專利名稱：磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤裝置等的磁記錄介質(zhì)的制造方法，尤其涉及磁記錄介質(zhì)的制 造中的表面檢查工序。
本申請(qǐng)基于2008年5月21日在日本申請(qǐng)的特愿2008-133198號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在 此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年來，磁盤裝置、軟盤裝置、磁帶裝置等磁記錄裝置的應(yīng)用范圍顯著擴(kuò)大，其重 要性增加，并且對(duì)于這些裝置所使用的磁記錄介質(zhì)，謀求顯著提高其記錄(存儲(chǔ))密度。特 別是，MRQ^l)頭和PRML技術(shù)引入以來，面記錄密度的上升更為激烈，近年來還導(dǎo)入了 GMR頭、TMR頭等，面記錄密度的上升以一年大約100%的速度持續(xù)增加。對(duì)于這些磁記錄介 質(zhì)，要求今后實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度，為此要求實(shí)現(xiàn)磁性層的高頑磁力化和高信噪比(SNR)、 高分辨率。另外，近年來也在繼續(xù)努力通過在提高線記錄密度的同時(shí)增加磁道密度來使面 記錄密度上升。
在最新的磁記錄裝置中，磁道密度達(dá)到1 IOkTPI。但是，當(dāng)磁道密度上升下去時(shí)，相 鄰的磁道間的磁記錄信息會(huì)相互干擾，其邊界區(qū)域的磁化過渡區(qū)域會(huì)成為噪聲源，容易產(chǎn) 生損害SNR的問題。就這樣的話會(huì)牽涉到誤碼率(Bit Error rate，位出錯(cuò)率)的下降，因 此對(duì)于提高記錄密度成為障礙。為了使面記錄密度上升，需要將磁記錄介質(zhì)上的各記錄位 (bit)的尺寸設(shè)為更細(xì)微的尺寸，需要在各記錄位確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚。但 是，當(dāng)將記錄位細(xì)微化下去時(shí)，每一位的磁化最小體積變小，會(huì)產(chǎn)生由于由熱波動(dòng)導(dǎo)致的磁 化反轉(zhuǎn)而使記錄數(shù)據(jù)消失的問題。
另外，由于磁道間距離接近，因此磁記錄裝置要求精度極高的磁道伺服技術(shù)，與此 同時(shí)，為了盡可能地排除來自相鄰磁道的影響，一般使用如下方法寬幅地執(zhí)行記錄，比記 錄時(shí)窄地執(zhí)行再生。該方法雖然能夠?qū)⒋诺篱g的影響抑制為最小限度，但是難以獲得足夠 的再生輸出，因此，存在難以確保足夠的SNR的問題。
作為解決這樣的熱波動(dòng)的問題、實(shí)現(xiàn)確保SNR或者確保足夠的輸出的方法之一， 進(jìn)行了如下嘗試在記錄介質(zhì)表面形成沿著磁道的凹凸，使記錄磁道彼此物理分離或者磁 分離，由此提高磁道密度。以下將這樣的技術(shù)稱為離散磁道法，將通過該方法制造的磁記錄 介質(zhì)稱為離散磁道介質(zhì)。
作為離散磁道介質(zhì)的一個(gè)例子，已知如下磁記錄介質(zhì)在表面形成了凹凸圖案的 圓盤狀基板形成磁記錄介質(zhì)，形成進(jìn)行了物理分離的磁記錄磁道和伺服信號(hào)圖案(例如， 參照專利文獻(xiàn)1)。
對(duì)于離散磁道介質(zhì)，具有如下方法在形成了由幾層薄膜形成的連續(xù)的磁記錄層 之后對(duì)磁記錄層進(jìn)行物理加工來形成磁道的方法；在預(yù)先在基板表面形成了凹凸圖案之 后，進(jìn)行磁記錄介質(zhì)的薄膜形成的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)幻。其中，前者的 方法常被稱為磁層加工型。另一方面，后者常被稱為壓花(emboss)加工型。
另外，公開有如下方法通過將氮離子和/或氧離子注入至預(yù)先形成的磁性層，或 者通過照射激光，從而形成離散磁道介質(zhì)的磁道間區(qū)域(參照專利文獻(xiàn)4)。
作為通過上述方法制造的磁記錄介質(zhì)的全部的檢查工序，有滑行(glide)檢查工 序和認(rèn)證(certify)檢查工序。
所說的滑行檢查工序，是檢查磁記錄介質(zhì)的表面是否沒有突起物的工序。即，在 使用磁頭對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再生時(shí)，當(dāng)介質(zhì)面有高度為介質(zhì)和磁頭的間隔以上的突起 時(shí)，則磁頭會(huì)碰上突起，會(huì)使磁頭損傷，另外，會(huì)成為在介質(zhì)產(chǎn)生缺陷的原因。在本工序中檢 查有沒有這樣高的突起(例如，參照專利文獻(xiàn)幻。本工序中，進(jìn)行磁記錄介質(zhì)表面的突起物 的檢查，不進(jìn)行對(duì)于磁記錄介質(zhì)的信號(hào)的記錄再生。
對(duì)于通過(pass) 了滑行檢查工序的磁記錄介質(zhì)，實(shí)施認(rèn)證檢查。所說的認(rèn)證檢查 工序，對(duì)于磁記錄介質(zhì)，如通常的硬盤驅(qū)動(dòng)器的記錄再生那樣，在通過磁頭記錄了預(yù)定的信 號(hào)之后，對(duì)該信號(hào)進(jìn)行再生，根據(jù)所得到的再生信號(hào)來確認(rèn)電特性和/或者有無(wú)缺陷等介 質(zhì)的品質(zhì)(例如，參照專利文獻(xiàn)6)。
專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-164692號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-178793號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3 日本特開2004-178794號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4 日本特開平5-205257號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5 日本特開平10-105908號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)6 日本特開2003-257016號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在離散方式、或者位圖案方式的磁記錄介質(zhì)的制造時(shí)，一般形成了在表面具有凹 凸形狀的磁性層之后，在其凹部填充非磁性材料，使表面平滑。對(duì)此，在采用了在磁性層的 表面形成與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的掩模層，通過離子注入等使磁性層部分非磁性化，在磁性層 形成磁記錄圖案的方法的情況下，即使不進(jìn)行非磁性材料的填充，該磁記錄介質(zhì)的表面也 是平滑的。
對(duì)于這樣的制造方法，本發(fā)明者開發(fā)了如下方法對(duì)于磁性層的表面，與磁記錄圖 案對(duì)應(yīng)地設(shè)置掩模層，使該表面與氧氣等進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，使磁性層部分非磁性化。發(fā)現(xiàn)在采 用該方法的情況下，僅除去了磁性層的反應(yīng)區(qū)域表面時(shí)，氧氣等與磁性層的反應(yīng)性會(huì)增加。 通過該制造方法得到的磁記錄介質(zhì)，雖然在其表面與磁記錄圖案對(duì)應(yīng)地產(chǎn)生一點(diǎn)點(diǎn)凹凸， 對(duì)于該凹凸，優(yōu)選在凹部填充非磁性材料來進(jìn)行平滑化。
但是，填充非磁性材料的平滑化工藝會(huì)導(dǎo)致使磁記錄介質(zhì)的表面污染的可能性變 高，并且，制造工藝變復(fù)雜、磁記錄介質(zhì)的成本增加。
