專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)、信息記錄方法、及信息再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)，用于通過以施加光束引發(fā)起的記錄層中 的透射率、反射率等的光學(xué)變化來記錄和重放信息。
背景技術(shù)：
在例如使用染色材料的CD-R或DVD-R的光學(xué)記錄介質(zhì)中，記錄層中使用的有機(jī)染 料膜光學(xué)地吸收記錄波長(zhǎng)的一部分，并且由于該光吸收引起記錄層中的生熱導(dǎo)致了該有機(jī) 染料膜分解和記錄膜物理變形，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)記錄。通過降低記錄激光的波長(zhǎng)，迄今已經(jīng)作 出了增加記錄密度的研發(fā)。在應(yīng)用大約400nm的藍(lán)激光時(shí)，有可能在一定程度上提高密度， 但該密度提高自然地開始面對(duì)一個(gè)記錄容量的限制。存在有使用例如倍增記錄層以便實(shí)現(xiàn) 更高記錄密度的技術(shù)，而且例如雙層DVD-R已經(jīng)商業(yè)化。然而，為了倍增記錄層，必須嚴(yán)格 地控制該記錄層的光透射率及光吸收率，并且必須優(yōu)化盤的結(jié)構(gòu)，以便能夠獲得穩(wěn)定的記 錄/重放信號(hào)?？墒怯捎诩夹g(shù)上的困難，用于制造多個(gè)染色材料層的技術(shù)尚未達(dá)到足以實(shí) 用的水平。因此這種盤的售價(jià)要高于單層盤的售價(jià)。在如此情況的背景下，已經(jīng)報(bào)告有一種 盤，當(dāng)從光的進(jìn)入面看時(shí)，其在遠(yuǎn)側(cè)定位的一個(gè)層中形成記錄膜的順序與傳統(tǒng)的順序相反， 以便提高該多層盤的記錄特性。例如，日本專利申請(qǐng)公開2005-339761建議在染料層和反光層之間引入金屬氧化 物層來提高記錄/重放特征，在記錄層的結(jié)構(gòu)中需要在一個(gè)反射膜上形成一個(gè)染料記錄 膜，并且需要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)新保護(hù)層來防止在中間層中所用的粘合樹脂和該染色材料之間的干 擾。使用染色材料制造傳統(tǒng)的單層盤的方法不易用于多層盤的制造，以及若高批量生產(chǎn)并 且要保持產(chǎn)品產(chǎn)出的話，則由于需要產(chǎn)品的嚴(yán)格管理而將會(huì)增加生產(chǎn)成本。而且，當(dāng)該記錄層具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，由于不同層的材料的光學(xué)特性的微小的差別、 相互的光干涉等原因，記錄信號(hào)的質(zhì)量容易變化，使得在控制記錄層之間的串?dāng)_的情況下 有可能降低該記錄層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)裕量。這種層的倍增技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高密度記錄的基礎(chǔ)，但在 目前形勢(shì)下沒有提供清晰的設(shè)計(jì)指南，而且尚未發(fā)現(xiàn)有涉及控制由于層的倍增而產(chǎn)生的層 間串?dāng)_的方法報(bào)告。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面提供了一種盤形光學(xué)記錄介質(zhì)，包括記錄層，配置來以預(yù)定波 長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息；在所述介質(zhì)的內(nèi)圓周側(cè)處的記錄層上提供的燒錄區(qū)，所述燒錄區(qū) 配置來記錄包括標(biāo)記極性標(biāo)志的特定信息，所述標(biāo)記極性標(biāo)志指示記錄層上的記錄標(biāo)記的 極性，其中所述標(biāo)記極性標(biāo)志表明記錄標(biāo)記的極性是低_高還是高_(dá)低。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種使用上述第一方面的盤形光學(xué)記錄介質(zhì)的信息
3記錄方法，所述方法包括在記錄層上記錄信息。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，還提供了一種使用上述第一方面的盤形光學(xué)記錄介質(zhì)的 信息再現(xiàn)方法，所述方法包括從記錄層中再現(xiàn)信息。當(dāng)在具有多個(gè)(例如兩個(gè))記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄信息時(shí)，由于例如該第 一記錄層中包括的反光層的存在，已從第一記錄層(LO)進(jìn)入的光束的功率被分成兩個(gè)光 束，并且分配來用于該第一記錄層(LO)的記錄/重放以及用于該第二記錄層(Li)的記錄/ 重放。因此，該減半的光束必須被該第二記錄層(Li)中包括的一個(gè)反光層高效地反射。因 此，例如銀或銀合金的高反射率材料被用于增加反射率。但是，如果增加第二記錄層(Li) 的反光層的厚度，則增加反射的光量，這將增加在第一記錄層(LO)和記錄信號(hào)之間的光干 涉。因此存在由于在該第一記錄層(LO)和該第二記錄層(Li)之間的增加的串?dāng)_而顯著劣 變記錄/重放信號(hào)的質(zhì)量的問題。本發(fā)明的實(shí)施例以檢驗(yàn)具有多個(gè)(例如兩個(gè))記錄層的一個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄 特性來解決此類問題。即，本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)挑戰(zhàn)是要提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中的層間串?dāng)_低并 且能獲得穩(wěn)定和高質(zhì)量的記錄特性。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)中，反射膜的材料和反射膜的厚度被調(diào)整來 優(yōu)化包括在該第二記錄層中的反光層的反射率，以便降低在該第一記錄層和該第二記錄層 之間的串?dāng)_，并且獲得穩(wěn)定和高質(zhì)量的記錄特性。換句話說，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有能 夠以光來記錄/重放其中的信息的第一記錄層和第二記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中，包括在該 第二記錄層中的一個(gè)反光層的反射膜的材料和厚度被調(diào)整。因此，在該多層可記錄的信息記錄介質(zhì)中，當(dāng)激光束被會(huì)聚在該期望的層上時(shí)，防 止了由于加到不是期望層的那些層的光引起的層間串?dāng)_的出現(xiàn)。本發(fā)明的附加目的和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的描述中闡明，這些目的和優(yōu)點(diǎn)將從描述中逐 步顯見，或能通過本發(fā)明的實(shí)踐而得知?？梢岳秒S后特別指出的手段和組合來實(shí)現(xiàn)并獲 得本發(fā)明的目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)。


