專利名稱：具有改善的讀取穩(wěn)定性的存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，并且具體地講，涉及在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)和 訪問(wèn)數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
希望減小存儲(chǔ)器的尺寸和功率消耗。然而，隨著形成存儲(chǔ)器的設(shè)備和其功率消耗 減小，其對(duì)于訛誤的穩(wěn)健性趨于下降。設(shè)計(jì)諸如SRAM之類的尺寸小且功耗低的穩(wěn)健半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器越來(lái)越具挑戰(zhàn)。隨著尺寸比例下降，由于隨機(jī)摻雜劑波動(dòng)、線邊緣粗糙度等導(dǎo)致的設(shè)備特性的變 化急劇增加。因此，在可以橫跨所有操作電壓范圍讀取(無(wú)讀取擾亂)和寫(xiě)入單元的前提 下設(shè)計(jì)具有這些較小尺寸的穩(wěn)健SRAM顯得十分困難。已提出了針對(duì)形成SRAM存儲(chǔ)器的位單元的幾種不同設(shè)計(jì)，以提高其穩(wěn)健性。圖1 中示出了傳統(tǒng)的SRAM存儲(chǔ)器單元。該傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)器單元具有六個(gè)晶體管，兩個(gè)旁通閘 閥(pass gate)晶體管NA和NB以及形成用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值的反饋回路的四個(gè)晶體管。位線 和互補(bǔ)位線向單元和從單元饋送數(shù)據(jù)，并且字線用于向該單元提供對(duì)位線的訪問(wèn)。為了能 向該位單元寫(xiě)入，輸入電壓必須足夠高，以如果要求時(shí)切換單元的狀態(tài)，而當(dāng)讀取時(shí)，該狀 態(tài)需要保持無(wú)訛誤。已提出了對(duì)于讀取和或?qū)懭氩僮鱽?lái)說(shuō)更穩(wěn)健的各種不同位單元。這些位單元趨向 于具有額外的晶體管，并且從而，已知7晶體管位單元和8晶體管位單元更穩(wěn)健，但其占用 更大的面積。五晶體管位單元在Nalam等人于2009年的定制集成電路大會(huì)上發(fā)表的 "Asymmetric Sizing in a 45nm 5T SRAM to Improve Read Stability over6T，，中有所描 述，并且在圖2中示出。該5T位單元具有不對(duì)稱尺寸，以提高讀取靜態(tài)噪聲容限。然而，因 為僅從一側(cè)輸入數(shù)據(jù)，所以與6T單元的情況相比，更難以在向單元寫(xiě)入時(shí)切換狀態(tài)。通過(guò) 使向反饋回路供電的VDDC崩潰和升高字線上的電壓來(lái)在寫(xiě)入期間加強(qiáng)訪問(wèn)晶體管，解決 了這個(gè)問(wèn)題。寫(xiě)入噪聲容限仍然次于六晶體管單元，并且在字線和VDDC兩者上電壓中都需 要較大電壓擺動(dòng)。因此，雖然該五晶體管單元可以潛在地節(jié)省面積，但不規(guī)則的結(jié)構(gòu)和對(duì)寫(xiě) 入輔助方法的需要削弱了這些面積效益。需要增加存儲(chǔ)器對(duì)讀取容限和寫(xiě)入容限的穩(wěn)健性，而不會(huì)不恰當(dāng)?shù)卦黾悠涿娣e。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面提供靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)，其包含至少一個(gè)數(shù)據(jù)線， 用于向該存儲(chǔ)器和從該存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)，和至少一個(gè)復(fù)位線；多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元 被布置用于連接到所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線和所述至少一個(gè)復(fù)位線，每個(gè)存儲(chǔ)單元包含不對(duì) 稱反饋回路，所述反饋回路包含用于在所述反饋回路存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的第一 訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)和用于在所述反饋回路存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ)版本的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)；訪問(wèn)設(shè)備，用于有選擇地提供所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線與所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的連 接；復(fù)位設(shè)備，用于有選擇地提供所述至少一個(gè)復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的連接； 所述存儲(chǔ)器還包含數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制電路，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求而產(chǎn)生控制信號(hào)以獨(dú)立控 制所述訪問(wèn)設(shè)備和所述復(fù)位設(shè)備提供所述連接；其中所述數(shù)據(jù)控制電路被配置以響應(yīng) 向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求和響應(yīng)從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求，產(chǎn) 生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)，以觸發(fā)所述訪問(wèn)設(shè)備提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線 之間的所述連接；以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生復(fù)位控 制信號(hào)，以觸發(fā)所述復(fù)位設(shè)備提供所述至少一個(gè)復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的所述連 接。本發(fā)明認(rèn)識(shí)到，不對(duì)稱反饋回路可以提供對(duì)讀取訛誤的增加的穩(wěn)健性，但其也可 能更難以寫(xiě)入。通過(guò)提供數(shù)據(jù)線和復(fù)位線，而不是提供傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)線和互補(bǔ)數(shù)據(jù)線，使該問(wèn) 題得到了解決。然后，提供獨(dú)立控制信號(hào)，這些獨(dú)立控制信號(hào)可以獨(dú)立地控制對(duì)反饋回路的 一側(cè)或另一側(cè)的訪問(wèn)。因此，通過(guò)將反饋回路的一側(cè)連接到數(shù)據(jù)線來(lái)執(zhí)行讀取，并且還以此 方式來(lái)執(zhí)行對(duì)可以存儲(chǔ)的值中的一個(gè)值的寫(xiě)入。然而，由于經(jīng)設(shè)計(jì)已具有讀取穩(wěn)定性的反 饋回路的不對(duì)稱性，使得難以向回路的該側(cè)寫(xiě)入另一互補(bǔ)值。通過(guò)將反饋回路的另一側(cè)連 接到復(fù)位線并且向回路的該側(cè)寫(xiě)入該值來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題?；芈返牟粚?duì)稱性允許寫(xiě)入該值， 并且最后結(jié)果是存儲(chǔ)了該互補(bǔ)值。因此，雖然在對(duì)獨(dú)立控制信號(hào)的需要中存在額外的開(kāi)銷， 但提供了讀取穩(wěn)健單元，而不需要任何其他的額外元件。在一些實(shí)施例中，所述不對(duì)稱反饋回路被配置，以使得其相對(duì)于響應(yīng)在所述第一 訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述互補(bǔ)預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)而言，更容易響應(yīng)在所述 第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)來(lái)切換狀態(tài)。為了使反饋回路在讀取期間保留其數(shù)據(jù)，將其設(shè)置為不對(duì)稱的，以使得從一側(cè)來(lái) 對(duì)其進(jìn)行讀取，該側(cè)訪問(wèn)第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且當(dāng)將信號(hào)輸入具有互補(bǔ)預(yù)定值的該側(cè)時(shí)，該不 對(duì)稱反饋回路抵抗切換。在一些實(shí)施例中，所述不對(duì)稱反饋回路被配置，以使得在所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收 到所述預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)足以切換所述存儲(chǔ)單元的狀態(tài)，并且在所述 第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述互補(bǔ)預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)將不會(huì)觸發(fā)狀態(tài)切換。