專利名稱：非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，主板上搭載的基本輸入輸出系統(tǒng)(Basic Input andOutput System, BIOS)主要是統(tǒng)一可擴展固件接口(Unified Extensible FirmwareInterface, UEFI) BIOS0儲存UEFI BIOS數(shù)據(jù)的ROM有一塊區(qū)域為非易失性隨機訪問存儲器(Non-Volatile Random Access Memory,NVRAM),作用在于保存 BIOS SETUP 內(nèi)的所有設(shè)置值，系統(tǒng)正常工作的情況下，由電源系統(tǒng)供給NVRAM需要的工作電壓，實時刷新數(shù)據(jù)，保 證數(shù)據(jù)不丟失，在系統(tǒng)不加電的情況下，由系統(tǒng)自帶的電池供電，以保證此區(qū)域的設(shè)置值得以保存。目前對NVRAM測試主要通過手動方式進行，第一，頻繁進入BIOS SETUP修改相關(guān)Option的設(shè)置值，然后再進入BIOS SETUP檢測修改值是否被保存；其次，就是利用可以讀寫NVRAM值的工具，保存幾個不同的設(shè)置，讀取幾個NVRAM設(shè)置值的只讀文件，再寫入到NVRAM，然后手動重啟系統(tǒng)進入BIOS SETUP進行檢測以判斷相關(guān)信息是否被保存。以上的測試存在很大的局限性，第一，所有的操作需要手動完成；第二，需要人工記錄進行了多少次NVRAM 100的讀寫操作，來判定NVRAM的穩(wěn)定性；第三，使用讀寫NVRAM的工具無法自動保存測試的結(jié)果，無法提供相關(guān)數(shù)據(jù)依據(jù)；第四，需要測試人員自己通過反復(fù)操作判定是否出現(xiàn)不能保存的問題，這就需要測試人員長時間的呆在測試機臺旁，大大浪費了人力，拉長了正常的測試周期；第五，上述技術(shù)方法不適合用于產(chǎn)品處在量產(chǎn)階段的穩(wěn)定性驗證。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，測試人員可以不用停留在測試機臺旁邊，完全擺脫測試人員手動測試，程序自動偵測對BIOS中非易失性隨機訪問存儲器的讀寫的開始和結(jié)束時間，指定保存文件后，相關(guān)的日志文件自動保存，方便測試人員查看。鑒于以上內(nèi)容，還有必要提供一種非易失性隨機訪問存儲器測試方法，測試人員可以不用停留在測試機臺旁邊，完全擺脫測試人員手動測試，程序自動偵測對BIOS中非易失性隨機訪問存儲器的讀寫的開始和結(jié)束時間，指定保存文件后，相關(guān)的日志文件自動保存，方便測試人員查看。—種非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括設(shè)置模塊，用于設(shè)置診斷模式的測試參數(shù)及壓力模式的測試參數(shù)；初始化模塊，用于初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式；診斷模式測試模塊，用于在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；壓力模式測試模塊，用于在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；生成模塊，用于生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。一種非易失性隨機訪問存儲器測試方法，該方法包括設(shè)置診斷模式的測試參數(shù)及壓力模式的測試參數(shù)；初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式；在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。相較于現(xiàn)有技術(shù)，利用所述的非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)及方法，首先，測試人員可以不用停留在測試機臺旁邊，節(jié)省了人力和工時投入；其次，可以完全擺脫測試人員手動測試，程序自動執(zhí)行；第三，程序自動偵測對BIOS中非易失性隨機訪問存儲器的測試的開始和結(jié)束時間；第四，指定保存文件后，相關(guān)的日志自動保存，方便測試人員查看。



圖I是本發(fā)明非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)較佳實施例的應(yīng)用環(huán)境圖。圖2是本發(fā)明圖I中非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)較佳實施例的功能模塊圖。圖3是本發(fā)明非易失性隨機訪問存儲器測試方法較佳實施例的流程圖。圖4是圖3中步驟S30的具體作業(yè)流程圖，即在診斷模式下對BIOS中的NVRAM進行測試的細(xì)化流程圖。圖5是圖3中步驟S40的具體作業(yè)流程圖，即在壓力模式下對BIOS中的NVRAM進行測試的細(xì)化流程圖。主要元件符號說明
