專(zhuān)利名稱(chēng)：磁介質(zhì)上潤(rùn)滑劑的沉積的制作方法
磁介質(zhì)上潤(rùn)滑劑的沉積
背景技術(shù)：
在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)工業(yè)中，在磁記錄盤(pán)上涂布潤(rùn)滑劑的方法通常有兩種浸涂工藝和熱氣相潤(rùn)滑工藝。在浸涂工藝中，濺射后的盤(pán)片經(jīng)芯軸固定，浸入到潤(rùn)滑劑溶液中，然后從溶液中提出。通過(guò)控制潤(rùn)滑劑的濃度和盤(pán)片提出速度可以控制潤(rùn)滑劑的厚度。然而該工藝存在一些弊端。例如，該工藝中涉及使用大量昂貴的并且具有揮發(fā)性的氟化溶劑，這反過(guò)來(lái)增加了工藝成本，而且還造成了環(huán)境問(wèn)題。熱氣相潤(rùn)滑工藝涉及真空中全氟聚醚(PFPE)的熱蒸發(fā)，接著是潤(rùn)滑劑蒸氣在室溫薄膜磁盤(pán)上的凝結(jié)。然而，該工藝的一個(gè)缺點(diǎn)是，供應(yīng)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工業(yè)上的PFPE潤(rùn)滑劑不是純的，而是由分子量分布所形成的混合物。由于混合物中的每個(gè)分子量成分具有不同的蒸氣壓，結(jié)果混合物在沉積工藝過(guò)程中會(huì)通過(guò)分子量產(chǎn)生分餾。如此，不同的工藝時(shí)段處理的盤(pán)片沉積的潤(rùn)滑物具有不同的平均分子質(zhì)量，在工藝開(kāi)始階段在盤(pán)片上的材料較輕而在較后階段盤(pán)片上的材料較重。每次液態(tài)潤(rùn)滑劑再次充入到蒸發(fā)器中，輕材料至重材料的循環(huán)自身重復(fù)一次。第二個(gè)缺點(diǎn)是包含兩種或更多不同化學(xué)成分的潤(rùn)滑物膜的沉積對(duì)每種成分都涉及不同的蒸發(fā)工藝站。第三個(gè)缺點(diǎn)是持久的應(yīng)用高溫，可能導(dǎo)致PFPE材料的熱降解。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法可包括將氣體泵浦至含潤(rùn)滑劑的貯存器中。另外，該方法可包括轉(zhuǎn)變所述氣體至超臨界流體，該流體從潤(rùn)滑劑中提取出潤(rùn)滑劑分子，形成超臨界流體和潤(rùn)滑劑分子的混合物。進(jìn)一步地，該方法還可包括應(yīng)用所述混合物，來(lái)將潤(rùn)滑劑分子沉積到磁介質(zhì)上。在另一實(shí)施例中，一個(gè)系統(tǒng)可包括噴嘴和連接至噴嘴并且用于裝載潤(rùn)滑劑的貯存器。另外，系統(tǒng)可包括壓縮機(jī)，其用于將氣體泵浦至貯存器中以及控制貯存器內(nèi)部壓力。此外，系統(tǒng)可包括用于改變貯存器溫度的加熱器。注意到，壓縮機(jī)和加熱器能用于轉(zhuǎn)化貯存器內(nèi)的氣體至臨界流體，該流體從潤(rùn)滑劑中提取滑劑分子形成超臨界流體和潤(rùn)滑劑分子的混合物。另外，噴嘴可用于朝磁介質(zhì)輸出該混合物。再另外的一實(shí)施例中，一種方法可包括將氣體泵浦至含多種潤(rùn)滑劑的貯存器中。 該方法還可包括轉(zhuǎn)變所述氣體至超臨界流體，所述流體從多種潤(rùn)滑劑中提取潤(rùn)滑劑分子， 形成超臨界流體和潤(rùn)滑劑分子的混合物。此外，該方法可包括從貯存器中輸出該混合物，以在磁盤(pán)上沉積潤(rùn)滑劑。雖然在發(fā)明內(nèi)容中具體記載了依據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)注意的是本發(fā)明及權(quán)利要求的主題絕不僅限于這些實(shí)施例。


圖1為依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造系統(tǒng)的框圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)的框圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的另一個(gè)潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)的框圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的方法的流程圖。除特別說(shuō)明外，說(shuō)明書(shū)中所涉及的附圖不應(yīng)被理解成按比例繪制。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)參照依據(jù)本發(fā)明的不同的實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例將結(jié)合附圖來(lái)說(shuō)明。雖然本發(fā)明將通過(guò)不同的實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，但應(yīng)理解的這些實(shí)施例的目的不是為了限制本發(fā)明。相反地，本發(fā)明旨在涵蓋所有替代、修改和等效技術(shù)方案，它們均包含在依據(jù)權(quán)利要求解釋的本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，在下面所詳細(xì)描述的依據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例中， 為了提供對(duì)本發(fā)明深入的理解，還闡述了許多具體的細(xì)節(jié)。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，可以在沒(méi)有這些具體的細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。在其它情況下，熟知的方法、進(jìn)程、組件和電路沒(méi)有進(jìn)行具體的描述，以免不必要地混淆本發(fā)明的諸方面。圖1為依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造系統(tǒng)100的框圖。舉例來(lái)說(shuō)，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造系統(tǒng)100可包括，但不僅限于，薄膜磁介質(zhì)制備系統(tǒng)102，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106 以及附加處理系統(tǒng)110。如此，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造系統(tǒng)100就可以制備出每個(gè)都含一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁介質(zhì)108的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器112。具體地，在薄膜磁盤(pán)制備系統(tǒng)102內(nèi)部，可制備一個(gè)或多個(gè)薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片(如 104)，該介質(zhì)或盤(pán)片最后可以結(jié)合到一個(gè)或多個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中。應(yīng)當(dāng)注意，一個(gè)或多個(gè)薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片104可通過(guò)多種方法制備。