專利名稱：使用低能量研磨提供垂直磁記錄換能器的方法和系統(tǒng)的制作方法
使用低能量研磨提供垂直磁記錄換能器的方法和系統(tǒng)
背景技術(shù)：
圖1是圖示用于制造常規(guī)的垂直磁記錄(PMR)換能器的常規(guī)方法10的流程圖。為了簡便，省略了一些步驟。通過步驟12設(shè)置常規(guī)磁極。常規(guī)的磁極是磁性的并且具有比其底部寬的頂部。步驟12通常包括以期望形狀沉積一個或者更多個高磁矩磁層。例如，具有高磁矩的包含Co、Fe、和/或Ni的材料可以沉積到具有期望的梯形輪廓的溝槽中，或者均厚沉積并且經(jīng)光刻處理以提供期望的梯形輪廓。另外，期望常規(guī)磁極至少具有尾緣或者頂部斜角。因此，期望常規(guī)的磁極在空氣軸承表面(air-bearing surface, ABS)位置的區(qū)域中更短。ABS位置是ABS將駐留在完成結(jié)構(gòu)中的位置。除了尾緣斜角，常規(guī)的磁極可以包括前緣斜角。為了形成斜角，經(jīng)由步驟14提供掩膜。步驟14可以包括提供底部防反射涂層 (bottom antireflective coating, BARC)和其它層以及沉積和圖案化硬掩膜或者其它掩膜以便形成斜角。經(jīng)由步驟16進行高能離子研磨。離子研磨通常在偏離表面法線的角度進行以提供傾斜尾緣斜角。離子研磨的能量通常是七百eV(電子伏特)或者更高。期望高能離子研磨從而以充分高的速率去除磁極材料以便在制造過程中達到期望的生產(chǎn)量。例如， 高能離子研磨可以在數(shù)分鐘內(nèi)以1600-2000埃的數(shù)量級去除。經(jīng)步驟18提供常規(guī)的間隙層。步驟18可以包括短暫的濺射蝕刻，之后是沉積常規(guī)的間隙層。常規(guī)的間隙層是非磁性的并且可以是絕緣的。常規(guī)的間隙層通常是使用原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)沉積的氧化鋁。結(jié)果，常規(guī)的間隙是保形的，覆蓋常規(guī)PMR磁極的頂部和側(cè)部。經(jīng)由步驟20，然后換能器的制造完成。例如，包裹屏蔽罩、線圈、其它(若干)屏蔽罩和其它結(jié)構(gòu)可以被制造。另外，換能器被研磨以露出ABS。圖2圖示使用常規(guī)方法10形成的常規(guī)PMR換能器50的一部分。常規(guī)換能器50 包括底層52、包括尾緣斜角56的常規(guī)磁極M以及常規(guī)的間隙58。其它結(jié)構(gòu)(未示出)也使用常規(guī)方法10制造。盡管常規(guī)方法10可以提供常規(guī)的PMR換能器50，但是可能存在缺陷。具體地，磁極的頂層可能被損壞。如圖2可見，磁極56包括損壞的區(qū)域60。該區(qū)域通常是非晶體的而不是晶體的。非晶體損壞區(qū)域60具有更低的飽和磁通密度(Bs)并且降低常規(guī)磁極M的整體Bs。磁極的Bs的降低是不期望的。此外，損壞的區(qū)域60可以導(dǎo)致間隙58的有效厚度改變。非磁性間隙58厚度的這種改變是不期望的。因此，需要一種制造換能器的改進方法。

發(fā)明內(nèi)容
描述一種制造磁記錄換能器的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供具有底部和比底部寬的頂部的主磁極。該方法和系統(tǒng)還包括在與所述主磁極的頂部的法線形成的角度以第一能量進行高能離子研磨。高能離子研磨去除主磁極的頂部的一部分并且露出主磁極的頂部斜角表面。該方法和系統(tǒng)還包括在與所述頂部斜角表面成掠射角以第二能量進行低能
4離子研磨。掠射角度不大于十五度。第二能量低于第一能量。該方法和系統(tǒng)還包括沉積非磁性間隙。


圖1是圖示制造PMR換能器的常規(guī)方法的流程圖。圖2是圖示常規(guī)PMR換能器的圖。圖3是圖示PMR換能器的制造方法的示例實施例的流程圖。圖4是圖示PMR換能器的示例實施例的圖。圖5是圖示包括PMR換能器的PMR磁頭的示例實施例的圖。圖6是圖示PMR換能器的制造方法的另一示例實施例的流程圖。圖7-圖13是圖示制造期間的PMR換能器的示例實施例的圖。
