專利名稱：信息存儲(chǔ)介質(zhì)、記錄再現(xiàn)設(shè)備和記錄再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下描述涉及信息存儲(chǔ)介質(zhì)，更具體地講，涉及一種多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備和記錄/再現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
為了實(shí)現(xiàn)高容量信息存儲(chǔ)介質(zhì)或者經(jīng)由有線網(wǎng)絡(luò)或無線網(wǎng)絡(luò)來發(fā)送信息，正在開發(fā)各種方法，諸如將數(shù)據(jù)記錄在高密度或者多層結(jié)構(gòu)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上。由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有多層結(jié)構(gòu)，因此，信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每層一般包括用于盤記錄/再現(xiàn)管理的區(qū)域。用于盤記錄/再現(xiàn)管理的區(qū)域的示例是光功率控制(OPC)區(qū)域。OPC區(qū)域是用于校準(zhǔn)功率的測(cè)試區(qū)域，并且用于找出用于將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上或者從信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的合適功率水平。由于執(zhí)行測(cè)試以找出最佳功率水平，因此高于正常記錄功率的功率可被應(yīng)用，因而可能損壞在相同半徑中的相鄰層的區(qū)域。此外，與OPC區(qū)域相鄰的層的區(qū)域(具體地講，沿光束行進(jìn)方向的下層)可能被損壞。這樣，多層結(jié)構(gòu)一般使用多個(gè) OPC區(qū)域。例如，藍(lán)光盤(BD)具有用于單層(SL)或雙層(DL)的多個(gè)OPC區(qū)域以及用于三層(TL)或四層OiL)盤的多個(gè)附加OPC區(qū)域。然而，隨著層的數(shù)量的增加，多層結(jié)構(gòu)引起OPC區(qū)域的數(shù)量也增加。因此，需要OPC 區(qū)域的有效管理。此外，一般通過多層結(jié)構(gòu)的每個(gè)層上的數(shù)據(jù)的高密度來實(shí)現(xiàn)高容量信息存儲(chǔ)介質(zhì)。由于高密度或多層結(jié)構(gòu)造成需要附加數(shù)據(jù)，所以根據(jù)傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的信息格式可能不有效。作為示例，當(dāng)前BD物理標(biāo)準(zhǔn)提供每層25GB的記錄密度的SL和DL兩種類型。如果使用每層具有30GB至40GB的記錄密度的TL或QL BD以實(shí)現(xiàn)高容量，則由于其高密度/ 多層結(jié)構(gòu)，需要將新的信息添加到傳統(tǒng)BD標(biāo)準(zhǔn)的信息格式。此外，如果未來開發(fā)了用于將數(shù)據(jù)記錄到SL/DL藍(lán)光盤和TL/QL藍(lán)光盤/從SL/DL藍(lán)光盤和TL/QL藍(lán)光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的設(shè)備，則必須識(shí)別根據(jù)TL/QL BD標(biāo)準(zhǔn)的信息格式和根據(jù)當(dāng)前BD標(biāo)準(zhǔn)的信息格式。例如，如果用于高密度/多層結(jié)構(gòu)的信息格式與現(xiàn)有的信息格式不同，則需要識(shí)別這些信息格式的方法。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供了一種能夠在固定范圍的容量?jī)?nèi)有效地將由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)而增加的區(qū)域分配到記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)和使用該信息存儲(chǔ)介質(zhì)的設(shè)備和方法。本發(fā)明還提供了一種用于根據(jù)盤的高密度/多層結(jié)構(gòu)有效管理信息格式的方法和設(shè)備。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種具有多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域的大小。有益效果根據(jù)本發(fā)明，通過在多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)上有效地分配增加的區(qū)域，可維持與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的兼容并可有效地分配區(qū)域。此外，可有效地管理高密度/多層盤的信息格式。最佳實(shí)施方案在一總體方面，提供了包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，其中，分配給上層的TDMA的大小大于分配給下層的TDMA的大小。TDMA的大小可被記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)中在另一方面，提供了一種用于將數(shù)據(jù)記錄在包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的設(shè)備，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，所述設(shè)備包括拾取器，被配置為發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；控制單元，被配置為控制拾取器將關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息記錄到所述至少一個(gè)記錄層的TDMA上，其中，分配給上層的TDMA的大小大于分配給下層的TDMA的大小。在另一方面，提供了一種用于從包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的設(shè)備，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，所述設(shè)備包括拾取器，被配置為發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；控制單元，被配置為控制拾取器從所述至少一個(gè)記錄層的TDMA讀取關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息，其中，分配給上層的TDMA的大小大于分配給下層的TDMA的大小。在另一方面，提供了一種用于將數(shù)據(jù)記錄在包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，所述方法包括如下步驟發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；將關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息記錄到所述至少一個(gè)記錄層的(TDMA)上，其中，分配給上層的TDMA的大小大于分配給下層的TDMA的大小。在另一方面，提供了一種用于從包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，所述方法包括如下步驟發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；從所述至少一個(gè)記錄層的TDMA讀取關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息，其中，分配給上層的TDMA的大小大于分配給下層的TDMA 的大小。通過以下的詳細(xì)描述、附圖和權(quán)利要求，其它特征和方面會(huì)是清楚的。


圖1是示出考慮到偏心距將多個(gè)光功率控制(OPC)區(qū)域分配到三層或更多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)的盤的布局的示例的示圖。圖2是示出可記錄藍(lán)光盤(BD-R)三層(TL)/四層^lL) (32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示圖。圖3是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示圖。圖4是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例的示圖。圖5是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例的示圖。圖6是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例的示圖。圖7是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示圖。圖8是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示圖。圖9是示出可重寫藍(lán)光盤(BD-RE) TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示圖。圖10是示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示圖。圖11是示出BD-R TL的內(nèi)圓周區(qū)的布局的示例的示圖。圖12是示出分配給可記錄/可重寫藍(lán)光盤(BD_R/RE)TL的數(shù)據(jù)區(qū)的備用區(qū)域的示例的示圖。圖13是示出分配給BD-R TL的備用區(qū)域的臨時(shí)盤(或缺陷)管理區(qū)域(TDMA)的布局的示例的示圖。圖14是示出BD-R QL的內(nèi)圓周區(qū)的布局的示例的示圖。圖15是示出分配給BD-R/RE QL的數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)域的示例的示圖。圖16是示出分配給BD-R QL的備用區(qū)域的TDMA的布局的示例的示圖。圖17是示出在圖11至圖13的布局中的TDMA訪問信息區(qū)域(AIA)的示例的示圖。圖18是示出在圖14至圖16的布局中的TDMA AIA的示例的示圖。圖19是示出臨時(shí)盤(或缺陷)管理結(jié)構(gòu)(TDMS)更新單元的示例的示圖。圖20是示出防止由臨時(shí)缺陷列表(TDFL)的大小引起的TDMA的早期損耗的示例的示圖。圖21是示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期損耗的示例的圖。圖22是示出可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，BD-RE盤)的盤定義結(jié)構(gòu)(DDS)格式和一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，BD-R盤)的臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)格式的示例的示圖。圖23是示出在圖22的示例中示出的只讀BD部分的示例的示圖。圖M是示出現(xiàn)有TDFL格式和提出的TDFL格式的示例的示圖。圖25是示出現(xiàn)有物理訪問控制(PAC)格式和提出的PAC格式的示例的示圖。圖沈是示出記錄/再現(xiàn)設(shè)備的示例的示圖。圖27是示出包括圖沈中示出的記錄/再現(xiàn)設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器的示例的示圖。圖28是示出記錄方法的示例的流程圖。圖四是示出再現(xiàn)方法的示例的流程圖。