主板I
BIOS10~
NVRAM100
計算機2^
非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)20~
存儲器22~
設(shè)置模塊2I0-
初始化模塊220~
診斷模式測試模塊230
壓力模式測試模塊240生成模塊250如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式如圖I所示，是本發(fā)明非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)較佳實施例的應(yīng)用環(huán)境圖。其中，該非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)20運行在計算機2上，該計算機2包括存儲器22，該存儲器22上存儲有一個或一個以上的只讀文件，所述只讀文件包含有基本輸入輸出系統(tǒng)(basic input and output system, BIOS) 10 (以下簡稱為 BI0S10)的設(shè)置(SETTING)信息。該計算機2與BIOS 10的主板I相連接， 以便將存儲器22保存的只讀文件中的信息寫到BIOS 10中。在本較佳實施例中，所述計算機2將只讀文件中的信息寫到BIOS 10的非易失性隨機訪問存儲器(Non-Volatile Random Access Memory, NVRAM) 100 (以下簡稱為NVRAM 100)中，再從NVRAM 100讀取信息，通過判斷讀取的信息與寫入的信息是否一致，來測試NVRAM 100的性能。所述BIOS 10為統(tǒng)一可擴展固件接口(Unified ExtensibleFirmware Interface, UEFI)BIOS0所述非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)20的功能將在圖2及圖3中做詳細(xì)描述。此外，所述主板I上還包括主板I在啟動過程中所用到的必備部件,例如，CPU、內(nèi)存(圖中未標(biāo)示)等，所述必備部件使該主板I能夠正常運行。如圖2所示，是本發(fā)明圖I中非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)20較佳實施例的功能模塊圖。該非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)20包括設(shè)置模塊210、初始化模塊220、診斷模式測試模塊230、壓力模式測試模塊240及生成模塊250。本發(fā)明所稱的模塊是完成一特定功能的計算機程序段，比程序更適合于描述軟件在計算機中的執(zhí)行過程，因此在本發(fā)明以下對軟件描述中都以模塊描述。所述設(shè)置模塊210用于設(shè)置診斷模式(Diagnose Mode)的測試參數(shù)及壓力模式(Stress Mode)的測試參數(shù)。所述診斷模式的測試參數(shù)包括BIOS 10的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、開始時間、結(jié)束時間及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。所述壓力模式的測試參數(shù)包括BIOS 10的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、測試總次數(shù)及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。其中，若用戶通過所述診斷模式對NVRAM 100進行測試，只要出現(xiàn)一次讀寫操作出錯，則測試結(jié)束。所述關(guān)鍵字是指一個固定位置的字段或者數(shù)值，該關(guān)鍵字用于判斷寫入到NVRAM 100的信息與從NVRAM 100讀取的信息是否一致。具體而言，用戶先將信息寫入到NVRAM 100中，再從NVRAM 100中讀取信息，通過關(guān)鍵字進行比較，以判斷寫入到NVRAM 100的固定位置的字段(或者數(shù)值)與從NVRAM 100讀取的該固定位置的字段(或者數(shù)值)是否一致，從而判斷NVRAM 100的性能。所述延遲時間是指相鄰兩次對NVRAM 100進行讀寫操作的間隔時間，即完成一次對NVRAM 100的讀寫操作之后，啟動下一次讀寫操作的間隔時間。此外，當(dāng)用戶通過所述壓力模式對NVRAM 100進行測試時，若出現(xiàn)讀寫出錯，則記錄讀寫出錯的次數(shù)及原因，測試?yán)^續(xù)進行，直到到達(dá)所設(shè)置的測試次數(shù)(例如，8000次)，測試才結(jié)束。
