專利名稱：相變存儲器的寫入操作的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及相變存儲器裝置，且更特定來說可涉及相變存儲器裝置的寫入脈沖。
背景技術(shù)：
舉例來說，例如非易失性存儲器裝置等集成電路裝置可存在于各種各樣的電子裝置中。舉例來說，非易失性存儲器裝置可用于計算機、數(shù)碼相機、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理等中。相變存儲器表示實例性類型的非易失性存儲器裝置。相變存儲器裝置可至少部分地特征在于，如何將信息儲存于個別存儲器單元中，因為特定存儲器單元的狀態(tài)取決于存儲器單元材料的狀態(tài)。非晶、非結(jié)晶狀態(tài)可表示二進制值‘0’，其也稱作“復(fù)位”狀態(tài)，且存儲器單元的結(jié)晶狀態(tài)可表示二進制值‘1’，其也稱作“設(shè)定”狀態(tài)。在相變存儲器中，存儲器單元是否被設(shè)定或復(fù)位可至少部分地取決于施加到所述存儲器單元的電流脈沖的量值及形狀。


已在說明書的結(jié)束部分中特別指出且明確請求了所請求的標(biāo)的物。然而，關(guān)于組織及/或操作方法以及其目標(biāo)、特征及/或優(yōu)點兩者，可通過參考結(jié)合附圖閱讀的以下詳細說明來最佳地理解此兩者，附圖中圖1是描繪包括相變存儲器裝置的實例性實施例的系統(tǒng)的實例性實施例的示意性框圖。圖2是描繪具有選擇器的相變存儲器的實例性實施例的橫截面圖的圖示。圖3是描繪被施加到相變存儲器單元的實例性實施例以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生復(fù)位狀態(tài)的電流的實例性波形的圖示。圖4是描繪被施加到相變存儲器單元的實例性實施例以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生設(shè)定狀態(tài)的電流的實例性波形的圖示。圖5是相變存儲器單元及相關(guān)聯(lián)電路的實例性實施例的示意圖。圖6是相變存儲器單元及相關(guān)聯(lián)電路的實例性實施例的示意圖。圖7是圖解說明用于控制電流穿過相變存儲器單元的放電的過程的實例性實施例的流程圖。在以下詳細說明中參考形成本文一部分的附圖，其中通篇中相同編號可指明相同部件以指示對應(yīng)或類似元件。將了解，為使圖解說明簡單及/或清晰起見，圖中所圖解說明的元件未必是按比例繪制。舉例來說，為清晰起見，可相對于其它元件放大一些元件的尺寸。此外，應(yīng)理解可利用其它實施例。此外，可在不背離所請求標(biāo)的物的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變。還應(yīng)注意，方向或參考(舉例來說，向上、向下、頂部、底部等等)可用來促進對圖式的論述而并非打算限制所請求標(biāo)的物的應(yīng)用。因此，不應(yīng)將以下詳細說明視為限制所請求標(biāo)的物或其等效物的范圍。
具體實施例方式在以下詳細說明中，陳述眾多特定細節(jié)以提供對所請求標(biāo)的物的透徹理解。然而， 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解可在不存在這些特定細節(jié)的情況下實踐所請求標(biāo)的物。在其它例項中，未詳細地描述所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將知曉的方法、設(shè)備或系統(tǒng)以便不混淆所請求標(biāo)的物。如上文所論述，舉例來說，例如非易失性存儲器裝置等集成電路裝置可存在于各種各樣的電子裝置中。舉例來說，相變存儲器(PCM)或具有選擇器的相變存儲器(PCMS)非易失性存儲器裝置可用于計算機、數(shù)碼相機、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理等中，對于PCM及 PCMS存儲器裝置，舉例來說，特定存儲器單元的狀態(tài)可取決于存儲器單元材料的相位，如下文所論述。