專利名稱：刷新操作控制電路、半導(dǎo)體存儲器件和刷新操作控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲器件。
背景技術(shù)：
動態(tài)隨機(jī)存儲存儲器(DRAM)包括多個(gè)存儲器單元(memory cell)單位，其中的每個(gè)可以被配置為具有一個(gè)晶體管和一個(gè)電容，并且數(shù)據(jù)儲存在電容中。但是，儲存在形成于襯底上的電容中的數(shù)據(jù)可能會由于經(jīng)由半導(dǎo)體襯底的自然泄漏而丟失。由此，DRAM執(zhí)行對儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行刷新的刷新操作。如果不能穩(wěn)定地執(zhí)行對儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)的刷新操作，則可能損壞數(shù)據(jù)或者可能降低DRAM在讀取操作方面的特性。此外，DRAM可能會發(fā)生故障。隨著DRAM的集成度增加，在刷新操作中要被刷新的存儲器單元的數(shù)量增加，并且可能并不能經(jīng)由一個(gè)字線來刷新整個(gè)存儲器單元。因此，存儲體(bank) 被分成了多個(gè)單元區(qū)，并且對所述多個(gè)單元區(qū)執(zhí)行刷新操作。隨著半導(dǎo)體存儲器件的高集成度的發(fā)展，設(shè)置在單個(gè)半導(dǎo)體存儲器件中的存儲器單元和信號線的數(shù)量迅速增加。為了在有限的空間內(nèi)集成越來越多的存儲器單元和信號線，已經(jīng)降低了半導(dǎo)體存儲器件的內(nèi)部電路的臨界尺寸(critical dimension)，并且逐步地降低了存儲器單元的尺寸。出于這些原因，半導(dǎo)體存儲器件的存儲器單元更有可能存在缺陷。因此，在半導(dǎo)體存儲器件內(nèi)提供了用于修復(fù)有缺陷的存儲器單元的冗余器件，使得盡管有這樣的有缺陷的存儲器單元也可以制造具有高成品率的半導(dǎo)體存儲器件。冗余器件包括冗余存儲器單元以及用于對與有缺陷的存儲器單元相對應(yīng)的修復(fù)地址進(jìn)行編程的熔絲。在完成半導(dǎo)體存儲器件的制造工藝之后執(zhí)行各種測試。在可以對被確定為有缺陷的存儲器單元進(jìn)行修復(fù)的情況下，通過用冗余存儲器單元來替換有缺陷的存儲器單元而對存儲器單元的缺陷進(jìn)行修復(fù)。也就是，在內(nèi)部電路中執(zhí)行編程以用冗余存儲器單元的地址來替換有缺陷的存儲器單元的地址。相應(yīng)地，當(dāng)輸入與有缺陷的存儲器單元相對應(yīng)的地址即修復(fù)地址時(shí)，用冗余存儲器單元來替換有缺陷的存儲器單元。由此，半導(dǎo)體存儲裝置執(zhí)行正常的操作。下文舉例來描述對被分成兩個(gè)單元區(qū)的存儲體進(jìn)行刷新的方法，并且將描述當(dāng)字線被替換時(shí)可能由刷新操作產(chǎn)生的問題。圖1是示出刷新操作以及與刷新操作有關(guān)的問題的方框圖。參見圖1，半導(dǎo)體存儲器件包括被分成第一單元區(qū)110和第二單元區(qū)120的存儲體 100。在存儲體100中，第一單元區(qū)110和第二單元區(qū)120分別與上存儲體和下存儲體相對應(yīng)。在圖1中，第一信號A是激活上存儲體110的字線的行激活信號，第二信號B是激活下存儲體120的字線的行激活信號。
如第一操作圖101所示，當(dāng)輸入刷新命令時(shí)，與由地址計(jì)數(shù)單元(未示出)計(jì)數(shù)的行地址相對應(yīng)的字線111和121在上存儲體IlOhe下存儲體120內(nèi)同時(shí)被激活。也就是， 當(dāng)輸入一次刷新命令時(shí)，上存儲體110的一個(gè)字線111以及下存儲體120的一個(gè)字線121 被同時(shí)激活，并且與激活的字線111和121耦合的多個(gè)存儲器單元被刷新。第一線111是由第一信號A激活的字線，第二線121是由第二信號B激活的字線。上存儲體110和下存儲體120包括用于替換具有缺陷的字線的多個(gè)冗余字線。但是，在存儲體被分成上存儲體Iio和下存儲體120并且同時(shí)對上存儲體110和下存儲體120 執(zhí)行刷新操作的情況下，上存儲體110不能使用下存儲體120的冗余字線，下存儲體120不能使用上存儲體110的冗余字線。以下將描述原因。假設(shè)在第二操作圖102中在上存儲體110的一個(gè)字線IllA中產(chǎn)生缺陷，并且由此用冗余字線121A來替換字線111A。箭頭103表示在上存儲體110的一個(gè)字線IllA中產(chǎn)生缺陷并且用下存儲體120的字線121A來替換字線111A。如果輸入與上存儲體110的有缺陷的字線IllA相對應(yīng)的行地址，則由第一信號A 來激活下存儲體120的冗余字線121A，而由信號B來激活與行地址相對應(yīng)的下存儲體120 的另一字線121B。也就是，如果用下存儲體120的冗余字線121A來替換上存儲體110的有缺陷的字線111A，則在刷新操作期間兩個(gè)字線121A和121B可能同時(shí)被激活。由此，儲存在與激活的字線121A和121B耦合的存儲器單元中的數(shù)據(jù)被同時(shí)加載到同一位線上。換言之，兩個(gè)數(shù)據(jù)被加載到一個(gè)位線上。