所述初始化模塊220用于初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式。具體而言，初始化模塊220通過初始化函數(shù)(Initialization)將所設(shè)置的測試參數(shù)加入到診斷模式及壓力模式中，使得用戶通過診斷模式及壓力模式對NVRAM 100的測試是按照用戶設(shè)置的測試參數(shù)進行。所述診斷模式測試模塊230用于在診斷模式下對NVRAM 100進行測試。所述在診斷模式下對NVRAM 100的測試將在圖4中做詳細(xì)描述。所述壓力模式測試模塊240用于在壓力模式下對NVRAM 100進行測試。所述在壓力模式下對NVRAM 100的測試將在圖5中做詳細(xì)描述。所述生成模塊250用于生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。所述生成模塊250按照設(shè)置的存儲路徑將所生成的日志文件保存到存儲器22中。如圖3所示，是本發(fā)明非易失性隨機訪問存儲器測試方法較佳實施例的流程圖。步驟S10，設(shè)置模塊210設(shè)置診斷模式(Diagnose Mode)的測試參數(shù)及壓力模式(Stress Mode)的測試參數(shù)。所述診斷模式的測試參數(shù)包括BIOS 10的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、開始時間、結(jié)束時間及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。所述壓力模式的測試參數(shù)包括BIOS 10的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、測試總次數(shù)及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。其中，若用戶通過所述診斷模式對NVRAM 100進行測試，只要出現(xiàn)一次讀寫操作出錯，則測試結(jié)束。所述關(guān)鍵字是指一個固定位置的字段或者數(shù)值，該關(guān)鍵字用于判斷寫入到NVRAM 100的信息與從NVRAM 100讀取的信息是否一致。具體而言，用戶先將信息寫入到NVRAM 100中，再從NVRAM 100中讀取信息，通過關(guān)鍵字進行比較，以判斷寫入到NVRAM 100的固定位置的字段(或者數(shù)值)與從NVRAM 100讀取的該固定位置的字段(或者數(shù)值)是否一致，從而判斷NVRAM 100的性能。所述延遲時間是指相鄰兩次對NVRAM 100進行讀寫操作的間隔時間，即完成一次對NVRAM 100的讀寫操作之后，啟動下一次讀寫操作的間隔時間。此外，當(dāng)用戶通過所述壓力模式對NVRAM 100進行測試時，若出現(xiàn)讀寫出錯，則記錄讀寫出錯的次數(shù)及原因，測試?yán)^續(xù)進行，直到到達(dá)所設(shè)置的測試次數(shù)(例如，8000次)，測試才結(jié)束。步驟S20，初始化模塊220初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式。具體而言，初始化模塊220通過初始化函數(shù)(Initialization)將所設(shè)置的測試參數(shù)加入到診斷模式及壓力模式中，使得用戶通過診斷模式及壓力模式對NVRAM 100的測試是按照用戶設(shè)置的測試參數(shù)進行。步驟S30，診斷模式測試模塊230在診斷模式下對NVRAM 100進行測試。所述在診斷模式下對NVRAM 100的測試將在圖4中做詳細(xì)描述。步驟S40，壓力模式測試模塊240在壓力模式下對NVRAM 100進行測試。所述在壓力模式下對NVRAM 100的測試將在圖5中做詳細(xì)描述。步驟S50，生成模塊250生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。所述生成模塊250按照設(shè)置的存儲路徑將所生成的日志文件保存到存儲器22中。
如圖4所示，是圖3中步驟S30在診斷模式下對BIOS的NVRAM進行測試的細(xì)化流程圖。如圖4所示，是圖3中步驟S30的細(xì)化流程圖。步驟S310，將存儲器22上保存的只讀文件中的信息寫入到BI0S10的NVRAM 100中。正常情況下，用戶將只讀文件中的信息寫入到BIOS 10的NVRAM 100時，會覆蓋NVRAM100中原有的信息。步驟S320，從NVRAM 100中讀取信息。步驟S330，判斷讀取的信息與步驟S310中寫入的信息是否一致，以判斷讀寫操作是否出錯。具體而言，為了縮短測試時間，診斷模式測試模塊230從讀取的信息中獲取某一個固定位置的字段或者數(shù)值(即關(guān)鍵字)，若所獲取的字段(或者數(shù)值)與寫入的信息中該固定位置的字段(或者數(shù)值)一致，則說明讀取的信息與寫入的信息一致。例如，若寫入的信息中某一固定位置的字段是“SAVE”，而用戶從NVRAM 100中讀取的信息中在同樣固定位 置的字段也是“SAVE”，則說明讀取的信息與寫入的信息一致，步驟進入S340。若寫入的信息中某一固定位置的字段是“SAVE”，而用戶從NVRAM 100中讀取的信息在同樣固定位置的字段不是“SAVE”，則說明讀取的信息與寫入的信息不一致，步驟進入S350。步驟S340，判斷是否到達(dá)所設(shè)置的結(jié)束時間。具體而言，假設(shè)用戶設(shè)置的結(jié)束時間為2011-3-30晚上12點整，若當(dāng)前時間是2011-3-30晚上12點整或者是2011-3-30晚上12點零I分，步驟進入S350。