結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與上面 給出的概括描述及下面給出的實(shí)施例的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一種多層光盤的結(jié)構(gòu)示例的示意圖；圖2是表示用于記錄層的有機(jī)材料的一個(gè)金屬絡(luò)合物部分的具體實(shí)例的示意圖；圖3是表示用于記錄層的有機(jī)材料的該染料部分的一個(gè)實(shí)例的示意圖；圖4是說明在可記錄信息存儲(chǔ)介質(zhì)中設(shè)置常規(guī)參數(shù)的實(shí)例的示意圖；圖5是說明使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤的一種記錄方法的示例流程圖；圖6是說明使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤的一種再現(xiàn)方法的示例流程圖；圖7是說明圖1中的光盤的物理扇區(qū)的布局的一個(gè)示例的示意圖；圖8是說明圖1中的光盤的一個(gè)導(dǎo)入?yún)^(qū)的配置的一個(gè)示例的示意圖；圖9是說明圖8中的光盤的一個(gè)控制數(shù)據(jù)帶的配置的一個(gè)示例的示意圖；圖10是說明圖9中的配置實(shí)例的示意圖11是說明圖10中的物理格式信息的一個(gè)實(shí)例的示意圖；圖12是說明分配在圖11的物理格式信息中的數(shù)據(jù)區(qū)分配的一個(gè)實(shí)例的示意圖；圖13是說明圖10中的物理格式信息的一部分(與LO相關(guān))的配置實(shí)例的示意 圖；圖14是說明圖10中的物理格式信息的另一部分(與Ll相關(guān))的配置實(shí)例的示 意圖；圖15是說明記錄脈沖的波形(寫入策略)的一個(gè)示例的示意圖；圖16是示例示意圖，說明在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可記錄單側(cè)多層(雙層)光盤的 Ll層上的燒錄區(qū)(BCA)的格式；圖17A和17B是說明記錄在圖16的BCA中的BCA記錄內(nèi)容的一個(gè)實(shí)例的示意圖；圖18是說明用于在BCA中記錄包括圖17A和17B中的BCA記錄內(nèi)容的具體信息 的一種裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖19是說明用于在圖16的可記錄單側(cè)多層(雙層)光盤的Ll層中記錄具體信 息(BCA記錄等)的一個(gè)過程實(shí)例的示例流程圖；圖20是說明用于從圖16的可再現(xiàn)單側(cè)多層(雙層)光盤的Ll層中再現(xiàn)具體信 息(BCA記錄等)的一個(gè)過程實(shí)例的示例流程圖；和圖21是說明制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的可記錄單側(cè)雙層光盤的過程的實(shí)例示 意圖。
具體實(shí)施例方式隨后將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。圖1是說明根據(jù)實(shí)施例的光盤(作為具體實(shí)例的可記錄單側(cè)雙層光盤)100的結(jié) 構(gòu)實(shí)例的示意圖。如圖1的(a)和(b)所示，光盤100包括透明樹脂基片101，由例如聚碳 酸酯(PC)的合成樹脂材料組成，以便具有一個(gè)盤形狀。在此透明樹脂基片101中形成同心 或螺線的溝槽。透明樹脂基片101能夠由使用壓模的注塑成型來制造。其中，在由例如聚碳酸酯組成并具有0. 59mm厚度的透明樹脂基片101上依次層疊 了第一層(LO)的有機(jī)染料記錄層105和半透射反光層106，其頂部旋涂了光聚合物(2P樹 脂)104。然后，第二層(Li)的溝槽形狀被轉(zhuǎn)移到該光聚合物104的頂部上，并按順序?qū)盈B 了有機(jī)染料記錄層107和由例如銀或銀合金制成的反射膜108。經(jīng)過UV固化樹脂(粘合 層)103，把具有0. 59mm厚的另一透明樹脂基片(或一個(gè)啞基片)102結(jié)合到該LO和Ll的 記錄層的層疊。有機(jī)染料記錄膜(記錄層105和107)具有雙層的結(jié)構(gòu)，其中該半透射反光 層106和中間層104被插入在中間。以此方式完成的層壓光盤的總厚度大約為1. 2mm。在此，在透明樹脂基片101上形成具有例如0. 4 μ m的軌道間距和60nm深的螺線 溝槽(在分別的層LO和Ll中)。此溝槽具有一個(gè)擺動(dòng)，并在該擺動(dòng)中記錄地址信息。包括 有機(jī)染料的記錄層105和107被形成在該透明樹脂基片101上來填充該溝槽。能夠使用有機(jī)染料來形成記錄層105和107，該有機(jī)染料的最大吸收波長(zhǎng)區(qū)域被 移動(dòng)到比記錄波長(zhǎng)更長(zhǎng)的波長(zhǎng)側(cè)(例如405nm)。而且，在記錄波長(zhǎng)區(qū)域中不消失吸收性，并 且其長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域(例如450nm至600歷)被設(shè)計(jì)來也吸收顯著的光量。該有機(jī)染料(稍后將描述具體實(shí)例)被溶解在溶劑中并且被稀釋，并因此能通過旋涂方法容易地施加到該透明樹脂基片的表面。在此情況中，控制該溶劑的稀釋比率及在 旋涂過程中的轉(zhuǎn)數(shù)，使得能夠高精度地操控該膜厚度。此外，在信息記錄之前當(dāng)把記錄激光束聚焦在軌道上或在軌道上執(zhí)行跟蹤時(shí)，光 反射率是低值。隨后，由激光束引發(fā)染料的分解和反應(yīng)，并且由于染料的光吸收率的降低， 記錄標(biāo)記部分中的光反射率增加。因此，實(shí)現(xiàn)了所謂的低至高(即L至H)特性，其中在通過 施加激光束形成的記錄標(biāo)記部分中的光反射率變得高于在施加該激光束之前的光反射率。在這一實(shí)施例中，應(yīng)用到存在于透明樹脂基片101及光聚合物(2P樹脂)104上 的LO層和Ll層的物理格式被描述如下。即，可記錄單側(cè)雙層盤的常規(guī)參數(shù)與單層盤的常 規(guī)參數(shù)大致相同，但有下列幾點(diǎn)差異。用戶可得到的記錄容量是30GB，層0 (L0層)中的數(shù) 據(jù)區(qū)的內(nèi)半徑是24. 6mm，層1 (Li層)中的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)半徑是24. 7mm,而數(shù)據(jù)區(qū)的外半徑是 58. Imm (層 0 和層 1 都是 58. Imm)。在圖1(a)的光盤100中，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SLA包括如圖1(c)所示的控制數(shù)據(jù)部分，并 且此控制數(shù)據(jù)部分包括分別用于LO和Ll的涉及作為物理格式信息等一部分的記錄功率 (峰值功率)、偏置功率等的參數(shù)。而且，利用包括預(yù)定記錄功率(峰值功率)和偏置功率的激光器在光盤100的數(shù) 據(jù)區(qū)DA之內(nèi)的一個(gè)軌道中執(zhí)行標(biāo)記/空白的記錄，如圖1(d)所示。由于這種標(biāo)記/空白 的記錄，針對(duì)例如高清晰度電視廣播節(jié)目的對(duì)象數(shù)據(jù)(V0B等)及其管理信息(VMG)被記錄 在數(shù)據(jù)區(qū)DA之內(nèi)的(L0和/或Li)的軌道上，如圖1(e)所示。可被用于這一實(shí)施例的有機(jī)染料包括例如青藍(lán)染料、苯乙烯基染料、偶氮染料等。 尤其優(yōu)選青藍(lán)染料和苯乙烯基染料，因?yàn)樗鼈兿鄬?duì)于記錄波長(zhǎng)的吸收率容易控制。而且，該 偶氮染料能以單一偶氮化合物的形式、或以偶氮化合物和金屬的一個(gè)或多個(gè)分子的合成物 的形式使用?？杀挥糜谶@一實(shí)施例的偶氮金屬合成物使用鈷、鎳或銅作為其中心金屬M(fèi),以便具 有較高的耐光性。然而，能被使用的該偶氮金屬合成物的該中心金屬M(fèi)不局限于這些金屬， 而是可用鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、銠、銥、鈀、白金、銀、 金、鋅、鎘、水銀，等。該偶氮化合物具有一個(gè)芳香環(huán)，不僅該芳香環(huán)的結(jié)構(gòu)而且具有各種替代物的芳香 環(huán)的制備物將實(shí)現(xiàn)記錄特性、保存特征、重放特征等的優(yōu)化。體積大的替代物趨于具有在重 放光阻中的改進(jìn)，但也趨于具有記錄的低靈敏度，使得在這兩個(gè)特征方面的都滿意的替代 物的選擇成為首要。而且，這種替代物被與對(duì)于一種溶劑的可溶性一起考慮。與傳統(tǒng)的基于染料的信息記錄介質(zhì)(其記錄激光波長(zhǎng)比620nm長(zhǎng))的記錄機(jī)制不 同，與本申請(qǐng)相關(guān)的短波長(zhǎng)激光記錄(其記錄波長(zhǎng)是例如405nm)的記錄機(jī)制不是基于基片 和染料膜量中的物理變化。在重放過程中，由于施加的激光弱于在對(duì)該染料進(jìn)行記錄過程 中施加的激光，記錄層中的染料分子的取向或染料分子的構(gòu)造由熱或光所逐漸改變，但這 種染料分子中的大體積替代物的存在被認(rèn)為具有防止容易引起這種改變的效果。這就是大 體積替代物對(duì)重放光阻的提高有貢獻(xiàn)的原因。