對(duì)于響應(yīng)第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上的互補(bǔ)預(yù)定值而切換的抵抗可以使得從不通過(guò)在第一 訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到該信號(hào)而觸發(fā)狀態(tài)切換。通過(guò)提供經(jīng)由復(fù)位設(shè)備來(lái)訪問(wèn)的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)解 決了不能向第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)寫(xiě)入互補(bǔ)預(yù)定值的問(wèn)題，并且這使得通過(guò)經(jīng)由該節(jié)點(diǎn)輸入預(yù)定值 能夠在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)該互補(bǔ)預(yù)定值。在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器被配置以在兩步驟程序中向所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中選 定的一個(gè)存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)值，以使得響應(yīng)向所述選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述預(yù)定值的請(qǐng)求， 所述存儲(chǔ)器被配置以在第一步驟期間，向所述復(fù)位線提供所述互補(bǔ)預(yù)定值，并且通過(guò)控制 所述選定存儲(chǔ)單元的所述復(fù)位設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的 所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)；以及在第二步驟期間，向所述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所 述選定存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述數(shù)據(jù)線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所 述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且從而使所述選定存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值；以及響應(yīng)寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以在所述第一步驟期間，向所述復(fù)位線提供所述預(yù)定 值，并且通過(guò)控制所述復(fù)位設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，從而 使所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值；以及在所述第二步驟期間，向所述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定 值，并且通過(guò)控制所述訪問(wèn)設(shè)備來(lái)將所述數(shù)據(jù)線連接到所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)。反饋回路的不對(duì)稱性和單獨(dú)的控制信號(hào)允許獨(dú)立控制訪問(wèn)設(shè)備和復(fù)位設(shè)備，這意 味著向存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入在一些實(shí)施例中可能為兩步驟程序。在第一步驟或復(fù)位步驟中， 開(kāi)啟該復(fù)位設(shè)備，并且在要存儲(chǔ)互補(bǔ)預(yù)定值的情況下，在復(fù)位設(shè)備處于開(kāi)啟時(shí)將復(fù)位線保 持在預(yù)定值上，并且該存儲(chǔ)單元將在該第一步驟期間向存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)互補(bǔ)預(yù)定值。然而，仍 然執(zhí)行第二步驟，從而開(kāi)啟該訪問(wèn)設(shè)備并且將該數(shù)據(jù)線保持在互補(bǔ)預(yù)定值上。為了寫(xiě)入預(yù) 定值，執(zhí)行復(fù)位步驟，從而開(kāi)啟復(fù)位設(shè)備并且將該復(fù)位線保持在互補(bǔ)預(yù)定值上，然后開(kāi)啟訪 問(wèn)設(shè)備，并且因?yàn)閿?shù)據(jù)線保持了該預(yù)定值，所以存儲(chǔ)單元收到該值并且將其存儲(chǔ)。雖然在一些實(shí)施例中同時(shí)執(zhí)行第一步驟和第二步驟，但在其他實(shí)施例中所述第一 步驟是在所述第二步驟之前執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，預(yù)定值包含邏輯零。雖然可以用不同的不對(duì)稱性來(lái)定義反饋回路，以使得其優(yōu)先接收不同的邏輯值， 但在一些實(shí)施例中，該反饋回路將能夠響應(yīng)在數(shù)據(jù)線上收到邏輯0而非邏輯1來(lái)切換狀態(tài)。 通常，對(duì)于響應(yīng)邏輯1而切換的抵抗將有助于減少讀取干擾，并且因此這是布置該電路的 便利方式。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元包含六個(gè)晶體管，所述晶體管中的四個(gè)晶體 管被配置以形成所述反饋回路，所述晶體管中的一個(gè)晶體管形成所述訪問(wèn)設(shè)備并且所述晶 體管中的一個(gè)晶體管形成所述復(fù)位設(shè)備，所述訪問(wèn)設(shè)備向所述數(shù)據(jù)線提供的電阻連接比所 述復(fù)位設(shè)備向所述復(fù)位線提供的電阻連接更高。雖然可以用若干方式制作存儲(chǔ)單元，但形成該存儲(chǔ)單元的面積有效方式是以六個(gè) 晶體管來(lái)形成該存儲(chǔ)單元，其中四個(gè)晶體管形成反饋回路，并且另外的兩個(gè)晶體管分別形 成訪問(wèn)設(shè)備和復(fù)位設(shè)備。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果訪問(wèn)設(shè)備向數(shù)據(jù)線提供的電阻連接比復(fù)位設(shè)備向 復(fù)位線提供的電阻連接更高，那么是有利的。這是因?yàn)樵撛L問(wèn)設(shè)備用于讀取以及寫(xiě)入，并且 因此該訪問(wèn)設(shè)備具有較高電阻是有利的，因?yàn)檫@抑制了讀取干擾。該復(fù)位設(shè)備僅用于寫(xiě)入 這些值中的一個(gè)值，因此低電阻將提高寫(xiě)入速度。在一些實(shí)施例中，所述反饋回路包含連接于所述高電壓電平與所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn) 之間的第一 pmos晶體管和連接于所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述低電壓電平之間的第一 nmos晶 體管、連接于所述高電壓電平與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的第二 pmos晶體管和連接于所述 第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述低電壓電平之間的第二 nmos晶體管，所述第一 nmos晶體管比所述第 二 nmos晶體管更寬。提供所需不對(duì)稱性的存儲(chǔ)單元的一個(gè)尤其方便的布置在于使包含第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn) 的反饋回路的一側(cè)為η強(qiáng)而使包含第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)的一側(cè)為ρ強(qiáng)。例如，這可通過(guò)nmos晶體 管的恰當(dāng)尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器包含至少一個(gè)參考存儲(chǔ)單元，其用于存儲(chǔ)在訪問(wèn)中 產(chǎn)生放電電流的值，所述參考存儲(chǔ)單元被配置以產(chǎn)生比在對(duì)存儲(chǔ)相同值的所述多個(gè)存儲(chǔ)單 元中相應(yīng)的一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取訪問(wèn)期間所產(chǎn)生的電流更低的放電電流；和電壓差探測(cè)器，其用于探測(cè)通過(guò)由訪問(wèn)所述參考存儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的讀取電流和由訪問(wèn)正在讀取的存儲(chǔ) 單元所產(chǎn)生的讀取電流這兩個(gè)電流所產(chǎn)生的電壓的差，所述電壓差探測(cè)器根據(jù)所述差來(lái)確 定存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值。本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)潛在問(wèn)題在于讀取是通過(guò)訪問(wèn)反饋回路的一側(cè)來(lái)執(zhí)行，因 此數(shù)據(jù)值的讀取是通過(guò)感測(cè)在數(shù)據(jù)線上將存儲(chǔ)單元連接到數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的改變來(lái)執(zhí)行。然 后，在傳統(tǒng)的6T單元的情況下，讀取是通過(guò)將反饋回路的任何一側(cè)連接到數(shù)據(jù)線和互補(bǔ)數(shù) 據(jù)線來(lái)執(zhí)行，并且測(cè)量了電壓差。