專利名稱：具有冗余電路的存儲器以及為存儲器提供冗余電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計領(lǐng)域，具體地說，本發(fā)明涉及一種具有冗余電路的存儲器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)如今，半導(dǎo)體存儲器件不斷地朝著高集成度和高容量存儲單元的方向發(fā)展。在存儲器設(shè)計中，通常采用各種替換有故障的存儲單元的方法來改善作為高集成度存儲器件最重要指標之一的芯片成品率。作為一種故障單元替換技術(shù)的冗余技術(shù)由備用存儲單元和正常存儲單元組成存儲單元，以便當正常存儲單元發(fā)現(xiàn)有故障時可用備用存儲單元來替換有故障的存儲單元。也就是說，半導(dǎo)體存儲器具有用于提高產(chǎn)品成品率的冗余電路。在存儲單元陣列內(nèi)存在缺陷存儲單元的情況下，冗余電路具有將該缺陷存儲單元替換為備用存儲單元陣列內(nèi)的冗余存儲單元的功能?，F(xiàn)有技術(shù)中，一般的冗余電路采用以特定替換單位(例如一個扇區(qū))將缺陷存儲單元替換為冗余存儲單元的方式。如圖1所示，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的具有冗余電路的存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，存儲器包括n+1個扇區(qū)SECT0R0至SECTOfoi、以及與這些扇區(qū)相對應(yīng)的冗余電路，該冗余電路包括m+1個冗余單元RDNO至RDNm ；這些扇區(qū)SECT0R0至SECTOfoi 共用存儲單元選擇線路SL ；這些冗余單元RDNO至RDNm共用冗余單元選擇線路SL_RDN ；并且，這些扇區(qū)SECT0R0至SECTOfoi以及這些冗余單元RDNO至RDNm共用位線BL。這樣，當某個扇區(qū)(例如扇區(qū)SECT0R0)中的某個存儲單元存在缺陷時，該扇區(qū)將被冗余電路中的一個冗余單元整體替換，這就要求每個扇區(qū)的大小與每個冗余電路的大小是相等的。而實際上，往往一些沒有缺陷的存儲單元也被替換；因此，存儲器現(xiàn)有技術(shù)中的冗余技術(shù)存在嚴重的浪費。所以，希望能夠提出一種能夠消除所述浪費并提高冗余電路的利用率的有效的冗余技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠有效地減小冗余電路面積(進而減小整個存儲器面積)并提高冗余電路的利用率的具有冗余電路的存儲器、以及相應(yīng)的為存儲器提供冗余電路的方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種具有冗余電路的存儲器包括多個扇區(qū)以及冗余電路，其中每個扇區(qū)包括第一數(shù)量的存儲行陣列，其中所述冗余電路包括多個冗余單元，其中每個冗余單元包括第二數(shù)量的存儲行陣列，并且所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。通過提供尺寸小于扇區(qū)的冗余單元，有效地減小了冗余電路的面積以及存儲器的面積，并提高了冗余電路的利用率。在上述具有冗余電路的存儲器中，所述第二數(shù)量等于2。在上述具有冗余電路的存儲器中，每個扇區(qū)被以第二數(shù)量的列數(shù)的存儲陣列為單元劃分成多個劃分單元，當某個劃分單元中存在缺陷時，則利用一個冗余單元替換該存在缺陷的劃分單元。在上述具有冗余電路的存儲器中，存儲器中的所有扇區(qū)和所有冗余單元共用位線。所述多個扇區(qū)共用扇區(qū)選擇線路，所述多個冗余單元共用冗余單元選擇線路。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種為存儲器提供冗余電路的方法，所述存儲器包括多個扇區(qū)，其中每個扇區(qū)包括第一數(shù)量的存儲行陣列，其中所述為存儲器提供冗余電路的方法包括步驟提供冗余電路，其中所述冗余電路包括多個冗余單元，其中每個冗余單元包括第二數(shù)量的存儲行陣列，并且所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。在上述為存儲器提供冗余電路的方法中，所述第二數(shù)量等于2。在上述為存儲器提供冗余電路的方法中，所述為存儲器提供冗余電路的方法包括步驟以第二數(shù)量的列數(shù)的存儲陣列為單元來每個扇區(qū)劃分成多個劃分單元，當某個劃分單元中存在缺陷時，則利用一個冗余單元替換該存在缺陷的劃分單元。在上述為存儲器提供冗余電路的方法中，存儲器中的所有扇區(qū)和所有冗余單元共用位線。所述多個扇區(qū)共用扇區(qū)選擇線路，所述多個冗余單元共用冗余單元選擇線路。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的具有冗余電路的存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2示出了本發(fā)明實施例的具有冗余電路的存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3示出了本發(fā)明實施例的具有冗余電路的存儲器的芯片布局示圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。圖2示出了本發(fā)明實施例的具有冗余電路的存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2所示的存儲器包括n+1個扇區(qū)SECT0R0至SECTOfou以及與這些扇區(qū)相對應(yīng)的冗余電路，該冗余電路包括m+1個冗余單元RDNO至RDNm ；這些扇區(qū)SECT0R0至SECTOfoi共用存儲單元選擇線路 SL ；這些冗余單元RDNO至RDNm共用冗余單元選擇線路SL_RDN ；并且，這些扇區(qū)SECT0R0至 SECTORn以及這些冗余單元RDNO至RDNm共用位線BL。