據(jù)此要點(diǎn)的大體積替代物意味著一種替代物由替代染料分子中的芳香環(huán)的三個(gè) 或更多的碳組成，并且包括n_丙烷基、異丙基、η 丁基、1-甲基丙烷基、2-甲基丙烷基、 η-戊烷基、1-乙基丙烷基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，1-二甲基丙烷基、1，2_ 二甲基丙烷基、2，2_ 二甲基丙烷基、環(huán)戊基、η-己基、1-甲基戊烷基、2甲基戊烷基、3-甲 基戊烷基、4-甲基戊烷基、1，1-二甲基丁基、1，2-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2，2-二甲 基丁基、2，3-二甲基丁基、3，3-二甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、環(huán)己基、苯基，等。其 中，替代物可以包括原子而不是碳、例如氧、硫、氮、硅、氟、溴、氯、以及碘。在圖1(b)的構(gòu)形示例中，激光束進(jìn)入的區(qū)域AX中的每一層的厚度例如是如圖1 所示的那樣。即，在此示例中的銀或銀合金的LO反光層106的厚度是在15nm至35nm的 一個(gè)范圍之內(nèi)選擇，而銀或銀合金的Ll反光層108的厚度是在60nm至150nm的一個(gè)范圍 之內(nèi)選擇(即Ll反光層的厚度> LO反光層的厚度)。而且，中間層104的厚度被選擇在 25士 10 μ m的范圍內(nèi)，并且控制該粘合層103以使其變化的范圍可以是2 μ m或更小。圖2是示意圖，示出用于記錄層的有機(jī)材料的金屬合成部分的具體實(shí)例。圍繞示 出的該偶氮金屬合成物的中心金屬M(fèi)的圓形周邊區(qū)域是一個(gè)染色區(qū)8。當(dāng)激光束穿過染色 區(qū)8時(shí)，此染色區(qū)8中的局部電子與激光束的電場(chǎng)變化諧振，并吸收激光束的能量。當(dāng)局部 電子諧振最大并容易吸收該能量的電場(chǎng)變化的頻率被轉(zhuǎn)換成激光束的波長(zhǎng)時(shí)，由最大吸收 波長(zhǎng)λ _指示一個(gè)結(jié)果值。如附圖所示的該染色區(qū)8 (諧振范圍)的較長(zhǎng)的長(zhǎng)度把最大吸 收波長(zhǎng)λ max移位至較長(zhǎng)的波長(zhǎng)側(cè)。而且，中心金屬M(fèi)的原子的替換將改變圍繞該中心金屬 M的局部電子的定位范圍(有多少中心金屬M(fèi)能將局部電子吸引至該中心的附近)，并且該 最大吸收波長(zhǎng)的值將改變。例如，如果作出選擇以使λ_大約是405nm，則能夠獲得 對(duì)405nm的波長(zhǎng)靈敏(光吸收)的有機(jī)材料。作為用于具有對(duì)405nm波長(zhǎng)光吸收的記錄層(例如LO或Li)的染色材料，能夠使 一種有機(jī)染色材料，其通用結(jié)構(gòu)式在圖2中示出，并且具有將有機(jī)金屬合成物部分與未示 出染色材料部分組合的結(jié)構(gòu)。作為有機(jī)金屬合成物的中心金屬M(fèi)，能夠使用鈷或鎳(或鈧、 釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、銠、銥、鈀、白金、銅、銀、金、鋅、鎘、 水銀，等)。而且，雖然圖中沒示出，但能將青藍(lán)染料、苯乙烯基染料、單甲川花青染料用作染 色材料部分。在此來描述當(dāng)前DVD-R中理解的記錄原理。在當(dāng)前DVD-R盤中，當(dāng)激光束加到記 錄膜時(shí)，記錄層局部地吸收體激光束的能量并有高溫。超出特定溫度，則透光基片將局部變 形。雖然引起透光基片變形的機(jī)理因DVD-R盤的產(chǎn)品的不同而不同，但其原因可列舉為(1)由于蒸發(fā)記錄層的能量引起的透光基片的局部塑性變形，和/或(2)由于從記錄層到透光基片的熱傳播引起的透光基片的局部塑性變形。透光基 片中產(chǎn)生的局部塑性變形改變了經(jīng)過該透光基片后、受反光層的反射而返回并再次穿過該 透光基片的激光束的光程。在兩個(gè)激光束之間產(chǎn)生了相位差，一個(gè)激光束是來自記錄標(biāo)記 之內(nèi)的在穿過該透光基片的局部塑性變形部分之后而返回的激光束，另一激光束是來自圍 繞該記錄標(biāo)記部分的在穿過該透光基片的非變形部分之后而返回的激光束。因此，由于這 些激光束之間的干涉而引起反射光量的改變。而且，尤其在產(chǎn)生(1)的上述機(jī)理時(shí)，由蒸發(fā) (汽化)的原因引起的該記錄層的記錄標(biāo)記內(nèi)的凹陷所造成的折射率H32的實(shí)際變化、或由 該記錄標(biāo)記之內(nèi)的該有機(jī)染料記錄材料的熱分解引起的折射率H32的變化也貢獻(xiàn)了相位差 的產(chǎn)生。在當(dāng)前DVD-R盤中，直到該透光基片局部變形為止，該記錄層必須處在高溫(在上 述機(jī)理(1)中的記錄層的蒸發(fā)溫度、或機(jī)理(2)中的透光基片塑性變形所需的記錄層中的 溫度)，并且該記錄層也必需處于高溫，以便熱分解或蒸發(fā)(汽化)記錄層的一部分。因此，
7需要高的激光束功率來形成記錄標(biāo)記。作為形成該記錄標(biāo)記的第一個(gè)階段，記錄層必須能夠吸收激光束的能量。記錄層 中的光吸收頻譜大為影響該有機(jī)染料記錄膜的記錄靈敏度。圖2示出上述信息存儲(chǔ)介質(zhì)的組分的具體內(nèi)容"偶氮金屬合成物+Cu"的具體結(jié) 構(gòu)式。圍繞圖2示出的該偶氮金屬合成物的中心金屬M(fèi)的圓形周邊區(qū)域是染色區(qū)8。當(dāng)激 光束穿過這一染色區(qū)8時(shí)，此染色區(qū)8中的局部電子與激光束的電場(chǎng)變化諧振，并吸收激光 束的能量。當(dāng)局部電子諧振最大并容易吸收該能量的電場(chǎng)變化的頻率被轉(zhuǎn)換成激光束的波 長(zhǎng)時(shí)，一個(gè)結(jié)果值被稱為最大吸收波長(zhǎng)，并由表示。如圖2所示的該染色區(qū)8 (諧振范 圍)的較長(zhǎng)的長(zhǎng)度把最大吸收波長(zhǎng)λ _移位至較長(zhǎng)的波長(zhǎng)側(cè)。而且，圖2中的中心金屬M(fèi) 的原子的替換將改變圍繞該中心金屬M(fèi)的局部電子的定位范圍(有多少中心金屬M(fèi)能將局 部電子吸引至該中心的附近)，并且該最大吸收波長(zhǎng)的值將改變。制造使用圖3中的化學(xué)式表示染料的光盤100，并執(zhí)行隨機(jī)數(shù)據(jù)的信息記錄。當(dāng) 測(cè)量LO層的出錯(cuò)率SbER時(shí)，能夠獲得值5. 4e-6,該值是遠(yuǎn)低于5. Oe-5的目標(biāo)值的滿意值 (高于一個(gè)實(shí)用水平)。而且，當(dāng)記錄以IlT標(biāo)記和IlT空白的重復(fù)圖案并隨后重放時(shí)，幾 乎沒有觀測(cè)到波形失真，并且屬于是一個(gè)空白電平(當(dāng)重放該IlT空白時(shí))的在IllL的最 大值和最小值之間的差值([IIlLmax-IIlLmin]/11 lmin)是2%。其中，IlT標(biāo)記該長(zhǎng)度是 1. 12 μ m，而1. 2*Na/ λ是0. 74 μ m，實(shí)現(xiàn)一個(gè)充分長(zhǎng)的標(biāo)記。雖然就這種染料分析了在記錄 的之前和之后的IR、MS和NMR，但沒有發(fā)現(xiàn)不同。 通用參數(shù)》圖4示出了可記錄單側(cè)雙層盤與可記錄單側(cè)單層盤的常規(guī)參數(shù)的比較。可記錄單 側(cè)雙層盤的常規(guī)參數(shù)與單層盤的通用參數(shù)大約相同，但有下列點(diǎn)的不同。在該可記錄單側(cè) 雙層盤中，用戶可用的記錄容量是30GB，層0中的數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)半徑是24. 6mm，層1中的數(shù)據(jù) 區(qū)的內(nèi)半徑是24. 7mm,并且LO和Ll數(shù)據(jù)區(qū)的外半徑都是58. 1mm。圖5是說明使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤的一種記錄方法的示例流程圖。從未示 出的盤驅(qū)動(dòng)器的光拾取器把具有例如405nm波長(zhǎng)的已調(diào)制激光加到盤100的記錄目標(biāo)層 (L0或Li)，從而記錄對(duì)象數(shù)據(jù)(在DVD或HD_DVD中記錄VOB等)(ST 100)。結(jié)束這一記 錄(ST 102Y)之后，關(guān)于該記錄對(duì)象數(shù)據(jù)(DVD或HD_DVD中的VMG等)的管理信息被寫入 盤100 (ST 104)，以便完成一個(gè)記錄。圖6是說明使用根據(jù)一個(gè)施例的光盤的一種重放方法的流程圖。