在一個或一個以上實施例中，PCMS存儲器裝置與PCM存儲器裝置的差異在于由類似于存儲器單元的材料的材料制作的開關(guān)陣列。在一實施例中，此些開關(guān)也可稱作選擇器。選擇器陣列可用于隔離存儲器單元陣列中的個別存儲器單元。相比來說，PCM存儲器裝置可包括包含形成于CMOS層中的雙極裝置的開關(guān)或選擇器。此外，對于PCM及PCMS存儲器裝置，在一實施例中存儲器單元可包含硫族化物玻璃。PCM或PCMS存儲器單元可經(jīng)制造以通過充足熱量的施加而在不同狀態(tài)之間切換。舉例來說，在一實施例中，表示二進制值‘1’的“設(shè)定”狀態(tài)可對應(yīng)于存儲器單元的材料的大致結(jié)晶、大致導(dǎo)電狀態(tài)。另一方面，在一實施例中，表示二進制值‘0’的“復(fù)位”狀態(tài)可對應(yīng)于存儲器單元的大致非晶、相對電阻性狀態(tài)。在PCM或PCMS存儲器中，可通過將電流脈沖施加到存儲器單元來實現(xiàn)足以改變所述存儲器單元的相位的熱量。所施加的電流脈沖的特性可確定在所述存儲器單元中反映哪一特定狀態(tài)。如本文中所用，術(shù)語“大致非晶狀態(tài)”是指至少部分地特征在于相對高的電阻率的存儲器單元材料的狀態(tài)。還如本文中所用，術(shù)語“大致結(jié)晶狀態(tài)”是指至少部分地特征在于相對高的導(dǎo)電率的存儲器單元材料的狀態(tài)。在一實施例中，處于大致結(jié)晶狀態(tài)的存儲器單元的導(dǎo)電率水平可至少為大于處于大致非晶狀態(tài)的存儲器單元的導(dǎo)電率水平的數(shù)量級。然而，所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。在一實施例中，到PCMS存儲器單元的寫入操作可利用大得足以使存儲器單元材料熔化的電流電平。如前文所述，對于一實施例，PCMS存儲器單元可包含硫族化物玻璃。在寫入操作中，可施加足以使存儲器單元材料熔化的電流，且所述單元材料冷卻為固體的速率可確定所述寫入操作是否產(chǎn)生所述存儲器單元的設(shè)定狀態(tài)或復(fù)位狀態(tài)。冷卻速率可至少部分地取決于施加到存儲器單元的電流脈沖的量值或形狀。舉例來說，下文結(jié)合圖3及圖 4更完全地論述實例性設(shè)定及復(fù)位脈沖。圖1是描繪包括PCMS存儲器裝置120的實例性實施例的系統(tǒng)100的實例性實施例的示意性框圖。在一實施例中，PCMS 120可包含可根據(jù)本文中所揭示的一個或一個以上實施例實施的存儲器單元陣列122。PCMS 120在一實施例中可借助互連115耦合到處理器 110。系統(tǒng)100呈現(xiàn)于圖1中，至少部分地為給相變存儲器裝置提供一個可能上下文，且根據(jù)所請求標(biāo)的物的實施例不限于圖1中所描繪的實例。一實施例中的PCMS 120可包含控制單元126以及存儲器陣列122。一實施例的存儲器陣列122可包含PCMS存儲器單元陣列。此外，在一實施例中，陣列122可實施為PCMS 存儲器單元交叉點陣列。此外，在一實施例中，存儲器陣列122可存儲可包括可由處理器 110執(zhí)行的一個或一個以上應(yīng)用程序的指令124。在一實施例中，處理器110可將存儲器存取命令傳輸?shù)絇CMS 120。控制單元126(對于一實施例)至少部分地響應(yīng)于從處理器110 接收到所述存儲器存取命令而存取存儲器陣列122的一個或一個以上存儲器單元。在一實施例中，存儲器存取命令可包含存儲器寫入命令。實例性存儲器寫入命令可包含設(shè)定或復(fù)位存儲器陣列122的一個或一個以上存儲器單元。在一實施例中，下文更全面地描述的實例性實施例可用于根據(jù)由處理器110遞送到PCMS 120的存儲器寫入命令來影響特定存儲器單元的特定狀態(tài)。在一實施例中，系統(tǒng)100可包含計算平臺。計算平臺可包含包括處理或存儲信號形式的數(shù)據(jù)的能力的系統(tǒng)或裝置。因此，在此上下文中，計算平臺可包含硬件、軟件、固件或其任一組合。如圖1中所描繪的計算平臺100僅為一個此種實例，且所請求標(biāo)的物的范圍不受這些方面的限制。