專利名稱：在磁存儲器中的被包敷的導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及磁存儲器，以及更具體地涉及一種具有降低的軟錯誤的磁存儲器位的陣列。
背景技術(shù)：
磁電子器件經(jīng)常使用載流導(dǎo)線來產(chǎn)生影響該器件的磁場。這樣的器件可以包括磁場傳感器、磁阻隨機(jī)存取存儲器(以下簡稱為“MRAM”)器件或類似物，并且通常將磁化矢量的取向用于器件操作。在MRAM器件中，例如，存儲數(shù)據(jù)是通過施加磁場并使得MRAM器件中的磁性材料被磁化到兩個可能的存儲器狀態(tài)之任一而實現(xiàn)的。用于寫入的磁場是通過使電流流過磁性結(jié)構(gòu)外部的導(dǎo)線或者流過磁性結(jié)構(gòu)本身而產(chǎn)生的。為降低產(chǎn)生給定磁場所需的電流，導(dǎo)線經(jīng)常在三個側(cè)面上被具有高磁導(dǎo)率的磁層包圍。這樣的層被稱為包敷層，并且它通常將給定磁場所需的電流降低1/2或更多。因此， 對于低功率的MRAM以及高密度的MRAM來講，非常需要包敷層，因為較低的電流能使晶體管更小并且使得用于編程的導(dǎo)線更長。一般地，包敷材料具有沿材料的軸的一個方向的磁矩，并且位只受到編程過程中位線和數(shù)字線中的電流所產(chǎn)生的場的感應(yīng)。然而，先前已知的包敷結(jié)構(gòu)和形成包敷材料的工藝可能會引入磁位的寫入和讀出中的錯誤(有時被稱為軟錯誤)。采用蝕刻以提供到位的電接觸的工藝步驟，例如，可能會導(dǎo)致該位的頂部電極延伸高于周圍的電介質(zhì)材料，使得在隨后設(shè)置在其上的包敷材料中產(chǎn)生凸起。這樣的凸起能在該包敷中產(chǎn)生非均勻磁化狀態(tài)，從而改變它產(chǎn)生的場。此外，包敷材料結(jié)構(gòu)可能會在一個或多個位置經(jīng)歷由于特別強(qiáng)的外部場所導(dǎo)致的磁場反向。外部磁場可能會導(dǎo)致圍繞導(dǎo)線的包敷材料多個部分中的磁矩反向，產(chǎn)生疇壁。該疇壁，當(dāng)臨近位時，也可能改變由該被包敷的線產(chǎn)生的場。在該包敷的均勻磁性狀態(tài)下的這些變化可以在MRAM單元的編程過程中引入錯誤。例如，該包敷所產(chǎn)生的場可能會減少，使得屬于該MRAM器件的總的場可能低于寫入的要求，這能夠?qū)е戮幊体e誤。此外，即使在導(dǎo)體中沒有電流的情況下，也可能由該包敷產(chǎn)生場，這也能夠?qū)е戮幊体e誤。典型的MRAM架構(gòu)，在當(dāng)一個MRAM器件被編程時，具有多個暴露在磁場中的位。這些中一半被選中的MRAM器件對來自由于包敷導(dǎo)致的剩余磁場的計劃外的編程特別敏感。此外，如果來自該包敷的磁場足夠大，甚至在沒有編程電流的情況下MRAM 器件，也可能被該包敷的場無意地開關(guān)。因此，希望提供一種不太可能產(chǎn)生編程錯誤的被包敷的導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)及制造方法。 此外，從接下來本發(fā)明的詳細(xì)說明和所附的權(quán)利要求書，結(jié)合附圖和本發(fā)明的背景技術(shù)，本發(fā)明的其他有利的特征和特性將變得顯而易見。

發(fā)明內(nèi)容
—種形成磁電子器件的方法包括形成圍繞磁位的電介質(zhì)材料；以不暴露該磁位的方式，蝕刻該電介質(zhì)材料以在該磁位上方限定開口，該開口具有側(cè)壁；在該電介質(zhì)材料上
5方、包括在該側(cè)壁上方沉積包敷材料的覆蓋層；通過濺射工藝去除該開口底部中的該覆蓋層和該磁位上方的電介質(zhì)；以及在該開口內(nèi)形成導(dǎo)電材料以形成位線。這樣的工藝降低了由于工藝不規(guī)則性導(dǎo)致的錯誤，該工藝不規(guī)則性例如是位的邊緣突出并從而引起的形成于其上方的包敷層中的缺陷。這樣形成的位線或數(shù)字線可選地可以是在端部逐漸變細(xì)，以防止位線的磁矩在位線或數(shù)字線的端部沒有逐漸變細(xì)情況下，由于外部磁場導(dǎo)致的可能會發(fā)生的位線的磁矩的反向磁化。