通過例如405nm 波長(zhǎng)的激光從其中以圖5的方法記錄了對(duì)象數(shù)據(jù)和管理信息的盤100中讀出管理信息(ST 200)。讀出的管理信息被暫存在未示出的重放裝置的工作存儲(chǔ)器中。參考關(guān)于在所存儲(chǔ)管 理信息中的重放過程的信息，這一重放裝置重放該記錄的對(duì)象數(shù)據(jù)等(ST 202)。當(dāng)用戶指 令終止該重放時(shí)、或當(dāng)該重放達(dá)到在該管理信息之內(nèi)的重放過程信息指示該重放結(jié)束的一 個(gè)點(diǎn)時(shí)，這一重放終止(ST 204Y)。圖7是說明圖1光盤100的物理扇區(qū)的布局的一個(gè)實(shí)例示意圖。如圖7所示，提 供在這兩個(gè)層上的信息區(qū)包括7個(gè)區(qū)系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)、連接區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)出 區(qū)、系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和中間區(qū)。中間區(qū)被提供在每一層中，使得重放光束能從層O(LO)移動(dòng)到層 1 (Li)。數(shù)據(jù)區(qū)DA記錄主數(shù)據(jù)(圖1 (e)的實(shí)例中的管理信息VMG、對(duì)象數(shù)據(jù)VOB等)。系 統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SLA包括控制數(shù)據(jù)、基準(zhǔn)碼等。數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)實(shí)現(xiàn)平滑的順序讀出。
導(dǎo)出區(qū)》系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)包括含有凸紋凹坑的軌道。層O(LO)中的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、 數(shù)據(jù)區(qū)和中間區(qū)，以及層I(Ll)中的中間區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)含有溝槽軌道。溝槽軌道 從層0中的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)的開始位置連續(xù)到中間區(qū)的結(jié)束位置，并且從層1中的中間區(qū)的開 始位置連續(xù)到數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的結(jié)束位置。此外，如果制備一對(duì)單側(cè)雙層盤基片并結(jié)合在一起， 則產(chǎn)生一個(gè)具有兩個(gè)讀出表面的雙側(cè)四層盤。圖8是說明圖1光盤的導(dǎo)入?yún)^(qū)的構(gòu)形的一種實(shí)例示意圖。如圖8所示，層O(LO) 的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SLA從外圓周側(cè)開始依次包括初始區(qū)、緩沖區(qū)、控制數(shù)據(jù)區(qū)和緩沖區(qū)。層0中 的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)從內(nèi)圓周側(cè)開始按順序包括空白帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空 白帶、記錄管理數(shù)據(jù)(RMD)復(fù)制帶、L-RMZ (記錄位置管理數(shù)據(jù))、R-物理格式信息帶和基準(zhǔn) 碼帶。層O(LO)的數(shù)據(jù)區(qū)的開始地址(內(nèi)圓周側(cè))以一個(gè)余隙不同于層1的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束 地址(內(nèi)圓周側(cè))，并且該層I(Ll)的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束地址(內(nèi)圓周側(cè))比層0的數(shù)據(jù)區(qū)的開 始地址(內(nèi)圓周側(cè))更靠近該外圓周。 導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)構(gòu)》圖8示出層O(LO)的導(dǎo)入?yún)^(qū)的結(jié)構(gòu)。在該系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中，從內(nèi)圓周側(cè)按順序排列 了初始帶、緩沖帶、控制數(shù)據(jù)帶和緩沖帶。在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)中，從內(nèi)圓周側(cè)按順序排列了空白 帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白帶、保護(hù)軌道帶、驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶、盤測(cè)試帶、空白 帶、RMD復(fù)制帶、在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)之內(nèi)的記錄位置管理(記錄管理)帶(L-RMZ)、R-物理格式 信息帶和基準(zhǔn)碼帶。 系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)的細(xì)節(jié)》初始帶包括一個(gè)凸紋數(shù)據(jù)段。在記錄為初始帶的數(shù)據(jù)段的一個(gè)數(shù)據(jù)幀中的主數(shù)據(jù) 被設(shè)置在"OOh"。32個(gè)數(shù)據(jù)段的1024個(gè)物理扇區(qū)構(gòu)成緩沖帶。在記錄為這一帶的數(shù)據(jù) 段的一個(gè)數(shù)據(jù)幀中的主數(shù)據(jù)被設(shè)置在"OOh"?？刂茢?shù)據(jù)帶包括一個(gè)凸紋數(shù)據(jù)段。該數(shù)據(jù) 段包括凸紋控制數(shù)據(jù)?？刂茢?shù)據(jù)包括以PSN 123904(01 E400h)產(chǎn)生的192個(gè)數(shù)據(jù)段。圖9示出控制數(shù)據(jù)帶的構(gòu)形實(shí)例。而且，圖10示出在控制數(shù)據(jù)部分中的數(shù)據(jù)段的 構(gòu)形實(shí)例?？刂茢?shù)據(jù)部分的第一數(shù)據(jù)段的內(nèi)容被重復(fù)十六次。每一個(gè)數(shù)據(jù)段中的第一物理 扇區(qū)包括物理格式信息。每一個(gè)數(shù)據(jù)段中的第二物理扇區(qū)包括盤制造信息。每一個(gè)數(shù)據(jù)段 中的第三物理扇區(qū)包括版權(quán)保護(hù)信息。數(shù)據(jù)段中的其它物理扇區(qū)的內(nèi)容用作系統(tǒng)使用的保 留區(qū)。圖11是說明控制數(shù)據(jù)部分中的物理格式信息實(shí)例的示意圖。圖12是說明物理格 式信息中的數(shù)據(jù)區(qū)分配實(shí)例的示意圖。寫入在物理格式信息的字節(jié)位置(BP)中的內(nèi)容如 下讀出功率的值、記錄速度、數(shù)據(jù)區(qū)的反射率、推挽信號(hào)，并且從BP132至BP154示出的軌 道上信號(hào)是說明性的。用于這些內(nèi)容的實(shí)際值可由盤的生產(chǎn)商從滿足針對(duì)凸紋信息的規(guī)則 和針對(duì)在記錄之后的用戶數(shù)據(jù)的特性的規(guī)則的那些值中選擇。寫入BP4至BP15中的數(shù)據(jù) 區(qū)分配的內(nèi)容例如象圖12所示的那樣。圖11的BP149和BP152規(guī)定了層0和層1中的數(shù)據(jù)區(qū)的反射率。例如，00001010b