對于一個或一個以上實施例，計算平臺可包含各種各樣的數(shù)字電子裝置中的任一者，包括(但不限于)個人桌上型或筆記本計算機、高清晰度電視、數(shù)字通用光盤(DVD)播放器或記錄器、游戲控制臺、衛(wèi)星電視接收器、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理、移動音頻或視頻回放或記錄裝置等等。此外，除非另有具體說明，否則本文中參考流程圖或以其它方式描述的過程也可由計算平臺整體地或部分地執(zhí)行或控制。圖2是描繪PCMS 120的存儲器陣列122的實例性實施例的橫截面圖的圖示。對于本實例性實施例，PCMS陣列122可實施為交叉點存儲器陣列。在PCMS交叉點存儲器陣列中，可形成正交導(dǎo)電線的兩個層，其中導(dǎo)電線的一個層形成于存儲器堆棧的底部處且導(dǎo)電線的另一層形成于所述存儲器堆棧的頂部層中沿正交方向延伸。在一實施例中，導(dǎo)電線的所述底部層可稱作第一電極(冊)層M0，且導(dǎo)電線的所述頂部層可稱為第二電極(SE)層 210。此外，對于一實施例，且如圖2中所描繪，PCM存儲器單元層(230)及選擇器裝置(SEL) 層220可位于層FE 140與SE 110之間以形成PCMS存儲器陣列122。然而，圖2中所描繪的PCMS陣列122僅為實例，且所請求標(biāo)的物在范圍上不受這些方面的限制。此外，還應(yīng)注意，方向或參考(舉例來說，向上、向下、頂部、底部等等)可用來促進對圖式的論述，且所請求標(biāo)的物的范圍不受這些方面的限制。圖3是描繪可施加到相變存儲器單元的實例性實施例以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生復(fù)位狀態(tài)的電流脈沖的實例性波形300的圖示。在一實施例中，為使存儲器單元材料熔化，可將具有超過熔化閾值330的量值的初始脈沖310施加到存儲器單元材料且其可流過所述存儲器單元材料。如本文中所使用，術(shù)語“熔化閾值”是指足以使相變存儲器單元材料熔化以實現(xiàn)液體狀態(tài)的適當(dāng)最小電流電平。在一實例性實施例中，熔化閾值330可包含大約1. 2mA的值。此外，對于一實施例，初始脈沖310可具有大約2. OmA的電平。初始脈沖310可進一步具有大約6. Ons的持續(xù)時間，且淬火周期320可具有大約2. Ons的持續(xù)時間。然而，這些僅為可在存儲器單元中產(chǎn)生非晶狀態(tài)的電流電平或持續(xù)時間的實例，且所請求標(biāo)的物的范圍不受這些方面的限制。如本文中所用，術(shù)語“淬火周期”可指流過存儲器單元的電流電平從熔化閾值下降到大致無電流的電平的時間量。對于復(fù)位脈沖300，可在初始脈沖周期310期間將足以使存儲器單元的材料熔化的電流施加到所述存儲器單元，隨后是電流電平的相對急劇的下降以產(chǎn)生相對短暫的淬火周期320。對于一實例，所時間電流脈沖可采取適當(dāng)形狀的方形脈沖。 在一實例性實施例中，相對方形的波形可為復(fù)位脈沖的特性。在一實施例中，復(fù)位脈沖可至少部分地特征在于具有足以使存儲器單元材料熔化的量值或持續(xù)時間的初始電流脈沖，隨后是所述電流電平的相對急劇的下降以允許所述存儲器單元材料的相對快速冷卻。所述存儲器單元材料的相對快速冷卻可不允許所述存儲器單元材料內(nèi)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的實質(zhì)形成，而是可產(chǎn)生所述存儲器單元材料的非晶狀態(tài)。如前文所述，在一實例性實施例中，存儲器單元的非晶狀態(tài)可表示二進制值‘0’，但所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。如本文中所用，術(shù)語“相對短暫的淬火周期”是指產(chǎn)生存儲器單元材料的相對快速冷卻且產(chǎn)生所述存儲器單元材料中的大致非晶狀態(tài)的電流電平的相對急劇的下降。圖4是描繪被施加到相變存儲器單元的實例性實施例以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生設(shè)定狀態(tài)的電流的實例性波形400的圖示。