例如在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)薄膜磁介質(zhì)104 可以被實(shí)現(xiàn)成包括，但不僅限于，包含無(wú)定形碳薄層的磨擦涂層。圖1中，一旦一個(gè)或多個(gè)薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片104被制備，可以將它們中的一個(gè)或多個(gè)裝載或插入到潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106。一旦被裝載，可以依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例，使用超臨界流體沉積工藝將一種或多種潤(rùn)滑劑沉積到薄膜磁介質(zhì)104的一個(gè)或多個(gè)暴露表面上。在一實(shí)施例中，將一種或多種潤(rùn)滑劑沉積到薄膜磁介質(zhì)104上來(lái)阻止腐蝕并防止在與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭接觸時(shí)受損害。應(yīng)注意的是，本文描述依據(jù)不同實(shí)施例的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106的具體操作在本文中得到說(shuō)明，但不應(yīng)僅限于此。需要指出的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106中所使用的一種或多種潤(rùn)滑劑可通過(guò)多種方法實(shí)施。例如在不同實(shí)施例中，一種或多種潤(rùn)滑劑可包括，而不僅限于，一種或多種不同類(lèi)型的全氟聚醚(perfluoropolyethenPFPE)。在一實(shí)施例中，四羥基全氟聚醚(可以從產(chǎn)品名為Fombline ZTetraol 中找到)可在潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106中作為潤(rùn)滑劑使用，但其不僅限于此。一旦潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106制備了一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑介質(zhì)或盤(pán)片108，可將它們裝載或插入到附加處理系統(tǒng)110中。應(yīng)當(dāng)注意的是，通過(guò)附加處理系統(tǒng)110可對(duì)一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁性介質(zhì)108進(jìn)行多種處理。例如在不同實(shí)施例中，附加處理系統(tǒng)110中的處理可以包括但不僅限于對(duì)一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁介質(zhì)108的最終磨光操作(其可稱(chēng)為“帶拋光/擦涂”)，對(duì)一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁性介質(zhì)108進(jìn)行測(cè)試以確定是否能支持飛行高度以及檢測(cè)任何缺陷，和/或?qū)⒁粋€(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁介質(zhì)108結(jié)合到一個(gè)或多個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 112中。通過(guò)這種方式，附加處理系統(tǒng)110可以生產(chǎn)出每個(gè)都含有一個(gè)或多個(gè)潤(rùn)滑薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片108的一個(gè)或多個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器112。圖2是依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200的框圖。應(yīng)該指出，在一個(gè)實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可以由潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)106(圖1)來(lái)實(shí)現(xiàn)，但不僅限于此。 圖2中，可以暫時(shí)將薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片MO (與介質(zhì)104相似)裝載或插入到系統(tǒng)200的外殼對(duì)2內(nèi)，從而依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的潤(rùn)滑劑沉積工藝可以將一種或多種潤(rùn)滑劑2M沉積至一個(gè)或多個(gè)其暴露的表面上。要注意的是在一實(shí)施例中，可以將一種或多種潤(rùn)滑劑2M沉積到薄膜磁介質(zhì)240上，用來(lái)提高抗腐蝕性以及當(dāng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭與其接觸時(shí)保護(hù)或防護(hù)磁介質(zhì)不被磨損。在這之后，含有沉積潤(rùn)滑劑的薄膜磁盤(pán)240被卸載或移出外殼M2。隨后， 可以最終結(jié)合包含沉積潤(rùn)滑劑的薄膜磁盤(pán)240作為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(如11 的組件。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可實(shí)現(xiàn)超臨界流體潤(rùn)滑工藝，以便在薄膜磁盤(pán)240上沉積一種或多種潤(rùn)滑劑224。例如，在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200內(nèi)的壓縮氣體220可被轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體實(shí)質(zhì)上作為被儲(chǔ)存在潤(rùn)滑劑容器226中的一種或多種潤(rùn)滑劑224的溶劑。如此，就可以形成或產(chǎn)生包含氣體220的超臨界流體和一種或多種潤(rùn)滑劑224的分子的混合物230。因此，氣體220的超臨界流體可以作為一種或多種可被沉積到薄膜磁盤(pán)240上的潤(rùn)滑劑的載體和沉積器。在其中一實(shí)施例中，超臨界流體是介于氣態(tài)和液態(tài)之間的物質(zhì)，因而其包含氣態(tài)和液體兩種狀態(tài)的性質(zhì)。當(dāng)溫度和壓力超過(guò)熱力學(xué)臨界點(diǎn)時(shí)，物質(zhì)就可轉(zhuǎn)變或轉(zhuǎn)化成超臨界流體。應(yīng)當(dāng)注意的是，物質(zhì)的熱力學(xué)臨界點(diǎn)可被定義為物質(zhì)表現(xiàn)出氣體和液體兩者性質(zhì)的經(jīng)組合的最小溫度和最小壓力。需指出的是，超臨界流體能以氣體相類(lèi)似的方式穿過(guò)材料。同時(shí)，超臨界流體還能以與液體相似的行為作為溶劑。