以下將結(jié)合下述附圖對本發(fā)明進(jìn)行說明，其中相同的標(biāo)記表示相同的要素，以及圖1-6是根據(jù)一個示例性的實施例的工藝所制造的位和它的相關(guān)的位線和數(shù)字線的剖面圖；圖7是用在磁存儲器中被包敷的數(shù)字線和位線編程的位的表示圖；圖8是用在磁存儲器中被包敷的數(shù)字線和位線編程的位的表示圖，其中該位線的包敷有部分反向磁矩；圖9是已知的位線的頂視圖；圖10是根據(jù)一個示例性的實施例的位線的底視圖；圖11是圖10的位線的側(cè)視圖；圖12是示出了圖9中的已知的位線以及圖10和圖11中的位線的包敷的反向場的曲線圖；以及圖13示出了管芯故障大于2%的百分比與施加到圖9的位線以及圖10和圖11的位線的管芯的外部磁場的對應(yīng)關(guān)系曲線圖。
具體實施例方式下面的本發(fā)明的詳細(xì)說明在本質(zhì)上僅是示例性的，并非意在限制本發(fā)明或本發(fā)明的應(yīng)用和使用。并且，前述的本發(fā)明的背景技術(shù)或以下的本發(fā)明的詳細(xì)說明中所給出的任何理論，都不具有約束的目的。在此所說明的示例性實施例可采用如下已知的光刻工藝來制造。集成電路、微電子器件、微電機(jī)器件、微流體器件和光子器件的制造包括產(chǎn)生以某些方式相互作用的幾個材料層。這些層中的一個或多個可被圖案化以使該層的不同區(qū)域有不同的電氣或其他特性，它們可以在層內(nèi)互連或者與其他層互連以產(chǎn)生電氣元件和電路。這些區(qū)域可以通過選擇性地引入或去除各種材料來產(chǎn)生。限定這些區(qū)域的圖案通常由光刻工藝來產(chǎn)生。例如， 將光致抗蝕劑材料層施加到覆在晶片襯底上的層上。光掩模(包含透明區(qū)和不透明區(qū))用于以諸如紫外光、電子或X射線的形式的輻射來選擇性地曝光該光致抗蝕劑材料。在輻射中曝光的光致抗蝕劑材料，或者沒有在輻射中曝光的光致抗蝕劑材料，通過施加顯影劑而被去除。然后，對不被剩余的抗蝕劑保護(hù)的層進(jìn)行蝕刻，并且當(dāng)抗蝕劑被去除時，覆在該襯底上的層被圖案化。另外，也可以用附加的工藝，例如，用光致抗蝕劑作為模板來建造結(jié)構(gòu)。在此說明的磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)陣列，以及用于制造該MRAM位和周邊結(jié)構(gòu)的工藝，減少了由以下原因1)或原因2)所導(dǎo)致的錯誤原因1)是例如位的邊緣突出從而導(dǎo)致的在形成于其上方的包敷層中的缺陷的工藝不規(guī)則性，原因2)是由于外部磁場導(dǎo)致的位線或數(shù)字線磁矩的部分反向。該工藝包括蝕刻穿透電介質(zhì)和蝕刻停止層從而在每個位上方產(chǎn)生一個開口，并且其中該電介質(zhì)的平坦表面保留在每個位上方。例如鎳鐵(NiFe) 這樣的包敷材料的覆蓋層被沉積在電介質(zhì)的側(cè)面上和側(cè)面上方，并且沉積在蝕刻停止層的側(cè)面上。濺射該開口以去除包敷材料和剩余的電介質(zhì)以形成到該位的接觸。然后導(dǎo)電材料(位線)形成在該開口內(nèi)并通過CMP工藝平坦化。然后在該導(dǎo)電材料上方形成一個包敷 “蓋”。這一工藝也可以用來形成直接通到在該位下方的數(shù)字線的通道。該位線的端部是逐漸變細(xì)的，以防止在位線的端部沒有逐漸變細(xì)的情況下由于外部磁場導(dǎo)致的可能會發(fā)生的位線的磁矩的反向磁化。注意的是，對于在該位下方的被包敷的數(shù)字線，也可以做成被包敷的線的端部逐漸變細(xì)。為了簡便起見，在下文只針對位線進(jìn)行逐漸變細(xì)的說明。雖然示例性實施例是參照MRAM進(jìn)行說明的，但它也可用在磁傳感器中或與磁傳感器一起使用。參照圖1，例如，在襯底(未示出)上方形成多個數(shù)字線102。電介質(zhì)層104沉積在數(shù)字線上方，以使數(shù)字線102和導(dǎo)電層108彼此電氣隔離。在電介質(zhì)層104內(nèi)形成通道 106以使得導(dǎo)電層108可以將數(shù)字線102與形成在導(dǎo)電層108上方的磁位112耦合。電介質(zhì)層114沉積在磁位112、導(dǎo)電層108和電介質(zhì)層104上方。