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，圖2所示的存儲器中，兩列存儲陣列被選擇為一個冗余單元，而每個扇區(qū)包括大于兩列的存儲陣列。因此，在本發(fā)明實施例的具有冗余電路的存儲器中，每個扇區(qū)以兩列存儲陣列為劃分單元被劃分(如果扇區(qū)所包括的存儲陣列的列數(shù)為單數(shù)，則最后一列被劃分為一個劃分單元)，當某個劃分單元中存在缺陷時，則利用一個冗余單元替換該存在缺陷的劃分單元，而不是替換整個扇區(qū)(如果扇區(qū)所包括的存儲陣列的列數(shù)大于2)；由此有效地提高了冗余電路的利用率。而且，有效地減小了冗余電路的面積以及存儲器的面積。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，圖2示出了冗余單元包括兩列存儲陣列的情況，但是，兩列存儲陣列僅僅是優(yōu)選示例；實際上，只要每個冗余單元所包括的存儲陣列的列數(shù)小于每個扇區(qū)所包括的存儲陣列的列數(shù)，則可以在一定程度上減小冗余電路的面積并提高冗余電路的利用率。只是，優(yōu)選地，每個冗余單元所包括的存儲陣列的列數(shù)遠小于每個扇區(qū)所包括的存儲陣列的列數(shù)；并且，當每個冗余單元所包括的存儲陣列的列數(shù)等于2時，減小冗余電路的面積并提高冗余電路的技術(shù)效果尤其明顯。進一步地，圖3示出了本發(fā)明實施例的具有冗余電路的存儲器的芯片布局示圖。

由于扇區(qū)尺寸不同于冗余單元的尺寸RDN ARRAY以及主陣列部分的尺寸MAIN ARRAY，在芯片布局中可能無法對齊列譯碼器)(DEC11、)(DEClr、XDEC2U XDEC2r,因此可以將外圍電路(例如第一外圍電路Pl和第二外圍電路P2)的布局與存儲器電路的布局相結(jié)合來設(shè)計芯片的整體布局。圖3即示出了這樣的一個示例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下對本發(fā)明進行各種改變和變形。所描述的實施例僅用于說明本發(fā)明，而不是限制本發(fā)明；本發(fā)明并不限于所述實施例，而是僅由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種具有冗余電路的存儲器，所述存儲器包括多個扇區(qū)以及冗余電路，其中每個扇區(qū)包括第一數(shù)量的存儲行陣列，其特征在于所述冗余電路包括多個冗余單元，其中每個冗余單元包括第二數(shù)量的存儲行陣列，并且所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有冗余電路的存儲器，其特征在于，所述第二數(shù)量等于2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有冗余電路的存儲器，其特征在于，每個扇區(qū)被以第二數(shù)量的列數(shù)的存儲陣列為單元劃分成多個劃分單元，當某個劃分單元中存在缺陷時，則利用一個冗余單元替換該存在缺陷的劃分單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有冗余電路的存儲器，其特征在于，其中存儲器中的所有扇區(qū)和所有冗余單元共用位線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有冗余電路的存儲器，其特征在于，其中所述多個扇區(qū)共用扇區(qū)選擇線路，所述多個冗余單元共用冗余單元選擇線路。
6.一種為存儲器提供冗余電路的方法，所述存儲器包括多個扇區(qū)，其中每個扇區(qū)包括第一數(shù)量的存儲行陣列，其特征在于所述為存儲器提供冗余電路的方法包括步驟提供冗余電路，其中所述冗余電路包括多個冗余單元，其中每個冗余單元包括第二數(shù)量的存儲行陣列，并且所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的為存儲器提供冗余電路的方法，其特征在于，所述第二數(shù)量等于2。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的為存儲器提供冗余電路的方法，其特征在于，所述為存儲器提供冗余電路的方法包括步驟以第二數(shù)量的列數(shù)的存儲陣列為單元來每個扇區(qū)劃分成多個劃分單元，當某個劃分單元中存在缺陷時，則利用一個冗余單元替換該存在缺陷的劃分單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的為存儲器提供冗余電路的方法，其特征在于，存儲器中的所有扇區(qū)和所有冗余單元共用位線。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的為存儲器提供冗余電路的方法，其特征在于，其中所述多個扇區(qū)共用扇區(qū)選擇線路，所述多個冗余單元共用冗余單元選擇線路。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有冗余電路的存儲器以及為存儲器提供冗余電路的方法。根據(jù)本發(fā)明的具有冗余電路的存儲器包括多個扇區(qū)以及冗余電路，其中每個扇區(qū)包括第一數(shù)量的存儲行陣列，其中所述冗余電路包括多個冗余單元，其中每個冗余單元包括第二數(shù)量的存儲行陣列，并且所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。通過提供尺寸小于扇區(qū)的冗余單元，有效地減小了冗余電路的面積以及存儲器的面積，并提高了冗余電路的利用率。
文檔編號G11C29/24GK102157206SQ201110009199
公開日2011年8月17日 申請日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月17日
發(fā)明者楊光軍 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司