具體實施例方式圖3是圖示換能器的制造方法100的示例實施例的流程圖。方法100在PMR換能器的背景下描述，盡管其它換能器也可以如此制造。為了簡化，一些步驟可以被省略和/或組合。被制造的PMR換能器可以是組合磁頭的一部分，組合磁頭還包括讀磁頭(未示出)并且駐留在磁盤驅(qū)動器的滑塊(未示出)上。方法100還可以在形成PMR換能器的其它部分之后開始。方法100還在提供單個磁記錄換能器中的主磁極和其關(guān)聯(lián)結(jié)構(gòu)的背景下描述。 然而，方法100可以用于基本同時制造多個結(jié)構(gòu)和/或多個換能器。方法100和系統(tǒng)還在具體層的背景下描述，然而，在一些實施例中，這種層可以包括多個子層。在一個實施例中， 方法100在形成主磁極將駐留于其上的(若干)底層之后開始。經(jīng)由步驟102主磁極被提供。主磁極可以是PMR磁極。由此，主磁極的頂部可以比底部寬。在一些實施例中，提供的主磁極可以具有前緣或者底部斜角。由此，主磁極在 ABS的區(qū)域可以比主磁極遠離ABS的部分短。步驟102可以通過沉積層，在層中提供具有期望輪廓的溝槽，以及在溝槽中沉積用于磁極的(若干)材料進行?；蛘撸糜诖艠O的磁性和 (若干)其它材料可以被沉積并且(若干)材料的一部分被去除以形成磁極。經(jīng)由步驟104使用高能離子研磨形成尾緣或者頂部斜角。步驟104還可以包括提供露出主磁極接近ABS位置的部分的掩膜，接著以高能量離子研磨磁性換能器的露出部分。離子研磨的能量是指用于研磨處理的離子的能量。在一些實施例中，高能量是至少五百 eV。在一些實施例中，高能量是至少七百eV。高能量離子研磨還在與主磁極的頂表面的法線成非零角度進行。在一些實施例中，該角度是至少三十五并且不超過五十五度。在其它實施例中，該角度可以是至少四十并且不超過五十度。此外，該角度使得高能離子研磨是后部離子研磨。由此，離子從換能器的后部接近ABS位置。高能離子研磨去除主磁極的一部分并且露出主磁極的頂部斜角表面。頂部斜角表面相對于ABS以斜角角度傾斜。斜角角度是非零的。此外，高能離子研磨可以提供具有針對期望生產(chǎn)量的充分高的去除速率的研磨速率。例如，高能量可以對應(yīng)于在數(shù)分鐘內(nèi)從主磁極去除1600-2000埃。高能離子研磨還可以包括前部離子研磨，用于從頂部斜角表面清潔再沉積物。經(jīng)由步驟106進行低能離子研磨。在一些實施例中，該低能離子研磨在去除步驟 104的高能離子研磨中使用的掩膜之后進行。低能離子研磨處于低于高能離子研磨的能量。在一些實施例中，低能離子研磨是比高能離子研磨的能量低至少三百eV的能量。例如，在一些實施例中，低能離子研磨可以在不超過二百五十eV的能量。在一些這種實施例中，低能離子研磨處于不超過二百eV的能量。此外，在一些實施例中，低能離子研磨的能量不超過一百eV。在一些實施例中，可以期望針對使用的工具以盡可能低的能量進行步驟106的離子研磨，同時仍然維持穩(wěn)定的離子研磨。還在離開頂部斜角表面的掠射角度提供低能離子研磨。在一些實施例中，該掠射角度是不超過十五度。在一些這種實施例中，掠射角度是至少十度。在一些實施例中，掠射角度對應(yīng)于相對于主磁極的頂表面的法線的角度，其大致與高能離子研磨角度相同。然而，在一些實施例中，掠射角度對應(yīng)于相對于主磁極的頂表面的法線的角度，其不同于高能離子研磨角度。例如，掠射角度可以對應(yīng)于相對于該表面的法線的角度，其大于高能離子研磨的角度。經(jīng)由步驟108提供覆蓋主磁極的非磁性間隙。該非磁性間隙的至少一部分駐留在主磁極的頂部。在一些實施例中，步驟108包括進行濺射清潔以預(yù)清潔換能器接著使用ALD 沉積諸如氧化鋁的非磁性層。因為使用ALD，所以非磁性間隙可以被共形地沉積。由此，主磁極的頂部和側(cè)部可以被非磁性間隙覆蓋。此外，非磁性間隙可以遵循主磁極的輪廓。然而，在其它實施例中，可以使用其它沉積機制，包括非共形沉積。