蝕刻停止層116沉積在電介質(zhì)層114上方，而另一電介質(zhì)層118沉積在蝕刻停止層116上方從而形成結(jié)構(gòu)100。在該示例性實施例中，電介質(zhì)層104、114、118可以是氧化硅、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、聚酰亞胺或它們的組合物。數(shù)字線102優(yōu)選為銅而導(dǎo)電層108優(yōu)選為鉭，但不言自明的是，它們可以是其他材料，如銀、金、鋁、鉬或其他合適的導(dǎo)電材料。通常，數(shù)字線是通過物理氣相沉積或鍍敷或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他合適的技術(shù)而沉積的。蝕刻停止層優(yōu)選為氮化硅，但也可以是蝕刻得比電介質(zhì)層118慢的任何材料。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，磁位112通常是由被間隔層(未顯示)分隔的兩個磁性區(qū)域(未顯示)形成的。例如鉭這樣的導(dǎo)電材料的薄層(未顯示)可以沉積在頂部磁性區(qū)域的上方。磁位112可能包括額外的磁性和非磁性層。在美國專利7129098號中公開了磁位的例子。參照圖2，在電介質(zhì)層118中執(zhí)行蝕刻并且在蝕刻停止層116停止，留下磁位112 上方的電介質(zhì)層114和116的一部分124，從而產(chǎn)生開口 122。該蝕刻還產(chǎn)生貫通電介質(zhì)層 118和蝕刻停止層116的通道126。該通道126延伸穿過電介質(zhì)層114、104向下至數(shù)字線 102。更具體地，雙鑲嵌(dual damascene)工藝蝕刻穿透蝕刻停止層116。當(dāng)通道1 被進(jìn)一步蝕刻時，在開口 122中放置光致抗蝕劑，結(jié)果形成結(jié)構(gòu)200。在通道蝕刻之后可以采用包括DI水或中性氧化物蝕刻(NOE)的化學(xué)組成的清潔工藝，以去除任何蝕刻殘留物或聚合物。然后如圖3所示覆蓋層132沉積在結(jié)構(gòu)200上方。該覆蓋層132是包敷材料，優(yōu)選為典型組分為Ni8Je19的鎳鐵合金，但也可用其他高磁導(dǎo)率的磁性材料，如合金Nii^eCo、 CoFeB或類似物。執(zhí)行濺射以去除覆蓋層132的一部分134(以及被沉積在整個晶片的層 118上的部分135的大部分)和覆在磁位112上的開口 122中的電介質(zhì)層114的一部分 124，并且去除覆在數(shù)字線102上的通道126中的覆蓋層132的一部分136(參見圖4)。濺射工藝以比去除位電極112更快的速率去除電介質(zhì)材料104，所以該位112略微從開口 122的底部突出。通過在蝕刻停止層116的平坦的表面上沉積包敷材料并且在該位暴露之前去除部分134，消除了由該位122的突出引起包敷側(cè)壁的底部中的凸起的可能性。
在通道126中，濺射工藝蝕刻進(jìn)入數(shù)字線的互連金屬102中。這種過度蝕刻 (over-etch)把通道126固定在數(shù)字線102中，導(dǎo)致了高于平均水平的電磁性能。通道1 中的濺射是當(dāng)壁達(dá)到45度時就停止的自限性工藝。鉭覆蓋層142和銅籽晶材料的覆蓋層144沉積在覆蓋層118、開口 122內(nèi)的磁位 112和通道126內(nèi)的數(shù)字線102上方(圖5)。鉭構(gòu)成與該位的電接觸并且將銅籽晶材料與包敷材料(覆蓋層132)的鎳鐵隔離。然后大量銅146形成在開口 122和通道126內(nèi)并且被拋光到水平表面148。CMP工藝去除118以上的所有層。該表面148暴露(圖6)在乙二醇和氟化銨及檸檬酸溶液的NOE中，以去除電介質(zhì)層118的一部分，故電介質(zhì)層118具有低于表面148的頂部表面150。在覆蓋銅材料146和表面150的整個晶片上沉積包敷材料152。 采用照相和蝕刻工藝去除除了位線巧4頂部上外的所有地方的層152。銅材料146就是位線154。包敷材料152與包敷材料的覆蓋層132配合，以在位線IM周圍形成“U”型的遮罩，以保護(hù)位線1 免受外部磁場影響?？蛇x地，表面148(位線154)和150(電介質(zhì)層)的水平差異可以通過CMP來完成， 而不是進(jìn)行中性氧化物蝕刻。