專利名稱：或非門型快取存儲器與其過抹除驗證與修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種或非門型快取存儲器(NOR type stack flash)與其過抹除 (over-erased)驗證與修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
或非門型快取存儲器的設(shè)計包括一抹除(erase)操作，用以將所有存儲單元的內(nèi)容清成同樣值。然而，在抹除操作下，可能會發(fā)生有些存儲單元被過抹除(over-erased)，導(dǎo)致該些存儲單元內(nèi)的晶體管(如M0S)的臨界電壓(threshold voltage)過低，容易產(chǎn)生漏電流(leakage)。為了解決上述漏電流問題，需要對上述過抹除問題做出相應(yīng)處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種或非門型快取存儲器與其過抹除驗證與修復(fù)方法。該方法對該或非門型快取存儲器上一扇區(qū)逐行分別施行一過抹除行驗證，并對無法通過該過抹除行驗證的行進(jìn)行一過抹除行修復(fù)。此外，該方法更對無法通過該過抹除行修復(fù)通過該過抹除行驗證的行逐位分別施行一過抹除位驗證，并對無法通過該過抹除位驗證的位進(jìn)行一過抹除位修復(fù)。本發(fā)明實施例的或非門型快取存儲器與其過抹除驗證與修復(fù)方法，可以解決過抹除產(chǎn)生的漏電流問題。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中圖1為圖解或非門型快取存儲器(NOR type stack flash)內(nèi)一存儲單元陣列的一種實施方式；圖2為以流程圖揭露本發(fā)明或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法的一種實施方式，其中針對一扇區(qū)的過抹除驗證與修復(fù)作說明；圖3為以一流程圖揭露以“位”為對象的過抹除驗證與修復(fù)的一種實施方式，所揭露的流程300可用來實現(xiàn)圖2的步驟S220 ；以及圖4為圖解本發(fā)明或非門型快取存儲器的一種實施方式。附圖標(biāo)號100 存儲器單元陣列400 或非門型快取存儲器；402 控制器；BLl. ·· BLM 位線；S202. . . S220 扇區(qū)的過抹除驗證與修復(fù)的多個步驟；
S302. . . S316 關(guān)于步驟S220-以目前“測試行”的“位”為對象的過抹除驗證與修復(fù)-的一種實施方式的多個步驟；WLl. · .WLN 字元線。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖示，詳細(xì)說明如下。圖1為圖解或非門型快取存儲器(NOR type stack flash)內(nèi)一存儲單元陣列(對應(yīng)一扇區(qū)(sector))的一種實施方式，標(biāo)號為100。在抹除(erase)操作中，可能會有過抹除(over-erased)問題發(fā)生。舉例說明之，以第一行的存儲單元(數(shù)據(jù)線BLl所連結(jié)的該等存儲單元)為例，若抹除過程中，發(fā)現(xiàn)第一行的某些存儲單元較不易抹除，則會持續(xù)對第一行內(nèi)所有的存儲單元進(jìn)行抹除，直至第一行上所有存儲單元都確實被抹除為止。然而，這樣的操作縱然可以將不易抹除的存儲單元也確實抹除，卻可能會導(dǎo)致第一行內(nèi)的其它存儲單元被過抹除(over-erased)。過抹除的一種現(xiàn)象是該存儲單元的晶體管(如M0S)的臨界電壓(threshold voltage)會被壓得很低，導(dǎo)致漏電流。關(guān)于上述過抹除問題，本發(fā)明提出適當(dāng)?shù)慕鉀Q方法，其中涉及“過抹除行驗證”、 “過抹除行修復(fù)”、“過抹除位驗證”以及“過抹除位修復(fù)”技術(shù)。