另外，非磁性間隙可以覆蓋換能器中的其它結(jié)構(gòu)。經(jīng)由步驟110，磁性換能器的制造可以接著完成。在一些實施例中，步驟110包括在接近ABS位置處提供包裹屏蔽罩。包裹屏蔽罩的制造可以包括沉積用于包裹屏蔽罩的種子層，提供用于包裹屏蔽罩的掩膜，接著可以電鍍包裹屏蔽罩。此外，可以制造(若干)絕緣層、(若干)線圈、(若干)其它屏蔽罩和/或其它結(jié)構(gòu)。圖4是圖示可以使用方法100形成的PMR換能器200的一部分的示例實施例的圖。圖5圖示包括換能器200’的磁頭250。為了清楚，圖4-圖5不按比例。圖4圖示換能器200的側(cè)視圖和ABS視圖，并且圖5僅僅圖示磁頭250的側(cè)視圖。所示的磁頭250包括讀換能器252和PMR換能器200’。然而，在另一實施例中，換能器200/200’可以用于僅僅包括一個或者更多個寫換能器200/200’的磁頭。讀換能器252包括屏蔽罩2M和258以及傳感器256。除了也在圖4中示出的PMR換能器200的一部分，圖5中所示的PMR換能器200，包括磁極260和洸4、屏蔽罩洸8以及線圈262和洸6。PMR換能器200/200，包括底層202/202，、具有尾緣斜角206/206，的主磁極204/204，以及間隙208/208，。另外在圖 5中示出包裹屏蔽罩214和用于包裹屏蔽罩214的種子層212。在其它實施例中可以制造其它和/或不同部件。盡管未示出，但是磁極204/204’還可以包括底部或者前緣斜角。然而，在一些實施例中，前緣斜角可以被省略。還示出的是圖4中的ABS位置和圖5中的ABS。 例如，在一些實施例中，換能器200被研磨以露出換能器200位于ABS位置的表面。使用方法100可以形成具有尾緣斜角206/206，的主磁極204/204，。此外，可以減少對主磁極的損壞210/210’。更具體地，步驟104的高能離子研磨可以使主磁極損壞， 例如在頂部斜角表面206/206’形成非晶層。通過步驟106的低能掠射角度離子研磨，損壞210/210’的一些被去除而不造成明顯的額外損壞。在步驟106的低能離子研磨之后， 損壞區(qū)域210/210’的厚度可以少于二十五埃。例如，該厚度可以是十九到二十一埃的數(shù)量級。在一些實施例中，在步驟106的低能離子研磨之后，損壞區(qū)域210/210’的厚度少于二十埃。此外，在沉積間隙208/208’之前的主磁極204/204’的預(yù)清潔可以進一步減少對主磁極204/204’的損壞。在一些實施例中，在沉積間隙208/208’之后，損壞/非晶區(qū)域 210/210’的厚度可以少于二十埃。在一些這種實施例中，損壞區(qū)域210/210’的厚度可以是大致十五?；蛘吒?。因為損壞區(qū)域210/210’更薄，由于損壞區(qū)域210/210’造成的主磁極204/204’的飽和磁化降低可以被改善。這種更高的飽和磁化通常在主磁極204/204’中是期望的。此外，可以更好地控制非磁性間隙層208/208’的厚度。由此，可以提高換能器 200/200，和磁頭250的性能。圖6是圖示諸如PMR換能器的換能器的制造方法300的另一示例實施例的流程圖。為了簡化，一些步驟可以被省略。圖7-圖13是圖示在制造期間的換能器400的一部分的示例實施例的側(cè)視圖的圖。為了清楚，圖7-圖13不按比例。此外，盡管圖7-圖13圖示位于磁極的特定點的ABS位置，其它實施例可以具有用于ABS的其它位置。圖7-圖13 的結(jié)構(gòu)被示出結(jié)束于ABS。在制造期間，這種結(jié)構(gòu)的至少一部分通常延伸超過ABS。延伸超過ABS位置的結(jié)構(gòu)的部分通常在之后的制造中去除，例如通過研磨換能器400。然而，為了簡化，換能器400僅僅被示出為延伸到ABS位置。參照圖6-圖13，方法300在換能器400 的背景下描述。然而，方法300可以用于形成其它器件(未示出)。制造的換能器400可以還包括讀磁頭(圖7-圖13未示出)并且駐留在磁盤驅(qū)動器的滑塊(未示出)上的混合磁頭的一部分。