專利名稱：提供對(duì)應(yīng)于能量輔助磁記錄換能器的近場(chǎng)換能器的電子研磨引導(dǎo)的系統(tǒng)和方法
提供對(duì)應(yīng)于能量輔助磁記錄換能器的近場(chǎng)換能器的電子研
磨引導(dǎo)的系統(tǒng)和方法
背景技術(shù)：
圖1示出常規(guī)的能量輔助磁記錄(EAMR)換能器10的一部分。常規(guī)EAMR換能器 10用于對(duì)記錄介質(zhì)30寫入。為此，常規(guī)EAMR換能器10從常規(guī)激光器(圖1中未示出) 接收光或者能量。常規(guī)EAMR換能器10包括常規(guī)波導(dǎo)12、常規(guī)磁極14、和常規(guī)近場(chǎng)換能器 (NFT) 16、以及光柵20。常規(guī)NFT 16包括盤片部分16B和銷釘部分16A。盤片部分16B在垂直于紙平面的方向上比銷釘部分16A寬。盡管稱為“盤片部分”，部分16B可以具有不同于圓形的形狀。另外示出位于光柵20上的激光斑點(diǎn)22?？梢允浅Ｒ?guī)EAMR換能器10的一部分的其它部件未被示出。在工作中，來(lái)自光柵20上的斑點(diǎn)22的光被耦合到常規(guī)波導(dǎo)12。常規(guī)波導(dǎo)12將光引導(dǎo)到氣墊面(ABS)附近的常規(guī)NFT 16。常規(guī)NFT 16將來(lái)自波導(dǎo)12的能量聚焦到介質(zhì) 30上的光學(xué)斑點(diǎn)32。常規(guī)介質(zhì)30的小區(qū)域被斑點(diǎn)32加熱。該區(qū)域在磁性方便變得更軟。 常規(guī)EAMR換能器10通過(guò)激勵(lì)常規(guī)磁極14將數(shù)據(jù)磁性地寫入記錄介質(zhì)的加熱區(qū)域。盡管常規(guī)EAMR換能器10可以起作用，但是存在缺陷。常規(guī)NFT 16的尺寸設(shè)計(jì)希望被仔細(xì)控制。例如，可以期望控制常規(guī)NFT 16的銷釘部分16A的長(zhǎng)度。這可以通過(guò)控制盤片部分16B的直徑和從ABS到盤片部分16B的距離實(shí)現(xiàn)。這種控制可能很難使用常規(guī)制造方法實(shí)現(xiàn)。因此，常規(guī)換能器10的制造可能具有挑戰(zhàn)性。因此，需要一種改進(jìn)EAMR換能器的制造的系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述制造具有氣墊面(air-bearing surface, ABS)的換能器的方法和系統(tǒng)。所述方法和系統(tǒng)包括提供至少一個(gè)近場(chǎng)換能器(near-field transducer,NFT)膜和提供與至少一個(gè)NFT膜的一部分大致共面的電子研磨引導(dǎo)(ELG)膜。所述方法和系統(tǒng)還包括從至少一個(gè)NFT膜的一部分限定NFT的盤片部分和從ELG膜限定至少一個(gè)ELG。該盤片部分對(duì)應(yīng)于NFT離ABS位置的臨界尺寸。所述方法和系統(tǒng)還包括研磨至少一個(gè)換能器?；趤?lái)自ELG的信號(hào)研磨終止。


圖1示出常規(guī)EAMR換能器；圖2是示出EAMR換能器的制造方法的示例實(shí)施方式的流程圖；圖3示出制造期間的磁記錄換能器的示例實(shí)施方式的一部分；圖4示出制造期間的磁記錄換能器的另一示例實(shí)施方式的一部分；圖5是示出磁記錄換能器的制造方法的另一示例實(shí)施方式的流程圖；圖6-圖16示出制造期間的EAMR換能器的示例實(shí)施方式的平面圖、截面圖、以及 ABS 圖。