以下分別敘述之。關(guān)于“過抹除行驗證”，其驗證對象是一整行的存儲單元。此技術(shù)所得到的驗證結(jié)果是該行是否有任何存儲單元有過抹除問題。必須注意的是，過抹除行驗證并不一定能精確指出該行是哪一存儲單元出了問題。所述過抹除行驗證技術(shù)可由本技術(shù)領(lǐng)域所發(fā)展的任何以“行(column) ”為驗證單位的過抹除驗證技術(shù)實現(xiàn)。關(guān)于“過抹除行修復(fù)”，是對一整行的存儲單元統(tǒng)一作一次過抹除修復(fù)操作，且非對該行的存儲單元分別作修復(fù)。所述過抹除行修復(fù)技術(shù)可由本技術(shù)領(lǐng)域所發(fā)展的任何以 “行(column)，，為修復(fù)單位的過抹除修復(fù)技術(shù)實現(xiàn)。關(guān)于“過抹除位驗證”，其驗證對象為單一個存儲單元(位)或單一組存儲單元 (位組)，所得到的驗證結(jié)果是該位/位組的存儲單元是否有過抹除問題。所述過抹除位驗證技術(shù)可由本技術(shù)領(lǐng)域所發(fā)展的任何以“位(bit)”或“位組(byte)”為驗證單位的過抹除驗證技術(shù)實現(xiàn)。以下為了方便討論，皆以“位”討論之。需要聲明的是，以下關(guān)于“位”的討論，都更包括“位組”的例子。關(guān)于“過抹除位修復(fù)”，是對單一個存儲單元(位)或單一組存儲單元(位組)作過抹除修復(fù)操作。所述過抹除位修復(fù)技術(shù)可由本技術(shù)領(lǐng)域所發(fā)展的任何以“位(bit)”或 “位組(byte)”為修復(fù)單位的過抹除修復(fù)技術(shù)實現(xiàn)。同樣地，以下為了方便討論，皆以“位” 討論之。需要聲明的是，以下關(guān)于“位”的討論，都更包括“位組”的例子。此外，關(guān)于上述“過抹除行修復(fù)”與“過抹除位修復(fù)”，其目的皆包括提升所修復(fù)的該行存儲器單元或該存儲器單元內(nèi)的晶體管(如M0S)的臨界電壓，以避免漏電流發(fā)生。關(guān)于上述提升晶體管臨界電壓的技術(shù)，通常稱為“軟編程(soft program或稱post program) ”。對整行存儲單元統(tǒng)一操作者稱為“行軟編程”，可用于所述“過抹除行修復(fù)”中。 對各個位操作者稱為“位軟編程”，可用于所述“過抹除位修復(fù)”中。此段敘述本發(fā)明所揭露的或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法的一種實施方式。該方法對一或非門型快取存儲器上一扇區(qū)(sector，可對應(yīng)前述存儲單元陣列 100)逐行(for each column)分別施行上述“過抹除行驗證”，并對無法通過“過抹除行驗證”的行進(jìn)行上述“過抹除行修復(fù)”。此外，該方法更對無法通過該“過抹除行修復(fù)”通過該 “過抹除行驗證”的行逐位(for each bit or byte)分別施行上述“過抹除位驗證”，并對無法通過該“過抹除位驗證”的位進(jìn)行上述“過抹除位修復(fù)”。此驗證與修復(fù)方法，無須如傳統(tǒng)技術(shù)般，為了確保扇區(qū)內(nèi)的每一個存儲單元都無過抹除問題，而對扇區(qū)內(nèi)的每一個存儲單元都作驗證動作。事實上，本發(fā)明的驗證與修復(fù)方法是先以“行”為驗證與修復(fù)單位處理過抹除問題，只有無法由“過抹除行修復(fù)”補(bǔ)救的行，才需要對其中每個位進(jìn)行過抹除驗證與修復(fù)。本發(fā)明所揭露的方法可以較短的時間以及較少的操作完成一個扇區(qū)的過抹除驗證與修復(fù)。以圖1所揭露的存儲單元矩陣100為例，本發(fā)明所揭露技術(shù)自其中選擇一行存儲單元-例如，位線BLl所連結(jié)的第一行存儲單元-作為一“測試行”的初始設(shè)定。