專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤裝置等的磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝置，更詳細(xì)地 講，涉及具有磁分離的磁記錄區(qū)域的所謂的離散(分離)介質(zhì)和圖案介質(zhì)的制造方法和實 現(xiàn)該制造方法的制造裝置。
本申請基于在2008年5月13日在日本申請的專利申請2008-U6245號要求優(yōu)先 權(quán)，將上述申請的內(nèi)容援引到本申請中。
背景技術(shù)：
近年，磁盤裝置、軟盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的適用范圍在顯著地擴(kuò) 大，隨著其重要性增大，有關(guān)用于這些裝置的磁記錄介質(zhì)正在謀求其記錄密度的顯著的 提高，尤其是引入MR磁頭和PRML技術(shù)以來，面記錄密度的上升更加激烈，近年又引 入GMR磁頭、TMR磁頭等，一年在以100%的速度繼續(xù)增加。
對這些磁記錄介質(zhì)，今后要求進(jìn)一步實現(xiàn)高記錄密度，因此要求實現(xiàn)磁性層的 高矯頑力化、高信噪K6NR)、高分辨能力。另外，近年也繼續(xù)努力著在提高線記錄密 度的同時，通過磁道密度的增加來使面記錄密度上升。
最新的磁記錄裝置中磁道密度竟達(dá)到了 llOkTPI。然而，若不斷提高磁道密度， 則相鄰的磁道間的磁記錄信息相互干擾，其邊界區(qū)域的磁化遷移區(qū)域成為噪聲源，容易 產(chǎn)生損害SNR的問題，這直接關(guān)系到比特誤碼率(BitErrorrate)的降低，因此對記錄密度 的提高成為障礙。
為了提高面記錄密度，必須使磁記錄介質(zhì)上的各記錄比特的尺寸更加微細(xì)化， 對各記錄比特盡可能確保大的飽和磁化和磁性膜厚，但另一方面，若將記錄比特不斷微 細(xì)化下去，則每一比特的磁化最小體積變小，產(chǎn)生由于熱擺導(dǎo)致的磁化反轉(zhuǎn)而使記錄數(shù) 據(jù)消失的問題。
另外，由于磁道間距離接近，磁記錄裝置要求極高精度的磁道伺服技術(shù)，同時 寬幅地實行記錄，為了盡量地排除來自相鄰磁道的影響，一般地，采用比記錄時窄地實 行再生的方法，但該方法能夠?qū)⒋诺篱g的影響抑制在最小限度的另一面，是難以充分得 到再生輸出，因此存在難以確保充分的SNR的問題。
作為解決這樣的熱擺的問題和確保SNR，或者實現(xiàn)確保充分的輸出的方法之 一，進(jìn)行了下述的嘗試通過在記錄介質(zhì)表面形成沿著磁道的凹凸、物理性地離散記錄 磁道彼此，來提高磁道密度，以下將這樣的技術(shù)稱作離散磁道法，將由此方法制造的磁 記錄介質(zhì)稱作離散磁道介質(zhì)。另外，也有制造進(jìn)一步分割了同一磁道內(nèi)的數(shù)據(jù)區(qū)域的所 謂的圖案介質(zhì)的嘗試。
作為離散磁道介質(zhì)的一例，已知在表面形成了凹凸圖案的非磁性基板上形成 磁記錄介質(zhì)，形成物理性地分離的磁記錄磁道和伺服信號圖案的磁記錄介質(zhì)(例如，參 照專利文獻(xiàn)1)。
該磁記錄介質(zhì)是在表面具有多個凹凸的基板的表面上隔著軟磁性層而形成強(qiáng)磁性層，在該強(qiáng)磁性層的表面形成了保護(hù)膜的磁記錄介質(zhì)。該磁記錄介質(zhì)中，在凸部區(qū)域 形成有與周圍物理性地分隔的磁記錄區(qū)域。
根據(jù)該磁記錄介質(zhì)，由于能夠抑制在軟磁性層的疇壁發(fā)生，因此難以出現(xiàn)熱擺 的影響，也沒有相鄰的信號間的干擾，所以能夠形成噪聲少的高密度磁記錄介質(zhì)。
離散磁道法，有在形成由幾層的薄膜構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)后形成磁道的方法； 預(yù)先在基板表面直接地或者在用于形成磁道的薄膜層上形成凹凸圖案后，進(jìn)行磁記錄介 質(zhì)的薄膜形成的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3)。
另外，還公開了通過對預(yù)先形成的磁性層注入氮、氧等的離子或者照射激光， 使該部分的磁特性變化而形成離散磁道介質(zhì)的磁道間區(qū)域的方法(參照專利文獻(xiàn)4 6)。
再者，在專利文獻(xiàn)7中，公開了在制造磁記錄介質(zhì)時，環(huán)周狀地運送保持了多 片的基板的運載器，用于在基板上形成多層的膜的在線式成膜裝置。日本特開2004-164692號公報 日本特開2004-178793號公報 日本特開2004-178794號公報 日本特開平5-205257號公報 日本特開2006-209952號公報 日本特開2006-309841號公報 日本特開平8-274142號公報
專利文獻(xiàn)1
專利文獻(xiàn)2
專利文獻(xiàn)3
專利文獻(xiàn)4
專利文獻(xiàn)5
專利文獻(xiàn)6
專利文獻(xiàn)7發(fā)明內(nèi)容
作為離散介質(zhì)的制造方法，例如，通過以下的工序來進(jìn)行在非磁性基板的上 面形成軟磁性層、中間層、取向控制層、記錄磁性層后，在該記錄磁性層的表面采用光 刻技術(shù)形成用于形成磁記錄區(qū)域的掩模層，將記錄磁性層之中的沒有被掩模層覆蓋的部 位暴露在反應(yīng)性等離子體等中，將該部位的磁特性進(jìn)行改性，除去掩模層，在其上面形 成保護(hù)膜和潤滑劑層。
這些工序盡量地使用一個裝置連續(xù)地進(jìn)行，這在處理基板的處理時防止污染基 板、或減少處理工序等而使制造工序高效率化和使制品合格率良好、提高磁記錄介質(zhì)的 生產(chǎn)率上是優(yōu)選的。
然而，這些工序之中，雖然形成軟磁性層、中間層、取向控制層、記錄磁性層 等的工序和形成保護(hù)膜的工序可以使用專利文獻(xiàn)7中所述的在線式的成膜裝置，但形成 掩模層的工序、在記錄磁性層中沒有被掩模層覆蓋的部位暴露在反應(yīng)性等離子體等中對 該部位的磁特性進(jìn)行改性的工序和除去掩模層的工序，難以加到使用了在線式的磁性層 等的成膜裝置的工序中。
S卩，記錄磁性層等的成膜工序，每一片基板能夠用十秒左右的時間處理，而在 記錄磁性層的表面形成圖案化的掩模層的工序、對記錄磁性層的磁特性部分地進(jìn)行改性 的工序、除去掩模層的工序難以在該時間內(nèi)進(jìn)行處理，難以連續(xù)地進(jìn)行各工序。
另外，將記錄磁性層表面的掩模層圖案化的工序，包含在記錄磁性層的表面上 涂布液體狀的抗蝕劑，將模壓印在其表面從而轉(zhuǎn)印模圖案的工序的情況較多。該工序是 濕式工藝，與作為干式工藝的記錄磁性層的濺射工序相當(dāng)?shù)夭煌?，因此難以使用一個裝置連續(xù)地進(jìn)行這些工序。
本發(fā)明的目的在于解決這些問題，提供盡量使用同一個在線式裝置進(jìn)行離散介 質(zhì)等的制造，由此能夠減少處理基板的處理所造成的污染，提高離散介質(zhì)等的制造中的 生產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝置。