具體實(shí)施例方式圖2是提供包括近場(chǎng)換能器(NFT)的EAMR換能器的示例實(shí)施方式。為了簡(jiǎn)化，一些步驟可能被省略。方法100在提供單個(gè)EAMR換能器的上下文中描述。然而，方法100可以用于大致同時(shí)制造多個(gè)換能器。方法100還在特定結(jié)構(gòu)的上下文中描述。結(jié)構(gòu)或者層可以包括多個(gè)材料和/或多個(gè)子層并且可以使用多個(gè)子步驟形成。此外，方法在對(duì)應(yīng)于一個(gè)換能器的一個(gè)電子研磨(lapping)引導(dǎo)(ELG)的上下文中描述。然而，在一些實(shí)施方式中， 一個(gè)ELG可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)換能器?；蛘?，單個(gè)換能器可以對(duì)應(yīng)于多個(gè)ELG。方法100還可以在形成EAMR換能器的其它部分之后開(kāi)始。例如，方法100可以在形成EAMR頭的讀取換能器和光波導(dǎo)之后開(kāi)始。另外，該方法可以與形成EAMR換能器的其它部分交叉。例如，可以在方法100的步驟106和108之間形成包括主磁極或柱(pole)、返回磁極、(若干)線圈和 (若干)屏蔽罩的寫入器。通過(guò)步驟102，為換能器提供至少一個(gè)NFT膜。(若干)NFT膜可以氈狀沉積在將形成NFT的區(qū)域中。在一些實(shí)施方式中，可以為單個(gè)NFT使用多個(gè)膜。例如，作為步驟102 的一部分可以沉積夾在兩個(gè)金膜之間的Ru膜。在其它實(shí)施方式中，可以使用單個(gè)膜，諸如單個(gè)金膜。在其它實(shí)施方式中可以為NFT膜使用其它材料。步驟102可以包括在將駐留在波導(dǎo)的核與NFT之間的光學(xué)透明材料的薄層上沉積(若干)NFT膜。例如，(若干)NFT膜可以沉積在將組成頂部包層的一部分的氧化鋁層上。通過(guò)步驟104提供與(若干)NFT膜的一部分大致共面的(若干)ELG膜。在一些實(shí)施方式中，步驟104包括在將形成ELG的區(qū)域中氈狀沉積Cr層。在其它實(shí)施方式中，可以沉積多個(gè)膜或者層和/或可以使用其它材料。步驟104可以包括在將駐留在波導(dǎo)的核與 ELG之間的光學(xué)透明材料的薄層上提供(若干)ELG膜。例如，(若干)ELG膜可以沉積在將組成頂部包層的一部分的氧化鋁層上。在一些實(shí)施方式中，因此，在步驟102和104中可以在相同表面上沉積(若干)NFT膜和(若干)ELG膜。通過(guò)步驟106，限定(若干)NFT的至少盤片部分和(若干)ELG的至少一部分。步驟106包括使用單個(gè)掩模來(lái)限定(若干)NFT的盤片部分和(若干)ELG。NFT的盤片部分從(若干)NFT膜限定，而(若干)ELG從(若干)ELG膜限定。NFT的盤片部分對(duì)應(yīng)于NFT 的臨界尺寸。該臨界尺寸是從ABS位置到最接近ABS位置的盤片的外徑。ABS位置是換能器的將形成ABS的一部分。在一些實(shí)施方式中，ELG條帶的后邊緣對(duì)應(yīng)于盤片的最接近ABS 位置的部分。在一些實(shí)施方式中，步驟106包括僅僅限定盤片部分以及(若干)ELG的至少一部分。因此，可以分開(kāi)限定NFT的盤片部分和銷釘部分。在其它實(shí)施方式中，步驟106包括限定NFT的盤片和銷釘部分兩者。在一些實(shí)施方式中，盤片和銷釘部分(pin portion)從相同膜形成。在這些實(shí)施方式中，諸如離子研磨的單個(gè)去除步驟可以限定(若干)NFT的盤片和銷釘部分。離子研磨還可以限定ELG的至少一部分。在其它實(shí)施方式中，盤片和銷釘部分可以從多個(gè)層形成。在這些實(shí)施方式中，可以進(jìn)行多個(gè)去除步驟。例如，假設(shè)將從夾著Ru層的兩個(gè)金層形成NFT。可以從單個(gè)掩模層提供盤片部分和ELG掩模。接著可以使用第一離子研磨限定頂部金層的盤片部分和ELG的至少一部分。接著可以提供用于NFT的銷釘部分的掩模?？梢韵薅ㄓ糜诘撞拷饘雍虴LG的底部的銷釘和盤片部分。因此，可以使用多個(gè)離子研磨步驟以限定NFT和ELG的各個(gè)部分。然而，至少(若干)NFT的盤片部分和(若干)ELG使用相同掩模限定。該掩?？梢栽谡麄€(gè)形成中保留在(若干)ELG上。結(jié)果，可以用單個(gè)掩模確定ELG的幾何形狀和相對(duì)于(若干) NFT的盤片部分的位置。