專利名稱：包括可移除結(jié)合焊盤擴(kuò)展的電路設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括結(jié)合焊盤(bond pad)的電路裝置。更特別地，本發(fā)明涉及包括用 于測(cè)試電路裝置的結(jié)合焊盤擴(kuò)展的電路裝置。
背景技術(shù)：
結(jié)合焊盤與導(dǎo)線結(jié)合技術(shù)一起使用，以在電子封裝中安裝如半導(dǎo)體集成電路管芯 的電路裝置。電路裝置一般包括例如通過超聲結(jié)合電連接到嵌入裝置封裝中的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體 的導(dǎo)線結(jié)合焊盤的多個(gè)相對(duì)小的導(dǎo)電引線。一些傳統(tǒng)的電路裝置配置包括擴(kuò)展的結(jié)合焊盤，這些結(jié)合焊盤是具有實(shí)現(xiàn)用于在 測(cè)試電路裝置期間放置測(cè)試探針的額外空間的擴(kuò)展區(qū)域或地帶的結(jié)合焊盤。然而，在該傳 統(tǒng)配置中，在完成了對(duì)電路裝置的測(cè)試后擴(kuò)展結(jié)合焊盤一般保持不變。就此而言，擴(kuò)展結(jié)合 焊盤會(huì)對(duì)電路裝置增加額外電容或在相對(duì)高的頻率增加開路短線(stub)。該開路短線本質(zhì) 上是電容性的且呈現(xiàn)會(huì)導(dǎo)致不期望的信號(hào)輻射的共振。其它傳統(tǒng)電路裝置配置包括在進(jìn)行 測(cè)試之后從實(shí)際或原始的結(jié)合焊盤斷開或脫離的擴(kuò)展結(jié)合焊盤。然而，在該配置中，一旦從 電路裝置永久移除了擴(kuò)展結(jié)合焊盤，就不可能隨后使用擴(kuò)展結(jié)合焊盤。因此，需要一種不包括另外的寄生效果的或不對(duì)相關(guān)聯(lián)電路裝置的現(xiàn)有寄生效果 造成另外的寄生效果的可再使用、可移除的擴(kuò)展結(jié)合焊盤或結(jié)合焊盤擴(kuò)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在電路配置中實(shí)現(xiàn)，該電路配置包括至少一個(gè)可切換地移除的結(jié)合焊盤擴(kuò) 展測(cè)試焊盤(bond pad extension test pad)，其允許通過改進(jìn)地放置測(cè)試探針來改進(jìn)地測(cè) 試相對(duì)應(yīng)的電路裝置。結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤例如通過電路裝置的結(jié)合焊盤可移除地耦合 到電路裝置，其中電路裝置的結(jié)合焊盤用于將電路裝置的集成電路部分導(dǎo)線結(jié)合到電路裝 置的外部的組件。電路配置包括在結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤和結(jié)合焊盤或其它適當(dāng)?shù)难b置電 路之間耦合的可控開關(guān)?？煽亻_關(guān)包括至少一個(gè)使能控制輸入端，用于使能或禁用可控開 關(guān)，并被配置成使得當(dāng)可控開關(guān)被使能時(shí)，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤電連接到結(jié)合焊盤或其 它裝置電路，而當(dāng)可控開關(guān)被禁用時(shí)結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤從結(jié)合焊盤或其它裝置電路電 隔離。耦合到可控開關(guān)且耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的控制電路進(jìn)行操作以在控制電路 檢測(cè)到施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的測(cè)試電壓時(shí)使能可控開關(guān)，并在控制電路沒有檢測(cè) 到施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的測(cè)試電壓時(shí)禁用可控開關(guān)。由于結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 在測(cè)試后可從結(jié)合焊盤或其它裝置電路斷開，從而從電路裝置被移除，因此結(jié)合焊盤擴(kuò)展 測(cè)試焊盤不對(duì)相對(duì)應(yīng)的電路裝置造成另外的寄生效果。電路配置自動(dòng)地檢測(cè)何時(shí)測(cè)試電壓 被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，然后響應(yīng)于檢測(cè)到施加的測(cè)試電壓連接結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè) 試焊盤。當(dāng)移除施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的測(cè)試電壓時(shí)，電路配置將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè) 試焊盤從相關(guān)聯(lián)的結(jié)合焊盤或其它裝置電路斷開。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置的框圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置的框圖，所述結(jié)合焊 盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置包括傳輸門開關(guān)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)控制電路；圖3是示出與射頻(RF)收發(fā)器一起使用的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè) 試焊盤配置的框圖；圖4是示出用在射頻(RF)傳輸功率監(jiān)視中的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展 測(cè)試焊盤配置的框圖；以及圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例使用結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置測(cè)試電路的方法 的框圖。