本發(fā)明的課題在于以高生產(chǎn)效率提供一種離散方式、或者位圖案方式的磁記錄 介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)即使在表面殘存凹凸，磁頭的浮起特性也是穩(wěn)定的，能夠適合高記錄密度。
用于解決課題的手段
本發(fā)明者為了解決如下問題而進(jìn)行了解析，該問題為在使用了表面殘留有若干凹凸的磁記錄介質(zhì)的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，內(nèi)置的磁記錄介質(zhì)雖然通過了通常的滑行檢查工序和 /或認(rèn)證檢查工序，但存在磁頭破損的情況。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)當(dāng)磁頭在磁記錄介質(zhì)的磁記錄 圖案部浮起時(shí)，磁頭在數(shù)據(jù)區(qū)域與伺服信息區(qū)域的邊界部會(huì)振動(dòng)，由于該振動(dòng)，磁頭會(huì)與磁 記錄介質(zhì)瞬間接觸而發(fā)生破損。并且，對(duì)磁頭在數(shù)據(jù)區(qū)域與伺服信息區(qū)域的邊界部的振動(dòng) 進(jìn)行了詳細(xì)解析，發(fā)現(xiàn)該振動(dòng)的大小與磁記錄介質(zhì)的圖案形成的微小的不均勻性成比例， 另外，通過將該振動(dòng)的大小為一定以上的磁記錄介質(zhì)判定為不合格品而將其排除，由此能 夠制造硬盤驅(qū)動(dòng)器的故障率低的磁記錄介質(zhì)，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及如下方 案。
(1) 一種磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀基板的至少一個(gè)表面 具有磁記錄圖案，在表面具有與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸，所述評(píng)價(jià)方法的特征在于，使 安裝有傳感器的磁頭滑塊在旋轉(zhuǎn)的所述磁記錄介質(zhì)的表面浮起走行，對(duì)所述磁頭滑塊和所 述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)該信號(hào)判斷所述磁記 錄介質(zhì)是否合格，所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信 號(hào)，是由于與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的所述凹凸而產(chǎn)生的信號(hào)。
(2)根據(jù)上述(1)所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，所述磁頭滑塊和所 述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)，是由于所述磁頭滑塊的浮起的不穩(wěn) 定性而產(chǎn)生的信號(hào)。
(3)根據(jù)上述(1)或( 所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，安裝在所述 磁頭滑塊的所述傳感器為壓電傳感器，檢測(cè)的信號(hào)是由于所述磁頭滑塊的振動(dòng)而產(chǎn)生的信號(hào)。
(4)根據(jù)上述(1) (3)中的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于， 所述磁記錄圖案包括數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域，所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸 狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)，是所述磁頭滑塊通過所述磁記錄圖案的所述數(shù)據(jù)區(qū)域和 所述伺服信息區(qū)域的邊界部時(shí)輸出的信號(hào)。
(5) 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀基板的至少一個(gè)表面 具有磁記錄圖案，在表面具有與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸，所述制造方法的特征在于，作 為所述磁記錄介質(zhì)的檢查工序，包括上述(1) 中的任一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)方法。
(6)根據(jù)上述(5)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)的 檢查工序還包括滑行檢查評(píng)價(jià)。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，在磁記錄介質(zhì)的表面殘存有凹凸的離散方式、或者位圖案方式的磁 記錄介質(zhì)中，具有磁頭的浮起特性穩(wěn)定的效果。另外，由此能夠使磁頭與磁記錄介質(zhì)不接 觸，另外能夠減少磁頭的浮起量，因此具有能夠以高生產(chǎn)性來提供故障率低、記錄密度高的 硬盤驅(qū)動(dòng)器的效果。


圖1是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的伺服信息區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域的圖案的圖。
圖2是用于磁記錄再生裝置的磁頭懸架組件的立體示意圖。
圖3是表示磁記錄介質(zhì)上的磁頭滑塊的浮起方式的剖面示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的基板和磁性層的一實(shí)施方式的剖面構(gòu)造的剖 面示意圖。
圖5是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的制造工序的一個(gè)例子的剖面示意 圖。
圖6是說明本發(fā)明的磁記錄再生裝置的構(gòu)成的立體圖。
圖7是表示通過作為本發(fā)明的實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法得到評(píng)價(jià)結(jié)果 的圖，表示從傳感器輸出的信號(hào)的例子的波形圖。
標(biāo)號(hào)說明
1...圓盤狀基板
2...磁性層
3...碳掩模層
4...抗蝕劑層
5...印模
7...磁性層的部分除去了的部位
8...轉(zhuǎn)印后殘留的抗蝕劑層
9...保護(hù)膜層
20...磁頭懸架組件(gimbal asi
21.. 分離區(qū)域
22...凹部
23.. 凸部
24.. 磁頭滑塊
25.. 信號(hào)線
26.. 磁頭
27...懸臂(suspension arm)
30...磁記錄介質(zhì)
31...磁頭
32...記錄再生信號(hào)系統(tǒng)
33...磁頭驅(qū)動(dòng)部
34...介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部
100...數(shù)據(jù)區(qū)域的磁記錄圖案
101...伺服區(qū)域的磁記錄圖案
102...磁頭的移動(dòng)方向
d...磁性層除去的深度
L...磁記錄圖案的非磁性部寬度
W...磁記錄圖案的磁性部寬度具體實(shí)施方式
本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀基板的至少一 個(gè)表面具有磁記錄圖案，在表面具有與該磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸，所述磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法的特征在于，使安裝有傳感器的磁頭滑塊在旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)的表面浮起走行，對(duì)磁 頭滑塊和磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)該信號(hào)判斷磁記錄 介質(zhì)是否合格。