當(dāng)換能器的期望部件的制造完成時(shí)，通過(guò)步驟108，換能器被研磨以露出ABS?；趤?lái)自(若干)ELG的(若干)信號(hào)終止研磨。更具體地，當(dāng)來(lái)自ELG的信號(hào)指示ABS處于離(若干)NFT的盤片部分的前端的期望距離(臨界尺寸)時(shí)，研磨可以終止。例如，可以基于取決于所使用的材料的電阻率以及ELG的幾何形狀確定ELG的電阻。更具體地，在確定ELG的電阻中使用ELG條帶高度。因此，可以使用ELG的電阻確定ELG的期望條帶高度， 并且因此確定期望的NFT的臨界尺寸。當(dāng)換能器已經(jīng)被研磨到期望的ELG電阻時(shí)，研磨終止。圖3示出可以使用方法100形成的磁記錄換能器110的示例實(shí)施方式的平面/俯視圖、側(cè)視圖和截面圖。為了簡(jiǎn)化，沒(méi)有示出EAMR換能器110的全部部分。圖3沒(méi)有按比例大小繪制。另外，盡管換能器110在特定部件的上下文中示出，但是可以使用其它和/或不同部件。因此，圖3所示的EAMR換能器110可以駐留在滑塊上并且是包括讀取換能器的混合磁頭的一部分。另外，EAMR換能器110可以用于包括(若干)讀取換能器(未示出) 的EAMR盤驅(qū)動(dòng)器中。所示的EAMR換能器110的部分可以認(rèn)為是寫入換能器110的一部分。 然而，為了簡(jiǎn)化，沒(méi)有示出全部部件。例如，磁性部件沒(méi)有示出。EAMR換能器110包括具有底部包層114、核114和頂部包層116的波導(dǎo)。波導(dǎo)可以駐留在讀取換能器(未示出)和寫入換能器(未示出)之間。換能器110包括NFT 120， 其包括盤片/銷釘部分122、盤片部分1 和之間的層124。底部層122包括NFT 120的三角形盤片部分和銷釘部分兩者。頂部層126僅僅包括NFT 120的盤片部分。在所示實(shí)施方式中，盤片部分126在俯視圖中是三角形。然而，還可以使用其它形狀。例如，盤片部分可以是圓形(例如盤片狀)、矩形、方形或者具有其它形狀。此外，還可以使用具有不同對(duì)稱性的形狀。另外，還示出位于ABS位置的與盤片部分122/1 相反側(cè)的NFT 120的錨定部分。因此，示出NFT形成之后但研磨以露出ABS之前的換能器110。還示出可以研磨EAMR 換能器110的ABS位置。換句話說(shuō)，ABS位置對(duì)應(yīng)于在研磨之后ABS將存在的區(qū)域。圖3還示出ELG 130。通常期望ELG 130足夠接近NFT 120以允許ELG 130用于控制研磨NFT 120的研磨。在一些實(shí)施方式中，期望ELG130距NFT 120不超過(guò)大約一百微米。如從圖3可見(jiàn)，已經(jīng)限定ELG 130使得ELG的后邊緣與盤片部分122/126的最接近 ABS位置的部分(盤片部分126的前端)重合。在一些實(shí)施方式中，盤片部分1 的前端距 ABS位置至少二十并且不超過(guò)一百納米。此外，可以在同一步驟限定ELG 130，并且使用與盤片部分122/1 相同的掩模。因此，ELG 130的相關(guān)部分與盤片部分122/126的前端對(duì)準(zhǔn)。ELG 130的后邊緣因此距ABS位置與盤片部分126的前端大致相同距離。然而，在其它實(shí)施方式中，ELG 130可以以不同方式與盤片部分122/1 對(duì)準(zhǔn)?？梢詼p少或者消除重疊和可能造成ELG 130和盤片部分122/1 之間的不對(duì)準(zhǔn)的類似問(wèn)題。ELG 130用于確定何時(shí)終止研磨。因?yàn)镋LG更好地與盤片部分122/1 對(duì)準(zhǔn)，使用ELG 130可以允許NFT的期望臨界尺寸。換句話說(shuō)，換能器110被研磨使得ABS位置對(duì)應(yīng)于是期望臨界尺寸的ABS和 NFT前端之間的距離。因此，能夠有利于NFT 120和換能器110的制造。圖4示出使用方法100還可以形成的磁記錄換能器110’的示例實(shí)施方式的平面/俯視圖、側(cè)視圖和截面圖。