因此，在當(dāng)前情況下，需要探測(cè)的電壓的改變是將在傳統(tǒng) 單元情況下探測(cè)的電壓改變的一半。這使得探測(cè)電壓改變存在挑戰(zhàn)。為了解決這個(gè)問(wèn)題，在一些實(shí)施例中，將參考存儲(chǔ)單元包括在陣列之內(nèi)，該參考存 儲(chǔ)單元比其他的存儲(chǔ)單元更弱，從而使得當(dāng)該參考存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)在訪問(wèn)中觸發(fā)電流放電的 值時(shí)，該放電電流比在這些存儲(chǔ)單元中的一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)該值時(shí)所產(chǎn)生的放電電流更 小。該存儲(chǔ)器還包括電壓差探測(cè)器，因此，并非從訪問(wèn)中的存儲(chǔ)單元探測(cè)由放電電流觸發(fā)的 電壓改變和確定其存儲(chǔ)的值，而是確定由在始終存儲(chǔ)某個(gè)值的參考單元與該存儲(chǔ)單元之間 的放電電流的差觸發(fā)的電壓并且根據(jù)該電壓來(lái)確定存儲(chǔ)的值。在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器包含多個(gè)參考單元和多個(gè)電壓差探測(cè)器，其中所述 多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成具有多個(gè)列和相應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線和復(fù)位線的陣列，所述陣列被布置 以具有兩個(gè)部分，并且每個(gè)列包含兩個(gè)參考單元，一個(gè)參考單元在第一部分中并且一個(gè)參 考單元在第二部分中，其中將所述數(shù)據(jù)線中的每一個(gè)數(shù)據(jù)線分割成第一部分和第二部分， 所述多個(gè)電壓差探測(cè)器被布置于所述多個(gè)數(shù)據(jù)線的所述第一部分與所述第二部分之間以 探測(cè)在所述數(shù)據(jù)線的所述兩個(gè)部分上的電壓差，所述存儲(chǔ)器被配置以通過(guò)將由訪問(wèn)選定存 儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的電壓改變與由訪問(wèn)在相同列且不同部分中的所述參考單元所產(chǎn)生的電壓 改變進(jìn)行比較來(lái)讀取存儲(chǔ)在選定存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值。用于探測(cè)在由參考單元訪問(wèn)產(chǎn)生的電壓與由存儲(chǔ)單元訪問(wèn)產(chǎn)生的電壓之間的差 的一種布置電壓探測(cè)器的方式是將該陣列劃分為兩個(gè)部分(在兩個(gè)部分的每個(gè)部分中都 具有參考單元)和將在訪問(wèn)一個(gè)部分中的存儲(chǔ)單元時(shí)數(shù)據(jù)線上的電壓改變與在另一部分 上由參考單元在數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的電壓改變進(jìn)行比較。應(yīng)注意，在該方案中，除了讀取電流增 加之外，由于將數(shù)據(jù)線分割為兩個(gè)部分，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線電容減小。在一些實(shí)施例中，經(jīng)由所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)來(lái)訪問(wèn)所述參考單元，所述電壓差探測(cè) 器探測(cè)由所述參考單元對(duì)所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)的所述訪問(wèn)在所述復(fù)位線上產(chǎn)生的電壓與由 響應(yīng)讀取請(qǐng)求來(lái)進(jìn)行的所述存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)在所述數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的電壓的差。在一些實(shí)施例中，并非探測(cè)在分割的數(shù)據(jù)線上在由參考單元產(chǎn)生的電壓與由訪問(wèn) 存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的電壓之間的電壓差，而是可以經(jīng)由第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)訪問(wèn)該參考單元并且測(cè)量 在復(fù)位線上產(chǎn)生的電壓改變與數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的電壓改變之間的電壓差。這簡(jiǎn)化了陣列的設(shè) 計(jì)，并且通過(guò)使位于陣列中央的電壓探測(cè)器比較來(lái)自任何部分的值，去除了在對(duì)這些電壓 探測(cè)器的輸入中發(fā)生的一些不對(duì)稱性。如果該陣列仍然分割為兩個(gè)部分，那么頂部部分和 底部部分都需要電壓探測(cè)器。如果該陣列未分割，那么數(shù)據(jù)線的電容可能成為問(wèn)題。在一些實(shí)施例中，所述參考單元包含訪問(wèn)設(shè)備，該訪問(wèn)設(shè)備在將所述反饋回路連 接到所述數(shù)據(jù)線時(shí)具有比所述存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)設(shè)備更高的電阻?？梢酝ㄟ^(guò)向參考單元提供訪問(wèn)設(shè)備來(lái)設(shè)計(jì)出較弱的參考單元，該訪問(wèn)設(shè)備在將反饋回路連接到數(shù)據(jù)線時(shí)具有比存儲(chǔ)單元的訪問(wèn)設(shè)備更高的電阻。這將確保在存儲(chǔ)相同值 時(shí)，由該參考單元的放電產(chǎn)生的任何電流小于由該存儲(chǔ)單元的放電產(chǎn)生的電流。確保參考單元較弱的替代性方式是通過(guò)與存儲(chǔ)單元相比而言較低的差分電壓向 參考單元供電。這可以通過(guò)降低供應(yīng)到參考單元的電源電壓或者通過(guò)升高地面電壓電平 或低電壓電平來(lái)實(shí)現(xiàn)?？商鎿Q地，可以減小切換參考單元的訪問(wèn)設(shè)備的信號(hào)，以使得其小于切換存儲(chǔ)單 元的訪問(wèn)設(shè)備的信號(hào)。這還將減小來(lái)自參考單元的放電電流。在此類實(shí)施例中，所述存儲(chǔ) 器被配置以使得發(fā)送到所述參考單元以切換所述參考單元訪問(wèn)設(shè)備的控制信號(hào)具有比發(fā) 送到正在讀取的所述存儲(chǔ)單元以切換所述存儲(chǔ)單元訪問(wèn)設(shè)備的控制信號(hào)更低的電壓。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成陣列，所述陣列具有多個(gè)列、相應(yīng)的 多個(gè)數(shù)據(jù)線與復(fù)位線以及多個(gè)行，用于控制所述訪問(wèn)設(shè)備切換的所述數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)被 發(fā)送到所述行中的一個(gè)選定行，并且用于控制所述復(fù)位設(shè)備切換的所述復(fù)位控制信號(hào)被發(fā) 送到所述行中的所述選定行。用于控制訪問(wèn)設(shè)備和復(fù)位設(shè)備的切換的控制信號(hào)是獨(dú)立的控制信號(hào)，并且沿單獨(dú) 的線向下發(fā)送這些控制信號(hào)。在一些實(shí)施例中，沿行來(lái)發(fā)送這些控制信號(hào)，這使得更易于在 硅中建造該陣列。在其他實(shí)施例中，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成陣列，所述陣列具有多個(gè)列、相應(yīng)的 多個(gè)數(shù)據(jù)線以及具有相應(yīng)的多個(gè)復(fù)位線的多個(gè)行，用于控制所述訪問(wèn)設(shè)備切換的數(shù)據(jù)訪問(wèn) 控制信號(hào)被發(fā)送到所述行中的一個(gè)選定行，并且用于控制所述復(fù)位設(shè)備切換的復(fù)位控制信 號(hào)被發(fā)送到所述列中的一個(gè)選定列。在一些情況下可能有利的是，布置陣列以使得用于控制訪問(wèn)設(shè)備切換的控制信號(hào) 是以傳統(tǒng)的讀字方式沿行發(fā)送，而用于控制復(fù)位設(shè)備切換的復(fù)位控制信號(hào)是沿列發(fā)送。這 樣的優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)在復(fù)位設(shè)備和訪問(wèn)設(shè)備都被開(kāi)啟的情況下寫(xiě)入時(shí)，僅一個(gè)存儲(chǔ)單元而不 是整行的單元響應(yīng)該寫(xiě)入訪問(wèn)而使兩個(gè)訪問(wèn)設(shè)備都被開(kāi)啟。這降低了由向不同單元寫(xiě)入而 擾亂單元的風(fēng)險(xiǎn)。