在一實施例中，為使存儲器單元材料熔化，可將具有超過熔化閾值430的量值的初始脈沖410施加到存儲器單元材料且其可流過所述存儲器單元材料。在一實例性實施例中，熔化閾值430可包含大約1.2mA的值。此外， 對于一實施例，初始脈沖410可具有大約2. OmA的電平。初始脈沖410可進一步具有大約 6. Ons的持續(xù)時間，且淬火周期420可具有大約200. Ons的持續(xù)時間。然而，這些僅為電流電平及持續(xù)時間的實例，且所請求標(biāo)的物的范圍不受這些方面的限制。在一實施例中，對于設(shè)定脈沖400，可在初始脈沖周期410期間將足以使存儲器單元的材料熔化的電流施加到所述存儲器單元，隨后是淬火周期420期間所述電流電平的相對延長的下降。在一實施例中，設(shè)定脈沖可至少部分地特征在于具有足以使存儲器單元材料熔化的量值或持續(xù)時間的初始電流脈沖，隨后是所述電流電平的相對緩慢的下降以允許所述存儲器單元材料的相對緩慢冷卻。在一實施例中，在淬火周期420期間，流過所述存儲器單元的電流可具有大約825. 0 μ A的電平(舉例來說)，但所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。所述存儲器單元材料的相對緩慢冷卻可允許所述存儲器單元材料內(nèi)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的實質(zhì)形成，且可產(chǎn)生所述存儲器單元材料的大致結(jié)晶狀態(tài)。如前文所述，在一實例性實施例中，存儲器單元的結(jié)晶狀態(tài)可表示二進制值‘1’，但所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。圖5是包括相變存儲器單元530及相關(guān)聯(lián)電路500的相變存儲器的實例性實施例的示意圖。對于圖5的實例，描繪單個存儲器單元530，也描繪單個電流源510。在一實施例中，至少部分地響應(yīng)于存儲器單元530的寫入命令，可對電容器520進行充電。舉例來說，電容器520可包含明確設(shè)計或?qū)嵤┑碾娙萜?，或可包含寄生電容。為對電容?20進行充電，可在預(yù)充電周期期間由源510施加電壓或電流?？山油ㄩ_關(guān)511，從而選擇存儲器單元530，且可將從電容器520放電的電流引導(dǎo)穿過存儲器單元530，從而使所述存儲器單元熔化?？赏ㄟ^各種各樣的技術(shù)來實現(xiàn)對電流脈沖的終止相位的控制。在一實施例中，電流可自全局位線531流過包含多個字線552及位線551的交叉點陣列550且流過存儲器單元 530，到達接地節(jié)點556。描繪選定位線553及選定字線554。在一實施例中，選定位線553 及選定字線5Μ可提供穿過存儲器單元530到達接地節(jié)點556的導(dǎo)電路徑。電容器520可放電的速率可至少部分地取決于電容器520的特性或取決于其它電容性組件。舉例來說，寄生電容可存在于電路500中的一個或一個以上位置處。描繪寄生電容的一個實例在選定字線5Μ與選定位線553之間，標(biāo)記為寄生電容555。還描繪電容器 560在全局位線531上。電容器560在一實施例中可包含明確設(shè)計及實施的電容器或在另一實施例中可包含寄生電容。在進一步實施例中，電容器560可包含明確設(shè)計的電容器與寄生電容的組合。
在一實施例中，電路500可包含固定電容性組件，包含(舉例而言)電容器560及寄生電容555。固定電容性組件可至少部分地確定電容器520穿過存儲器單元520的放電速率。除固定電容性組件外，電路500還可包含電路控制的電容器MO，電路控制的電容器 540可選擇性地耦合到存儲器單元530。在一實施例中，通過應(yīng)用額外電容，與不存在額外電容的情形相比可使電容器520的放電速率變慢。以此方式，可獲得所需電流脈沖形狀以在存儲器單元530中產(chǎn)生所需狀態(tài)。舉例來說，如果寫入命令指示待將值‘0’寫入到存儲器單元530，那么可不將電容器540應(yīng)用于存儲器單元530，或可應(yīng)用電容器540達相對短的時間周期，從而允許電容器520穿過存儲器單元530放電到接地節(jié)點556。在電容器540 不嚙合于所述電路中的情況下，淬火周期可相對短。