具體實(shí)施例方式在以下說明中，相同的附圖標(biāo)記指示相同的組件以通過對(duì)附圖的說明增加對(duì)本發(fā) 明的理解。而且，盡管以下討論了特定特征、設(shè)置和配置，應(yīng)理解這樣做僅是為了說明的目 的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下其它步驟、設(shè)置和配 置也是有用的。本發(fā)明實(shí)施例涉及提供一種結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，該結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤可 用來測(cè)試相對(duì)應(yīng)的電路，然后在去除對(duì)結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的施加的測(cè)試電壓之后自動(dòng) 從電路移除。從相對(duì)應(yīng)的電路移除結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤防止與結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤相 關(guān)聯(lián)的任何額外的寄生效果被添加到相對(duì)應(yīng)的電路上，所述額外的寄生效果如襯底噪聲、 襯底耦合和趨膚效果。例如，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤在連接到對(duì)應(yīng)的電路時(shí)可用來通過長(zhǎng) 輸送線將高速射頻(RF)測(cè)試信號(hào)注入到電路中，該長(zhǎng)輸送線在從對(duì)應(yīng)的電路去除結(jié)合焊 盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)不加載實(shí)際的高速RF電路?，F(xiàn)在參考圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10的 框圖。結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10可通過電路裝置22內(nèi)的任何適當(dāng)?shù)慕M件(如結(jié)合焊 盤12)耦合到電路裝置22。結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10包括結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤或 測(cè)試焊盤14，耦合在結(jié)合焊盤12和結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14之間的可控開關(guān)16以及耦合 到可控開關(guān)16和結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的控制電路18。應(yīng)理解，對(duì)于與電路裝置相關(guān)聯(lián)的任何適當(dāng)?shù)碾娐罚珉娐费b置內(nèi)的內(nèi)部電路 (包括結(jié)合焊盤)，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10是有用的。因此，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 配置10不僅可用于連接到電路裝置結(jié)合焊盤以及從電路裝置結(jié)合焊盤斷開連接，還可用 于連接到電路裝置內(nèi)的其它內(nèi)部電路或從該其它內(nèi)部電路斷開連接。因此，結(jié)合焊盤擴(kuò)展 測(cè)試焊盤配置10對(duì)于電路裝置內(nèi)的電組件的內(nèi)部測(cè)試，以及對(duì)于連接到電路裝置內(nèi)的電 組件或從其斷開連接都是有用的。結(jié)合焊盤12可以是電耦合到適當(dāng)?shù)碾娐费b置22中的一個(gè)或多個(gè)集成電路(IC) 的任何合適的結(jié)合焊盤。一般地，結(jié)合焊盤12用來將電路裝置的集成電路部分導(dǎo)線結(jié)合到 電路裝置22外部的組件(未示出)。可控開關(guān)16可以是能夠可移除地將測(cè)試焊盤14耦合到結(jié)合焊盤12以使得結(jié)合 焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14電連接到結(jié)合焊盤12的任何合適的開關(guān)。例如，可控開關(guān)16可以是傳輸門，如圖2所示，且以下對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)的說明。傳輸門是可在熱插或熱拔期間將組件 與例如現(xiàn)場(chǎng)信號(hào)(live signal)隔離的電元件?？刂齐娐?8可以是能夠以如下討論的方式恰當(dāng)?shù)夭僮骺煽亻_關(guān)16的任何合適的 控制電路。例如，控制電路18可包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元，和其它控制邏輯， 如圖2所示，且以下對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)的說明。在一些情況下，控制電路18可由內(nèi)置自測(cè)試 (BIST)功能控制。如以下更詳細(xì)說明，控制電路18通過控制可控開關(guān)16的操作來可切換地將結(jié)合 焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14連接到結(jié)合焊盤12，即通過開啟可控開關(guān)16將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊 盤14電連接到結(jié)合焊盤12，而通過關(guān)閉可控開關(guān)16將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14與結(jié)合焊 盤12斷開電連接或電隔離。控制電路18基于結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14是否具有施加到 其的例如來自測(cè)試探針的測(cè)試電壓或測(cè)試信號(hào)來控制可控開關(guān)16的操作?，F(xiàn)在參考圖2，圖2是示出了結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10的框圖，其中可控開關(guān) 16包括傳輸門24且控制電路18包括耦合到傳輸門24的SRAM單元26?？刂齐娐?8還例 如通過另外的邏輯配置28耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，結(jié)合焊盤 擴(kuò)展測(cè)試焊盤14可添加有一些泄露組件(leakage component，未示出)，然而這不是必須 的。