存儲(chǔ)單元MC的存儲(chǔ)單元晶體管MCT。 還可以向公共源極線CSL施加諸如OV的低電壓。X-譯碼器120還向一個(gè)或 多個(gè)所選存儲(chǔ)單元的字線WL施加讀取電壓。例如，可以用期望的樣式施加 讀取電壓以確定存儲(chǔ)單元的閾值分布狀態(tài)。鑒于這樣的讀取4支術(shù)眾所周知， 為簡(jiǎn)潔起見已經(jīng)略去其描述。
控制器170還控制頁緩沖器130。頁緩沖器130可以包括一組或多組頁 緩沖單元，而且每個(gè)頁緩沖單元可以與單元陣列IIO的至少一條位線對(duì)應(yīng)。 頁緩沖器130在讀取操作期間可以作為讀出放大器工作。每個(gè)頁緩沖單元可 以電耦接到位線、或位線對(duì)中的一條位線，而且可以被配置為通過位線從單 元陣列110讀取數(shù)據(jù)位。編程控制器170進(jìn)一步控制Y-通過門140。 Y-通過 門140根據(jù)由控制器170提供的列地址信息選擇性地從頁緩沖器130向輸入 /輸出緩沖器150傳送數(shù)據(jù)。在讀取操作期間，輸入/輸出緩沖器150可以向 外部設(shè)備傳送讀取的數(shù)據(jù)。
對(duì)于編程操作，執(zhí)行遞增步進(jìn)脈沖編程(ISPP)。在編程操作期間，控 制器170接收編程(或?qū)?命令和編程地址信息。控制器170將編程地址信 息部分地譯碼為行和列地址信息?？刂破?70控制電壓產(chǎn)生器180以產(chǎn)生用 于在單元陣列IIO中編程數(shù)據(jù)的電壓，并向X-譯碼器120提供行地址信息。X-譯碼器120響應(yīng)于行地址信息選擇性地向單元陣列IIO的字線WL提供來 自電壓產(chǎn)生器180的字線電壓。至少在該示例實(shí)施例中，X-i奪碼器120可以 響應(yīng)于塊地址選擇存儲(chǔ)器塊，并選擇其中的頁。在施加電壓時(shí)，X-譯碼器 120施加足夠高的電壓以導(dǎo)通串選擇晶體管SST,并向地源極晶體管GST施 加低電壓。X-譯碼器120向未選擇的存儲(chǔ)單元MC的存儲(chǔ)單元晶體管MCT 提供非選擇電壓，以便防止這些未選擇的存儲(chǔ)單元MC改變其閾值分布狀 態(tài)。X-譯碼器120還向X-譯碼器120還向一個(gè)或多個(gè)所選存儲(chǔ)單元的字線 WL施加編程電壓Vpgm。編程電壓Vpgm以初始電壓開始，并在每個(gè)編程 循環(huán)遞增增加，直到數(shù)據(jù)被編程。例如，編程電壓可以從15V至20V變動(dòng)。 這將在下面更詳細(xì)地描述。還可以向公共源極線CSL施加諸如OV的低電壓。 在示例編程操作期間，可以以頁為單位將加載到頁緩沖器130中的編程 數(shù)據(jù)寫入所選存儲(chǔ)單元MC中。在編程以MLC形成的單元陣列110時(shí)，可 以以兩頁為單位寫入(例如，連續(xù)地寫入)邀:據(jù)，以減少鄰近單元之間的耦 合效應(yīng)和/或增強(qiáng)升壓(boosting)效率。如上所述，頁緩沖器130可以包括 一組或多組頁緩沖單元，而且每個(gè)頁緩沖單元可以與單元陣列110的至少一 條位線對(duì)應(yīng)。在控制器170的控制下，頁緩沖器130在編程操:作期間作為寫 入驅(qū)動(dòng)器工作。每個(gè)頁緩沖單元可以電耦接到位線、或位線對(duì)中的一條位線， 而且可以被配置為存儲(chǔ)用于通過位線向單元陣列110編程的數(shù)據(jù)位。每個(gè)頁 緩沖單元可以包括第一鎖存器和第二鎖存器用于處理多位編程。因?yàn)橛糜?MLC編程的頁緩沖器的結(jié)構(gòu)和操作眾所周知，為簡(jiǎn)潔起見將不對(duì)其作詳細(xì) 描述。
編程控制器170基于列地址信息控制Y-通過門以從輸入/輸出緩沖器150 向頁緩沖器130傳送編程數(shù)據(jù)。在編程操作期間，輸入/輸出緩沖器150可以 存儲(chǔ)(例如，臨時(shí)地存儲(chǔ))外部輸入的編程數(shù)據(jù)。
在編程循環(huán)期間的每次編程嘗試之后，控制器170控制電壓產(chǎn)生器180、 X-譯碼器120、頁緩沖器130、 Y-通過門140以對(duì)所編程的存儲(chǔ)單元執(zhí)行讀 取操作。該讀取操作與上面描述的相同。然而，在該讀取操作期間，控制器 170控制輸入/輸出緩沖器150以使得輸入/輸出緩沖器150不輸出讀取的數(shù) 據(jù)。取而代之，控制器170確定讀取的數(shù)據(jù)是否與編程數(shù)據(jù)匹配。如果不匹 配，則控制器170以遞增的編程電壓Vpgm進(jìn)入下一個(gè)編程循環(huán)。
圖6是說明根據(jù)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖。而圖7A-7D示出圖6的編程方法期間閾值分布狀態(tài)的改變。如圖7D中四個(gè)不同的閾值 分布狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、和ST4所示范的，圖6的編程方法適用于在所 選存儲(chǔ)單元MC中編程兩位數(shù)據(jù)。從而，可以用"00"、 "01"、 "10"、或"U" 的兩位樣式編程所選存儲(chǔ)單元。此外，每個(gè)狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、和ST4 與這些兩位樣式中的不同的樣式對(duì)應(yīng)。然而，本發(fā)明不限于狀態(tài)與兩位樣式 之間的具體對(duì)應(yīng)。因而，為便于說明，將針對(duì)實(shí)現(xiàn)不同的狀態(tài)而不是不同的 兩位樣式來描述編程操作。另外，將基于以下假定描述圖6的編程方法，其 中第一狀態(tài)ST1代表擦除狀態(tài)，從擦除狀態(tài)編程存儲(chǔ)單元，第一和第二狀態(tài) ST1和ST2具有相同的LSB,而且第三和第四狀態(tài)ST3和ST4具有相同的 LSB，其與第一和第二狀態(tài)ST1和ST2的LSB不同。
如圖6中所示，在步驟SIO,發(fā)生最低有效位(LSB)編程。利用ISPP 方法執(zhí)行LSB編程方法，并抑制因鄰近單元之間的耦合效應(yīng)造成的上升閾 值電壓的影響和/或減少耦合效應(yīng)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的LSB可以是"0"或"1"。 那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1的LSB匹配的LSB的兩位模式的所選存 儲(chǔ)單元不經(jīng)歷編程。那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1的LSB不匹配的LSB 的兩位樣式的所選存儲(chǔ)單元經(jīng)歷編程，如圖7A中所示。參照?qǐng)D7A，在該 LSB編程期間，將所選MLC從擦除狀態(tài)ST1編程為臨時(shí)狀態(tài)ST3'而不是第 三狀態(tài)ST3。該示例中，ISPP期間的檢驗(yàn)讀電壓Vfy3'低于與第三狀態(tài)ST3 對(duì)應(yīng)的檢l全讀電壓Vfy3。例如，狀態(tài)ST1的LSB可以是"1"，而狀態(tài)ST3 的LSB可以是"0"。