為了簡(jiǎn)化，沒(méi)有示出EAMR換能器110’的全部部分。圖4不是按比例繪制。另外，盡管換能器110’在特定部件的上下文中示出，但是可以使用其它和/ 或不同部件。因此，圖4所示的EAMR換能器110’可以駐留在滑塊上并且是包括讀取換能器的混合磁頭的一部分。另外，EAMR換能器110’可以用于包括(若干)讀取換能器(未示出)的EAMR盤驅(qū)動(dòng)器中。所示的EAMR換能器110’的部分可以認(rèn)為是寫入換能器110’ 的一部分。然而，為了簡(jiǎn)化，沒(méi)有示出全部部件。例如，磁性部件沒(méi)有示出。EAMR換能器110’類似于EAMR換能器110并且因此包括類似部件。例如，EAMR 換能器110’包括分別對(duì)應(yīng)于底部包層112、核114、頂部包層116、NFT 120和ELG 130的底部包層112’、核114’、頂部包層116’、NFT 120，和ELG 130’。NFT 120’包括盤片部分 122’ /126’和銷釘部分122’。然而，盤片部分122’ /126’和銷釘部分122’從相同層形成。 這與圖3所示的EAMR換能器110相反，其中NFT 120由三個(gè)層122、124和126形成。此外，盤片部分122’ /126’示出具有圓形形狀。然而，可以使用包括但不限于三角形、方形和矩形的其它形狀。EAMR換能器110，具有以類似于ELG 130和NFT 120的方式定位和形成的ELG 130’和NFT 120’。結(jié)果，ELG 130’的后邊緣對(duì)應(yīng)于NFT盤片部分122’ /126’的前端。然而，在其它實(shí)施方式中，ELG 130’可以不同地與NFT 120’對(duì)準(zhǔn)。因此，ELG 130’可以與ELG 130類似方式使用以研磨換能器110’到期望的具有用于NFT 120’的期望臨界尺寸的ABS 位置。此外，可以減輕或者消除諸如由于重疊或者類似誤差引起的不對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。因此，能夠有利于NFT 120，和換能器110’的準(zhǔn)確制造。圖5是示出磁記錄換能器的制造方法150的另一示例實(shí)施方式的流程圖。圖6-圖 16均示出制造期間的EAMR換能器200的示例實(shí)施方式的平面圖、截面圖和ABS圖。請(qǐng)注意 ABS圖是在ABS位置截取，在圖6-圖16的俯視圖中用虛線表示。圖6-圖16不按比例繪制。方法150也在特定結(jié)構(gòu)的上下文中描述。結(jié)構(gòu)或者層可以包括多個(gè)材料和/或多個(gè)子層。結(jié)構(gòu)可以使用多個(gè)子步驟形成。方法150還可以在形成EAMR換能器的其它部分之后開(kāi)始。例如，方法150可以在形成讀取換能器和波導(dǎo)的部件之后開(kāi)始。另外，該方法可以與 EAMR換能器200的各部分形成交叉。例如，(若干)磁極、(若干)屏蔽罩和(若干)線圈可以在研磨之前形成。為了清楚，僅僅示出EAMR換能器200的一部分。另外，方法150中步驟可以被省略或者組合。方法150還在單個(gè)NFT和對(duì)應(yīng)于NFT的單個(gè)ELG的上下文中描述。然而，使用方法150可以制造對(duì)應(yīng)于單個(gè)ELG的多個(gè)NFT/換能器、對(duì)應(yīng)于多個(gè)ELG的多個(gè)NFT/換能器、和/或?qū)?yīng)于多個(gè)ELG的單個(gè)NFT/換能器。通過(guò)步驟152提供NFT膜堆。在一些所實(shí)施方式中，步驟152包括沉積第一金膜， 在第一金膜上沉積Ru膜并且在Ru層上沉積第二金膜。在一些實(shí)施方式中，NFT膜堆可以氈狀沉積在將形成NFT的區(qū)域中。這些層可以沉積在將駐留在波導(dǎo)的核和NFT之間的光學(xué)透明材料薄層上。例如，NFT膜堆可以沉積在將組成頂部包層的一部分的氧化鋁層上。步驟152類似于方法100的步驟102。