首先，對(duì)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行說明。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)在圓盤狀的基板具有磁分離了的磁記錄圖案。
通常，該磁記錄圖案由數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域形成，另外，該磁記錄介質(zhì)在其表 面形成凹部來作為分離區(qū)域，形成凸部來作為磁性記錄區(qū)域，通過該凹部分離凸部的磁記 錄圖案，并且在磁記錄介質(zhì)的表面殘留有凹凸。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)能夠適用于離散方式、或者位圖案方式的磁記錄介質(zhì)這兩 者，以下將離散方式的磁記錄介質(zhì)作為例子進(jìn)行具體說明。
圖1在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30中，將離散磁道介質(zhì)作為例子，示出伺服信息區(qū)域 (伺服區(qū)域)和數(shù)據(jù)區(qū)域的伺服信息圖案101、數(shù)據(jù)區(qū)域圖案100的例子。圖1(b)是磁記 錄介質(zhì)30的表面的示意圖，圖1(a)是圖1(b)的一部分的放大圖。圖1(b)所示的放射狀 的線D相當(dāng)于伺服區(qū)域，該線D彼此之間的區(qū)域相當(dāng)于數(shù)據(jù)區(qū)域。圖1所示出的箭頭102 表示磁頭滑塊(磁頭)在磁記錄介質(zhì)30的表面的移動(dòng)位置和方向。
在磁記錄介質(zhì)30的表面有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)域(有時(shí)也省略為數(shù)據(jù)區(qū)域)，那些 數(shù)據(jù)記錄區(qū)域通過磁道信息、以及扇區(qū)信息來定位位置。在磁記錄介質(zhì)30的表面移動(dòng)的 磁頭，首先，在伺服信息區(qū)域，讀入對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)區(qū)域的磁道信息和扇區(qū)信息，之后，在突發(fā) (burst，脈沖)圖案區(qū)域，進(jìn)行磁道位置的微調(diào)整，之后，在數(shù)據(jù)區(qū)域，進(jìn)行信息的讀寫。
在伺服信息區(qū)域，通過圖1所示的磁記錄圖案101，磁道信息和扇區(qū)信息被作為數(shù) 字信息進(jìn)行記錄。另外，數(shù)據(jù)區(qū)域形成有通過磁道分離了的磁記錄圖案100。這些磁記錄圖 案由其周圍的分離區(qū)域形成。
在本發(fā)明中，形成磁記錄介質(zhì)30的磁記錄圖案的分離區(qū)域，在磁記錄介質(zhì)30的表 面形成凹部。存在該凹部會(huì)使磁記錄介質(zhì)30的表面的磁頭的浮起不穩(wěn)定。特別是，伺服信 息區(qū)域中的磁記錄圖案101的凹凸是不規(guī)則的，另一方面，數(shù)據(jù)區(qū)域中的磁記錄圖案100的 凹凸是規(guī)則的。即，當(dāng)磁頭從伺服信息區(qū)域移動(dòng)到數(shù)據(jù)區(qū)域時(shí)，另外，從數(shù)據(jù)區(qū)域移動(dòng)到伺 服信息區(qū)域時(shí)，會(huì)導(dǎo)致磁頭浮起的不穩(wěn)定性。這例如是因?yàn)楫?dāng)形成磁性層的凸部的面積比 率大時(shí)，磁頭滑塊會(huì)受到大的風(fēng)壓，因此浮起量會(huì)變大。
圖2是安裝有磁頭的磁頭懸架組件的示意圖。磁頭懸架組件20具有由金屬制的 薄板形成的懸臂(suspension arm) 27、設(shè)置在懸臂27的頂端側(cè)的磁頭滑塊Μ、設(shè)置在磁頭 滑塊M上的磁頭26、以及通過信號(hào)線25來導(dǎo)電連接的控制單元(省略示圖)。
磁頭沈配置在磁頭滑塊M的與形成有斜面的先導(dǎo)(leading)側(cè)相反一側(cè)的交換 (trading)側(cè)的靠近磁記錄介質(zhì)30的部分。作為磁頭沈可以使用作為再生元件不僅包括 利用了巨磁阻效應(yīng)(GMR =Giant MagnetoResistive) ^ MR (magneto resistance，磁阻)元 件，也包括利用了隧道磁阻效應(yīng)(TMR :Tunnel-type Magneto Resistive)的TMR元件等的 適于高記錄密度的磁頭。另外，通過使用TMR元件，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高密度記錄化。
如上所述，伺服信息區(qū)域中的磁記錄圖案101的凹凸是不規(guī)則的，另一方面，數(shù)據(jù) 區(qū)域中的磁記錄圖案100的凹凸是規(guī)則的。即，當(dāng)磁頭沈從伺服信息區(qū)域移動(dòng)到數(shù)據(jù)區(qū)域 時(shí)，另外從數(shù)據(jù)區(qū)域移動(dòng)到伺服信息區(qū)域時(shí)，會(huì)導(dǎo)致磁頭26浮起的不穩(wěn)定性。通過使數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的磁記錄圖案100、101最優(yōu)化，能夠某種程度地緩和該不穩(wěn)定性。但 是，根據(jù)本發(fā)明者的研究，即使對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的磁記錄圖案100、101進(jìn)行最 優(yōu)化，由于磁記錄介質(zhì)30的制造工序中的圖案形成條件的僅僅一點(diǎn)點(diǎn)差異，會(huì)產(chǎn)生凹凸圖 案的高低差的微小差異、以及凹凸圖案的特別是邊緣部的塌邊的差異，無(wú)法完全消除該不 穩(wěn)定性，特別是，難以防止磁頭26從數(shù)據(jù)區(qū)域突入伺服信息區(qū)域時(shí)的瞬間的振動(dòng)。并且，發(fā) 現(xiàn)當(dāng)磁頭26從數(shù)據(jù)區(qū)域突入伺服信息區(qū)域時(shí)，若磁記錄圖案100、101的形成誤差較大，則 磁頭沈會(huì)瞬間與磁記錄介質(zhì)30接觸。
進(jìn)一步，本發(fā)明者對(duì)磁頭沈在數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的邊界部的振動(dòng)進(jìn)行了 詳細(xì)的解析，發(fā)現(xiàn)該振動(dòng)的水平與上述的磁記錄介質(zhì)30的圖案形成的微小的不均勻性成 比例，另外，通過將該振動(dòng)水平為一定以上的磁記錄介質(zhì)30判定為不合格品并將其排除， 能夠制造硬盤驅(qū)動(dòng)器的故障率低的磁記錄介質(zhì)30。
本發(fā)明中，使磁記錄介質(zhì)30旋轉(zhuǎn)，使安裝有傳感器的磁頭滑塊在該磁記錄介質(zhì)30 的表面浮起走行，對(duì)該磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30非接觸狀態(tài)下從傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行 檢測(cè)，根據(jù)該信號(hào)來判斷磁記錄介質(zhì)30是否合格，本發(fā)明中使用的磁頭滑塊例如是包括圖 2所示的磁頭滑塊M和懸臂27、還在磁頭滑塊M或其附近的懸臂27安裝有傳感器的構(gòu)成， 通過該傳感器來檢測(cè)磁頭滑塊的微小振動(dòng)。