接下來，根據(jù)步驟S20 - S40進(jìn)行MSB位編程。在步驟S20,利用ISPP 方法將處于臨時(shí)狀態(tài)ST3'的所選存儲(chǔ)單元CT同時(shí)地編程為第三或第四狀態(tài) ST3和ST4。不難理解，為該MSB編程步驟選擇的存儲(chǔ)單元依賴于將要編 程到存儲(chǔ)單元中的MSB以及由ST3和ST4代表的MSB。初始編程電壓Vpgm 是電壓V1，而第三和第四狀態(tài)的4企驗(yàn)電壓分別是Vfy3和Vfy4。也就是說， 一個(gè)編程循環(huán)包含兩個(gè);f企驗(yàn)讀操作。如圖7B中所示，第三狀態(tài)ST3的檢驗(yàn) 電壓Vfy3小于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4。如上所述，向經(jīng)歷編程操作 的存儲(chǔ)單元施加編程電壓，直到讀取電壓符合檢驗(yàn)電壓為止。不難理解，被 編程為第三狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元MC通常會(huì)先于被編程為第四狀態(tài)的存儲(chǔ)單 元MC達(dá)到經(jīng)檢驗(yàn)的編程狀態(tài)。當(dāng)存儲(chǔ)單元MC達(dá)到期望的編程狀態(tài)時(shí)，不 再選擇該存儲(chǔ)單元MC的字線WL用于編程。以這樣的方式，可以將存儲(chǔ)單元MC同時(shí)地編程為第三和第四狀態(tài)ST3和ST4。
回到圖6，在步驟S30,利用ISPP方法將與第二狀態(tài)ST2的兩位樣式關(guān) 聯(lián)的存儲(chǔ)單元MC從第一狀態(tài)ST1編程為第二狀態(tài)ST2。與該編程同時(shí)地， 處于第三狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元MC的閾值分布得到精細(xì)化。其中，初始編程 電壓Vpgm是電壓V2，其小于步驟S20中的電壓VI。第二狀態(tài)和精細(xì)第三 狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓分別是Vfy2和R—Vfy3。也就是說， 一個(gè)編程循環(huán)包含兩個(gè) 檢驗(yàn)讀操作。如圖7C中所示，精細(xì)第三狀態(tài)RST3的精細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy3 仍然小于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4,但是精細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy3大于第 三狀態(tài)ST3的初始檢驗(yàn)電壓Vfy3。如進(jìn)一步示出的，第二狀態(tài)ST2的檢-驗(yàn) 電壓Vfy2小于第三狀態(tài)ST3的初始才全驗(yàn)電壓Vfy3。不難理解，在該實(shí)施例 和其他實(shí)施例中，將狀態(tài)精細(xì)化縮窄了狀態(tài)的閾值分布，但并不改變?cè)摖顟B(tài)
對(duì)應(yīng)的兩位樣式。也就是說，狀態(tài)和該狀態(tài)的精細(xì)化版本代表相同的兩位樣 式。然而，通過精細(xì)化給定的狀態(tài)，狀態(tài)之間存在更大的裕度，這改善了非 易失性存儲(chǔ)器件的性能。如上所述，向經(jīng)歷編程操作的存儲(chǔ)單元MC施加編 程電壓，直到讀取電壓符合4企驗(yàn)電壓為止。當(dāng)存儲(chǔ)單元MC達(dá)到期望的編程 狀態(tài)時(shí)，不再選擇該存儲(chǔ)單元MC的字線WL用于編程。
回到圖6，在步驟S40,利用ISPP方法將處于第二狀態(tài)ST2的存儲(chǔ)單元 MC編程為精細(xì)第二狀態(tài)RST2。也就是說，處于第二狀態(tài)ST2的存儲(chǔ)單元 MC的闞值分布得到精細(xì)化。其中，初始編程電壓Vpgm是電壓V3,其小于 步驟S30中的電壓V2。精細(xì)第二狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓是R—Vfy2。如圖7D中所 示，用于第二狀態(tài)RST2的精細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy2仍然小于第三狀態(tài)ST3的 檢驗(yàn)電壓Vfy3，但是精細(xì)檢驗(yàn)電壓R_Vfy2大于第二狀態(tài)ST2的初始檢驗(yàn)電 壓Vfy2。不同于步驟S20和S30,步驟S40在每個(gè)編程循環(huán)中包含單個(gè)檢-瞼 讀操作。
圖8示出圖6的MLC編程方法的時(shí)序圖，具體地，圖8示出分別在步 驟S20、 S30、和S40中的初始編程電壓VI、 V2、和V3具有以下的關(guān)系， 其中電壓VI大于電壓V2和V3，而且電壓V2大于電壓V3。
圖9是說明根據(jù)另一個(gè)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖，而圖10A -IOD示出圖9的編程方法期間閾值分布狀態(tài)的改變。如圖IOD中四個(gè)不同 的閾值分布狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、和ST4所示范的，圖9的編程方法適用 于在所選存儲(chǔ)單元MC中編程兩位數(shù)據(jù)。從而，可以用"00"、 "01"、 "10"、或"11"的兩位樣式編程所選存^f諸單元。此外，每個(gè)狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、 和ST4與這些兩位樣式中的不同的樣式對(duì)應(yīng)。然而，本發(fā)明不限于狀態(tài)與兩 位樣式之間的具體對(duì)應(yīng)。因而，為便于說明，將針對(duì)實(shí)現(xiàn)不同的狀態(tài)而不是 不同的兩位樣式來描述編程操作。另外，將基于以下假定描述圖9的編程方 法，其中第一狀態(tài)ST1代表擦除狀態(tài)，從擦除狀態(tài)編程存儲(chǔ)單元，第一和第 二狀態(tài)ST1和ST2具有相同的LSB，而且第三和第四狀態(tài)ST3和ST4具有 相同的LSB,其與第一和第二狀態(tài)ST1和ST2的LSB不同。
