專(zhuān)利名稱(chēng)：具有磁壁角的磁記錄頭的制作方法
具有磁壁角的磁記錄頭背景數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備在磁存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)經(jīng)數(shù)字編碼的信息或數(shù)據(jù)。使用磁記錄頭來(lái)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)上。解說(shuō)性的磁記錄頭包括具有磁極尖端的主磁極和一個(gè)或多個(gè)輔助磁極。向線圈供能以在主磁極和該一個(gè)或多個(gè)輔助磁極中產(chǎn)生磁通路徑，以便在存儲(chǔ)介質(zhì)的磁存儲(chǔ)層上磁性地記錄數(shù)據(jù)。可按縱向或垂直模式將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁存儲(chǔ)層上。解說(shuō)性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)包括具有多個(gè)同心數(shù)據(jù)磁道的旋轉(zhuǎn)盤(pán)。磁頭相對(duì)于該多個(gè)同心數(shù)據(jù)磁道中的一個(gè)或多個(gè)同心數(shù)據(jù)磁道放置以在磁存儲(chǔ)層上編碼數(shù)據(jù)。通常，磁頭被定向成相對(duì)于該一個(gè)或多個(gè)同心數(shù)據(jù)磁道有傾斜角。傾斜被定義為磁頭與磁道的中心線之間的角度。大傾斜角可能干擾記錄并造成毗鄰磁道擦除。本申請(qǐng)的諸實(shí)施例提供針對(duì)這些和其他問(wèn)題的解決方案并提供勝于現(xiàn)有技術(shù)的其他優(yōu)點(diǎn)。以上討論提供背景信息并且不旨在被用作用于確定所要求保護(hù)的主題內(nèi)容的范圍的基礎(chǔ)。概述本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于寫(xiě)元件的磁極尖端的磁極尖端屏蔽。磁極尖端屏蔽沿磁極尖端的諸側(cè)面延伸以提供磁壁角或沿磁極尖端的前沿部分的較窄的磁分布。如所公開(kāi)的，磁壁角減少毗鄰磁道擦除或干擾以補(bǔ)償磁頭的傾斜角。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽包括沿其側(cè)面部分的不同的厚度、寬度尺寸或磁性材料。不同的尺寸提供沿磁極尖端屏蔽的長(zhǎng)度的不同磁矩以提供用于補(bǔ)償毗鄰磁道干擾ATI或傾斜角的磁壁角。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽是大致“U”形的。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽為矩形磁極尖端提供磁壁角。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，寫(xiě)元件還包括與磁極尖端屏蔽分開(kāi)的后沿屏蔽。一旦閱讀了以下對(duì)相關(guān)聯(lián)的附圖的詳細(xì)描述和評(píng)論，表征本發(fā)明諸實(shí)施例的其他特征和益處將變得顯而易見(jiàn)。所要求保護(hù)的主題內(nèi)容不限于提供優(yōu)點(diǎn)或解決本申請(qǐng)背景部分中討論的任何問(wèn)題或全部問(wèn)題的實(shí)現(xiàn)。附圖簡(jiǎn)述

圖1是記錄頭的一個(gè)實(shí)施例的平面圖，解說(shuō)了磁頭面向存儲(chǔ)介質(zhì)或盤(pán)表面的氣墊圖2是沿圖1的線2-2取得的記錄頭的橫截面圖。圖3A-3C示意性地解說(shuō)記錄頭用于編碼數(shù)據(jù)的寫(xiě)元件的實(shí)施例。圖4是磁頭相對(duì)于磁存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)磁道的定向的示意性解說(shuō)。圖5示意性地解說(shuō)具有壁角以補(bǔ)償磁頭相對(duì)于磁存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)磁道的傾斜的磁極尖端的實(shí)施例。圖6A-6C示意性地解說(shuō)用于寫(xiě)元件的磁極尖端的磁極尖端屏蔽的實(shí)施例。圖7示意性地解說(shuō)具有磁壁角以減小ATI的磁場(chǎng)分布。圖8A-8B示意性地解說(shuō)用于寫(xiě)元件的磁極尖端的具有階梯式厚度分段的磁極尖端屏蔽的實(shí)施例。