本發(fā)明者為了解決上述課題而潛心努力研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在將裝載于運載器的 多片非磁性基板依次運送到所接續(xù)的多個室內(nèi)，制造具有已磁分離的磁記錄區(qū)域的磁記 錄介質(zhì)的方法中，通過分成多個室來進(jìn)行將對掩模層進(jìn)行離子蝕刻的工序、對在磁性層 中沒有被掩模層覆蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而進(jìn)行改性的工序、 在磁性層上形成保護(hù)膜的工序之中的任何一個工序，能夠以一定的速度連續(xù)地進(jìn)行各工 序的處理，由此能夠得到磁記錄介質(zhì)的高的生產(chǎn)率，從而完成了本發(fā)明。
S卩，本發(fā)明涉及以下的發(fā)明。
[1] 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是將裝載于運載器的多片非磁性基板依次運 送到相互接續(xù)的多個室內(nèi)，制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的方法，其特征在于，依 次地具有將至少層疊有記錄磁性層和用于將上述記錄磁性層圖案化的掩模層的非磁性 基板裝載于運載器的裝載工序；通過對上述記錄磁性層之中的沒有被上述掩模層覆蓋的 部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而將磁特性改性，形成由殘存的磁性體構(gòu)成 的磁記錄圖案的改性工序；除去上述掩模層的除去工序；在上述記錄磁性層上形成保護(hù) 膜的保護(hù)膜形成工序；以及，從上述運載器卸下上述非磁性基板的卸下工序，將上述改 性工序、上述除去工序或上述保護(hù)膜形成工序中的任一個以上的工序分成多個室連續(xù)處 理。
[2]根據(jù)[1]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，上述改性工序中的上述 磁特性的改性為非磁性化。
[3]根據(jù)[1]或[2]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述裝載工序 與上述改性工序之間，進(jìn)行將上述掩模層圖案化的圖案化工序。
[4]根據(jù)[1] [3]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述 非磁性基板的兩面形成上述記錄磁性層，并且，在上述改性工序中，對上述非磁性基板 的兩面同時地進(jìn)行上述反應(yīng)性等離子處理或上述離子照射處理。
[5]根據(jù)[1] [4]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，采用選 自離子槍、ICP、RIE中的任一種方法進(jìn)行上述反應(yīng)性等離子處理或上述離子照射處理。
[6] 一種磁記錄介質(zhì)的制造裝置，是將裝載于上述運載器的多片的非磁性基板 依次運送到相互接續(xù)的多個室內(nèi)，制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的裝置，其特征在 于，具有將至少層疊有記錄磁性層和用于將上述記錄磁性層圖案化的掩模層的非磁性 基板裝載于運載器的裝載機(jī)構(gòu)；具有通過對上述記錄磁性層之中的沒有被上述掩模層覆 蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而將磁特性改性，形成由殘存的磁性體 構(gòu)成的磁記錄圖案的機(jī)構(gòu)的改性室；除去上述掩模層的除去室；具有在上述記錄磁性 層上形成保護(hù)膜的機(jī)構(gòu)的保護(hù)膜形成室；以及，從上述運載器卸下成膜后的非磁性基板 的卸下機(jī)構(gòu)，上述改性室、上述除去室或上述保護(hù)膜形成室中的任一種以上的室具有多 個。
[7]根據(jù)[6]所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其特征在于，在上述裝載機(jī)構(gòu)與上述改性室之間具有將上述掩模層圖案化的圖案化室。
根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝置，能夠利用在線式的制造裝置 進(jìn)行所謂的離散介質(zhì)制造中的相當(dāng)多的工序，因此能夠減少處理基板的處理工序防止污 染，能夠提高磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率。


圖1是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的放大剖面模式圖。
圖2是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的放大剖面模式圖。
圖3是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁性錄介質(zhì)的制造裝置一例的模式圖。
圖4是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造裝置的處理室和運載器 的模式圖。
圖5是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造裝置具有的運載器的側(cè) 視圖。
圖6是依工序次序表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法的剖面 模式圖。
圖7是依工序次序表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法的剖面 模式圖。
圖8是依工序次序表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法的剖面 模式圖。
圖9是表示作為本發(fā)明的實施方式的磁記錄再生裝置一例的概略構(gòu)成圖。
具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。
本實施方式適用于將裝載于運載器的多片的非磁性基板依次運送到接續(xù)的多 個室內(nèi)，制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的、使用了所謂在線式的制造裝置的制造方 法。
本實施方式的磁記錄介質(zhì)，例如，如圖1和圖2所示，具有在非磁性基板80 的兩面層疊有軟磁性層81、中間層82、記錄磁性層83和保護(hù)膜84的結(jié)構(gòu)，而且，在最 表面形成有潤滑膜85。由軟磁性層81、中間層82和記錄磁性層83形成磁性層810。如 圖1所示，在記錄磁性層83上形成有省略了圖示的磁記錄圖案和非磁性體區(qū)域。
作為非磁性基板80，可以使用以Al為主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基 板、由通常的鈉鈣玻璃、鋁硅酸鹽系玻璃、結(jié)晶化玻璃、硅、鈦、陶瓷、各種樹脂形成 的基板等，只要是非磁性基板則可以使用任意的基板。