如圖9中所示，在步驟SllO，發(fā)生最低有效位(LSB)編程。利用ISPP 方法執(zhí)行LSB編程方法，并抑制因鄰近單元之間的耦合效應(yīng)造成的上升閾 值電壓的影響和/或減少耦合效應(yīng)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的LSB可以是"0"或"1"。 那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1匹配的LSB的兩位樣式的所選存儲(chǔ)單元 不經(jīng)歷編程。那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1的LSB不匹配的LSB的兩 位模式的所選存儲(chǔ)單元經(jīng)歷編程，如圖IOA中所示。參照?qǐng)D10A,在該LSB 編程期間，將所選MLC從擦除狀態(tài)ST1編程為臨時(shí)狀態(tài)ST3'而不是第三狀 態(tài)ST3。該示例中，ISPP期間的才企驗(yàn)讀電壓Vfy3'低于與第三狀態(tài)ST3對(duì)應(yīng) 的檢驗(yàn)讀電壓Vfy3。例如，狀態(tài)ST1的LSB可以是"1"，而狀態(tài)ST3的 LSB可以是"0"。
接下來，根據(jù)步驟S120-S140發(fā)生MSB位編程。在步驟S120,利用 ISPP方法將處于臨時(shí)狀態(tài)ST3'的存儲(chǔ)單元CT同時(shí)地編程為第三狀態(tài)ST3 或第四狀態(tài)ST4。不難理解，為該MSB編程步驟選擇的存儲(chǔ)單元依賴于將 要編程到存儲(chǔ)單元中的MSB以及由ST3和ST4代表的MSB。初始編程電 壓Vpgm是電壓VI，而第三和第四狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓分別是Vfy3和Vfy4。 也就是說， 一個(gè)編程循環(huán)包含兩個(gè)檢驗(yàn)讀操作。如圖IOB中所示，第三狀態(tài) ST3的檢驗(yàn)電壓Vfy3小于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4。如上所述，向經(jīng) 歷編程操作的存儲(chǔ)單元施加編程電壓，直到讀取電壓符合檢驗(yàn)電壓為止。不 難理解，被編程為第三狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元MC通常會(huì)先于被編程為第四狀 態(tài)的存儲(chǔ)單元MC達(dá)到經(jīng)檢驗(yàn)的編程狀態(tài)。當(dāng)存儲(chǔ)單元MC達(dá)到期望的編程 狀態(tài)時(shí)，不再選擇該存儲(chǔ)單元MC的字線WL用于編程。以這樣的方式，可 以將存儲(chǔ)單元MC同時(shí)地編程為第三和第四狀態(tài)ST3和ST4。
回到圖9，在步驟S130,利用ISPP方法將與第二狀態(tài)ST2的兩位樣式 關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元MC(例如，這些存儲(chǔ)單元的頁緩沖單元存儲(chǔ)與第二狀態(tài)ST2對(duì)應(yīng)的兩位樣式)從第一狀態(tài)ST1編程為第二狀態(tài)ST2。與該編程同時(shí)地， 處于第四狀態(tài)ST4的存儲(chǔ)單元MC的閾值分布得到精細(xì)化。其中，初始編程 電壓Vpgm是電壓V2，其小于步驟S120中的電壓VI。第二狀態(tài)和精細(xì)第 四狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓分別是Vfy2和R一Vfy4。也就是說， 一個(gè)編程循環(huán)包含兩 個(gè)檢驗(yàn)讀操作。如圖10C中所示，精細(xì)第四狀態(tài)RST4的精細(xì)檢驗(yàn)電壓 R—Vfy4大于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4。如進(jìn)一步示出的，第二狀態(tài)ST2 的4企驗(yàn)電壓Vfy2小于第三狀態(tài)ST3的抬、瞼電壓Vfy3。如上所述，向經(jīng)歷編 程操作的存儲(chǔ)單元MC施加編程電壓，直到讀取電壓符合檢驗(yàn)電壓為止。當(dāng) 存儲(chǔ)單元MC達(dá)到期望的編程狀態(tài)時(shí)，不再選擇該存儲(chǔ)單元MC的字線WL 用于編程。
回到圖9，在步驟S140,利用ISPP方法將處于第二狀態(tài)ST2的存儲(chǔ)單 元MC和處于第三狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元編程為精細(xì)第二狀態(tài)RST2和精細(xì)第 三狀態(tài)RST3。也就是說，處于第二和第三狀態(tài)ST2和ST3的存儲(chǔ)單元MC 的閾值分布得到精細(xì)化。其中，初始編程電壓Vpgm是電壓V3，其小于步 驟S130中的電壓V2。精細(xì)第二狀態(tài)RST2的檢-瞼電壓是R一Vfy2，而精細(xì) 第三狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓是R—Vfy3。如圖10D中所示，用于第二狀態(tài)ST2的精 細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy2仍然小于第三狀態(tài)ST3的檢驗(yàn)電壓Vfy3，但是精細(xì)檢驗(yàn) 電壓R—Vfy2大于第二狀態(tài)ST2的初始檢驗(yàn)電壓Vfy2。同樣地，用于第三狀 態(tài)的精細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy3仍然小于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4,但是精 細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy3大于第三狀態(tài)ST3的初始檢驗(yàn)電壓Vfy3。
圖11示出圖9的MLC編程方法的時(shí)序圖。具體地，圖ll示出分別在 步驟S120、 S130、和S140中的初始編程電壓VI、 V2、和V3具有以下的 關(guān)系，其中電壓VI大于電壓V2和V3，而且電壓V2大于電壓V3。電壓 VI、 V2、和V3可以與參照?qǐng)D6討論的那些電壓相同、部分相同、或不同。
圖12是"i兌明才艮據(jù)另一個(gè)示例實(shí)施例的MLC編程方法的流程圖，而圖 13A-13E示出根據(jù)圖12的方法的編程方法期間閾值分布狀態(tài)的改變。如圖 13E中四個(gè)不同的閾值分布狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、和ST4所示范的，圖12 的編程方法適用于在所選存儲(chǔ)單元MC中編程兩位數(shù)據(jù)。從而，可以用"00"、 "01"、 "10"、或"11"的兩位樣式編程所選存儲(chǔ)單元。此外，每個(gè)狀態(tài)ST1、 ST2、 ST3、和ST4與這些兩位樣式中的不同的樣式對(duì)應(yīng)。然而，本發(fā)明不 限于狀態(tài)與兩位樣式之間的具體對(duì)應(yīng)。因而，為便于說明，將針對(duì)實(shí)現(xiàn)不同的狀態(tài)而不是不同的兩位樣式來描述編程操作。另外，將基于以下假定描述