在圖2中，一個(gè)實(shí)施例中的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可包括，但不限于，泵202、能儲(chǔ)存一種或多種氣體206的氣體貯存器207、壓縮機(jī)212、控制器或計(jì)算設(shè)備214、電壓源218、加熱器228、毛細(xì)管閥208和232、可儲(chǔ)存一種或多種潤(rùn)滑劑224以及混合物230的貯存器或容器226、氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238，潤(rùn)滑劑沉積外殼M2以及毛細(xì)管204、 210、216、234、234' ,234" ^P 2460需要指出的是，在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200不包括沉積外殼對(duì)2。潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200的潤(rùn)滑劑貯存器2 可包含或裝載一種或多種潤(rùn)滑劑224。 應(yīng)當(dāng)注意的是，一種或多種潤(rùn)滑劑2M可以有多種方式實(shí)施。例如在不同實(shí)施例中，一種或多種潤(rùn)滑劑2M可包含，但不僅限于，一種或多種類(lèi)型的全氟聚醚(PFPE)。在一實(shí)施例中， 一種可以在產(chǎn)品名為Fombline ZTetmol (按照不同的分子量)下找到的四羥基全氟聚醚可以作為潤(rùn)滑劑224，但不僅限于此。在不同實(shí)施例中，一種或多種潤(rùn)滑劑2M可包括， 但不僅限于，F(xiàn)ombline Z-Dol (按不同的分子量)、Matsumura原油研究公司(M0RESC0) 的A20H (按不同的分子量)，等等。需要指出，氣體貯存器(容器或圓柱體)207可儲(chǔ)存或裝載一種或多種氣體206。應(yīng)當(dāng)注意的是，一種或多種氣體206可通過(guò)多種方式實(shí)施。例如，一種或多種氣體206可使用氣體和/或流體來(lái)實(shí)施，例如但不僅限于二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、水(H2O)、甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙酮(C3H6O)、丙烷 (C3H8)和丙烯(C3H6)。在一實(shí)施例中，為了提高一種或多種潤(rùn)滑劑224的提取效率，可向提取氣體206中加入添加劑。例如在一實(shí)施例中，輔助氣體硫體可被加入到主要?dú)怏w/流體 206中。輔助氣體硫體或添加劑可包括，但不僅限于，二氧化碳、甲烷、乙烷、乙烯、水、甲醇、 乙醇、丙酮、丙烷和丙烯。在圖2中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200(在一實(shí)施例中)可包括，但不僅限于，潤(rùn)滑劑提取單元222和潤(rùn)滑劑沉積單元M4。例如在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑提取單元222可包括，但不僅限于，用于儲(chǔ)存一種或多種潤(rùn)滑劑224的潤(rùn)滑劑容器226、用于將潤(rùn)滑劑容器226以及其內(nèi)存物加熱到特定溫度的加熱器單元或線圈228。應(yīng)當(dāng)注意的是，潤(rùn)滑劑提取單元222還可包括用于接收來(lái)自壓縮機(jī)212中的壓縮氣體220的毛細(xì)管216，其中該毛細(xì)管216可耦合至潤(rùn)滑劑容器226的輸入或進(jìn)入口。這樣，壓縮氣體220可由壓縮機(jī)212泵浦到潤(rùn)滑劑容器 226中，在容器中壓縮氣體可與儲(chǔ)存其中的一種或多種潤(rùn)滑劑2M混合。在一實(shí)施例中，為提高一種或多種潤(rùn)滑劑2M的提取效率，在壓縮機(jī)212壓縮之前，可在提取氣體206中添加一種或多種添加劑。此外，在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積單元244可包括，但不僅限于，毛細(xì)管閥232，沉積外殼M2，氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238，毛細(xì)管234、234'和234〃。注意，毛細(xì)管閥232 可以控制經(jīng)氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238沉積至磁盤(pán)240上的潤(rùn)滑劑2M的體積或量。另外，氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238的每一個(gè)可分別產(chǎn)生包含一種或多種潤(rùn)滑劑224的錐形羽輝氣霧239和Ml。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積單元或其外殼對(duì)幻內(nèi)的壓力可不同于潤(rùn)滑劑提取單元222中潤(rùn)滑劑容器226中的壓力(例如更高或更低)，從而使包含氣體 220的超臨界流體和潤(rùn)滑劑224的分子的混合物230能夠流到或噴涂到薄膜磁盤(pán)240上。 需要指出的是，在潤(rùn)滑劑容器2 和沉積外殼或不含外殼242的沉積區(qū)域)之間的壓力差可以使一種或多種潤(rùn)滑劑2M在薄膜磁介質(zhì)240上的沉積質(zhì)量產(chǎn)生差別。例如在一實(shí)施例中，如果潤(rùn)滑劑容器2 和沉積外殼或沒(méi)有外殼242的沉積區(qū)域)之間存在較大的壓力差，得到的潤(rùn)滑劑氣霧239和241可以更有力度而且包含更大的一種或多種潤(rùn)滑劑 2 液滴。在圖2中，薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片240可被裝載或插入到氣相沉積外殼M2內(nèi)。應(yīng)當(dāng)注意的是，在潤(rùn)滑劑沉積工藝期間，薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片240可按多種方式放置。例如在一實(shí)施例中，薄膜磁介質(zhì)240可以基本上垂直的方式放置(如所示)，這有助于一種或多種潤(rùn)滑劑2 在薄膜磁介質(zhì)240上的均勻沉積。另外，應(yīng)當(dāng)注意，在氣相沉積外殼M2內(nèi)可存在各種壓力。例如，氣相沉積外殼M2內(nèi)的壓力可以高于、低于或者基本上類(lèi)似于潤(rùn)滑劑貯存器 226內(nèi)的壓力，但不僅限于此。此外，環(huán)境壓力或次環(huán)境壓力可存在于氣相沉積外殼242內(nèi)， 但不僅限于此。應(yīng)當(dāng)注意的是，在一實(shí)施例中，環(huán)境壓力表示沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的控制手段來(lái)控制氣相沉積外殼M2內(nèi)的壓力(如沉積外殼242不是密封的)，但不僅限于此。另外，在一實(shí)施例中，一旦氣相沉積外殼242是密封的，在其內(nèi)部則可以產(chǎn)生真空(例如約IX 10_6torr，但不僅限于此)。如上所述，依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的超臨界流體潤(rùn)滑工藝可用于將一種或多種潤(rùn)滑劑2 沉積到薄膜磁介質(zhì)MO的一個(gè)或多個(gè)表面上。例如在一實(shí)施例中，可將一種或多種潤(rùn)滑劑2M放入潤(rùn)滑劑貯存器226內(nèi)。需要指出的是，潤(rùn)滑劑貯存器或容器226的溫度和壓力可以通過(guò)壓縮機(jī)單元212和加熱器單元 2 進(jìn)行控制。這樣，可從容器2 中提取出一種或多種潤(rùn)滑劑2M的不同成分或者從容器 226中提取出一種或多種潤(rùn)滑劑2M的所有成分。如上所述，當(dāng)壓縮空氣220為超臨界流體時(shí)，其介于氣態(tài)和液態(tài)之間。