專利名稱：包括半導體器件和控制器的系統(tǒng)及其操作方法
技術領域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及半導體設計技術，更具體而言涉及包括多個半導體芯片或器件的半導體組件。
背景技術：
半導體制造業(yè)的技術進步降低了半導體器件的尺寸。隨著器件層疊封裝技術的發(fā)展和對高容量半導體組件的需求的增加，在一個半導體組件上安裝的半導體器件或芯片的數(shù)目也在不斷上升。半導體組件是包括多個半導體器件或芯片的系統(tǒng)。雖然在半導體封裝工藝中并不經(jīng)常發(fā)生缺陷，但是在半導體組件的制造過程中出現(xiàn)缺陷的可能性會增加。此外，隨著半導體器件或芯片的平臺變得多樣化，采用半導體器件或芯片的半導體組件的種類也變得多樣化。因此，在一個特定的半導體組件上缺陷的發(fā)生率呈上升趨勢。如果半導體器件或芯片在組件化之前被檢測出有缺陷，則只要拋棄這個有缺陷的半導體器件或芯片即可。因此，在這個階段可以減少因損失而造成的費用。然而，當采用了多個半導體器件或芯片的半導體組件在制造之后被檢測出具有缺陷時，因損失而造成的費用可能是巨大的，因為這種損失會包括半導體組件的所有器件或芯片的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例涉及一種能夠使包括在半導體組件中的多個半導體芯片分別執(zhí)行預定的內(nèi)部操作的系統(tǒng)及其操作該系統(tǒng)的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種半導體器件包括器件標識檢測碼輸出模塊，所述器件標識檢測碼輸出模塊被配置為向所述半導體器件的外部輸出器件標識檢測碼；碼比較模塊，所述碼比較模塊被配置為將從外部施加的器件選擇碼與所述器件標識檢測碼進行比較，并基于比較結果來產(chǎn)生器件匹配信號；以及內(nèi)部電路模塊，所述內(nèi)部電路模塊被配置為基于所述器件匹配信號，來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種半導體組件包括器件標識檢測碼輸出模塊，所述器件標識檢測碼輸出模塊被配置向所述半導體器件的外部輸出多個器件標識檢測碼；碼比較模塊，所述碼比較模塊被配置為將從外部施加的器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并基于比較結果來產(chǎn)生多個器件匹配信號；以及與各個器件標識檢測碼相對應的多個半導體器件，所述多個半導體器件被配置為響應于所述多個器件匹配信號來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，一種半導體系統(tǒng)包括多個半導體器件，所述多個半導體器件被配置為分別輸出多個預定的器件標識檢測碼，將器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并基于比較結果來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作； 以及控制器，所述控制器被配置為將所述多個器件標識檢測碼中的至少一個碼作為所述器件選擇碼傳送至所述多個半導體器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，一種用于對包括多個半導體器件和所述多個半導體器件的控制器的系統(tǒng)進行操作的方法，包括以下步驟當所述系統(tǒng)進入標識(ID)讀取模式時，儲存分別與所述多個半導體器件相對應的多個器件標識檢測碼；當所述系統(tǒng)進入器件選擇模式，通過將儲存在所述控制器中的所述多個器件標識檢測碼之中的至少一個碼作為器件選擇碼傳送至所述多個半導體器件，來選擇所述多個半導體器件中的至少一個；以及當所述系統(tǒng)進入操作控制模式時，對選中的半導體器件進行控制以執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。


圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體器件的框圖。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體組件的框圖。圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體系統(tǒng)的框圖。圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的圖1所示的半導體器件的組成部件之中的IDFU發(fā)生單元的電路圖。圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的圖1所示的半導體器件的構成部件之中的IDFU驅(qū)動單元的電路圖。圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的圖1所示的半導體器件的構成部件之中的碼比較模塊的電路圖。圖7A是描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體控制器的操作的流程圖。圖7B是描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體器件的操作的流程圖。
具體實施例方式下面將結合附圖來更加詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來實施，不應當理解為限于本文所描述的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本說明書對于本領域技術人員而言將是清楚且完整的，并且將充分傳達本發(fā)明的范圍。 在本說明書中，在各幅附圖和各個實施例中，相同的附圖標記表示相同的部件。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體器件的框圖。參見圖1，半導體器件包括器件標識檢測碼(IDFU)輸出模塊100、碼比較模塊120 和內(nèi)部電路模塊140。當半導體器件進入器件標識(ID)讀取模式(未示出)時，IDFU輸出模塊100輸出器件標識(ID)檢測碼IDFU<0:N>。當半導體器件進入器件選擇模式(未示出)時，碼比較模塊120將從外部施加的器件檢測碼IDSEL<0:N>與ID檢測碼IDFU<0:N> 進行比較，并基于比較結果產(chǎn)生器件匹配信號MATCHID。ID檢測碼IDFU<0:N>與設備選擇碼IDSEL<0:N>可包括一個或多個信號和/或一個或多個值。當半導體器件進入操作控制模式(未示出)時，內(nèi)部電路模塊140基于器件匹配信號MATCHID來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。這里，IDFU輸出模塊100包括IDFU發(fā)生單元102和IDFU驅(qū)動單元104。IDFU發(fā)生單元102響應于復位信號RESET來產(chǎn)生ID檢測碼IDFU<0:N>，所述ID檢測碼IDFU<0:N>是通過熔絲組而被預定的。