SRAM單元26包括多個(gè)晶體管M1-M4，其中晶體管M2和M3如圖所示分別直接交叉 耦合在一起和通過電阻器Rl和R2交叉耦合。如圖所示，通過連接晶體管Ml和晶體管M2以 及電阻器R3形成SRAM單元26的數(shù)據(jù)線32。如圖所示，通過連接晶體管M4和晶體管M3以 及電阻器R4形成SRAM單元26的數(shù)據(jù)阻擋或數(shù)據(jù)補(bǔ)充線(data complement line)34。數(shù)據(jù) 線32耦合到源電壓Vcc(即，約束為“高”)且數(shù)據(jù)補(bǔ)充線34耦合到地(即，約束為“低”)。傳輸門24耦合在結(jié)合焊盤12和結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14之間。更具體地，傳輸 門24具有通過連接36耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的輸入端和通過連接38耦合到結(jié) 合焊盤12的輸出端。傳輸門24還包括在晶體管Ml和M2之間通過連接42耦合到SRAM單 元26的第一控制或使能輸入端，以及在晶體管M3和M4之間通過連接44耦合到SRAM單元 26的第二補(bǔ)充控制或使能輸入端。當(dāng)邏輯“高”或邏輯“ 1，，電壓被施加到第一控制或使能輸入端且邏輯“低”或邏輯 “0”被施加到第二補(bǔ)充控制或使能輸入端時(shí)，傳輸門24被開啟。當(dāng)傳輸門24被開啟時(shí)，傳 輸門輸入端被電連接到傳輸門輸出端。因而，在該應(yīng)用中，當(dāng)傳輸門24被開啟時(shí)，結(jié)合焊盤 擴(kuò)展測(cè)試焊盤14通過連接36，并通過連接38電連接到結(jié)合焊盤12。此外，在操作中，當(dāng)邏 輯“低”或邏輯“0”電壓被施加到第一控制或使能輸入端并且邏輯“高”或邏輯“ 1，，被施加 到第二補(bǔ)充控制或使能輸入端時(shí)，傳輸門24被關(guān)閉。當(dāng)傳輸門24被關(guān)閉時(shí)，傳輸門輸入端 與傳輸門輸出端電隔離或斷開連接。因而，當(dāng)傳輸門24被關(guān)閉時(shí)，結(jié)合焊盤12將與結(jié)合焊 盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14電隔離。SRAM單元26包括結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14通過適當(dāng)?shù)倪壿嬇渲?8耦合到其的 寫線(W)46。例如，配置28可包括NAND門29，其中第一輸入端耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊 盤14，第二輸入端耦合到SRAM單元26的數(shù)據(jù)線32，且輸出端耦合到反相器31的輸入端， 反相器31具有耦合到SRAM單元26的寫線46的輸入端?？商娲?，邏輯配置28可以是使 用D型觸發(fā)器或其它一次啟動(dòng)(one-shot)型電路的更復(fù)雜的組合。
如上討論，結(jié)合焊盤12是一般或?qū)⒈粚?dǎo)線結(jié)合到外部電路(未示出)的傳統(tǒng)結(jié)合 焊盤。在測(cè)試結(jié)合焊盤12和配置10所屬的電路裝置的電路期間，測(cè)試探針與結(jié)合焊盤擴(kuò) 展測(cè)試焊盤14而不是結(jié)合焊盤12接觸。因而，在任何測(cè)試期間結(jié)合焊盤12不被任何測(cè)試 探針接觸，從而保持結(jié)合焊盤12的結(jié)合能力。以這種方式，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14可被 測(cè)試探針反復(fù)觸探，而不對(duì)結(jié)合焊盤12的結(jié)合能力造成負(fù)面影響。在操作中，當(dāng)結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置所屬的電路沒有被供電時(shí)，SRAM單元26 失效且不實(shí)現(xiàn)功能。當(dāng)源電壓Vcc被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置所屬的電路例如用 于測(cè)試目的時(shí)，SRAM單元26及控制電路18的其它部分被供電。在測(cè)試處理中的該階段， 由于寫線46沒有被供給能量，所以沒有數(shù)據(jù)被寫入到SRAM單元26中。當(dāng)測(cè)試探針被應(yīng)用于結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14時(shí)，SRAM單元26的寫線46被供給 能量。當(dāng)SRAM單元26的寫線46被供給能量時(shí)，在SRAM單元26中鎖住適當(dāng)?shù)男盘?hào)，使得 連接42向傳輸門24的第一控制或使能輸入端施加邏輯“高”并向傳輸門24的第二補(bǔ)充控 制或使能輸入端施加邏輯“低”，從而開啟傳輸門24。當(dāng)傳輸門24被開啟時(shí)，來自被應(yīng)用于 結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的測(cè)試探針的測(cè)試信號(hào)可在結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14和結(jié)合焊 盤12之間通過。如以上討論，測(cè)試探針不接觸結(jié)合焊盤12，但結(jié)合焊盤12接收測(cè)試信號(hào)。當(dāng)從結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14移除測(cè)試探針時(shí)，SRAM單元26的寫線46不再被 供給能量。這樣在SRAM單元26內(nèi)，到傳輸門24的第一控制或使能輸入端的連接42變?yōu)?邏輯“低”，且到傳輸門24的第二補(bǔ)充控制或使能輸入端的連接44變?yōu)檫壿嫛案摺?，由此關(guān) 閉傳輸門24。如以上所討論，當(dāng)傳輸門24被關(guān)閉時(shí)，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14與結(jié)合焊盤 12電隔離。如結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10的操作所示，對(duì)電路配置和電路配置所屬的電 路裝置的測(cè)試可在測(cè)試探針不接觸結(jié)合焊盤12的情況下進(jìn)行。