因此，通過(guò)調(diào)節(jié)氣體220的超臨界流體的溫度和/或壓力，氣體220的超臨界流體密度可逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楦咏谝簯B(tài)或更接近于氣態(tài)。按這種方式，可以調(diào)節(jié)氣體220的超臨界流體的密度。另外，需要注意的是，通過(guò)改變氣體的超臨界流體220 的密度，氣體220的超臨界流體的性質(zhì)可能會(huì)發(fā)生變化。例如在一實(shí)施例中，如果氣體220的超臨界流體密度改變成更接近氣體，那么氣體220的超臨界流體可具有更多能量以滲透潤(rùn)滑劑容器226內(nèi)的一種或多種溶劑224。在一實(shí)施例中，如果將氣體220的超臨界流體的密度更改成更接近液體，氣體220的超臨界流體可具有更多的功率從潤(rùn)滑劑容器226內(nèi)的一種或多種潤(rùn)滑劑224中提取分子。在圖2中，在一實(shí)施例中，在接收壓縮氣體220的潤(rùn)滑劑貯存器226的準(zhǔn)備過(guò)程中，可通過(guò)加熱器單元2 將其加熱至特定溫度。需要注意的是，本實(shí)施例中的加熱器單元 228可耦合至電壓源218并受其控制，電壓源可耦合至控制器214并受其控制。另外，由于氣體206可在容器207內(nèi)的壓力下儲(chǔ)存，當(dāng)控制器214打開(kāi)毛細(xì)管閥208時(shí)，氣體206可傳播或傳輸?shù)綒怏w容器207外，經(jīng)過(guò)毛細(xì)管閥208，并且通過(guò)毛細(xì)管210，以便被壓縮單元212 接收或者輸入到壓縮單元212中。另外，需指出的是，控制器214可以耦合到壓縮機(jī)212并控制其操作，從而使控制器214能夠設(shè)置或設(shè)立所接收氣體206的所需壓力。如此，壓縮機(jī) 212可以壓縮或加壓所接收的氣體206，然后氣體可通過(guò)毛細(xì)管216作為壓縮氣體輸出。由于在本實(shí)施例中潤(rùn)滑劑貯存器2 耦合到毛細(xì)管216上，進(jìn)而潤(rùn)滑劑貯存器2 可接收由壓縮機(jī)212泵浦(而且可以繼續(xù)如此)到毛細(xì)管216中的壓縮氣體220。圖2中，壓縮氣體220被潤(rùn)滑劑貯存器2 接收后，壓縮空氣220可被轉(zhuǎn)化或變成超臨界流體。例如在一實(shí)施例中，當(dāng)毛細(xì)管閥232關(guān)閉時(shí)，可以將貯存器2 連同其中儲(chǔ)存的一種或多種潤(rùn)滑劑2M —起預(yù)加熱到壓縮氣體220的熱力學(xué)臨界點(diǎn)以上的溫度。另外， 壓縮機(jī)212可壓縮或加壓壓縮氣體220至熱力學(xué)臨界點(diǎn)以上的壓力。如此，在潤(rùn)滑劑貯存器2 接收壓縮氣體220后，壓縮氣體220可被加熱和加壓到熱力學(xué)臨界點(diǎn)以上，此時(shí)壓縮氣體220可轉(zhuǎn)化為超臨界流體，其在本質(zhì)上可作為潤(rùn)滑劑貯存器226內(nèi)儲(chǔ)存的一種或多種潤(rùn)滑劑224的溶劑。因此，氣體220的超臨界流體可從一種或多種潤(rùn)滑劑224中提取分子， 進(jìn)而在潤(rùn)滑劑貯存器226內(nèi)產(chǎn)生混合物230。需要注意的是，在一實(shí)施例中，毛細(xì)管閥232可耦合至控制器214并受其控制。因此，一旦產(chǎn)生了混合物230，控制器214可以觸發(fā)閥232打開(kāi)，使得混合物230從潤(rùn)滑劑貯存器2 經(jīng)毛細(xì)管2；34釋放。如此，混合物230可以經(jīng)過(guò)毛細(xì)管234、234' ,234"，以便由氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238輸出。應(yīng)當(dāng)注意到，一旦混合物230從氣體形態(tài)控制設(shè)備236 和238輸出，氣體220的超臨界流體可從混合物230蒸發(fā)，產(chǎn)生包含一種或多種潤(rùn)滑劑2M 的潤(rùn)滑劑氣霧239和Ml。進(jìn)而輸出的潤(rùn)滑劑氣霧239和241噴霧或流能夠使得一種或多種潤(rùn)滑劑2M沉積在薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片240的一個(gè)或多個(gè)表面上。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑氣霧239和241按照實(shí)質(zhì)上的瞄準(zhǔn)路徑傳播到磁介質(zhì)240并在其表面上凝結(jié)。需要指出的是，由于氣態(tài)220的超臨界流體不再被壓縮或加熱，當(dāng)從氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238輸出時(shí)，氣態(tài)220的超臨界流體從混合物230中蒸發(fā)。因此，氣體220的超臨界流體可轉(zhuǎn)化為氣體 206。在圖2中，需要指出的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可包含用于回收在混合物230從氣體形態(tài)控制設(shè)備236和238輸出期間或之后殘留在氣相沉積外殼M2內(nèi)的氣體206的系統(tǒng)。例如在一實(shí)施例中，氣相沉積外殼242可通過(guò)氣體毛細(xì)管246耦合至泵202上，從而使泵202能夠從氣相沉積外殼242移出殘留氣體206。另外，泵202可通過(guò)氣體毛細(xì)管204耦合至氣體貯存器(或容器或圓柱體)207，從而使泵202能將回收氣體206加入氣體貯存器 207中。這樣，回收氣體206可以以在潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200內(nèi)再次使用。在一實(shí)施例中，泵
7202可耦合至控制器214并受其控制。從而控制器214可控制泵202的操作(或者功能)。需要注意的是，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238的每一個(gè)可以多種方式實(shí)施。例如，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238的每一個(gè)可以按以下方式實(shí)施，但不僅限于此漏斗或錐形設(shè)備(如所示)、任何類(lèi)型的氣霧噴嘴以及任何類(lèi)型的噴射噴嘴。在一實(shí)施例中，氣體形態(tài)控制設(shè)備236可按不同于氣體形態(tài)控制設(shè)備238的方法實(shí)施，反之亦然。 而且，在一實(shí)施例中，氣體形態(tài)控制設(shè)備236可以按類(lèi)似于氣體形態(tài)控制設(shè)備238的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，反之亦然。在圖2中，需要注意的是，毛細(xì)管閥208和232的每一個(gè)可以通過(guò)多種方式實(shí)施。 例如在一實(shí)施例中，毛細(xì)管閥208和232的每一個(gè)可以按脈沖關(guān)閉和打開(kāi)的脈沖螺線管閥來(lái)實(shí)施，但不僅限于此。注意到在一實(shí)施例中，可以通過(guò)毛細(xì)管閥232替代磁介質(zhì)240進(jìn)出沉積系統(tǒng)的時(shí)間量，來(lái)對(duì)經(jīng)由潤(rùn)滑劑氣霧239和241將一種或多種潤(rùn)滑劑224沉積到薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片240的一個(gè)或多個(gè)表面上進(jìn)行控制。