接著，對該“測試行(第一行)”執(zhí)行上述“過抹除行驗證”。再來，判斷該“測試行(第一行)”是否通過上述“過抹除行驗證”。若該“測試行(第一行)”通過該“過抹除行驗證”，則自該扇區(qū) (存儲單元陣列100)選擇未驗證過的行-例如，位線BL2所連結(jié)的第二行存儲單元-更新 “測試行”，并回到上述對“測試行”執(zhí)行“過抹除行驗證”的步驟，以切換成對第二行的存儲單元作“過抹除行驗證”?；蛘?，若前述判斷顯示該“測試行(第一行)”并未通過“過抹除行驗證”，則對該“測試行(第一行)”進(jìn)行“過抹除行修復(fù)”。若該“測試行(第一行)”無法通過該“過抹除行修復(fù)”通過“過抹除行驗證”，則對該“測試行(第一行)，，的多個位分別施行上述“過抹除位驗證”，并對無法通過該“過抹除位驗證”的位進(jìn)行上述“過抹除位修復(fù)”;此外，若“該測試行(第一行)，，中沒有位無法通過該“過抹除位修復(fù)”通過“過抹除位驗證”，則自該扇區(qū)(存儲單元陣列100)選擇未驗證過的行-例如，位線BL2所連結(jié)的第二行存儲單元-更新“測試行”，并回到上述對“測試行”執(zhí)行“過抹除行驗證”的步驟，以切換成對第二行的存儲單元作“過抹除行驗證”。某些實施方式更考慮該“測試行(第一行)”中有位無法通過該“過抹除位修復(fù)”通過“過抹除位驗證”的狀況，其中，會發(fā)出“失敗信息”顯示所執(zhí)行的或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法失敗。圖2為以流程圖揭露本發(fā)明或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法的一種實施方式，其中針對一扇區(qū)的過抹除驗證與修復(fù)作說明。步驟S202用于對“測試行”作初始設(shè)定(如前述，自存儲單元陣列100中選擇一行作為“測試行”)、并且將“行測試循環(huán)數(shù)”歸零。步驟S204對該“測試行”執(zhí)行“過抹除行驗證”。步驟S206判斷該“測試行”是否通過“過抹除行驗證”。若步驟S206判定該“測試行”無法通過“過抹除行驗證”，則流程進(jìn)入“過抹除行修復(fù)”(包括圖2步驟S208、S212、 S214、S204與S206所組成的循環(huán))。此段討論所述“過抹除行修復(fù)”。首先，執(zhí)行步驟S208，判斷“行測試循環(huán)數(shù)”是否達(dá)一第一上限(可由使用者依照需求設(shè)定)。在步驟S208判斷“行測試循環(huán)數(shù)”未達(dá)該第一上限的狀況下，執(zhí)行步驟S212，對該“測試行”進(jìn)行“行軟編程”。接著，執(zhí)行步驟S214，將 “行測試循環(huán)數(shù)”加1。再來，回到步驟S204，對經(jīng)“行軟編程”處理過的“測試行”再次施行 “過抹除行驗證”，并以步驟S206判斷目前的“測試行”是否通過“過抹除行驗證”。若步驟 S206顯示經(jīng)“行軟編程”處理過的“測試行”已可通過“過抹除行驗證”，則執(zhí)行步驟S216，判斷該扇區(qū)內(nèi)是否還有未驗證過的行，并執(zhí)行步驟S218，自未驗證過的行中擇一更新“測試行”、并歸零“行測試循環(huán)數(shù)”。接著，流程會回到步驟S204，以對更新過的“測試行”另外施行“過抹除行驗證”以及后續(xù)動作。然而，若經(jīng)“行軟編程”作用的“測試行”仍無法通過“過抹除行驗證”(由步驟S206判斷)，則如圖2流程圖所示，步驟S208再次被執(zhí)行，判斷目前的“行測試循環(huán)數(shù)”是否達(dá)到該第一上限，以決定施行步驟S212、或轉(zhuǎn)而施行步驟S210。關(guān)于步驟S210，是在步驟S208判斷該“行測試循環(huán)數(shù)”達(dá)該第一上限后實施。