IDFU驅(qū)動單元104響應于用來確定是否要進入ID讀取模式的ID 輸出使能信號IDREAD_EN，將ID檢測碼信號IDFU<0 N>驅(qū)動至全局輸入/輸出線GICKO N>， 并經(jīng)由預定的數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤DQ將ID檢測碼信號IDFU<0:N>輸出到外部。參見圖6，該圖是描述碼比較模塊120的電路圖，碼比較模塊120包括比較單元 122、MATCHID輸出單元IM和強制使能單元126。比較單元122將經(jīng)由預定的數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤DQ從外部輸入的器件選擇碼IDSEL<0 N>與ID檢測碼IDFU<0 N>進行比較。MATCHID 輸出單元124響應于用于確定是否要進入器件選擇模式的器件選擇使能信號CHIPSEL_EN， 將從比較單元122輸出的信號輸出作為器件匹配信號MATCHID。無論比較單元122的輸出信號如何，強制使能單元126響應于復位信號RESET，強制地使器件匹配信號MATCHID使能。下面描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的具有上述結構的半導體器件的操作。下面，參見圖4，描述IDFU輸出模塊100的構成部件中的IDFU發(fā)生單元102的操作。圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的圖1所示的半導體器件的IDFU發(fā)生單元102的電路圖。當半導體器件被初始化時，IDFU發(fā)生單元102響應于復位信號RESET，輸出ID檢測碼IDFU<0 N>，所述ID檢測碼IDFU<0 N>具有由多個熔絲組FUSE_SET<0 N>確定的值。換言之，如果圖4所示的電路中的熔絲組<N>處于切斷狀態(tài)，則IDFU發(fā)生單元102 在復位信號RESET被使能時，輸出轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫷碗娖降腎D檢測碼IDFU<N>。如果圖4所示的電路中的熔絲組<N>處于未切斷狀態(tài)，則IDFU發(fā)生單元102在復位信號RESET被使能時， 輸出轉(zhuǎn)變?yōu)楦哌壿嬰娖降腎D檢測碼FUSE_SET<0:N>。在復位信號RESET使能時所產(chǎn)生的ID檢測碼IDFU<0 N>被鎖存并保持在IDFU發(fā)生單元102中，直到IDFU驅(qū)動單元104響應于ID輸出使能信號IDREAD_EN將其驅(qū)動到全局輸入/輸出線GI0<0:N>上為止。參照圖5，下面將要描述IDFU輸出模塊100構成部件之中的IDFU驅(qū)動單元104的操作。圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的圖1中所示的半導體器件的IDFU驅(qū)動單元104的電路圖。響應于被使能為邏輯高電平的ID輸出使能信號IDREAD_EN，IDFU驅(qū)動單元104將由多個比特組成的ID檢測碼IDFU<0:N>并行地驅(qū)動至多個全局輸入/輸出線 GICKON〉。與此同時，響應于被禁止為邏輯低電平的ID輸出使能信號IDREAD_EN，IDFU驅(qū)動單元104停止將由多個比特組成的ID檢測碼IDFU<0:N>并行地驅(qū)動至多個全局輸入/輸出線 GICKON〉。簡而言之，當半導體器件進入ID讀取模式時，IDFU輸出模塊100將ID檢測碼 IDFU<0:N>輸出到半導體器件的外部；當半導體器件退出ID讀取模式時，IDFU輸出模塊 100不會將ID檢測碼IDFU<0:N>輸出到半導體器件的外部。碼比較模塊120響應于用來確定是否要進入器件選擇模式的器件選擇使能信號 CHIPSEL_EN,將經(jīng)由預定的數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤DQ而從外部施加的器件選擇碼IDSEL<0 N> 與IDFU產(chǎn)生單元102中產(chǎn)生的ID檢測碼IDFU<0 N>進行比較。如果器件選擇碼IDSEL<0 N> 與ID檢測碼IDFU<0:N>相同，則碼比較模塊120將器件匹配信號MATCHID使能并將被使能了的器件匹配信號MATCHID輸出。如果器件選擇碼IDSEL<0:N>與ID檢測碼IDFU<0:N>不同，則碼比較模塊120將器件匹配信號MATCHID禁止并將被禁止了的器件匹配信號MATCHID輸出。無論比較結果如何，碼比較模塊120響應于復位信號RESET，將器件匹配信號MATCHID 使能并將被使能了的器件匹配信號MATCHID輸出。參見圖6，當器件選擇使能信號CHIPSEL_EN被使能為邏輯高電平時，判斷ID檢測碼IDFU<0:N>中的所有比特是否與器件選擇碼IDSEL<0:N>的中的所有比特相同。如果是它們是相同的，則器件匹配信號MATCHID被使能為邏輯高電平并輸出。如果是它們是不同的，即使只有1個比特不同，器件匹配信號MATCHID也會被禁止為邏輯低電平并輸出。此外，無論ID檢測碼IDFU<0:N>與器件選擇碼IDSEL<0:N>的比較結果如何，當器件選擇使能信號CHIPSEL_EN被禁止為邏輯低電平時，器件匹配信號MATCHID會被保持。同時可以看到，器件匹配信號MATCHID響應于復位信號RESET被無條件地使能為邏輯高電平。在器件匹配信號MATCHID被使能為邏輯高電平的同時，當用來確定是否要進入操作控制模式的操作控制使能信號0PERATI0N_C0N被使能為邏輯高電平時，內(nèi)部電路組件 140執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。當器件匹配信號MATCHID被禁止為邏輯低電平時，即使操作控制使能信號0PERATI0N_C0N被使能，內(nèi)部電路組件140也不會執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。換句話說，當在半導體器件內(nèi)部產(chǎn)生的ID檢測碼IDFU<0:N>與器件選擇碼 IDSEL<0:N>相同時，內(nèi)部電路組件140響應于操作控制使能信號0PERATI0N_C0N而執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。因此，即使操作控制使能信號0PERATI0N_C0N被使能，內(nèi)部電路組件140也不會執(zhí)行預定的內(nèi)部操作，除非半導體器件內(nèi)部產(chǎn)生的ID檢測碼IDFU<0:N>與器件選擇碼 IDSEL<0:N>相同(例如所有比特都相同)。這里，半導體器件的預定的內(nèi)部操作可以是對用于切斷安裝在半導體器件內(nèi)部的電熔絲(e-fuse)的熔絲切斷操作進行控制的操作。電熔絲切斷操作是一種廣泛用來即使在半導體器件被封裝后也能對器件的熔絲進行控制的方法。