表示5%。實(shí)際反射率由下列等式規(guī)定實(shí)際反射率=值X (1/2)。BP150和BP153規(guī)定了層0和層1的推挽信號(hào)。在這些BP的每一個(gè)中，未示出的位b 7規(guī)定在每一層中的盤的軌道形狀，而未示出的位b6至b0規(guī)定推挽信號(hào)的幅度軌道形狀0b (溝槽上的軌道)Ib (槽岸上的軌道)推挽信號(hào)例如，0101000b表示0. 40。由下列等式規(guī)定該推挽信號(hào)的實(shí)際幅度推挽信號(hào)的實(shí)際幅度=值X (1/100)。BP151和BP154規(guī)定了層0和層1中的軌道上信號(hào)的幅度軌道上信號(hào)例如，0100 OllOb表示0. 70。由下列等式規(guī)定該軌道上信號(hào)的實(shí)際幅度軌道上信號(hào)的實(shí)際幅度=值X (1/100)。此外，如圖13示出的LO層的記錄關(guān)聯(lián)的參數(shù)能被寫入物理格式信息的BP512至 BP543，并且能夠從圖13的描述中提取關(guān)于在LO層的記錄中的初始峰值功率、偏置功率等 的信息。而且，如圖14示出的Ll層的記錄關(guān)聯(lián)的參數(shù)能被寫入物理格式信息的BP544至 BP2047,并且能夠從圖14的描述中提取關(guān)于在Ll層的記錄中的初始峰值功率、偏置功率等 的信息?！び涗洍l件的說明(關(guān)于寫入策略的信息)使用圖15來描述當(dāng)檢驗(yàn)最佳記錄功率(在記錄過程中的曝光條件)時(shí)使用的記 錄波形。在記錄過程中的曝光電平包括四個(gè)記錄功率(峰值功率)、偏置功率1、偏置功率 2、偏置功率3。在形成一個(gè)長(zhǎng)的記錄標(biāo)記9 (4T或更多)中，在記錄功率(峰值功率)和偏 置功率3之間執(zhí)行多脈沖形式的調(diào)制。在本實(shí)施例中，在"H格式"和"B格式"中的針 對(duì)信道位長(zhǎng)度T的最小標(biāo)記長(zhǎng)度都是2T。當(dāng)記錄2T的最小標(biāo)記時(shí)，在偏置功率1之后使用 記錄功率(峰值功率)電平的一個(gè)光脈沖，并且在該光脈沖之后立即出現(xiàn)偏置功率2—次， 如圖15所示。當(dāng)記錄具有3T長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記9時(shí)，執(zhí)行針對(duì)兩個(gè)光脈沖的曝光，這兩個(gè)光 脈沖包括跟在該偏置功率1之后的記錄功率(峰值功率)電平的第一脈沖和一個(gè)光脈沖， 然后該偏置功率2出現(xiàn)一次。當(dāng)記錄具有4T或更多的長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記9時(shí)，執(zhí)行多個(gè)光脈 沖及該單個(gè)光脈沖的曝光，并且偏置功率2出現(xiàn)。圖15中的垂直虛線表示通道時(shí)鐘周期(T)。當(dāng)記錄2T的最小標(biāo)記時(shí)，在距一時(shí)鐘 邊沿延遲Tsfp的一個(gè)位置該脈沖上升，并在距一時(shí)鐘之后的邊沿Teuj后的定位該脈沖下降。 緊接隨后的出現(xiàn)偏置功率2的一個(gè)期間被定義為T『在H格式的情況下，TSFP、TEU>和IYc的 值被記錄在控制數(shù)據(jù)帶CDZ之內(nèi)的物理格式信息PFI中。在形成3T或更多的長(zhǎng)記錄標(biāo)記9的情況下，該脈沖在距時(shí)鐘邊沿延遲Tsfp的一個(gè) 位置上升，并且以最后脈沖結(jié)束。在緊接該最后脈沖之后的Tm期間出現(xiàn)偏置功率2，并且 從與該最后脈沖的上升/下降的定時(shí)相對(duì)應(yīng)的該時(shí)鐘邊沿開始的延遲時(shí)間被定義為Tap和 Telpo而且，從與頭脈沖的下降的定時(shí)相對(duì)應(yīng)的該時(shí)鐘邊沿開始測(cè)量的時(shí)間被定義為Tefp，并 且一個(gè)多脈沖的間隔被定義為TMP。在Iap和Tsfp之間的間隔、Tmp間隔、在Iap和Tsuj之間的間隔、以及IYc間隔的每一 個(gè)都由相對(duì)于最大值而言的半值寬度來定義。而且，在本實(shí)施例中的上述參數(shù)的設(shè)置范圍 是0. 25T ≤ Tsfp ≤ 1. 50T (公式 01)
0. OOT 彡 Telp 彡 1. OOT (公式 02)1. OOT 彡 TEFP 彡 1. 75T (公式 03)-0. IOT ( Tslp ( 1. OOT (公式 04)0. OOT 彡 Tlc 彡 1. OOT (公式 05)1. 50T ^ Tmp ^ 0. 75T (公式 06)。而且，在本實(shí)施例中的上述參數(shù)的值能夠根據(jù)標(biāo)記長(zhǎng)度和超前/拖后空間長(zhǎng)度而 改變。當(dāng)檢驗(yàn)根據(jù)本實(shí)施例的記錄原理執(zhí)行記錄的可記錄信息記錄介質(zhì)的最佳記錄功 率時(shí)，參數(shù)的值包括偏置功率1、偏置功率2、及偏置功率3分別是2. 6mW、l. 7mW、和1. 7mff, 并且重放功率是0. 4mW。根據(jù)如上所述計(jì)算的參數(shù)值，能夠確定"針對(duì)在已對(duì)在其驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶中的存儲(chǔ)介 質(zhì)執(zhí)行了測(cè)試寫入的一個(gè)裝置(驅(qū)動(dòng)器)中的存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄條件(關(guān)于寫入策略的信 息)最優(yōu)值"。而且，除了上述數(shù)據(jù)之外，具有1IT標(biāo)記和1IT空白的重復(fù)模式已被用作針對(duì)該記 錄信號(hào)的數(shù)據(jù)。參考圖7至圖15來描述與上述實(shí)施例使用的透明樹脂基片101和光聚合 物104上的記錄層(L0和Li)有關(guān)的物理格式。圖16是一個(gè)示意圖，說明在根據(jù)實(shí)施例的可記錄單側(cè)多層(雙層)光盤的Ll層 上的燒錄區(qū)(BCA)的格式。其中，LO層提供在激光接收側(cè)的基片101上，Ll層被相對(duì)該LO 層提供，并且基片102放置在Ll層上，從而形成具有1. 2mm的基片厚度的層壓雙層盤100。 在盤100的內(nèi)圓周側(cè)的Ll層上提供燒錄區(qū)(BCA)，該BCA中以條碼形圖案(標(biāo)記)記錄了 該盤的獨(dú)有信息。對(duì)于該盤屬于是獨(dú)有的信息最好在盤的制造之時(shí)事先記錄在各個(gè)光盤上。此刻 記錄的該光盤的獨(dú)有信息是在例如分別的盤為了防復(fù)制而必須被識(shí)別時(shí)使用。在例如CD、 DVD、BD、&HD_DVD的光盤中，這種對(duì)于盤是獨(dú)有的信息(BCA記錄等)被事先刻記為該盤的 內(nèi)圓周部分中的稱為BCA的條碼狀圖案。在此時(shí)，在僅重放雙層光盤的情況下，這種信息通 常記錄在處于從記錄/重放光的進(jìn)入表面看的一個(gè)遠(yuǎn)側(cè)的層中。近來，響應(yīng)對(duì)更高容量光盤的渴望，已經(jīng)開發(fā)出記錄型光盤而不是僅重放的單側(cè) 雙層光盤。為了兼容僅重放盤，優(yōu)選的是在該記錄型雙層光盤中還把BCA信號(hào)記錄在處于 從記錄/重放光的進(jìn)入表面看的遠(yuǎn)側(cè)的層中。但是，存在一些與此相關(guān)的問題。下面將描 述記錄該BCA的方法，并且將提及在雙層盤情況下的一些問題。在盤中提供BCA的一種方法是把BCA的圖案刻記成印記用作在該光盤被鑄模時(shí)的 一個(gè)模子。但是，該BCA圖案必須通過例如激光束來刻記在產(chǎn)生的盤中，以便在每個(gè)盤上記 錄單專用獨(dú)有信息。通常，當(dāng)在僅重放盤上記錄該BCA時(shí)，通過以激光燒去反射膜(鋁、銀、 或其合金)產(chǎn)生該圖案。而且，當(dāng)在相變記錄盤上記錄BCA時(shí)，通過用激光引起記錄膜中的 相變來改變其反射率的方式產(chǎn)生該圖案。另一方面，在使用有機(jī)染色材料的可記錄光盤的情況下，該染料對(duì)波長(zhǎng)的靈敏度 顯著地高，使得即使現(xiàn)行的使用具有長(zhǎng)波長(zhǎng)(例如650nm、680nm或780nm)的BCA記錄設(shè)備 被用于使用適于短波長(zhǎng)(例如405nm)染料的下一代光盤(例如BD或HD_DVD)，也不能滿意 地記錄BCA圖案。在此情況中，能夠強(qiáng)化該BCA記錄設(shè)備的激光功率，或能夠改變?cè)揃CA記