結(jié)果是，當(dāng)兩個(gè)數(shù)據(jù)互不相同時(shí)，可能會產(chǎn)生錯誤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，其能夠防止在刷新操作期間在同一單元區(qū)內(nèi)兩個(gè)或更多個(gè)字線的同時(shí)激活。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括存儲體，所述存儲體包括第一單元區(qū)和第二單元區(qū)；激活信號發(fā)生單元，所述激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令而產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號和第二行激活信號；以及地址計(jì)數(shù)單元，所述地址計(jì)數(shù)單元被配置為對刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)，并產(chǎn)生行地址，其中，當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘柋患せ顣r(shí)，第一單元區(qū)中由所述行地址指定的字線被激活，并且當(dāng)?shù)诙屑せ钚盘柋患せ顣r(shí)，第二單元區(qū)中由行地址指定的字線被激活。激活信號發(fā)生單元可以包括預(yù)激活信號發(fā)生單元，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令而將預(yù)激活信號激活兩次；以及使能單元，所述使能單元被配置為當(dāng)代表刷新時(shí)間段的刷新信號被激活時(shí)，在第一激活時(shí)間段傳送預(yù)激活信號作為第一行地址信號，并且在第二激活時(shí)間段傳送預(yù)激活信號作為第二行激活信號。半導(dǎo)體存儲器件還可以包括預(yù)充電信號發(fā)生單元，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為在預(yù)激活信號被激活之后對信號預(yù)充電。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，一種刷新操作控制電路包括激活信號發(fā)生單元，所述激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令來激活預(yù)激活信號，并利用預(yù)激活信號來產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號和第二行激活信號；以及預(yù)充電信號發(fā)生單元，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為在預(yù)激活信號被激活一次之后將用于控制預(yù)激活信號的激活的預(yù)充電信號激活。
激活信號發(fā)生單元可以包括預(yù)激活信號發(fā)生單元，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令和預(yù)充電信號而將預(yù)激活信號激活兩次；以及使能單元，所述使能單元被配置為當(dāng)代表刷新時(shí)間段的刷新信號被激活時(shí)，在第一激活時(shí)間段傳送預(yù)激活信號作為第一行地址信號，并且在第二激活時(shí)間段傳送預(yù)激活信號作為第二行激活信號。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，一種包括具有第一單元區(qū)和第二單元區(qū)的存儲體的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作控制方法包括當(dāng)輸入刷新命令時(shí)激活第一行激活信號；響應(yīng)于所述第一行激活信號來激活所述第一單元區(qū)的字線之中由行地址指定的字線，以對所述字線的存儲器單元進(jìn)行刷新；將第一行激活信號去激活并在從第一行激活信號的去激活起經(jīng)過預(yù)定的時(shí)間之后，激活第二行激活信號；激活第二單元區(qū)的字線之中由行地址所指定的字線，響應(yīng)于第二行激活信號而對字線的存儲器單元進(jìn)行刷新。


圖1是示出刷新操作以及在刷新操作期間產(chǎn)生的問題的圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的預(yù)激活信號發(fā)生單元的圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的使能單元的圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作的波形圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所提出的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例是為了使得本說明書將是清楚且完整的，并且將會向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個(gè)附圖和實(shí)施例中表示相同的部分。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的圖。參見圖2，半導(dǎo)體存儲器件包括存儲體210、激活信號發(fā)生單元220、地址計(jì)數(shù)單元 230、以及預(yù)充電信號發(fā)生單元M0。存儲體210包括第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212。 