通過(guò)步驟IM提供大致與NFT膜堆的一部分共面的ELG膜。步驟IM類似于步驟 104。在一些實(shí)施方式中，步驟IM包括在其中將形成ELG的區(qū)域中氈狀沉積Cr層或者其它材料層。在其它實(shí)施方式中，可以沉積多個(gè)膜或者層。步驟1 可以包括在將駐留在波導(dǎo)的核和ELG之間的光學(xué)透明材料的薄層上提供ELG膜。例如，(若干)ELG膜可以沉積在將組成頂部包層的一部分的氧化鋁層上。在一些實(shí)施方式中，因此，在步驟152和154中(若干)NFT膜和(若干)ELG膜可以沉積在相同表面上。圖6示出進(jìn)行步驟巧4之后的換能器200。因此，已經(jīng)部分形成波導(dǎo)。因此，已經(jīng)提供底部包層202和核204。此外，已經(jīng)沉積光學(xué)透明材料的薄層206。薄層206和底部包層202可以包括諸如氧化鋁的材料。核204可以包括氧化鉭。還示出NFT膜堆210。NFT 膜堆210包括盤/銷釘部分(底部)層212、阻擋(中部)層214和盤片部分(頂部)層 216。還示出ELG膜220。ELG膜220和NFT膜堆210大致共面。因此，NFT膜堆210底部和頂部分別接近ELG膜220的底部和頂部。例如，盤片/銷釘部分膜212的底部以及因此 NFT膜堆210和ELG膜220的底部都接合薄層206的頂部。盡管盤片部分膜216的頂部和 ELG膜220的頂部沒(méi)有示出是共面，但是，在可替換實(shí)施方式中，盤片部分膜216的頂部和 ELG膜220的頂部可能共面。通過(guò)步驟156在盤片部分216上和ELG膜220上提供硬掩模。硬掩模用于限定 NFT的盤片、以及ELG的至少一部分。因此，在限定盤片與限定ELG中使用相同掩模。在一些實(shí)施方式中，步驟156包括氈狀沉積一片硬掩模膜，諸如SiC。接著提供用于NFT的盤片和ELG盤片的光刻膠膜。圖案被從光刻膠掩模轉(zhuǎn)印到硬掩模。該轉(zhuǎn)印可以例如經(jīng)過(guò)硬掩模層230的離子研磨或者反應(yīng)離子蝕刻(RIE)實(shí)現(xiàn)。圖7-圖9示出步驟156的一個(gè)實(shí)施方式期間的換能器200。圖7示出沉積硬掩模膜之后的換能器200。因此，示出硬掩模膜230。硬掩模膜230覆蓋NFT膜堆210和ELG膜 220兩者。圖8示出形成光刻膠掩模之后的換能器。因此，示出掩模232。在其它實(shí)施方式中，可以為掩模232使用不同于光刻膠的材料。掩模232具有將期望形成的ELG和NFT的盤片部分的形狀和位置。圖9示出掩模232的圖案被轉(zhuǎn)印到硬掩模230并且任何剩余光刻膠掩模232剝除之后的換能器200。因此，硬掩模230’已經(jīng)采取掩模232的形狀(圖9中未示出)。用于NFT和ELG兩者的硬掩模230’在單次光刻處理中一起形成。通過(guò)步驟158，與去除ELG膜堆220的一部分同時(shí)去除NFT膜堆210的露出部分。 在一些實(shí)施方式中，在步驟158中去除金盤片部分膜216的露出部分。在一些實(shí)施方式中， 使用適用于盤片部分膜216的第一離子研磨。該第一離子研磨終止時(shí)Ru膜的一部分和ELG 膜220的一部分保留不動(dòng)。Ru層214可以用作這種去除處理的阻擋層。還可以使用結(jié)束點(diǎn)檢測(cè)以確定何時(shí)達(dá)到具有與盤片部分膜216不同成分的膜214。因此，Ru膜214的至少一部分和盤片/銷釘部分層212的全部保留。在一些實(shí)施方式中，在步驟158中ELG膜220 不完全蝕刻。圖10示出進(jìn)行步驟158之后的EAMR換能器200。因此，已經(jīng)限定NFT的盤片部分216’和ELG220’的一部分?？梢圆粌H僅使用相同掩模而且相同的去除處理形成盤片部分216，和ELG 220，的一部分。步驟156和158因此類似于方法100的步驟106。此外，在一些實(shí)施方式中，ELG 220’的后邊緣221對(duì)應(yīng)于最接近ABS位置的盤片部分216’的前端217。然而，在另一實(shí)施方式中，ELG 220’與盤片部分216’的對(duì)準(zhǔn)可以不同。