專利名稱：半導(dǎo)體存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的NAND型閃速存儲器中，存在來自用戶的多樣性能要求的場合，在出廠前的檢查工序中進(jìn)行存儲單元的工作參數(shù)的調(diào)節(jié)。但是，出廠后，用戶也有希望變更NAND型閃 速存儲器中的存儲單元的工作特性的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供可變更存儲單元的工作特性的半導(dǎo)體存儲裝置。根據(jù)實(shí)施例，提供包括存儲單元陣列、存儲部、選擇部、啟動處理部和工作控制部的半導(dǎo)體存儲裝置。存儲單元陣列中，排列多個(gè)存儲單元。存儲部預(yù)先存儲成為選擇候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)。選擇部根據(jù)來自用戶的變更指示，選擇多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使存儲單元工作的工作參數(shù)。啟動處理部根據(jù)來自用戶的啟動指示，啟動電源的同時(shí)，從存儲部讀出由選擇部選擇的工作參數(shù)，設(shè)定成可使用狀態(tài)。工作控制部使用由啟動處理部設(shè)定成可使用狀態(tài)的工作參數(shù)，使存儲單元工作。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可提供在出廠后等可變更存儲單元的工作特性的半導(dǎo)體存儲裝置。


圖I是第I實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。圖2是第I實(shí)施例中的讀出指令的序列的示圖。圖3是第I實(shí)施例中的半導(dǎo)體存儲裝置的工作的流程圖。圖4是第I實(shí)施例中的半導(dǎo)體存儲裝置的工作的流程圖。圖5是第I實(shí)施例效果的示圖。圖6是第2實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。圖7是第2實(shí)施例中的半導(dǎo)體存儲裝置的工作的流程圖。圖8是第3實(shí)施例中的半導(dǎo)體存儲裝置的工作的流程圖。圖9是第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。圖10是適用第I 第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的存儲系統(tǒng)的構(gòu)成的示圖。圖11是適用第I 第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的存儲系統(tǒng)的構(gòu)成的示圖(變形例)。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖，詳細(xì)說明實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置。另外，這些實(shí)施例不限定本發(fā)明。(第I實(shí)施例)用圖I說明第I實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置。圖I是半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。半導(dǎo)體存儲裝置是非易失性半導(dǎo)體存儲器，例如包含NAND型閃速存儲器(以下，稱為NAND存儲器)I。以下，例示地說明半導(dǎo)體存儲裝置為NAND存儲器I的情況。NAND存儲器I具備存儲單元陣列MAI、MA2、ROM熔絲存儲器10、OTP (One TimeProgrammable 一次性可編程)型的R0M20、控制器30、寄存器40。
存儲單元陣列MAl、MA2中，多個(gè)存儲單元分別例如在行方向及列方向排列。存儲單元陣列MAI、MA2中，通過行方向延伸的多個(gè)字線中的選擇字線和列方向延伸的多個(gè)位線中的選擇位線選擇存儲單元而工作。各存儲單元可使用上位頁面及下位頁面進(jìn)行多值存儲。存儲單元陣列MA1、MA2中，構(gòu)成為排列多個(gè)作為數(shù)據(jù)刪除單位的物理塊。存儲單元陣列MA1、MA2中，按物理頁面進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入及數(shù)據(jù)的讀出。物理塊由多個(gè)物理頁面構(gòu)成。ROM熔絲存儲器10中，預(yù)先在出廠前存儲初始工作參數(shù)。初始工作參數(shù)是作為適合各存儲單元的初始設(shè)定時(shí)(出廠時(shí))的狀態(tài)而出廠前確定的與各存儲單元的工作條件相關(guān)的參數(shù)。初始工作參數(shù)例如包含以下的參數(shù)(的組)。(I)寫入(prog)時(shí) start Vpgm :第一次施加的寫入電壓 A Vpgm :寫入電壓的 step size (步長) pulse寬度寫入電壓的脈沖的寬度 Program Verify level :寫入時(shí)的驗(yàn)證電壓 非選擇WL(WordLine) Voltage :向?qū)懭霑r(shí)未選擇字線施加的電壓(2)讀入(read)時(shí) Vread :向讀出時(shí)未選擇字線施加的電壓 Tsense :讀出時(shí)的讀出時(shí)間 Tblch :對選擇BL (Bit Line :位線)充電的時(shí)間(BL充電時(shí)間) read level :判斷存儲單元的閾值的讀出電壓(3)刪除(Erase)時(shí) start Vera :第一次施加的刪除電壓 A Vera :刪除電壓的 step size (步長) 刪除Vera Voltage Pulse寬度刪除電壓的脈沖的寬度 Erase Verify level :刪除時(shí)的驗(yàn)證電壓OTP型的R0M20配置在存儲單元陣列MA1、MA2的周邊。