因此，與精確的時(shí)間控制不同，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200的毛細(xì)管閥232可以用于控制潤(rùn)滑劑的沉積。毛細(xì)管閥208和232可分別耦合到控制器(或者計(jì)算設(shè)備)214上，控制器可獨(dú)立的控制每個(gè)閥的操作。例如在一實(shí)施例中， 控制器214可以分別發(fā)送電信號(hào)(例如3伏特信號(hào))至毛細(xì)管閥208和232的每一個(gè)，使其打開(kāi)或者關(guān)閉。在其中一個(gè)實(shí)施例中，控制器214可電耦合至泵202、壓縮機(jī)212、耦合至加熱器 228的電壓源218、以及毛細(xì)管閥208和232。這樣，控制器214可獨(dú)立地控制泵202、壓縮機(jī)212、加熱器2 (通過(guò)電壓源218)、以及毛細(xì)管閥208和232的操作。需要注意的是，控制器214的功能和/或操作可通過(guò)軟件、固件、硬件或其任意組合來(lái)控制或管理，但不僅限于此。另外，在一實(shí)施例中，控制器214可以是潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200用戶(hù)接口的一部分。應(yīng)當(dāng)注意的是，依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例中的實(shí)驗(yàn)可以通過(guò)與圖2的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200相似的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)來(lái)完成。例如在依據(jù)一實(shí)施例的一個(gè)實(shí)驗(yàn)中，向不銹鋼提取器容器(例如貯存器226)中加入2克Fomblin . Z-Dol2000。加熱提取器容器(如226) 到45°C，并且將壓縮二氧化碳?xì)怏w(如220)引入提取器容器(如226)中。當(dāng)提取器容器 (如226)內(nèi)的壓力達(dá)到100巴時(shí)，打開(kāi)閥(如232)。應(yīng)當(dāng)注意的是，給定提取器容器(如 226)內(nèi)的這些條件以及在閥(如232)打開(kāi)之前，包含二氧化碳(如220)的超臨界流體和潤(rùn)滑劑(如224)分子的混合物(如230)已經(jīng)在提取器容器(如226)內(nèi)產(chǎn)生。因此，一旦閥(如232)打開(kāi)，潤(rùn)滑劑(如224)就會(huì)沉積到磁介質(zhì)(如M0)的一個(gè)或多個(gè)表面上。應(yīng)用傅立葉變換紅外(FTIR)計(jì)算，磁盤(pán)(如M0)表面上潤(rùn)滑劑的平均厚度為約12埃(A)或 1. 2 納米(nm)。在依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一實(shí)驗(yàn)中，向不銹鋼提取器容器(如貯存器226)中加入 1 克Fomblin ZTetraol 2000 和 1 克 Α20Η 2000。加熱提取器容器(如 226)到 45°C，并且引入壓縮二氧化碳?xì)怏w(如220)至提取器容器(如226)中。當(dāng)提取器容器(例如226) 內(nèi)的壓力達(dá)到125巴時(shí)，打開(kāi)閥(如232)。應(yīng)當(dāng)指出，給定在提取器容器(如226)內(nèi)的這些條件以及在閥(如232)打開(kāi)之前，包含二氧化碳(如220)的超臨界流體和潤(rùn)滑劑(如 224)分子的混合物(如230)已經(jīng)在提取器容器(如226)內(nèi)產(chǎn)生。因此，一旦閥(如232) 打開(kāi)，潤(rùn)滑劑(如224)就會(huì)沉積到磁介質(zhì)(如M0)的一個(gè)或多個(gè)表面上。采用傅立葉變換紅外(FTIR)計(jì)算，磁盤(pán)(如240)表面上潤(rùn)滑劑(如224)的總厚度為約21.1 A或2. Ilnm0另外，F(xiàn)IlR計(jì)算表明潤(rùn)滑劑層包含19.4 A (或1. 94nm)的A20H -2000和1.7 A (或0. 17nm) 的 Z Tetraol 2000。潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可通過(guò)多種方式進(jìn)行更改。例如在一個(gè)實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可以改變以使得可以將多種壓縮氣體(如220)泵浦到潤(rùn)滑劑貯存器2 中。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可以改變以使氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238可分別耦合至與潤(rùn)滑劑貯存器2 相似的分立潤(rùn)滑劑貯存器。在圖2中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可包括，但不僅限于泵202、氣體貯存器207、壓縮機(jī)212、控制器214、電壓源218、加熱器228、潤(rùn)滑劑容器226、閥208和232、毛細(xì)管204、 210、216、234、234' ,234"和M6、氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238以及沉積外殼 2420特別地，在一實(shí)施例中，泵202的輸出可通過(guò)毛細(xì)管204耦合至氣體貯存器207的輸入。氣體貯存器207的輸出可通過(guò)毛細(xì)管210和毛細(xì)管閥208耦合至壓縮機(jī)212的輸入。 壓縮機(jī)212的輸出可通過(guò)毛細(xì)管216耦合至潤(rùn)滑劑貯存器226的輸入。潤(rùn)滑劑貯存器2 的輸出可通過(guò)毛細(xì)管234、234'和234"以及毛細(xì)管閥232耦合至氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)236和238。沉積外殼M2的輸出可通過(guò)毛細(xì)管246耦合至泵202的輸入。可耦合控制器214用來(lái)控制泵202、毛細(xì)管閥208和232、壓縮機(jī)212以及電壓源218 (控制加熱器 228)。需要注意的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可不包括圖2示出的所有元件。另外，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可被實(shí)現(xiàn)為包含圖2中未示出的一個(gè)或多個(gè)元件。需要指出的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200可通過(guò)與本文描述的類(lèi)似方式來(lái)使用或者實(shí)施，但不僅限于此。圖3是依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的包括氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2M 和256陣列的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'的框圖。需要指出的是，圖3中具有與本文任何其它附圖中元件相同的附圖標(biāo)記的元件可以通過(guò)與本文所述相似的任何方式進(jìn)行操作或運(yùn)行，但不僅限于此。