具體實(shí)施例方式在諸如三層或更多層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，每層可具有朝向內(nèi)
6圓周且以不與處于相同半徑的相鄰層的光功率控制(OPC)區(qū)域重疊的方式分配的至少一個(gè)OPC區(qū)域。每層的OPC區(qū)域可在該層上具有至少一個(gè)相鄰緩沖區(qū)，并且對(duì)應(yīng)于層數(shù)的多個(gè) OPC區(qū)域中的某兩個(gè)OPC區(qū)域之間的一個(gè)OPC區(qū)域可在盤的相同半徑上具有相鄰緩沖區(qū)。根據(jù)盤標(biāo)準(zhǔn)，緩沖區(qū)可具有大于與層間偏心距對(duì)應(yīng)的物理區(qū)域的大小。例如，如果限定了必須以小于0. 1毫米半徑的層間偏心距的誤差來制造盤，則緩沖區(qū)可具有等于或大于0.1毫米半徑的大小。層間偏心距是指從標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)(例如，完成制造的盤的中心)到處于相同半徑的多個(gè)區(qū)域之間的半徑誤差。例如，如果限定了每個(gè)記錄層的數(shù)據(jù)區(qū)開始于M毫米半徑，則由于制造特性，數(shù)據(jù)區(qū)可能并不總是在精確的位置開始。此外，由于粘合多個(gè)記錄層來制造多層盤，因此在多層之間會(huì)存在誤差。因此，如果每個(gè)記錄層通常具有士0.05毫米的允許誤差并因此必須開始于 24. 0 士0. 05毫米半徑，則一個(gè)記錄層可具有開始于距離完成制造的盤的標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)23. 95毫米半徑的數(shù)據(jù)區(qū)，而另一記錄層可具有開始于05毫米半徑的數(shù)據(jù)區(qū)。在該示例中，記錄層之間的最大層間偏心距可以是0. 1毫米。由于層間偏心距，當(dāng)分配OPC區(qū)域時(shí)，必須考慮相鄰層之間的層間偏心距來分配緩沖區(qū)。具體地講，不能忽略光束沿光束的行進(jìn)方向?qū)ο聦拥挠绊?。圖1示出考慮到偏心距將光功率控制(OPC)區(qū)域分配到三層或更多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)的布局的示例的示圖。參照?qǐng)D1，信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括四個(gè)記錄層，諸如LO 10, Ll 20、L2 30和L3 40。光束入射在L3 40上。通常，多個(gè)OPC區(qū)域可排列在導(dǎo)入?yún)^(qū)上并且還可排列在導(dǎo)出區(qū)中。然而，在圖1中，多個(gè)OPC區(qū)域(諸如，OPCO 21、OPCl 22、0PC2 23和0PC3 24)排列在朝向內(nèi)圓周的導(dǎo)入?yún)^(qū)50上。在該示例中，OPCO 21排列在LO 10上，OPCl 22排列在Ll 20上， 0PC2 23排列在L2 30上，并且0PC3 24排列在L3 40上。排列在兩個(gè)相鄰層上的OPC區(qū)域以在徑向上彼此不重疊的方式被排列。例如，考慮到層間偏心距，作為兩個(gè)相鄰層的LO 10和Ll 20的OPCO 21和OPCl 22被排列為具有緩沖區(qū)0 11的間隙，使得它們?cè)趶较蛏喜幌嗷ブ丿B。相似地，考慮到層間偏心距，Ll 20和L2 30的OPCl 22和0PC2 23被排列為具有緩沖區(qū)1 12的間隙，使得它們?cè)趶较蛏喜幌嗷ブ丿B。此外，考慮到層間偏心距，L2 30和L3 40的0PC2 23和0PC3 24 被排列為具有緩沖區(qū)2 13的間隙，使得它們?cè)趶较蛏喜幌嗷ブ丿B。相鄰緩沖區(qū)排列在層(該層排列在具有OPC區(qū)域的兩個(gè)層之間)的OPC區(qū)域的內(nèi)側(cè)和外側(cè)上。例如，相鄰的緩沖區(qū)1 12和緩沖區(qū)2 13排列在L2 30(該L2 30排列在具有 OPCl 22的Ll 20與具有0PC3 24的L3 40之間)的0PC2 23的內(nèi)側(cè)和外側(cè)上。此外，相鄰的緩沖區(qū)0 11和緩沖區(qū)1 12排列在Ll 20 (該Ll 20排列在具有OPCO 21的LO 10與具有0PC2 23的L2 30之間)的OPCl 22的內(nèi)側(cè)和外側(cè)上。緩沖區(qū)可具有等于或大于與由盤標(biāo)準(zhǔn)限定的層間偏心距對(duì)應(yīng)的的物理區(qū)域的大小的大小。例如，如果盤應(yīng)被制造為使得相鄰層之間的層間偏心距的誤差在0.1毫米半徑以內(nèi)，則緩沖區(qū)可具有等于或大于0. 1毫米半徑的大小。在圖1中，數(shù)據(jù)區(qū)60開始于朝向內(nèi)圓周的導(dǎo)入?yún)^(qū)50結(jié)束的點(diǎn)。在圖1中，信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有逆光道路徑(OTP)。在圖1的示例中，光道路徑開始于LO 10的內(nèi)圓周并朝LO 10的外圓周繼續(xù)，以及開始于Ll 20的外圓周并朝Ll 20的內(nèi)圓周繼續(xù)。相似地，光道路徑開始于L2 30的內(nèi)圓周并朝L2 30的外圓周繼續(xù)，以及開始于L3 40的外圓周并朝L3 40的內(nèi)圓周繼續(xù)。在該示例中，使用每層的OPC區(qū)域的方向(即，OPC區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄方向) 與光道路徑的方向相反。例如，在LO 10上的光道路徑從內(nèi)圓周朝向外圓周，而使用OPCO 21的方向從外圓周朝向內(nèi)圓周。因此，在LO 10至L3 40上，可以以各種方式分配OPC區(qū)域。如果以與OPC區(qū)域在 LO 10和Ll 12上被分配的方式相同的方式在L2 30和L3 40上分配OPC區(qū)域，則可根據(jù)記
錄管理更加方便地使用盤。圖2至圖10示出可記錄藍(lán)光盤(BD-R)/可重寫藍(lán)光盤(BD-RE) 32GB/L或33GB/L 三層(TL)或四層OiL)的布局的示例。接近盤表面的層(即，U)被稱作上層，接近LO的層被稱作下層。與分配給上層的OPC區(qū)域處于相同的半徑的下層的區(qū)域都被保留。在圖2至圖10中，括號(hào)內(nèi)的數(shù)字表示區(qū)域的大小并且僅標(biāo)記在區(qū)域上作為描述。 區(qū)域的大小僅作為示例的目的并且不應(yīng)解釋為限制各種區(qū)域的大小。圖2示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。參照?qǐng)D2，OPCO 201、OPCl 202、0PC2 203 和 0PC3 204 分別排列在 LO 至 L3 上，并且考慮到層間偏心距排列緩沖區(qū)0 211、緩沖區(qū)1 212和緩沖區(qū)2 213，從而防止相鄰層的 OPC區(qū)域的重疊。與分配給上層的OPC區(qū)域處于相同的半徑的下層的區(qū)域?yàn)楸Ａ魠^(qū)域221、 222和223。例如，與分配給L3的0PC3 204處于相同的半徑的Ll和L2的區(qū)域223都被保留。在該示例中，在LO上的永久信息和控制數(shù)據(jù)(PIC)區(qū)域231是例外，這是因?yàn)榕c具有擺動(dòng)凹槽的區(qū)域不同，PIC區(qū)域231具有高頻調(diào)制(HFM)凹槽，并因此可忽略上層的OPC的影響。此外，為了管理信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)，分配了臨時(shí)盤(或缺陷)管理區(qū)域 (TDMA)(例如，TDMAO 241、TDMAl 242、TDMA2 243 和 TDMA3 244)、缺陷管理區(qū)域(DMA)、物理訪問控制(PAC)區(qū)域、驅(qū)動(dòng)區(qū)域和控制數(shù)據(jù)區(qū)。在圖2中，TDMAO 241至TDMA3 244分別被排列在LO至L3上，并以不妨礙分配給 LO至L3的OPCO 201至0PC3 204或使分配給LO至L3的OPCO 201至0PC3 204不重疊的方式被分配。即，TDMAO 241至TDMA3 244在OPCO 201的外側(cè)排列，其中，在OPCO 201至 0PC3 204中，所述OPCO 201被排列從內(nèi)圓周朝外圓周的最外側(cè)。在該示例中，由于TDMA被排列在單獨(dú)空間中而不受OPC區(qū)域的影響，所以可實(shí)現(xiàn)更加簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，并且當(dāng)使用OPC區(qū)域時(shí)可保證安全性。然而，導(dǎo)入?yún)^(qū)會(huì)需要高容量以單獨(dú)的排列TDMA。如果OPC區(qū)域、TDMA、DMA、PAC區(qū)域、驅(qū)動(dòng)區(qū)域和控制數(shù)據(jù)區(qū)被分配給22. 512毫米半徑，則可根據(jù)記錄線的密度和OPC區(qū)域、緩沖區(qū)域、TDMA和信息區(qū)(諸如為盤管理而分配的INFOl和INF02)的大小，來確定數(shù)據(jù)區(qū)域的開始。因此，數(shù)據(jù)區(qū)開始的半徑!·可被確定以滿足下面的等式。Ji X (r"2-y"2) = “ RUB的信道比特#" X 〃 y和r之間的RUB的#〃 X “光道間距〃 X"信道比特長(zhǎng)度〃。在該示例中，π = 3. 131592,y = PIC開始半徑，‘‘y和r之間的RUB的#"=擺動(dòng)凹槽的記錄單元塊(RUB)的數(shù)量。
可根據(jù)OPC區(qū)域、TDMA、緩沖區(qū)和信息區(qū)的大小來確定數(shù)據(jù)區(qū)的開始(RUB的數(shù)量也可被稱作大小)。在圖2中，相同層(即，L0)上OPCO 201的相鄰區(qū)域是不同區(qū)域。例如，朝向內(nèi)圓周的OPCO 201的相鄰區(qū)域?yàn)榫彌_區(qū)0 211，而朝向外圓周的相鄰區(qū)域?yàn)镮NF02。如在此描述，如果使用OPC區(qū)域的相鄰區(qū)域，例如，如果相鄰區(qū)域被用于存儲(chǔ)預(yù)定數(shù)據(jù)，則過多功率可被提供給OPC區(qū)域，因此，在測(cè)試過程中，在相同層上的OPC區(qū)域的相鄰區(qū)域可能被損壞。為了防止損壞，至少兩個(gè)光道(由于光道間距是0.32微米，因此所述至少兩個(gè)光道位于距離光束的中心0. 64微米)可用作緩沖區(qū)，并且基于行的密度，通過使用合適數(shù)量的RUB，緩沖區(qū)可形成在OPC區(qū)域的開始部分和/或結(jié)束部分，或者形成在OPC區(qū)域的相鄰區(qū)域。在32GB或33GB藍(lán)光盤(BD)中，由于光道在22. 5毫米和24. 5毫米之間的半徑中包括2. 6至2. 8RUB(1932X498信道比特)，因此至少六個(gè)RUB可用作緩沖區(qū)域。圖3示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。在圖3中，OPC區(qū)域的排列與圖2的OPC區(qū)域的排列相同，TDMA的排列與圖2的 TDMA的排列不同。在圖3中，與圖2的TDMA的排列不同的TDMA的排列被標(biāo)記陰影。盡管在圖2中TDMA被排列在與排列OPC區(qū)域的部分分離的部分中，但是在圖3中，每層的TDMA 跨過緩沖區(qū)域與該層的OPC區(qū)域相鄰排列。在該示例中，對(duì)應(yīng)于0PC2 203，保留區(qū)域222排列在下層(即，L1)，TDMA32 44排列在上層(即，L3)。