若步驟S208判斷出該“行測試循環(huán)數(shù)”達(dá)到該第一上限，所揭露的方法會判定該“測試行”無法通過“過抹除行修復(fù)”通過“過抹除行驗證”。流程進(jìn)入步驟S210，對該“測試行”逐位作“過抹除位驗證”，并對無法通過“過抹除位驗證”的位進(jìn)行“過抹除位修正”。某些實施方式更如圖2流程，于步驟S210后更執(zhí)行一步驟S220，判斷該“測試行”所有位可否全數(shù)成功通過“過抹除位驗證”。若皆可成功，則流程進(jìn)入步驟S216。若無法全數(shù)成功，則發(fā)出失敗信息，顯示所施行的或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法失敗。此段對照圖1的存儲單元陣列，說明圖2步驟S220-以“位”為對象的過抹除驗證與修復(fù)-的一種實施方式。假設(shè)目前“測試行”為“第一行(與位線BLl相連的該行存儲單元)”。若該“測試行(第一行)”需要更以“位”為對象進(jìn)行過抹除驗證與修復(fù)，可自該“測試行(第一行)，，中選擇一位(例如，由字元線WLl所控制的該存儲單元，即第一行第一列的存儲單元)作為一“測試位”的初始設(shè)定，并對該“測試位(第一行第一列的存儲單元)” 作“過抹除位驗證”，且判斷該“測試位(第一行第一列的存儲單元)，，是否通過該“過抹除位驗證”。若該“測試位(第一行第一列的存儲單元)”通過該“過抹除位驗證”，則自“該測試行(第一行)，，選擇一個未驗證過的位-例如，由字元線WL2所控制的該存儲單元，即第一行第二列的存儲單元-更新“測試位”，并回到上述對“測試位”執(zhí)行“過抹除位驗證”的步驟，以切換成對第一行第二列的存儲單元作“過抹除位驗證”?；蛘?，若該“測試位(第一行第一列的存儲單元)，，并未能通過該“過抹除位驗證”，則對該“測試位(第一行第一列的存儲單元)”進(jìn)行“過抹除位修復(fù)”。倘若該“測試位(第一行第一列的存儲單元)”無法通過該“過抹除位修復(fù)”通過“過抹除位驗證”，則發(fā)出失敗信息顯示所施行的或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法失敗。圖3為以一流程圖揭露以“位”為對象的過抹除驗證與修復(fù)的一種實施方式。流程300可用來實現(xiàn)圖2的步驟S220。步驟S302用于對“測試位”作初始設(shè)定(如前述，自目前“測試行”中選擇一位作為“測試位”)、并且將“位測試循環(huán)數(shù)”歸零。步驟S304對該“測試位”執(zhí)行“過抹除位驗證”。步驟S306判斷該“測試位”是否通過該“過抹除位驗證”。若步驟S306判定該“測試位”無法通過該“過抹除位驗證”，則流程進(jìn)入“過抹除位修復(fù)”(包括圖3步驟S308、S310、 S312、S304與S306所組成的循環(huán))。此段討論所述“過抹除位修復(fù)”。首先，執(zhí)行步驟S308，判斷“位測試循環(huán)數(shù)”是否達(dá)一第二上限(可由使用者依照需求設(shè)定)。在“位測試循環(huán)數(shù)”未達(dá)該第二上限的狀況下，執(zhí)行步驟S310，對該“測試位”進(jìn)行“位軟編程”。接著，執(zhí)行步驟S312，將“位測試循環(huán)數(shù)”加1。再來，回到步驟S304，對經(jīng)“位軟編程”處理過的“測試位”再次施行“過抹除位驗證”，并以步驟S306判斷目前的“測試位”是否通過“過抹除位驗證”。若步驟S306顯示經(jīng) “位軟編程”處理過的“測試位”已可通過“過抹除位驗證”，則執(zhí)行步驟S314，判斷目前“測試行”內(nèi)是否還有未驗證過的位，并執(zhí)行步驟S316，自未驗證過的位中擇一更新“測試位”、 并歸零“位測試循環(huán)數(shù)”。接著，流程會回到步驟S304，以對更新過的“測試位”另外施行“過抹除位驗證”以及后續(xù)動作。然而，若經(jīng)“位軟編程”作用的“測試位”仍無法通過“過抹除位驗證”(由步驟S306判斷)，則如圖3流程圖所示，步驟S308再次被執(zhí)行，判斷目前的“位測試循環(huán)數(shù)”是否達(dá)到該第二上限。