圖12的編程方法，其中第一狀態(tài)ST1代表擦除狀態(tài)，從擦除狀態(tài)編程存儲(chǔ) 單元，第一和第二狀態(tài)ST1和ST2具有相同的LSB,而且第三和第四狀態(tài) ST3和ST4具有相同的LSB，其與第一和第二狀態(tài)ST1和ST2的LSB不同。 如圖12中所示，在步驟S210,發(fā)生最低有效位(LSB)編程。利用ISPP 方法執(zhí)行LSB編程方法，并抑制因鄰近單元之間的耦合效應(yīng)造成的上升閾 值電壓的影響和/或減少耦合效應(yīng)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的LSB可以是"0"或"1"。 那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1匹配的LSB的兩位樣式的所選存儲(chǔ)單元 不經(jīng)歷編程。那些被編程為具有與第一狀態(tài)ST1的LSB不匹配的LSB的兩 位樣式的所選存儲(chǔ)單元經(jīng)歷編程，如圖13A中所示。參照?qǐng)D13A，在該LSB 編程期間，將所選MLC從擦除狀態(tài)ST1編程為臨時(shí)狀態(tài)ST3'而不是第三狀 態(tài)ST3。該示例中，ISPP期間的檢驗(yàn)讀電壓Vfy3'低于與第三狀態(tài)ST3對(duì)應(yīng) 的檢驗(yàn)讀電壓Vfy3。例如，狀態(tài)ST1的LSB可以是"1"，而狀態(tài)ST3的 LSB可以是"0"。
接下來，根據(jù)步驟S220-S250進(jìn)行MSB位編程。在步驟S220，利用 ISPP方法將正被編程為由第四狀態(tài)ST4代表的兩位樣式的、處于臨時(shí)狀態(tài) ST3'的存儲(chǔ)單元MC編程為第四狀態(tài)ST4,如圖13B中所示。初始編程電壓 Vpgm是電壓VI ，而第四狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓是Vfy4。
回到圖12，在步驟S230,利用ISPP方法將正^皮編程為第三狀態(tài)ST3 的兩位樣式的、處于臨時(shí)狀態(tài)ST3'的存儲(chǔ)單元MC編程為第三狀態(tài)ST3，而 且同時(shí)地，處于第四狀態(tài)ST4的存儲(chǔ)單元MC的閾值分布得到精細(xì)化。其中， 初始編程電壓Vpgm是電壓V2,其小于步驟S220中的電壓VI。第三狀態(tài) 和精細(xì)第四狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓分別是Vfy3和RJ^fy4。也就是說， 一個(gè)編程循 環(huán)包含兩個(gè)檢驗(yàn)讀操作。如圖13C中所示，精細(xì)第四狀態(tài)RST4的精細(xì)檢驗(yàn) 電壓R—Vfy4大于第四狀態(tài)ST4的檢驗(yàn)電壓Vfy4。如進(jìn)一步示出的，第三狀 態(tài)ST3的4企驗(yàn)電壓Vfy3小于第四狀態(tài)ST4的初始一t驗(yàn)電壓Vfy4。如上所述， 向經(jīng)歷編程操作的存儲(chǔ)單元MC施加編程電壓，直到讀取電壓符合檢驗(yàn)電壓 為止。當(dāng)存儲(chǔ)單元MC達(dá)到期望的編程狀態(tài)時(shí)，不再選擇該存儲(chǔ)單元MC的 字線WL用于編程。
在圖12的步驟S240，利用ISPP方法將正被編程為由第二狀態(tài)ST2代 表的兩位樣式的、處于第一狀態(tài)ST1的存儲(chǔ)單元MC編程為第二狀態(tài)ST2,200910165172.3
而且同時(shí)地，處于第三狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元MC的閾值分布得到精細(xì)化。其 中，初始編程電壓Vpgm是電壓V3，其小于步驟S230中的電壓V2。第二 狀態(tài)和精細(xì)第三狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓分別是Vfy2和R一Vfy3。也就是說， 一個(gè)編 程循環(huán)包含兩個(gè)4企驗(yàn)讀操作。如圖13D中所示，精細(xì)第三狀態(tài)RST3的精細(xì) 檢驗(yàn)電壓R_Vfy3大于第三狀態(tài)ST3的檢驗(yàn)電壓Vfy3，但是小于第四狀態(tài) ST4的4t瞼電壓Vfy4。如進(jìn)一步示出的，第二狀態(tài)ST2的4t瞼電壓Vfy2小 于第三狀態(tài)ST3的初始檢驗(yàn)電壓Vfy3。如上所述，向經(jīng)歷編程操作的存儲(chǔ) 單元MC施加編程電壓，直到讀取電壓符合枱r驗(yàn)電壓為止。當(dāng)存儲(chǔ)單元MC 達(dá)到期望的編程狀態(tài)時(shí)，不再選擇該存儲(chǔ)單元MC的字線WL用于編程。
再次回到圖12，在步驟S250，利用ISPP方法將處于第二狀態(tài)ST2的存 儲(chǔ)單元MC編程為精細(xì)第二狀態(tài)RST2。也就是說，處于第二狀態(tài)ST2的存 儲(chǔ)單元MC的閾值分布得到精細(xì)化。其中，初始編程電壓Vpgm是電壓V4, 其小于步驟S240中的電壓V3。精細(xì)第二狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓是R一Vfy2。如圖 13E中所示，用于第二狀態(tài)ST2的精細(xì)檢驗(yàn)電壓R一Vfy2仍然小于第三狀態(tài) ST3的檢驗(yàn)電壓Vfy3,但是精細(xì)檢驗(yàn)電壓R—Vfy2大于第二狀態(tài)ST2的初始 檢驗(yàn)電壓Vfy2。不同于步驟S230和S240，步驟S250在每個(gè)編程循環(huán)中包 含單個(gè)檢驗(yàn)讀操作。
圖14示出圖12的MLC編程方法的時(shí)序圖，具體地，圖14示出分別在 步驟S220、 S230、 S240、和S250中的初始編程電壓VI、 V2、 V3、和V4 具有以下的關(guān)系，其中電壓VI大于電壓V2、 V3、和V4，電壓V2大于電 壓V3和V4，而且電壓V3大于電壓V4。電壓V1、 V2、和V3可以與參照 圖6和9討論的那些電壓相同、部分相同、或不同。
圖15-22示出實(shí)現(xiàn)實(shí)施例。
圖15示出所述半導(dǎo)體器件的應(yīng)用的示例實(shí)施例。如所示，該實(shí)施例包 括連接到存儲(chǔ)器控制器2220的存儲(chǔ)器2210。存儲(chǔ)器2210可以是根據(jù)上述實(shí) 施例之一的任何存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器控制器2220提供用于控制存儲(chǔ)器2210的操 作的輸入信號(hào)。例如，存儲(chǔ)器控制器2220提供命令和地址信息。