在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器被配置以一步驟程序來(lái)向所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的一 個(gè)選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)值，以使得響應(yīng)向所述選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述預(yù)定值的請(qǐng)求，所 述存儲(chǔ)器被配置以向所述復(fù)位線提供所述互補(bǔ)預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單元 的所述復(fù)位設(shè)備來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且向所 述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將 所述數(shù)據(jù)線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，從而使所述選定存儲(chǔ)單元存 儲(chǔ)所述預(yù)定值；以及響應(yīng)寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以向所述復(fù)位 線提供所述預(yù)定值并且通過(guò)控制所述復(fù)位設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述第二 訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，從而使所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值。通過(guò)沿行布置用于訪問(wèn)設(shè)備的控制信號(hào)和沿列布置用于復(fù)位設(shè)備的控制信號(hào)來(lái) 選擇個(gè)別存儲(chǔ)單元，意味著可以執(zhí)行一階段程序，在該程序中復(fù)位線和數(shù)據(jù)線同時(shí)連接到 存儲(chǔ)單元。本發(fā)明的第二方面提供一種在靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)和訪問(wèn)數(shù)據(jù)的方法，所 述存儲(chǔ)器包含多個(gè)包含不對(duì)稱反饋回路的存儲(chǔ)單元，所述反饋回路包含用于在所述反饋回
10路存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)和用于在所述反饋回路存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)值 時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ)版本的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，用于提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與數(shù)據(jù)線之間 的數(shù)據(jù)連接的訪問(wèn)設(shè)備和用于提供所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與復(fù)位線之間的數(shù)據(jù)連接的復(fù)位設(shè) 備，所述方法包含以下步驟響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求或從所述存儲(chǔ)單 元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求響應(yīng)從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控 制信號(hào)以控制所述訪問(wèn)設(shè)備來(lái)提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述數(shù)據(jù)線之間的所述數(shù)據(jù)連接； 以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以控制所述 復(fù)位設(shè)備來(lái)提供所述復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的所述連接。本發(fā)明的第三方面提供一種靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，其包含至少一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn) 移裝置，用于向所述存儲(chǔ)器和從所述存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)，和至少一個(gè)復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置；多個(gè) 存儲(chǔ)裝置，每個(gè)所述存儲(chǔ)裝置被布置用于連接到所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置和所述至少一 個(gè)復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置，每個(gè)存儲(chǔ)裝置包含不對(duì)稱反饋回路，所述反饋回路包含用于在所述 反饋回路存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置和用于在所述反饋回路存儲(chǔ) 所述數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ)版本的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置；訪問(wèn)裝置，用于有選擇地 提供所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置與所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的連接；復(fù)位裝置，用于有選擇地提 供所述復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的連接；所述存儲(chǔ)器還包含數(shù)據(jù) 訪問(wèn)控制裝置，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)以獨(dú)立控制所述訪問(wèn)裝置和所述復(fù) 位裝置提供所述連接；其中所述數(shù)據(jù)控制裝置被配置以響應(yīng)向所述存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入預(yù)定 值的寫(xiě)入請(qǐng)求和響應(yīng)從所述存儲(chǔ)裝置讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以觸 發(fā)所述訪問(wèn)裝置提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置與所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置之間的所述連接；以及響 應(yīng)向所述存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以觸發(fā)所述復(fù)位裝 置提供所述復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的所述連接。本發(fā)明的以上和其它目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)將由結(jié)合附圖閱讀的說(shuō)明性實(shí)施例的以下 詳細(xì)描述而更加明白。


圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)6T SRAM位單元；圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的5T位單元；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的SRAM存儲(chǔ)器；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)單元；圖5示出用于向本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入1和寫(xiě)入0的定時(shí)圖，即用于(a) 寫(xiě)入“1”操作和(b)寫(xiě)入“0”操作的定時(shí)圖；圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有增加的讀取靈敏度的SRAM存儲(chǔ)器；圖7示出圖6的存儲(chǔ)器的一部分中的用于5晶體管單元的分割位線感測(cè)方案和定 時(shí)圖；圖8示出圖6和圖7的電路的用于讀取的定時(shí)圖，即用于(a)讀取“1”操作和(b) 讀取“0”操作的定時(shí)圖； 圖9示出SRAM的替代性實(shí)施例； 圖10示出圖9的SRAM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元；
圖11以布局形式示出建議的位單元的替代性實(shí)施例與圖9和圖10的設(shè)計(jì)可能引 起的16%增加面積，其中該單元的寬度和高度增加了 δ H和δ W，這在兩個(gè)單元都遵循邏輯 DRC規(guī)則時(shí)導(dǎo)致16%的面積開(kāi)銷；圖12示出用于感測(cè)讀取訪問(wèn)的替代性感測(cè)機(jī)構(gòu)；圖13示出圖12的感測(cè)機(jī)構(gòu)的替代方案；以及圖14示出圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法中的步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的SRAM存儲(chǔ)器5。存儲(chǔ)器5包含存儲(chǔ)單元12的陣 列10，每個(gè)存儲(chǔ)單元12都存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值。這些存儲(chǔ)單元12包含存儲(chǔ)反饋回路14、數(shù)據(jù)訪問(wèn)開(kāi)關(guān)16以及復(fù)位開(kāi)關(guān)18。數(shù) 據(jù)訪問(wèn)開(kāi)關(guān)16從位線BL提供對(duì)反饋回路的訪問(wèn)，而復(fù)位開(kāi)關(guān)18從復(fù)位線BLR提供對(duì)反饋 回路的訪問(wèn)。這兩個(gè)開(kāi)關(guān)是由沿字線WL和復(fù)位線W^R發(fā)送的控制信號(hào)來(lái)控制。