圖8C是沿圖8B的線8C-8C取得的解說(shuō)磁極尖端概況的橫截面圖。圖8D-8G示意性地解說(shuō)具有可變幾何形狀以使磁極尖端的磁壁角成形的磁極尖端屏蔽的實(shí)施例。圖9A-9B示意性地解說(shuō)用于寫(xiě)元件的磁極尖端的具有階梯式厚度分段的磁極尖端屏蔽和具有特定斷面形狀的磁極尖端的實(shí)施例。圖10A-10B示意性地解說(shuō)包括磁極尖端屏蔽的寫(xiě)元件的實(shí)施例。圖11A-11E示意性地解說(shuō)包括磁性地連接至輔助磁極的磁極尖端屏蔽的寫(xiě)元件的實(shí)施例。圖12A-12B解說(shuō)包括磁性地連接至第一輔助磁極的磁極尖端屏蔽和與該磁極尖端屏蔽分隔開(kāi)且磁性地連接至第二輔助磁極的前沿屏蔽的寫(xiě)元件的實(shí)施例。解說(shuō)性實(shí)施例的描述圖1-2解說(shuō)用于寫(xiě)或讀數(shù)據(jù)的磁記錄頭106的實(shí)施例。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁頭106包括例如使用薄膜沉積技術(shù)在襯底IM上形成的寫(xiě)元件120和讀元件122。如所示出的，寫(xiě)元件122被制造成鄰近磁頭的后沿125，磁頭的后沿125與磁頭的前沿1 和襯底 124間隔開(kāi)。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，讀元件122包括被配置成從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)或盤(pán)讀取經(jīng)磁性編碼的數(shù)據(jù)的傳感器130。傳感器130置于屏蔽132、134之間以將傳感器130與可能干擾讀操作的外部磁場(chǎng)隔離開(kāi)。解說(shuō)性的傳感器元件130包括讀取經(jīng)磁性編碼的數(shù)據(jù)的磁阻、巨磁阻(GMR)、隧道磁阻(TMR)或其他傳感器。如所示出的，寫(xiě)元件120包括主磁極140和輔助磁極142。主磁極140和輔助磁極 142經(jīng)由(圖2中所示的)磁軛部分144磁性地連接以形成磁通路徑。導(dǎo)電線圈146圍著磁軛部分144纏繞以在主磁極140和輔助磁極142中感生磁通。絕緣材料填充主磁極140 與輔助磁極142之間的間隙或區(qū)域并圍繞導(dǎo)電線圈146以使導(dǎo)電線圈146與主磁極和輔助磁極140、142電絕緣。本文中公開(kāi)的實(shí)施例包括如圖1中所示的且如本文中更完整地描述的磁極尖端屏蔽200。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，沿磁頭面向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)或盤(pán)的表面的氣墊面147形成寫(xiě)元件120和讀元件122。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，盤(pán)的旋轉(zhuǎn)創(chuàng)建沿磁頭的氣墊面147的氣流路徑?？諝庋貧鈮|面147從磁頭的前沿1 流到后沿125。為了鄰近性或接近鄰近性記錄，沿氣墊面147的氣流被加壓以提供上升力，從而磁頭“浮”在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)或盤(pán)102上方。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，使用已知的蝕刻工藝來(lái)使磁頭的氣墊面147圖案化以提供讀和/或?qū)懖僮鞯淖顑?yōu)壓力分布和程度。如圖1-2中所示，主磁極140具有沿磁頭的氣墊面147的磁極尖端148。磁極尖端148可以是主磁極140的擴(kuò)展(如圖1中所示)，或者是位于主磁極 140的前側(cè)(如圖3A中所示)或位于后沿上(如圖:3B中所示)的單獨(dú)的所連接元件。通常，讀和寫(xiě)元件120、122置于晶片上并且該晶片被切片以形成磁頭的氣墊面147的經(jīng)蝕刻表面。圖3A-;3B是解說(shuō)被配置成將數(shù)據(jù)記錄或?qū)懙酱糯鎯?chǔ)介質(zhì)或盤(pán)102上的不同的寫(xiě)元件實(shí)施例或結(jié)構(gòu)的側(cè)橫截面圖。在這些實(shí)施例中的每個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)包括磁記錄層150和磁襯層152，但是本申請(qǐng)不限于所示的特定存儲(chǔ)介質(zhì)。例如，在另一實(shí)施例中，非磁性層被插入在磁記錄層150與磁襯層152之間。本申請(qǐng)中公開(kāi)的實(shí)施例還可與交換耦合復(fù)合(ECC)介質(zhì)聯(lián)用。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，向線圈146供能以感生磁通。線圈146中的電流方向被反向以改變磁通路徑的方向，以便在上、下方向上記錄數(shù)據(jù)比特以在盤(pán)或存儲(chǔ)介質(zhì)上垂直地編碼數(shù)據(jù)。