其中，優(yōu)選使用Al合金基板、結(jié)晶化玻璃等的玻璃制基板或硅基板，另外，這 些基板的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為Inm以下，更優(yōu)選為0.5nm以下，其中，特別優(yōu)選 為O.lnm以下。
形成于如上述的非磁性基板80的表面上的磁性層810，可以是面內(nèi)磁性層，也 可以是垂直磁性層，但為了實現(xiàn)更高的記錄密度優(yōu)選垂直磁性層。
這些磁性層810優(yōu)選由主要以Co為主成分的合金形成，例如，作為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的磁性層，可以利用包含非磁性的CrMo基底層和強(qiáng)磁性的CoCrPffa磁性層的疊 層結(jié)構(gòu)。
另外，作為垂直磁記錄介質(zhì)用的磁性層，如圖2所示，例如，可以利用層疊有 由軟磁性的 FeCo 合金(FeCoB、FeCoSiB> FeCoZr、FeCoZrB> FeCoZrBCu 等)、FeTa 合 金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB> CoB等)等形成的軟磁性層81、 由Ru等形成的中間層82、由60Co-15Cr_15Pt合金和/或70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金形 成的記錄磁性層83的磁性層。另外，也可以在軟磁性層81與中間層82之間層疊由Pt、 Pd、NiCr, NiFeCr等形成的取向控制膜。
磁性層810的整體的厚度為3nm以上、20nm以下，優(yōu)選為5nm以上、15nm以下，相應(yīng)于使用的磁性合金的種類和疊層結(jié)構(gòu)，以能夠獲得充分的磁頭輸出輸入的方式 形成磁性層810即可。磁性層810的膜厚，為了在再生時得到一定以上的輸出，必須是 某種程度以上的磁性層的膜厚，另一方面，通例是表示記錄再生特性的各種參數(shù)隨著輸 出的上升而劣化，因此必須設(shè)定成最適宜的膜厚。
另外，作為保護(hù)層84，可以使用碳(C)、烴(HxC)、氮化碳(CN)、無定形碳、 碳化硅等的碳質(zhì)層和Si02、Zr203> TiN等的通常所使用的保護(hù)膜材料。另外，保 護(hù)層84可以由2層以上的層構(gòu)成。保護(hù)層84的膜厚必須設(shè)為小于lOnm。原因是當(dāng)保 護(hù)層84的膜厚超過IOnm時，磁頭與記錄磁性層83的距離變大，不能得到充分的輸出輸 入信號的強(qiáng)度。
此外，作為用于潤滑層85的潤滑劑，可舉出氟系潤滑劑、烴系潤滑劑和它們的 混合物等，通常以1 4nm的厚度形成潤滑層85。
以下，參照附圖對本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造裝置進(jìn)行說明。
圖3是表示磁記錄介質(zhì)的制造裝置一例的模式圖，圖4是表示磁記錄介質(zhì)制造 裝置的處理室和運載器的模式圖，圖5是表示磁記錄介質(zhì)制造裝置具有的運載器的側(cè)視 圖。
再者，在圖4中，由實線表示的運載器25顯示出停在第1處理位置的狀態(tài)，由 虛線表示的運載器25顯示出停在第2處理位置的狀態(tài)。S卩，在本例中表示的處理室，在 室內(nèi)具有與非磁性基板對向的2個部位的處理裝置，因此在停在第1處理位置的狀態(tài)下對 運載器25左側(cè)的非磁性基板進(jìn)行處理，然后，運載器25移動到由虛線表示的位置，在停 在第2處理位置的狀態(tài)下對運載器25右側(cè)的非磁性基板進(jìn)行處理。再者，在室內(nèi)與非磁 性基板對向地設(shè)置各側(cè)各2個部位的處理裝置的場合，不需要這樣的運載器25的移動， 可以對保持在運載器25的右側(cè)和左側(cè)的基板同時地進(jìn)行處理。
如圖3所示，該磁記錄介質(zhì)的制造裝置，具有機(jī)器手臺1、載置于機(jī)器手臺1 上的基板盒移載機(jī)器手3、與機(jī)器手臺1相鄰的基板供給機(jī)器手室2、配置于基板供給機(jī) 器手室2內(nèi)的基板供給機(jī)器手34、與基板供給機(jī)器手室2相鄰的基板安裝室52、使運載 器旋轉(zhuǎn)的隅角室4、7、14、17、配置在各隅角室4、7、14、17之間的處理室5、6、8 13、15、16、18 20、基板卸下室M、與基板卸下室M相鄰地配置的基板卸下機(jī)器手室 22、和設(shè)置在基板卸下機(jī)器手室22內(nèi)的基板卸下機(jī)器手49。另外，在各處理室5...中內(nèi) 藏有裝載多個處理用基板(非磁性基板)23、M的多個運載器25。
在上述的制造裝置中，由機(jī)器手臺1、基板盒移載機(jī)器手3、基板供給機(jī)器手室2、基板供給機(jī)器手34和基板安裝室52構(gòu)成裝載機(jī)構(gòu)。形成有磁性層810和掩模層的非 磁性基板利用該裝載機(jī)構(gòu)裝載在運載器25上。
此外，在上述的制造裝置中，由機(jī)器手臺1、基板盒移載機(jī)器手3、基板卸下室 54,基板卸下機(jī)器手室22和基板卸下機(jī)器手49構(gòu)成卸下機(jī)構(gòu)。利用卸下機(jī)構(gòu)從運載器 25上卸下非磁性基板。
另外，在上述的制造裝置中，由處理室6、8構(gòu)成圖案化室。在圖案化室內(nèi)具有 將掩模層圖案化的機(jī)構(gòu)。
另外，在上述的制造裝置中，由處理室10、11、12構(gòu)成改性室。在改性室內(nèi)具 有對記錄磁性層83之中的沒有被圖案化后的掩模層覆蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或 離子照射處理而改性成非磁性體，形成由殘存的磁性體構(gòu)成的磁記錄圖案的機(jī)構(gòu)。
另外，在上述的制造裝置中，由處理室16、18構(gòu)成除去室。在除去室內(nèi)具有除 去掩模層的機(jī)構(gòu)。
此外，在上述的制造裝置中，由處理室19、20構(gòu)成保護(hù)膜形成室。在保護(hù)膜形 成室內(nèi)具有在記錄磁性層83上形成保護(hù)膜84的機(jī)構(gòu)。
這樣，在本實施方式的制造裝置中，圖案化室、改性室、除去室和保護(hù)膜形成 室分別由多個處理室構(gòu)成。
另外，構(gòu)成為在各室2、52、4 20、54、3A上分別連接有真空泵，將運載 器25依次運送到通過這些真空泵的工作而形成為減壓狀態(tài)的各室內(nèi)，通過在各室內(nèi)對所 裝載的處理基板23、24的兩面進(jìn)行處理可以制造磁記錄介質(zhì)。
如圖5所示，運載器25具有支撐臺沈和設(shè)置在支撐臺沈的上面的多個基板裝 載部27 (在本實施方式中搭載2臺)。