可以執(zhí)行電熔絲切斷操作，以改變半導體器件的內(nèi)部操作設置或者執(zhí)行修復操作。既然電熔絲切斷操作是一種已知的技術，這里就不作詳細描述。另外，半導體器件的預定的內(nèi)部操作可以是對安裝在半導體器件內(nèi)部的模式寄存器組(MRS)的設置操作進行控制的操作。模式寄存器組(MRS)的設置操作作為一種根據(jù)半導體器件的設計者的意愿來預先設置半導體器件的內(nèi)部操作的方法，廣泛應用于半導體器件領域。由于這種設置操作也是已知的技術，因此這里不作詳細描述。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體組件的框圖。參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體組件20包括IDFU輸出模塊200、碼比較模塊220和多個半導體器件對0<1:4>。IDFU輸出模塊200輸出分別由多個半導體器件M0<1:4>提供的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和 IDFU4<0:N>。更具體地說，當半導體組件20進入ID讀取模式時(未示出)，IDFU輸出模塊 200 將多個 ID 檢測碼 IDFUKO N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 輸出到半導體組件20的外部。碼比較模塊220將從半導體組件20的外部施加的器件選擇碼IDSEL<0:N> 與多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的每個進行比較， 以便產(chǎn)生比較結果。此外，當半導體組件20進入器件選擇模式時(未示出)，碼比較模塊 220基于比較結果產(chǎn)生多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4。當半導體組件20進入操作控制模式時(未示出)，半導體器件240<1 4>響應于多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4，來確定是否執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。半導體組件20還包括多個輸入/輸出引腳洸0<1>、260<2>、洸0<3>和洸0<4>，用來將IDFU輸出模塊200輸出的ID檢測碼IDFU<0:N>輸出到半導體組件20的外部。此外， 多個輸入/輸出引腳沈0<1>、260<2>、沈0<3>和沈0<4>可以接收來自半導體組件20外部的器件選擇碼IDSEL<0:N>。多個輸入/輸出引腳洸0<1>、260<2>、洸0<3>和洸0<4>與多個半導體器件M0<1:4>具有一對一的對應關系。例如，第一半導體器件M0<1>經(jīng)由多個輸 Λ /輸出引腳260<1>,260<2>,260<3>和260<4>中相應的第一輸入/輸出引腳260<1>來接收/輸出數(shù)據(jù)，而第二個半導體器件對0<2>通過相應的第二輸入/輸出引腳沈0<2>來接收/輸出數(shù)據(jù)。這里，盡管圖2示出了有4個半導體器件Μ0<1:4>安裝在半導體組件20的內(nèi)部， 但這是為了描述方便起見而作的假設，應該理解的是，可以在在半導體組件20中安裝多于 4個或者少于4個的半導體器件。此外，圖4還被繪制為只是通過多個輸入/輸出引腳沈0<1>、260<2>、沈0<3>和 260<4>中的第四輸入/輸出引腳沈0<4>來施加器件選擇碼IDSEL<0:N>。然而，這是為了方便起見，應當明白，可以通過多個輸入/輸出引腳沈0<1>、260<2>、沈0<3>和沈0<4>來分別施加器件選擇碼IDSEL<0:N>，或者可以通過多個輸入/輸出引腳洸0<1>、260<2>、洸0<3> 和沈0<4>中的一些被選中的輸入/輸出引腳來施加器件選擇碼IDSEL<0:N>。下面描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的具有多個半導體器件M0<1:4>的半導體組件20的操作。首先，在用于指示是否要進入ID讀取模式的ID輸出使能信號IDREAD_EN被使能的期間，IDFU輸出模塊200響應于復位信號RESET，經(jīng)由為相應的半導體器件M0<1:4>而設置的多個輸入/輸出引腳260<1:4>，將在相應的半導體器件M0<1:4>內(nèi)部產(chǎn)生的多個 ID 檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 輸出至半導體器件 20 的外部。另外，在ID輸出使能信號IDREAD_EN被禁止的期間，IDFU輸出模塊200并不響應于復位信號 RESET 地將多個 ID 檢測碼 IDFUKO N>、IDFU2<0 N>、IDFU3<0 N> 和 IDFU4<0 N> 輸出至半導體器件20的外部。更具體地，當ID輸出使能信號IDREAD_EN被使能為邏輯高電平時，IDFU輸出模塊200執(zhí)行將分別在多個半導體器件M0<1:4>中產(chǎn)生的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、 IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>傳送至多個輸入/輸出引腳260<1:4>的操作。然而，當ID輸出使能信號IDREAD_EN被禁止為邏輯低電平時，IDFU輸出模塊200 不將多個ID檢測碼IDFUKO N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>傳送至多個輸入 /輸出引腳260<1:4>。這里，在多個半導體器件M0<1:4>中的第一半導體器件M0<1>中產(chǎn)生的第一 ID 檢測碼IDFUKO N>經(jīng)由多個輸入/輸出引腳260<1 4>中的第一輸入/輸出引腳沈0<1>而被輸出。與此同時，在多個半導體器件M0<1 4>中的第二半導體器件M0<2>中產(chǎn)生的第二 ID檢測碼IDFUKO N>經(jīng)由多個輸入/輸出引腳260< 1 4>中的第二輸入/輸出引腳沈0<2> 而被輸出。簡而言之，多個 ID 檢測碼 IDFUKO N>、IDFU2<0 N>、IDFU3<0 N> 和 IDFU4<0 N>分別經(jīng)由與各個半導體器件M0<1:4>相對應的多個輸入/輸出引腳沈0<1:4>而被輸出。碼比較模塊220響應于器件選擇使能信號CHIPSEL_EN，將經(jīng)由分別與多個半導體器件310< 1 4>相對應的多個輸入/輸出引腳260< 1 4>而從半導體組件20的外部而來的器件選擇碼 IDSEL<0:N> 與多個 ID 檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N>進行比較，其中所述器件選擇使能信號CHIPSEL_EN是指示是否要進入器件選擇模式的信號。