以上排列可被實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)槿肷湓谏蠈拥墓馐鴷?huì)比影響上層更多地影響目標(biāo)層的下層。例如，如果對(duì)L2的0PC2 203執(zhí)行測(cè)試記錄，則用于測(cè)試記錄的光束會(huì)嚴(yán)重影響Li，而僅會(huì)輕微影響L3。因此，TDMA3 244可被排列在僅被輕微影響的L3上。這樣，導(dǎo)入?yún)^(qū)所需的容量可被減少。圖4示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例。除了 TDMA2 243和TDMA3 244的排列之夕卜，圖4的布局與圖3的布局相同。由于 LO具有散熱槽(heat sink)并且熱量沿一個(gè)方向傳遞，因此TDMAl 242排列在Ll的相應(yīng)區(qū)域(即，Ll的與LO的OPCO 201相應(yīng)的區(qū)域)上。然而，由于熱量在Ll至L3上沿兩個(gè)方向傳遞，因此TDMA2 243和TDMA3 M4不與OPCl 202和0PC2 203對(duì)應(yīng)地排列。圖5示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例。除了 TDMAO 241和TDMAl 242的排列之夕卜，圖5的布局與圖3的布局相同。也就是，為了與定義數(shù)據(jù)區(qū)域開始于盤的24. 0毫米半徑的傳統(tǒng)盤標(biāo)準(zhǔn)兼容，TDMAO 241的大小可被減小到IOM字節(jié)，TDMAl 242的大小可按照TDMAO 241所減小的大小而增加(例如， 增加到3072字節(jié))。圖5顯示了 32GB/L的示例，在32GB/L中，值β被增加到緩沖區(qū)域0 211、緩沖區(qū)域1 212和緩沖區(qū)域2 213。值β表示增加的RUB的數(shù)量。圖6示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例。除了由陰影區(qū)域指示的TDMA2 243和TDMA3 244的排列之外，圖6的布局與圖5 的布局相同。如在這里關(guān)于圖4所描述的，由于LO具有散熱槽并且熱量沿一個(gè)方向傳遞， 因此TDMAl 242被排列在Ll的相應(yīng)區(qū)域(S卩，Ll的與LO的OPCO 201相應(yīng)的區(qū)域)上。然而，由于熱量在Ll至L3上沿兩個(gè)方向傳遞，因此TDMA2 243和TDMA3 244不與OPCl 202 和0PC2 203對(duì)應(yīng)地排列。圖7示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。
由于圖7顯示的是TL盤，因此除了沒有排列L3之外，圖7的布局與圖3的布局相同。圖8示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。除了 TDMA2 243的排列之外，圖8的布局與圖7的布局相同。如在這里關(guān)于圖4 和圖6所描述的，由于LO具有散熱槽并且熱量沿一個(gè)方向傳遞，因此TDMAl 242排列在Ll 的相應(yīng)區(qū)域(即，Ll的與LO的OPCO 201相應(yīng)的區(qū)域)上。然而，由于熱量在Ll至L2上沿兩個(gè)方向傳遞，因此TDMA2 243不與OPCl 202對(duì)應(yīng)地排列。OPCl 202和0PC2 203的排列也與圖7中的OPCl 202和0PC2 203的排列不同。圖9示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。BD-R盤僅允許一次記錄并且不允許重寫，而BD-RE盤允許重寫。由于TDMA被用于臨時(shí)記錄用于管理BD-R盤的記錄和再現(xiàn)的信息，因此BD-RE盤不需要TDMA。因此，除了不排列TDMA區(qū)域以及PIC區(qū)域921排列在LO上并且還排列在Ll上之外，圖9的布局與圖2至圖6的布局類似。BD-RE雙層(DL)不具有緩沖區(qū)。盡管由于盤的特性，BD-RE盤不需要緩沖區(qū)，但是為了使用BD-R TL的結(jié)構(gòu)，BD-RE TL可將BD-R TL的緩沖區(qū)用作保留區(qū)域。圖 10 示出 BD-RE TL/QL(32GB/L 或 33GB/L)的布局的第二示例。除了 OPCO 90UOPCl 902、0PC2 903 和 0PC3 904 的排列之外，圖 10 的布局與圖 9
的布局相同。在圖2至圖10的以上布局中，每個(gè)區(qū)域的大小可改變。例如，在圖2至圖10中， OPC區(qū)域的大小是2048字節(jié)并且TDMA的大小通常也是2048字節(jié)，然而，區(qū)域的大小也可例
如基于盤的總?cè)萘慷淖?。如果一次寫信息存?chǔ)介質(zhì)的記錄層的數(shù)量增加，則需要大量的盤管理區(qū)域用于缺陷管理、邏輯覆寫(LOW)管理和信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄管理。由于一次寫和非重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，考慮到例如使用信息存儲(chǔ)介質(zhì)的次數(shù)，應(yīng)充分地分配盤管理區(qū)域。在此描述有效地利用多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)的盤管理區(qū)域的方法的示例。首先，按如下定義術(shù)語。LOW(邏輯覆寫)表示允許在寫一次信息存儲(chǔ)介質(zhì)上邏輯重寫的方法。例如，可使用線性替換方法(例如，缺陷管理方法)來啟用LOW。例如，為了將記錄在地址A處的數(shù)據(jù) A更新為數(shù)據(jù)A’，數(shù)據(jù)A’可被記錄在沒有記錄的區(qū)域的地址B。在該示例中，在地址A的數(shù)據(jù)A可以是缺陷。地址A與地址B之間的映射信息可被產(chǎn)生和管理，從而更新一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)。記錄管理表示將數(shù)據(jù)記錄在用戶區(qū)域上的方法，并且可包括不考慮使用順序而將數(shù)據(jù)記錄在期望的區(qū)域上的隨機(jī)記錄和將用戶區(qū)域劃分為一個(gè)或多個(gè)區(qū)域并順序地使用劃分的區(qū)域的順序記錄方法。TDMA (臨時(shí)盤(或缺陷)管理區(qū)域)表示用于記錄用于缺陷管理、LOW管理和記錄管理中的至少一個(gè)的信息的區(qū)域。TDMS (臨時(shí)盤(或缺陷)管理結(jié)構(gòu))包括用于缺陷管理的臨時(shí)缺陷列表(TDFL)和臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)。TDMS表示用于附加記錄管理的信息，并且可根據(jù)記錄方法包括順序記錄范圍信息(SRRI)和空間位圖(SBM)。
TDDS(臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu))表示用于管理用于盤管理的基本信息的信息，并且可包括指示TDFL的位置的TDFL指針、指示SRRI位置的SRRI指針、指示SBM的位置的SBM指針寸。TDFL(臨時(shí)缺陷列表)表示用于管理缺陷信息、缺陷引起的替換信息、LOff引起的替換信息等的信息。缺陷信息表示缺陷數(shù)據(jù)的位置，替換信息表示用于替換缺陷數(shù)據(jù)的替換數(shù)據(jù)的位置。SBM(空間位圖)表示用于管理整個(gè)盤或用戶區(qū)域的記錄狀態(tài)的信息，并且可以用于隨機(jī)記錄方法的記錄管理。例如，SBM通過將比特分配給從用戶區(qū)域劃分的每個(gè)扇區(qū)來表示數(shù)據(jù)是否被記錄在每個(gè)扇區(qū)上。例如，如果數(shù)據(jù)被記錄在扇區(qū)上，則可將比特值1分配給該扇區(qū)，如果數(shù)據(jù)沒有記錄在扇區(qū)上，則可將比特值0分配給該扇區(qū)。SRRI (順序記錄范圍信息)表示用于管理可記錄性狀態(tài)和從整個(gè)盤或用戶區(qū)域劃分的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)的記錄狀態(tài)的信息。SRRI可用于順序記錄方法的記錄管理。TDMS表示記錄在TDMA上的信息，并且可包括用于缺陷管理、LOff管理和記錄管理的多個(gè)信息項(xiàng)。如果TDMS的特定信息項(xiàng)被更新，則僅記錄更新的信息項(xiàng)可以比將TDMS的全部信息記錄在TDMA上更有效。在該示例中，TDMS更新單元可表示例如考慮到記錄更新信息的順序或位置而記錄全部或一部分TDMS的信息的單元。在圖11至圖13中示出盤布局的示例。圖11示出BD-R TL的內(nèi)圓周區(qū)的布局1100的示例。參照?qǐng)D11，TDMA0 1100,TDMAl 1120、TDMA2 1130 和 TDMA3 1140 被排列。在該示例中，排列在LO上的TDMAO 1100是2048字節(jié)，排列在Ll上的TDMAl 1120是4096字節(jié)， 排列在L2上的TDMA2 1130和TDMA3 1140分別為2048字節(jié)和4096字節(jié)并且它們的大小之和為6144字節(jié)。如在此描述的，例如，TDMA的大小可朝上層(即，L2)增加。如在此描述的，上層表示諸如接近L2(即，光束入射的層)的層的記錄層，下層表示遠(yuǎn)離上層的記錄層。圖11 的布局僅是示例，并且描述不限于此。如果TDMA的大小朝上層增加，可不將TDMA分配給下層。即，不是所有記錄層需要TDMA的分配。另外，雖然在圖11的布局中，2048字節(jié)的TDMAO 1110被分配給L0，但是TDMAO 1110可具有更小的大小或更大的大小。基于在此描述的各種原因，TDMA的大小朝上層(即，L2)增加。如關(guān)于圖2至圖10的上述描述，信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括多個(gè)記錄層。每個(gè)記錄層可包括OPC區(qū)域和考慮到層間偏心距而形成的緩沖區(qū)。此外，考慮到與根據(jù)傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的兼容性，可不改變數(shù)據(jù)區(qū)的開始位置(即，在根據(jù)傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)而分配的導(dǎo)入?yún)^(qū)的容量的范圍內(nèi))而分配TDMA。同時(shí)，入射在上層的光束會(huì)比影響上層更多地影響目標(biāo)層的下層。例如，如果對(duì)Ll的OPC執(zhí)行測(cè)試記錄，則用于測(cè)試記錄的光束會(huì)嚴(yán)重影響L0，而僅會(huì)輕微影響L2。因此，TDMA2 1130可被排列在僅被輕微影響的L2上。換言之，由于在導(dǎo)入?yún)^(qū)的固定容量?jī)?nèi)分配TDMA，因此當(dāng)對(duì)OPC區(qū)域執(zhí)行測(cè)試記錄時(shí)排列該OPC區(qū)域的預(yù)定記錄層的下層會(huì)被光束嚴(yán)重影響。因此，TDMA可不被排列在下層的相同半徑區(qū)域。此外，當(dāng)對(duì)OPC區(qū)域執(zhí)行測(cè)試記錄時(shí)排列該OPC區(qū)域的預(yù)定記錄層的上層可被輕微影響，所以TDMA可被排列在上層的相同半徑區(qū)域上。因此，較大的TDMA可被分配給上層。這樣，可減少用于分配TDMA的導(dǎo)入?yún)^(qū)的容量。此外，記錄在TDMA上的TDFL的最大大小可在每個(gè)層上為4個(gè)簇，并且如果盤被使用，則TDFL的大小可逐漸增加。這樣，在TL盤中，最大大小可以為12個(gè)簇，并因此上層可使用較大的TDMA。可以以從朝向內(nèi)圓周分配的TDMA至分配給數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA的順序使用TDMA?？