圖7示出通過本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法從傳感器輸出的信號(hào)的例子。本例子示出，使外 徑為48mm(l. 89英寸)、磁道間距(track pitch)為271kPTI (94nm間距、數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)挾葹?Mnm、分離區(qū)域的寬度為40nm)的磁記錄介質(zhì)以6000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使附有壓電傳感器的磁 頭滑塊在距中心的半徑位置為15. 8mm處以IOnm的浮起高度浮起時(shí)，從壓電傳感器輸出的 信號(hào)。圖7的放大圖中的信號(hào)是從傳感器輸出的信號(hào)的一部分的放大圖。在圖7中，到處 可見的大振幅的信號(hào)71，是磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30發(fā)生了接觸時(shí)從傳感器輸出的信號(hào)， 是在一般進(jìn)行的滑行評(píng)價(jià)中使用的信號(hào)。本發(fā)明中使用的信號(hào)，不是這樣的大振幅的信號(hào) 71，而是在其間所見的小振幅的信號(hào)72。該信號(hào)72是磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30非接觸狀 態(tài)下從傳感器輸出的信號(hào)。雖然有時(shí)根據(jù)這樣的磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30非接觸狀態(tài)下 從傳感器輸出的信號(hào)來評(píng)價(jià)磁記錄介質(zhì)30的表面的起伏，但是這樣的評(píng)價(jià)是對(duì)小振幅的 信號(hào)72所包含的長(zhǎng)周期的成分進(jìn)行評(píng)價(jià)的方法，與本發(fā)明中使用的信號(hào)成分不同。
本發(fā)明中使用的信號(hào)是圖7的放大圖所示的磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30非接觸狀 態(tài)下從傳感器輸出的短周期的信號(hào)成分。在該信號(hào)72中也包含振幅小的噪聲信號(hào)，但是該 信號(hào)72所包含的周期性信號(hào)(在圖7中為以30ysec的周期進(jìn)行重復(fù)的信號(hào))是由于磁 頭滑塊浮起的不穩(wěn)定性引起的信號(hào)。即，在磁頭滑塊安裝了壓電傳感器等的情況下，當(dāng)磁頭 滑塊的浮起變?yōu)椴环€(wěn)定性時(shí)磁頭滑塊會(huì)振動(dòng)，對(duì)該磁頭滑塊的振動(dòng)進(jìn)行檢測(cè)，從傳感器輸 出信號(hào)。特別是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30，在其圓周表面具有周期性的磁記錄圖案，形成凹部 來作為該周期性的磁記錄圖案的分離區(qū)域，形成凸部來作為磁性記錄區(qū)域，在其表面殘留 有凹凸。
因此，由于形成該磁記錄圖案的凹凸，磁頭滑塊的浮起會(huì)發(fā)生周期性變化，磁頭會(huì) 振動(dòng)，對(duì)該磁頭滑塊的振動(dòng)進(jìn)行檢測(cè)，從傳感器輸出周期性信號(hào)。
特別是在本發(fā)明中，在磁記錄圖案包括數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的磁記錄介質(zhì)30 中，作為磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)30非接觸狀態(tài)下從傳感器輸出的信號(hào)，優(yōu)選使用當(dāng)磁頭滑塊通過磁記錄圖案的數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的邊界部時(shí)輸出的信號(hào)。此處，所說的當(dāng)磁 頭滑塊通過磁記錄圖案的數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的邊界部時(shí)輸出的信號(hào)，指的是在圖7 的放大圖所示的周期性輸出的信號(hào)中的振幅大的信號(hào)73。即，伺服信息區(qū)域中的磁記錄圖 案101的凹凸是不規(guī)則的，另一方面，數(shù)據(jù)區(qū)域中的磁記錄圖案100的凹凸是規(guī)則的。因 此，當(dāng)磁頭從伺服信息區(qū)域移動(dòng)到數(shù)據(jù)區(qū)域時(shí)，另外從數(shù)據(jù)區(qū)域移動(dòng)到伺服信息區(qū)域時(shí)，會(huì) 導(dǎo)致磁頭浮起的不穩(wěn)定性，特別是，當(dāng)磁頭滑塊從磁記錄圖案的數(shù)據(jù)區(qū)域突入伺服信息區(qū) 域時(shí)，會(huì)輸出大振幅的信號(hào)73。
如上所述，即使對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的圖案100、101進(jìn)行最優(yōu)化，由于磁 記錄介質(zhì)30的制造工序中的圖案形成條件的僅僅一點(diǎn)點(diǎn)差異，會(huì)產(chǎn)生凹凸圖案的高低差 的微小差異、以及凹凸圖案的特別是邊緣部的塌邊的差異，在由于該圖案形狀的變化使得 磁頭滑塊發(fā)生了較大的振動(dòng)的情況下，磁頭滑塊會(huì)與磁記錄介質(zhì)30瞬間接觸。因此，通過 磁頭滑塊對(duì)磁記錄介質(zhì)30的表面進(jìn)行掃描，根據(jù)從傳感器輸出的信號(hào)，在圖7的放大圖中 的信號(hào)73的振幅變成了某閾值以上的情況下，將該磁記錄介質(zhì)作為不合格品進(jìn)行排除，由 此能夠高識(shí)別性地對(duì)當(dāng)內(nèi)置于硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)成為不合格品的可能性較高的磁記錄介質(zhì)30 進(jìn)行判別。
在本發(fā)明中，優(yōu)選將上述的磁記錄介質(zhì)30的評(píng)價(jià)方法作為磁記錄介質(zhì)30的所有 檢查項(xiàng)目組入磁記錄介質(zhì)30的制造工序。如上所述，通過對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的圖 案100、101進(jìn)行最優(yōu)化，能夠某種程度地緩和磁頭滑塊從數(shù)據(jù)區(qū)域移動(dòng)到伺服信息區(qū)域時(shí) 的磁頭浮起的不穩(wěn)定性。并且，也考慮在所有具有這樣的圖案100、101的磁記錄介質(zhì)30中 不需要進(jìn)行本發(fā)明的評(píng)價(jià)。但是，即使對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域的圖案進(jìn)行最優(yōu)化，由于 磁記錄介質(zhì)30的制造工序中的圖案形成條件的僅僅一點(diǎn)點(diǎn)差異，會(huì)產(chǎn)生凹凸圖案的高低 差的差異、以及凹凸圖案的特別是邊緣部的塌邊的差異，無(wú)法完全消除該不穩(wěn)定性。因此， 本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的評(píng)價(jià)方法，優(yōu)選作為磁記錄介質(zhì)30的所有檢查項(xiàng)目組入磁記錄 介質(zhì)30的制造工序。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的檢查工序，也能夠與滑行檢查評(píng)價(jià)工序同時(shí)進(jìn)行，但優(yōu) 選與滑行檢查評(píng)價(jià)工序分開設(shè)置。如圖7所示，用于本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法的信號(hào)72，能夠與用 于滑行評(píng)價(jià)的信號(hào)71同時(shí)輸出，但信號(hào)72的強(qiáng)度是信號(hào)72的強(qiáng)度的1/10 1/100左右。 因此，從其評(píng)價(jià)判別的準(zhǔn)確性來看，優(yōu)選本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的檢查工序與滑行檢查評(píng) 價(jià)分開設(shè)置，并且對(duì)通過了滑行檢查評(píng)價(jià)的磁記錄介質(zhì)30進(jìn)行本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的 檢查工序。即，這是因?yàn)樾盘?hào)72的強(qiáng)度是信號(hào)72的強(qiáng)度的1/10 1/100左右，所以其評(píng) 價(jià)裝置要求的傳感器的靈敏度、從傳感器輸出的信號(hào)的放大器的性能有所不同。