在圖3A中所解說(shuō)的實(shí)施例中，寫(xiě)元件包括具有磁極尖端148的主磁極140和在后沿方向上與磁極尖端148間隔開(kāi)的輔助磁極142。當(dāng)向線圈146供能時(shí)，如所示的那樣形成磁通路徑或電路以在磁記錄層150上垂直地記錄數(shù)據(jù)。在圖:3B中所示的替換實(shí)施例中，磁極尖端148置于鄰近磁頭106的后沿，并且輔助磁極142在朝前沿的方向上與磁極尖端148 間隔開(kāi)。圖3C解說(shuō)磁記錄頭的另一實(shí)施例，其中寫(xiě)元件包括多個(gè)輔助磁極142-1、142-2。 線圈146-1、146-2圍著將輔助磁極142-1、142-2連接至主磁極140的磁軛144-1、144-2纏繞。向線圈146-1、146-2供能以提供如所示的多個(gè)磁通路徑，以便將數(shù)據(jù)記錄到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的磁記錄層150。磁頭106經(jīng)由定位或致動(dòng)設(shè)備相對(duì)于選擇數(shù)據(jù)磁道地放置。如圖4中示意性地解說(shuō)的，磁頭置于介質(zhì)上，以使得在磁頭與磁道166的中心線164之間有傾斜角160。由于磁頭(和寫(xiě)元件)的定向相對(duì)于磁道166的中心線164偏移傾斜角160(在此示例中約15 度)，因而寫(xiě)元件可能干擾毗鄰磁道168中記錄的數(shù)據(jù)。在如圖5所示的先前設(shè)計(jì)中，(主磁極140的)主磁極尖端148具有梯形170以在磁極尖端148的前沿174與后沿176之間提供壁角172。壁角172在磁極尖端的前沿處提供較窄的寬度輪廓并在后沿處提供較寬的輪廓以減少鄰近磁極尖端148的前沿的毗鄰磁道干擾(ATI)。圖6A-6C解說(shuō)如從磁頭面向介質(zhì)或盤(pán)的氣墊面147看過(guò)去的應(yīng)用于記錄磁頭的寫(xiě)元件的磁極尖端屏蔽200的實(shí)施例。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200是大致“U” 形的并且包括主磁極尖端148的前沿174前方的前沿部分202和沿主磁極尖端148的側(cè)面 205延伸的側(cè)面部分204。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，主磁極尖端148包括鐵磁材料，諸如但不限于鐵0 )、鈷(Co)及其組合，諸如鐵鈷(CoxFey (其中χ Ξ 20-45%并且y Ξ 55-80%))、 鐵鎳(FeyNix(其中 55_95%并且y 三 5-45% ))、鈷鐵鎳(CoJeyNiz (其中 χ Ξ 15_55%,
y Ξ 10-80%并且ζ Ξ 5-35%))或其他鐵磁材料。另外，寫(xiě)磁極尖端還可在層疊結(jié)構(gòu)中或由以上提及的那些合金中的僅一種合金制成。一些實(shí)施例中的磁極尖端屏蔽200也可由鐵磁材料形成，諸如鐵鈷(CoxFey (其中 χ = 20-45%并且 y = 55-80% ))、鐵鎳(FeyNix (其中 χ Ξ 55-95%并且y ξ 5-45%))、鈷鐵
鎳(CoxFeyNiz(其中 χξ 15-55%,ys 10-80%并且 ΖΞ5-35%))。在一個(gè)實(shí)施例中，磁極尖端148和屏蔽200皆是由諸如i^60Co40之類(lèi)的高磁矩合金形成的。用諸如鋁之類(lèi)的非磁性且電絕緣材料來(lái)填充屏蔽200與主磁極尖端148之間的間隙區(qū)域206。當(dāng)向?qū)懘艠O供能以在介質(zhì)上編碼數(shù)據(jù)時(shí)，寫(xiě)磁極尖端148接近飽和。在圖6A-6C 所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁通的一部分被分流到屏蔽200中，以使得相反的磁荷積聚在屏蔽200 的表面上，從而導(dǎo)致鄰近屏蔽200處的凈場(chǎng)下降和場(chǎng)角變化。