基板裝載部27，是在具有與處理用基板(非磁性基板)23、M的厚度大致相等的 厚度的板體觀上，形成直徑比處理用基板23、M的外周大一些的圓形狀的貫通孔四而 構(gòu)成，在貫通孔四的周圍設(shè)置有朝向該貫通孔四的內(nèi)側(cè)突出的多個支撐部件30。在該 基板裝載部27中，向貫通孔四的內(nèi)部嵌入處理用基板23、24，通過支撐部件30與所述 基板的邊緣部卡合，從而保持處理用基板23、24。該基板裝載部27，所裝載的2片的處 理用基板23、24的主面相對于支撐臺沈的上面大致正交，且在支撐臺沈的上面并列地 設(shè)置并使得處于大致相同的面上。以下，將裝載在這些基板裝載部27上的2片的處理基 板23、24分別稱為第1處理用基板23和第2成膜用基板M。
基板盒移載機(jī)器手3，將基板從收納有處理用基板23、M的盒向基板安裝室2內(nèi) 供給，同時取出在基板卸下室22卸下的磁記錄介質(zhì)。在該基板安裝室2和基板卸下室22 的一側(cè)壁上設(shè)置有向外部開放的開口和將該開口開閉的51、55。
另外，各室2、52、4 20、54、3A分別與相鄰的2個壁部連接，在這些各室 的連接部上設(shè)置有閘門閥，在這些閘門閥為關(guān)閉狀態(tài)時，各室內(nèi)分別成為獨立的密閉空 間。
隅角室4、7、14、17是變更運載器25的移動方向的室，在其內(nèi)部設(shè)置有未圖示 的使運載器旋轉(zhuǎn)而移動到下一個室內(nèi)的機(jī)構(gòu)。
在各室內(nèi)設(shè)置有處理用氣體供給管，在供給管上設(shè)置有利用沒有圖示的控制機(jī) 構(gòu)來控制開閉的閥，通過對這些閥和泵用閘門閥進(jìn)行開閉操作，來控制來自處理用氣體供給管的氣體的供給、室內(nèi)的壓力和氣體的排出。在基板卸下室54的內(nèi)部，利用機(jī)器手49卸下裝載在運載器25上的第1處理用 基板23和第2處理用基板24。本實施方式，涉及使用上述磁記錄介質(zhì)的制造裝置，制造在非磁性基板80上具 有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的方法，在該磁記錄介質(zhì)的記錄磁性層83上形成有被非磁性 區(qū)域83b分離了的磁記錄圖案83a。非磁性區(qū)域83b，例如，通過對記錄磁性層83部分 性地進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理，將磁性體改性成非磁性體從而形成。這樣，通過在記錄磁性層83的表面設(shè)置掩模層，將沒有被該掩模層覆蓋的部位 暴露在反應(yīng)性等離子體等中，能夠得到本實施方式的磁記錄介質(zhì)。再者，所謂本實施方式的磁記錄圖案83a，包括每1比特具有一定規(guī)則性地 配 置有磁記錄圖案的所謂的圖案介質(zhì)、磁記錄圖案配置成磁道狀的介質(zhì)、以及伺服信號圖 案等。其中，本實施方式，從其制造的簡便性考慮，優(yōu)選適用于磁記錄圖案83a為磁記 錄磁道和伺服信號圖案的所謂的離散型磁記錄介質(zhì)。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法，依次地具有將至少層疊有記錄磁性層 83和用以將記錄磁性層83圖案化的掩模層的非磁性基板裝載于運載器的裝載工序；將 掩模層圖案化的圖案化工序；通過對記錄磁性層83之中的沒有被圖案化掩模層覆蓋的部 位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而改性成非磁性體，形成磁記錄圖案的改性工 序；除去掩模層的除去工序；在記錄磁性層83上形成保護(hù)膜84的保護(hù)膜形成工序；以 及，從運載器卸下非磁性基板的卸下工序，將改性工序、除去工序或保護(hù)膜形成工序中 的任一個以上的工序分成多個室而連續(xù)處理。本實施方式的各工序之中，裝載工序和卸下工序能夠以每1片基板1秒左右的處 理時間進(jìn)行，而改性工序、除去工序分別需要數(shù)十秒左右，保護(hù)膜形成工序需要數(shù)秒 30秒左右的處理時間。將這些工序使用各工序1個的室進(jìn)行處理的場合，改性工序和除 去工序構(gòu)成律速，需要使其它的工序與改性工序和除去工序的速度一致。本實施方式中，通過利用多個室來處理在從改性工序到保護(hù)膜形成工序中處理 速度成為律速的工序，使各工序間的處理時間盡量地均等，由此來提高磁記錄介質(zhì)的生 產(chǎn)率。例如，在一個室中的每1片基板的裝載工序和卸下工序的處理時間為1秒，改性 工序和除去工序的處理時間為60秒，保護(hù)膜形成工序的處理時間為30秒的場合，各工序 的處理室分別各為一個的場合的總體的處理時間，每1片基板為60秒。在此如本實施方 式那樣，使改性工序和除去工序的處理室各為2個室的場合，每1片基板的處理時間為30 秒。另外，使改性工序和除去工序各為4室，保護(hù)膜形成工序的處理室為2室的場合， 每1片基板的處理時間為15秒。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法，為了在非磁性基板的兩面形成磁記錄圖 案，優(yōu)選對非磁性基板的兩面同時進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或照射離子的處理。原因是一 般地磁記錄介質(zhì)在其兩面具有記錄磁性層，因此優(yōu)選對磁記錄介質(zhì)的兩面同時地進(jìn)行處理。通常，記錄磁性層83采用濺法作為薄膜形成。例如，如圖6所示，在非磁性 基板80上依次層疊軟磁性層81和中間層82后，至少采用濺射法形成記錄磁性層83 (圖6(a)),接著在記錄磁性層83的上面形成掩模層840(圖6(b))，在掩模層840的上面形成抗蝕劑層850(圖6(c))。接著，如圖7所示，使用印模86將磁記錄圖案的負(fù)圖案轉(zhuǎn)印在抗蝕劑層850上 (圖7(a))。圖7(a)中的箭頭表示印模86的移動。接著，通過圖3所示的制造裝置的 裝載機(jī)構(gòu)，將到此為止已處理的非磁性基板80裝載在基板安裝室52內(nèi)的運載器52上。 然后，由運載器依次運送非磁性基板80，在2個處理室6和8(圖案化室)中，利用轉(zhuǎn)印 有負(fù)圖案的抗蝕劑層850將掩模層進(jìn)行圖案化(圖7(b))。接著，在圖3所示的處理室9 中，通過將由掩模層840的圖案化而露出的記錄磁性層83的表面部分性地進(jìn)行離子銑削 處理，從而形成凹部83c(圖7(c))。再者，標(biāo)記d表示設(shè)置于記錄磁性層83上的凹部 83c的深度。接著，如圖3和圖8所示，在3個處理室10、11、12 (改性室)中，對記錄磁性 層83之中的沒有被掩模層840覆蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理，將構(gòu) 成記錄磁性層83的磁性體改性成非磁性體(圖8(a))。由此，如圖8(a)所示，在記錄磁 性層83上形成磁記錄圖案83a和非磁性區(qū)域83b。接著，在2個處理室13、15中除去抗蝕劑層850，接著，在2個處理室16、 18(除去室)中除去掩模層840(圖8(b))。接著，在2個處理室19、20中，用保護(hù)膜84 覆蓋記錄磁性層83的表面(圖8(c))。通過依次進(jìn)行以上的工序，能夠制造本實施方式 的磁記錄介質(zhì)。在圖6(b)的工序中，形成于記錄磁性層83上的掩模層840優(yōu)選使用下述材料形 成，所述材料含有選自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、SiO2> Ta2O5> Re、Mo、 Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As、Ni中的任一種以上。通過使用這樣的材料，能夠提高