這里，碼比較模塊220將多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和 MATCHID4中指示被比較信號是相同的那些器件匹配信號使能，并將多個器件匹配信號 MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中指示被比較信號是不同的那些器件匹配信號禁止。碼比較模塊220還將器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4分別輸出至各個半導體器件對0<1:4>。另外，無論比較結果如何，碼比較模塊220響應于復位信號RESET，將多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中的所有器件匹配信號使能并將使能的器件匹配信號輸出至各個半導體器件對0<1:4>。換句話說，碼比較模塊220將從各個半導體器件M0<1:4>輸出的多個ID檢測碼 IDFUKO N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的每個與從半導體組件20外部施加的一個器件選擇碼IDSEL<0:N>進行比較，并將與所有比特均與器件選擇碼IDSEL<0:N> 完全相同的ID檢測碼相對應的器件匹配信號使能為邏輯高電平。例如，當多個ID 檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 中的第三ID檢測碼IDFU3<0:N>的所有比特與器件選擇碼IDSEL<0:N>的所有比特相同、而其他的ID檢測碼IDFUKO N>、IDFU2<0:N>和IDFU4<0:N>并非與器件選擇碼IDSEL<0:N>的所有比特相同時，碼比較模塊220將第三器件匹配信號MATCHID3使能為邏輯高電平，而將其他器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2和MATCHID4禁止為邏輯低電平。這里，多個器件匹配信號MATCHIDU MATCHID2, MATCHID3和MATCHID4中的第三器件匹配信號MATCHID3被使能為邏輯高電平、而其他器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2和 MATCHID4被禁止為邏輯低電平的事實表明，多個半導體器件M0<1:4>中的第三半導體器件M0<3>被選中而其他半導體器件M0<1>、240<2>和M0<4>未被選中。此外，在任何給定時間，從半導體組件20外部只施加一個器件選擇碼 IDSEL<0:N>。然而，可以順序地施加多個器件選擇碼IDSEL<0:N>。例如，第一次施加的第一器件選擇碼IDSEL<0:N>可以被控制為與多個ID檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 中的第一 ID 檢測碼 IDFUKO:N> 相同， 而第二次施加的第二器件選擇碼IDSEL<0:N>可以被控制為與第四ID檢測碼IDFU4<0:N> 相同。當按照上述兩個步驟施加器件選擇碼IDSEL<0:N>時，碼比較模塊220在第一步驟中將多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中的第一器件匹配信號MATCHID1使能為邏輯高電平，在第二步驟中將第四器件匹配信號MATCHID4使能為邏輯高電平。因此，碼比較模塊220最終將多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和 MATCHID4中的兩個器件匹配信號MATCHID1和MATCHID4使能為邏輯高電平。這里，多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中的第一器件匹配信號MATCHID1和第四器件匹配信號MATCHID4被使能為邏輯高電平的事實表明，多個半導體器件M0<1:4>中的第一半導體器件M0<1>和第四半導體器件M0<4>被選中而其他的半導體器件對0<2>和M0<3>未被選中。此外，碼比較模塊220響應于被使能的復位信號RESET，將多個器件匹配信號 MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4使能為邏輯高電平。因此，在這種狀態(tài)下，即使器件選擇碼IDSEL<0:N>未被施加給碼比較模塊220且碼比較模塊220沒有執(zhí)行比較操作， 多個半導體器件對0<1:4>仍都被選中。多個半導體器件對0<1:4>響應于復位信號RESET，通過安裝在每個半導體器件內(nèi)部的熔絲組分別產(chǎn)生ID檢測碼IDFU<0>、IDFU<1>、IDFU<3>和IDFU<4> ；以及當施加的器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3或MATCHID4被使能且用于指示是否要進入操作控制模式的操作控制使能信號0PERATI0N_C0N被使能時，多個半導體器件M0<1:4>執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。此夕卜，當施加的器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4被禁止且操作控制使能信號0PERATI0N_C0N被禁止時，多個半導體器件M0<1:4>不執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。由于多個半導體器件M0<1:4>是根據(jù)相應的器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、 MATCHID3和MATCHID4而被確定執(zhí)行預定的內(nèi)部操作的，因此在操作控制模式下，多個半導體器件M0<1:4>中的通過碼比較模塊220的操作而被選中的半導體器件就執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。相反，在操作控制模式下，多個半導體器件M0<1:4>中通過碼比較模塊220的操作而未被選中的半導體器件不執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。這里，半導體器件的預定的內(nèi)部操作可以是對用于切斷安裝在半導體器件內(nèi)部的電熔絲(e-fuse)的熔絲切斷操作進行控制的操作。電熔絲切斷操作是一種廣泛用來即使在半導體器件被封裝后也能夠?qū)ζ骷娜劢z進行控制的方法?？梢詧?zhí)行電熔絲切斷操作， 以改變半導體器件的內(nèi)部操作設置或者執(zhí)行修復操作。既然電熔絲切斷操作是一種已知的技術，這里就不作詳細描述。此外，半導體器件的預定內(nèi)部操作也可以是對安裝在半導體器件內(nèi)部的模式寄存器組(MRS)的設置操作進行控制的操作。模式寄存器組(MRS)的設置操作作為一種根據(jù)半導體器件的設計者的意愿來預先設置半導體器件的內(nèi)部操作的方法，廣泛應用于半導體器件領域。由于這種設置操作也是已知的技術，因此這里不作詳細描述。圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體系統(tǒng)的框圖。