因此，結(jié)合焊盤12在例如 測(cè)試處理期間不會(huì)遭受測(cè)試探針的反復(fù)探查和觸探所導(dǎo)致的潛在的物理?yè)p害，從而保持結(jié) 合焊盤12的結(jié)合能力。盡管圖2所示的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置10包括控制電路18中的SRAM單元， 但是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例可使用其它控制電路配置。例如，代替使用SRAM單元26，控制電路 18可包括NAND邏輯的電路配置，其被配置成感測(cè)對(duì)結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14施加的電壓， 并感測(cè)傳輸門24的第一和第二使能輸入端上的邏輯“高”和邏輯“低”，從而以上述方式控 制傳輸門24的操作。然而，由于SRAM單元配置不包括例如與掃描線測(cè)試流或其它時(shí)鐘信 號(hào)分離的寫線控制，因此在控制電路18中使用SRAM單元可能是有利的。現(xiàn)在參考圖3，圖3是示出了用于對(duì)高速輸入端(如RF收發(fā)器的低噪聲放大器 (LNA)輸入端)提供高速測(cè)試的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置50的框 圖。配置50包括一個(gè)或多個(gè)結(jié)合焊盤12，如RF收發(fā)器52的RF輸入焊盤。配置50還包括 耦合到結(jié)合焊盤12的傳輸門或其它適當(dāng)?shù)目煽亻_關(guān)16，耦合到可控開關(guān)16的結(jié)合焊盤擴(kuò) 展測(cè)試焊盤14，以及耦合到可控開關(guān)16和結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的控制電路18。結(jié)合 焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14還例如通過輸入傳輸線56耦合到RF測(cè)試源54。RF測(cè)試源54被配置成在RF收發(fā)器52的輸入端處將高速測(cè)試信號(hào)注入到低噪聲 放大器中。然而，低噪聲放大器(未示出)一般對(duì)輸入端負(fù)載敏感，因而結(jié)合焊盤12不應(yīng) 在有源(active) RF測(cè)試期間被干擾。因此，在操作中，按照如上討論的方式，當(dāng)控制電路18檢測(cè)到RF測(cè)試源54已將測(cè)試信號(hào)或測(cè)試電壓施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14上時(shí)，控制 電路18使能可控開關(guān)16以允許高速測(cè)試信號(hào)被注入到RF收發(fā)器52的低噪聲放大器的輸 入端中。當(dāng)測(cè)試完成時(shí)，即當(dāng)RF測(cè)試源54不再將測(cè)試信號(hào)施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 14上時(shí)，控制電路18禁用可控開關(guān)16，從而將RF測(cè)試源54連同傳輸線56與RF收發(fā)器52 的低噪聲放大器的輸入端斷開電連接或電隔離?，F(xiàn)在參考圖4，圖4是示出了用在射頻(RF)傳輸功率監(jiān)視中的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例 的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置60的框圖。例如，配置60示出了用于如下應(yīng)用中的結(jié)合焊 盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置，在該應(yīng)用中RF發(fā)射器通過發(fā)射器輸出級(jí)62耦合到天線64，如印刷的 天線。配置60包括例如通過傳輸線68耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的功率監(jiān)視器或 檢測(cè)器66。結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14耦合到可控開關(guān)16 (例如傳輸門)，可控開關(guān)16也 耦合到結(jié)合焊盤12。控制電路18以之前所述的方式耦合到可控開關(guān)16和結(jié)合焊盤12。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置提供用于在對(duì)結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試 焊盤14應(yīng)用功率監(jiān)視器66時(shí)分接RF發(fā)射器輸出功率的一部分的短線。一般結(jié)合焊盤擴(kuò) 展測(cè)試焊盤配置提供的該短線或分接頭耦合到發(fā)射器輸出級(jí)62和天線64之間的輸出匹配 網(wǎng)絡(luò)72上的相對(duì)低的阻抗點(diǎn)。一般輸出匹配網(wǎng)絡(luò)72被配置成阻抗匹配或近似匹配傳輸線 68的阻抗。在操作中，當(dāng)功率監(jiān)視器66耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14時(shí)，功率監(jiān)視器66 被開啟或供電，控制電路18通過結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14檢測(cè)到功率監(jiān)視器66的存在， 且響應(yīng)于此使能可控開關(guān)16，從而將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14電連接到結(jié)合焊盤12。在 結(jié)合焊盤12耦合到輸出匹配網(wǎng)絡(luò)72的情況下，可通過功率監(jiān)視器66測(cè)量或監(jiān)視來自發(fā)射 器輸出級(jí)62的輸出功率。當(dāng)發(fā)射器輸出級(jí)62沒有被測(cè)試時(shí)，例如當(dāng)功率監(jiān)視器66被關(guān)閉 或停止供電時(shí)，控制電路18禁用可控開關(guān)16，從而將功率監(jiān)視器66和傳輸線68與發(fā)射器 輸出級(jí)62斷開電連接或電隔離。另外，使功率監(jiān)視器66和傳輸線68保持到RF發(fā)射器的 發(fā)射器輸出級(jí)62的電連接會(huì)對(duì)RF發(fā)射器的操作有害?，F(xiàn)在參考圖5，圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例使用結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置 測(cè)試電路的方法80的框圖。