由掩模層840帶來的對銑削離子的遮蔽性，能夠在記錄磁性層83上設(shè)置凹部83c。另外，能夠提高使用掩模層840時的磁記錄圖案83a的形成特性。此外，這些物 質(zhì)容易進(jìn)行使用反應(yīng)性氣體的干蝕刻，因此在圖8(b)表示的掩模層840的除去工序中， 能夠減少殘留物，減少磁記錄介質(zhì)表面的污染。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，作為掩模層840，在這些物質(zhì)中優(yōu)選使 用As、Ge、Sn、Ga，更優(yōu)選使用Ni、Ti、V、Nb,最優(yōu)選使用Mo、Ta、W。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，在圖7(a)表示的工序中，優(yōu) 選使利用印模86對抗蝕劑層850進(jìn)行負(fù)圖案轉(zhuǎn)印后的抗蝕劑層850的殘余部850a的厚 度為0 IOnm的范圍內(nèi)。該場合，通過使抗蝕劑層850的殘余部850a的厚度為該范圍，在圖7(b)中的掩 模層84的圖案化工序中，可消除掩模層840的邊緣部分的塌邊，提高掩模層840對銑削 離子的遮蔽性，能夠在記錄磁性層83上設(shè)置凹部83c。并且，能夠提高利用掩模層840 時的磁記錄圖案83a的形成特性。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，優(yōu)選使抗蝕劑層850的構(gòu)成材料為 通過放射線照射而具有固化性的材料，在進(jìn)行利用印模86對抗蝕劑層850進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)印 的工序時，或者，在圖案轉(zhuǎn)印工序之后，對抗蝕劑層850照射放射線。通過采用這樣的制造方法，能夠?qū)⒂∧?6的形狀精度良好地轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層 850上，在圖7(b)中的掩模層840的圖案化工序中，可消除掩模層840的邊緣部分的塌邊，提高掩模層840對注入離子的遮蔽性。并且能夠提高利用掩模層840時的磁記錄圖 案83a的形成特性。所謂本實施方式的放射線，是熱射線、可見光線、紫外線、X射線、Y射線等 的廣義概念的電磁波。另外，所謂通過放射線照射而具有固化性的材料，例如，是針對 熱射線的熱固化樹脂、針對紫外線的紫外線固化樹脂。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，尤其是，在利用印模86將圖案轉(zhuǎn)印在 抗蝕劑層850上的工序時，在抗蝕劑層的流動性高的狀態(tài)下，將印模按壓在抗蝕劑層850 上，在該按壓 了的狀態(tài)下，對抗蝕劑層850照射放射線使抗蝕劑層850固化，然后，通 過使印模86從抗蝕劑層850脫離，能夠?qū)⒂∧?6的形狀精度良好地轉(zhuǎn)印在抗蝕劑層850上。作為在將印模86按壓在抗蝕劑層850上的狀態(tài)下，對抗蝕劑層850照射放射線 的方法，可以采用從印模86的相反側(cè)，即從非磁性基板80側(cè)照射放射線的方法、選擇 能夠透過放射線的物質(zhì)作為印模86的構(gòu)成材料，從印模86側(cè)照射放射線的方法、從印模 86的側(cè)照射放射線的方法、使用如熱射線那樣對固體傳導(dǎo)性高的放射線，通過介由印模 86或非磁性基板80的熱傳導(dǎo)來照射放射線的方法。本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，其中，尤其是優(yōu)選作為抗蝕劑層 850的構(gòu)成材料，使用酚醛清漆(novolac)類樹脂、丙烯酸酯類、脂環(huán)式環(huán)氧類等的紫外 線固化樹脂；作為印模86的構(gòu)成材料，使用對紫外線透過性高的玻璃或樹脂。通過采用這樣的方法，能夠使磁記錄圖案83a的矯頑力和殘留磁化降低到極限， 能夠消除磁記錄時的透寫，提供高的面記錄密度的磁記錄介質(zhì)。在上述的工藝中使用的印模86，例如，可以使用在金屬板上采用電子束描圖等 方法形成了微細(xì)的磁道圖案的印模，作為材料要求能夠耐受工藝的硬度、耐久性。例 如，可以使用Ni等，但只要是符合上述目的的材料則不論什么材料都可以，在印模86上 除了形成記錄通常的數(shù)據(jù)的磁道以外，還可以形成脈沖串圖案(burst pattern)、格雷碼圖 案(Gray code pattern)、前同步信號圖案(preamble pattern)這些伺服信號的圖案。在本實施方式中，如圖7(c)所示，通過離子銑削等除去記錄磁性層83的表層的 一部分來設(shè)置凹部83c。這樣，在設(shè)置凹部83c后將其表面暴露在反應(yīng)性等離子體或反應(yīng) 性離子中，使記錄磁性層83的磁特性改性，這與沒有設(shè)置凹部83c的情況相比，磁記錄 圖案83a與非磁性區(qū)域83b的圖案的對比度變得更鮮明，并且能夠提高磁記錄介質(zhì)的S/ N。作為其原因，可以認(rèn)為是通過除去記錄磁性層83的表層部，可謀求其表面的清潔化 和活性化，與反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子的反應(yīng)性提高，并且在記錄磁性層83的表層 部導(dǎo)入空穴等的缺陷，通過該缺陷反應(yīng)性離子容易侵入到記錄磁性層83中。在本實施方式中，通過離子銑削等除去記錄磁性層83的表層的一部分的深度 d，優(yōu)選為O.lnm 15nm的范圍，更優(yōu)選為Inm IOnm的范圍。離子銑削的除去深度 小于Inm時，不呈現(xiàn)上述的記錄磁性層83的除去效果，而除去深度大于15nm時，磁記 錄介質(zhì)的表面平滑性惡化，制造磁記錄再生裝置時的磁頭的浮起特性變差。本實施方式其特征在于，通過將已成膜的記錄磁性層暴露在反應(yīng)性等離子體或 反應(yīng)性離子中對記錄磁性層的磁特性進(jìn)行改性，形成例如磁分離磁記錄磁道以及伺服信 號圖案部的區(qū)域。