接著對(duì)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的制造方法進(jìn)行說明。在制造方法的說明中使用 離散方式的磁記錄介質(zhì)30，但是即使在位圖案方式的磁記錄介質(zhì)中也可以使用類似的制造 方法。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30 —般具有如下構(gòu)造在圓盤狀基板的表面形成有軟磁性 層及中間層、形成有磁圖案的磁性區(qū)域及分離區(qū)域、以及保護(hù)膜層，進(jìn)一步在最表面形成有 潤(rùn)滑膜。并且，具有通過分離區(qū)域分離作為磁圖案區(qū)域的磁性區(qū)域的構(gòu)造。
圖4是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的一實(shí)施方式，圖中僅示出基板和磁性層。在圖4 中，1為圓盤狀基板，2為在其上形成的磁性層。在磁性層2，在預(yù)定的部位除去其表層部而形成有凹部22。d是凹部的深度。凹部的下部是通過非磁性化等使磁特性降低了的區(qū)域 21。通過該磁特性降低區(qū)域21和凹部22，磁性層2被分離，形成凸23。在本發(fā)明中，在 非磁性化區(qū)域中也包括磁特性降低區(qū)域。
接著對(duì)圖4所示的磁記錄介質(zhì)30的制造方法進(jìn)行說明。該磁記錄介質(zhì)30的制造 方法包括圖5(a) 圖5(i)所示的工序。
S卩，圖5(a)所示的工序是在圓盤狀基板1至少形成磁性層2的工序。接著的圖 5(b)所示的工序是在磁性層2上形成碳掩模層3的工序。接著的圖5(c)所示的工序是在 碳掩模層3上形成抗蝕劑層4的工序。
接著的圖5(d)所示的工序是通過對(duì)抗蝕劑層4使用印模5轉(zhuǎn)印磁記錄圖案的負(fù) 片圖案來進(jìn)行形成的工序。在本發(fā)明中，將為了分離記錄磁道而與記錄磁道對(duì)應(yīng)地在抗蝕 劑層形成了凹部的圖案稱為負(fù)片圖案。另外，該工序中的箭頭表示印模5的移動(dòng)。標(biāo)號(hào)8 是通過形成負(fù)片圖案而殘留了的抗蝕劑層。
接著的圖5(e)所示的工序是除去通過轉(zhuǎn)印而殘留了的抗蝕劑層8、碳掩模層3的 與磁記錄圖案的負(fù)片圖案對(duì)應(yīng)的部分的工序。接著的圖5(f)所示的工序是通過離子銑削6 將除去碳掩模3而漏出了的磁性層2的表層部除去的工序、以及在除去了表層部的磁性層 形成非磁性化區(qū)域的工序。標(biāo)號(hào)7表示其除去的部位。另外，形成非磁性化區(qū)域的工序是 例如暴露氧和/或臭氧的工序、或者照射激光的工序。接著的圖5(g)所示的工序是除去抗 蝕劑4和碳掩模層3的工序。
另外，除了上述的工序，優(yōu)選在磁性層2的與磁記錄圖案的負(fù)片圖案對(duì)應(yīng)的部分 形成非磁性化區(qū)域的工序之前，預(yù)先將其表面暴露在氟類氣體中。進(jìn)一步，如圖5(h)所示， 優(yōu)選在除去抗蝕劑4和碳掩模層3的工序之后，進(jìn)行照射Ar等的惰性氣體11稍稍除去磁 性層2的表層部的工序。接著，如圖5(i)所示，優(yōu)選進(jìn)行在磁性層2上形成保護(hù)膜層9的工序。
作為本發(fā)明中使用的圓盤狀基板1，只要是將Al作為主成分的例如Al-Mg合金等 的Al合金基板、由通常的鈉玻璃(soda glass)、鋁硅酸鹽(aluminosilicate)類玻璃、結(jié)晶 化玻璃類硅、鈦(Titan)、陶瓷(ceramics)、各種樹脂形成的基板等圓盤狀基板，則可以使 用任意基板。其中優(yōu)選使用Al合金基板、結(jié)晶化玻璃等玻璃制基板或硅基板。另外，這些 基板的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為Inm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5nm以下，其中優(yōu)選為0. Inm 以下。
在上述那樣的圓盤狀基板1的表面形成的磁性層2，既可以是面內(nèi)磁性層也可以 是垂直磁性層，但是為了實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度而優(yōu)選垂直磁性層。這些磁性層2優(yōu)選主要 由以Co作為主成分的合金形成。
例如，作為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的磁性層，可以利用由非磁性的CrMo基底層和強(qiáng)磁 性的CoCrPtTa磁性層形成的層疊構(gòu)造。
另外，作為垂直磁記錄介質(zhì)用的磁性層，例如，可以利用層疊了由軟磁性的i^eCo 合金(FeCoB,FeCoSiB,FeCoZr,FeCoZrB,FeCoZrBCu 等),FeTa 合金(FeTaN,FeTaC 等)、Co 合金(( 、CoZrNB、CoB等)等形成的襯里層、Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等的取向控制膜、根 據(jù)需要的Ru等的中間膜、以及由60Co-15Cr-15Pt合金和/或70Co-5Cr-15Pt_10SiA合金 形成的顆粒(granular)構(gòu)造的磁性層而得到構(gòu)造。
在本發(fā)明中，在提高形成非磁性化區(qū)域21時(shí)的反應(yīng)性方面，特別優(yōu)選使用顆粒構(gòu) 造的磁性層來作為磁性層2。所說的顆粒構(gòu)造的磁性層是具有氧化物覆蓋了磁性粒子的周 圍的構(gòu)造的磁性層。對(duì)于氧化物，除了上述的SiA以外，可以使用Ti氧化物、W氧化物、Cr 氧化物、Co氧化物、Ta氧化物、Ru氧化物等。
磁性層2的厚度為3nm以上且20nm以下，優(yōu)選設(shè)為5nm以上且15nm以下。磁性 層2與使用的磁性合金的種類和疊層構(gòu)造相匹配地形成為能得到足夠的磁頭輸入輸出即 可。為了在再生時(shí)得到一定以上的輸出，磁性層2的膜厚需要某一程度以上的磁性層膜厚， 另一方面，通常表示記錄再生特性的諸參數(shù)會(huì)隨著輸出的上升而劣化，因此磁性層2需要 設(shè)定成最適當(dāng)?shù)哪ず?。通常，磁性?通過濺射法形成為薄膜。
在本實(shí)施方式的制造方法中，在磁性層2的表面形成碳掩模層3。對(duì)于碳，由于容 易進(jìn)行使用了氧氣的干式蝕刻(反應(yīng)性離子蝕刻或者反應(yīng)性離子銑削)，因此在圖5(g)所 示的工序中，能夠減少殘留物，能夠減少磁記錄介質(zhì)表面的污染。碳膜可以通過濺射法、或 者CVD法來進(jìn)行成膜，但是使用CVD法能夠形成致密性更高的碳膜。
碳掩模層3的膜厚優(yōu)選設(shè)為5nm 40nm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為IOnm 30nm 的范圍內(nèi)。當(dāng)碳掩模層3的膜厚比5nm薄時(shí)，碳掩模層3的邊緣部分會(huì)塌邊，磁記錄圖案的 形成特性會(huì)發(fā)生惡化。另外，透過了抗蝕劑層4、碳掩模層3的離子會(huì)侵入磁性層2，使磁性 層2的磁特性惡化。另一方面，當(dāng)碳掩模層3比40nm厚時(shí)，碳掩模層3的蝕刻時(shí)間變長(zhǎng)，生 產(chǎn)率下降。另外，對(duì)碳掩模層3進(jìn)行蝕刻時(shí)的殘?jiān)菀讱埩粼诖判詫颖砻妗?br> 接著，在碳掩模層3上形成抗蝕劑層4，在該抗蝕劑層4形成磁記錄圖案的負(fù)片圖 案。在抗蝕劑層4形成負(fù)片圖案的方法，可以使用通常的光刻技術(shù)，但從作業(yè)效率方面來看 優(yōu)選使用如下方法對(duì)抗蝕劑層4使用印模，轉(zhuǎn)印磁記錄圖案的負(fù)片圖案。