通過(guò)步驟160，在NFT堆210的露出部分上提供銷釘部分掩模。在圖6_圖16示出的實(shí)施方式中，在露出的Ru層214以及在盤片部分216’上提供銷釘部分掩模。圖11示出進(jìn)行步驟160之后的換能器200。因此，示出銷釘部分掩模234。銷釘部分掩模覆蓋盤片部分216’和ABS位置之間的Ru層214的一部分。從圖11可見(jiàn)，銷釘部分掩模還露出被 ELG膜220’的掩模230”覆蓋的ELG區(qū)域。層216’上的剩余的硬掩模230”還可以限定下部盤片/銷釘部分層212中的盤片部分。因此，NFT的盤片部分包括層212、214、和216的盤片形狀區(qū)域。通過(guò)步驟162，去除NFT膜堆210的露出部分。步驟162可以包括進(jìn)行第二離子研磨。另外，在去除NFT膜堆210的露出部分之后，可以剝除掩模234。第二離子研磨限定 NFT的銷釘部分。此外，在盤片/銷釘部分膜212中的盤片部分膜216’下方限定盤片區(qū)域。 因?yàn)镋LG膜220’保留僅僅被硬掩模230’覆蓋，所以被硬掩模露出的ELG膜220’的一部分也被去除。因此，使用與盤片部分216’相同的掩模繼續(xù)對(duì)ELG的限定。圖12示出進(jìn)行步驟162之后的換能器200。因此，已經(jīng)形成盤片/銷釘部分212’。此外，從俯視圖可見(jiàn)，盤片部分216’和盤片/銷釘部分膜212’的下面部分都具有遠(yuǎn)離ABS的相同(盤片)形狀。 結(jié)果，完成形成NFT 210。盤片/銷釘部分212’在ABS位置和盤片區(qū)域212’/216’的前端 (front egde) 217之間具有臨界尺寸。另外，ELG 220’繼續(xù)被限定。因?yàn)榇嬖谟惭谀?30”， 所以ELG 220’的后邊緣221’保持與盤片區(qū)域212’/216’的前端對(duì)準(zhǔn)。在其它實(shí)施方式中，ELG 220”的其它部分保持與NFT 210的期望部分對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)步驟164，提供覆蓋NFT 210但是露出被掩模230”覆蓋的ELG區(qū)域的NFT掩模。在一些實(shí)施方式中，NFT掩模是光刻膠掩模。因此，步驟164包括沉積光刻膠層并且進(jìn)行光刻步驟以限定NFT掩模。圖13示出進(jìn)行步驟164之后的換能器200。因此，NFT 210 被掩模216覆蓋。然而，ELG膜221，保持露出。通過(guò)步驟166，去除ELG膜220”的露出區(qū)域。步驟166可以包括進(jìn)行第三離子研磨。另外，在步驟166去除NFT掩模236。NFT掩模236的去除可以包括光刻膠剝除。還可以去除硬掩模230”。圖14示出進(jìn)行步驟166中的離子研磨之后的換能器200。因此，在 ELG區(qū)域中形成ELG220”。圖15示出已經(jīng)去除NFT掩模236和硬掩模230”之后的換能器 200。從圖15可見(jiàn)，ELG 220”的后邊緣221”與NFT 210的盤片部分212’/216’的前端217 到ABS位置的距離相同。此外，ELG 220”與NFT 210的盤片部分212’ /216，大致共面。通過(guò)步驟168，可以制造NFT 210和ELG 220”上方的結(jié)構(gòu)。步驟168可以包括完成形成頂部包層，以及形成寫入換能器的其它部分，諸如(若干)磁極、若干)屏蔽罩和若干線圈。圖16示出完成步驟168之后的換能器200。為了清楚，僅僅示出換能器200的一部分并且示出頂部包層206’的剩余部分。因此，包層206’包圍NFT 210并且在一些實(shí)施方式中,包圍ELG 220”。通過(guò)步驟170，換能器200被研磨。研磨去除在圖6_圖16的俯視圖中在ABS位置下方的并且在圖6-圖16的截面圖中ABS右側(cè)的換能器的部分。通過(guò)步驟172，基于來(lái)自 ELG 220’的信號(hào)研磨終止。