如前文所論述，相對短的淬火周期可不允許大致結(jié)晶結(jié)構(gòu)在存儲器單元530中形成，且大致非晶狀態(tài)可產(chǎn)生。還如前文所提及，存儲器單元中的非晶狀態(tài)可指示值‘0’，但所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。如果寫入命令指示待將值‘ 1 ’寫入到存儲器單元530，那么可將電容器540應(yīng)用于存儲器單元530。在一實施例中，電容器540的時序參數(shù)或其它特性可為可編程的，以便可實現(xiàn)所需電流脈沖。電容器540所提供的電容可允許相對延長的淬火周期，在一實例性實施例中可能為大約200. 0ns，但所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。如前文所述，相對長的淬火周期可允許存儲器單元530中大致結(jié)晶結(jié)構(gòu)的形成。還如前文所提及，對于一實施例，結(jié)晶狀態(tài)可指示值‘1’，但同樣，所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。圖6是描繪包括PCM存儲器單元630的實例性電路600的示意圖。在一實施例中， 舉例來說，可通過在字線解碼器路徑中的電流鏡或其它電流限制電路656來控制電流從電容器穿過存儲器單元630的放電。在圖6中，在一實施例中交叉點陣列650的選定位線653 及選定字線6M可將電流限制器電路656耦合到存儲器單元630。此外，在一實施例中，電容器640可在開關(guān)611選擇存儲器單元630后即刻被充電。在一實施例中，電容器640可包含明確設(shè)計或?qū)嵤┑碾娙萜?，或可包含一個或一個以上電路特征固有的寄生電容或其它電容。如上文所描述，在一實例性實施例中可借助電流限制電路656來控制電容器640的放電。對于另一實例，可允許電容器640的放電根據(jù)存儲器電路600中固有的電阻性或電容性特性(在圖6中由電容器660表示)發(fā)生，以在設(shè)定脈沖的情況下實現(xiàn)延長的淬火周期。對于復(fù)位脈沖，在可需要脈沖的更急劇的終止的情況下，可在開關(guān)611處去選擇存儲器單元630，以將電流的銳截止從源610提供到存儲器單元630。例如上文所描述的那些實施例的實例性實施例可提供用于將設(shè)定或復(fù)位電流脈沖提供到相變存儲器單元的相對簡單的電路。根據(jù)所請求標(biāo)的物的此些實施例可至少部分地由于相對簡單的實施方案而消耗減少的電量。另外，減少的電力消耗可允許并行寫入脈沖的量的增加，從而產(chǎn)生可能的性能改善。當(dāng)然，這些僅為實例性的可能優(yōu)點，且所請求標(biāo)的物的范圍不受此方面的限制。圖7是圖解說明用于控制電流穿過相變存儲器單元的放電的過程的實例性實施例的流程圖。在框710處，可將具有超過熔化閾值的電平的電流施加到相變存儲器單元。在框720處，可控制耦合到所述相變存儲器單元的電容性元件的放電以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生指定狀態(tài)。如前文所描述，在一個或一個以上實施例中，用于控制電容性元件的放電以允許存儲器單元的指定狀態(tài)產(chǎn)生的實例性實施例可包括電流限制技術(shù)。其它實施例可利用電路控制的電容器來控制電容器的放電以產(chǎn)生適當(dāng)電流脈沖。一般來說，為在PCM存儲器單元中產(chǎn)生設(shè)定狀態(tài)，供電流脈沖穿過所述存儲器單元的淬火周期與適于產(chǎn)生復(fù)位狀態(tài)的電流脈沖的淬火周期相比可相對延長。對于設(shè)定脈沖，相對延長的淬火周期可允許存儲器單元中大致結(jié)晶導(dǎo)電狀態(tài)的形成。對于復(fù)位脈沖，相對急劇的淬火周期可允許結(jié)晶結(jié)構(gòu)的形成，且非晶、相對非導(dǎo)電狀態(tài)可在所述存儲器單元中產(chǎn)生。根據(jù)所請求標(biāo)的物的實施例可包括所有、多于或少于框710到720。此外，框710到720的次序僅為實例性次序。