在本實(shí)施方式的制造方法中，優(yōu)選如圖5 (d)所示，將在抗蝕劑層4形成磁記錄圖 案的負(fù)片圖案之后殘留于抗蝕劑層4的凹部的抗蝕劑層8的厚度設(shè)在0 20nm的范圍內(nèi)。 通過將在抗蝕劑層4的凹部殘留的抗蝕劑層8的厚度設(shè)為該范圍，能夠在圖5 (e)所示的碳 掩模層3和磁性層2的蝕刻工序中，消除碳掩模層3的邊緣部分的塌邊，使碳掩模層3對(duì)于 銑削離子的遮蔽性提高，另外，能夠提高基于碳掩模層3的磁記錄圖案形成特性。
在本實(shí)施方式的制造方法中，在圖5(c)所示的工序中，優(yōu)選將用于抗蝕劑層4的 材料設(shè)為通過放射線照射而具有固化性的材料，在抗蝕劑層4使用印模5來轉(zhuǎn)印圖案的工 序時(shí)，或者，在圖案轉(zhuǎn)印工序之后，向抗蝕劑層4照射放射線。通過使用這樣的制造方法，能 夠高精度地在抗蝕劑層4轉(zhuǎn)印印模5的形狀，在圖5(e)所示的碳掩模層3的蝕刻工序中， 能夠消除碳掩模層3的邊緣部分的塌邊，能提高碳掩模層3對(duì)于銑削離子的遮蔽性，另外， 能夠提高基于碳掩模層3的磁記錄圖案形成特性。本發(fā)明中使用的放射線是紅外線、可見 光線、紫外線、X射線、伽馬射線等的廣義概念的電磁波。另外，通過放射線照射而具有固化 性的材料，例如，相對(duì)于紅外線是熱固化樹脂，相對(duì)于紫外線是紫外線固化樹脂。
在本實(shí)施方式的制造方法中，對(duì)抗蝕劑層4使用印模5來轉(zhuǎn)印圖案的工序時(shí)，在抗 蝕劑層4的流動(dòng)性高的狀態(tài)下，向抗蝕劑層4押壓印模，在進(jìn)行了該押壓的狀態(tài)下，通過向 抗蝕劑層4照射放射線來使抗蝕劑層4固化，之后，使印模從抗蝕劑層4離開，由此能夠高 精度地將印模的形狀轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4。作為在向抗蝕劑層4押壓了印模的狀態(tài)下向抗蝕 劑層4照射放射線的方法，可以使用從印模的相反一側(cè)、即基板一側(cè)照射放射線的方法；選擇能透射放射線的物質(zhì)來作為印模的材料，從印模一側(cè)照射放射線的方法；從印模的側(cè) 面照射放射線的方法；使用如紅外線那樣對(duì)于固體傳導(dǎo)性高的放射線，通過來自印模材料 或者基板的熱傳導(dǎo)來照射放射線的方法。其中，特別地，優(yōu)選使用酚醛(novolak)類樹脂、 丙烯(Acryl)酸酯類、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂類等紫外線固化樹脂來作為抗蝕劑層4，使用對(duì)于紫 外線透射性高的玻璃或者樹脂來作為印模材料。
在本實(shí)施方式的制造方法中，作為抗蝕劑層，特別地，優(yōu)選使用SiO2類抗蝕劑。 SiO2類抗蝕劑，對(duì)于使用了氧氣的干式蝕刻的耐性高，因此，能夠在對(duì)碳掩模層3使用離子 銑削來形成磁記錄圖案的負(fù)片圖案時(shí)降低像的模糊。即，通過使用了氧氣的干式蝕刻，能夠 容易地加工碳掩模層3，另一方面，SiO2類抗蝕劑對(duì)于使用了氧氣的干式蝕刻的耐性高，因 此，能夠通過干式蝕刻將碳掩模層3加工成垂直陡立的形狀，能夠制造尖銳(sharp)的形狀 的磁記錄圖案。
除去碳掩模層3，另外當(dāng)那之前在形成負(fù)片圖案之后在凹部殘留有抗蝕劑8時(shí)，在 圖5(e)中除去該抗蝕劑8?？梢酝ㄟ^反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑削等的干式蝕刻的手法來除 去碳掩模層3和抗蝕劑層4。
在本發(fā)明中，設(shè)置使磁性層2的沒有被碳掩模層3和抗蝕劑層4覆蓋的部位非磁 性化的工序，但是在該工序之前，如圖5(f)所示，設(shè)置除去該部位的磁性層2的工序。優(yōu)選 在0. Inm 15nm的范圍內(nèi)除去磁性層2的表層部(圖5 (f)所示的厚度d的部分)。磁性 層2的表層部，有時(shí)由于層疊在其上的碳掩模層3和/或大氣的影響而會(huì)發(fā)生變質(zhì)，當(dāng)發(fā)生 這樣的變質(zhì)層后，有時(shí)磁性層2的非磁性化反應(yīng)不會(huì)有效地發(fā)生作用。對(duì)于除去磁性層2， 例如，在通過離子銑削、或者反應(yīng)性離子蝕刻等對(duì)碳掩模層3進(jìn)行了干式蝕刻之后，接著， 通過離子銑削對(duì)磁性層2進(jìn)行干式蝕刻。通過采用這樣的方法，能夠垂直地形成殘留的磁 性層2的邊緣部。這是因?yàn)榇判詫?上的碳掩模層3是垂直陡立的形狀，所以其下的磁性 層2也變成同樣的形狀。通過采用這樣的工序，能夠形成邊緣(fringe)特性優(yōu)異的磁性層 2。
在本實(shí)施方式的制造方法中，如上所述，優(yōu)選使用氧氣來進(jìn)行碳掩模層3的反應(yīng) 性離子蝕刻。另外，優(yōu)選使用氬、氮等惰性氣體進(jìn)行磁性層2的離子銑削。即，優(yōu)選分別將 碳掩模層3的銑削離子和磁性層的銑削離子變?yōu)樽钸m當(dāng)?shù)碾x子。
另外，優(yōu)選在對(duì)磁性層2的沒有被掩模層3和抗蝕劑層4覆蓋的部位進(jìn)行非磁性 化處理之前，將其表面暴露在氟類氣體中。通過進(jìn)行這樣的處理，能夠提高磁性層2的表面 的反應(yīng)性，能夠更加有效地實(shí)現(xiàn)非磁性化反應(yīng)。
在本發(fā)明中，作為磁性層2，如上所述優(yōu)選使用顆粒構(gòu)造的磁性層。顆粒構(gòu)造的磁 性層是具有氧化物覆蓋了磁性粒子的周圍的構(gòu)造的磁性層，具有如下特征由于磁性結(jié)晶 以非磁性相分離，因此磁性粒子間的磁相互作用微弱，并且，由于磁性結(jié)晶粒微小，所以能 夠形成噪聲極低的磁性層。在通過氧和/或臭氧對(duì)這樣的磁性層2進(jìn)行了非磁性化處理的 情況下，能夠通過選擇性使用了氟類氣體的反應(yīng)性離子蝕刻裝置等的處理，對(duì)存在于粒界 的氧化物層進(jìn)行蝕刻，能夠促進(jìn)磁性層2中的Co等金屬與氧和/或臭氧的氧化反應(yīng)，能夠 更有效地使磁性層2的磁特性發(fā)生變化。
另外，在本發(fā)明中，作為磁性層2，也可以設(shè)為顆粒構(gòu)造和其上的非顆粒構(gòu)造的2 層構(gòu)造。
對(duì)于本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30，為了提高記錄密度，具有磁圖案的磁性層2的磁性 部寬度W優(yōu)選為200nm以下，非磁性部寬度(分離區(qū)域部)L優(yōu)選為IOOnm以下。因此，磁 道間距(track pitch)P( = ff+L)在300nm以下的范圍內(nèi)為了提高數(shù)據(jù)區(qū)域中的記錄密度 而盡可能地縮窄。
對(duì)于本發(fā)明的磁分離了的磁記錄圖案，當(dāng)磁性層從記錄介質(zhì)30的表面?zhèn)葋砜词?分離的時(shí)，即使在磁性層的底部沒有分離，也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的，這包含在本發(fā)明的磁 分離了的磁記錄圖案的概念中。進(jìn)一步，對(duì)于本發(fā)明的磁記錄圖案，如上所述，包括磁記錄 圖案按每一位具有一定的規(guī)則性地配置的所謂的位圖案方式的、以及磁記錄圖案以磁道狀 配置的所謂的離散方式的伺服信息信號(hào)圖案、突發(fā)(burst，脈沖)信號(hào)圖案等。
其中，從其制造的簡(jiǎn)便性來看，本發(fā)明優(yōu)選適用于磁分離了的磁記錄圖案為磁記 錄磁道和伺服信號(hào)圖案的、所謂的離散方式磁記錄介質(zhì)。