這些信號(hào) 是響應(yīng)從處理器接收的數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求而由控制電路30產(chǎn)生。如果該請(qǐng)求是讀取請(qǐng)求，那么 通過(guò)探測(cè)數(shù)據(jù)線BL上的改變來(lái)輸出數(shù)據(jù)。圖4更加詳細(xì)地示出存儲(chǔ)單元12。在此實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元是6晶體管6Τ單元， 其中數(shù)據(jù)訪問(wèn)開(kāi)關(guān)16是由字線WL上的信號(hào)控制的晶體管，而復(fù)位開(kāi)關(guān)18是由沿復(fù)位線 W^R接收的信號(hào)控制的晶體管。反饋回路14是不對(duì)稱4晶體管反饋回路。已設(shè)計(jì)了該反饋 回路的不對(duì)稱性，以使得當(dāng)從該反饋回路讀取時(shí)，該回路是耐數(shù)據(jù)訛誤的。以此方式形成不 對(duì)稱的反饋回路的缺點(diǎn)在于難以向其寫(xiě)入1，因?yàn)橐言O(shè)計(jì)了該反饋回路的不對(duì)稱性，從而 使得經(jīng)由訪問(wèn)設(shè)備16從位線接收到“一”并不容易觸發(fā)狀態(tài)切換。在此實(shí)施例中，已通過(guò)提供復(fù)位線BLR和復(fù)位晶體管18解決了這個(gè)問(wèn)題。如果收 到在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)1的請(qǐng)求，那么并非向位線傳輸該1和經(jīng)由訪問(wèn)晶體管16發(fā)送該1，而 是將復(fù)位線設(shè)置為0并且經(jīng)由復(fù)位設(shè)備18將該0發(fā)送到反饋回路14。在反饋回路的該側(cè) 上收到0足以觸發(fā)回路在需要情況下切換狀態(tài)，然后1得到存儲(chǔ)。因此，已對(duì)該單元進(jìn)行了設(shè)計(jì)，以使得其經(jīng)由訪問(wèn)晶體管16來(lái)讀取，但如果經(jīng)由 該訪問(wèn)晶體管收到1，那么抵抗切換狀態(tài)。已提供了復(fù)位晶體管18來(lái)允許當(dāng)希望在反饋回 路14中存儲(chǔ)1時(shí)可從另一側(cè)寫(xiě)入0。在此實(shí)施例中，通過(guò)與傳統(tǒng)對(duì)稱反饋回路相比增加m晶體管的寬度而將逆變器 Pl-Nl制作成N強(qiáng)來(lái)實(shí)現(xiàn)不對(duì)稱尺寸。通過(guò)減少晶體管N2的寬度，將逆變器P2-N2制作成 P強(qiáng)。增加訪問(wèn)晶體管16和復(fù)位晶體管18的尺寸以提高寫(xiě)入噪聲容限。應(yīng)注意，N2晶體 管寬度的減小補(bǔ)償了 W晶體管和訪問(wèn)晶體管16的寬度增加，并且有助于保持與傳統(tǒng)的6T 單元類似的面積。圖5示出用于向圖4所圖示的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入1和寫(xiě)入0的定時(shí)圖。在此實(shí)施例中， 以兩階段方式來(lái)執(zhí)行寫(xiě)入。首先，復(fù)位階段，復(fù)位線Wi 經(jīng)脈沖到高位，從而開(kāi)啟復(fù)位晶體 管18。當(dāng)要寫(xiě)入1時(shí)，復(fù)位線BLR同時(shí)脈沖到低位并且反饋回路存儲(chǔ)1。當(dāng)要寫(xiě)入0時(shí)，復(fù) 位線保持高位并且反饋回路不受影響。在第二階段中，字線WL變高，并且為了需要寫(xiě)入0 的單元，使位線BL變低。因此，寫(xiě)入0的操作發(fā)生。在寫(xiě)入1期間，字線變高，并且存儲(chǔ)單 元保留其存儲(chǔ)的1。
本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)缺點(diǎn)在于，該存儲(chǔ)單元是從一側(cè)讀取，因此需要探測(cè)位線 上的電壓或電流的改變，而不是探測(cè)位線與互補(bǔ)位線之間的電壓或電流改變。因此，探測(cè)的 改變是通常將探測(cè)的改變的一半。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的SRAM存儲(chǔ)器5，其中解 決了減少的讀取水平電壓改變的這個(gè)問(wèn)題。在此實(shí)施例中，該陣列分割為兩個(gè)部分，并且感 測(cè)機(jī)構(gòu)在此情況下為布置于該兩個(gè)部分之間的差分讀出放大器(senseamplifier)30。該位 線被分割為兩個(gè)部分，并且兩個(gè)部分中的每一個(gè)部分都包含參考存儲(chǔ)單元。該參考存儲(chǔ)單 元被設(shè)計(jì)成比其他的存儲(chǔ)單元弱。響應(yīng)讀取信號(hào)，訪問(wèn)指示的存儲(chǔ)單元，并且還訪問(wèn)該陣列 相對(duì)一半中的參考單元，該參考單元始終存儲(chǔ)0，因此當(dāng)位線連接到該參考單元時(shí)，該參考 單元將始終使該位線放電。然后，比較該位線的放電值與連接到存儲(chǔ)單元的位線的放電值 的差，并且該讀出放大器確定存儲(chǔ)的值。應(yīng)注意，復(fù)位線可能是單個(gè)復(fù)位線，然而其電容十 分大，因此如果以此方式來(lái)組織陣列，那么通常將其劃分為兩個(gè)部分，這兩個(gè)部分具有其自 身的驅(qū)動(dòng)電路。圖7更詳細(xì)地示出圖6中所示的電路的一部分，并且示出了當(dāng)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)0時(shí) 對(duì)其訪問(wèn)和當(dāng)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)1時(shí)對(duì)其訪問(wèn)而在位線上產(chǎn)生的電壓電平與參考單元相比的 差。圖7中，正在讀取的單元處于陣列的上半部，并且訪問(wèn)行的字線與在讀出放大器30的相 對(duì)側(cè)上的參考行的字線一起激活。如果正在讀取的單元存儲(chǔ)0，那么其對(duì)相應(yīng)位線的放電比 參考單元更快，如圖中用0標(biāo)記的曲線所示出。另一方面，如果正在讀取的單元存儲(chǔ)高值， 那么該位線不進(jìn)行放電，如圖中用1標(biāo)記的曲線所指示。另一側(cè)上的參考單元進(jìn)行放電，如 前所述。因此，導(dǎo)出由讀出放大器30快速解析的恰當(dāng)差分，并且根據(jù)該差分電壓，讀出放大 器確定在訪問(wèn)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)了 0還是1。因?yàn)樵O(shè)計(jì)了較弱的參考單元來(lái)產(chǎn)生低讀取電流， 因此較緩慢地降低電壓。這可以通過(guò)以下方式來(lái)完成將較低的字線電壓用于該單元，或者 對(duì)該單元進(jìn)行設(shè)計(jì)以使得存儲(chǔ)回路的訪問(wèn)晶體管具有比普通存儲(chǔ)單元情況下更高的電阻。應(yīng)注意，除了增加讀取電流之外，該設(shè)計(jì)還減小了該位線電容，因?yàn)槲痪€連接到較 少數(shù)量的單元。這有助于補(bǔ)償以下事實(shí)需要將位線放電與測(cè)量位線與互補(bǔ)位線之間的差 時(shí)的狀況相比是其兩倍之多來(lái)產(chǎn)生相同的可探測(cè)電壓差。應(yīng)注意，雖然將位單元示出為5T位單元，但其與圖4中所示的位單元相同，圖4中 所示的位單元在一些實(shí)例中被描述為5T位單元，因?yàn)閺?fù)位晶體管僅起到輔助寫(xiě)入的作用。圖8示出對(duì)于讀取操作的定時(shí)圖。訪問(wèn)單元的字線WLa。。和耦接到WLMf的參考單 元的字線變高。WLref僅上升到低于Vdd的Vddref以減小流到參考單元的讀取電流。應(yīng)注意， 為了感測(cè)功，應(yīng)該向所有參考行寫(xiě)入0。然后，如預(yù)先描述那樣導(dǎo)出電壓差分，并且一旦導(dǎo)出 克服讀出放大器偏移和選通延遲變化SA/ENBL的充足差分，則啟動(dòng)差分讀出放大器并將其 解析到該單元中存儲(chǔ)的值。圖9示出本發(fā)明的替代性實(shí)施例，其中并非如先前公開(kāi)那樣沿這些行共享復(fù)位控制 線WLR和沿這些列共享復(fù)位線BLR，而是分別沿這些列和這些行來(lái)共享復(fù)位控制線WLR和復(fù) 位線BLR。因此，如在圖9中可見(jiàn)，每個(gè)單元在一側(cè)上具有位線BL，并且在另一側(cè)上具有用于 復(fù)位控制信號(hào)的控制線WLR，并且該字線沿單元行延伸，而該復(fù)位線BLR也沿單元行延伸。圖10示出存儲(chǔ)單元之內(nèi)如何連接，因此該字線控制訪問(wèn)設(shè)備16，同時(shí)現(xiàn)在沿列延 伸的復(fù)位控制線控制復(fù)位開(kāi)關(guān)18。訪問(wèn)設(shè)備16控制沿列延伸的位線對(duì)這個(gè)反饋回路的訪 問(wèn)，而復(fù)位控制信號(hào)W^R控制復(fù)位設(shè)備18以提供對(duì)現(xiàn)在沿行延伸的復(fù)位線BLR的連接。