場(chǎng)角變化提供用于限制或減少ATI的磁壁角或輪廓。如圖7中所示，如所描述的“U”形磁極尖端屏蔽200被配置成提供大致為梯形的寫(xiě)磁泡210。寫(xiě)磁泡210的梯形形成磁壁角以鄰近前沿174提供較窄的場(chǎng)寬或輪廓以減少ATI。磁極尖端148的寫(xiě)磁泡210還包括鄰近后沿176的相對(duì)于磁道166 而言相對(duì)較寬的場(chǎng)寬輪廓。如在所解說(shuō)的實(shí)施例中描述的，磁極尖端屏蔽200可由不同的磁性材料或組合物(包括以上討論的材料的具有不同x、y或ζ百分比的不同組合物)形成以在屏蔽200中提供可變磁矩或性質(zhì)，以便優(yōu)化如本文中所描述的用于寫(xiě)操作的磁壁角。在圖6A-6B中解說(shuō)的實(shí)施例中，大致為“U”形的屏蔽200的側(cè)面部分204沿磁極尖端148的側(cè)面205的長(zhǎng)度大致從磁極尖端148的前沿174延伸到后沿176。在圖6B中解說(shuō)的實(shí)施例中，側(cè)面部分204從磁極尖端屏蔽200的前沿部分的側(cè)沿203向內(nèi)凹。在圖6C所示的實(shí)施例中，屏蔽200的側(cè)面部分204的長(zhǎng)度短于磁極尖端148的側(cè)面205的長(zhǎng)度。具體而言，在圖6C所示的實(shí)施例中，屏蔽200的側(cè)面部分204延伸到磁極尖端148的大約中間長(zhǎng)度處。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，“U”形磁極尖端屏蔽200的側(cè)面部分204被配置成沿屏蔽 200的側(cè)面部分204的長(zhǎng)度提供可變磁矩。具體地，在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200 的前沿部分具有比后沿部分大的磁矩以鄰近磁極尖端148的前沿使磁壁角成形。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，“U”形磁極尖端屏蔽200的側(cè)面部分204可沿其長(zhǎng)度由不同的磁性材料或組合物形成以提供不同的磁矩，以便優(yōu)化磁化作用和寫(xiě)場(chǎng)。圖8A-8B解說(shuō)“U”形磁極尖端屏蔽200的實(shí)施例，該磁極尖端屏蔽200包括沿其長(zhǎng)度的不同厚度尺寸以沿“U”形磁極尖端屏蔽200的側(cè)面部分204的長(zhǎng)度提供不同的磁矩。 在圖8A-8B所示的實(shí)施例中，經(jīng)由階梯式厚度分段來(lái)形成不同厚度尺寸。這些階梯式厚度分段中的每一個(gè)沿磁極尖端148的長(zhǎng)度提供不同的場(chǎng)效應(yīng)或場(chǎng)角變化。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，不同厚度分段可由具有不同磁矩的不同磁性材料或組合物形成以使磁壁角的角度或尺寸成形。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端148包括形成面向介質(zhì)的大致平坦的表面222的矩形以在氣墊面147處提供最優(yōu)寫(xiě)磁極尖端區(qū)域，而階梯式厚度分段或不同厚度尺寸優(yōu)化磁場(chǎng)或壁角以減少ATI。解說(shuō)性地，磁極尖端屏蔽200被配置成提供約4-5度的磁壁角，然而，本申請(qǐng)不限于特定的壁角尺寸。另外，由屏蔽配置實(shí)現(xiàn)的矩形磁極大大簡(jiǎn)化了寫(xiě)過(guò)程， 在磁極尖端的尺寸被減小以容適高區(qū)域密度時(shí)尤其如此。具體地，在圖8A解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括具有第一厚度分段220_1 的前沿部分202，該第一厚度分段220-1具有厚度尺寸、。圖8A中所示的磁極尖端屏蔽200 的側(cè)面部分204包括具有第二厚度尺寸t2的第二厚度分段220-2和具有第三厚度尺寸t3 的第三厚度分段220-3，其中t3 < t2 < t10如圖8A中所示，較大厚度分段220-1和220_2提供較大的場(chǎng)角變化或效應(yīng)以鄰近前沿提供較窄的場(chǎng)分布，而較小厚度分段220-3鄰近后沿提供較小的場(chǎng)角變化。如圖 8A中所示，第一、第二和第三厚度分段220-1、220-2、220-3由厚度階梯分開(kāi)，但是本申請(qǐng)不限于圖8A中解說(shuō)的特定實(shí)施例。