梢砸韵聦又辽蠈右约把毓獾婪较虻捻樞蚴褂贸瘍?nèi)圓周分配的TDMA(或分配給數(shù)據(jù)區(qū)的 TDMA)。圖12示出分配給BD-R/RE TL的數(shù)據(jù)區(qū)的備用區(qū)域的示例。在該示例中，可分配內(nèi)備用區(qū)域(ISA)、中間備用區(qū)域(MSA)和外備用區(qū)域(OSA)。參照?qǐng)D12，ISA 1210 禾P MSAO 1220 排列在 LO 上，MSAl 1230 禾P MSA2 1240 排列在 Ll上，以及MSA3 1250和OSA 1260排列在L2上。在LO上的光道方向?yàn)閺腎SA 1210朝向 MSAO 1220，在Ll上的光道方向?yàn)閺腗SAl 1230朝向MSA2 1M0，在L2上的光道方向?yàn)閺?MSA3 1250 朝向 OSA 1260o在該示例中，ISA 1210具有2048或4096個(gè)簇的固定大小，MSAl 1230至MSA3 1250可具有可變但相同的大小，OSA 1260被分配給最上層上的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束部分，并且可具有可變的大小。當(dāng)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被初始化時(shí)，所有備用區(qū)域被分配。在BD-R盤中，沿光道方向使用備用區(qū)域。然而，在BD-RE盤中，沿與光道方向相反的方向使用備用區(qū)域，并且 OSA是可擴(kuò)展的。圖13示出分配給BD-R TL的備用區(qū)域的TDMA的布局的示例。參照?qǐng)D13，TDMA4 1310 排列在 ISA 1210 上，TDMA5 1320 排列在 MSAO 1220 上， TDMA7 1340 排列在 MSA2 1240 上，TDMA6 1330 排列在 MSAl 1230 上，TDMA8 1350 排列在 MSA3 1250 上，TMDA9 1360 排列在 OSA 1260 上。在該示例中，當(dāng)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被初始化時(shí)，具有可變大小的TDMA被分配給每個(gè)備用區(qū)域。分配給MSAO 1220至MSA31 250的TDMA可具有相同大小并且可沿光道方向被使用。此外，在用完朝向盤的內(nèi)圓周分配的TDMA之后，可沿光道方向順序地使用分配給盤的數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA。圖14示出BD-R QL的內(nèi)圓周區(qū)的布局的示例。參照?qǐng)D14，TDMA0 1410,TDMAl 1420、TDMA2 1430 和 TDMA3 1440 被排列。TDMA 的大小可朝向上層(即，L3)增加。TDFL的最大大小在每個(gè)層上為4個(gè)簇，并且如果盤被使用，則TDFL的大小逐漸增加。這樣，在QL盤中，最大大小可以為16個(gè)簇，并因此上層可使用較大TDMA?？梢匝貜某騼?nèi)圓周分配的TDMA至分配各數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA的順序使用TDMA。從下層至上層的順序并且沿光道方向使用朝向內(nèi)圓周分配的TDMA。圖15示出分配給BD-R/RE盤的數(shù)據(jù)區(qū)的備用區(qū)域的示例。參照?qǐng)D15，ISA 1510 禾口 MSAO 1520 排列在 LO 上，MSAl 1530 禾口 MSA2 1540 排列在 Ll 上，MSA3 1550 和 MSA4 1560 排列在 L2 上，MSA5 1570 和 0SA1580 排列在 L3 上。在該示例中，在LO上的光道方向?yàn)閺腎SA 1510朝向MSAO 1520，在Ll上的光道方向?yàn)閺腗SAl 1530朝向MSA2巧40，在L2上的光道方向?yàn)閺腗SA3 1550朝向MSA4 1560，L3上的光道方向?yàn)閺?MSA5 1570 朝向 OSA 1580。
12
在該示例中，ISA 1510具有2048字節(jié)或4096字節(jié)的固定大小，MSAl 1530至MSA5 1570可具有可變大小但可具有相同的大小，OSA 1580被分配給最上層上的數(shù)據(jù)區(qū)的結(jié)束部分，并且可具有可變的大小。當(dāng)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被初始化時(shí)，所有備用區(qū)域被分配。在BD-R 盤中，沿光道方向使用備用區(qū)域。然而，在BD-RE盤中，沿與光道方向相反的方向使用備用區(qū)域，并且OSA是可擴(kuò)展的。圖16示出分配給BD-R QL的備用區(qū)域的TDMA的布局的示例。參照?qǐng)D16，TDMA7 1610 排列在 ISA 1510 上，TDMA8 1620 排列在 MSAO 1520 上， TDMAlO 1640 排列在 MSA2 巧40 上，TDMA9 1630 排列在 MSAl 1530 上，TDMAll 1650 排列在 MSA3 1550 上，TDMA12 1660 排列在 MSA4 1560 上，TDMA13 1670 排列在 MSA5 1570 上， TDMA14 1680 排列在 OSA 1580 上。在該示例中，當(dāng)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被初始化時(shí)，具有可變大小的TDMA被分配給每個(gè)備用區(qū)域。分配給MSAO 1520至MSA5 1570的TDMA可具有相同大小，并且沿光道方向被使用。 此外，在用完朝向盤的內(nèi)圓周分配的TDMA之后，可沿光道方向順序地使用分配給盤的數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA。圖17和圖18示出分配給朝向多層信息存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)圓周排列的TDMAO的TDMA 訪問信息區(qū)域(AIA)的示例。圖17示出圖11至圖13的布局中的TDMA AIA 1700，圖18示出圖14至圖16的布局中的TDMA AIA 1800。朝向盤的LO的內(nèi)圓周分配TDMAO的初始簇并且所述TDMAO的初始簇被用作TDMA ΑΙΑ。在該示例中，與分配給整個(gè)盤的TDMA的數(shù)量對(duì)應(yīng)的數(shù)量的簇被分配給TDMA ΑΙΑ,每個(gè)簇與一個(gè)TDMA對(duì)應(yīng)，當(dāng)與簇對(duì)應(yīng)的TDMA被使用時(shí)，TDDS被記錄在TDMA AIA的簇上，并且記錄被重復(fù)例如32次以增加穩(wěn)定性。例如，如果TDMAO至TDMA9如圖11至圖13所示地被分配給盤，則如圖17中所示， 與TDMAl至TDMA9對(duì)應(yīng)的簇和與DMA對(duì)應(yīng)的簇被分配給TDMA AIA 1700。作為另一示例，如果TDMAO至TDMA14如圖14至圖16所示地被分配給盤，則如圖 18所示，與TDMAl至TDMA14對(duì)應(yīng)的簇和與DMA對(duì)應(yīng)的簇被分配給TDMA AIA 1800。在圖18 中，TDMAO 1410 的初始 15 個(gè)簇被用作 TDMA AIA 1800，當(dāng) TDMAO 1410 正被使用時(shí)TDMA AIA 1800是非記錄狀態(tài)，并且當(dāng)TDMAn被使用(η = 1,2,…，14)時(shí)，將在對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)的TDDS在TDMA AIA 1800的第(15-n+l)簇上重復(fù)地記錄例如32次。例如， 如果TDMAl被使用，則將在對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)的TDDS在TDMA AIA 1800的第15簇1810上重復(fù)地記錄32次。即，TDMA AIA 1800的非記錄狀態(tài)表示TDMAO 1410正被使用。因此，可基于 TDMA AIA 1800的簇的記錄狀態(tài)來確定當(dāng)前使用的TDMA，并且可基于記錄的TDDS信息來獲得TDMA的位置或部分信息。如果TDMA AIA 1800的第一簇1820被記錄，S卩，如果數(shù)據(jù)被記錄在與DMA對(duì)應(yīng)的簇上，則可確定盤被最終化。如果盤被最終化，則大部分最終TDMS信息被拷貝到DMA，但是，如有必要，TDDS中的TDFL的位置信息可被改變，其原因在于，表示分配給數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA的位置信息的信息被存儲(chǔ)在TDDS中。當(dāng)信息存儲(chǔ)介質(zhì)被最終化時(shí)，TDMA的TDFL被記錄在DMA 上，并因此可檢查DMA而不是TDMA。數(shù)據(jù)區(qū)的開始位置信息和結(jié)束位置信息可被存儲(chǔ)在盤上，如圖13和圖16中所示，分配給數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA可被分配給數(shù)據(jù)區(qū)的開始部分和結(jié)束部分，并且TDDS包括分配給數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA的大小信息。這樣，當(dāng)盤被載入驅(qū)動(dòng)器時(shí)，可基于TDMA AIA確定記錄了最近的TDDS的TDMA的位置在圖17和圖18中，TDMA被順序地使用，TDMA AIA沿與TDMAO被使用的方向相反的方向被使用。即，TDMAO沿光道方向被記錄，而TDMA AIA沿與光道方向相反的方向被使用。 例如，在圖17中，在TDMAO 1110中，與TDMA AIA 1700對(duì)應(yīng)的第10簇之后(即，與TDMAl 對(duì)應(yīng)的簇1710之后)的簇沿光道方向被使用。TDMA AIA 1700沿與光道方向相反的方向被使用，并因此從與TDMAl對(duì)應(yīng)的簇1710使用TDMA AIA 1700。將描述TDMS和TDMS更新的示例。如果RUB的大小為64KB，則TDMS和TDMS更新單元的大小的示例如下。-TDDS 大小=2KB = 1 個(gè)扇區(qū)-TDFL大小=最大4個(gè)簇/層(S卩，在TL結(jié)構(gòu)中最大12個(gè)簇，并在QL結(jié)構(gòu)中最大 16個(gè)簇)-SRRI大小=最大62KB =最大31扇區(qū)-SBMn大小=62KB = 31個(gè)扇區(qū)(n = 0，1，2，…，“記錄層的數(shù)量” _1)。當(dāng)盤正被使用時(shí)，TDFL和SRRI的大小可變化。然而，如果在最終化處理中記錄在DMA，則SRRI的大小被固定為31個(gè)扇區(qū)，TDFL的大小被固定為與BD-RE盤的缺陷列表 (TDMA)的大小(例如，12個(gè)簇)相同的大小。如果大小被固定，則剩余部分可由數(shù)據(jù)例如 OOh填充。如在此描述的，TDMS更新單元可包括TDFL、SRRI、SBM等。在圖19A至圖19D中示出TDMS更新單元的示例。圖19的(a)、(b)、(c)示出順序記錄模式的示例，圖19的(d)示出隨機(jī)記錄模式的示例。圖19的(a)示出TDMA更新單元包括TDFL和TDDS的結(jié)構(gòu)1910。在該示例中，TDMS 更新單元包括TDFL頭1911、N個(gè)扇區(qū)的TDFL 1912、1個(gè)扇區(qū)的TDDS 1913和設(shè)置為OOh的剩余部分1914。圖19的(b)示出TDMA更新單元包括SRRI和TDDS的結(jié)構(gòu)1920。在該示例中，TDMS 更新單元包括SRRI頭1921、M個(gè)扇區(qū)的SRRI 1922、1個(gè)扇區(qū)的TDDS 1923和設(shè)置為OOh的剩余部分1擬4。