激活信號發(fā)生單元220被配置為響應(yīng)于刷新命令A(yù)REFP而產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2。地址計(jì)數(shù)單元230被配置為對刷新命令A(yù)REFP計(jì)數(shù)，并產(chǎn)生行地址RADD。預(yù)充電信號發(fā)生單元240被配置為在預(yù)激活信號PRE_ RACT被激活之后激活預(yù)充電信號PRECH。這里，兩個(gè)信號具有不同的激活時(shí)間段是指兩個(gè)信號的激活時(shí)間段互不重疊。例如，所說第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2具有不同的激活時(shí)間段是指第一行激活信號RACTl的激活時(shí)間段與第二行激活信號RACT2的激活時(shí)間段不重疊。在第一單元區(qū)211中，當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘朢ACTl被激活時(shí)，行地址RADD所指定的字線被激活。在第二單元區(qū)212中，當(dāng)?shù)诙屑せ钚盘朢ACT2被激活時(shí)，行地址RADD所指定的字線被激活。刷新命令A(yù)REFP可以在從芯片的外部輸入自動刷新命令時(shí)被激活。預(yù)充電信號發(fā)生單元240通過將預(yù)激活信號PRE_RACT延遲一定的延遲量來激活預(yù)充電信號 I3RECH0
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以下將結(jié)合圖2來描述半導(dǎo)體存儲器件的配置和操作。首先描述存儲體210的配置和操作。存儲體210包括第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212。第一單元區(qū)211包括第一行譯碼器211A和第一單元陣列211B。第一行譯碼器211A被配置為響應(yīng)于行地址RADD來指定由第一行激活信號RACTl所激活的字線。第一單元陣列211B包括多個(gè)字線。第二單元區(qū)212包括第二行譯碼器212A和第二單元陣列212B。第二行譯碼器212A被配置為響應(yīng)于行地址RADD來指定由第二行激活信號RACT2所激活的字線。第二單元陣列212B包括多個(gè)字線。第一單元陣列211B和第二單元陣列212B可以被配置為具有一個(gè)或更多個(gè)子單元陣列。第一行譯碼器211A和第二行譯碼器212A可以被配置為具有一個(gè)或更多個(gè)子譯碼器。 第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212分別與上存儲體和下存儲體相對應(yīng)。接下來描述激活信號發(fā)生單元220的配置和操作。激活信號發(fā)生單元220包括預(yù)激活信號發(fā)生單元221和使能單元222。預(yù)激活信號發(fā)生單元221被配置為響應(yīng)于刷新命令A(yù)REFP而將預(yù)激活信號PRE_RACT激活兩次。使能單元222被配置為當(dāng)代表刷新時(shí)間段的刷新信號REF被激活時(shí)，傳送第一次被激活的預(yù)激活信號PRE_RACT作為第一行激活信號RACT1，以及傳送第二次被激活的預(yù)激活信號PRE_ RACT作為第二行激活信號RACT2。在激活時(shí)間段，預(yù)激活信號發(fā)生單元221響應(yīng)于激活命令RACTP來激活預(yù)激活信號PRE_RACT。當(dāng)刷新信號REF被去激活時(shí)，使能單元222根據(jù)上/下地址UP/DN ADD來傳送預(yù)激活信號PRE_RACT作為第一行激活信號RACTl或第二行激活信號RACT2。以下將結(jié)合圖3來描述預(yù)激活信號PRE_RACT響應(yīng)于刷新命令A(yù)REFP或激活命令 RACTP的輸入而被激活、以及傳送激活的預(yù)激活信號PRE_RACT作為第一行激活信號RACTl 和第二行激活信號RACT2的過程。接下來描述地址計(jì)數(shù)單元230的操作。地址計(jì)數(shù)單元230被配置為每當(dāng)刷新命令A(yù)REFP被激活時(shí)順序地增加行地址RADD 的值。替代地，地址計(jì)數(shù)單元230可以被配置為每當(dāng)刷新命令A(yù)REFP被激活時(shí)順序地減少行地址RADD的值。因此，每當(dāng)施加刷新命令A(yù)REFP時(shí)，第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212 的字線順序地被激活，并且與激活的字線耦合的多個(gè)存儲器單元被刷新。最后描述預(yù)充電信號發(fā)生單元MO的操作。當(dāng)預(yù)激活信號PRE_RACT被激活時(shí)，預(yù)充電信號發(fā)生單元240在經(jīng)過了預(yù)定的時(shí)間之后激活預(yù)充電信號PRECH。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，預(yù)激活信號發(fā)生單元221將第一次激活的預(yù)激活信號PRE_RACT去激活，然后再次將其激活。當(dāng)預(yù)激活信號PRE_RACT 第二次被激活時(shí)，預(yù)充電信號發(fā)生單元240在經(jīng)過了預(yù)定的時(shí)間之后再次激活預(yù)充電信號 PRECH。