注意到在其中一個(gè)實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可以是潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng) 106(圖1)的實(shí)現(xiàn)，但并不僅限于此。特別地，在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可包括氣體形態(tài)控制設(shè)備或噴嘴 (如250、252、2M和256)陣列或多個(gè)氣體形態(tài)控制設(shè)備或噴嘴，其可被用來(lái)將一種或多種潤(rùn)滑劑(如224)沉積至薄膜磁介質(zhì)240的每個(gè)表面上以進(jìn)一步提高潤(rùn)滑劑沉積的均勻性， 但不僅限于此。需要理解的是，圖3中的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可以以與圖2的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)相似的方式來(lái)運(yùn)行和操作，但不僅限于此。需要指出的是在一個(gè)實(shí)施例中，圖3中的潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'不包括外殼M2。在圖3中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可實(shí)施超臨界流體潤(rùn)滑工藝來(lái)將一種或多種潤(rùn)滑劑2 沉積至薄膜磁盤(pán)240上。例如，在一實(shí)施例中，在潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'內(nèi)，壓縮氣體220可被轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體實(shí)質(zhì)上作為儲(chǔ)存在潤(rùn)滑劑容器226內(nèi)的一種或多種潤(rùn)滑劑224的溶劑。結(jié)果，可制造或產(chǎn)生包括氣體220的超臨界流體以及一種或多種潤(rùn)滑劑2M分子的混合物230。如此，氣體220的超臨界流體可以作為一種或多種潤(rùn)滑劑 224的載體以及沉積器，潤(rùn)滑劑2M通過(guò)氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2M和256 陣列被沉積到薄膜磁盤(pán)240上。在一個(gè)實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可包括，但不僅限于，潤(rùn)滑劑提取單元 222和潤(rùn)滑劑沉積單元M4'。例如在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑提取單元222可包括，但不僅限于，用于儲(chǔ)存一種或多種潤(rùn)滑劑224的潤(rùn)滑劑容器226，和用于加熱潤(rùn)滑劑容器226以及其儲(chǔ)存物至特定溫度的加熱器單元或線圈228。應(yīng)當(dāng)注意的是，潤(rùn)滑劑提取單元222還可包括用于接收來(lái)自壓縮機(jī)212的壓縮氣體220的毛細(xì)管216，其中毛細(xì)管216可耦合至潤(rùn)滑劑容器226的輸入或入口。這樣，壓縮氣體220可通過(guò)壓縮機(jī)212泵浦到潤(rùn)滑劑容器2 中，在此它可與儲(chǔ)存其中的一種或多種潤(rùn)滑劑相混合。在一實(shí)施例中，為提高一種或多種潤(rùn)滑劑 224的提取效率，在壓縮機(jī)212壓縮之前，可在提取氣體206中添加一種或多種添加劑。另外，在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積單元可包括，但不僅限于，毛細(xì)管閥232， 沉積外殼對(duì)2，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2討和256，以及毛細(xì)管234、234'、 234〃。注意的是，毛細(xì)管閥232可以控制通過(guò)氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256沉積至磁盤(pán)240上的潤(rùn)滑劑2M的體積或量。另外，氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256的每一個(gè)可分別產(chǎn)生包括一種或多種潤(rùn)滑劑2 的錐形羽輝氣霧239' ,239" ,241' ^P 241"。 在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積單元244 (或其外殼對(duì)幻內(nèi)的壓力可不同于潤(rùn)滑劑提取單元222 中潤(rùn)滑劑容器2 中的壓力(例如更高或更低)，從而使包含氣體200的超臨界流體和潤(rùn)滑劑224的分子的混合物230能夠流到或噴涂到薄膜磁盤(pán)240上。需要注意的是，潤(rùn)滑劑容器2 和沉積外殼或不含外殼的沉積區(qū)域?qū)弥g的壓力差可以使薄膜磁介質(zhì)240 上一種或多種潤(rùn)滑劑224的沉積質(zhì)量產(chǎn)生差別。例如在一實(shí)施例中，如果潤(rùn)滑劑容器2 和沉積外殼242 (或沒(méi)有外殼的沉積區(qū)域?qū)弥g存在較大的壓力差，生成的潤(rùn)滑劑氣霧 239' ,239" ,241'和Ml “可以更強(qiáng)并且可包含的更大的一種或多種潤(rùn)滑劑224的液滴。圖3，在一實(shí)施例中，毛細(xì)管閥232可耦合至控制器214，并受其控制。如此，一旦以本文描述的方式產(chǎn)生混合物230，控制器214可以使閥232打開(kāi)，使得混合物230能從潤(rùn)滑劑貯存器2 經(jīng)毛細(xì)管2；34釋放。結(jié)果，混合物230可通過(guò)毛細(xì)管234，234' ,234"以經(jīng)由氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2財(cái)和256輸出。應(yīng)當(dāng)注意到，一旦混合物230 從氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256輸出，氣體220的超臨界流體可從混合物230蒸發(fā)，產(chǎn)生包含一種或多種潤(rùn)滑劑224的潤(rùn)滑劑氣霧239' ,239" ,241' ^P 241"。如此，輸出的潤(rùn)滑劑氣霧239' ,239" ,241'和Ml"噴霧或流可導(dǎo)致一種或多種潤(rùn)滑劑2 沉積在薄膜磁性介質(zhì)或盤(pán)片MO的一個(gè)或多個(gè)表面上。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑氣霧239、239'、 241'和Ml"按照實(shí)質(zhì)上瞄準(zhǔn)路徑傳播到磁介質(zhì)240上并在其表面凝結(jié)。需要指出的是， 因?yàn)闅鈶B(tài)220的超臨界流體不再被壓縮或加熱，從氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256 輸出時(shí)，氣體220的超臨界流體從混合物230中蒸發(fā)。因此，氣體220的超臨界流體可轉(zhuǎn)變回氣體206。需要指出的是，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2討和256的每一個(gè)可以多種方式實(shí)施。