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，厚度階梯被定向，以使得厚度分段 220-1、220-2、220-3沿氣墊面147具有共同的共面表面。在替換實(shí)施例中，厚度階梯從氣墊面147凹進(jìn)。除了階梯式厚度分段220-1、220-2、220-3之外或作為替換方案，在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括不同材料分段以鄰近磁極尖端148的前沿提供較窄的場(chǎng)分布。圖8B解說(shuō)類(lèi)似于圖8A中所示的實(shí)施例的包括多個(gè)階梯式厚度分段220-1、220_2、 220-3的磁極尖端屏蔽200。在圖8B所示的實(shí)施例中，側(cè)面部分204包括相對(duì)于前沿174 與后沿176之間的磁極尖端148的長(zhǎng)度縮短的長(zhǎng)度尺寸。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，主磁極尖端148包括面向介質(zhì)的大致平坦的表面222。如圖8C中所示，磁極尖端148包括提供傾斜的前沿表面2M和傾斜的后沿表面226的輪廓分布以提供至磁極尖端148的平坦表面222 的錐形輪廓，磁極尖端148的平坦表面222引導(dǎo)至氣墊面147。
盡管在圖8A-8B所解說(shuō)的實(shí)施例中示出了階梯式厚度分段220-1、220-2、220_3， 但是本發(fā)明不限于具有如所示的分立的階梯式分段的實(shí)施例。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200可采用不同的幾何形狀以沿屏蔽200的側(cè)面部分204的長(zhǎng)度改變磁矩，以便將磁感應(yīng)壁角的形狀配置成優(yōu)化磁場(chǎng)分布。例如，在圖8D中解說(shuō)的實(shí)施例中，側(cè)面部分204 具有傾斜的厚度尺寸。如所示的，傾斜的厚度尺寸在圖8D的“U”形屏蔽200的側(cè)面部分204 的前沿處提供較大的厚度尺寸，并鄰近側(cè)面部分204的后沿提供較小的厚度尺寸。如先前所描述的，側(cè)面部分204可具有沿氣墊面147的共面表面或者沿氣墊面147的傾斜輪廓。在圖8E和8F所示的替換實(shí)施例中，“U”形屏蔽200的側(cè)面部分204包括梯形寬度輪廓。在圖8G中解說(shuō)的另一實(shí)施例中，“U”形屏蔽200包括具有階梯式寬度尺寸的多個(gè)階梯式寬度分段227-1、227-2以提供不同的磁矩，以便如先前所描述的那樣使磁壁角的角度或尺寸成形。具體地，如所示的，寬度分段227-1比寬度分段227-2具有更大的尺寸以鄰近磁極尖端148的前沿174提供較窄的場(chǎng)分布。圖9A-9B解說(shuō)寫(xiě)元件的替換實(shí)施例。在圖9A所示的實(shí)施例中，寫(xiě)元件包括包含前沿部分202和側(cè)面部分204的磁極尖端屏蔽200。在圖9A中解說(shuō)的實(shí)施例中，側(cè)面部分204 的長(zhǎng)度沿磁極尖端148的側(cè)面的長(zhǎng)度大致從磁極尖端148的前沿174延伸到后沿176。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端148被成形或塑造輪廓以在前沿174處提供較窄的寬度尺寸而鄰近后沿176提供較寬的寬度尺寸，以便與磁極尖端屏蔽200組合地增強(qiáng)磁場(chǎng)分布。例如，在解說(shuō)性實(shí)施例中，磁極尖端148被塑造輪廓以提供4-5度的物理壁角并且磁極尖端輪廓與(具有如所示的階梯式部分220-1、220-2、220-3的)磁極尖端屏蔽200的組合被設(shè)計(jì)成提供10+度的有效壁角。在圖9B中解說(shuō)的另一實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200的側(cè)面部分204具有縮短的長(zhǎng)度尺寸，該長(zhǎng)度尺寸小于磁極尖端148的前沿174與后沿176之間的磁極尖端148側(cè)面的長(zhǎng)度尺寸。在圖9A-9B中解說(shuō)的每個(gè)實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括如先前關(guān)于圖8A-8B 所描述的階梯式厚度分段220-1、220-2和220-3。替換地，其他實(shí)施例包括如本文中所描述的“U”形磁極尖端屏蔽與如圖9A-9B中所示的經(jīng)塑造輪廓的磁極尖端的組合的實(shí)施例。圖IOA和IOB解說(shuō)包括磁極尖端屏蔽200的寫(xiě)元件的實(shí)施例。