方法80包括提供根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 配置的步驟82，結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤配置例如如下配置，其中結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14 通過可控開關(guān)16耦合到結(jié)合焊盤12，且控制電路18耦合到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14并耦 合到可控開關(guān)16，例如如圖1-4所示和以上對(duì)其進(jìn)行的說明。方法80還包括確定或檢測(cè)測(cè) 試信號(hào)是否被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的步驟84。例如，被配置成生成測(cè)試信號(hào)的 測(cè)試探針可通過使測(cè)試探針探查或接觸結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14來將測(cè)試信號(hào)施加到結(jié) 合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14。如在此所討論，測(cè)試探針不與結(jié)合焊盤12接觸。方法80還包括使能可控開關(guān)16的步驟86。如上所討論，控制電路18被配置成 響應(yīng)于控制電路18檢測(cè)到測(cè)試信號(hào)已被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14來使能可控開關(guān) 16。如果控制電路18檢測(cè)到測(cè)試信號(hào)已被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14(是)，則控制 電路18使能可控開關(guān)16，從而將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14電連接到結(jié)合焊盤12。一旦進(jìn) 行了使能可控開關(guān)16的步驟86，則方法80返回到步驟84，確定或檢測(cè)測(cè)試信號(hào)是否被施 加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14。因此，只要測(cè)試信號(hào)被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14， 控制電路18就繼續(xù)使能可控開關(guān)16，由此使得結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14能夠電耦合到結(jié)合焊盤12，并使得測(cè)試信號(hào)能夠被施加到結(jié)合焊盤12和結(jié)合焊盤12所屬的電路。方法80還包括禁用可控開關(guān)16的步驟88。如上所討論，如果控制電路18沒有 檢測(cè)到施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的測(cè)試信號(hào)，則控制電路18被配置成禁用可控開 關(guān)16。如果控制電路18沒有檢測(cè)到施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14的測(cè)試信號(hào)(否)， 控制電路18禁用可控開關(guān)16，從而將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14與結(jié)合焊盤12電隔離或斷 開電連接。一旦進(jìn)行了禁用可控開關(guān)16的步驟88，方法80返回步驟84，確定或檢測(cè)測(cè)試 信號(hào)是否被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14。因此，只要沒有測(cè)試信號(hào)被施加到結(jié)合焊盤 擴(kuò)展測(cè)試焊盤14，控制電路18就將保持可控開關(guān)16被禁用，從而保持結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊 盤14與結(jié)合焊盤12電隔離。如上所討論，通過用測(cè)試探針探查結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14而不是結(jié)合焊盤12， 可在測(cè)試探針不必接觸結(jié)合焊盤12的情況下測(cè)試結(jié)合焊盤12所屬的電路，從而保持結(jié)合 焊盤12的物理完整性并保持結(jié)合焊盤12的結(jié)合能力。而且，通過在結(jié)合焊盤12所屬的電 路沒有被測(cè)試時(shí)將結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14(以及控制電路18)與結(jié)合焊盤12保持電隔 離，不會(huì)對(duì)結(jié)合焊盤12所屬的電氣裝置增加可能另外地由結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤14導(dǎo)致 的額外的寄生效果。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，顯然在不脫離所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范 圍及其等同物的整個(gè)范圍的情況下可對(duì)此處說明的本發(fā)明的實(shí)施例做出許多變化和替換。
權(quán)利要求
一種電路配置，用于電隔離電路裝置內(nèi)的至少一個(gè)組件，該電路配置包括結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤；可控開關(guān)，耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤并被配置成耦合到所述至少一個(gè)組件，其中所述可控開關(guān)包括用于使能和禁用所述可控開關(guān)的至少一個(gè)使能控制輸入端，其中所述可控開關(guān)被配置成使得當(dāng)所述可控開關(guān)被使能時(shí)所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤電連接到所述至少一個(gè)組件，而當(dāng)所述可控開關(guān)被禁用時(shí)，所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤與所述至少一個(gè)組件電隔離；以及控制電路，耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤并耦合到所述可控開關(guān)的所述使能控制輸入端，其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路使能所述可控開關(guān)，而當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路禁用所述可控開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述控制電路包括耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試 