圖19的(c)示出TDMA更新單元包括TDFL、SRRI和TDDS的結(jié)構(gòu)1930。在該示例中，TDMS更新單元包括TDFL頭1931、N個(gè)扇區(qū)的TDFL 1932、SRRI頭1933、M個(gè)扇區(qū)的SRRI 1934、1個(gè)扇區(qū)的TDDS 1935和設(shè)置為OOh的剩余部分1936。圖19的(d)示出TDMS更新單元包括SBM和TDDS的結(jié)構(gòu)1940。在該示例中，TDMS 更新單元包括SBM頭1941、31個(gè)扇區(qū)的SBM 1942和1個(gè)扇區(qū)的TDDS 1943。將描述防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期損耗(early exhaustion)的方法。圖20示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期損耗的第一方法的示例。在第一方法中，如果包括TDFL的TDMS更新單元超過預(yù)定大小，則從TDMS更新單元排除TDFL，并且TDFL被記錄在單獨(dú)的空間中。例如，如果TDMS更新單元包括TDFL和 TDDS，則在TDMS更新單元超出預(yù)定大小(例如，一個(gè)簇)之前，如圖20A所示，包括TDFL 2010和TDDS 2020的TDMS更新單元2000被記錄。然而，如果TDFL的大小增加并且包括 TDFL的TDMS更新單元的大小超過預(yù)定大小，則如圖20B中所示，TDFL從TDMS更新單元分離并且僅將TDFL 2030記錄到單獨(dú)的空間中。在順序記錄模式中，如在此關(guān)于圖19所描述，可以以如下所示的三種格式記錄 TDMS更新單元。(a) TDFL+TDDS(b) SRRI+TDDS(c)TDFL+SRRI+TDDS在情況(a)和(c)中，如果包括TDFL的TDMS更新單元的大小被限定為1個(gè)簇但是其大小超過了一個(gè)簇，則TDFL被排除出TDMS更新單元并被作為單獨(dú)的簇記錄在盤上。在情況(b)中，由于TDMS更新單元不包括TDFL，所以不應(yīng)用以下描述。在隨機(jī)記錄模式中，TDMS更新單元在一個(gè)簇中以如下所示的形式包括記錄層的 SBM和TDDS的組合，并且TDFL作為單獨(dú)的簇被記錄在盤上。SBMn+TDDS如果是第一方法，則最近的TDDS通常具有最近的SRRI指針，最近的TDFL指針(對(duì)于每個(gè)TDFL簇的指針)和最近的SBMn指針。在TL/QL盤中，TDFL的最大大小可以是12/16個(gè)簇，并且如果盤被使用，則TDFL的大小通常增加。因此，在一些情況中，包括TDFL的TDMS更新單元的大小可超過一個(gè)簇。在這種情況下，TDFL作為單獨(dú)的簇被記錄在數(shù)據(jù)區(qū)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，包括具有記錄的TDFL的位置信息的最終TDDS的TDMS更新單元被記錄在TDMA上。例如，當(dāng)更新時(shí)，TDMA可僅使用一個(gè)簇。如果TDFL的大小增加并且無法被包括在一個(gè)簇的TDMS更新單元中，則TDFL被記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)并且包括最終TDDS (所述最終 TDDS具有記錄的TDFL的位置信息)的TDMS更新單元的一個(gè)簇被記錄在TDMA上。在該示例中，TDMS可被更新與TDMA中的簇的數(shù)量對(duì)應(yīng)的次數(shù)，并因此可通過分配最少數(shù)量的TDMA來延長(zhǎng)盤的使用時(shí)間。在上述示例中，為了便于解釋，TDMS更新單元的大小是一個(gè)簇，然而不限于此。例如，TDMS更新單元的最大大小可被概括為η(例如2、4、8、12等)個(gè)數(shù)量的簇。在該示例中， 如果包括TDFL的TDMS更新單元的大小超過η個(gè)簇，則TDFL作為單獨(dú)的簇被記錄在數(shù)據(jù)區(qū)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，并且包括TDDS (所述TDDS具有記錄的TDFL的位置信息)的TDMS更新單元被記錄在對(duì)應(yīng)的TDMA上。圖21示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期損耗的第二方法的示例。在第二方法中，將包括具有等于或小于特定大小(例如，η個(gè)簇)的TDMS更新單元照常地記錄在TDMA上。如果TDFL超過特定大小，則與特定大小對(duì)應(yīng)的TDFL的部分可被保持在盤的預(yù)定區(qū)域(例如，數(shù)據(jù)區(qū)、TDMA、盤管理區(qū)域等)上，并且在TDFL超出特定大小之后產(chǎn)生的TDMA條目(entries)形成為當(dāng)前TDFL，從而將包括當(dāng)前TDFL的TDMS更新單元記錄在TDMA上。在該示例中，在TDDS中存儲(chǔ)和管理保持的TDFL的位置信息和當(dāng)前TDFL的位置信息。參照?qǐng)D21的(a)，當(dāng)包括在TDMS更新單元2100中的TDFL的大小沒有超過η個(gè)簇時(shí)，TDFL 2110被包括在TDMS更新單元中并且與SRRI 2120和TDDS 2130—起被記錄。 然而，如果TDFL的大小超過η個(gè)簇，則如圖21Β中所示，與η個(gè)簇對(duì)應(yīng)的TDFL的部分作為 TDFL 2110被保持在單獨(dú)的空間中，除與η個(gè)簇對(duì)應(yīng)的部分之外的TDFL的剩余部分作為當(dāng)前TDFL 2140被包括在TDMS更新單元中。例如，在QL盤中，如果將被包括在TDMS更新單元中的TDFL的特定大小為8個(gè)簇， 則TDDS具有指示保持的TDFL的保持的TDFL指針(8個(gè)指針)和指示當(dāng)前TDFL的當(dāng)前TDFL 指針(8個(gè)指針)。在TDFL的大小超過8個(gè)簇之前，保持的TDFL指針可被設(shè)置為00h，當(dāng)前TDFL指針管理實(shí)際記錄在當(dāng)前TDFL中的簇的位置信息。在該示例中，如果TDFL的大小超過8個(gè)簇，則TDFL的初始8個(gè)簇被記錄并且保持在當(dāng)前使用的TDMA或數(shù)據(jù)區(qū)，或者被記錄并保持在單獨(dú)的盤管理信息區(qū)域(DMA，TDFL保持區(qū)域等)，保持的簇的位置信息由TDDS的保持的 TDFL指針管理。其它TDMA條目作為單獨(dú)的TDFL被包括在TDMS更新單元中，記錄在TDMA 上并且由當(dāng)前TDFL指針管理。如果當(dāng)前使用的TDMAm被完全使用，并因此TDMAm+1被使用，則保持的TDFL和當(dāng)前TDFL可被再配置。如果當(dāng)前TDFL的大小超過8個(gè)簇，則可使用保持的TDFL指針來管理當(dāng)前TDFL的初始8個(gè)簇，并可使用當(dāng)前TDFL指針來管理其它簇。即，不會(huì)每次TDFL改變時(shí)都改變保持的TDFL，而是可在特定時(shí)間點(diǎn)一次性全部更新保持的TDFL。例如，在使用保持的TDFL和當(dāng)前TDFL的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)TDFL改變時(shí)，保持的TDFL被保持而不被改變，僅當(dāng)前 TDFL被改變和被更新。僅在預(yù)定時(shí)間點(diǎn)，保持的TDFL被重新配置和改變。在以下情況中提供保持的TDFL被重新配置的情況的示例。作為示例，TDFL的TDMA條目包括狀態(tài)信息+缺陷地址+替換地址，并且根據(jù)特定標(biāo)準(zhǔn)(例如，狀態(tài)信息和缺陷地址)被分類和排列。在初始8個(gè)簇被保持之后產(chǎn)生的TDMA 條目(由于缺陷或LOW而附加地產(chǎn)生的條目)作為當(dāng)前TDFL而被管理，然后，如果將被使用的TDMA被改變并且保持的TDFL和當(dāng)前TDFL被組合，則可減少TDFL的大小。這是因?yàn)椋?如果當(dāng)TDMA條目存在時(shí)LOW發(fā)生，則由于保持的TDFL的TDMA條目是舊的，并且當(dāng)前TDFL 的TDMA條目是新的，所以舊的條目被新的條目或代替。例如，當(dāng)在保持的TDFL中存在表示數(shù)據(jù)A將被數(shù)據(jù)B代替的條目時(shí)，如果數(shù)據(jù)B 被數(shù)據(jù)C代替，則表示數(shù)據(jù)B被數(shù)據(jù)C代替的條目被存儲(chǔ)在當(dāng)前TDFL中。在該示例中，由于僅需要表示數(shù)據(jù)A被數(shù)據(jù)C代替的條目，所以如果保持的TDFL和當(dāng)前TDFL被重新配置， 則可節(jié)省TDFL的容量。因此，當(dāng)當(dāng)前使用的TDMA被完全使用，并因此下一 TDMA被使用時(shí)， 如果如上所述對(duì)保持的TDFL和當(dāng)前TDFL全部進(jìn)行一次性分類和重新配置，則可節(jié)省TDFL 的空間。因此，可通過分配最少數(shù)量的TDMA來有效地使用盤。如果每當(dāng)更新新的條目時(shí)立即更新保持的TDFL中的舊的條目，則由于保持的 TDFL的更新而無法有效使用TDMA。例如，如果TDFL的大小等于或大于9個(gè)簇且小于10個(gè)簇，LOW在與第一 TDMA條目的缺陷地址對(duì)應(yīng)的區(qū)域之前的區(qū)域中發(fā)生，則將產(chǎn)生TDMA條目。 在該示例中，由于TDMA條目的缺陷地址小于TDFL的現(xiàn)有第一 TDMA的缺陷地址，則TDMA條目將被分類為TDMA條目，現(xiàn)有第一 TDMA條目將被移位。在該示例中，TDFL的簇與現(xiàn)有TDFL 的簇不同，并且當(dāng)TDFL被更新時(shí)，所有簇(即，10個(gè)簇)應(yīng)被記錄在TDMA上。當(dāng)使用第二方法時(shí)，如下所述地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。如果從主機(jī)接收到數(shù)據(jù)再現(xiàn)命令，則初始地進(jìn)行檢查以確定在當(dāng)前TDFL的TDMA 條目中是否存在將被再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的物理扇區(qū)號(hào)(PSN)。如果在當(dāng)前TDFL中沒有這種TDMA 條目，則從保持的TDFL的TDMA條目中檢查替換。如果在保持的TDFL中存在這種TDMA條