若當(dāng)前時間為2011-3-30晚上8點，返回步驟S310。需要說明的是，若存儲器22中保存一個以上的只讀文件，例如，保存兩個只讀文件，分別為只讀文件A及只讀文件B，步驟S310將輪流交替的將只讀文件A的信息及只讀文件B的信息寫入到中。具體而言，若在步驟S310中最初將只讀文件A的信息寫入到NVRAM 100，當(dāng)流程返回到步驟S310時，將寫入只讀文件B的信息到NVRAM 100，當(dāng)流程再一次返回到步驟S310時，將寫入只讀文件A的信息到NVRAM 100，如此交替反復(fù)，直到達(dá)到設(shè)置的結(jié)束時間，測試結(jié)束。步驟S350，記錄診斷模式下測試的信息。所述診斷模式下測試的信息包括診斷模式下測試的起始時間、結(jié)束時間、讀寫操作出錯的時間、測試次數(shù)等信息。如圖5所示，是圖3中步驟S40的細(xì)化流程圖。步驟S410，將存儲器22上保存的只讀文件中的信息寫入到NVRAM 100中。正常情況下，用戶將信息寫入到NVRAM 100中時，該寫入的信息會覆蓋NVRAM 100中原有的信息。步驟S420，從NVRAM 100中讀取信息。步驟S430，判斷讀取的信息與寫入的信息是否一致，以判斷讀寫操作是否出錯。具體而言，為了縮短測試時間，壓力模式測試模塊240從讀取的信息中獲取某一個固定位置的字段或者數(shù)值(即關(guān)鍵字)，若所獲取的字段(或者數(shù)值)與寫入的信息中該固定位置的字段(或者數(shù)值)一致，則說明讀取的信息與寫入的信息一致。例如，若寫入的信息中某一固定位置的數(shù)值是“5minuteS”，而用戶從NVRAM 100中該固定位置讀取的數(shù)值不是“5minutes”，則說明讀取的信息與寫入的信息不一致，讀寫操作出錯，步驟進入S440。若寫入的信息中某一固定位置的數(shù)值是“5minuteS”，而用戶從NVRAM 100中該固定位置讀取的數(shù)值也是“5minutes”，則說明讀取的信息與寫入的信息一致，步驟進入S450。步驟S440，記錄讀寫操作出錯的次數(shù)以及讀寫操作出錯的原因。
步驟S450，對讀寫操作的次數(shù)進行統(tǒng)計。具體而言，每進行一次讀寫，將統(tǒng)計次數(shù)加一。步驟S460，判斷統(tǒng)計的次數(shù)是否與所設(shè)置的測試次數(shù)一致。具體而言，假設(shè)設(shè)置的測試次數(shù)為8000次，若統(tǒng)計的次數(shù)為8000次，則說明統(tǒng)計的次數(shù)與設(shè)置的測試次數(shù)一致，流程進入步驟S470。若統(tǒng)計的次數(shù)小于8000次，流程返回到步驟S410。需要說明的是，若存儲器22中保存一個以上的只讀文件，例如，保存兩個只讀文件，分別為只讀文件A及只讀文件B，步驟S410將輪流交替的將只讀文件A的信息及只讀文件B的信息寫入到NVRAM100中。具體而言，若在步驟S410中最初將只讀文件A的信息寫入到NVRAM 100，當(dāng)流程返回到步驟S410時，將寫入只讀文件B的信息到NVRAM 100，當(dāng)流程再一次返回到步驟S410時，將寫入只讀文件A的信息到NVRAM 100，如此反復(fù)交替，直到達(dá)到所設(shè)置的測試次數(shù)，測試結(jié)束。
步驟S470，記錄壓力模式下測試的信息。所述壓力模式下測試的信息包括壓力模式下測試的起始時間、結(jié)束時間、讀寫操作出錯的次數(shù)，每次讀寫操作出錯的時間、總的測試次數(shù)等信息。以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照以上較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或等同替換都不應(yīng)脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種非易失性隨機訪問存儲器測試方法，其特征在于，該方法包括 設(shè)置診斷模式的測試參數(shù)及壓力模式的測試參數(shù)； 初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式； 在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試； 在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試 '及 生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。
2.如權(quán)利要求I所述的非易失性隨機訪問存儲器測試方法，其特征在于，所述診斷模式的測試參數(shù)包括BIOS的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、開始時間、結(jié)束時間及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。