參見圖3，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體系統(tǒng)包括多個半導體器件 310<1:4>和用于共同地控制所述多個半導體器件310<1:4>的半導體控制器。當半導體系統(tǒng)進入ID讀取模式時(未示出)，多個半導體器件310<1:4>向半導體控制器輸出預定的多個 ID 檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N>。另外，多個半導體器件310<1:4>在它們進入器件選擇模式(未示出)時，將器件選擇碼IDSEL<0:N>與ID檢測碼IDFUKO:N>, IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的每個相比較，以便產(chǎn)生比較結果。另外，當半導體系統(tǒng)進入操作控制模式(未示出)時，多個半導體器件310<1:4>基于比較結果來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。半導體控制器在半導體系統(tǒng)進入ID讀取模式時接收并儲存多個 ID 檢測碼 IDFUKO:N>, IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N>,并在半導體系統(tǒng)進入器件選擇模式時將ID檢測碼IDFUKON>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和 IDFU4<0:N>中的任一個碼輸出作為器件選擇碼IDSEL<0:N>。這里，在半導體組件中包括多個半導體器件310<1:4>，且所述半導體組件還包括多個輸入/輸出引腳360<1>、360<2>、360<3>和360<4>，所述多個輸入/輸出引腳360<1>、 360<2>、360<3>和360<4>將分別從多個半導體器件310<1 4>輸出的多個ID檢測碼 IDFUKO:N>, IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>傳送至半導體控制器，并將從半導體控制器傳送的器件選擇碼IDSEL<0:N>傳送至多個半導體器件310<1:4>。這里，半導體控制器包括IDFU儲存模塊380和器件選擇碼(IDSEL)輸出模塊 390。IDFU儲存模塊380響應于ID輸出使能信號IDREAD_EN，將分別從半導體組件內(nèi)的多個半導體器件310<1:4>中傳送的多個ID檢測碼IDFUKON>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和 IDFU4<0 N>儲存起來。IDSEL輸出模塊390響應于器件選擇使能信號CHIPSEL_EN，基于預定的選擇標準來選擇儲存在IDFU儲存模塊380內(nèi)的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、 IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的任一個碼，并將選中的碼作為器件選擇碼IDSEL<0:N>傳送至半導體器件310<1:4>。此外，半導體控制器包括多個輸入/輸出引腳370<1:4>，所述多個輸入/輸出引腳370<1:4>用于向半導體組件傳送/從半導體組件接收多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、 IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 以及器件選擇碼 IDSEL<0:N>。這里，多個輸入/輸出引腳360<1:4>與多個半導體器件310<1:4>具有一對一的對應關系。換言之，多個半導體器件310<1 4>中的第一半導體器件310<1>經(jīng)由多個輸入/ 輸出引腳360<1:4>中的第一輸入/輸出引腳310<1>接收/輸出數(shù)據(jù)，而第二半導體器件 310<2>經(jīng)由第二輸入/輸出引腳310<2>接收/輸出數(shù)據(jù)。這里，雖然圖3示出了半導體組件中包括有四個半導體器件310<1 4>的情形，但是本示例性實施例是為了簡便的目的而描述的，在半導體組件中可以包括少于或多于四個的半導體器件。下面描述包括多個半導體器件310<1:4>的半導體系統(tǒng)和用于共同地控制所述多個半導體器件310<1:4>的半導體控制器的操作。首先，多個半導體器件310<1:4>分別輸出通過安裝在每個半導體器件上的熔絲組所產(chǎn)生的多個 ID 檢測碼 IDFUKO:N>, IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N>。更具體地，響應于ID輸出使能信號IDREAD_EN，向半導體控制器輸出多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、 IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>，其中所述ID輸出使能信號IDREAD_EN是指示是否要進入ID讀取模式的信號。此外，多個半導體器件310<1:4>將從半導體控制器施加的一個器件選擇碼 IDSEL<0:N> 與多個 ID 檢測碼 IDFUKO:N>, IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N> 進行比較以便產(chǎn)生比較結果，基于比較結果并響應于作為指示是否要進入器件選擇模式的信號的器件選擇使能信號CHIPSEL_EN來確定是否將多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、 MATCHID3和MATCHID4(未示出)使能，以及響應于用來指示是否要進入操作控制模式的操作控制使能信號0PERATI0N_C0N和器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和 MATCHID4，來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