在一些實(shí)施方式中，研磨期間的ELG 220”的電阻與目標(biāo)電阻比較。當(dāng)達(dá)到目標(biāo)電阻時(shí)，研磨可以終止?；蛘撸?dāng)終止研磨時(shí)可以計(jì)入諸如偏差(windage) 等的其它考慮。使用方法150，可以形成換能器200。因?yàn)樾纬膳cNFT 210大致共面的ELG 220” 并且使用與NFT 210的盤片部分212’/216’相同掩模和光刻步驟，ELG 220”與NFT 210對(duì)準(zhǔn)。因此，ELG 220”的各部分對(duì)應(yīng)于NFT 210的各部分。更具體地，在所示的實(shí)施方式中， ELG 220”的后邊緣221”與NFT 210的盤片部分212，/216，的前端217到ABS位置可以具有大致相同的距離。在其它實(shí)施方式中，ELG 220’的其它部分可以對(duì)應(yīng)于NFT 210的期望部分。因此，當(dāng)獲得ABS和NFT 210的盤片部分216’的前端217之間的期望距離時(shí)，ELG220’可以用于終止研磨。因此，可以改進(jìn)NFT 210和EAMR換能器200的制造和性能。
權(quán)利要求
1.一種提供具有氣墊面ABS的至少一個(gè)換能器的方法，所述方法包括 提供至少一個(gè)近場(chǎng)換能器NFT膜；提供與所述至少一個(gè)NFT膜的一部分大致共面的電子研磨引導(dǎo)ELG膜； 從所述至少一個(gè)NFT膜的所述部分限定盤片部分和從所述ELG膜限定至少一個(gè)ELG，所述盤片部分對(duì)應(yīng)于離ABS位置的NFT的臨界尺寸；以及研磨所述至少一個(gè)換能器，所述研磨基于來(lái)自所述ELG的信號(hào)終止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中限定盤片部分和至少一個(gè)ELG的步驟還包括提供覆蓋所述至少一個(gè)NFT膜的NFT的盤片部分和所述ELG膜的至少一個(gè)ELG的掩模；以及去除所述至少一個(gè)NFT膜的露出部分和所述ELG膜的露出部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中提供所述掩模的步驟還包括 提供覆蓋所述盤片部分和所述至少一個(gè)ELG的硬掩模。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中去除露出部分的步驟還包括離子研磨所述至少一個(gè)NFT膜的露出部分和所述ELG膜的露出部分，所述離子研磨留下所述至少一個(gè)NFT膜的露出剩余部分和所述ELG膜的露出剩余部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在所述至少一個(gè)NFT膜的至少露出剩余部分提供銷釘部分掩模；以及限定所述NFT的銷釘部分，所述銷釘部分具有臨界尺寸，所述ELG膜的露出剩余部分的至少一部分被去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中限定銷釘部分的步驟還包括 在提供所述銷釘部分掩膜之后進(jìn)行離子研磨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括限定所述NFT的銷釘部分，所述銷釘部分具有所述臨界尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中限定盤片部分的步驟還包括 限定所述NFT的銷釘部分，所述銷釘部分具有所述臨界尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述盤片部分具有圓形截面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述盤片部分具有非圓形截面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述盤片部分具有矩形截面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個(gè)NFT膜還包括 第一金膜；在所述第一金膜上的Ru膜；以及 Ru層上的第二金膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述ELG膜包括Cr。