OTP型的R0M20是具有OTP功能的ROM區(qū)域。即，OTP型的R0M20以不接受刪除指令的方式構(gòu)成，無法刪除向OTP型的R0M20 一次寫入的數(shù)據(jù)。OTP型的R0M20預(yù)先在出廠前存儲成為由后述選擇部32選擇的候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)。多個(gè)工作參數(shù)例如包含與各存儲單元的出廠后的隨時(shí)間的劣化狀態(tài)的多個(gè)等級對應(yīng)并與出廠前確定的各存儲單元的工作條件相關(guān)的參數(shù)。多個(gè)工作參數(shù)例如對于與上述的初始工作參數(shù)同樣的項(xiàng)目，包含具有從初始工作參數(shù)的值移動的值的參數(shù)。多個(gè)工作參數(shù)例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低的值的寫入電壓Vpgml、Vpgm2。多個(gè)工作參數(shù)例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高的值的刪除電壓Veral、Vera2。多個(gè)工作參數(shù)例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長的值的讀出時(shí)間Tsensel、Tsense2。多個(gè)工作參數(shù)例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tblch長的值的BL充電時(shí)間Tblchl、Tblch2?？刂破?0控制NAND存儲器I中的各部的工作。具體地說，控制器30具有啟動處理部31、選擇部32、啟動處理部33及工作控制部34。啟動處理部31從外部(例如，圖10所示控制器3)接受根據(jù)來自用戶的啟動指示"Power On Read(啟動讀出)”生成的電源啟動指令及第I讀出指令。啟動處理部31按照 電源啟動指令，啟動NAND存儲器I內(nèi)的電源電路(未圖示)。啟動處理部31識別到電源電路的啟動結(jié)束后，按照第I讀出指令讀出ROM熔絲存儲器10存儲的初始工作參數(shù)，向寄存器40轉(zhuǎn)送并存儲。從而，初始工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。另外，啟動處理部31從外部(例如，圖10所示控制器3)接受根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set (參數(shù)讀出和設(shè)置)”生成的第I讀出指令。啟動處理部31識別到電源電路的啟動結(jié)束后，按照第I讀出指令讀出在ROM熔絲存儲器10存儲的初始工作參數(shù)，向寄存器40轉(zhuǎn)送并存儲。從而，初始工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。選擇部32從外部接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。選擇部32按照變更指令(變更命令)，從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中選擇要使用于使各存儲單元工作的工作參數(shù)。具體地說，選擇部32訪問OTP型的R0M20，識別在OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)及它們的地址，選擇多個(gè)工作參數(shù)中與來自用戶的變更指示相應(yīng)的參數(shù)，保持選擇的工作參數(shù)的地址。啟動處理部33從外部接受根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set”生成的電源啟動指令及第2讀出指令。啟動處理部33按照電源啟動指令，啟動NAND存儲器I內(nèi)的電源電路(未圖示)。啟動處理部33識別到電源電路的啟動結(jié)束后，按照第2讀出指令，從OTP型的R0M20讀出選擇部32選擇的工作參數(shù)。即，啟動處理部33按照第2讀出指令，訪問選擇部32保持的OTP型的R0M20內(nèi)的地址，讀出工作參數(shù)。啟動處理部33將讀出的工作參數(shù)向寄存器40轉(zhuǎn)送并存儲。從而，讀出的工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。工作控制部34訪問寄存器40，識別要使用于使各存儲單元工作的工作參數(shù)。工作控制部34采用該識別的工作參數(shù)，對存儲單元陣列MAl、MA2中的各存儲單元進(jìn)行寫入工作、讀出工作、刪除工作。即，工作控制部34使用由啟動處理部33設(shè)定成可使用狀態(tài)的工作參數(shù)，使各存儲單元工作。接著，用圖2說明第2讀出指令的序列。圖2是第2讀出指令的序列的示圖。啟動處理部33識別電源電路的啟動結(jié)束后，將NAND存儲器I的工作模式設(shè)為測試模式。啟動處理部33輸入表示讀出的指令“5Ah”、指令“BEh”、地址“Add”，執(zhí)行從OTP型的R0M20讀出工作參數(shù)的讀出處理。啟動處理部33將讀出的工作參數(shù)的數(shù)據(jù)向控制器30內(nèi)的高速緩存存儲器(未圖示)轉(zhuǎn)送并暫時(shí)存儲。