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，預(yù)激活信號發(fā)生單元221將第二次激活的預(yù)激活信號TOE_RACT去激活。以下將結(jié)合圖2詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作。當(dāng)施加刷新命令A(yù)REFP時(shí)，第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2被順序地激活。第一單元區(qū)211的字線(由行地址RADD所指定的字線)響應(yīng)于第一行激活信號 RACTl而被激活，并且與激活的字線耦合的多個(gè)存儲器單元被刷新。另外，第二單元區(qū)212的字線(由行地址RADD所指定的字線)響應(yīng)于第二行激活信號RACT2而被激活，并且與激活的字線耦合的多個(gè)存儲器單元被刷新。此時(shí)，由于第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2具有互不相同的激活時(shí)間段，因此不會產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中的故障。也就是，即使用第二單元區(qū)212的冗余字線來替換第一單元區(qū)211的有缺陷的字線，但由于第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2具有相互不同的激活時(shí)間段，因此在第二單元區(qū)212中兩個(gè)字線不會同時(shí)被激活。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件中，雖然與兩個(gè)字線耦合的存儲器單元是在輸入一次刷新命令A(yù)REFP時(shí)被刷新的，但第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212 是在不同的時(shí)間段中被激活的。這樣，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，并快速地執(zhí)行刷新操作。也就是，在修復(fù)操作中，可以用第二單元區(qū)212的冗余字線來替換第一單元區(qū)211的有缺陷的字線(反之亦然)，由此提高修復(fù)操作的靈活性及刷新操作的速度。下文將結(jié)合圖2描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的激活操作。在除刷新操作外的通常的激活操作(例如讀取操作或?qū)懭氩僮?中，輸入激活命令RACTP而不輸入刷新命令A(yù)REFP。當(dāng)存儲體選擇信號BA被激活時(shí)，激活信號發(fā)生單元220 響應(yīng)于激活命令RACTP而根據(jù)上/下地址UP/DN ADD來激活第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2中的一個(gè)。在此情況下，經(jīng)由外部地址輸入端子EXT而從外部輸入行地址RADD。也就是，經(jīng)由端子EXT而輸入包括要激活的字線的信息的地址。存儲體選擇信號 BA是通過對存儲體地址譯碼而產(chǎn)生的信號。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的預(yù)激活信號發(fā)生單元221的圖。存儲體選擇信號BA確定是否對存儲體210所包括的存儲器單元執(zhí)行激活操作。參見圖3，預(yù)激活信號發(fā)生單元包括第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310、第二預(yù)激活信號發(fā)生電路320、下一命令發(fā)生電路330、以及內(nèi)部地址發(fā)生電路340。第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310在輸入刷新命令A(yù)REFP和下一刷新命令NEXT_AREFP時(shí)激活預(yù)激活信號PRE_ RACT。在存儲體選擇信號BA被激活的情況下，第二預(yù)激活信號發(fā)生電路320在輸入激活命令RACTP時(shí)激活預(yù)激活信號PRE_RACT。下一命令發(fā)生電路330通過將預(yù)充電信號PRECH延遲預(yù)定的時(shí)間來激活下一刷新命令NEXT_AREFP。內(nèi)部地址發(fā)生電路340響應(yīng)于刷新命令 AREFP或預(yù)充電信號PRECH而產(chǎn)生內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD。首先描述在刷新時(shí)間段中激活預(yù)激活信號PRE_RACT的過程。當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310的第一 NMOS晶體管311 導(dǎo)通。當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，內(nèi)部地址發(fā)生電路340輸出具有邏輯高電平的內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD0具有邏輯高電平的內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD使第二 NMOS晶體管312 導(dǎo)通而將內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A下拉驅(qū)動。