16目，則存儲(chǔ)在保持的TDFL的TDMA條目中的替換地址的數(shù)據(jù)被再現(xiàn)?；蛘?，如果在保持的 TDFL中沒有這種TDMA條目，則再現(xiàn)PSN的數(shù)據(jù)。如果在當(dāng)前TDFL中存在這種TDMA條目， 則再現(xiàn)存儲(chǔ)在當(dāng)前的TDFL的TDMA條目中的替換地址的數(shù)據(jù)。在此描述對(duì)應(yīng)于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度/多層結(jié)構(gòu)而處理信息格式的方法的示例。在各種示例中，由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度/多層結(jié)構(gòu)而將被添加/改變的信息字段被添加/改變，并且可以與現(xiàn)有的信息格式的格式版本號(hào)不同地設(shè)置信息格式的格式版本號(hào)。此外，如果信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度/多層結(jié)構(gòu)而添加/改變現(xiàn)有的信息格式的信息字段，則可以以可解釋信息字段的含義的方式重新定義信息字段。一般來講，用于盤(或缺陷)管理的可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有盤定義結(jié)構(gòu)(DDS)、 缺陷列表(DFL)和PAC格式。在DDS格式中，由于高密度/多層信息結(jié)構(gòu)，備用區(qū)域分配信息、備用區(qū)域滿標(biāo)志、 PAC位置的狀態(tài)比特被包括，所以應(yīng)添加/修改或重新定義需要的信息字段。在DFL格式中，由于多層結(jié)構(gòu)，DFL格式的大小增加，因此應(yīng)使用例如改變格式版本的方法來識(shí)別具有改變的大小的DFL格式。在PAC格式中，由于高密度/多層結(jié)構(gòu)，表示分配給盤的每個(gè)區(qū)域(包括保留區(qū)域)是否可記錄/可再現(xiàn)的信息被包括，所以如果分配給盤的區(qū)域的大小、位置和使用被添加/改變，則信息字段必須被添加/修改或重新定義。圖22示出可重寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，BD-RE盤)的DDS格式和一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，BD-R盤)的TDDS格式的示例。參照?qǐng)D22，用于SL/DL的現(xiàn)有(T)DDS格式包括BD-RE/R共同部分2200和只讀BD 部分2300。BD-RE/R共同部分2200可共同應(yīng)用于BD-RE盤和BD-R盤，只讀BD部分2300 僅應(yīng)用于BD-R盤。在BD-RE盤中，只讀BD部分2300的所有字節(jié)被填充有OOh。參照?qǐng)D22的(a)，在該示例中，用于SL/DL的現(xiàn)有(T)DDS格式2210的BD-RE/R共同部分2200包括用于識(shí)別(T) DDS格式的(T) DDS標(biāo)識(shí)符字段2211、設(shè)置為00的(T) DDS格式號(hào)字段2212、ISAO大小字段2213、OSA大小字段2214、ISAl大小字段2215、備用區(qū)域滿標(biāo)志字段2216、保留的比特字段、預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志字段2217、保留的比特字段、在LO上的PAC 位置的狀態(tài)比特字段2218、在Ll上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2219和保留的比特字段。在該示例中，備用區(qū)域滿標(biāo)志2216表示包括在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的備用區(qū)域是否填滿了數(shù)據(jù)。預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志字段2217表示驅(qū)動(dòng)器是否將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的每個(gè)層的預(yù)寫區(qū)域上。在LO上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2218和在Ll上的PAC位置的狀態(tài)比特字段 2219表示包括在PAC區(qū)域中的每個(gè)塊或簇上所記錄的數(shù)據(jù)的狀態(tài)。例如，在LO上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2218和在Ll上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2219可表示包括在PAC區(qū)域中的每個(gè)塊或簇上所記錄的數(shù)據(jù)是有效還是無效。參照?qǐng)D22的(b)來描述用于TL/QL的(T)DDS格式的第一示例。用于TL/QL的(T) DDS格式2220的BD-RE/R共同部分2200包括用于識(shí)別(T) DDS格式的(T)DDS標(biāo)識(shí)符字段2221、設(shè)置為Olh的(T) DDS格式號(hào)字段2222、ISA大小字段2223、MSA大小字段2224、OSA大小字段2225、備用區(qū)域滿標(biāo)志字段22 、保留的比特字段、預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志字段2227、保留的比特字段、在LO上的PAC位置的狀態(tài)比特字段22 、在Ll上的 PAC位置的狀態(tài)比特字段22 、在L2上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2230和在L3上的PAC 位置的狀態(tài)比特字段2231。ISA是沿光道方向分配在最內(nèi)側(cè)的備用區(qū)域，并可以是例如圖12中示出的ISA 1210或圖15中示出的ISA 1510。OSA是沿光道方向分配在最外側(cè)的備用區(qū)域，并可以是例如圖12中示出的OSA 1260或圖15中示出的OSA 1580。MSA是分配在ISA與OSA之間的備用區(qū)域。在圖22的(b)中，為了從TL/QL(T)DDS識(shí)別現(xiàn)有的SL/DL(T)DDS，改變(T)DDS格式代碼。例如，(T)DDS格式代碼號(hào)可在SL/DL盤上被設(shè)置為00h(參見圖22的(a)中示出的(T)DDS格式號(hào)字段2212)，并且可在TL/QL盤上被設(shè)置為01h(參見圖22B中示出的(T) DDS格式號(hào)字段2222)。此外，現(xiàn)有的備用區(qū)域大小字段被重新定義，并且通過將MSA分配為具有相同大小來將MSA大小字段被表示為一個(gè)字段，即，MSA大小字段22M。在該示例中，MSA的數(shù)量在TL盤上是4個(gè)，在QL盤上是6個(gè)。在該示例中，由于備用區(qū)域的最大數(shù)量從4增加到8，所以備用區(qū)域滿標(biāo)志字段 2226被分配為8比特，由于預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志的數(shù)量根據(jù)層數(shù)從2增加到4，所以預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志字段2227被分配為4比特，對(duì)于在L2和L3上的PAC區(qū)域，重新分配在L2上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2230和在L3上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2231。如果使用如上所述的保留的比特來分配附加信息字段，則可以以新的格式保持現(xiàn)有格式的信息字段的字節(jié)(比特) 位置，格式的變化可被最小化，并因此記錄/再現(xiàn)設(shè)備的控制器可容易地管理盤。參照?qǐng)D22的(c)來描述用于TL/QL的(T)DDS格式的第二示例。用于TL/QL的(T)DDS格式的BD-RE/R共同部分2200包括用于識(shí)別(T)DDS格式的(T)DDS標(biāo)識(shí)符字段2241、設(shè)置為Olh的(T)DDS格式號(hào)字段2242、ISA大小字段2243、右 MSA(RMSA)大小字段2244、0SA大小字段2245、備用區(qū)域滿標(biāo)志字段2246、保留的比特字段、 預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志字段2247、保留的比特字段、左MSA(LMSA)大小字段2248、在LO上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2249、在Ll上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2250、在L2上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2251和在L3上的PAC位置的狀態(tài)比特字段2252。 除了通過將朝向盤的外圓周分配RMSA和朝向盤的內(nèi)圓周分配LMSA分配為具有不同大小(而不是將所有MSA分配為具有相同大小)來在分配備用區(qū)域時(shí)提供靈活性之外， 圖22的(c)與圖22的(b)相似。在圖22C中，使用保留的比特來添加LMSA大小字段2248。 在圖22的(a)和圖22的(b)中，使用三個(gè)字段表示備用區(qū)域的大小。然而，在圖22的(c) 中，使用四個(gè)字段表示備用區(qū)域的大小。即，一個(gè)備用區(qū)域大小字段被添加到現(xiàn)有的信息格式。這樣，可通過將朝向盤的外圓周的備用區(qū)域和朝向盤的內(nèi)圓周的備用區(qū)域分配為具有不同大小來將靈活性提供給分配備用區(qū)域。 雖然在圖22的(c)中未示出，但是LMSA大小字段2248可排列在OSA大小字段 2245之下，LMSA大小字段2248之后的其它字段可順序地排列在剩余字段上。在該示例中， 備用區(qū)域大小字段之后的字節(jié)位置被改變。
在此描述一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的TDDS格式的示例。用于盤管理和缺陷管理的一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括用于缺陷管理的DDS和TDMA 格式、用于臨時(shí)盤(或缺陷)管理的TDDS、TDFL、SRRI (或SBM)格式以及用于控制對(duì)于盤的物理區(qū)域的訪問的PAC格式。在TDDS格式中，由于高密度/多層結(jié)構(gòu)，備用區(qū)域分配信息、備用區(qū)域滿標(biāo)志、PAC 位置的狀態(tài)比特、數(shù)據(jù)區(qū)的TDMA分配信息、指示OPC區(qū)域的OPC指針、不一致標(biāo)志、預(yù)寫區(qū)域標(biāo)志、指示TDFL的TDFL指針、指示SBM的SBM指針、指示備用區(qū)域的SA指針被包括，所
以應(yīng)添加/改變或重新定義信息字段。圖23示出TDDS格式的一次寫信息存儲(chǔ)介質(zhì)的只讀BD部分的示例。圖23示出圖 22所示的只讀BD部分2300的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D23的(a)，在該示例中，用于SL/DL的現(xiàn)有(T)DDS格式2210的只讀BD部分2300包括用于SBM字段的不一致標(biāo)志2301、ISAO中的TDMA的大小字段2302、OSA中的 TDMA的大小字段2303、ISAl中的TDMA的大小字段2304、保留的比特字段、P_TZ0、P_TZ1字段2305、保留的比特字段、P_lstDFL-P_8thDFL字段2306、保留的比特字段、P_SRRI/P_SBM0 字段 2307、PSBMl 字段 2308、保留的字段、P_ISA0、P_0SA0、P_0SA1、P_ISA1 字段 2309 和保留的比特字段。參照?qǐng)D23的(b)，在該示例中，用于TL/QL的⑴DDS格式2220的只讀BD部分 2300包括用于SBM不一致標(biāo)志2311 比特)、ISA中的TDMA的大小字段2312、MSA中的TDMA的大小字段2313、OSA中的TDMA的大小字段2314、保留的比特字段、Ρ_ΤΖ0、Ρ_ TZl 字段 2315、Ρ_ΤΖ2、Ρ_ΤΖ3 字段 2316、保留的比特字段、P_lstDFL_P_8thDFL 字段 2317、 P_9stDFL-P_16thDFL 字段 2318、P_SRRI/P_SBM0 字段 2319、PSBMl 字段 2320、P_SBM2、P_ SBM3 字段 2321、P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA1、0PC2 字段 2322 和 P_MSA3、P_MSA4、P_MSA5、 P_0SA 字段 2323。在圖23的(b)中，以新的格式維持現(xiàn)有格式的信息字段的字節(jié)(比特)位置，使用現(xiàn)有的保留的比特來形成由于層的數(shù)量的增加而另外需要的字段。