3.如權(quán)利要求I所述的非易失性隨機訪問存儲器測試方法，所述壓力模式的測試參數(shù)包括BIOS的版本號、關(guān)鍵字、延遲時間、測試總次數(shù)及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。
4.如權(quán)利要求I或2所述的非易失性隨機訪問存儲器測試方法，其特征在于，所述在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試的步驟包括以下步驟 將計算機上保存的只讀文件中的信息寫入到BIOS的非易失性隨機訪問存儲器； 從非易失性隨機訪問存儲器中讀取信息； 判斷讀取的信息與寫入的信息是否一致； 當(dāng)判斷讀取的信息與寫入的信息一致時，判斷是否到達(dá)所設(shè)置的結(jié)束時間； 當(dāng)沒有到達(dá)所設(shè)置的結(jié)束時間時，返回將計算機上保存的只讀文件中的信息寫入到BIOS的非易失性隨機訪問存儲器的步驟；及 當(dāng)判斷讀取的信息與寫入的信息不一致或者到達(dá)所設(shè)置的結(jié)束時間時，記錄診斷模式下測試的信息。
5.如權(quán)利要求I或3所述的非易失性隨機訪問存儲器測試方法，其特征在于，所述在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試的步驟包括以下步驟 將計算機上保存的只讀文件中的信息寫入到BIOS的非易失性隨機訪問存儲器； 從非易失性隨機訪問存儲器中讀取信息； 判斷讀取的信息與寫入的信息是否一致； 當(dāng)讀取的信息與寫入的信息不一致時，記錄讀寫操作出錯的次數(shù)以及讀寫操作出錯的原因； 對讀寫操作的次數(shù)進行統(tǒng)計； 判斷統(tǒng)計的次數(shù)是否與所設(shè)置的測試次數(shù)一致； 當(dāng)統(tǒng)計的次數(shù)與所設(shè)置的測試次數(shù)不一致時，返回將計算機上保存的只讀文件中的信息寫入到BIOS的非易失性隨機訪問存儲器的步驟；及 當(dāng)統(tǒng)計的次數(shù)與所設(shè)置的測試次數(shù)一致時，記錄壓力模式下測試的信息。
6.一種非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)包括 設(shè)置模塊，用于設(shè)置診斷模式的測試參數(shù)及壓力模式的測試參數(shù)； 初始化模塊，用于初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式； 診斷模式測試模塊，用于在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試； 壓力模式測試模塊，用于在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；及 生成模塊，用于生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。
7.如權(quán)利要求6所述的非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，其特征在于，所述診斷模式下測試的信息包括診斷模式下測試的起始時間、結(jié)束時間、關(guān)鍵字、讀寫操作出錯的時間及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。
8.如權(quán)利要求6所述的非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，其特征在于，所述壓力模式下測試的信息包括壓力模式下測試的起始時間、關(guān)鍵字、結(jié)束時間、讀寫操作出錯的次數(shù)，每次讀寫操作出錯的時間、總的測試次數(shù)及及測試結(jié)束后所生成的日志文件保存路徑信息。
9.如權(quán)利要求7或8所述的非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)，其特征在于，所述生成模塊按照設(shè)置的存儲路徑對所生成的日志文件進行保存。
全文摘要
一種非易失性隨機訪問存儲器測試方法，該方法包括設(shè)置診斷模式的測試參數(shù)及壓力模式的測試參數(shù)；初始化所設(shè)置的測試參數(shù)以得到診斷模式及壓力模式；在診斷模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；在壓力模式下對BIOS的非易失性隨機訪問存儲器進行測試；生成診斷模式下進行測試的日志文件及壓力模式下進行測試的日志文件。本發(fā)明還提供一種非易失性隨機訪問存儲器測試系統(tǒng)。利用本發(fā)明測試人員可以不用停留在測試機臺旁邊，完全擺脫測試人員手動測試，程序自動偵測對BIOS中NVRAM的讀寫的開始和結(jié)束時間，指定保存文件后，相關(guān)的日志文件自動保存，方便測試人員查看。
文檔編號G11C29/48GK102737724SQ20111008633
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月7日
發(fā)明者李明 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司