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A的電壓被反相，并且預(yù)激活信號PRE_RACT被激活為邏輯高電平。在從預(yù)激活信號PRE_RACT的激活起經(jīng)過了一定時(shí)間之后，預(yù)充電信號發(fā)生單元240激活預(yù)充電信號PRECH。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310的第一 PMOS晶體管 315導(dǎo)通而將內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A上拉驅(qū)動。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A的電壓反相，并且預(yù)激活信號PRE_RACT被去激活至低邏輯電平。
下一命令發(fā)生電路330包括使能信號發(fā)生單元331和命令發(fā)生單元332。當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，使能信號發(fā)生單元331激活使能信號EN。當(dāng)使能信號EN被激活時(shí)，命令發(fā)生單元332通過將預(yù)充電信號PRECH延遲預(yù)定的時(shí)間來激活下一刷新命令NEXT_AREFP。 此時(shí)，預(yù)充電信號PRECH的激活時(shí)間段與命令發(fā)生單元332的延遲值之和大于對第一行激活信號RACTl激活的字線預(yù)充電所花費(fèi)的時(shí)間。命令發(fā)生單元332與由使能信號EN來確定激活的一般的延遲電路相對應(yīng)。當(dāng)輸入下一刷新命令NEXT_AREFP時(shí)，第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310的第三NMOS 晶體管313導(dǎo)通。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，內(nèi)部地址發(fā)生電路340輸出具有邏輯低電平的內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD。具有邏輯低電平的內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD使第四NMOS晶體管314導(dǎo)通而將內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A下拉驅(qū)動。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)A的電壓被反相，并且預(yù)激活信號PRE_RACT被激活為邏輯高電平。在從預(yù)激活信號PRE_RACT的激活起經(jīng)過了一定時(shí)間之后，預(yù)充電信號發(fā)生單元240激活預(yù)充電信號PRECH。當(dāng)下一刷新命令NEXT_AREFP被激活時(shí)，使能信號發(fā)生單元331將使能信號EN去激活。因此，即使預(yù)充電信號PRECH再次被激活，下一刷新命令NEXT_AREFP也不會被激活。 也就是，當(dāng)輸入一次刷新命令A(yù)REFP時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT僅可以被激活兩次。此外，內(nèi)部地址發(fā)生電路340在預(yù)充電信號PRECH被第一次激活時(shí)將內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD變?yōu)檫壿嫷碗娖剑⑶抑笤陬A(yù)充電信號PRECH再次被激活時(shí)將內(nèi)部上/ 下地址UP/DN IADD保持在邏輯低電平。在激活操作中，預(yù)激活信號發(fā)生單元221的操作如下。在激活時(shí)間段中，由第二預(yù)激活信號發(fā)生電路320來產(chǎn)生預(yù)激活信號PRE_RACT。當(dāng)存儲體選擇信號BA選擇了存儲體 210時(shí)，第六NMOS晶體管322導(dǎo)通。當(dāng)輸入激活命令RACTP時(shí)，第五NMOS晶體管321導(dǎo)通并且將內(nèi)部節(jié)點(diǎn)B下拉驅(qū)動。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)B的電壓被反相，并且預(yù)激活信號PRE_RACT被激活。在激活時(shí)間段中，由預(yù)充電命令PRECHP將預(yù)激活信號PRE_RACT去激活。當(dāng)輸入預(yù)充電命令PRECHP時(shí)，第二 PMOS晶體管323導(dǎo)通而將內(nèi)部節(jié)點(diǎn)B上拉驅(qū)動。內(nèi)部節(jié)點(diǎn)B 的電壓被反相，并且預(yù)激活信號PRE_RACT被去激活。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的使能單元222的圖。參見圖4，使能單元222包括上/下使能信號發(fā)生電路410和使能電路420。當(dāng)刷新信號REF被激活時(shí)(即在刷新時(shí)間段期間)，上/下使能信號發(fā)生電路410響應(yīng)于內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD而產(chǎn)生第一使能信號和第二使能信號EN2。