方法300還可以在形成換能器400的其它部分之后開始。方法300還在提供單個換能器400和單個磁極的背景下描述。然而，方法300可以用于同時制造多個換能器和/或多個磁極。方法300和器件400還在具體層的背景下描述。然而，在一些實施例中， 這種層可以包括多個子層。經(jīng)由步驟302提供主磁極底部。步驟302類似于方法100的步驟102。主磁極可以是PMR磁極。由此，主磁極的頂部可以比底部寬。另外，步驟102可以包括形成前緣斜角。由此，主磁極在ABS的區(qū)域可以比主磁極遠離ABS的部分短。步驟102可以通過沉積層，在層中提供具有期望輪廓的溝槽，并且在溝槽中沉積用于磁極的材料進行。例如，(若干)磁極材料可以被電鍍?；蛘?，用于磁極的磁性或者其它(若干)材料可以被沉積，并且 (若干)材料的一部分被去除以形成磁極。主磁極通常包括為合金的(若干)磁極材料，合金包括具有高磁矩的Co、！^和/或Ni。經(jīng)由步驟304可以在主磁極的頂部提供斜角帽層。經(jīng)由步驟304可以在斜角帽層上提供底部防反射涂層(BARC)。BARC被使用以減少隨后的光刻處理期間的反射。圖7圖示進行步驟304之后的換能器400。由此，底層402和底層402上的主磁極404被示出。接近ABS位置，底層402可以是非磁性的。然而，遠離ABS，主磁極404可以駐留在另一磁極上，如圖5中所圖示的。返回參照圖6-圖13，還示出斜角帽層406和BARC 408。斜角帽層 406是非磁性的并且包括諸如氧化鋁、氧化硅、氧化氮和/或諸如Ru、Ta和/或Cr的非磁性金屬的材料。斜角帽層406可以被使用以在隨后的處理步驟期間保護主磁極404的頂部， 諸如剝離和反應(yīng)離子蝕刻(reactive ion etch, RIE)的步驟。斜角帽層還可以允許修改來自主磁極404的場梯度。BARC層404可以包括諸如類金剛石碳(diamond-like carbon, DLC)、氮化硅和/或有機防反射涂層的材料。然而，其它材料可以用于斜角帽層406和/或 BARC 408。經(jīng)由步驟308在遠離ABS位置的BARC上提供掩膜。掩膜可以是光刻膠掩膜。由此，步驟308可以包括沉積光刻膠，接著使用光刻技術(shù)對光刻膠進行圖案化。在其它實施例中，掩膜可以是諸如DLC或者氧化鋁的硬掩膜。在這種實施例中，作為步驟308的一部分， 硬掩膜被圖案化。圖8圖示進行步驟308之后的換能器400。由此，已經(jīng)提供了掩膜410。 如圖8中可見，主磁極404、斜角帽層406和BARC 408接近ABS位置的一部分被掩膜410露出。期望基于將形成的斜角的特征確定掩膜的高度和距ABS位置的距離。更具體地，期望掩膜410不對以下描述的步驟310的離子研磨有負面影響。在提供掩膜之后，經(jīng)由步驟310在和主磁極的頂部的法線形成的角度進行高能離子研磨。在一些實施例中，高能離子研磨處于至少五百eV的能量。在其它實施例中，高能離子研磨處于至少七百eV的能量。圖9圖示步驟310期間的換能器400。高能離子研磨在距離主磁極404的頂表面的法線的角α進行。該角α是至少三十五度并且不超過五十五度。在一些實施例中，該角α是至少四十度并且不超過五十度。該高能離子研磨是后部離子研磨。由此，角α使得離子從換能器400遠離ABS的后部接近ABS。圖9還示出前部離子研磨，其可以可選地作為高能離子研磨的一部分進行。前部和后部離子研磨可以被分散使得步驟310的高能離子研磨是一個或者更多個前部和后部離子研磨的組合。前部離子研磨可以處于與后部離子研磨相同的能量，但是可以在僅僅小部分時間進行。前部離子研磨可以用于去除離子研磨的再沉積物。從圖9中可見，接近ABS的主磁極404的頂部的一部分、BARC 408的一部分和斜角帽層406的一部分被去除。另外，掩膜410的一部分也被消耗。在一些實施例中，在步驟310的離子研磨期間全部掩膜410可以被去除。認為掩膜 410的消耗可以是理想的，因為可以實現(xiàn)更平坦的斜角表面412。然而，掩膜410的消耗不是要求的。步驟310的高能離子研磨還露出主磁極404的頂部斜角表面412。