11錄設(shè)備的激光波長(zhǎng)來對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)記錄波長(zhǎng)(例如405nm)。但是，由于該BCA上的信息是通 過近層(LO)記錄在遠(yuǎn)層(Li)中，所以該近層的染料也在與該BCA記錄設(shè)備的焦點(diǎn)深度是 非常大(或BCA記錄光是平行光)的事實(shí)相結(jié)合的該方法中起反應(yīng)。這將導(dǎo)致在BCA信號(hào) 的重放過程中的噪聲(層間串?dāng)_信號(hào))。因此在本實(shí)施例中選擇使用有機(jī)金屬來使得在記錄了 BCA的遠(yuǎn)層(Li)中的對(duì)波 長(zhǎng)B的記錄敏感性高于在沒有記錄BCA的近層(LO)中的對(duì)波長(zhǎng)B的記錄敏感性，其中A(nm) 是用于數(shù)據(jù)的記錄/重放的波長(zhǎng)，而B是BCA記錄設(shè)備的波長(zhǎng)。符合BCA記錄設(shè)備的波長(zhǎng) 的染料也被單獨(dú)使用在遠(yuǎn)層(Li)中(例如混合兩類不同靈敏度的染料，例如一種染料對(duì) 405nm靈敏而一種染料對(duì)650nm至780nm靈敏)，而用于實(shí)際數(shù)據(jù)(例如通過MPEG4AVC編 碼的高清晰度視頻數(shù)據(jù))的記錄的波長(zhǎng)被從用于該BCA信息的記錄的波長(zhǎng)中分離(A興B)， 使得該BCA信號(hào)能被有選擇地單獨(dú)記錄在該遠(yuǎn)層(Li)中。本實(shí)施例示出了具有120mm直徑和1. 2mm厚度(兩個(gè)0. 6mm的聚碳酸酯模制基 片結(jié)合在一起)的一個(gè)可記錄光盤，并且其具有使用有機(jī)染色材料的兩個(gè)記錄層。適用于 405nm波長(zhǎng)(λ )和0. 65數(shù)值孔徑(NA)的光學(xué)系統(tǒng)被用于該記錄/重放的光。在數(shù)據(jù)記錄 區(qū)中的溝槽軌道間的間距是例如400nm，并且該BCA區(qū)的位置在例如22. 2mm至23. Imm的 半徑處。而且，該BCA圖案由條碼狀的圖案組成，該條碼狀的圖案具有例如幾十ym的寬度 (在切線方向上)以及大約幾百μ m的(徑向)長(zhǎng)度。另外，本實(shí)施例并不局限于上述的示意圖。例如，可以使用其表面帶有0. Imm的 覆蓋層的光盤、具有80mm直徑的光盤、高密度軌道間距圖案、具有更短波長(zhǎng)(例如λ是 400nm或更小)的激光、以及適用更高數(shù)值孔徑(例如0. 8至0. 9的NA)的光學(xué)系統(tǒng)(物 鏡)。以下是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于可記錄多層光盤的材料的具體實(shí)例用于模制基片 的聚碳酸酯；用于模制的壓模的鎳(Ni)；用于記錄層的由偶氮、二氮化合物的、青藍(lán)、酞花 青染料或苯乙烯基物質(zhì)或這些物質(zhì)的混合物制成的有機(jī)染色材料；用于反射膜的銀(Ag)、 鋁(Al)或金(Au)，或基于這些物質(zhì)的金屬化合物；以及用于粘合劑的丙烯酸的或環(huán)氧樹脂 紫外線固化樹脂。這些材料也不局限于上述說明。然而，隨后將參照關(guān)于作為可記錄光盤 之實(shí)例的可記錄單側(cè)雙層光盤的圖21來描述涉及具有多個(gè)記錄層的可記錄光盤以及制造 方法的實(shí)施例。此外，在上述實(shí)施例的實(shí)例中已經(jīng)描述了其中通過LO層在Ll層上形成BCA的情 況。但是，當(dāng)提供具有圖1所示尺度和結(jié)構(gòu)的反光層時(shí)，Ll層的材料被選擇來符合使用的激 光功率和波長(zhǎng)(能夠通過反復(fù)試驗(yàn)選擇)，使得能夠通過該啞基片102 (在上述實(shí)例中從相 對(duì)于表面的啞基片側(cè)的盤表面開始)施加用于BCA的激光，以便后切刻(post-cut)該BCA 信息。該Ll層的一部分由通過該 基片102施加的激光所變形或改變，其中能夠后切刻該 BCA信息(圖16中的BCA標(biāo)記或圖17A和17B中的BCA記錄)。圖17A和17B是說明記錄在圖16的BCA中的BCA記錄內(nèi)容的一個(gè)實(shí)例的示意圖。 如圖17A所示，在記錄中在相關(guān)的字節(jié)位置0至1寫入BCA記錄ID (表示HD_DVD規(guī)范類 型標(biāo)識(shí)符)、在相關(guān)的字節(jié)位置2寫入應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的版本號(hào)、在相關(guān)的字節(jié)位置3寫入數(shù)據(jù)長(zhǎng) 度、在相關(guān)的字節(jié)位置4寫入規(guī)范類型和寫入標(biāo)準(zhǔn)的盤類型、以及在相關(guān)的字節(jié)位置5寫入 擴(kuò)展部分版本，并且把相關(guān)的字節(jié)位置6至7保留用于寫入其它信息。
圖17B示出了用于規(guī)范類型和寫入標(biāo)準(zhǔn)的盤型的部分，利用該寫入標(biāo)準(zhǔn)該盤適用 于BCA記錄。即所示用于HD_DVD-R的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的信息能被寫入在該規(guī)范類型中，并且標(biāo)記 極性標(biāo)志和孿生格式標(biāo)志能被寫入該盤類型中。圖17B中的標(biāo)記極性標(biāo)志能夠表明在"Ob"期間該盤是一個(gè)〃低-高〃盤，其中 來自記錄標(biāo)記的信號(hào)大于來自空白(相鄰標(biāo)記之間)的信號(hào)，并且能夠表明在"lb"期間 該盤是一個(gè)"高-低"盤，其中來自記錄標(biāo)記的信號(hào)小于來自空白的信號(hào)。而且，該孿生格 式標(biāo)志能夠表明在"Ob"期間該盤不是孿生格式盤，并且能夠表明在"lb"期間那盤是 孿生格式盤。當(dāng)該盤是孿生格式盤時(shí)，該盤(其上記錄了 BCA記錄)具有兩個(gè)記錄層，并且 分別的層具有在DVD論壇中設(shè)置的不同格式(例如HD_DVD-視頻格式和HD_DVD_視頻記錄 格式)。在當(dāng)前DVD中沒有孿生格式，但下一代HD_DVD中可以有孿生格式盤，以便能夠在 BCA中寫入孿生格式標(biāo)志，這對(duì)于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可記錄多層(兩層)光盤(用于HD_DVD 的下一代盤)很重要。圖18是說明一個(gè)裝置的構(gòu)形實(shí)例的示意圖，該裝置用于把包括圖17A、17B中的 BCA記錄等的特定信息記錄在BCA中。針對(duì)盤100由BCA記錄設(shè)備以一個(gè)完成形成來執(zhí)行 該BCA信號(hào)的記錄(信號(hào)包括例如圖17A和17B中的BCA記錄的信息)。按照來自控制器 202的BCA信號(hào)調(diào)制激光210，并且與盤100的旋轉(zhuǎn)同步地記錄條碼狀BCA標(biāo)記。波長(zhǎng)范圍 從600nm至800nm的激光之一(一般是650nm至780nm或680nm至780nm)被采用作為BCA 記錄設(shè)備的激光波長(zhǎng)。在雙層光盤的情況下，BCA的記錄位置通常定位在Ll層的內(nèi)圓周部 分的大約22. 2mm至23. Imm的半徑處。在BCA記錄的情況下，在通過層LO把激光加到Ll層 的同時(shí)，把光吸收率(靈敏度)調(diào)整到在本實(shí)施例中的650nm至780nm (或680nm至780nm) 的波長(zhǎng)(Li層的靈敏度> LO層的靈敏度)。因此，在實(shí)際的情況中，能準(zhǔn)確地將BCA信號(hào)有 選擇地單獨(dú)記錄在Ll層中。因此，調(diào)整每一層染料的靈敏度(使用波長(zhǎng)中的光吸收率)，使得能在下一代光盤 中記錄該BCA信號(hào)而無需目前通常使用在DVD生產(chǎn)線中的BCA記錄設(shè)備的激光波長(zhǎng)和激光 功率的任何改變(根據(jù)情況來適當(dāng)?shù)卦黾蛹す夤β?。而且，由于能有選擇地在Ll層中單 獨(dú)記錄該BCA信號(hào)，所以在重放期間沒有來自LO層的附加串?dāng)_噪聲。S卩，在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)整每層(例如LO或Li)的染料靈敏度(例如，使用有機(jī) 金屬以使Ll層染料對(duì)600nm至800nm或650nm至780nm或680nm至780nm的靈敏度或光 吸收率高于LO層染料的靈敏度或光吸收率)。因此，能在下一代光盤(例如單側(cè)兩層HD_ DVD-R)中記錄該BCA信號(hào)而無需目前通常使用在DVD生產(chǎn)線中的BCA記錄設(shè)備的激光波長(zhǎng) 和激光功率的任何改變。因此，由于能有選擇地在Ll層中單獨(dú)記錄該BCA信息，所以在該 BCA信號(hào)的重放期間沒有來自LO層的附加串?dāng)_噪聲被混合。而且，當(dāng)用于BCA的激光通過啞基片102施加來后切刻BCA信息時(shí)，BCA信息也能 有選擇地被單獨(dú)記錄在Ll層中，使得在BCA信號(hào)的重放期間沒有來自LO層的附加串?dāng)_噪 聲被混合。