另外，當(dāng)刷新信號 REF被去激活時(shí)(即在激活時(shí)間段期間)，上/下使能信號發(fā)生電路410響應(yīng)于上/下地址 UP/DN ADD而產(chǎn)生第一使能信號Em和第二使能信號EN2。圖4的上/下使能信號發(fā)生電路410在上/下地址UP/DN ADD或內(nèi)部上/下地址 UP/DN IADD為邏輯高電平時(shí)激活第一使能信號ENl，并在上/下地址UP/DN ADD或內(nèi)部上 /下地址UP/DN IADD為邏輯低電平時(shí)激活第二使能信號EN2。利用上/下地址UP/DN ADD產(chǎn)生第一使能信號EW和第二使能信號EN2是通過第一傳輸門門411來實(shí)現(xiàn)的，而利用內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD產(chǎn)生第一使能信號Em和第二使能信號EN2是通過第二傳輸門412來實(shí)現(xiàn)的。使能電路420響應(yīng)于第一使能信號Em和第二使能信號EN2而傳送預(yù)激活信號 PRE.RACT作為第一行激活信號RACTl或第二行激活信號RACT2。當(dāng)?shù)谝皇鼓苄盘朎m被激活時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT被傳送作為第一行激活信號RACTl。當(dāng)?shù)诙鼓苄盘朎N2被激活時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT被傳送作為第二行激活信號RACT2。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的刷新操作控制器件可以包括激活信號發(fā)生單元220和預(yù)充電信號發(fā)生單元M0。激活信號發(fā)生單元220響應(yīng)于刷新命令A(yù)REFP而產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2。預(yù)充電信號發(fā)生單元240在預(yù)激活信號PRE_RACT被激活之后激活預(yù)充電信號PRECH。刷新操作控制器件的詳細(xì)的配置和操作與結(jié)合圖2、圖3和圖4所描述的相同。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作的波形圖。當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，下一命令發(fā)生電路330的使能信號發(fā)生單元331激活使能信號EN。內(nèi)部地址發(fā)生電路340將內(nèi)部上/下地址UP/DNIADD變?yōu)檫壿嫺唠娖?。另夕卜，預(yù)激活信號PRE_RACT由第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310第一次激活。由于內(nèi)部上/下地址UP/DN IADD為邏輯高電平，因此激活的預(yù)激活信號PRE_RACT被傳送作為第一行激活信號 RACTl。預(yù)充電信號發(fā)生單元MO響應(yīng)于激活的預(yù)激活信號PRE_RACT來激活預(yù)充電信號 PRECH。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT被第一預(yù)激活信號發(fā)生電路 310去激活。另外，內(nèi)部地址發(fā)生電路340響應(yīng)于預(yù)充電信號PRECH而將內(nèi)部上/下地址 UP/DN IADD變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｃ畎l(fā)生單元332通過將預(yù)充電信號PRECH延遲預(yù)定的時(shí)間來激活下一刷新命令NEXT_AREFP。當(dāng)下一刷新命令NEXT_AREFP被激活時(shí)，下一命令發(fā)生電路330的使能信號發(fā)生單元331將使能信號EN去激活。另外，預(yù)激活信號PRE_RACT被第一預(yù)激活信號發(fā)生電路310 第二次激活。由于內(nèi)部上/下地址UP/DNIADD為邏輯低電平，因此激活的預(yù)激活信號PRE_ RACT被傳送作為第二行激活信號RACT2。預(yù)充電信號發(fā)生單元MO響應(yīng)于激活的預(yù)激活信號PRE_RACT來激活預(yù)充電信號 PRECH。當(dāng)預(yù)充電信號PRECH被激活時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT被第一預(yù)激活信號發(fā)生電路 310去激活。內(nèi)部上/下地址UP/DNIADD保持在邏輯低電平。但是，由于下一命令發(fā)生電路 330的使能信號發(fā)生單元331將使能信號EN去激活，因此命令發(fā)生單元332不會再次激活下一刷新命令NEXT_AREFP。通過以上的操作，當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，第一行激活信號RACTl和第二行激活信號RACT2順序地被激活。下文將結(jié)合圖2至圖5來描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的刷新操作控制方法。