簡而言之，多個半導體器件310<1:4>的操作根據(jù)ID輸出使能信號IDREAD_EN、器件選擇使能信號CHIPSEL_EN和操作控制使能信號0PERATI0N_C0N分為三種模式。具體而言，在與ID輸出使能信號IDREAD_EN相對應的ID讀取模式中，多個ID檢測碼IDFUKO N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>被傳送至半導體控制器，以將多個半導體器件310<1:4>彼此區(qū)分開來。通過這種操作，半導體控制器可以識別在半導體組件內(nèi)部的每個半導體器件。在與器件選擇使能信號CHIPSEL_EN相對應的器件選擇模式中，執(zhí)行選擇多個半導體器件310<1:4>中的半導體器件的操作。換言之，如果在半導體器件310<1:4>中存在有缺陷或有需要改變操作設置的半導體器件，則選擇該半導體器件以修復缺陷或改變操作設置。因此，基于半導體控制器已知的多個ID檢測碼IDFUKO N>、IDFU2<0 N>、IDFU3<0 N>和IDFU4<0 N>,從多個半導體器件 310<1:4>中選擇要執(zhí)行預定內(nèi)部操作的半導體器件。這里，如果在多個半導體器件310<1:4>中有缺陷或需要改變操作設置的半導體器件的數(shù)目多于1個，則可以同時選擇這些有缺陷或需要改變操作設置的半導體器件，并使它們執(zhí)行修復缺陷或改變操作設置的操作。因此，通過反復地執(zhí)行半導體選擇模式的操作，可以從多個半導體器件310<1:4>之中選擇多于一個的半導體器件。此外，可以一次改變所有的半導體器件310<1:4>的操作設置。在此情況下，重復與多個半導體器件310<1:4>的數(shù)目相同次數(shù)的半導體選擇模式的操作是非常沒有效率的。因此，可以在所有的半導體器件310<1:4>均被選中的情況下執(zhí)行器件選擇模式的操作。換言之，當多個半導體器件310<1:4>中有缺陷或需要改變操作設置的半導體器件的數(shù)目不多于半導體器件310<1:4>的總數(shù)目的一半(1/2)的時候，每當重復半導體器件選擇模式的操作時，就可以進行控制以將多個半導體器件310<1:4>中被選中的半導體器件的數(shù)目逐一地增加。當多個半導體器件310<1:4>中有缺陷或需要改變操作設置的半導體器件的數(shù)目多于半導體器件310<1:4>的總數(shù)目的一半(1/2)的時候，每當重復半導體器件選擇模式的操作時，就可以進行控制以將多個半導體器件310<1:4>中未被選中的半導體器件的數(shù)目逐一地增加。在與操作控制使能信號0PERATI0N_C0N相對應的操作控制模式中，通過器件選擇模式從多個半導體器件310<1:4>中選擇的半導體器件直接執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。因此，只有多個半導體器件310<1:4>中被選中的半導體器件直接執(zhí)行預定的內(nèi)部操作，而其余的半導體器件不執(zhí)行內(nèi)部操作。在由ID輸出使能信號IDREAD_EN所控制的ID讀取模式中，半導體控制器儲存分別從半導體組件內(nèi)所包含的多個半導體器件中輸出的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、 IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N> ；而在與器件選擇模式信號CHIPSEL_EN相對應的器件選擇模式中，半導體控制器將多個ID檢測碼IDFUKO N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和 IDFU4<0:N>中的任一個碼作為器件選擇碼IDSEL<0:N>傳送至多個半導體器件310<1:4>。當半導體系統(tǒng)進入ID讀取模式時，半導體控制器通過對多個ID檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的所有ID檢測碼進行儲存的操作， 來將多個半導體器件310<1:4>彼此區(qū)分開來。
如果存在有缺陷或需要改變操作設置的半導體器件，則半導體控制器輸出與該半導體器件相對應的ID檢測碼作為器件選擇碼IDSEL<0:N>。這樣，從多個半導體器件 310<1:4>中選擇任一個半導體器件。此外，如果存在有缺陷或需要改變操作設置的多個半導體器件，則半導體控制器順序地輸出與所述多個半導體器件相對應的多個ID檢測碼作為器件選擇碼IDSEL<0:N>。 這樣，從多個半導體器件310<1 4>之中選擇多個半導體器件。在此，半導體器件的預定的內(nèi)部操作可以是對用于切斷安裝在半導體器件內(nèi)部的電熔絲(e-fuse)的電熔絲切斷操作進行控制的操作。可以執(zhí)行電熔絲切斷操作，以改變半導體器件的內(nèi)部操作設置或者執(zhí)行修復操作。由于電熔絲切斷操作是已知的技術，因此這里不作詳細描述。此外，預定的內(nèi)部操作可以是對安裝在半導體器件內(nèi)部的模式寄存器組(MRS)的設置操作進行控制的操作。模式寄存器組(MRS)的設置操作作為一種根據(jù)半導體器件的設計者的意愿來預先設置半導體器件的內(nèi)部操作的方法，廣泛應用于半導體器件領域。由于此設置操作也是已知的技術，因此這里不作詳細描述。圖7A是描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體控制器的操作的流程圖。圖7B是描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導體器件的操作的流程圖。參見圖3、7A和7B，對包括多個半導體器件310<1:4>的半導體系統(tǒng)和用于共同地控制多個半導體器件310<1:4>的半導體控制器進行操作的方法包括以下步驟在半導體系統(tǒng)進入ID讀取模式(步驟711)之后，在多個半導體器件310<1:4>中的每個中執(zhí)行激活(ACT)-讀取(RD)-預充電(PCG)操作(步驟712或者72 ，然后儲存分別與半導體控制器中的多個半導體器件310<1:4>相對應的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、 IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N> ；在半導體系統(tǒng)進入器件選擇模式(步驟714或者724)之后， 在多個半導體器件310<1:4>中的每個中執(zhí)行激活(ACT)-寫入(WT)-預充電(PCG)操作 (步驟715)，并通過將儲存在半導體控制器中的多個ID檢測碼IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、 IDFU3<0:N>和IDFU4<0:N>中的任一個碼作為器件選擇碼IDSEL<0:N>傳送至多個半導體器件310<1 4>，來從多個半導體器件310<1 4>中選擇任一個半導體器件；以及在半導體系統(tǒng)進入操作控制模式(步驟717或728)之后，對選中的半導體器件進行控制以執(zhí)行預定的內(nèi)部操作(步驟718)。上述操作半導體系統(tǒng)的方法還可以包括以下步驟響應于復位信號RESET，通過安裝在多個半導體器件310<1:4>中的每個上的熔絲組來產(chǎn)生多個器件標識檢測碼 IDFU1<0:N>、IDFU2<0:N>、IDFU3<0:N> 和 IDFU4<0:N>。從多個半導體器件310<1:4>中選擇任一個半導體器件的過程包括步驟726，其中，具有與器件選擇碼IDSEL<0:N>相同的器件標識檢測碼的半導體器件將在內(nèi)部產(chǎn)生的器件匹配信號MATCHID保持為使能狀態(tài)(例如，對應于‘1’的狀態(tài))；以及步驟727，其中， 多個半導體器件310<1:4>中具有與器件選擇碼IDSEL<0:N>不同的標識檢測碼的半導體器件將在內(nèi)部產(chǎn)生的器件匹配信號MATCHID轉(zhuǎn)變?yōu)榻範顟B(tài)(例如，對應于‘0’的狀態(tài))。