頂部斜角表面412和相應(yīng)的斜角用附圖標(biāo)記412表示。另外在圖9示出由于高能離子研磨引起的損壞區(qū)域414。通常，損壞區(qū)域414是非晶體的并且厚度是至少二十六埃。經(jīng)由步驟312，在高能離子研磨之后掩膜410的任何剩余部分被去除。步驟312還可以包括去除BARC層。例如，可以對掩膜410和BARC 408進行剝離。另外，可以進行氧氣 RIE和Eco-snow處理以去除任何圍欄(未示出)。在這種實施例中，可能對斜角表面412 進行額外的損壞。例如，在一些實施例中，損壞區(qū)域的厚度可以增加到三十八到四十三埃。 圖10圖示進行步驟312之后的換能器。由此，斜角帽406被露出。另外，盡管示出是未改變的，但是損壞區(qū)域414可以更厚。經(jīng)由步驟314，在比高能離子研磨低的能量和離開頂斜角表面412的掠射角度進行低能離子研磨。低能離子研磨的能量可以比高能離子研磨的能量低至少三百eV。在一些實施例中，該能量少于或者等于二百五十eV。在其它實施例中，該能量不超過二百eV。在一些這種實施例中，能量不超過一百eV。圖11圖示步驟314的低能離子研磨期間的換能器 400。低能離子研磨在離開斜角表面412的掠射角β進行。在一些實施例中，β是至少十度并且不超過十五度。此外，如從圖11中可見，低能離子研磨是后部離子研磨。損壞區(qū)域 414的大部分可以被去除。例如，在一些實施例中，步驟314之后損壞區(qū)域414的厚度可以在十九到二十一埃的數(shù)量級。在一些實施例中，在步驟314的低能離子研磨之后損壞區(qū)域 414的厚度少于二十埃。經(jīng)由步驟316提供非磁性間隙。步驟316通常包括進行預(yù)清潔，諸如濺射蝕刻。一旦進行了預(yù)清潔，非磁性的寫入間隙可以接著被沉積。非磁性間隙可以是絕緣或者導(dǎo)電的。 例如，非磁性間隙可以包括氧化鋁并且可以經(jīng)由ALD沉積。圖12圖示步驟316之后的換能器400。除了準(zhǔn)備用于非磁性間隙的表面，預(yù)清潔已經(jīng)去除由于高能離子研磨和可能的其它處理引起的一些額外損壞。在一些實施例中，損壞區(qū)域414的厚度不超過二十埃。在其它實施例中，在步驟316之后損壞區(qū)域414的厚度可以不超過十五埃。此外，已經(jīng)提供非磁性間隙412。經(jīng)由步驟318還可以提供包裹屏蔽罩。步驟318可以包括預(yù)清潔和沉積用于包裹屏蔽罩的(若干)種子層。包裹屏蔽罩可以以其它方式電鍍或者沉積。圖13圖示進行步驟318之后的換能器400。結(jié)果，示出屏蔽罩420。經(jīng)由步驟320可以進行隨后的處理。由此，可以制造(若干)絕緣層、若干線圈、若干屏蔽罩和/或若干其它部件。使用方法300，可以實現(xiàn)換能器400的性能和制造的改進。在一些實施例中，最終器件中損壞的非晶體區(qū)域414的厚度可以不超過二十埃。在一些實施例中，最終器件中損壞區(qū)域414的厚度可以不超過十五埃。因為損壞區(qū)域414更薄，因此由損壞區(qū)域414引起主磁極404的飽和磁化降低可以被改善。在主磁極404中這種更高的飽和磁化通常是期望的。此外，可以更好地控制非磁性間隙層406的厚度。由此，可以提高換能器400的性能。
權(quán)利要求
1.一種制造磁記錄換能器的方法，包括提供具有底部和比所述底部寬的頂部的主磁極；在與所述主磁極的頂部的法線形成的角度以第一能量進行高能離子研磨，所述高能離子研磨去除所述主磁極的頂部的一部分，露出所述主磁極的頂部斜角表面；以及在與所述頂部斜角表面形成的掠射角以第二能量進行低能離子研磨，所述掠射角度不大于十五度，所述第二能量低于所述第一能量； 沉積非磁性間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 在所述非磁性間隙上提供包裹屏蔽罩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一能量是至少五百電子伏特。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一能量是至少七百電子伏特。