與傳統(tǒng)布置相比，以此方式布置該陣列增加了單元面積，因?yàn)樵搹?fù)位控制線WjR 可以不再由該行上的相鄰單元共享，并且該復(fù)位線BLR不能由該列上的相鄰單元共享。然 而，這樣的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，由單元行的字線和由列的復(fù)位線進(jìn)行的選擇意味著僅單個(gè)單元 可以在單個(gè)訪問(wèn)中使晶體管16和晶體管18兩者開(kāi)啟。這樣通過(guò)確保僅激活正在寫(xiě)入的確 切行和列中的單元，來(lái)消除這些陣列的半選問(wèn)題。這允許存儲(chǔ)陣列可成功發(fā)揮功能的最小 電壓潛在地降低。此外，這允許以單周期而不是其他實(shí)施例中的雙周期來(lái)將1寫(xiě)入該單元。 因此，為了寫(xiě)入1，將該復(fù)位線設(shè)置為0并且將位線設(shè)置為1，并且將該字線和復(fù)位控制信號(hào) 線W^R同時(shí)啟動(dòng)。圖11示出如何通過(guò)以此方式布置位線復(fù)位線和控制線來(lái)將單元的寬度和高度 增加S H和δ W。這導(dǎo)致約16%的面積開(kāi)銷。圖12示出參考單元的替代性布置，以用于提高讀取電流并且使讀出放大器更容 易探測(cè)電壓差。在此實(shí)施例中，并不將該陣列劃分為不同的部分并且不在該陣列的任何部 分中探測(cè)位線上的差，而是經(jīng)由復(fù)位線訪問(wèn)參考單元，并且該讀出放大器探測(cè)位線與復(fù)位 線之間的電壓電平的改變。這簡(jiǎn)化了陣列的設(shè)計(jì)，并且消除了輸入和輸出緩沖器和陣列中 央的邏輯所引入的讀出放大器的輸入中的不對(duì)稱性。然而，缺點(diǎn)在于，如果陣列被劃分成兩 部分，那么需要兩個(gè)讀出放大器，并且如果陣列不被劃分成兩個(gè)部分，那么位線的電容十分 大，從而增加感測(cè)延遲。為了解決該延遲，系統(tǒng)將需要被重新設(shè)計(jì)以提供額外的讀取電流。圖12示出一個(gè)實(shí)施例，其中在陣列中存在一個(gè)參考單元和一個(gè)讀出放大器電路， 而圖13示出分割為兩個(gè)部分的存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器具有兩個(gè)參考單元和兩個(gè)讀出放大器。如先前所述，可通過(guò)低速驅(qū)動(dòng)字線電壓來(lái)使參考單元變?nèi)?，或者可將其設(shè)計(jì)為單 獨(dú)的弱單元。對(duì)該參考單元重新設(shè)計(jì)減小由于較低電壓引起的變化的影響。另外，可以通 過(guò)增加旁通間閥或訪問(wèn)設(shè)備的長(zhǎng)度來(lái)使單元變?nèi)酰瑥亩M(jìn)一步減輕變化的影響。缺點(diǎn)是增 加由此帶來(lái)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性，因?yàn)樾枰O(shè)計(jì)橫跨不同設(shè)計(jì)點(diǎn)足夠弱的新單元。圖14示出圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的訪問(wèn)存儲(chǔ)單元的方法的流程圖。收到數(shù)據(jù) 訪問(wèn)請(qǐng)求，并且確定其是否為寫(xiě)入請(qǐng)求。如果該數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求是寫(xiě)入請(qǐng)求，那么確定是否寫(xiě) 入預(yù)定值。如果該數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求不是寫(xiě)入請(qǐng)求，那么其是讀取請(qǐng)求。響應(yīng)讀取請(qǐng)求或?qū)懭?預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以開(kāi)啟訪問(wèn)設(shè)備來(lái)在存儲(chǔ)單元的第一節(jié)點(diǎn)與數(shù) 據(jù)線之間提供訪問(wèn)。然后，可以在讀取的情況下將存儲(chǔ)值輸出到該數(shù)據(jù)線，或可以在寫(xiě)入的 情況下將由數(shù)據(jù)線保持的預(yù)定值存儲(chǔ)在單元中。在該寫(xiě)入是要寫(xiě)入互補(bǔ)預(yù)定值，然后產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)并且開(kāi)啟復(fù)位設(shè)備來(lái)在復(fù) 位線與存儲(chǔ)單元之間提供連接的情況下，該復(fù)位線保持該預(yù)定值，以便響應(yīng)正在形成的連 接而存儲(chǔ)互補(bǔ)預(yù)定值。盡管已在本文中參考附圖詳細(xì)地描述了本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例，但所屬領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)理解，本發(fā)明不限于這些精確實(shí)施例，且在不脫離由所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明 的范圍和精神的情況下，可在其中實(shí)現(xiàn)各種變化及修改。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情 況下，可進(jìn)行以下從屬權(quán)利要求的特征與獨(dú)立權(quán)利要求的特征的各種組合。
權(quán)利要求
1.一種靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，包含至少一個(gè)數(shù)據(jù)線，用于向所述存儲(chǔ)器和從所述存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)，和至少一個(gè)復(fù)位線； 多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元被布置用于連接到所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線和所述至少一個(gè) 復(fù)位線，每個(gè)存儲(chǔ)單元包含不對(duì)稱反饋回路，所述反饋回路包含用于在所述反饋回路存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù) 值的第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)和用于在所述反饋回路存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ)版本 的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)；訪問(wèn)設(shè)備，用于有選擇地提供所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線與所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的連接； 復(fù)位設(shè)備，用于有選擇地提供所述至少一個(gè)復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的連接； 所述存儲(chǔ)器還包含數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制電路，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求而產(chǎn)生控制信號(hào)以獨(dú)立控制所述訪問(wèn)設(shè)備 和所述復(fù)位設(shè)備提供所述連接；其中 所述數(shù)據(jù)控制電路被配置以響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求和響應(yīng)從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀 取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以觸發(fā)所述訪問(wèn)設(shè)備提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述至少一 個(gè)數(shù)據(jù)線之間的所述連接；以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以觸發(fā)所述 復(fù)位設(shè)備提供所述至少一個(gè)復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的所述連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述不對(duì)稱反饋回路被配置，以使得其相對(duì)于 響應(yīng)在所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述互補(bǔ)預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)而言，更 容易響應(yīng)在所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)來(lái)切換 狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其中所述不對(duì)稱反饋回路被配置，以使得在所述第 一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)足以切換所述存儲(chǔ)單元的 狀態(tài)，并且在所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上收到所述互補(bǔ)預(yù)定值和在所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)上無(wú)信號(hào)將 不會(huì)觸發(fā)狀態(tài)切換。