由于增加了 SBM2和SBM3，用于SBM的不一致標(biāo)記字段2311從2比特?cái)U(kuò)展到4比特。用于SBM的不一致標(biāo)記表示實(shí)際記錄在盤上的數(shù)據(jù)的記錄狀態(tài)是否與SBM信息一致。 由于在每次將數(shù)據(jù)記錄到盤上時(shí)更新SBM效率低，所以可基于盤的記錄狀態(tài)在特定時(shí)間點(diǎn)更新SBM。如果實(shí)際記錄狀態(tài)與SBM信息一致，則可設(shè)置一致標(biāo)記。如果沒有執(zhí)行更新，并因此實(shí)際記錄狀態(tài)與SBM信息不一致，則可設(shè)置不一致標(biāo)記。在圖23B中，將4個(gè)(用于TL)TDMA或6個(gè)(用于QL) TDMA分配給4個(gè)MSA或6 個(gè)MSA，以具有相同的大小。使用一個(gè)字段(即，MSA中的TDMA的大小字段2313)來定義 TDMA。P_TZn表示在Ln (n = 0,1,2,3)上排列的下一可用的測(cè)試區(qū)域(0PC區(qū)域)的物理扇區(qū)號(hào)。在圖2 中，使用保留的比特來添加用于TL/QL OPC區(qū)域的P_TZ2、Ρ_ΤΖ3字段 2316。P_nthDFL表示TDMA的第n(n = 1，2，…，16)簇的第一 PSN。在圖2Β中，使用保留的比特來添加由于TDFL的最大大小的增加而產(chǎn)生的P_9st-P_16thDFL字段2318。P_SBMn表示用于Ln(n = 0，1，2，3)的SBM的第一 PSN。每個(gè)層上存在一個(gè)SBM。在圖2!3B中，使用保留的比特來添加用于TL/QL SBM的P_SBM2、PSBM3字段2321。P_SRRI 表示SRRI的第一 PSN。P_ISA (0SA 或 MSAn)表示 ISA (0SA 或 MSAn (n = 0，1，2，3，4，5))的下一可用 PSN。 在圖2 中，由于備用區(qū)域的最大數(shù)量從4增加到8，所以重新定義用于分配給第一層(LO) 和第二層(Li)的4個(gè)備用區(qū)域的下一可用PSN的P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA0PC2字段 2322，并添加用于分配給第三層(L2)和第四層(L3)的4個(gè)備用區(qū)域的下一可用PSN的P_ MSA3、P_MSA4、P_MSA5、P_0SA 字段 2323。對(duì)于 TL 盤，P_MSA4 和 P_MSA5 的所有字節(jié)可被設(shè)置為00h。參照?qǐng)D23的(c)，在該示例中，用于TL/QL的⑴DDS格式2240的只讀BD部分 2300包括用于SBM字段的不一致標(biāo)志2331 (4比特)、ISA中的TDMA的大小字段2332、RMSA 中的TDMA的大小字段2333、LMSA中的TDMA的大小字段2334、OSA中的TDMA的大小字段 2335、保留的比特字段、P_TZ0、P_TZ1字段2336、Ρ_ΤΖ2、Ρ_ 73字段2337、保留的比特字段、 P_lsDFL-P_8thDFL 字段 2338、P_9stDFL_P_16thDFL 字段 2339、P_SRRI/P_SBM0 字段 2340、 PSBMl 字段 2341、P_SBM2、P_SBM3 字段 2342、P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA0PC2 字段 2343 和 P_MSA3、P_MSA4、P_MSA5、P_0SA 字段 2344。除了添加字段以單獨(dú)定義RMSA中的TDMA的大小的字段2333和LMSA中的TDMA 的大小的字段2334之外，圖23的(c)與圖23的(b)相似。S卩，雖然在圖23的(b)中，所有MSA中的TDMA具有相同大小并因此使用一個(gè)字段來表示，但是在圖23的(c)中，通過將朝向盤的外圓周的RMSA中的TDMA和朝向盤的內(nèi)圓周的LMSA中的TDMA分配為具有不同大小(而不是將在所有MSA中的TDMA分配為具有相同的大小)來在分配TDMA中提供靈活。沒有應(yīng)用于TL盤的與QL盤相關(guān)的信息字段的所有字節(jié)在TL盤中被設(shè)置為00h。在此描述TDFL格式的示例。在TDFL格式中，由于高密度/多層結(jié)構(gòu)，TDFL格式的最大大小增加，所以可使用例如改變格式版本的方法來識(shí)別具有改變的大小的TDFL格式。參照?qǐng)DM的(a)，在該示例中，用于SL/DL的現(xiàn)有的(T)DFL格式MlO包括用于識(shí)別(T)DFL的(T)DFL標(biāo)識(shí)符字段Mil、設(shè)置為00的(T)DFL格式號(hào)字段M12和表示對(duì)于 SL盤為4個(gè)簇以及對(duì)于DL盤為8個(gè)簇的(T)DFL格式大小字段M13。參照?qǐng)DM的(b)，在該示例中，提出的用于TL/QL的⑴DFL格式M20包括用于識(shí)別(T)DFL的(T)DFL標(biāo)識(shí)符字段M21以及設(shè)置為01的(T) DFL格式號(hào)字段M22。(T)DFL 格式號(hào)字段2422被設(shè)置為Olh以區(qū)分SL/DL(T)DFL格式和TL/QL(T)DFL格式。(T) DFL格式大小字段M23表示對(duì)于TL盤為12個(gè)簇以及對(duì)于QL盤為16個(gè)簇。在此描述SBM格式的示例。在SBM格式中，由于對(duì)每個(gè)層形成SBM，所以SBM格式包括表示與SBM對(duì)應(yīng)的層的層號(hào)。由于層的數(shù)量的增加，擴(kuò)展上述信息。此外，當(dāng)使用地址(PSN)來表示代表位圖的區(qū)域的物理扇區(qū)時(shí)，由于高密度結(jié)構(gòu)，地址的開始和結(jié)束可能改變，所以應(yīng)重新定義對(duì)應(yīng)的字段。這樣，應(yīng)使用例如改變格式版本(即，格式號(hào))的方法來重新定義SBM。在此描述PAC格式的示例。在PAC格式中，由于表示分配給盤的每個(gè)區(qū)域(包括導(dǎo)入?yún)^(qū)的保留區(qū)域)是否是可記錄/可再現(xiàn)的信息被包括，所以由于高密度/多層結(jié)構(gòu)，如果添加/改變分配給盤的區(qū)域的大小、位置和使用，則應(yīng)添加/改變或重新定義信息字段。參照?qǐng)D25的(a)，在該示例中，用于SL/DL的現(xiàn)有的PAC格式2510包括用于識(shí)別 PAC區(qū)域的PAC標(biāo)識(shí)符字段2511和設(shè)置為00的PAC格式號(hào)字段2512。參照?qǐng)D25的(b)，在該示例中，提出的用于TL/QL的PAC格式2520包括用于識(shí)別 PAC區(qū)域的PAC標(biāo)識(shí)符字段2521以及設(shè)置為01的PAC格式號(hào)字段2522。由于記錄層的增加，在提出的用于TL/QL的PAC格式2520中，PAC格式號(hào)字段2522被設(shè)置為01以區(qū)別SL/ DL PAC格式和TL/QL PAC格式。在現(xiàn)有PAC格式中，由于表示在導(dǎo)入?yún)^(qū)上排列的每個(gè)保留的區(qū)域是否可讀和可寫的信息(對(duì)于保留的區(qū)域5至8為位置PAC規(guī)則)被包括，并且由于記錄層的增加，所以如果保留的區(qū)域5到8中的至少一個(gè)沒有被分配給TL/QL盤，或者如果保留的區(qū)域5到8被分配但是在盤上的它們的大小、位置和使用改變，則可改變表示可讀性和可寫性的信息。因此，為了定義TL/QLPAC格式的字段信息與現(xiàn)有PAC格式的字段信息不同，TL/QL PAC格式號(hào)可被定義為與現(xiàn)有SL/DL PAC格式號(hào)不同的新的號(hào)。在DDS和DFL格式中，由于當(dāng)盤被最終化時(shí)TDDS和TDFL分別被轉(zhuǎn)換為DDS和DFL， 所以由于高密度/多層結(jié)構(gòu)，DDS和DFL格式取決于版本號(hào)的改變和在TDDS和TDFL格式中的信息字段的添加/改變和重新定義。圖沈示出記錄/再現(xiàn)設(shè)備的示例。參照?qǐng)D沈，記錄/再現(xiàn)設(shè)備包括記錄/讀取單元沈10和控制單元沈20。記錄/讀取單元沈10可根據(jù)控制單元沈20的控制，將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì) (諸如記錄介質(zhì)100)上并且可從信息存儲(chǔ)介質(zhì)(諸如記錄介質(zhì)100)讀取數(shù)據(jù)。控制單元沈20可控制記錄/讀取單元沈10將數(shù)據(jù)記錄在記錄介質(zhì)100上或者從記錄介質(zhì)100讀取數(shù)據(jù)。在記錄過程中，數(shù)據(jù)可被記錄在記錄介質(zhì)100上或者可對(duì)OPC區(qū)域執(zhí)行測(cè)試記錄。在再現(xiàn)處理中，從記錄介質(zhì)100讀取數(shù)據(jù)。此外，如果在將數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)100的數(shù)據(jù)區(qū)上時(shí)檢測(cè)到缺陷，則關(guān)于缺陷的信息可被記錄到記錄介質(zhì)100的TDMA 上。如圖沈所示，記錄設(shè)備和再現(xiàn)設(shè)備可以是單獨(dú)的設(shè)備或者可被包括在一個(gè)系統(tǒng)中。圖27示出包括圖沈中示出的記錄/再現(xiàn)單元沈10的驅(qū)動(dòng)器的示例。參照?qǐng)D27，驅(qū)動(dòng)器包括作為記錄/讀取單元沈10的拾取器和控制單元沈20。在該示例中，記錄介質(zhì)100被安裝在拾取器沈10上。驅(qū)動(dòng)器作為控制單元沈20，包括主機(jī)接口(I/F)l、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP) 2、射頻(RF)放大器(AMP) 3、伺服器4和系統(tǒng)控制器5。在記錄過程中，主機(jī)I/F 1可從主機(jī)(未示出)接收將被記錄的數(shù)據(jù)和記錄命令。 系統(tǒng)控制器5可執(zhí)行記錄數(shù)據(jù)的初始化過程。DSP 2可通過添加輔助數(shù)據(jù)(諸如奇偶校驗(yàn)比特)來對(duì)從主機(jī)I/F 1接收的數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)(ECC)編碼。DPS2可通過使用預(yù)定方法來調(diào)制ECC編碼的數(shù)據(jù)。RF AMP 3可將從DSP 2輸出的數(shù)據(jù)變換為RF信號(hào)。拾取器沈10可將從RF AMP 3輸出的RF信號(hào)記錄在記錄介質(zhì)100上。伺服器4可從系統(tǒng)控制器5接收用于伺服控制的命令，并且伺服器4可控制拾取器沈10。作為示例，系統(tǒng)控制器5可發(fā)送與排列有OPC區(qū)域和TDMA區(qū)域的記錄介質(zhì)(即， 多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)在內(nèi)圓周中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的TDMA的信息存儲(chǔ)介質(zhì))相關(guān)的數(shù)據(jù)。在該示例中，排列在上層的TDMA的大小可大于排列在下層的TDMA的大小。系統(tǒng)控制器5可控制拾取器沈10將關(guān)于缺陷的信息記錄在TDMA上。在再現(xiàn)過程中，主機(jī)I/F 1可從主機(jī)(未示出)接收再現(xiàn)命令。系統(tǒng)控制器5可執(zhí)行再現(xiàn)數(shù)據(jù)的初始化過程。拾取器2610可輸出光信號(hào)，其中，通過將激光束輻射到記錄介質(zhì)100并且接收在記錄介質(zhì)100上反射的激光束來獲得所述光信號(hào)。