在圖IOB中解說(shuō)的實(shí)施例中，寫(xiě)元件包括與磁極尖端屏蔽200分開(kāi)的后沿屏蔽M0。如所示的，后沿屏蔽240與磁極尖端屏蔽200間隔開(kāi)以沿磁頭106的氣墊面147在磁極尖端屏蔽200與后沿屏蔽240 之間形成間隙對(duì)2。用諸如鋁之類(lèi)的非磁性材料來(lái)填充沿氣墊面147在磁極尖端屏蔽200 與后沿屏蔽240之間的間隙M2。在圖IOA所示的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200具有不同厚度尺寸，這與圖IOB中所解說(shuō)的磁極尖端屏蔽200形成對(duì)比。如所示的，在圖IOA中，不同厚度尺寸是由如所示的和先前所描述的階梯式厚度分段220-1、220-2、220-3形成的。在另一實(shí)施例中，圖IOB的磁極尖端屏蔽200可包括如圖IOA中所示的階梯式厚度分段220-1、 220-2、220-3。圖1IA-IIE解說(shuō)包括磁極尖端屏蔽200的寫(xiě)元件的實(shí)施例。在圖11B-11E中所示的所解說(shuō)實(shí)施例中，寫(xiě)元件包括沿磁頭106的氣墊面147與磁極尖端屏蔽200分開(kāi)并間隔開(kāi)的后沿屏蔽對(duì)0。在所解說(shuō)的每個(gè)實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200磁性地連接至輔助磁極 142以如先前在圖:3B中解說(shuō)的那樣提供磁極尖端屏蔽200與輔助磁極142之間的磁通連接。輔助磁極142為來(lái)自屏蔽200的磁荷提供磁通路徑以增強(qiáng)磁極尖端148的磁壁角。
在圖11A-11C所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括前沿部分202和側(cè)面部分204。在圖11A-11C中，側(cè)面部分204具有沿磁極尖端148的側(cè)面205大致從磁極尖端 148的前沿174延伸到后沿176的拉長(zhǎng)長(zhǎng)度。在圖IlB中解說(shuō)的實(shí)施例中，前沿部分202 和側(cè)面部分204包括階梯式厚度分段220-1、220-2以提供屏蔽200的不同厚度尺寸。在圖 IlC中解說(shuō)的實(shí)施例中，屏蔽200包括階梯式厚度分段220-1、220-2、220-3以形成屏蔽200 的不同厚度尺寸。在圖11A-11B中所示的每個(gè)實(shí)施例中，寫(xiě)元件可如圖IlB中那樣包括后沿屏蔽或如圖IlA中那樣不包括后沿屏蔽M0。解說(shuō)性地，后沿屏蔽240的厚度類(lèi)似于磁極尖端屏蔽200的前沿部分的厚度。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，輔助磁極142連接至磁極尖端屏蔽200以增強(qiáng)磁壁角。在具有后沿屏蔽MO的示例性實(shí)施例中，輔助磁極142可連接至后沿屏蔽M0。在圖IlD中，磁極尖端屏蔽200包括前沿部分202和縮短的側(cè)面部分204。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，前沿部分和側(cè)面部分204包括由類(lèi)似于先前所描述的實(shí)施例的階梯式厚度分段220-1、220-2形成的不同厚度尺寸。圖IlE解說(shuō)耦合至輔助磁極142的磁極尖端屏蔽 200和沿氣墊面147與磁極尖端屏蔽200分開(kāi)并間隔開(kāi)的后沿屏蔽MO的實(shí)施例。如所示的，磁極尖端屏蔽200包括在磁極尖端的前沿前方間隔開(kāi)的前沿部分202以提供用于寫(xiě)的磁場(chǎng)分布。在所解說(shuō)的每個(gè)實(shí)施例中，可如本文中所描述地采用替換特征來(lái)使磁頭的寫(xiě)元件的磁分布或磁壁角成形。圖12A-12B解說(shuō)包括如先前在圖3C中解說(shuō)的經(jīng)由磁軛連接至主磁極的輔助磁極 142-1、142-2的寫(xiě)元件的實(shí)施例。圖12A和12B中解說(shuō)的每個(gè)實(shí)施例包括磁極尖端屏蔽200 和后沿屏蔽M0。在圖12A-12B中解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括前沿部分202和側(cè)面部分204。該屏蔽磁性地連接至磁極尖端148的前沿前方的第一輔助磁極142-1。后沿屏蔽240與磁極尖端屏蔽200間隔開(kāi)并磁性地耦合至磁極尖端148后面的第二輔助磁極 142-2。