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器被配置以兩步驟程序來(lái)向所述多個(gè)存儲(chǔ) 單元中的一個(gè)選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)值，以使得響應(yīng)向所述選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以 在第一步驟期間，向所述復(fù)位線提供所述互補(bǔ)預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單 元的所述復(fù)位設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第二訪問(wèn)節(jié) 點(diǎn)；以及在第二步驟期間，向所述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單元的 所述訪問(wèn)設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述數(shù)據(jù)線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并 且從而使所述選定存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值；以及響應(yīng)寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以在所述第一步驟期間，向所述復(fù)位線提供所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述復(fù)位設(shè)備進(jìn) 行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，從而使所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值; 以及在所述第二步驟期間，向所述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述訪問(wèn)設(shè)備來(lái) 將所述數(shù)據(jù)線連接到所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其中所述第一步驟是在所述第二步驟之前執(zhí)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述預(yù)定值包含邏輯零。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元包含六個(gè)晶體管，所述晶體 管中的四個(gè)晶體管被配置以形成所述反饋回路，所述晶體管中的一個(gè)晶體管形成所述訪問(wèn) 設(shè)備并且所述晶體管中的一個(gè)晶體管形成所述復(fù)位設(shè)備，所述訪問(wèn)設(shè)備向所述數(shù)據(jù)線提供 的電阻連接比所述復(fù)位設(shè)備向所述復(fù)位線提供的電阻連接更高。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其中所述反饋回路包含連接于所述高電壓電平與所 述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的第一 pmos晶體管和連接于所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述低電壓電平之 間的第一 nmos晶體管、連接于所述高電壓電平與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的第二 pmos晶體 管和連接于所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述低電壓電平之間的第二 nmos晶體管，所述第一 nmos 晶體管比所述第二 nmos晶體管更寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包含至少一個(gè)參考存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)在訪問(wèn)中產(chǎn)生放電電流的值，所述參考存儲(chǔ)單元被 配置以產(chǎn)生比在對(duì)存儲(chǔ)相同值的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中相應(yīng)的一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取訪問(wèn) 期間所產(chǎn)生的電流更低的放電電流；以及電壓差探測(cè)器，用于探測(cè)通過(guò)由訪問(wèn)所述參考存儲(chǔ)單元來(lái)產(chǎn)生的讀取電流和由訪問(wèn)正 在讀取的存儲(chǔ)單元來(lái)產(chǎn)生的讀取電流這兩個(gè)電流所產(chǎn)生的電壓的差，所述電壓差探測(cè)器根 據(jù)所述差來(lái)確定存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包含多個(gè)參考單元和多個(gè)電壓差探測(cè) 器，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成陣列，所述陣列具有多個(gè)列和相應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線和復(fù)位 線，所述陣列被布置以具有兩個(gè)部分，并且每個(gè)列包含兩個(gè)參考單元，一個(gè)參考單元在第一 部分中并且一個(gè)參考單元在第二部分中，其中將所述數(shù)據(jù)線中的每一個(gè)數(shù)據(jù)線分割成第一 部分和第二部分，所述多個(gè)電壓差探測(cè)器被布置于所述多個(gè)數(shù)據(jù)線的所述第一部分與所述 第二部分之間以探測(cè)在所述數(shù)據(jù)線的所述兩個(gè)部分上的電壓差，所述存儲(chǔ)器被配置以通過(guò) 將由訪問(wèn)選定存儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的電壓改變與由訪問(wèn)在相同列且不同部分中的所述參考單 元所產(chǎn)生的電壓改變進(jìn)行比較來(lái)讀取存儲(chǔ)在選定存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其中所述參考單元是經(jīng)由所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)來(lái)訪 問(wèn)，所述電壓差探測(cè)器探測(cè)由所述參考單元對(duì)所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)的所述訪問(wèn)在所述復(fù)位線 上產(chǎn)生的電壓與由響應(yīng)讀取請(qǐng)求來(lái)進(jìn)行的所述存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)在所述數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生 的電壓的差。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其中所述參考單元包含訪問(wèn)設(shè)備，該訪問(wèn)設(shè)備在將 所述反饋回路連接到所述數(shù)據(jù)線時(shí)具有比所述存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)設(shè)備更高的電阻。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器被配置以使得發(fā)送到所述參考單元以 切換所述參考單元訪問(wèn)設(shè)備的控制信號(hào)具有比發(fā)送到正在讀取的所述存儲(chǔ)單元以切換所 述存儲(chǔ)單元訪問(wèn)設(shè)備的控制信號(hào)更低的電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器被配置以使得所述參考單元與所述存儲(chǔ)單元相比而言由較低的差分電壓來(lái)供電。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成陣列，所述陣列具 有多個(gè)列和相應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線與復(fù)位線以及多個(gè)行，用于控制所述訪問(wèn)設(shè)備切換的所述數(shù) 據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)被發(fā)送到所述行中的一個(gè)選定行，并且用于控制所述復(fù)位設(shè)備切換的所述 復(fù)位控制信號(hào)被發(fā)送到所述行中的所述選定行。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被布置成陣列，所述陣列具 有多個(gè)列和相應(yīng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線以及具有相應(yīng)的多個(gè)復(fù)位線的多個(gè)行，用于控制所述訪問(wèn)設(shè) 備切換的數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)被發(fā)送到所述行中的一個(gè)選定行，并且用于控制所述復(fù)位設(shè)備 切換的復(fù)位控制信號(hào)被發(fā)送到所述列中的一個(gè)選定列。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器，其中所述存儲(chǔ)器被配置以一步驟程序來(lái)向所述多 個(gè)存儲(chǔ)單元中的一個(gè)選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)值，以使得響應(yīng)向所述選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以向所述復(fù)位線提供所述互補(bǔ)預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單元的所述復(fù)位設(shè) 備來(lái)將所述復(fù)位線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且向所述數(shù)據(jù)線提供 所述預(yù)定值，并且通過(guò)控制所述選定存儲(chǔ)單元的所述訪問(wèn)設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述數(shù)據(jù)線連 接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且從而使所述選定存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定 值；以及響應(yīng)寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的請(qǐng)求，所述存儲(chǔ)器被配置以向所述復(fù)位線提供所述預(yù)定值并且通過(guò)控制所述復(fù)位設(shè)備進(jìn)行傳導(dǎo)來(lái)將所述復(fù)位線 連接到所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，并且從而使所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)所述預(yù)定值。