此外，盡管已描述用于控制電容性元件的放電以產(chǎn)生適合于指定設(shè)定或復(fù)位狀態(tài)在相變存儲器單元中產(chǎn)生的電流脈沖的特定實例性實施例，但所請求標(biāo)的物的范圍不受這些方面的限制。本說明書通篇對“一個實施例”或“一實施例”的提及可意指結(jié)合特定實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可包括在所請求標(biāo)的物的至少一個實施例中。因此，在本說明書通篇的各個地方出現(xiàn)的短語“在一個實施例中”或“在一實施例中”未必打算指代相同實施例或所描述的任何一個特定實施例。此外，應(yīng)理解，所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以各種方式組合在一個或一個以上實施例中。當(dāng)然，一般來說，這些及其它問題可隨特定使用上下文變化。因此，這些術(shù)語的描述或使用的特定上下文可提供關(guān)于將針對所述上下文作出的推論的有益引導(dǎo)。同樣，如本文中所用的術(shù)語“及”及“或”可包括也預(yù)期至少部分地取決于其中使用此些術(shù)語的上下文的各種含義。通常，在用于使例如A、B或C的列表相關(guān)聯(lián)的情況下，“或” 打算意指A、B及C(此處以包括意義使用)以及A、B或C(此處以排斥意義使用)。另外， 如本文中所用的術(shù)語“一個或一個以上”可用來以單數(shù)形式描述任一特征、結(jié)構(gòu)或特性或者可用來描述特征、結(jié)構(gòu)或特性的某一組合。但是，應(yīng)注意此僅為說明性實例且所請求標(biāo)的物并不限于此實例。在前述說明中，已描述了所請求標(biāo)的物的各個方面。出于解釋的目的，陳述系統(tǒng)或配置以提供對所請求標(biāo)的物的理解。然而，可在不存在那些特定細節(jié)的情況下實踐所請求標(biāo)的物。在其它例項中，省略或簡化眾所周知的特征以便不混淆所請求標(biāo)的物。雖然本文中已圖解說明或描述了某些特征，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員現(xiàn)在將會想到許多修改、替代、改變或等效物。因此，應(yīng)理解，所附權(quán)利要求書打算涵蓋歸屬于所請求標(biāo)的物的真實精神內(nèi)的所有此些修改或改變。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包含將具有超過熔化閾值的電平的電流施加到相變存儲器單元；及控制耦合到所述相變存儲器單元的電容性元件的放電以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生指定狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加所述電流包含從耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件汲取超過所述熔化閾值的電流脈沖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件包含寄生電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件包含明確設(shè)計的電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述指定狀態(tài)包含大致非晶狀態(tài)，且其中所述控制所述電容性元件的所述放電包含使所述電容性元件在相對短暫的淬火周期上大致放電以產(chǎn)生所述大致非晶狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述指定狀態(tài)包含大致非晶狀態(tài)，且其中所述控制所述電容性元件的所述放電包含至少部分地通過將所述電容性元件與所述相變存儲器單元解耦而大致消除在相對短暫的淬火周期上施加到所述相變存儲器單元的所述電流以產(chǎn)生所述大致非晶狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述指定狀態(tài)包含大致結(jié)晶狀態(tài)，且其中所述控制所述電容性元件的所述放電包含使所述電容性元件在相對延長的淬火周期上放電以產(chǎn)生所述大致結(jié)晶狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述使所述電容性元件在所述淬火周期上放電包含將穿過所述相變存儲器單元的放電電流限制到小于所述熔化閾值的電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述限制穿過所述相變存儲器單元的所述放電電流包含嚙合耦合到字線解碼器路徑的電流限制器電路。