在制造本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30的情況下，在對(duì)磁性層2進(jìn)行了部分非磁性化處理 之后，設(shè)置除去設(shè)于磁性層2上的抗蝕劑層4和碳掩模層3的工序。在本發(fā)明的除去抗蝕 劑層4和碳掩模層3時(shí)，優(yōu)選使用干式蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑削等方法。
當(dāng)制造本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30時(shí)，以除去磁性層2的表面的通過臭氧等進(jìn)行了非 磁性化處理的最表面層為目的，優(yōu)選設(shè)置利用Ar等惰性氣體在1 2nm的范圍內(nèi)蝕刻該表 層部的工序。這是因?yàn)樵谠搮^(qū)域中，磁性層2的表面有時(shí)會(huì)發(fā)生粗面化。
在本發(fā)明中，在除去了抗蝕劑層4和碳掩模層3之后的磁性層2 (磁性區(qū)域和埋入 了非磁性材料的區(qū)域、或者不埋入非磁性材料的凹部的區(qū)域)的表面形成保護(hù)膜層9。作為 保護(hù)膜層9，可以使用碳(C)、氫化碳(HxC)、氮化碳(CN)、無(wú)定形碳、碳化硅(SiC)等碳質(zhì)層 和/或Si02、Zr2O3, TiN等通常使用的保護(hù)膜層材料。另外，保護(hù)膜層9可以由2層以上的 層構(gòu)成。
保護(hù)膜層9的膜厚需要設(shè)為IOnm以下。這是因?yàn)楫?dāng)保護(hù)膜層9的膜厚超過IOnm 時(shí)，磁頭和磁性層2的距離變大，不能得到足夠的輸入輸出信號(hào)的強(qiáng)度。通常，保護(hù)膜層9 通過濺射法或者CVD法形成。
另外，優(yōu)選在保護(hù)膜層9上形成潤(rùn)滑層。作為用于潤(rùn)滑層的潤(rùn)滑劑，可以列舉氟類 潤(rùn)滑劑、碳化氫類潤(rùn)滑劑以及它們的混合物等，通常以1 4nm的厚度形成潤(rùn)滑層。
接著，圖6示出本發(fā)明的磁記錄再生裝置(硬盤驅(qū)動(dòng)器)的構(gòu)成。本發(fā)明的磁記 錄再生裝置具備上述的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30 ；在記錄方向上驅(qū)動(dòng)所述磁記錄介質(zhì)30的 介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部34 ；包括記錄部和再生部的磁頭31 ；使磁頭31相對(duì)于磁記錄介質(zhì)30進(jìn)行相對(duì) 運(yùn)動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部33 ；組合了用于進(jìn)行向磁頭31輸入信號(hào)和從磁頭31再生輸出信號(hào)的記 錄再生信號(hào)處理單元的記錄再生信號(hào)系統(tǒng)32。通過組合它們能夠構(gòu)成記錄密度高的磁記錄 裝置。以往為了排除磁道邊緣部的磁化過渡區(qū)域的影響而使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度 窄地進(jìn)行對(duì)應(yīng)，但通過磁不連續(xù)地對(duì)磁記錄介質(zhì)的記錄磁道進(jìn)行磁加工，能夠使兩者以大 致相同的寬度進(jìn)行工作。由此能夠得到足夠的再生輸出和高SNR。
進(jìn)一步，通過GMR磁頭或者TMR磁頭構(gòu)成上述的磁頭31的再生部，由此即使在高 記錄密度時(shí)也能得到足夠的信號(hào)強(qiáng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高記錄密度的磁記錄裝置。另外，使該 磁頭31的浮起量為以比以往低的0. 005 μ m 0. 020 μ m的高度而進(jìn)行浮起走行時(shí)，則能提 供輸出提高、得到高的裝置SNR、且大容量的可靠性高的磁記錄裝置。另外，當(dāng)組合基于最優(yōu)解碼法的信號(hào)處理電路時(shí)，則能夠進(jìn)一步提高記錄密度，例如，即使在以磁道密度為IOOk 磁道/英寸以上、線記錄密度為IOOOk位/英寸以上、每1平方英寸為100G位以上的記錄 密度進(jìn)行記錄、再生的情況下也能得到足夠的SNR。
實(shí)施例
(實(shí)施例)
預(yù)先將設(shè)置了 HD用玻璃基板的真空室真空排氣為1. OX KT5Pa以下。此處使用 的玻璃基板將結(jié)晶化玻璃作為材質(zhì)，外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、平均表面粗糙度(Ra)為2 埃，所述結(jié)晶化玻璃是將Li2Si205、Al2O3-K2CK Mg0-P205、Sb2O3-ZnO作為構(gòu)成成分的玻璃。
在該玻璃基板使用DC濺射法，按順序?qū)盈B了 60Fe30Col0B薄膜作為軟磁性層、Ru 薄膜作為中間層、70Co-5Cr-15Pt-10SiA合金薄膜作為顆粒構(gòu)造的磁性層，接著使用P-CVD 法層疊了碳掩模層的薄膜。將各個(gè)層的膜厚設(shè)為60Fe30Col0B軟磁性層為60nm、Ru中間 層為lOnm、磁性層為15nm、碳掩模層為30nm。在其上通過旋涂法來涂敷SiO2抗蝕劑。膜厚 設(shè)為lOOnm。
在其上，使用具有磁記錄圖案的負(fù)片圖案的玻璃制的印模，用IMPa(約8. Skgf/ cm2)的壓力將印模押壓到抗蝕劑層。之后，使印模從抗蝕劑層分離，將磁記錄圖案轉(zhuǎn)印到 抗蝕劑層。對(duì)于轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層的磁記錄圖案，對(duì)于數(shù)據(jù)區(qū)域，將抗蝕劑的凸部的寬度設(shè)為 Mnm的圓周狀，將抗蝕劑的凸部的間隔設(shè)為40nm。由此，能形成數(shù)據(jù)區(qū)域的間距為94nm，數(shù) 據(jù)區(qū)域?qū)挾葹镸nm，分離區(qū)域的寬度為40nm的數(shù)據(jù)區(qū)域。
另外，在圓周方向上的各數(shù)據(jù)區(qū)域之間，通過抗蝕劑圖案形成了 20 μ m寬度的伺 服信息區(qū)域。伺服信息區(qū)域中的凹凸圖案設(shè)計(jì)為伺服信息區(qū)域中的凸部的面積比率平均在 40% 60%的范圍內(nèi)。抗蝕劑層的層厚為80nm、抗蝕劑層的凹部(底部)的厚度大約為 5nm。另外，抗蝕劑層凹部相對(duì)于的基板面的角度大約為90度。
首先，使用CF4,以0. 5Pa · 40sccm、等離子體電力200W、偏壓20W、蝕刻時(shí)間10秒來除去了殘留在凹部的抗蝕劑層。
之后，對(duì)于抗蝕劑層的凹部的部位，通過干式蝕刻除去了碳掩模層，通過離子蝕刻 除去了磁性層的表層部。干式蝕刻條件設(shè)為對(duì)于碳掩模層，氧氣為40sCCm、壓力0. 3Pa、高 頻等離子體電力300W、DC偏壓30W、蝕刻時(shí)間30秒。
另外，對(duì)于磁性層，設(shè)為N2氣體lOsccm、壓力0. IPa,加速電壓300V、蝕刻時(shí)間5秒。 磁性層的凹部的深度(圖1的d)大約為lnm。
之后，使磁性層的沒有被碳掩模層覆蓋的部位暴露在臭氧氣體中。臭氧氣體的暴 露，是在室(chamber)內(nèi)使臭氧以40sCCm進(jìn)行流動(dòng)，在lPa、10秒、基板溫度150°C的條件進(jìn) 行的。
之后，通過干式蝕刻除去了磁記錄介質(zhì)表面的碳掩模層和抗蝕劑層。之后，通過離 子銑削裝置在Ar為10SCCm、0. 5Pa、5秒的條件下，在大約1 2nm的范圍內(nèi)對(duì)磁性層的表 面進(jìn)行蝕刻，通過CVD法成膜5nm的碳保護(hù)膜，最后涂敷氟類潤(rùn)滑劑2nm，完成磁記錄介質(zhì)的 制造。與在磁記錄介質(zhì)的表面形成的磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸的高度平均為lnm。