在包括具有第一單元區(qū)211和第二單元區(qū)212的存儲體210的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作控制方法中，當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)，第一行激活信號RACTl被激活，并且第一單元區(qū)211的字線之中由行地址RADD所指定的字線被激活并刷新。然后，將第一行激活信號RACTl去激活。在從第一行激活信號RACTl的去激活起經(jīng)過了預(yù)定時(shí)間之后，產(chǎn)生下一刷新命令NEXT_AREFP。當(dāng)輸入下一刷新命令NEXT_AREFP時(shí)，第二行激活信號RACT2被激活，并且第二單元區(qū)212的字線之中的由行地址RADD所指定的字線被激活并刷新。當(dāng)輸入刷新命令時(shí)，預(yù)激活信號PRE_RACT被激活兩次。預(yù)激活信號PRE_RACT的第一次激活被傳送作為第一行激活信號RACT1，預(yù)激活信號PRE_RACT的第二次激活被傳送作為第二行激活信號RACT2。預(yù)激活信號響應(yīng)于由預(yù)激活信號PRE_RACT延遲了預(yù)定的延遲量而被激活的預(yù)充電信號PRECH而被去激活。行地址RADD是每當(dāng)輸入刷新命令A(yù)REFP時(shí)所計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)值。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件通過在刷新操作中將字線的激活時(shí)間點(diǎn)分開而防止在一個(gè)單元區(qū)中兩個(gè)字線同時(shí)被激活。雖然本發(fā)明對具體的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的發(fā)明的主旨和范圍的情況下可以進(jìn)行各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括存儲體，所述存儲體包括第一單元區(qū)和第二單元區(qū)；激活信號發(fā)生單元，所述激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令而產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號和第二行激活信號；以及地址計(jì)數(shù)單元，所述地址計(jì)數(shù)單元被配置為對所述刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)，并產(chǎn)生行地址，其中，當(dāng)所述第一行激活信號被激活時(shí)，所述第一單元區(qū)中由所述行地址指定的字線被激活，并且當(dāng)所述第二行激活信號被激活時(shí)，所述第二單元區(qū)中由所述行地址指定的字線被激活。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述地址計(jì)數(shù)單元每當(dāng)所述刷新命令被激活時(shí)順序地增加所述行地址的值，或者每當(dāng)所述刷新命令被激活時(shí)順序地減小所述行地址的值。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，當(dāng)存儲體選擇信號被激活時(shí)，所述激活信號發(fā)生單元根據(jù)上/下地址來激活所述第一行激活信號和所述第二行激活信號中的一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述激活信號發(fā)生單元包括預(yù)激活信號發(fā)生單元，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于所述刷新命令而將預(yù)激活信號激活兩次；以及使能單元，所述使能單元被配置為當(dāng)代表刷新時(shí)間段的刷新信號被激活時(shí)，在第一激活時(shí)間段傳送所述預(yù)激活信號作為所述第一行激活信號，并且在第二激活時(shí)間段傳送所述預(yù)激活信號作為所述第二行激活信號。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元響應(yīng)于激活命令來激活所述預(yù)激活信號，并且所述使能單元在所述刷新信號被去激活時(shí)根據(jù)上/下地址來傳送所述預(yù)激活信號作為所述第一行激活信號和所述第二行激活信號中的一個(gè)。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，當(dāng)所述激活命令被激活時(shí)，從所述半導(dǎo)體存儲器件的外部輸入地址作為所述行地址。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括預(yù)充電信號發(fā)生單元，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為在所述預(yù)充電信號被激活之后激活預(yù)充電信號。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為通過將所述預(yù)激活信號延遲預(yù)定的延遲值來激活所述預(yù)充電信號。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為當(dāng)所述預(yù)充電信號被激活時(shí)將所述預(yù)激活信號去激活。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述第一單元區(qū)包括第一單元陣列，所述第一單元陣列包括多個(gè)字線；以及第一行譯碼器，所述第一行譯碼器被配置為響應(yīng)于所述行地址來指定所述多個(gè)字線中由所述第一行激活信號激活的一個(gè)，并且所述第二單元區(qū)包括第二單元陣列，所述第二單元陣列包括多個(gè)字線；以及第二行譯碼器，所述第二行譯碼器被配置為響應(yīng)于所述行地址來指定所述多個(gè)字線中由所述第二行激活信號激活的一個(gè)。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，當(dāng)自動刷新命令被激活時(shí)，所述刷新命令被激活。