如所示的，磁極尖端屏蔽200和后沿屏蔽240沿氣墊面147經(jīng)由非磁性間隙242分開(kāi)并通過(guò)如先前在圖3C中解說(shuō)的輔助磁極142-1、142-2至主磁極140的連接磁性地連接起來(lái)。在圖12B中解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽200包括如先前關(guān)于本申請(qǐng)中公開(kāi)的其他實(shí)施例所描述的階梯式厚度分段220-1、220-2、220-3，但是其他應(yīng)用可利用本文中所描述的替換特征。應(yīng)當(dāng)理解，即使已在前面的說(shuō)明書(shū)中闡述了本發(fā)明各種實(shí)施例的許多特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和功能的細(xì)節(jié)，然而本公開(kāi)僅為解說(shuō)性的，并可在細(xì)節(jié)上作出改變，尤其可在術(shù)語(yǔ)的廣義意思所指示的全面范圍對(duì)落入本發(fā)明原理內(nèi)的部分的結(jié)構(gòu)與安排作出改變，其中以術(shù)語(yǔ)來(lái)表達(dá)所附權(quán)利要求。例如，特定元件可取決于特定應(yīng)用而變， 且同時(shí)基本上維持相同的功能性，而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。另外，盡管本文中所描述的優(yōu)選實(shí)施例針對(duì)特定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)，本發(fā)明的教導(dǎo)可應(yīng)用于其他數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用，而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。另外，盡管所解說(shuō)的實(shí)施例公開(kāi)了按特定的組合來(lái)安排的特征，但是其他應(yīng)用或?qū)嵤├砂疚闹兴枋龅囊粋€(gè)或多個(gè)特征，并且應(yīng)用不限于所示的特定組合或安排。
權(quán)利要求
1.一種磁組裝件，包括具有磁極尖端的磁極，并且所述磁極尖端包括前沿、后沿和側(cè)沿；以及大致為“U”形的磁極尖端屏蔽，所述磁極尖端屏蔽包括前沿部分和側(cè)面部分，且所述 “U”形的磁極尖端屏蔽包括沿所述大致為“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的長(zhǎng)度的可變磁矩，其中所述可變磁矩在朝向所述磁極尖端的所述后沿的方向上減小。
2.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述側(cè)面部分沿所述磁極尖端的長(zhǎng)度從所述磁極尖端的所述前沿延伸到所述磁極尖端的所述后沿。
3.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述大致為“U”形的磁極尖端屏蔽包括沿所述側(cè)面部分的多個(gè)分立的分段，并且所述分立的分段包括不同厚度尺寸、不同寬度尺寸或不同磁性材料中的至少一者以提供沿所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的所述長(zhǎng)度的所述可變磁矩。
4.如權(quán)利要求3所述的組裝件，其特征在于，所述多個(gè)分立的分段包括多個(gè)厚度分段， 所述多個(gè)厚度分段在朝所述磁極尖端的所述后沿的方向上包括具有第一厚度尺寸的第一厚度分段和包含小于所述第一厚度尺寸的第二厚度尺寸的第二厚度分段。
5.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分包括沿所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的長(zhǎng)度的可變厚度或?qū)挾瘸叽纭?br> 6.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述“U”形的磁極尖端屏蔽包括沿所述 “U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的具有不同寬度或厚度尺寸的多個(gè)分立的分段，并且所述多個(gè)分立的分段包括不同的磁性材料或組合物。
7.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，進(jìn)一步包括至少一個(gè)輔助磁極，并且所述 “U”形的磁極尖端屏蔽磁性地連接至所述至少一個(gè)輔助磁極。