例如，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2M和256的每一個(gè)可以通過(guò)， 但不僅限于，漏斗或錐形設(shè)備(如所示)、任何類(lèi)型的氣霧噴嘴以及任意類(lèi)型的噴射噴嘴來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256的每一個(gè)可按不同的方式被實(shí)施。另外，在一實(shí)施例中，所有的氣體形態(tài)控制設(shè)備250、252、2M和256可以按相似的方法實(shí)施。在圖3中，需要注意的是，毛細(xì)管閥208和232的每一個(gè)可以通過(guò)多種方式實(shí)施。 例如在一實(shí)施例中，毛細(xì)管閥208和232的每一個(gè)可以按脈沖關(guān)閉和打開(kāi)的脈沖螺線管閥來(lái)實(shí)施，但不僅限于此。注意到，在一實(shí)施例中，可以通過(guò)毛細(xì)管閥232代替磁介質(zhì)240進(jìn)出沉積系統(tǒng)200的時(shí)間量，來(lái)對(duì)通過(guò)潤(rùn)滑劑氣霧239' ,239" ,241'和Ml"將一種或多種潤(rùn)滑劑2M沉積到薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片240的一個(gè)或多個(gè)表面上進(jìn)行控制。因此，與精確的時(shí)間控制不同，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'的毛細(xì)管閥232可以用于控制潤(rùn)滑劑的沉積。毛細(xì)管閥208和232可分別耦合到控制器(或者計(jì)算設(shè)備)214上，控制器可獨(dú)立地控制每個(gè)閥的操作。在一實(shí)施例中，控制器214可以分別發(fā)送電信號(hào)(例如3伏特信號(hào))至毛細(xì)管閥 208和232，使其打開(kāi)或關(guān)閉。在一實(shí)施例中，控制器214的功能和/或操作可通過(guò)軟件、固件、硬件或其任意組合進(jìn)行控制或管理，但不僅限于此。另外在一實(shí)施例中，控制器214可以是潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng) 200'用戶(hù)接口的一部分。在圖3中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可通過(guò)多種方法進(jìn)行調(diào)整。例如在一個(gè)實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可以產(chǎn)生變化，以使多種壓縮氣體(如220)能被泵浦到潤(rùn)滑劑貯存器2 中。在一實(shí)施例中，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可以改變以使得氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250,252,254和256可分別耦合至與潤(rùn)滑劑貯存器2 相似的分立潤(rùn)滑劑貯存器上。潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可包括，但不僅限于泵202，氣體貯存器207，壓縮機(jī)212， 控制器214，電壓源218，加熱器228，潤(rùn)滑劑貯存器226，閥208和232，毛細(xì)管204、210、216、 234,234' ,234"和對(duì)6，氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250、252、2M和256以及沉積外殼 2420特別地，在一實(shí)施例中，泵202的輸出可通過(guò)毛細(xì)管204耦合至氣體貯存器207的輸入。氣體貯存器207的輸出可通過(guò)毛細(xì)管210和毛細(xì)管閥208耦合至壓縮機(jī)212的輸入。 壓縮機(jī)212的輸出可通過(guò)毛細(xì)管216耦合至潤(rùn)滑劑貯存器226的輸入。潤(rùn)滑劑貯存器2 的輸出可通過(guò)毛細(xì)管234、234'和234"以及毛細(xì)管閥232耦合至氣體形態(tài)控制設(shè)備(或噴嘴)250,252,254和256。沉積外殼M2的輸出可通過(guò)毛細(xì)管246耦合至泵202的輸入。 可耦合控制器214用來(lái)控制泵202、毛細(xì)管閥208和232、壓縮機(jī)212以及電壓源218 (控制加熱器228)。需要注意的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可不必包含圖3中示出的所有元件。另外， 潤(rùn)滑劑沉積200'系統(tǒng)可被實(shí)現(xiàn)成包含圖3中未示出的一個(gè)或多個(gè)元件。需要指出的是，潤(rùn)滑劑沉積系統(tǒng)200'可通過(guò)與本文描述相似的任何方式來(lái)使用或者實(shí)施，但不僅限于此。圖4是依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例采用沉積工藝將潤(rùn)滑劑沉積至薄膜磁介質(zhì)上的方法400流程圖。盡管在流程圖400中披露了詳細(xì)的操作，但這些操作僅作為舉例。方法400 可以不必包括圖4所示的所有操作。而且，方法400可以包括各種其它操作和/或圖4所示操作的變體。同樣，流程圖400的操作順序也可進(jìn)行修改。應(yīng)該明白，并非流程圖400中的所有操作都需要執(zhí)行。在不同實(shí)施例中，可通過(guò)軟件、固件、硬件或其任意組合對(duì)方法400 的一個(gè)或多個(gè)操作進(jìn)行控制或管理，但不僅限于此。方法400可包括本發(fā)明實(shí)施例的工藝， 其在計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可讀和可執(zhí)行的指令(或代碼)的控制下，可通過(guò)處理器和電子部件進(jìn)行控制或管理。計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可讀和可執(zhí)行的指令(或代碼)可駐留在例如數(shù)據(jù)儲(chǔ)存特征中，諸如計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可用的易失存儲(chǔ)器、計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可用的非易失存儲(chǔ)器、和/或計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可用的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。然而，計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可讀和可執(zhí)行的指令(或代碼)可駐留在任意類(lèi)型的計(jì)算機(jī)或計(jì)算設(shè)備可讀介質(zhì)中。特別地，方法400可包括將一種或多種潤(rùn)滑劑加入到潤(rùn)滑劑容器中用于沉積至一個(gè)或多個(gè)薄膜磁盤(pán)。另外，薄膜磁介質(zhì)(或盤(pán)片)可被裝載到潤(rùn)滑劑沉積外殼中?？梢杂贸R界流體來(lái)將一種或多種潤(rùn)滑劑沉積至薄膜磁介質(zhì)的一個(gè)或多個(gè)表面或側(cè)面上。經(jīng)潤(rùn)滑的薄膜磁介質(zhì)可從潤(rùn)滑沉積外殼中移出。另外，可以對(duì)是否要對(duì)另一薄膜磁介質(zhì)進(jìn)行處理進(jìn)行確定。如果是，過(guò)程400可返回至涉及裝載薄膜磁介質(zhì)到潤(rùn)滑劑沉積外殼中的操作。