RF AMP3可將從拾取器沈10輸出的光信號(hào)變換為RF信號(hào)，將從RF信號(hào)獲得的調(diào)制數(shù)據(jù)提供給DSP 2，并且將從RF信號(hào)獲得的用于控制的伺服信號(hào)提供給伺服器4。DSP 2可對(duì)調(diào)制數(shù)據(jù)進(jìn)行解調(diào)，對(duì)解調(diào)的數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC編碼，并且輸出ECC編碼的數(shù)據(jù)。同時(shí)，伺服器4可從RF AMP3接收伺服信號(hào)，從系統(tǒng)控制器5接收伺服控制所需的命令，并且控制拾取器沈10。主機(jī)I/F 1可將從DSP2接收的數(shù)據(jù)發(fā)送給主機(jī)。作為示例，系統(tǒng)控制器5可發(fā)送與排列有OPC區(qū)域和TDMA區(qū)域的記錄介質(zhì)(即， 多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)在內(nèi)圓周中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的 TDMA的信息存儲(chǔ)介質(zhì))相關(guān)的數(shù)據(jù)。在該示例中，排列在上層的TDMA的大小可大于排列在下層的TDMA的大小。系統(tǒng)控制器5可控制拾取器沈10從TDMA讀取關(guān)于缺陷的信息。此外，系統(tǒng)控制器5可根據(jù)新定義的信息格式將信息記錄到盤或從盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)， 其中，使用上述方法新定義所述盤的信息格式。根據(jù)實(shí)施例，由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度/ 多層結(jié)構(gòu)而將被添加/改變的信息字段可被添加/改變，可與現(xiàn)有信息格式的格式版本號(hào)不同地設(shè)置信息格式的格式版本號(hào)。此外，根據(jù)實(shí)施例，如果由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度/ 多層結(jié)構(gòu)而添加/改變現(xiàn)有信息格式的信息字段，則以可解釋信息字段的含義的方式可重新定義信息字段。圖觀示出記錄方法的示例。參照?qǐng)D28，發(fā)送與信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)(觀10)，其中，在所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的TDMA，并且排列在上層的TDMA的大小大于排列在下層的TDMA的大小，此外，將關(guān)于缺陷的信息記錄在TDMA上Q820)。圖四示出再現(xiàn)方法的示例。參照?qǐng)D29，發(fā)送與信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)(四10)，其中，在所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的TDMA，并且排列在上層的TDMA的大小大于排列在下層的TDMA的大小，此外，從TDMA再現(xiàn)關(guān)于缺陷的信息O920)。本發(fā)明還可被實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)是可存儲(chǔ)其后可由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)的示例包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、CD-ROM、磁帶、軟盤、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置等。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)還可以分布在聯(lián)網(wǎng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，從而以分布式方式來存儲(chǔ)和執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀代碼。此外，本技術(shù)領(lǐng)域的普通編程人員可容易地解釋用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的功能程序、代碼和代碼段。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體顯示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。示例性實(shí)施例應(yīng)該僅被認(rèn)為是描述性的并且不是用于限制的目的。因此，本發(fā)明的范圍不是由本發(fā)明的詳細(xì)描述來限定，而是由權(quán)利要求來限定，并且該范圍內(nèi)的所有差別將被解釋為包括在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1.一種信息存儲(chǔ)介質(zhì)，包括多個(gè)記錄層，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)；所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域 TDMA的大小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，關(guān)于臨時(shí)缺陷管理區(qū)域的大小的信息記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)TDDS中。
3.一種用于將數(shù)據(jù)記錄在包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的設(shè)備，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA，所述設(shè)備包括拾取器，用于發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；控制單元，用于控制拾取器將關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息記錄到所述至少一個(gè)記錄層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA上，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域 TDMA的大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，關(guān)于臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小的信息被記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)TDDS上。
5.一種用于從包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的設(shè)備，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA，所述設(shè)備包括拾取器，用于發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；控制單元，用于控制拾取器從所述至少一個(gè)記錄層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA讀取關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域 TDMA的大小。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，關(guān)于臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小的信息被記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)TDDS上。
7.一種用于將數(shù)據(jù)記錄在包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的方法，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA，所述方法包括如下步驟發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；將關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息記錄到所述至少一個(gè)記錄層的臨時(shí)盤管理區(qū)域 TDMA 上，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，關(guān)于臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小的信息被記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)TDDS上。
9.一種用于從包括多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法，其中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括用于記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA，所述設(shè)備包括發(fā)送與所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)相關(guān)的數(shù)據(jù)；從所述至少一個(gè)記錄層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA讀取關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息？其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域 TDMA的大小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，關(guān)于臨時(shí)盤管理區(qū)域TDMA的大小的信息被記錄在臨時(shí)盤定義結(jié)構(gòu)TDDS上。
全文摘要
提供了一種具有多個(gè)記錄層的信息存儲(chǔ)介質(zhì)、記錄/再現(xiàn)方法和記錄/再現(xiàn)設(shè)備。在所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述多個(gè)記錄層中的每個(gè)記錄層包括內(nèi)圓周區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，所述多個(gè)記錄層中的至少一個(gè)記錄層在內(nèi)圓周區(qū)中包括記錄關(guān)于在數(shù)據(jù)區(qū)中檢測(cè)的缺陷的信息的臨時(shí)盤管理區(qū)域(TDMA)，其中，分配給上層的臨時(shí)盤管理區(qū)域的大小大于分配給下層的臨時(shí)盤管理區(qū)域的大小。
文檔編號(hào)G11B7/24GK102334163SQ201080009399
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2010年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月25日
發(fā)明者李坰根, 高禎完, 黃仁吾, 黃盛熙 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社