焊盤的寫線，其中控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊 盤時(shí)，所述控制電路的寫線輸入端使所述控制電路使能所述可控開關(guān)，而當(dāng)沒有測(cè)試電壓 被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路的寫線輸入端使所述控制電路禁用 所述可控開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述可控開關(guān)包括耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的輸入端，被配置成耦合到 所述至少一個(gè)組件的輸出端，第一使能控制輸入端和第二使能控制輸入端，其中所述控制電路包括耦合到所述可控開關(guān)的所述第一使能控制輸入端的第一控制 線，耦合到所述可控開關(guān)的所述第二使能控制輸入端的第二控制線，以及耦合到所述結(jié)合 焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的寫線，其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 時(shí)，所述控制電路通過所述第一控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第一使能控制輸入端并 且通過所述第二控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第二使能控制輸入端，使得所述可控開 關(guān)被使能，并且其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊 盤時(shí)，所述控制電路通過所述第一控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第一使能控制輸入端 并且通過所述第二控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第二使能控制輸入端，使得所述可控 開關(guān)被禁用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述至少一個(gè)組件是結(jié)合焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述可控開關(guān)是傳輸門。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述控制電路包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單兀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述可控開關(guān)包括第一使能控制輸入端和第二使 能控制輸入端，并且其中所述控制電路包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單元，其中所述SRAM單元包括第一晶體管，耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤， 第二晶體管，耦合到所述第一晶體管， 第三晶體管，交叉耦合到所述第二晶體管，第四晶體管，耦合到所述第三晶體管并且耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤， 第一控制線，具有耦合在所述第一晶體管和所述第二晶體管之間的第一端，和耦合到 所述可控開關(guān)的所述第一使能控制輸入端的第二端，以及第二控制線，具有耦合在所述第三晶體管和所述第四晶體管之間的第一端和耦合到所 述可控開關(guān)的所述第二使能控制線的第二端，其中，當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述SRAM單元通過所述第 一和第二使能控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述可控開關(guān)，使得所述可控開關(guān)被使能，以 及其中，當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述SRAM單元通過所述第一和第二使能控制輸入端將控制輸入信號(hào)施加到所述可控開關(guān)，使得所述可控開關(guān)被ttffl ^rc/td o
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述至少一個(gè)組件進(jìn)一步包括射頻(RF)收發(fā)器輸 入結(jié)合焊盤，并且所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤耦合到RF測(cè)試源，其中當(dāng)所述RF測(cè)試源將測(cè) 試信號(hào)施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路使能所述可控開關(guān)，以使RF測(cè) 試信號(hào)能夠被施加到RF收發(fā)器輸入結(jié)合焊盤，并且其中當(dāng)所述RF測(cè)試源沒有將測(cè)試信號(hào) 施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路禁用所述可控開關(guān)，以使所述RF測(cè)試 源與所述RF收發(fā)器輸入結(jié)合焊盤電隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配置，其中所述至少一個(gè)組件是耦合到射頻(RF)發(fā)射器輸出 級(jí)的結(jié)合焊盤，并且所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤通過短線耦合到RF功率檢測(cè)器，其中當(dāng)所 述RF功率檢測(cè)器被供電時(shí)，所述控制電路檢測(cè)到耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的所 述RF功率檢測(cè)器的存在，并響應(yīng)于此使能所述可控開關(guān)以使得所述RF功率檢測(cè)器能夠分 接RF發(fā)射器輸出級(jí)生成的功率的一部分，并且其中當(dāng)所述RF功率檢測(cè)器沒有被供電時(shí)，所 述控制電路禁用所述可控開關(guān)以將所述RF功率檢測(cè)器與所述RF發(fā)射器輸出級(jí)電隔離。