18.一種在靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)和訪問(wèn)數(shù)據(jù)的方法，所述存儲(chǔ)器包含多個(gè)存儲(chǔ) 單元，所述存儲(chǔ)單元包含不對(duì)稱反饋回路，所述反饋回路包含用于在所述反饋回路存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)和用于在所述反饋回路存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)值時(shí)保持所 述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ)版本的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)，所述存儲(chǔ)單元還包含用于提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與 數(shù)據(jù)線之間的數(shù)據(jù)連接的訪問(wèn)設(shè)備和用于提供所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與復(fù)位線之間的數(shù)據(jù)連 接的復(fù)位設(shè)備，所述方法包含以下步驟響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求或從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求響應(yīng)從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以控制所述訪問(wèn) 設(shè)備來(lái)提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述數(shù)據(jù)線之間的所述數(shù)據(jù)連接；以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以控制所述復(fù)位設(shè)備來(lái)提供所述復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間 的所述連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包含以下步驟響應(yīng)向所述選定存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述預(yù)定值的請(qǐng)求向所述復(fù)位線提供所述互補(bǔ)預(yù)定值；經(jīng)由所述復(fù)位設(shè)備將所述復(fù)位線連接到所述選定存儲(chǔ)單元的所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)；以及在經(jīng)由所述訪問(wèn)設(shè)備將所述數(shù)據(jù)線連接到所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之前向所述數(shù)據(jù)線提供 所述預(yù)定值；以及響應(yīng)寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的請(qǐng)求在將所述復(fù)位線連接到所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之前向所述復(fù)位線提供所述預(yù)定值；以及 向所述數(shù)據(jù)線提供所述預(yù)定值；經(jīng)由所述訪問(wèn)設(shè)備將所述數(shù)據(jù)線連接到所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)。
20. 一種靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，包含至少一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置，用于向所述存儲(chǔ)器和從所述存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)，和至少一個(gè)復(fù) 位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置；多個(gè)存儲(chǔ)裝置，每個(gè)所述存儲(chǔ)裝置被布置用于連接到所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置和所 述至少一個(gè)復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置，每個(gè)存儲(chǔ)裝置包含不對(duì)稱反饋回路，所述反饋回路包含用于在所述反饋回路存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù) 值的第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置和用于在所述反饋回路存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)值時(shí)保持所述數(shù)據(jù)值的互補(bǔ) 版本的第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置，訪問(wèn)裝置，用于有選擇地提供所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移裝置與所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的連接；復(fù)位裝置，用于有選擇地提供所述復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的 連接；所述存儲(chǔ)器還包含數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制裝置，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)訪問(wèn)請(qǐng)求而產(chǎn)生控制信號(hào)以獨(dú)立控制所述訪問(wèn)裝置 和所述復(fù)位裝置提供所述連接；其中 所述數(shù)據(jù)控制裝置被配置以響應(yīng)向所述存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求和響應(yīng)從所述存儲(chǔ)裝置讀取存儲(chǔ)值的讀 取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以觸發(fā)所述訪問(wèn)裝置提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置與所述數(shù) 據(jù)轉(zhuǎn)移裝置之間的所述連接；以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)裝置寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以觸發(fā)所述 復(fù)位裝置提供所述復(fù)位信號(hào)轉(zhuǎn)移裝置與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)裝置之間的所述連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有改善的讀取穩(wěn)定性的存儲(chǔ)器。公開(kāi)了一種靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。所述靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)包含至少一個(gè)數(shù)據(jù)線；多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包含不對(duì)稱反饋回路，訪問(wèn)設(shè)備和復(fù)位設(shè)備；所述存儲(chǔ)器還包含數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制電路，所述數(shù)據(jù)控制電路被配置以響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求和響應(yīng)從所述存儲(chǔ)單元讀取存儲(chǔ)值的讀取請(qǐng)求，產(chǎn)生數(shù)據(jù)訪問(wèn)控制信號(hào)以觸發(fā)所述訪問(wèn)設(shè)備提供所述第一訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)與所述至少一個(gè)數(shù)據(jù)線之間的所述連接；以及響應(yīng)向所述存儲(chǔ)單元寫(xiě)入所述互補(bǔ)預(yù)定值的寫(xiě)入請(qǐng)求，產(chǎn)生復(fù)位控制信號(hào)以觸發(fā)所述復(fù)位設(shè)備提供所述至少一個(gè)復(fù)位線與所述第二訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)之間的所述連接。
文檔編號(hào)G11C11/413GK102074267SQ20101050807
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月8日
發(fā)明者C·皮特日克, R·C·艾特肯, S·V·納拉姆, V·錢(qián)德拉 申請(qǐng)人:Arm有限公司