對(duì)通過上述方法制造的磁記錄介質(zhì)執(zhí)行滑行檢查。在滑行檢查中，將檢查磁頭 (磁頭滑塊)和磁記錄介質(zhì)表面之間的浮起高度設(shè)定為0. 25微英寸(6. 5nm)，在從檢查磁 頭輸出了由與磁記錄介質(zhì)表面的突起物的沖突而引起的信號(hào)的情況下，該磁記錄介質(zhì)判斷為不合格品。
(本發(fā)明的評(píng)價(jià))
對(duì)于通過了滑行檢查工序的10000枚的磁記錄介質(zhì)，實(shí)施了本發(fā)明的對(duì)磁頭滑塊 和磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)磁頭滑塊使用外 形1. 2mmX0. 8mm的AlTiC(Al、Ti、C的燒結(jié)材料)，在磁頭滑塊安裝PZT傳感器，檢測(cè)從該 傳感器輸出的信號(hào)。使磁記錄介質(zhì)以6000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，將磁頭滑塊和磁記錄介質(zhì)表面之 間的浮起高度設(shè)定為lOnm，檢查使用上述的磁頭滑塊對(duì)磁記錄介質(zhì)的整個(gè)面進(jìn)行10秒期 間的掃描而輸出的信號(hào)的最大值。其結(jié)果，輸出的信號(hào)的最大值為O 400mV的磁記錄介 質(zhì)為892枚，輸出的信號(hào)的最大值為401 450mV的磁記錄介質(zhì)為74枚，輸出的信號(hào)的最 大值為451 500mV的磁記錄介質(zhì)為23枚，輸出的信號(hào)的最大值為501mV以上的磁記錄介 質(zhì)為11枚。
(磁記錄介質(zhì)的尋道(seek)評(píng)價(jià))
對(duì)上述的評(píng)價(jià)中的來自傳感器的輸出信號(hào)為401mV以上的磁記錄介質(zhì)實(shí)施了尋 道評(píng)價(jià)。磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)速設(shè)為4200rpm，使用TDK制的MR磁頭，在60°C、80%環(huán)境下使磁 頭的加載/卸載(load/unload)動(dòng)作以10次/秒的頻率重復(fù)了 72小時(shí)。該動(dòng)作之后，使 用光學(xué)顯微鏡、掃描型電子顯微鏡對(duì)磁頭、磁記錄介質(zhì)的表面進(jìn)行觀察，確認(rèn)了表面損傷 的發(fā)生狀況。其結(jié)果，上述的評(píng)價(jià)中，觀察到了磁頭表面的污染、或者磁記錄介質(zhì)表面的損 傷的盤，在來自傳感器的輸出信號(hào)的最大值為401mV 450mV的磁記錄介質(zhì)中為0枚，在 45ImV 500mV的磁記錄介質(zhì)中為5枚，在50ImV以上的磁記錄介質(zhì)中為8枚。根據(jù)以上的 結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在本實(shí)施例中，通過將本發(fā)明的評(píng)價(jià)中的判斷磁記錄介質(zhì)是否合格的閾值設(shè)定 在401mV 450mV的范圍內(nèi)，能夠提供磁頭的浮起特性穩(wěn)定的磁記錄介質(zhì)。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
根據(jù)本發(fā)明，在表面具有凹凸形狀的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)中，能夠確保磁頭 浮起的穩(wěn)定性，由此，能夠使磁頭的浮起高度下降。因此，能夠提供故障率低、高記錄密度特 性優(yōu)異的硬盤驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)業(yè)上的利用可能性較高。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀基板的至少一個(gè)表面具有磁 記錄圖案，在表面具有與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸，所述評(píng)價(jià)方法的特征在于，使安裝有傳感器的磁頭滑塊在旋轉(zhuǎn)的所述磁記錄介質(zhì)的表面浮起走行，對(duì)所述磁頭滑 塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)該信號(hào)判斷所 述磁記錄介質(zhì)是否合格，所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)，是由于與所 述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的所述凹凸而產(chǎn)生的信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)，是由于所述 磁頭滑塊的浮起的不穩(wěn)定性而產(chǎn)生的信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，安裝在所述磁頭滑塊的所述傳感器為壓電傳感器，檢測(cè)的信號(hào)是由于所述磁頭滑塊的 振動(dòng)而產(chǎn)生的信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，所述磁記錄圖案包括數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服信息區(qū)域，所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接 觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)，是所述磁頭滑塊通過所述磁記錄圖案的所述數(shù)據(jù)區(qū)域 和所述伺服信息區(qū)域的邊界部時(shí)輸出的信號(hào)。
5.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀基板的至少一個(gè)表面具有磁 記錄圖案，在表面具有與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸，所述制造方法的特征在于，作為所述 磁記錄介質(zhì)的檢查工序，包括權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)的檢查工序還包括滑行檢查評(píng)價(jià)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，所述磁記錄介質(zhì)是離散方式或者位圖案方式磁記錄介質(zhì)，即使在其表面殘留凹凸也有穩(wěn)定的磁頭浮起特性、并且能夠適應(yīng)高記錄密度，本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法能夠以高生產(chǎn)效率提供該磁記錄介質(zhì)。這樣的評(píng)價(jià)方法是在圓盤狀基板的至少一個(gè)表面具磁記錄圖案、在表面具有與所述磁記錄圖案對(duì)應(yīng)的凹凸的磁記錄介質(zhì)的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，使安裝有傳感器的磁頭滑塊在旋轉(zhuǎn)的所述磁記錄介質(zhì)的表面浮起走行，對(duì)所述磁頭滑塊和所述磁記錄介質(zhì)非接觸狀態(tài)下從所述傳感器輸出的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)該信號(hào)來判斷所述磁記錄介質(zhì)是否合格。
文檔編號(hào)G11B5/84GK102037508SQ200980118008
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月21日
發(fā)明者福島正人 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社