圖16示出另一個(gè)實(shí)施例。除了存儲(chǔ)器2210和存儲(chǔ)器控制器2220已經(jīng) 被實(shí)現(xiàn)為卡2330之外，該實(shí)施例與圖15的實(shí)施例相同。例如，卡2330可 以是諸如閃速存儲(chǔ)卡的存儲(chǔ)卡。也就是說，卡2330可以是用于與諸如數(shù)字 照相^/L、個(gè)人計(jì)算機(jī)等消費(fèi)電子設(shè)備使用的滿足任何工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的卡。不難理解，存儲(chǔ)器控制器2220可以基于卡2330從另外的(例如，外部的)設(shè)備接 收的控制信號(hào)控制存儲(chǔ)器2210。
圖17示出另一個(gè)實(shí)施例。如所示，存^f渚器2210可以與主機(jī)系統(tǒng)2410 連接。主機(jī)系統(tǒng)2410可以是諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字照相機(jī)等處理系統(tǒng)。主 機(jī)系統(tǒng)2410可以使用存儲(chǔ)器2210作為可拔除存儲(chǔ)介質(zhì)。不難理解，主機(jī)系 統(tǒng)2410提供用于控制存儲(chǔ)器2210的操作的輸入信號(hào)。例如，主機(jī)系統(tǒng)2410 提供命令和地址信息。
圖18示出其中將主機(jī)系統(tǒng)2410連接到圖16的卡2330的實(shí)施例。該實(shí) 施例中，主機(jī)系統(tǒng)2410向卡2330施加控制信號(hào)，使得存儲(chǔ)器控制器2220 控制存儲(chǔ)器2210的操作。
圖19示出另一個(gè)實(shí)施例。如所示，存儲(chǔ)器2210可以連接到計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 2610內(nèi)的中央處理器(CPU) 2620。例如，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2610可以是個(gè)人計(jì) 算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理等。存儲(chǔ)器2210可以與CPU 2620直接連接，通過總線 連接等。不難理解，為清楚起見，圖19并未示出計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2610內(nèi)可以包 含的組件的完整配件。
圖20示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。圖20可以代表上述的半導(dǎo)體器件實(shí) 施例的另一個(gè)便攜應(yīng)用。如所示，該實(shí)施例包括存儲(chǔ)器3010，其可以是任何 上述的非易失性存儲(chǔ)器件實(shí)施例。在該實(shí)施例和前面的任何實(shí)施例中，存儲(chǔ) 器3010可以包括一個(gè)或多個(gè)集成電路管芯(die )，其中每個(gè)管芯具有根據(jù)各 種實(shí)施例操作的存儲(chǔ)陣列。這些IC管芯可以是以諸如傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器(DRAM)模塊的模塊配置的單獨(dú)的、獨(dú)立存儲(chǔ)器件，或者它們可以與 其他片上功能集成。在后者的實(shí)施例中，如上所述存儲(chǔ)器3010可以是I/O 處理器或樣t控制器的部分。
該便攜應(yīng)用實(shí)施例和其他便攜應(yīng)用實(shí)施例例如可以是便攜筆記本計(jì)算 機(jī)、數(shù)字靜止和/或視頻攝像機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)(蜂窩)手持電話單元、 導(dǎo)航設(shè)備、GPS系統(tǒng)、音頻和/或視頻播放器等。當(dāng)然，存儲(chǔ)器3010還有其 他的非便攜應(yīng)用。這些例如包括可能得益于非易失性存儲(chǔ)器件的大型網(wǎng)絡(luò)服 務(wù)器或其他計(jì)算設(shè)備。
如圖20中所示，該實(shí)施例包括處理器或CPU3510，其使用存儲(chǔ)器3010 作為程序存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)用于其執(zhí)行的代碼和數(shù)據(jù)?？商娲兀梢允褂么?儲(chǔ)器3010作為用于代碼和數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)的大容量存儲(chǔ)設(shè)備。該便攜應(yīng)用實(shí)施例可以經(jīng)由1/0接口 3515與諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的其他 設(shè)備通信。該I/O接口 3515可以提供到計(jì)算機(jī)外圍總線、高速數(shù)字通信傳 輸線、或用于無導(dǎo)向傳輸?shù)奶炀€的通路?？梢岳脠D20中由總線3500代表 的傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)總線架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)處理器與存儲(chǔ)器3010之間、以及處理器3510 與I/CM妄口 3515之間的通信。此外，本發(fā)明不限于該架構(gòu)。例如，可以用 圖16的實(shí)施例替換存儲(chǔ)器3010,而且與處理器3510的通信可以經(jīng)由存儲(chǔ)器 控制器3020。另外，I/O接口 3515可以經(jīng)由存儲(chǔ)器控制器3020與存儲(chǔ)器3010 通信，或者若存儲(chǔ)器控制器3020不存在，則與存儲(chǔ)器3010直接通信。在便 攜應(yīng)用中，經(jīng)由電源總線3525通過電池3520為上述組件供電。
圖21是示出根據(jù)示例實(shí)施例的采用閃速存儲(chǔ)器件的示例裝置(例如， 移動(dòng)裝置)的框圖。包括能夠利用根據(jù)示例實(shí)施例的方法編程的MLC的該 閃速存儲(chǔ)器件可以用于較大或相對(duì)大容量的存儲(chǔ)單元。
參照?qǐng)D21，閃速存儲(chǔ)器件4260可以用于或被適配為用于移動(dòng)裝置4200 的硬盤4250中。閃速存儲(chǔ)器件4260可以用作為硬盤4250的較大或相對(duì)大 容量的存儲(chǔ)單元。例如，閃速存儲(chǔ)器件4260可以^^提供用于固態(tài)盤和/或閃 速存儲(chǔ)器件4260可以用作為混合硬盤中的閃速存儲(chǔ)器組件。在移動(dòng)裝置 4200中，可以經(jīng)由總線4240將從硬盤4250提供的數(shù)據(jù)傳送到RAM 4270 或中央處理器(CPU) 4210?？梢越?jīng)由總線4240將存儲(chǔ)在RAM 4270中的 數(shù)據(jù)以及響應(yīng)于輸入/輸出單元4230的操作由CPU 4210內(nèi)部地產(chǎn)生的數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)在硬盤4250中。在向硬盤4250中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，可以使用上述實(shí)施例之 一來編程閃速存儲(chǔ)器件4260的MSB頁。