12.—種刷新操作控制電路，包括激活信號發(fā)生單元，所述激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令來激活預(yù)激活信號，并使用所述預(yù)激活信號來產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號和第二行激活信號；以及預(yù)充電信號發(fā)生單元，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為在所述預(yù)激活信號被激活一次之后將用于控制所述預(yù)激活信號的激活的預(yù)充電信號激活。
13.如權(quán)利要求12所述的刷新操作控制電路，其中，所述預(yù)充電信號發(fā)生單元被配置為通過將所述預(yù)激活信號延遲預(yù)定的延遲值來激活所述預(yù)充電信號。
14.如權(quán)利要求12所述的刷新操作控制電路，其中，所述激活信號發(fā)生單元包括預(yù)激活信號發(fā)生單元，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于所述刷新命令和所述預(yù)充電命令而將所述預(yù)激活信號激活兩次；以及使能單元，所述使能單元被配置為當(dāng)代表刷新時(shí)間段的刷新信號被激活時(shí)，在第一激活時(shí)間段傳送所述預(yù)激活信號作為所述第一行激活信號，并且在第二激活時(shí)間段傳送所述預(yù)激活信號作為所述第二行激活信號。
15.如權(quán)利要求14所述的刷新操作控制電路，其中，所述預(yù)激活信號發(fā)生單元被配置為當(dāng)所述預(yù)充電信號被激活時(shí)將所述預(yù)激活信號去激活。
16.一種包括具有第一單元區(qū)和第二單元區(qū)的存儲體的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作控制方法，包括以下步驟當(dāng)輸入刷新命令時(shí)激活第一行激活信號；響應(yīng)于所述第一行激活信號來激活所述第一單元區(qū)的字線中由行地址指定的字線，以對所述字線的存儲器單元進(jìn)行刷新；將所述第一行激活信號去激活，并在從所述第一行激活信號的去激活起經(jīng)過預(yù)定的時(shí)間之后激活第二行激活信號；響應(yīng)于所述第二行激活信號來激活所述第二單元區(qū)的字線中由所述行地址指定的字線，以對所述字線的存儲器單元進(jìn)行刷新。
17.如權(quán)利要求16所述的刷新操作控制方法，其中，激活第二行激活信號的步驟包括根據(jù)所述第一行激活信號的去激活來產(chǎn)生下一刷新命令，以及響應(yīng)于所述下一刷新命令來激活所述第二行激活信號。
18.如權(quán)利要求16所述的刷新操作控制方法，其中，激活第一行激活信號的步驟和激活第二行激活信號的步驟包括以下步驟將預(yù)激活信號激活，在輸入所述刷新命令之后將所述預(yù)激活信號激活兩次。
19.如權(quán)利要求18所述的刷新操作控制方法，其中，所述預(yù)激活信號是響應(yīng)于通過將所述預(yù)激活信號延遲預(yù)定的延遲量而被激活的預(yù)充電信號而被去激活的。
20.如權(quán)利要求16所述的刷新操作控制方法，其中，所述行地址是每當(dāng)輸入所述刷新命令時(shí)計(jì)數(shù)的值。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體存儲器件，包括存儲體，所述存儲體包括第一單元區(qū)和第二單元區(qū)；激活信號發(fā)生單元，所述激活信號發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于刷新命令而產(chǎn)生具有互不相同的激活時(shí)間段的第一行激活信號和第二行激活信號；以及地址計(jì)數(shù)單元，所述地址計(jì)數(shù)單元被配置為對刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)，并產(chǎn)生行地址，其中，當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘柋患せ顣r(shí)，第一單元區(qū)中由所述行地址指定的字線被激活，并且當(dāng)?shù)诙屑せ钚盘柋患せ顣r(shí)，第二單元區(qū)中由所述行地址指定的字線被激活。
文檔編號G11C11/406GK102467957SQ20111002931
公開日2012年5月23日 申請日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者權(quán)奇昌 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司