在銅大量填充層146之后的CMP工藝是在三個不同平臺上運行的三個步驟的工藝。步驟1是把整個晶片上的銅剩下大約2000A的批量去除快速工藝。 步驟2去除余下的銅并且終止點在Ta層142上。步驟3去除Ta層142，在電介質(zhì)層118停止。優(yōu)化該工藝(步驟幻以產(chǎn)生使頂部表面150低于表面148的步驟。要實現(xiàn)這個步驟， 漿料的過氧化氫含量要控制在0. 3和1. 2%之間?？蛇x地，可以在平臺3上使用軟墊以達(dá)到同樣的效果。雖然在圖中只示出了一個數(shù)字線102和一個位線154以及一個位112，但不言自明的是，在多個數(shù)字線102和多個位線IM之間唯一地放置多個位112。圖7示出了被覆蓋層132和包敷材料的蓋層152部分地圍繞的位線154。數(shù)字線 102也可以被包敷材料156部分地圍繞。為清楚起見，位線IM和數(shù)字線102與位112分開?？梢钥闯觯?dāng)電流155如所指向的在數(shù)字線102中流動時，產(chǎn)生磁場162，并且當(dāng)電流 158在位線154中流動時，產(chǎn)生磁場164。這些磁場162和164對磁位112進(jìn)行感應(yīng)。當(dāng)可由外部磁場產(chǎn)生的磁矩反向如圖8中的反向磁矩172所示，發(fā)生在位線IM 的包敷材料132和152中時，相反的磁場174和176對磁位112造成不合需要的感應(yīng)。注意到，為了簡化起見，選擇了圖示的頭對頭的疇壁，并且該疇壁是在部分反向磁化后的針對該包敷的幾種可能的磁化配置之一，所有這些配置都將在沒有電流的情況下在該位產(chǎn)生磁場。圖7中對磁位112進(jìn)行感應(yīng)的位場只是由電流158以及包敷層132和152的響應(yīng)而產(chǎn)生的，而圖8中對磁位112進(jìn)行感應(yīng)的場是由電流158、包敷層132和152的響應(yīng)、以及包敷 132和152中的疇壁159(在磁場174、176之間)而產(chǎn)生的。此外，疇壁附近的包敷將不會以與均勻磁化的包敷所作出響應(yīng)的相同的方式來對源自電流的該場作出響應(yīng)。大體上可以看出，為了 MRAM編程無錯誤，應(yīng)避免該包敷的反向磁化。當(dāng)位線112的端部是形如圖9 (底視圖)所示的盒狀時，在相對小的外部磁場中可能有磁矩反向。然而，當(dāng)采用光刻工藝使位線154的端部182、184(圖10的底視圖和圖11 的側(cè)視圖)逐漸變細(xì)時，在該包敷被暴露在大得多的外部磁場中之前，不會發(fā)生磁矩反向。 該逐漸變細(xì)的部分優(yōu)選具有的長寬比至少為2。圖12圖示了用具有大約IOOOe (奧斯特)大小的有逐漸變細(xì)端部222的位線與具有大約450e大小的有非逐漸變細(xì)端部224的位線對比出的以奧斯特為單位的包敷的反向場的差別。圖13圖示了在標(biāo)準(zhǔn)存儲器測試中的與在反轉(zhuǎn)該位線包敷的方向上對管芯施加的磁場的具有多于兩個故障的管芯的百分比的關(guān)系曲線。在晶片測試之前，施加并去除該磁場?？梢钥闯?，在400e處，具有非逐漸變細(xì)端部2 的位線具有大約60%的故障，而具有逐漸變細(xì)的端部228的位線只有大約16%的故障。因為由于對稱，反向磁化在線的端部開始，所以端部形狀的改變會影響包敷的反向磁化場。此外，對于屏蔽的管芯，外部磁場最初在管芯的邊緣是最大的，所以反向磁化最有可能發(fā)生在被包敷的線的端部。使線逐漸變細(xì)的效果是產(chǎn)生平行于線的長度的更加均勻的磁化狀態(tài)。一個平坦(非逐漸變細(xì))的線的端部更可能具有在空間上非均勻磁化的磁通閉合磁疇。通常，對于均勻磁化結(jié)構(gòu)產(chǎn)生最大的反向場，因為這些結(jié)構(gòu)更有可能產(chǎn)生防止反向磁化的最大限度的形狀各向異性，并且它們更可能一致地反向，這也需要更大的外部反向場。雖然在前面本發(fā)明的詳細(xì)說明中已經(jīng)提出了至少一個示例性實施例，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，存在大量的變化的方案。