14.一種提供具有氣墊面ABS的換能器的方法，所述方法包括提供包括第一金膜、在所述第一金膜上的Ru膜和在Ru層上的第二金膜的近場(chǎng)換能器 NFT膜堆；提供與所述NFT膜堆大致共面的電子研磨引導(dǎo)ELG膜，所述電子研磨引導(dǎo)ELG膜包括Cr ；提供覆蓋所述NFT膜堆的盤片部分和所述ELG膜的ELG區(qū)域的硬掩模；進(jìn)行第一離子研磨，所述第一離子研磨去除所述第二金層的露出部分和所述ELG膜的露出部分的一部分以形成NFT的至少盤片部分和ELG的一部分，第一離子研磨終止，而所述 Ru膜的一部分和所述ELG膜的一部分保留不動(dòng)；在所述NFT膜堆的Ru層的露出部分上提供銷釘部分掩模、所述銷釘部分掩模覆蓋所述盤片部分和所述ABS之間的所述Ru層的一部分，所述銷釘部分掩模還露出至少一個(gè)ELG膜的ELG區(qū)域；進(jìn)行第二離子研磨，所述第二離子研磨限定所述NFT的銷釘部分并且去除所述ELG區(qū)域之外的所述ELG膜的額外部分，所述銷釘部分具有臨界尺寸；提供覆蓋所述NFT并且露出所述ELG區(qū)域的NFT膜；去除所述ELG膜的露出區(qū)域，在所述ELG區(qū)域中形成ELG，所述ELG與所述NFT的盤片部分大致共面；以及研磨所述換能器，所述研磨基于來(lái)自所述ELG的信號(hào)終止。
15.一種滑塊，包括至少一個(gè)換能器，所述至少一個(gè)換能器具有氣墊面ABS并包括至少一個(gè)NFT，所述至少一個(gè)NFT具有盤片部分和具有臨界尺寸的銷釘部分；以及與所述至少一個(gè)NFT的所述盤片部分大致共面的電子研磨引導(dǎo)，即目標(biāo)ELG。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的滑塊，其中所述盤片部分具有第一厚度并且所述銷釘部分具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的滑塊，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的滑塊，其中所述盤片部分具有第一厚度并且所述銷釘部分具有與所述第一厚度大致相同的第二厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的滑塊，其中所述盤片部分具有圓形截面。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的滑塊，其中所述盤片部分具有非圓形截面。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的滑塊，其中所述盤片部分具有矩形截面。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于制造具有氣墊面(ABS)的換能器的方法和系統(tǒng)。所述方法和系統(tǒng)包括提供至少一個(gè)近場(chǎng)換能器(NFT)膜和提供與至少一個(gè)NFT膜的一部分大致共面的電子研磨引導(dǎo)(ELG)膜。所述方法和系統(tǒng)還包括從至少一個(gè)NFT膜的一部分限定NFT的盤片部分和從ELG膜限定至少一個(gè)ELG。盤片部分對(duì)應(yīng)于NFT離ABS位置的臨界尺寸。所述方法和系統(tǒng)還包括研磨至少一個(gè)換能器。研磨基于來(lái)自ELG的信號(hào)終止。
文檔編號(hào)G11B5/23GK102354503SQ20111014887
公開(kāi)日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者J·李, Y·胡, Z·王 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司