若“位測試循環(huán)數(shù)”未達(dá)該第二上限，則施行步驟S310， 繼續(xù)所述“過抹除位修復(fù)”。若“位測試循環(huán)數(shù)”已達(dá)該第二上限，則代表“測試位”無法通過“過抹除位修復(fù)”通過“過抹除位驗證”，所揭露方法將發(fā)布失敗信息。圖4為圖解本發(fā)明或非門型快取存儲器的一種實施方式?；蚍情T型快取存儲器 400包括至少一扇區(qū)(該扇區(qū)可為圖1所示的存儲器單元陣列100)以及一控制器402?？刂破?02可實施前述的過抹除驗證與修復(fù)技術(shù)，包括對該存儲單元陣列100逐行分別施行上述“過抹除行驗證”，并對無法通過該“過抹除行驗證”的行進(jìn)行上述“過抹除行修復(fù)”，以及對于無法通過“過抹除行修復(fù)”通過“過抹除行驗證”的行，逐位分別施行上述“過抹除位驗證”，并對無法通過該“過抹除位驗證”的位進(jìn)行上述“過抹除位修復(fù)”。此外，該控制器402也可用于實現(xiàn)前述其他種過抹除驗證與修復(fù)技術(shù)。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法，其特征在于，包括對一或非門型快取存儲器上一扇區(qū)逐行分別施行一過抹除行驗證，并對無法通過所述過抹除行驗證的行進(jìn)行一過抹除行修復(fù)；以及對于無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證的行，逐位分別施行一過抹除位驗證，并對無法通過所述過抹除位驗證的位進(jìn)行一過抹除位修復(fù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包括自所述扇區(qū)中選擇一行存儲單元，作為一測試行的初始設(shè)定； 對所述測試行執(zhí)行所述過抹除行驗證； 判斷所述測試行是否通過所述過抹除行驗證；若所述測試行通過所述過抹除行驗證，則自所述扇區(qū)選擇未驗證過的行更新所述測試行，并回到上述對所述測試行執(zhí)行所述過抹除行驗證的步驟；并且若所述測試行未通過所述過抹除行驗證，則對所述測試行進(jìn)行所述過抹除行修復(fù)，其中若所述測試行無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證，則對所述測試行內(nèi)的多個位分別施行所述過抹除位驗證，并對無法通過所述過抹除位驗證的位進(jìn)行所述過抹除位修復(fù)；以及若所述測試行中沒有位無法通過所述過抹除位修復(fù)通過所述過抹除位驗證，則自所述扇區(qū)選擇未驗證過的行更新所述測試行，并回到上述對所述測試行執(zhí)行所述過抹除行驗證的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證的所述測試行中有位無法通過所述過抹除位修復(fù)通過所述過抹除位驗證，則發(fā)出失敗信息顯示所述或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法失敗。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法更包括將一行測試循環(huán)數(shù)的初始值設(shè)定為零，并且于施行所述過抹除行修復(fù)時執(zhí)行以下步驟判斷所述行測試循環(huán)數(shù)是否達(dá)一第一上限；于該行測試循環(huán)數(shù)達(dá)所述第一上限時，判定所述測試行無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證；以及于所述行測試循環(huán)數(shù)未達(dá)所述第一上限時，對所述測試行進(jìn)行一行軟編程，且將所述行測試循環(huán)數(shù)加1，并再次判斷所述測試行是否通過所述過抹