本實施方式的所謂磁記錄圖案83a，如圖8(a)所示，意指從表面?zhèn)扔^看磁記錄 介質(zhì)時，記錄磁性層83被已非磁性化的非磁性區(qū)域83b分離的狀態(tài)。即，如果記錄磁性 層83從表面?zhèn)扔^看被分離，則在記錄磁性層83的底部即使沒有被分離，也能達(dá)到本發(fā) 明的目的，包含在本發(fā)明的磁記錄圖案83a的概念內(nèi)。另外，本發(fā)明的所謂磁記錄圖案 83a,包含每一比特具有一定規(guī)則性地配置磁記錄圖案的所謂的圖案介質(zhì)、磁記錄圖案 被配置成磁道狀的介質(zhì)、以及伺服信號圖案等。其中，本實施方式，從磁記錄介質(zhì)制造的簡便性考慮，優(yōu)選適用于磁記錄圖案 83a為磁記錄磁道以及伺服信號圖案的所謂的離散型磁記錄介質(zhì)。在本實施方式中，所謂用于形成磁記錄圖案83a的記錄磁性層83的改性，是指 為了將記錄磁性層83圖案化，使記錄磁性層83的矯頑力、殘留磁化等部分性地變化，所 謂該變化是指降低矯頑力、降低殘留磁化。在本實施方式中，尤其是作為磁特性的改性，優(yōu)選采用使暴露在反應(yīng)性等離 子體或反應(yīng)性離子中的部位的記錄磁性層83的磁化量為當(dāng)初(未處理)的75%以下，更 優(yōu)選為50%以下，使矯頑力為當(dāng)初的50%以下、更優(yōu)選為20%以下的方法。通過采用這 樣的方法制造離散磁道型磁記錄介質(zhì)，在本介質(zhì)上進(jìn)行磁記錄時可消除透寫，能夠提供 高的面記錄密度的磁記錄介質(zhì)。此外，在本實施方式中，也能夠通過將已成膜的記錄磁性層暴露在反應(yīng)性等離 子體或反應(yīng)性離子中，使記錄磁性層83非晶質(zhì)化，來實現(xiàn)分離磁記錄磁道以及伺服信號 圖案部的部位(非磁性區(qū)域83b)。本發(fā)明中的記錄磁性層的磁特性的改性，也包含通過 記錄磁性層的晶體結(jié)構(gòu)的改變來實現(xiàn)。在本實施方式中，所謂將記錄磁性層83非晶質(zhì)化，是指使記錄磁性層83的原子 排列成為不具有長距離秩序的不規(guī)則的原子排列的形態(tài)。更具體地講，是指小于2nm的 微晶粒成為無規(guī)地排列的狀態(tài)。因此在采用分析方法確認(rèn)該原子排列狀態(tài)的場合，通過 X射線衍射或電子束衍射，看不出表示晶面的峰，并且，成為只確認(rèn)出光暈的狀態(tài)。作為本實施方式的反應(yīng)性等離子體，可例舉電感耦合等離子體(ICP: Inductively Coupled Plasma)和反應(yīng)性離子等離子體(RIE Reactive Ion Plasma)。另外，所謂本實施方式的反應(yīng)性離子，可例舉存在于上述的電感耦合等離子 體、反應(yīng)性離子等離子體內(nèi)的反應(yīng)性的離子。所謂電感耦合等離子體，是通過對氣體施加高電壓而等離子體化，再通過高頻 的變動磁場使該等離子體內(nèi)部發(fā)生渦電流產(chǎn)生的焦耳熱而得到的高溫的等離子體。電感 耦合等離子體電子密度高，與使用以往的離子束制造離散磁道介質(zhì)的場合相比，能夠在 寬廣面積的磁性膜上以高的效率實現(xiàn)磁特性的改性。所謂反應(yīng)性離子等離子體，是在等離子體中加入了 02、SF 6、CHF3> CF4> CCl4
等的反應(yīng)性氣體的反應(yīng)性高的等離子體。通過使用這樣的等離子體作為本實施方式的反 應(yīng)性等離子體，能夠以更高的效率實現(xiàn)記錄磁性層83的磁特性改性。在本實施方式中，通過將成膜了的記錄磁性層83暴露在反應(yīng)性等離子體中將記 錄磁性層83進(jìn)行改性，但該改性優(yōu)選通過構(gòu)成記錄磁性層83的磁性金屬與反應(yīng)性等離子 體中的原子或離子的反應(yīng)來實現(xiàn)。該場合，所謂反應(yīng)，可以例舉反應(yīng)性等離子體中的原子等侵入磁性金屬中，磁性金屬的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化、磁性金屬的組成發(fā)生變化、磁性金屬氧化、磁性金屬氮化、磁性金屬硅化等。在本實施方式中，優(yōu)選作為反應(yīng)性等離子體含有氧原子，通過使構(gòu)成記錄磁 性層83的磁性金屬與反應(yīng)性等離子體中的氧原子反應(yīng)，使記錄磁性層83氧化。原因是通 過使記錄磁性層83部分性地氧化，能夠高效率地降低氧化部分的殘留磁化和矯頑力等， 因此通過短時間的反應(yīng)性等離子處理，能夠制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)。在本實施方式中，優(yōu)選使反應(yīng)性等離子體中含有鹵原子。另外，作為鹵原子特 別優(yōu)選使用F原子。鹵原子既可以與氧原子一起添加到反應(yīng)性等離子體中使用，也可以 不使用氧原子而添加到反應(yīng)性等離子體中。如上述，通過在反應(yīng)性等離子體中加入氧原 子等，能夠使構(gòu)成記錄磁性層83的磁性金屬與氧原子等反應(yīng)使記錄磁性層83的磁特性改 性。此時，通過使反應(yīng)性等離子體中含有鹵原子，能夠進(jìn)一步提高該反應(yīng)性。另外，即使在不將氧原子添加到反應(yīng)性等離子體中的場合，鹵原子也與磁性合 金反應(yīng)而能夠使記錄磁性層83的磁特性改性。其原因的詳細(xì)情況尚不清楚，但可以認(rèn) 為，反應(yīng)性等離子體中的鹵原子，將形成于記錄磁性層83的表面上的異物蝕刻，由此記 錄磁性層83的表面清潔化、記錄磁性層83的反應(yīng)性提高。另外，還可以認(rèn)為清潔化了的磁性層表面與鹵原子以高的效率進(jìn)行反應(yīng)。作為 具有這樣的效果的鹵原子特別優(yōu)選使用F原子。在本實施方式中，優(yōu)選在其后采用下述工序如圖8(b)所示，除去抗蝕劑層 850和掩模層840，接著如圖8(c)所示，形成保護(hù)層84，然后，涂布潤滑材料(沒有圖 示)制造磁記錄介質(zhì)?？刮g劑層850和掩模層840的除去，可以采用干蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑 肖IJ、濕式蝕刻等的方法。保護(hù)膜84的形成，一般是實施采用P-CVD等形成類金剛石碳(Diamond Like Carbon)的薄膜的方法，但沒有特別的限定。該場合，作為保護(hù)層84，可以使用碳(C)、氫化碳(HxC)、氮化碳(CN)、無 定形碳、碳化硅(SiC)等的碳質(zhì)層和Si02、Zr203> TiN等通常所使用的保護(hù)膜材料。另 夕卜，保護(hù)層84也可以由2層以上的層構(gòu)成。保護(hù)層84的膜厚必須為小于lOnm。原因是保護(hù)層84的膜厚超過IOnm時，磁 頭與記錄磁性層83的距離變大，不能夠得到充分的輸出輸入信號的強(qiáng)度。優(yōu)選在保護(hù)層84的上面形成潤滑層85。作為用于潤滑層85的潤滑劑，可舉出 氟系潤滑劑、烴系潤滑劑以及它們的混合物等，通常以1 4nm的厚度形成潤滑層85。圖9是使用了上述磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置的一例。在此表示的磁記錄再 生裝置，具有上述構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)96、使磁記錄介質(zhì)96旋轉(zhuǎn)工作的介質(zhì)驅(qū)動部97、 在磁記錄介質(zhì)96上將信息進(jìn)行記錄再生的磁頭98、磁頭驅(qū)動部99和記錄再生信號處理系 統(tǒng)100。磁再生信號處理系統(tǒng)100，將被輸入的數(shù)據(jù)處理后將記錄信號送給磁頭98，對來 自磁頭98的再生信號進(jìn)行處理后輸出數(shù)據(jù)。根據(jù)上述的制造方法和制造裝置，能夠使用一個裝置連續(xù)地進(jìn)行磁記錄層83的 改性 保護(hù)層84的形成，在處理基板的處理時基板不會被污染，并且減少處理工序等而 能夠使制造工序高效率化和使制品合格率高，提高磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率。