圖19是一個(gè)流程圖，說明用于把特定信息記錄(BCA后切刻)在圖16的可記錄單 側(cè)多層(兩層)光盤的Ll層中的一個(gè)處理過程的實(shí)例。當(dāng)包括例如圖17A和17B中記錄 的BCA的特定信息的BCA信號(hào)被從圖18的控制器202提供到激光輸出控制器208時(shí)，具有600nm至800nm (650nm至780nm或680nm至780nm)波長(zhǎng)的激光束脈沖被與該信號(hào)內(nèi)容一致 地從激光二極管210發(fā)射(STlO)。如此發(fā)射的激光束脈沖通過圖16所示的盤100的LO層 (或通過啞基片102)而加到處在Ll層中的BCA記錄位置(ST12)。與盤100的旋轉(zhuǎn)同步地 繼續(xù)施加這一激光束脈沖。當(dāng)不再有剩余信息要被記錄在該BCA中時(shí)(ST14中的YES)，通 過該LO層在Ll層中的該BCA后切刻終止。圖20是一個(gè)流程圖，說明用于從圖16的可記錄單側(cè)多層(兩層)光盤的Ll層中 重放該特定信息(例如BCA記錄)的一個(gè)處理過程的實(shí)例。當(dāng)重放該BCA中記錄的信息 時(shí)，通過LO層把預(yù)定波長(zhǎng)(例如405nm或650nm)的激光束加到Ll層的BCA(ST20)。從反 射光讀出該光盤上的特定信息(例如圖17A和17B中記錄的BCA) (ST22)。該讀出與盤100 的旋轉(zhuǎn)同步地連續(xù)。當(dāng)不再有剩余信息要被從該BCA中讀出時(shí)(ST24中的YES)，通過該LO 層從Ll層中的該BCA重放終止。圖21是一個(gè)示意圖，說明制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可記錄單側(cè)雙層光盤的方法的 實(shí)例。將參照?qǐng)D21來描述這種可記錄雙層光盤的制造方法。首先，通過注塑成型制造用于 該LO層的模制板(框301)。鑄模材料通常是聚碳酸酯。用來進(jìn)行LO的鑄模的模子的壓模 是通過暴露于激光的光阻圖案的鎳鍍覆來制造的。模制板的尺度包括120mm的直徑、15mm 的內(nèi)徑和0. 6mm的厚度。通過一種已知的旋涂方法把用作記錄層的有機(jī)染色材料加到模 制板，并通過例如一種已知的濺射方法來形成作為反射膜的金屬膜(例如銀或銀合金)(框 302)。此外，LO層是使得該激光束傳輸?shù)陌胪该鲗?。與此并行的是，通過注塑成型類似地制造用作Ll層的模子的塑料壓模(框303)。 鑄模材料通常是環(huán)烯聚合物，但是可以是例如聚碳酸酯或丙烯酸。通過以暴露于激光的光 阻材料的鍍覆來類似地制造Ll層的Ni壓模，但構(gòu)形的凹陷和凸出與LO層的構(gòu)形相反。采用光聚合物把其中形成記錄層的LO層的模制板結(jié)合到塑料壓模，通過施加紫 外線將它們固化(框304)。隨后剝離塑料壓模而裸露其上轉(zhuǎn)移有Ll層圖案的光聚合物層 (框305)。隨后，通過旋涂方法把用作記錄層的有機(jī)染色材料加到光聚合物上，并通過例如 濺射方法來形成用作反射膜的金屬膜(例如銀或銀合金)(框306)。與此并行的是，通過注塑成型制造啞板(例如聚碳酸酯材料)(框307)，并通過一 種紫外固化粘合劑結(jié)合此 板，從而完成該可記錄雙層光盤(框308)。此外，雖然附圖中 沒示出，但啞板可以經(jīng)受表面敷層處理，供用戶使用例如噴墨打印機(jī)打印把例如盤生產(chǎn)商 (或銷售商)的商標(biāo)名稱的圖案、或產(chǎn)品名稱加到啞板上。該完成的可記錄多層(兩層)R-盤的每一層的尺寸如在圖1中所示。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例的過程中，包括在第二記錄部分(Li)中的反光層108材料及厚度 必須被正確地設(shè)置，以便嚴(yán)格地控制入射光的反射量。此反光層(銀或銀合金)108的厚度 優(yōu)選值通常是60nm至150nm。低于60nm，則反光層的光透射量增加而引起獲得充分的反射 光量的困難。隨后，例如推挽信號(hào)的伺服檢測(cè)信號(hào)的增益變得不足，這將引起穩(wěn)定的記錄/ 重放的困難。另一方面，超過150nm，則反射光量增加至過大的程度，層間串?dāng)_的影響變得不 能允許，導(dǎo)致記錄/重放信號(hào)的特征的嚴(yán)重劣變。下面將更具體地描述這一點(diǎn)。當(dāng)在第一記錄部分(LO)的記錄層105中執(zhí)行記錄 /重放時(shí)，穿過該第一記錄部分(LO)包括的反光層106的記錄/重放光的一部分被包括在 第二記錄部分(Li)中的反光層108所反映，并且返回到該第一記錄部分(LO)。此刻，在包括在該第二記錄部分(Li)中的反光層108的反射率是高值的情況中，在執(zhí)行該第一記錄部 分(LO)的記錄層105的記錄/重放時(shí)，將增加不必要的信號(hào)成分，這將成為第一記錄部分 (LO)的記錄/重放信號(hào)質(zhì)量的嚴(yán)重劣變的因素。而且，由于層間串?dāng)_受到第一記錄部分(LO)和第二記錄部分(Li)中的反射光量 的很大影響，所以必須被嚴(yán)格地控制記錄位置，以便總是執(zhí)行穩(wěn)定的記錄/重放(參見圖4 中的參數(shù)等)。另外，包括在第一記錄部分(LO)中的反光層(使用銀或銀合金的半透射反光層) 的厚度通用最好是15nm至35nm。低于15nm，則反光層的光透射量增加而引起難于獲得充 分的反射光量。隨后，例如推挽信號(hào)的伺服檢測(cè)信號(hào)的增益變得不足，這將造成穩(wěn)定的記錄 /重放的困難。同時(shí)，由于該第二記錄部分(L)中包括的反光層108反射的光引起的層間 串?dāng)_的影響將達(dá)到不能允許的程度，并且記錄/重放信號(hào)的特性嚴(yán)重劣變。另一方面，超過 35nm,則反射光將增加到過大的程度。隨后，例如推挽信號(hào)的伺服檢測(cè)信號(hào)的增益增加，使 得記錄/重放有可能，但由于光透射率的減小，該第二記錄部分(Li)的記錄層107中的記 錄/重放是困難的。[實(shí)例la]LO的反光層106的厚度是25nm，并且Ll的反光層108的厚度是IOOnm (Li的反光 層厚度> LO的反光層厚度)，在這種情況中能獲得最優(yōu)值反射量，并能降低層間串?dāng)_。同 時(shí)，能穩(wěn)定地執(zhí)行通過 基片102的BCA記錄，并能在此BCA記錄中獲得足夠的信號(hào)調(diào)制因數(shù)。[實(shí)例2a]LO的反光層106的厚度是20nm，并且Ll的反光層108的厚度是SOnm(Li的反光 層厚度> LO的反光層厚度)，在這種情況中能獲得最優(yōu)值反射量，并同樣能降低層間串?dāng)_。 同時(shí)，能穩(wěn)定地執(zhí)行通過 基片102的BCA記錄，并能在此BCA記錄中獲得足夠的信號(hào)調(diào)制 因數(shù)。[實(shí)例lb]當(dāng)Ll的反光層108的厚度是IOOnm時(shí)，能獲得最佳反射量，并能降低層間串?dāng)_。同 時(shí)，能穩(wěn)定地執(zhí)行通過 基片102的BCA記錄，并能獲得足夠的信號(hào)調(diào)制因數(shù)。[實(shí)例2b]象實(shí)例Ib那樣制造Ll的反光層108，并評(píng)估系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)(圖7示出的右側(cè)區(qū))中 的重放信號(hào)的質(zhì)量。結(jié)果是，確認(rèn)能獲得足夠的信號(hào)調(diào)制因數(shù)。[實(shí)例Ic]LO的反光層106的厚度是25nm，Ll的反光層108的厚度是lOOnm，而覆蓋該盤的 整個(gè)表面的中間層104的厚度是27 μ m士2 μ m(更具體的范圍是25士 10 μ m)，在此情況中 能獲得最優(yōu)值的反射量，并能降低層間串?dāng)_。同時(shí)，能穩(wěn)定地執(zhí)行通過 基片102的BCA記 錄，并能獲得足夠的信號(hào)調(diào)制因數(shù)。[實(shí)例2c]LO的反光層106的厚度是20nm，Ll的反光層108的厚度是80nm，而覆蓋該盤的 整個(gè)表面的中間層104的厚度是27μπι士2μπι，在此情況中能獲得最優(yōu)值的反射量，并能降 低層間串?dāng)_。同時(shí)，能穩(wěn)定地執(zhí)行通過 基片102的BCA記錄，并能獲得足夠的信號(hào)調(diào)制因數(shù)。[比較實(shí)例Ia(背景1 :L0的反光層106的厚度是15nm或大于15nm，并且是35nm 或小于35nm)]LO的反光層106的厚度增加到40nm，而Ll的反光層108的厚度是200nm，此情況 中，傳播到Ll的光量降低。因此，在Ll中進(jìn)行記錄之時(shí)的未記錄伺服信號(hào)的增益被顯著降 低，并且穩(wěn)定的記錄/重放是困難的。同時(shí)，通過啞基片進(jìn)行BCA記錄是困難的，并且BCA 記錄部分中的信號(hào)調(diào)制因數(shù)被降低，使得不能獲得足夠的信號(hào)質(zhì)量。[比較實(shí)例2a(背景2 =LO的反光層106的厚度是15nm或大于15nm，并且是35nm 或小于35nm)]LO的反光層106的厚度增加到40nm，而Ll的反光層108的厚度是lOOnm，此情況