8.如權(quán)利要求4所述的組裝件，其特征在于，在所述第一厚度分段與所述第二厚度分段之間包括厚度階梯。
9.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分包括沿所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的長(zhǎng)度的不同磁性材料分段。
10.如權(quán)利要求1所述的組裝件，其特征在于，所述“U”形的磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分具有相對(duì)于在所述磁極尖端的所述前沿與所述后沿之間的所述磁極尖端的長(zhǎng)度尺寸縮短的長(zhǎng)度尺寸。
11.一種磁性組裝件，包括包括磁極尖端的磁極，所述磁極尖端具有沿所述組裝件的氣墊面形成大致為矩形的表面的前沿、后沿和側(cè)沿；線圈，所述線圈能被供能以在所述磁極尖端中感生磁通路徑；以及磁極尖端屏蔽，其包括連接至側(cè)面部分的前沿部分，所述側(cè)面部分具有沿所述磁極尖端的所述側(cè)沿延伸的拉長(zhǎng)的長(zhǎng)度尺寸。
12.如權(quán)利要求11所述的組裝件，其特征在于，所述磁極尖端屏蔽包括具有不同寬度尺寸、厚度尺寸或磁性材料的多個(gè)分段。
13.如權(quán)利要求11所述的組裝件，其特征在于，所述磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分包括沿所述磁極尖端屏蔽的所述側(cè)面部分的可變厚度或?qū)挾瘸叽纭?br> 14.如權(quán)利要求11所述的組裝件，其特征在于，包括輔助磁極，其中所述磁極尖端屏蔽通過(guò)磁通連接材料連接至所述輔助磁極以提供穿過(guò)所述磁極尖端屏蔽去往所述輔助磁極的磁通路徑。
15.如權(quán)利要求11所述的組裝件，其特征在于，包括磁性地連接至所述磁極尖端屏蔽的第一輔助磁極和連接至后沿屏蔽的第二輔助磁極，所述后沿屏蔽通過(guò)非磁性間隙沿所述氣墊面與所述磁極尖端屏蔽間隔開(kāi)并與所述磁極尖端屏蔽分開(kāi)。
16.一種磁性組裝件，包括具有磁極尖端的磁極，所述磁極尖端包括前沿、后沿和側(cè)沿；線圈，所述線圈能被供能以在所述磁極尖端中感生磁通；鄰近所述磁極尖端、磁性地耦合至所述組裝件的輔助磁極的磁極尖端屏蔽；與所述磁極尖端屏蔽間隔開(kāi)的后沿屏蔽；以及沿所述組裝件的氣墊面將所述磁極尖端屏蔽與所述后沿屏蔽分開(kāi)的非磁性間隙部分。
17.如權(quán)利要求16所述的組裝件，其特征在于，所述磁極尖端屏蔽大致為“U”形，并且所述間隙部分沿所述氣墊面將所述大致為“U”形的磁極尖端屏蔽與所述后沿屏蔽分開(kāi)。
18.如權(quán)利要求17所述的組裝件，其特征在于，所述大致為“U”形的磁極尖端屏蔽包括沿所述磁極尖端屏蔽的側(cè)面部分的可變厚度或?qū)挾瘸叽纭?br> 19.如權(quán)利要求17所述的組裝件，其特征在于，所述大致為“U”形的磁極尖端屏蔽包括前沿部分和相對(duì)的側(cè)面部分，并且所述側(cè)面部分沿所述磁極尖端的側(cè)面的長(zhǎng)度延伸到所述磁極尖端的所述后沿。
20.如權(quán)利要求16所述的組裝件，其特征在于，進(jìn)一步包括磁性地連接至所述后沿屏蔽的第二輔助磁極。
全文摘要
公開(kāi)了一種用于記錄磁頭的寫(xiě)元件的磁極尖端屏蔽(200)。該磁極尖端屏蔽在前沿方向上與磁極尖端(148)間隔開(kāi)以提供磁壁角，以便減少ATI或毗鄰磁道擦除以補(bǔ)償磁頭的傾斜角。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽包括側(cè)面部分(204)。在所解說(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽是大致“U”形的并且磁極尖端屏蔽的側(cè)面部分包括不同厚度或?qū)挾瘸叽纭Ｔ谒庹f(shuō)的實(shí)施例中，磁極尖端屏蔽為矩形磁極尖端提供磁壁角。本申請(qǐng)中公開(kāi)的實(shí)施例包括通過(guò)非磁性間隙部分沿磁頭的氣墊面與磁極尖端屏蔽分開(kāi)的后沿屏蔽(240)。
文檔編號(hào)G11B5/11GK102356428SQ201080012751
公開(kāi)日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者D·韓, E·S·林維勒, Y·周, 薛建華, 高凱中 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司