在半導體系統(tǒng)進入操作控制模式之后對選中的半導體器件進行控制以執(zhí)行預定的內(nèi)部操作的過程(步驟718)包括以下步驟在半導體系統(tǒng)進入操作控制模式(步驟728) 之后，執(zhí)行由與多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中被使能的信號(例如，對應于‘ 1’的信號)相對應的半導體器件310<1>、310<2>、310<3>或310<4>所預定的內(nèi)部操作(步驟730)；以及在半導體系統(tǒng)進入操作控制模式(步驟728)之后，不執(zhí)行由與多個器件匹配信號MATCHID1、MATCHID2、MATCHID3和MATCHID4中被禁止的信號(例如，對應于‘0，的信號)相對應的半導體器件310<1>、310<2>、310<3>或310<4>所預定的內(nèi)部操作(即，步驟7 處的‘否’路徑)。根據(jù)如上所述的本發(fā)明的一個示例性實施例，包括多個半導體器件的半導體組件即使在其制造之后，也可以基于用來識別半導體器件的半導體器件ID信息來選擇至少一個半導體器件，并且執(zhí)行由選中的半導體器件所預定的內(nèi)部操作，例如，電熔絲操作控制或存儲寄存器設置操作。以此方式，即使在包括多個半導體器件的半導體組件制造好之后，也可以選擇和控制有缺陷的半導體器件。因此，可以節(jié)省在半導體組件的制造過程中由于一些半導體器件的缺陷可能浪費的制造成本。雖然已經(jīng)參照具體的實施例描述了本發(fā)明，但是對于本領域技術人員而言明顯的是，在不脫離所附權利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進行各種變化與修改。例如，在本發(fā)明的上述實施例中示出的邏輯門和晶體管可以根據(jù)輸入信號的極性而被實施在不同的位置和/或?qū)嵤榫哂胁煌慕Y構。
權利要求
1.一種半導體器件，包括器件標識檢測碼輸出模塊，所述器件標識檢測碼輸出模塊被配置為向所述半導體器件的外部輸出器件標識檢測碼；碼比較模塊，所述碼比較模塊被配置為將從外部施加的器件選擇碼與所述器件標識檢測碼進行比較，并基于比較結果來產(chǎn)生器件匹配信號；以及內(nèi)部電路模塊，所述內(nèi)部電路模塊被配置為基于所述器件匹配信號來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述器件標識檢測碼輸出模塊包括器件標識檢測碼發(fā)生單元，所述器件標識檢測碼發(fā)生單元被配置為產(chǎn)生所述器件標識檢測碼；以及器件標識檢測碼驅(qū)動單元，所述器件標識檢測碼驅(qū)動單元被配置為響應于器件標識輸出使能信號來將所述器件標識檢測碼驅(qū)動至全局輸入/輸出線，并經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤將向外部輸出所述器件標識檢測碼。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述器件標識檢測碼是響應于復位信號而由所述半導體器件的熔絲組而確定的。
4.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述器件標識輸出使能信號指示所述半導體器件是否要進入標識ID讀取模式。
5.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述碼比較模塊包括比較單元，所述比較單元被配置為將經(jīng)由所述數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤而從外部施加的所述器件選擇碼與所述器件標識檢測碼進行比較；器件匹配信號輸出單元，所述器件匹配信號輸出單元被配置為響應于器件選擇使能信號而將從所述比較單元輸出的信號輸出作為所述器件匹配信號；以及強制使能單元，所述強制使能單元被配置為不論所述比較單元的輸出信號如何，都響應于所述復位信號而將所述器件匹配信號使能。
6.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述器件選擇使能信號指示所述半導體器件是否要進入器件選擇模式。
7.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述碼比較模塊響應于所述器件選擇使能信號，將經(jīng)由所述預定的數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤而從外部施加的所述器件選擇碼與所述器件標識檢測碼進行比較，當所述器件選擇碼與所述器件標識檢測碼相同時，將所述器件匹配信號使能，并將被使能了的器件匹配信號輸出，當所述器件選擇碼與所述器件標識檢測碼不同時，將所述器件匹配信號禁止，并將被禁止了的器件匹配信號輸出，以及不論所述器件選擇碼是否與所述器件標識檢測碼相同，都響應于所述復位信號而將所述器件匹配信號使能，并將被使能了的器件匹配信號輸出。
8.如權利要求7所述的半導體器件，其中，所述內(nèi)部電路模塊當所述器件匹配信號被使能時，響應于用來指示所述半導體器件是否要進入操作控制模式的操作控制使能信號，來執(zhí)行預定的內(nèi)部操作，以及當所述器件匹配信號被禁止時，不論所述操作控制使能信號如何，都不執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作。
9.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述預定的內(nèi)部操作是對用于切斷所述半導體器件中的電熔絲的電熔絲切斷操作進行控制的操作。
10.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述預定的內(nèi)部操作是對用于設置所述半導體器件中的模式寄存器組MRS的設置操作進行控制的操作。
11.一種半導體組件，包括器件標識檢測碼輸出模塊，所述器件標識檢測碼輸出模塊被配置為向所述半導體組件的外部輸出多個器件標識檢測碼；碼比較模塊，所述碼比較模塊被配置為將從外部施加的器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并基于比較結果產(chǎn)生多個器件匹配信號；以及與各個器件標識檢測碼相對應的多個半導體器件，所述多個半導體器件被配置為響應于所述多個器件匹配信號來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
12.如權利要求11所述的半導體組件，其中，當所述半導體組件進入標識ID讀取模式時，所述器件標識檢測碼輸出模塊輸出所述多個器件標識檢測碼。
13.如權利要求11所述的半導體組件，其中，當所述半導體組件進入器件選擇模式時， 所述碼比較模塊將所述器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并產(chǎn)生所述多個器件匹配信號。