圖22是示出根據(jù)示例實(shí)施例的采用閃速存儲(chǔ)器件的另 一個(gè)示例裝置(例 如，移動(dòng)裝置)的框圖。參照?qǐng)D22,可以使用閃速存儲(chǔ)器件4260作為裝置 4300中的非易失性存儲(chǔ)器組件。裝置4300可以是移動(dòng)裝置，但不限于此。 該示例中，移動(dòng)裝置4300可以包括存儲(chǔ)器控制器4280，其被配置為執(zhí)行用 于數(shù)據(jù)交換的接口操作。存儲(chǔ)器控制器4280可以通過移動(dòng)裝置4300的總線 4240執(zhí)行數(shù)據(jù)輸入/輸出操作。
根據(jù)至少某些示例實(shí)施例，非易失性閃速存儲(chǔ)器件可以通過在單個(gè)編程 循環(huán)期間執(zhí)行同時(shí)編程來增強(qiáng)編程速度。因而根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存 儲(chǔ)器件和編程方法可以改善編程速度。
示例實(shí)施例應(yīng)被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，而且所附權(quán)利要求書意欲涵蓋落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的所有這樣的變型、改進(jìn)、及其他實(shí) 施例。例如，雖然已經(jīng)針對(duì)編程兩個(gè)位描述了實(shí)施例，但是本發(fā)明的特征也
可以適用于存儲(chǔ)多于兩個(gè)位的MLC。因此，以法律允許的最大程度，本發(fā) 明的范圍將由所附權(quán)利要求書及其等價(jià)物的最寬泛的可容許解釋來確定，而 不應(yīng)當(dāng)受前述詳細(xì)說明的限制。
對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2008年7月24日向韓國(guó)特許廳(KIPO)提交的韓國(guó)專 利申請(qǐng)No. 10-2008-0072317的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部?jī)?nèi)容合并于此。
權(quán)利要求
1、一種編程非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)，該方法包括第一同時(shí)編程(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第三選擇狀態(tài)，所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括將第一存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)，所述精細(xì)第 二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓小于所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn) 電壓。
4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中第 一同時(shí)編程步驟向第 一和第二存儲(chǔ)單元施加第 一序列的遞增編程電 壓；而且所述編程步驟向第一存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電壓，第二序列 的起始電壓小于第一序列的起始電壓。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括第二同時(shí)編程(i)將第二存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第三選擇狀態(tài)、 以及(2)將第三存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第四選擇狀態(tài)，所述臨時(shí)狀態(tài) 代表比所述多位數(shù)據(jù)更少的位。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中第二同時(shí)編程步驟向第二和第三存儲(chǔ)單元施加第一序列的遞增編程電 壓；而且第一同時(shí)編程步驟向第一和第二存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電 壓，第二序列的起始電壓小于第一序列的起始電壓。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括將第一存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)，所述精細(xì)第 二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中第二同時(shí)編程步驟向第二和第三存儲(chǔ)單元施加第一序列的遞增編程電 壓；而且第 一 同時(shí)編程步驟向第 一和第二存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電 壓，第二序列的起始電壓小于第一序列的起始電壓；而且所述編程步驟向第 一存儲(chǔ)單元施加第三序列的遞增編程電壓，第三序列 的起始電壓小于第二序列的起始電壓。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓 小于所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn) 電壓小于第四選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓。
10. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括第二同時(shí)編程(1 )將第一存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選 擇狀態(tài)、以及(2)將第三存儲(chǔ)單元從第四選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第四選擇狀 態(tài)，所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓，所述精細(xì) 第四選擇狀態(tài)具有比第四選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電 壓小于所述精細(xì)第四選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第四選擇狀態(tài)的檢 驗(yàn)電壓小于所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓。