中，傳播到Ll的光量再次降低。因此，在Ll中進(jìn)行記錄之時(shí)的未記錄伺服信號(hào)的增益被顯 著降低，并且穩(wěn)定的記錄/重放是困難的。[比較實(shí)例3a(背景3 =LO的反光層106的厚度是15nm或大于15nm，并且是35nm 或小于35nm)]LO的反光層106的厚度降低到13nm，而Ll的反光層108的厚度是lOOnm，此情況 中，傳播到Ll的光量增加，并且從該Ll的記錄層反射的光同時(shí)增加。結(jié)果是，在LO的記錄 層中的記錄/重放期間增加了不必要的信號(hào)成分，并且LO的特性劣變。[比較實(shí)例Ib(背景1 :L1的反光層108的厚度是60nm或大于60nm，并且是150nm 或小于150nm)]當(dāng)Ll的反光層108的厚度是大于150nm時(shí)，反光層108中的光的反射量增加，并 且增加層間串?dāng)_，使得LO的記錄層105中的信號(hào)質(zhì)量趨于嚴(yán)重降低。同時(shí)，通過啞基片102 的BCA記錄是困難的，并且在該BCA記錄部分中的信號(hào)調(diào)制因數(shù)降低，使得不能獲得針對(duì) BCA信息的充足的信號(hào)質(zhì)量(150nm被認(rèn)為是實(shí)際上限，而IOOnm或更小實(shí)際是優(yōu)選的)。[比較實(shí)例2b(背景2 :L1的反光層108的厚度是60nm或大于60nm，并且是150nm 或小于150nm)]當(dāng)Ll的反光層108的厚度降低到50nm時(shí)，Ll中的反射光量降低，使得未記錄的 伺服信號(hào)的增益被顯著降低，并且穩(wěn)定的記錄/重放是困難的。[比較的實(shí)例3b(背景L0的反光層106的厚度必須是15nm或更大)]當(dāng)LO的反光層106的厚度是13nm時(shí)，發(fā)射到Ll的光增加，使得從Ll的記錄層107 反射的光增加，在LO的記錄層105的記錄/重放期間的不必要的信號(hào)成分增加，導(dǎo)致該LO 的記錄/重放特性劣變。[比較實(shí)例Ic(背景1 中間層104的厚度是25 μ m士 IOym)]LO的反光層106的厚度是25nm，Ll的反光層108的厚度是lOOnm，并且覆蓋整個(gè) 盤面的中間層104的厚度是35 μ m士 2 μ m，此情況中，從盤100的激光接收表面到Ll的距離 增加，使得記錄/重放激光束的點(diǎn)狀變得不清晰，并且記錄/重放信號(hào)劣變，以致穩(wěn)定的記 錄/重放趨于困難(35 μ m被認(rèn)為是實(shí)際的上限)。[比較實(shí)例2c(背景2:中間層104的厚度是25 μ m士 IOym)]LO的反光層106的厚度是25nm，Ll的反光層108的厚度是lOOnm，并且覆蓋整個(gè) 盤面的中間層104的厚度是15 μ m士 2 μ m，此情況中，從盤100的激光接收表面到Ll的距離減小，使得記錄/重放激光束的點(diǎn)狀變得不清晰，并且記錄/重放信號(hào)劣變，以致穩(wěn)定的記 錄/重放趨于困難(15 μ m被認(rèn)為是實(shí)際的下限)。[比較的實(shí)例3c(背景即使在中間層104的厚度是25士 10 μ m時(shí)，LO的反光層 106的厚度也是15nm或更大)]LO的反光層106的厚度被降低到13nm，Ll的反光層108的厚度是lOOnm，而覆蓋 整個(gè)盤面的中間層104的厚度是25 μ m士2 μ m，此情況中，傳輸?shù)絃l的光增加。在同時(shí)，從 Ll的反光層108反射的光增加，在LO的記錄層105的記錄/重放期間不必要的信號(hào)成分增 加，導(dǎo)致LO的特性劣變。S卩，在如圖1所示的結(jié)構(gòu)實(shí)施例中，該LO的反光層106的厚度選 擇比中間層104的厚度選擇更關(guān)鍵。當(dāng)實(shí)施任何一個(gè)實(shí)施例來調(diào)整在具有兩個(gè)或多個(gè)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中的反 射膜材料和反射膜厚度時(shí)，在第一記錄層和第二記錄層之間的層間串?dāng)_被降低，并且能獲 得穩(wěn)定和高質(zhì)量的記錄特性。而且，能通過啞基片而穩(wěn)定地執(zhí)行在第二記錄層中的BCA記 錄，并能獲得足夠的BCA信號(hào)調(diào)制因數(shù)。此外，本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，而是能根據(jù)現(xiàn)時(shí)或未來執(zhí)行階段的可用技術(shù) 來實(shí)現(xiàn)不偏離本發(fā)明精神的各種改進(jìn)。例如，能針對(duì)具有三層或更多層的單側(cè)光盤以及甚 至針對(duì)使用400nm或更小波長(zhǎng)的短波長(zhǎng)激光來實(shí)踐這些實(shí)施例。而且，可實(shí)現(xiàn)的實(shí)施例的 適當(dāng)結(jié)合與其中能獲得的結(jié)合的效果的可能性同樣多。而且，上述實(shí)施例包括不同階段的 發(fā)明，并且多個(gè)公開的構(gòu)造要求的適當(dāng)組合將允許將被提取的不同發(fā)明。例如，即使當(dāng)示出 實(shí)施例的全部構(gòu)造要求的某些被免除時(shí)，其中構(gòu)造要求被免除的一個(gè)構(gòu)形將能被提取作為 一個(gè)發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和修改。因此，本發(fā)明在其更寬廣的 方面不被局限于具體細(xì)節(jié)和在此示出和描述的代表性的實(shí)施例。因此，在不背離如所附的 權(quán)利要求書和其等同物限定的總的發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍的條件下，可以實(shí)現(xiàn)各種修改。
1權(quán)利要求
一種盤形光學(xué)記錄介質(zhì)(100)，包括記錄層(L1)，配置來以預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息；在所述介質(zhì)(100)的內(nèi)圓周側(cè)處的記錄層(L1)上提供的燒錄區(qū)(BCA)，所述燒錄區(qū)(BCA)配置來記錄包括標(biāo)記極性標(biāo)志的特定信息，所述標(biāo)記極性標(biāo)志指示記錄層(L1)上的記錄標(biāo)記的極性，其中所述標(biāo)記極性標(biāo)志表明記錄標(biāo)記的極性是低 高還是高 低。
2.一種使用權(quán)利要求1的盤形光學(xué)記錄介質(zhì)的信息記錄方法，所述方法包括 在記錄層(Li)上記錄信息。
3.一種使用權(quán)利要求1的盤形光學(xué)記錄介質(zhì)的信息再現(xiàn)方法，所述方法包括 從記錄層(Li)中再現(xiàn)信息。
全文摘要
公開了一種光學(xué)記錄介質(zhì)、信息記錄方法、及信息再現(xiàn)方法，提供層間串?dāng)_低且能獲得穩(wěn)定且高質(zhì)量記錄特性的光學(xué)記錄介質(zhì)。為此目的，光學(xué)記錄介質(zhì)包括記錄層(L1)，配置來以預(yù)定波長(zhǎng)的光記錄或再現(xiàn)信息；在所述介質(zhì)(100)的內(nèi)圓周側(cè)處的記錄層(L1)上提供的燒錄區(qū)(BCA)，所述燒錄區(qū)(BCA)配置來記錄包括標(biāo)記極性標(biāo)志的特定信息，所述標(biāo)記極性標(biāo)志指示記錄層(L1)上的記錄標(biāo)記的極性，其中所述標(biāo)記極性標(biāo)志表明記錄標(biāo)記的極性是低-高還是高-低。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101908351SQ201010255599
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日
發(fā)明者中村直正, 大寺泰章, 安東秀夫, 梅澤和代, 森下直樹, 森田成二, 高澤孝次 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