然而，如果確定不對(duì)另一薄膜磁介質(zhì)進(jìn)行處理，過(guò)程400可以結(jié)束。這樣，按照本發(fā)明不同實(shí)施例，超臨界流體可用于將一種或多種潤(rùn)滑劑沉積至薄膜磁介質(zhì)上。在圖4的操作402中，可以將一種或多種潤(rùn)滑劑(如224)放入或加入潤(rùn)滑劑容器 (如226)中，用于沉積至一個(gè)或多個(gè)薄膜磁盤(pán)(如M0)上。需要指出的是，操作402可按多種方式實(shí)施。例如，操作402可按與本文描述相似的任何方式實(shí)施，但不僅限于此。在操作404中，薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片(如M0)可被裝載或插入到潤(rùn)滑劑沉積外殼 (如M2)中。需要注意的是，操作404可以多種方式實(shí)施。例如，操作404可按與本文描述相似的任何方式實(shí)施，但不僅限于此。在圖4的操作406中，超臨界流體可被用于將一種或多種潤(rùn)滑劑(如224)沉積至薄膜磁介質(zhì)的一個(gè)或多個(gè)表面或側(cè)面。需要注意的是，操作406可以多種方式實(shí)施。例如， 操作406可按與本文描述相似的任何方式實(shí)施，但不僅限于此。在操作408中，潤(rùn)滑薄膜磁介質(zhì)可從潤(rùn)滑劑沉積外殼中移出。需要注意的是，操作 408可以多種方式實(shí)施。例如，操作408可按與本文描述相似的任何方法實(shí)施，但不僅限于此。在圖4的操作410中，可以確定是否對(duì)另一薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片進(jìn)行處理。如果是， 過(guò)程400可前進(jìn)到操作404。然而，如果在操作410確定沒(méi)有另一薄膜磁介質(zhì)或盤(pán)片需要進(jìn)行處理，過(guò)程400可結(jié)束。需要注意的是，操作410可以多種方式實(shí)施。例如，操作410可按與本文描述相似的任何方式實(shí)施，但不僅限于此。這樣，依據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例，超臨界流體可用于將一種或多種潤(rùn)滑劑沉積至薄膜磁介質(zhì)。以上對(duì)依據(jù)本發(fā)明的不同具體實(shí)施例的描述是為了闡述和說(shuō)明而給出。這些描述不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制在所公開(kāi)的精確形式上，在上述教導(dǎo)下可存在多種修改和變化。本發(fā)明可通過(guò)權(quán)利要求書(shū)及其等效方案來(lái)進(jìn)行解釋。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括將氣體泵浦到包括潤(rùn)滑劑的貯存器中；將所述氣體轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體從所述潤(rùn)滑劑中提取潤(rùn)滑劑分子，形成所述超臨界流體和所述潤(rùn)滑劑分子的混合物；以及利用所述混合物將潤(rùn)滑劑分子沉積到磁介質(zhì)上。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述氣體包括二氧化碳。
3.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述潤(rùn)滑劑包括全氟聚醚。
4.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述磁介質(zhì)包括包含摩擦涂層的磁盤(pán)。
5.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述泵浦包括壓縮所述氣體。
6.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述利用還包括通過(guò)噴嘴從所述貯存器輸出所述混合物。
7.權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)化包括加熱所述貯存器。
8.一種系統(tǒng)包括 噴嘴；耦合到所述噴嘴并且用于裝載潤(rùn)滑劑的貯存器；用于將氣體泵浦到所述貯存器中以及控制所述貯存器的內(nèi)部壓力的壓縮機(jī)； 用于改變所述貯存器的溫度的加熱器；其中所述壓縮機(jī)和所述加熱器用于將所述氣體在所述貯存器中轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體從所述潤(rùn)滑劑中提取潤(rùn)滑劑分子，形成所述超臨界流體和所述潤(rùn)滑劑分子的混合物；其中用于輸出所述混合物的噴嘴朝向磁介質(zhì)。
9.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體包括二氧化碳。
10.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，所述潤(rùn)滑劑包括全氟聚醚。
11.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，所述磁介質(zhì)包括包含摩擦涂層的磁盤(pán)。
12.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，還包括電耦合到所述壓縮機(jī)和所述加熱器并對(duì)其進(jìn)行控制的控制器。
13.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于容納所述磁介質(zhì)的外殼。
14.權(quán)利要求13的系統(tǒng)，其特征在于，所述噴嘴在所述外殼內(nèi)部。
15.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其特征在于，所述噴嘴為氣霧噴嘴。
16.一種方法包括將氣體泵浦到包括多種潤(rùn)滑劑的貯存器中；將所述氣體轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體從所述多種潤(rùn)滑劑中提取潤(rùn)滑劑分子，形成所述超臨界流體和所述潤(rùn)滑劑分子的混合物；以及從所述貯存器輸出所述混合物以將潤(rùn)滑劑沉積到磁盤(pán)上。
17.權(quán)利要求16的方法，其特征在于，所述氣體包括甲烷。
18.權(quán)利要求16的方法，其特征在于，所述多種潤(rùn)滑劑包括四羥基全氟聚醚。
19.權(quán)利要求16的方法，其特征在于，所述多種潤(rùn)滑劑包括不同類(lèi)型的全氟聚醚。
20.權(quán)利要求16的方法，其特征在于，所述輸出還包括通過(guò)氣體形態(tài)控制裝置從所述貯存器輸出所述混合物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁介質(zhì)上潤(rùn)滑劑的沉積技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法可包括將氣體泵浦到包括潤(rùn)滑劑的貯存器中。另外，該方法可包括將所述氣體轉(zhuǎn)化成超臨界流體，超臨界流體從潤(rùn)滑劑中提取潤(rùn)滑劑分子，形成超臨界流體和潤(rùn)滑劑分子的混合物。另外，該方法還可包括利用所述混合物將潤(rùn)滑劑分子沉積到磁介質(zhì)上。
文檔編號(hào)G11B5/84GK102290055SQ20111015940
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者M·J·斯特里尼曼, X·馬, Y-T·夏, 楊季平 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司