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二能量是少于二百五十電子伏特。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二能量是少于二百電子伏特。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第二能量是不超過一百電子伏特。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二能量比所述第一能量低至少三百電子伏特。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掠射角是至少十度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述角度是至少三十五度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述角度不超過五十五度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在進行所述高能離子研磨之前提供遠離空氣軸承表面位置的掩膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在進行所述高能離子研磨之后和進行所述低能離子研磨之前去除所述掩膜。
14.一種制造磁記錄換能器的方法，包括 提供具有底部和比所述底部寬的頂部的主磁極；在所述主磁極的頂部上提供斜角帽層，所述斜角帽層是非磁性的；在所述斜角帽層上提供底部防反射涂層即BARC ；在所述BARC上遠離空氣軸承表面即ABS位置處提供掩膜；在提供所述掩膜之后在與所述主磁極的頂部的法線形成的一角度以第一能量進行高能離子研磨，所述高能離子研磨去除所述主磁極的頂部接近所述ABS的一部分，所述BARC 的接近所述ABS的一部分和所述斜角帽層的接近所述ABS的一部分，所述高能離子掩膜露出所述主磁極的頂部斜角表面，所述第一能量大于七百電子伏特，所述角度至少為三十五度并且不大于五十五度；在所述高能離子研磨之后去除所述掩膜和所述BARC ；在與所述頂部斜角表面形成的掠射角以第二能量進行低能離子研磨，所述掠射角至少是十度并且不大于十五度，所述第二能量低于二百電子伏特； 沉積非磁性間隙；以及在所述非磁性間隙上提供包裹屏蔽罩。
15.一種具有空氣軸承表面的磁記錄換能器，包括主磁極，其具有底部、比所述底部寬的頂部以及接近所述空氣軸承表面的頂部斜角； 在所述頂部斜角上并且厚度少于二十埃的非晶體層； 非磁性間隙，所述非磁性間隙的至少一部分駐留在所述頂部斜角上；以及位于所述非磁性間隙上的包裹屏蔽罩。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁記錄換能器，其中所述非晶體層的厚度不超過十五埃。
全文摘要
本發(fā)明涉及使用低能量研磨提供垂直磁記錄換能器的方法和系統(tǒng)。描述一種磁換能器的制造方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供具有底部和比底部寬的頂部的主磁極。該方法和系統(tǒng)還包括在與所述主磁極的頂部的法線形成的角度以第一能量進行高能離子研磨。高能離子研磨去除主磁極的頂部的一部分并且從主磁極露出頂部斜角表面。該方法和系統(tǒng)還包括在與所述頂部斜角表面形成的掠射角以第二能量進行低能離子研磨。掠射角度不大于十五度。第二能量低于第一能量。該方法和系統(tǒng)還包括沉積非磁性間隙。
文檔編號G11B5/127GK102280110SQ20111012673
公開日2011年12月14日 申請日期2011年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者W·司, Y·洪, Y-F·李 申請人:西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司