還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，此處說明的一個示例性實施例或多個示例性實施例僅是示例，并非意圖以任何形式限制本發(fā)明的范圍、應(yīng)用或配置。相反地，前面的詳細(xì)說明將向本領(lǐng)域技術(shù)人員提供用于實現(xiàn)本發(fā)明的示例性實施例的便利的路線圖。應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離如所附權(quán)利要求中所闡釋的本發(fā)明的范圍的前提下，可以對示例性實施例中說明的功能和元件配置進(jìn)行多種改變。
權(quán)利要求
1.一種形成磁電子器件的方法，包括 形成圍繞磁位的電介質(zhì)材料；以不暴露所述磁位的方式，蝕刻所述電介質(zhì)材料以在所述磁位上方限定開口，所述開口具有側(cè)壁；在所述電介質(zhì)材料上方、包括在所述側(cè)壁上方沉積包敷材料的覆蓋層； 通過濺射工藝去除所述開口底部的所述覆蓋層和在所述磁位上方的所述電介質(zhì)以暴露出所述磁位；以及在所述開口內(nèi)形成導(dǎo)電材料以形成位線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述導(dǎo)電材料上方形成所述包敷材料的蓋層，所述蓋層與在所述導(dǎo)電材料的側(cè)壁上的所述包敷材料配合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述位線具有第一和第二端部，還包括使在所述電介質(zhì)層中被蝕刻的所述開口逐漸變細(xì)，從而使所述導(dǎo)電材料和被包敷的側(cè)壁在所述第一和第二端部逐漸變細(xì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述位線具有第一和第二端部，還包括 在所述第一和第二端部使所述蓋層逐漸變細(xì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述逐漸變細(xì)的步驟包括 產(chǎn)生具有長寬比至少為2的逐漸變細(xì)的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述逐漸變細(xì)的步驟包括 產(chǎn)生具有長寬比至少為2的逐漸變細(xì)的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在形成導(dǎo)電材料之前，還包括 在所述側(cè)壁上和所述磁位上方形成鉭層；以及在所述鉭層上方形成籽晶材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積步驟包括 沉積鎳鐵的覆蓋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述去除步驟包括 應(yīng)用中性氧化物蝕刻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 形成導(dǎo)電材料后，接著執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成電介質(zhì)材料還限定通到導(dǎo)電材料下方的第二開口，所述沉積步驟還包括在包括第二側(cè)壁的導(dǎo)電層上方沉積所述覆蓋層，所述去除步驟還包括通過所述濺射工藝去除所述覆蓋層以暴露出所述導(dǎo)電層，以及形成導(dǎo)電材料還包括在所述第二開口內(nèi)形成所述導(dǎo)電材料從而構(gòu)成與所述導(dǎo)電層的接觸。