14.如權利要求11所述的半導體組件，其中，當所述半導體組件進入操作控制模式時， 所述多個半導體器件確定是否要執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作。
15.如權利要求12所述的半導體組件，其中，所述器件標識檢測碼輸出模塊在器件標識輸出使能信號的使能期間，將響應于復位信號而分別在所述多個半導體器件中產(chǎn)生的所述多個器件標識檢測碼經(jīng)由多個輸入/輸出引腳輸出至所述半導體組件的外部，其中所述器件標識輸出使能信號是指示是否要進入ID讀取模式的信號，以及在所述器件標識輸出使能信號的禁止期間中，不輸出所述多個器件標識檢測碼。
16.如權利要求15所述的半導體組件，其中，所述碼比較模塊將經(jīng)由所述多個輸入/輸出引腳中的至少一個引腳而從所述半導體組件的外部施加的所述器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，以產(chǎn)生比較結果，將所述器件選擇碼與相應的器件標識檢測碼相同的情況下的所述器件匹配信號中的每個使能，而將所述器件選擇碼與相應的器件標識檢測碼不同的情況下的所述器件匹配信號中的每個禁止，并將所述器件匹配信號中的每個輸出至所述多個半導體器件之一，以及不論比較結果如何，都響應于所述復位信號，而將所述多個器件匹配信號中的所有器件匹配信號使能，并將被使能了的器件匹配信號輸出至所述多個半導體器件。
17.如權利要求13所述的半導體組件，其中，所述碼比較模塊響應于器件選擇使能信號而產(chǎn)生所述多個器件匹配信號，其中所述器件選擇使能信號是指示是否要進入器件選擇模式的信號。
18.如權利要求14所述的半導體組件，其中，所述多個半導體器件中的每個響應于所述復位信號，通過熔絲組來產(chǎn)生所述器件標識檢測碼，當所施加的器件匹配信號被使能時，響應于操作控制使能信號，來執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作，其中所述操作控制使能信號是指示是否要進入操作控制模式的信號，以及當所施加的所述器件匹配信號被禁止時，不論所述操作控制使能信號如何，都不執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作。
19.一種半導體系統(tǒng)，包括多個半導體器件，所述多個半導體器件被配置為分別輸出多個預定的器件標識檢測碼，將器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并基于比較結果來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作；以及控制器，所述控制器被配置為將所述多個器件標識檢測碼中的至少一個碼傳送至所述多個半導體器件作為所述器件選擇碼。
20.如權利要求19所述的半導體系統(tǒng)，其中，所述多個半導體器件響應于器件標識輸出使能信號，將通過每個半導體器件中的熔絲組產(chǎn)生的多個器件標識檢測碼輸出至所述控制器，響應于器件選擇使能信號，將從所述控制器施加的所述器件選擇碼與所述多個器件標識檢測碼中的每個進行比較，并基于比較結果來確定是否要將多個器件匹配信號使能，以及響應于操作控制使能信號和所述多個器件匹配信號，來確定是否要執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作。
21.如權利要求20所述的半導體系統(tǒng)，其中，所述器件標識輸出使能信號是指示所述系統(tǒng)是否要進入標識ID讀取模式的信號。
22.如權利要求21所述的半導體系統(tǒng)，其中，所述器件選擇使能信號是指示系統(tǒng)是否要進入器件選擇模式的信號。
23.如權利要求22所述的半導體系統(tǒng)，其中，所述操作控制使能信號指示所述系統(tǒng)是否要進入操作控制模式。
24.如權利要求20所述的半導體系統(tǒng)，其中，所述半導體控制器包括器件標識檢測碼儲存模塊，所述器件標識檢測碼儲存模塊被配置為響應于所述器件標識輸出使能信號，儲存分別從所述多個半導體器件施加的所述多個器件標識檢測碼；以及器件選擇碼輸出模塊，所述器件選擇碼輸出模塊配置為基于選擇標準而從儲存在器件標識檢測碼儲存模塊中的所述多個器件標識檢測碼中選擇至少一個碼，并響應于所述器件選擇使能信號而將所選中的所述器件標識檢測碼作為所述器件選擇碼傳送至所述多個半導體器件。
25.一種用于對包括多個半導體器件和所述多個半導體器件的控制器的系統(tǒng)進行操作的方法，包括以下步驟當所述系統(tǒng)進入標識ID讀取模式時，儲存分別與所述多個半導體器件相對應的多個器件標識檢測碼；當所述系統(tǒng)進入器件選擇模式時，通過將儲存在所述控制器中的所述多個器件標識檢測碼中的至少一個碼作為器件選擇碼傳送至所述多個半導體器件，來選擇所述多個半導體器件中的至少一個；以及當所述系統(tǒng)進入操作控制模式時，對選中的所述半導體器件進行控制以執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
26.如權利要求25所述的方法，還包括以下步驟響應于復位信號，通過所述多個半導體器件的相應的熔絲組來產(chǎn)生所述多個器件標識檢測碼。
27.如權利要求26所述的方法，其中，選擇所述多個半導體器件中的至少一個的步驟包括以下步驟將具有與所述器件選擇碼相同的器件標識檢測碼的半導體器件的器件匹配信號使能；以及將具有與所述器件選擇碼不同的器件標識檢測碼的半導體器件的器件匹配信號禁止。
28.如權利要求沈所述的方法，其中，在選擇所述多個半導體器件中的至少一個的步驟中，當所述系統(tǒng)進入操作控制模式時，所述多個半導體器件的所有的所述器件匹配信號都響應于所述復位信號而被使能，并且所述多個半導體器件執(zhí)行所述預定的內(nèi)部操作。
29.如權利要求27所述的方法，其中，當所述系統(tǒng)進入操作控制模式時對選中的所述半導體器件進行控制來執(zhí)行預定的內(nèi)部操作的所述步驟包括以下步驟在所述系統(tǒng)進入所述操作控制模式之后，在與所述多個器件匹配信號中被使能的信號相對應的半導體器件中執(zhí)行預定的內(nèi)部操作；以及在所述系統(tǒng)進入所述操作控制模式之后，在與所述多個器件匹配信號中被禁止的信號相對應的半導體器件中不執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體器件，包括器件標識檢測碼輸出模塊，其被配置當半導體器件進入標識(ID)讀取模式時，向半導體器件的外部輸出器件標識檢測碼；碼比較模塊，其被配置為當半導體器件進入器件選擇模式時，將從外部施加的器件選擇碼與器件標識檢測碼進行比較，并基于比較結果來產(chǎn)生器件匹配信號；以及內(nèi)部電路模塊，其被配置為當半導體器件進入操作控制模式時，基于器件匹配信號來確定是否要執(zhí)行預定的內(nèi)部操作。
文檔編號G11C7/12GK102314930SQ20101054178
公開日2012年1月11日 申請日期2010年11月12日 優(yōu)先權日2010年7月6日
發(fā)明者劉正宅 申請人:海力士半導體有限公司