10.一種設(shè)備，其包含電容性元件，其用以將具有超過熔化閾值的電平的電流施加到相變存儲器單元；及控制電路，其用以控制耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件的放電以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生指定狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述所施加電流包含施加到所述相變存儲器單元的超過所述熔化閾值的電流脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件包含寄生電容。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件包含明確設(shè)計的電容器。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述指定狀態(tài)包含大致非晶狀態(tài)，所述控制電路用以至少部分地通過使所述電容性元件在相對短暫的淬火周期上大致完全放電來控制所述電容性元件的所述放電以產(chǎn)生所述大致非晶狀態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述指定狀態(tài)包含大致結(jié)晶狀態(tài)，所述控制電路用以至少部分地通過使所述電容性元件在相對延長的淬火周期上放電來控制所述電容性元件的所述放電以產(chǎn)生所述大致結(jié)晶狀態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述控制電路包含電流限制器，所述電流限制器用以將穿過所述相變存儲器單元的放電電流限制到小于所述熔化閾值的電平。
17.—種系統(tǒng)，其包含處理器；及非易失性存儲器裝置，其耦合到所述處理器，所述非易失性存儲器裝置包含電容性元件，其用以將具有超過熔化閾值的電平的電流施加到相變存儲器舉元；及控制電路，其用以控制耦合到所述相變存儲器單元的所述電容性元件的放電以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生指定狀態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述所施加電流包含施加到所述相變存儲器單元的超過所述熔化閾值的電流脈沖。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述指定狀態(tài)包含大致非晶狀態(tài)，所述控制電路用以至少部分地通過使所述電容性元件在相對短暫的淬火周期上大致完全放電來控制所述電容性元件的所述放電以產(chǎn)生所述大致非晶狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述指定狀態(tài)包含大致結(jié)晶狀態(tài)，所述控制電路用以至少部分地通過使所述電容性元件在相對延長的淬火周期上放電來控制所述電容性元件的所述放電以產(chǎn)生所述大致結(jié)晶狀態(tài)。
全文摘要
本文中所揭示的實施例可涉及控制耦合到相變存儲器單元的電容性元件的放電以在所述相變存儲器單元中產(chǎn)生指定狀態(tài)。
文檔編號G11C16/06GK102376363SQ20111021927
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者埃爾南·A·卡斯特羅, 斯蒂芬·唐, 杰里米·赫斯特 申請人:美光科技公司