10.一種電路裝置，包括 至少一個(gè)組件；電路配置，可移除地耦合到所述至少一個(gè)組件，其中所述電路配置包括 結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，耦合在所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤和所述至少一個(gè)組件之間的可控開關(guān)，其中所述可 控開關(guān)包括用于使能和禁用所述可控開關(guān)的至少一個(gè)使能控制輸入端，其中所述可控開關(guān) 被配置為使得當(dāng)所述可控開關(guān)被使能時(shí)所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤電連接到所述至少一 個(gè)組件，而當(dāng)所述可控開關(guān)被禁用時(shí)，所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤與所述至少一個(gè)組件電 隔離，以及控制電路，具有耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的寫線輸入端，并且具有耦合到所 述可控開關(guān)的所述使能控制輸入端的輸出端， 其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路使能所述可控開 關(guān)，而當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路禁用所述可控 開關(guān)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施 加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路的寫線輸入端使所述控制電路使能所述 可控開關(guān)，而當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路的寫 線輸入端使所述控制電路禁用所述可控開關(guān)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述可控開關(guān)包括耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的輸入端，被配置成耦合到 所述至少一個(gè)組件的輸出端，第一使能控制輸入端和第二使能控制輸入端，其中所述控制電路包括耦合到所述可控開關(guān)的所述第一使能控制輸入端的第一控制 線，耦合到所述可控開關(guān)的所述第二使能控制輸入端的第二控制線以及耦合到所述結(jié)合焊 盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的寫線，其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 時(shí)，所述控制電路通過所述第一控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第一使能控制輸入端， 并且通過所述第二控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第二使能控制輸入端，使得所述可控 開關(guān)被使能，以及其中所述控制電路被配置為使得當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試 焊盤時(shí)，所述控制電路通過所述第一控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第一使能控制輸入 端，并通過所述第二控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述第二使能控制輸入端，使得所述可 控開關(guān)被禁用。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述至少一個(gè)組件是結(jié)合焊盤。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述可控開關(guān)是傳輸門。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述控制電路包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單兀。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述可控開關(guān)包括第一使能控制輸入端和第 二使能控制輸入端，并且其中所述控制電路包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)單元，其中所述 SRAM單元包括耦合到所述寫線輸入端的第一晶體管， 耦合到所述第一晶體管的第二晶體管， 交叉耦合到所述第二晶體管的第三晶體管， 耦合到所述第三晶體管并且耦合到所述寫線輸入端的第四晶體管， 第一控制線，具有耦合在所述第一晶體管和所述第二晶體管之間的第一端，和耦合到 所述可控開關(guān)的所述第一使能控制輸入端的第二端，以及第二控制線，具有耦合在所述第三晶體管和所述第四晶體管之間的第一端，和耦合到 所述可控開關(guān)的所述第二使能控制輸入端的第二端，其中，當(dāng)測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，SRAM單元通過所述第一和 第二使能控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述可控開關(guān)，使得所述可控開關(guān)被使能，以及其中，當(dāng)沒有測(cè)試電壓被施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述SRAM單元通過 所述第一和第二使能控制線將控制輸入信號(hào)施加到所述可控開關(guān)，使得所述可控開關(guān)被禁用。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤通過邏輯配置耦合 到所述寫線輸入端，其中所述邏輯配置包括NAND門，具有耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的輸入端，并具有輸出端，以及反相器，具有耦合到所述NAND門的輸出端的輸入端和耦合到所述寫線輸入端的輸出端。