除行驗證，其中若所述測試行得以通過所述行軟編程通過所述過抹除行驗證，則自所述扇區(qū)選擇未驗證過的行更新所述測試行、并歸零所述行測試循環(huán)數(shù)，以對更新過的所述測試行另外施行所述過抹除行驗證；并且若所述測試行無法通過所述行軟編程通過所述過抹除行驗證，則重新執(zhí)行所述判斷所述行測試循環(huán)數(shù)是否達(dá)所述第一上限的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法更包括自無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證的所述測試行的所述位中擇一， 作為一測試位的初始設(shè)定；對所述測試位作所述過抹除位驗證； 判斷所述測試位是否通過所述過抹除位驗證；若所述測試位通過所述過抹除位驗證，則自所述測試行選擇未驗證過的位更新所述測試位，并回到所述對所述測試位執(zhí)行所述過抹除位驗證的步驟；并且，若所述測試位未通過所述過抹除位驗證，則對所述測試位進(jìn)行所述過抹除位修復(fù)，其中若所述測試位無法通過所述過抹除位修復(fù)通過所述過抹除位驗證，則發(fā)出失敗信息顯示所述或非門型快取存儲器過抹除驗證與修復(fù)方法失敗。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，更包括于判定所述測試行無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證時將一位測試循環(huán)數(shù)的初始值設(shè)定為零，并且于施行所述過抹除位修復(fù)時執(zhí)行以下步驟判斷所述位測試循環(huán)數(shù)是否達(dá)一第二上限；于所述位測試循環(huán)數(shù)達(dá)所述第二上限時，判定所述測試位無法通過所述過抹除位修復(fù)通過所述過抹除行驗證；以及于所述位測試循環(huán)數(shù)未達(dá)所述第二上限時，對所述測試位進(jìn)行一位軟編程，且將所述位測試循環(huán)數(shù)加1，并再次判斷所述測試位是否通過所述過抹除行驗證，其中若所述測試位得以通過所述位軟編程通過所述過抹除位驗證，則自所述測試行選擇未驗證過的位更新所述測試位、并歸零所述位測試循環(huán)數(shù)，并回到對所述測試位執(zhí)行所述過抹除位驗證的步驟；并且若所述測試位無法通過所述位軟編程通過所述過抹除位驗證，則回到判斷所述位測試循環(huán)數(shù)是否達(dá)所述第二上限的步驟。
7.一種或非門型快取存儲器，其特征在于，包括至少一扇區(qū)，包括一存儲單元陣列；一控制器，用以對所述扇區(qū)的所述存儲單元陣列逐行分別施行一過抹除行驗證，并對無法通過所述過抹除行驗證的行進(jìn)行一過抹除行修復(fù)，以及對于無法通過所述過抹除行修復(fù)通過所述過抹除行驗證的行，逐位分別施行一過抹除位驗證，并對無法通過所述過抹除位驗證的位進(jìn)行一過抹除位修復(fù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種或非門型快取存儲器與其過抹除驗證與修復(fù)方法。該方法對該或非門型快取存儲器上一扇區(qū)逐行分別施行一過抹除行驗證，并對無法通過該過抹除行驗證的行進(jìn)行一過抹除行修復(fù)。此外，該方法更對無法通過該過抹除行修復(fù)通過該過抹除行驗證的行逐位分別施行一過抹除位驗證，并對無法通過該過抹除位驗證的位進(jìn)行一過抹除位修復(fù)。本發(fā)明實施例的或非門型快取存儲器與其過抹除驗證與修復(fù)方法，可以解決過抹除產(chǎn)生的漏電流問題。
文檔編號G11C16/06GK102568571SQ201010584149
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
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