12. 如權(quán)利要求IO所述的方法，進(jìn)一步包括第三同時(shí)編程(1)將第二存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第三選擇狀態(tài)、 以及(2)將第三存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第四選擇狀態(tài)，所述臨時(shí)狀態(tài) 代表比所述多位數(shù)據(jù)更少的位。
13. 如^L利要求12所述的方法，其中第三同時(shí)編程步驟向第二和第三存儲(chǔ)單元施加第 一序列的遞增編程電 壓；而且第一同時(shí)編程步驟向第一和第二存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電 壓，第二序列的起始電壓小于第一序列的起始電壓；而且第二同時(shí)編程步驟向第一和第三存儲(chǔ)單元施加第三序列的遞增編程電 壓，第三序列的起始電壓小于第二序列的起始電壓。
14. 如權(quán)利要求l所述的方法，進(jìn)一步包括第二同時(shí)編程(l)將第二存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第三選擇狀態(tài)、以及(2)將第三存儲(chǔ)單元從第四選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第四選擇狀態(tài)，所述 臨時(shí)狀態(tài)代表比所述多位數(shù)據(jù)更少的位，所述精細(xì)第四選擇狀態(tài)具有比第四 選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中第二同時(shí)編程步驟向第二和第三存儲(chǔ)單元施加第 一序列的遞增編程電 壓；而且第一同時(shí)編程步驟向第一和第二存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電 壓，第二序列的起始電壓小于第 一序列的起始電壓。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓小 于所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電 壓小于第四選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括第一編程將第三存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第四選擇狀態(tài)；以及 第二編程將第一存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)， 所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢ar電壓。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中第 一編程步驟向第三存儲(chǔ)單元施加第 一序列的遞增編程電壓；第二同時(shí)編程步驟向第二和第三存儲(chǔ)單元施加第二序列的遞增編程電 壓，第二序列的起始電壓小于第 一序列的起始電壓；第 一 同時(shí)編程步驟向第 一和第二存儲(chǔ)單元施加第三序列的遞增編程電 壓，第三序列的起始電壓小于第二序列的起始電壓；而且第二編程步驟向第一存儲(chǔ)單元施加第四序列的遞增編程電壓，第四序列的起始電壓小于第三序列的起始電壓。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電 壓小于所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的枱，驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)的檢 驗(yàn)電壓小于所述精細(xì)第四選擇狀態(tài)的檢驗(yàn)電壓。
20. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述多個(gè)狀態(tài)是四個(gè)，而所述多位 數(shù)據(jù)是兩位。
21. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中第一選擇狀態(tài)是擦除狀態(tài)。
22. —種編程非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè) 存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位凄t據(jù)，該方法包括第一同時(shí)編碼利用比用于將第二存儲(chǔ)單元編程為第三選擇狀態(tài)的檢驗(yàn) 電壓更高的檢驗(yàn)電壓同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二 選擇狀態(tài)、以及(2)編程處于第三選擇狀態(tài)的第二存儲(chǔ)單元。
23. —種編程非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè) 存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的 多位數(shù)據(jù)，該方法包括同時(shí)向第一和第二存儲(chǔ)單元施加相同的遞增編程電壓序列以使得(1) 第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)改變?yōu)榈诙x擇狀態(tài)、以及(2)第二存儲(chǔ)單 元從第三選擇狀態(tài)改變?yōu)榫?xì)第三選擇狀態(tài)，而且所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具 有比第二選擇狀態(tài)更窄的閾值分布。
24. —種編程非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè) 存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的 多位數(shù)據(jù)，該方法包括同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第一選擇狀態(tài)、 以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)，所述 精細(xì)第 一選擇狀態(tài)具有比第 一選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓，而且所述精細(xì)第二 選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