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述至少一個(gè)組件進(jìn)一步包括射頻(RF)收發(fā)器 輸入結(jié)合焊盤，并且所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤耦合到RF測(cè)試源，其中當(dāng)所述RF測(cè)試源將 測(cè)試信號(hào)施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路使能所述可控開關(guān)以使得所 述RF測(cè)試信號(hào)能夠被施加到所述RF收發(fā)器輸入結(jié)合焊盤，并且其中當(dāng)所述RF測(cè)試源不將 測(cè)試信號(hào)施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，所述控制電路禁用所述可控開關(guān)以將所述 RF測(cè)試源與所述RF收發(fā)器輸入結(jié)合焊盤電隔離。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述至少一個(gè)組件是耦合到射頻(RF)發(fā)射器 輸出級(jí)的結(jié)合焊盤，并且所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤通過短線耦合到RF功率檢測(cè)器，其中 當(dāng)所述RF功率檢測(cè)器被供電時(shí)，所述控制電路檢測(cè)到耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤 的RF功率檢測(cè)器的存在，并響應(yīng)于此使能所述可控開關(guān)以使得所述RF功率檢測(cè)器能夠分 接RF發(fā)射器輸出級(jí)生成的功率的一部分，并且其中當(dāng)所述RF功率檢測(cè)器沒有被供電時(shí)，所 述控制電路禁用所述可控開關(guān)以使所述RF功率檢測(cè)器與所述RF發(fā)射器輸出級(jí)電隔離。
20.一種用于測(cè)試其中具有至少一個(gè)組件的電路的方法，所述方法包括檢測(cè)測(cè)試信號(hào)是否被施加到通過可控開關(guān)耦合到所述至少一個(gè)組件的結(jié)合焊盤擴(kuò)展 測(cè)試焊盤，其中控制電路耦合到所述可控開關(guān)并且耦合到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，其 中所述可控開關(guān)被配置為使得當(dāng)所述可控開關(guān)被使能時(shí)所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤電連 接到所述至少一個(gè)組件，而當(dāng)所述可控開關(guān)被禁用時(shí)，所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤與所述 至少一個(gè)組件電隔離；響應(yīng)于檢測(cè)到施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的測(cè)試信號(hào)通過所述控制電路使能 所述可控開關(guān)，其中所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤通過所述可控開關(guān)電耦合到所述至少一個(gè) 組件，使得施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的所述測(cè)試信號(hào)被施加到所述至少一個(gè)組 件；以及響應(yīng)于沒有檢測(cè)到對(duì)所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤所施加的測(cè)試信號(hào)通過所述控制電 路禁用所述可控開關(guān)，其中所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤通過所述可控開關(guān)與所述至少一個(gè) 組件電隔離。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟接觸被配置成將所述測(cè)試信 號(hào)施加到所述結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤的測(cè)試探針，其中所述方法在所述測(cè)試探針不接觸所 述至少一個(gè)組件的情況下測(cè)試所述電路。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述至少一個(gè)組件是結(jié)合焊盤。全文摘要
本發(fā)明涉及包括可移除結(jié)合焊盤擴(kuò)展的電路設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施例包括一種電路配置，該電路配置包括可切換地移除的結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，其使得能夠通過改進(jìn)地放置測(cè)試探針來改進(jìn)地測(cè)試相對(duì)應(yīng)的電路裝置。結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤可移除地耦合到電路裝置的電組件，例如結(jié)合焊盤。由于結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤可在不測(cè)試時(shí)與電組件斷開連接，因此結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤不對(duì)相對(duì)應(yīng)的電路裝置造成另外的寄生效果。電路配置自動(dòng)地檢測(cè)何時(shí)測(cè)試電壓被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤，然后響應(yīng)于檢測(cè)到所施加的測(cè)試電壓連接結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤。當(dāng)測(cè)試電壓沒有被施加到結(jié)合焊盤擴(kuò)展測(cè)試焊盤時(shí)，電路配置使測(cè)試焊盤與相關(guān)聯(lián)的電組件斷開連接。
文檔編號(hào)G11C5/00GK101887089SQ200910166619
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月11日
發(fā)明者羅杰·A·弗拉蒂 申請(qǐng)人:艾格瑞系統(tǒng)有限公司