另外，根據(jù)上述的制造方法和制造裝置，由于由多個處理室分擔(dān)進(jìn)行將在記錄 磁性層上沒有被掩模層覆蓋的部位暴露在反應(yīng)性等離子體等中而對該部位的磁特性進(jìn)行 改性的工序以及除去掩模層的工序，因此能夠容易地導(dǎo)入到在線式的成膜裝置中。S卩，記錄磁性層等的成膜工序，每一片基板能夠用十秒左右的時間處理，與其 相對，對記錄磁性層的磁特性部分地進(jìn)行改性的工序、除去掩模層的工序難以在該時間 內(nèi)進(jìn)行處理，通過分別由多個處理室分擔(dān)地進(jìn)行這些改性工序、除去工序，能夠使這些 工序的處理時間與記錄磁性層等的成膜工序的處理時間一致，由此能夠連續(xù)地進(jìn)行各工 序。另外，在將記錄磁性層表面的掩模層進(jìn)行圖案化的工序中，包含在記錄磁性層 的表面涂布液體狀的抗蝕劑，將模壓印在其表面從而轉(zhuǎn)印模圖案的濕式的工藝時，在上 述的制造方法和制造裝置中，除了抗蝕劑的涂布以外全部采用干式工藝進(jìn)行，因此能夠 與同樣作為干式工藝的記錄磁性層的濺射工序組合，使用一個制造裝置連續(xù)地進(jìn)行。

實施例以下通過實施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于以下的實施例。如圖1 2和圖6 8所示，將安裝了作為非磁性基板80的HD用玻璃基板的真 空室預(yù)先真空排氣到l.ox 10_5Pa以下。在此使用的玻璃基板是以Li2Si205、Al2O3-K2CK MgO-P2O5^ Sb2O3-ZnO為構(gòu)成成分的結(jié)晶化玻璃為材質(zhì)，外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、 平均表面粗糙度(Ra)為2埃。采用DC濺射法，如圖2所示在該玻璃基板上，依次層疊作為軟磁性層81的 FeCoB>作為中間層82的Ru、作為記錄磁性層83的70Co_5Cr-15Pt-10Si02合金。各層 的膜厚為FeCoB軟磁性層為600人、如中間層為IOOA,記錄磁性層為150A。這樣地形 成了磁性層。如圖6 (a) (C)所示，采用濺射法在該磁性層上形成掩模層840，掩模層840使 用Ta，膜厚為60nm，接著，在掩模層上采用旋涂法涂布出抗蝕劑層850。抗蝕劑層850 使用了作為紫外線固化樹脂的線型系樹脂。并且膜厚為lOOnm。如圖7(a) (c)所示，在其上面使用具有磁記錄圖案的負(fù)圖案的玻璃制的印模 86，以lMPa(約8.8kgf/cm2)的壓力將印模86按壓在抗蝕劑層850上。在該狀態(tài)下，從 紫外線透過率為95%以上的玻璃制的印模的上部照射波長250nm的紫外線10秒鐘，使抗 蝕劑固化。然后，從抗蝕劑層850分離印模86。這樣轉(zhuǎn)印了磁記錄圖案的圖案。轉(zhuǎn)印在抗 蝕劑層850上的圖案，抗蝕劑的凸部是寬幅為120nm的圓周狀，抗蝕劑的凹部是寬幅為 6nm的圓周狀，抗蝕劑層的層厚是80nm，構(gòu)成抗蝕劑層的凹部的殘余部850a的厚度是約 5nm。另外，構(gòu)成抗蝕劑層凹部的側(cè)壁面的相對于基板面的角度是大約90度。將由以上的工序制造的基板裝入到圖3 圖5表示的磁記錄介質(zhì)的制造裝置中。 制造裝置的運載器25，如圖5所示是能夠同時地裝載2片處理用基板的結(jié)構(gòu)。于是，該 制造裝置設(shè)為以下的構(gòu)成在1個處理室52中進(jìn)行在運載器上裝載處理基板的工序，在 1個處理室5中進(jìn)行抗蝕劑層的凹部的殘余部850a的除去，在2個處理室6、8(圖案化 室)中進(jìn)行掩模層的圖案化工序，在1個處理室9中進(jìn)行部分地除去記錄磁性層表面的工 序。
另外，該制造裝置設(shè)為以下的構(gòu)成在3個處理室10、11、12(改性室)中進(jìn)行 對記錄磁性層部分地改性的工序，在2個室13、15中進(jìn)行除去抗蝕劑的工序，在2個處 理室16、18 (除去室)中進(jìn)行除去掩模層的工序，在2個處理室19、20(保護(hù)膜形成室) 中進(jìn)行碳保護(hù)膜的成膜工序。進(jìn)而，該制造裝置設(shè)為在1個處理室54中進(jìn)行從運載器卸 下處理基板的工序。在15秒以內(nèi)實現(xiàn)各室內(nèi)的處理。以下，對各工序的詳細(xì)情況進(jìn)行 說明。

在將處理基板裝載于運載器的工序中，在運載器25中，以15秒/片的速度將處 理基板裝載到室52內(nèi)。另外，抗蝕劑凹部的除去工序，在隅角室4內(nèi)使裝載了處理基板的運載器旋轉(zhuǎn) 并移動到進(jìn)行抗蝕劑凹部除去工序的處理室5內(nèi)，采用干蝕刻除去抗蝕劑層的凹部的部 位。干蝕刻條件，關(guān)于抗蝕劑的蝕刻，使O2氣為40SCCm、壓力為0.3Pa、高頻等離子體 電力為300W、DC偏電壓為30W、蝕刻時間為15秒。在掩模層的圖案化工序中，使蝕刻處理了的處理基板依次地移動到進(jìn)行掩模層 的圖案化工序的2個處理室6、8內(nèi)，采用干蝕刻除去Ta的掩模層之中的沒有被抗蝕劑覆 蓋的部位。干蝕刻條件，關(guān)于抗蝕劑的蝕刻，使O2氣為40SCCm、壓力為0.3Pa、高頻等 離子體電力為300W、DC偏電壓為30W、蝕刻時間為10秒，關(guān)于Ta層的蝕刻，使CF4 氣為50sccm、壓力為0.6Pa、高頻等離子體電力為500W、DC偏電壓為60W、蝕刻時間 每一個室為15秒，合計使用30秒進(jìn)行蝕刻。另外，在部分地除去記錄磁性層表面的工序中，使干蝕刻處理了的處理基板移 動到部分地除去記錄磁性層的處理室9內(nèi)，對于記錄磁性層上沒有被掩模層覆蓋的部 位，采用離子銑削來除去其表面。離子銑削時使用了 Ar離子。離子的量為5X1016原子 /cm2，加速電壓為20keV、記錄磁性層的銑削深度設(shè)為O.lnm。離子銑削時間設(shè)為5秒。接著，在對記錄磁性層部分地進(jìn)行改性的工序中，使離子銑削處理了的處理基 板依次地移動到對記錄磁性層部分地進(jìn)行改性的3個處理室10、11、12內(nèi)，將記錄磁性 層之中的沒有被掩模層覆蓋的部位的表面暴露在反應(yīng)性等離子體中進(jìn)行磁特性的改性。 記錄磁性層的反應(yīng)性等離子處理，使用了 了 A K、y ”公司的電感耦合等離子裝置。作為 等離子體發(fā)生所使用的氣體和條件，使用90cc/分的02，用于等離子體發(fā)生的投入電力 為200W、裝置內(nèi)的壓力設(shè)為0.5Pa，處理磁性層每個室用15秒鐘，3個室合計用45秒 鐘。接著，在除去抗蝕劑的工序中，使改性處理了的處理基板移動到進(jìn)行抗蝕劑層 除去的2個處理室13、15內(nèi)，采用干蝕刻除去抗蝕劑層。干蝕刻條件，關(guān)于抗蝕劑的蝕 亥丨J，使O2氣為40sccm、壓力為0.3Pa，高頻等離子體電力為300W、DC偏電壓為30W、 蝕刻時間為15秒。接著，在除去掩模層的工序中，使進(jìn)行了抗蝕劑除去處理了的處理基板移動到 進(jìn)行掩模層除去的2個處理室16、18內(nèi)，采用干蝕刻除去掩模層。干蝕刻條件，關(guān)于抗 蝕劑的蝕刻，使O2氣為40sccm、壓力為0.3Pa，高頻等離子體電力為300W、DC偏電壓 為30W、蝕刻時間為10秒，關(guān)于Ta層的蝕刻，使CF4氣為50SCCm、壓力為0.6Pa，高頻 等離子體電力為500W、DC偏電壓為60W，蝕刻時間每一個室為15秒、2個室合計為30 秒來進(jìn)行蝕刻。