12.—種形成磁位陣列的方法，包括 在襯底上方形成多個數(shù)字線；形成多行磁位，每行磁位唯一地配置在所述數(shù)字線之一上方，并與所述數(shù)字線之一電接觸；在所述數(shù)字線和所述磁位上方形成電介質(zhì)材料；蝕刻所述電介質(zhì)材料以在每個磁位的上方產(chǎn)生開口，所述開口具有大于所述磁位的直徑的側(cè)壁，其中所述電介質(zhì)材料的一部分保留在所述磁位的上方； 在包括所述側(cè)壁的所述電介質(zhì)材料上沉積包敷材料的覆蓋層； 濺射以去除在所述磁位上方的所述包敷材料和所述電介質(zhì)材料； 在每個所述開口中并且與所述數(shù)字線成一定角度地沉積導(dǎo)電材料作為位線，其中每個磁位都唯一地耦合在位線和數(shù)字線之間；以及在所述位線上方形成所述包敷材料的蓋層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述位線具有第一和第二端部，還包括使在所述電介質(zhì)層中被蝕刻的所述開口逐漸變細(xì)，從而使所述導(dǎo)電材料和被包敷的側(cè)壁在所述第一和第二端部逐漸變細(xì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述位線具有第一和第二端部，還包括 在所述第一和第二端部使所述蓋層逐漸變細(xì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述逐漸變細(xì)的步驟包括 產(chǎn)生具有長寬比至少為2的逐漸變細(xì)的部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述逐漸變細(xì)的步驟包括 產(chǎn)生具有長寬比至少為2的逐漸變細(xì)的部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，在形成導(dǎo)電材料之前，還包括 在所述側(cè)壁上和所述磁位上方形成鉭層；以及在所述鉭層上方形成籽晶材料層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述去除步驟包括 應(yīng)用中性氧化物蝕刻。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 形成導(dǎo)電材料后，接著執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成電介質(zhì)材料還限定通到導(dǎo)電材料下方的第二開口，所述沉積步驟還包括在包括第二側(cè)壁的導(dǎo)電層上方沉積所述覆蓋層； 所述去除步驟還包括通過所述濺射工藝去除所述覆蓋層以暴露出所述導(dǎo)電層； 以及形成導(dǎo)電材料還包括在所述第二開口內(nèi)形成所述導(dǎo)電材料從而構(gòu)成與所述導(dǎo)電層的接觸。
21.—種形成磁位陣列的方法，包括 形成多個具有第一和第二端部的位線； 形成多個具有第一和第二端部的數(shù)字線；形成多個磁位，每個所述磁位都唯一地耦合在一個所述位線和一個所述數(shù)字線之間； 形成部分地圍繞至少所述位線或所述數(shù)字線的包敷材料；以及使得至少所述位線或所述數(shù)字線以及在所述位線或所述數(shù)字線上的包敷材料在所述第一和第二端部處逐漸變細(xì)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述逐漸變細(xì)的步驟包括在所述第一和第二端部產(chǎn)生具有長寬比至少為2的逐漸變細(xì)的部分。
全文摘要
一種形成磁電子器件的方法，包括形成圍繞磁位的電介質(zhì)材料；以不暴露所述磁位的方式，蝕刻所述電介質(zhì)材料以在所述磁位上限定開口，所述開口具有側(cè)壁；在所述電介質(zhì)材料上方、包括在所述側(cè)壁上方沉積包敷材料的覆蓋層；通過濺射工藝去除所述開口底部的所述覆蓋層和在所述磁位上方的所述電介質(zhì)材料；以及在所述開口內(nèi)形成導(dǎo)電材料以形成位線。這樣的工藝降低了由于工藝不規(guī)則性導(dǎo)致的錯誤，該工藝不規(guī)則性例如是位的邊緣的突出從而引起的形成于其上方的包敷層中的缺陷。這樣形成的位線或數(shù)字線可以是可選地在其端部逐漸變細(xì)，以防止在位線或數(shù)字線的端部沒有逐漸變細(xì)情況下，由于外部磁場導(dǎo)致的可能會發(fā)生的該位線的磁矩的反向磁化。
文檔編號G11C11/00GK102349110SQ201080010948
公開日2012年2月8日 申請日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月30日
發(fā)明者A·斯安賽奧, B·R·巴特切爾, K·H·史密斯, 里佐 N·D·, S·阿加瓦爾 申請人:艾沃思賓技術(shù)公司