25. —種編程非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè) 存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的 多位數(shù)據(jù)，該方法包括同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從臨時(shí)狀態(tài)編程為第一選擇狀態(tài)、以及(2) 將第二存儲(chǔ)單元從第二選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第二選擇狀態(tài)，所述臨時(shí)狀態(tài)代表比所述多位數(shù)據(jù)更少的位，而且所述精細(xì)第二選擇狀態(tài)具有比第二選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
26. —種半導(dǎo)體器件，包括非易失性存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí) 現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)；頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ)正被編程到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)；電壓產(chǎn)生器，被配置為產(chǎn)生用于施加到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓；譯碼器，被配置為向所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓；以及控制器，被配置為控制所述電壓產(chǎn)生器、所述譯碼器、和所述頁緩沖器 以第一同時(shí)(l)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以 及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第三選擇狀態(tài)，所述精 細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
27. —種卡，包括存儲(chǔ)器件，該存儲(chǔ)器件包括非易失性存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置 為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)，頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ)正被編程到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)，電壓產(chǎn)生器，被配置為產(chǎn)生用于施加到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓，譯碼器，被配置為向所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓，以及控制器，被配置為控制所述電壓產(chǎn)生器、所述譯碼器、和所述頁緩 沖器以第一同時(shí)(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、 以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第三選擇狀態(tài)，所述 精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓；以及 配置用于控制所述存儲(chǔ)器件的控制單元。
28. —種系統(tǒng)，包括 總線；連接到所述總線的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括非易失性存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置 為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)，頁緩沖器，被配置為存儲(chǔ)正被編程到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列中的數(shù)據(jù)，電壓產(chǎn)生器，被配置為產(chǎn)生用于施加到所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的電壓，譯碼器，被配置為向所述非易失性存儲(chǔ)單元陣列的字線施加電壓，以及控制器，被配置為控制所述電壓產(chǎn)生器、所述譯碼器、和所述頁緩 沖器以第一同時(shí)(1 )將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第三選擇狀態(tài)，所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓；以及連接到所述總線的輸入/輸出設(shè)備；以及連接到所述總線的處理器，所述處理器被配置為經(jīng)由所述總線與所述輸 入/輸出設(shè)備和所述半導(dǎo)體器件通信。
全文摘要
一種非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。每個(gè)存儲(chǔ)單元被配置為實(shí)現(xiàn)多個(gè)狀態(tài)之一，而每個(gè)狀態(tài)代表不同的多位數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述編程方法包括同時(shí)地(1)將第一存儲(chǔ)單元從第一選擇狀態(tài)編程為第二選擇狀態(tài)、以及(2)將第二存儲(chǔ)單元從第三選擇狀態(tài)編程為精細(xì)第三選擇狀態(tài)。所述精細(xì)第三選擇狀態(tài)具有比第三選擇狀態(tài)更高的檢驗(yàn)電壓。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101635172SQ20091016517
公開日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2009年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月24日
發(fā)明者白種南, 黃相元 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社