接著，在碳保護(hù)膜的成膜工序中，使進(jìn)行了掩模層除去處理的處理基板依次地 移動到作為碳保護(hù)膜的成膜工序的2個處理室19、20內(nèi)，采用CVD法在磁性層上成膜出 5nm厚的碳保護(hù)膜。成膜時間為15秒。最后，在從運載器卸下處理基板的工序中，使成膜處理了的處理基板移動到從 運載器卸下處理基板的處理室54內(nèi)，以1.5秒/片的速度從運載器25卸下處理完的基 板。如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝置，能夠使用在線 式的制造裝置進(jìn)行所謂的離散介質(zhì)的制造中的很多的工序，因此能夠減少處理基板的處 理工序而防止污染，能夠提高磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明能夠適用于在硬盤裝置等中所使用的磁記錄介質(zhì)的制造方法和制造裝 置，更詳細(xì)地講，能夠適用于具有被磁分離了的磁記錄區(qū)域的所謂的離散介質(zhì)或圖案介 質(zhì)的制造方法以及實現(xiàn)該制造方法的制造裝置。附圖標(biāo)記說明1...基板盒移載機(jī)器手臺(裝載機(jī)構(gòu)、卸下機(jī)構(gòu))；2...基板供給機(jī)器手室(裝載機(jī)構(gòu))；3...基板盒移載機(jī)器手(裝載機(jī)構(gòu)、卸下機(jī)構(gòu))；5、6、8 13、15、16、18 20...處理室(室)；6、8...處理室(圖案化室)；10 12...處理室(改性室)；16、18...處理室(除去室)；19、20...處理室(保護(hù)膜形成室)；22...基板卸下機(jī)器手室(卸下機(jī)構(gòu))；25...運載器；34...基板供給機(jī)器手(裝載機(jī)構(gòu))；49...基板卸下機(jī)器手(卸下機(jī)構(gòu))；52...基板安裝室(裝載機(jī)構(gòu))；54...基板卸下室(卸下機(jī)構(gòu))；80...非磁性基板；83...記錄磁性層；83a...磁記錄圖案；84...保護(hù)層；810...磁性層；840...掩模層。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是將裝載于運載器的多片非磁性基板依次運送到相 互接續(xù)的多個室內(nèi)，制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的方法，其特征在于，依次地具 有裝載工序，將至少層疊有記錄磁性層和用于將所述記錄磁性層圖案化的掩模層的非 磁性基板裝載于運載器；改性工序，通過對所述記錄磁性層之中的沒有被所述掩模層覆蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性 等離子處理或離子照射處理而將磁特性改性，形成由殘存的磁性體構(gòu)成的磁記錄圖案；除去所述掩模層的除去工序；在所述記錄磁性層上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工序；以及，從所述運載器卸下所述非磁性基板的卸下工序，將所述改性工序、所述除去工序或所述保護(hù)膜形成工序中的任一個以上的工序分成 多個室而連續(xù)處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述改性工序中的所 述磁特性的改性為非磁性化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所述裝載工序 與所述改性工序之間，進(jìn)行將所述掩模層圖案化的圖案化工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在所述 非磁性基板的兩面形成所述記錄磁性層，并且，在所述改性工序中，對所述非磁性基板 的兩面同時地進(jìn)行所述反應(yīng)性等離子處理或所述離子照射處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，采用選 自離子槍、ICP、RIE中的任一種方法進(jìn)行所述反應(yīng)性等離子處理或所述離子照射處理。
6.一種磁記錄介質(zhì)的制造裝置，是將裝載于所述運載器的多片的非磁性基板依次運 送到相互接續(xù)的多個室內(nèi)，制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的裝置，其特征在于，具 有將至少層疊有記錄磁性層和用于將所述記錄磁性層圖案化的掩模層的非磁性基板裝 載于運載器的裝載機(jī)構(gòu)；改性室，該改性室具有通過對所述記錄磁性層之中的沒有被所述掩模層覆蓋的部位 進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而將磁特性改性，形成由殘存的磁性體構(gòu)成的磁 記錄圖案的機(jī)構(gòu)；除去所述掩模層的除去室；具有在所述記錄磁性層上形成保護(hù)膜的機(jī)構(gòu)的保護(hù)膜形成室；以及，從所述運載器卸下成膜后的非磁性基板的卸下機(jī)構(gòu)，所述改性室、所述除去室或所述保護(hù)膜形成室中的任一種以上的室具有多個。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其特征在于，在所述裝載機(jī)構(gòu)與所 述改性室之間具有將所述掩模層圖案化的圖案化室。
全文摘要
本發(fā)明提供使用同一個在線式裝置進(jìn)行介質(zhì)的制造，由此能夠減少處理造成的污染、提高生產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)的制造方法。該磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，依次地具有將至少層疊有記錄磁性層和用于將所述記錄磁性層圖案化的掩模層的非磁性基板裝載于運載器的裝載工序；通過對所述記錄磁性層之中的沒有被所述掩模層覆蓋的部位進(jìn)行反應(yīng)性等離子處理或離子照射處理而將磁特性改性，形成由殘存的磁性體構(gòu)成的磁記錄圖案的改性工序；除去所述掩模層的除去工序；在所述記錄磁性層上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工序；以及，從所述運載器卸下所述非磁性基板的卸下工序。將所述改性工序、所述除去工序或所述保護(hù)膜形成工序中的任一個以上的工序分成多個室而連續(xù)處理。
文檔編號G11B5/851GK102027539SQ20098011700
公開日2011年4月20日 申請日期2009年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月13日
發(fā)明者坂脇彰, 福島正人, 茂智雄 申請人:昭和電工株式會社