然后，啟動處理部33將高速緩存存儲器暫時(shí)存儲的工作參數(shù)的數(shù)據(jù)向寄存器40轉(zhuǎn)送，將寄存器40已經(jīng)存儲的初始工作參數(shù)用轉(zhuǎn)送的工作參數(shù)覆寫并存儲。從而，寄存器40內(nèi)的工作參數(shù)被改寫。例如，按照過去進(jìn)行的第I讀出指令在寄存器40已經(jīng)存儲初始工作參數(shù)的場合，寄存器40保持的要使用于各存儲單元的工作的工作參數(shù)從初始工作參數(shù)改寫為上述的工作參數(shù)。接著，用圖3說明NAND存儲器I的工作。圖3是NAND存儲器I的工作的流程圖。圖3所示處理中，步驟SI的處理在NAND存儲器I的出廠前進(jìn)行，步驟S2以下的處理在NAND存儲器I的出廠后進(jìn)行。步驟SI中，在ROM熔絲存儲器10存儲初始工作參數(shù)。另外，在OTP型的R0M20，存儲成為選擇部32選擇的候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)。即，出廠前，將各存儲單元的出廠后的預(yù)想的隨時(shí)間劣化狀態(tài)排序?yàn)槎鄠€(gè)等級，根據(jù)各等級，確定從初始工作參數(shù)的值移動的值。將具有這樣移動的值的多個(gè)工作參數(shù)0P1、0P2在OTP型的R0M20存儲。 步驟S2中，選擇部32判斷是否從外部接受了根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。選擇部32未接受變更指令的場合(步驟S2的否)，使處理返回步驟S2，在接受變更指令的場合(步驟S2的是)，使處理進(jìn)入步驟S3。步驟S3中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中選擇要使用于使各存儲單元工作的工作參數(shù)。具體地說，選擇部32訪問OTP型的R0M20，識別OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)及它們的地址“Add”，選擇多個(gè)工作參數(shù)中與來自用戶的變更指示相應(yīng)的參數(shù)，保持選擇的工作參數(shù)的地址“Add”。步驟S4中，啟動處理部33判斷是否從外部接受了根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set”生成的電源啟動指令及第2讀出指令。啟動處理部33在未接受電源啟動指令及第2讀出指令的場合(步驟S4的否)，使處理返回步驟S4，在接受電源啟動指令及第2讀出指令的場合(步驟S4的是)，使處理進(jìn)入步驟S5。步驟S5中，啟動處理部33按照電源啟動指令，啟動NAND存儲器I內(nèi)的電源電路(未圖示)。然后，啟動處理部33例如通過監(jiān)視NAND存儲器I內(nèi)的電源線(未圖示)的電平，識別電源電路的啟動結(jié)束。啟動處理部33識別電源電路的啟動結(jié)束后，使處理進(jìn)入步驟S6。步驟S6中，啟動處理部31從外部(例如，圖10所示控制器3)接受根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set”生成的第I讀出指令。啟動處理部31識別到電源電路的啟動結(jié)束后，按照第I讀出指令，讀出ROM熔絲存儲器10存儲的初始工作參數(shù)，向寄存器40轉(zhuǎn)送并存儲。從而，初始工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。然后，啟動處理部33按照第2讀出指令，從OTP型的R0M20讀出選擇部32選擇的工作參數(shù)。具體地說，進(jìn)行以下的步驟S6A及S6B的處理。步驟S6A中，啟動處理部33按照第2讀出指令，從選擇部32接受選擇的工作參數(shù)的地址“Add”。從而，啟動處理部33識別選擇的工作參數(shù)的地址“Add”。步驟S6B中，啟動處理部33按照第2讀出指令，從OTP型的R0M20讀出選擇部32選擇的工作參數(shù)。即，啟動處理部33按照第2讀出指令，訪問選擇部32保持的OTP型的R0M20內(nèi)的地址“Add”，讀出工作參數(shù)。例如，啟動處理部33訪問OTP型的R0M20內(nèi)的存儲區(qū)域20a的地址，讀出工作參數(shù)0P1。或者，例如，啟動處理部33訪問OTP型的R0M20內(nèi)的存儲區(qū)域20b的地址，讀出工作參數(shù)OP2。啟動處理部33將讀出的工作參數(shù)向寄存器40轉(zhuǎn)送，將寄存器40已經(jīng)存儲的初始工作參數(shù)用轉(zhuǎn)送的工作參數(shù)覆寫并存儲。從而，讀出的工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。步驟S7中，工作控制部34訪問寄存器40，識別要使用于使各存儲單元工作的工作參數(shù)(即，變更后的工作參數(shù))。工作控制部34采用該識別的工作參數(shù)，對存儲單元陣列MAUMA2中的各存儲單元進(jìn)行寫入工作、讀出工作、刪除工作。即，工作控制部34使用由啟動處理部33設(shè)定成可使用狀態(tài)的工作參數(shù)，使各存儲單元工作。
接著，用圖4說明選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)的詳細(xì)情況。圖4是選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)中的處理的流向的流程圖。步驟Sll中，選擇部32從外部接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。選擇部32根據(jù)變更指令的內(nèi)容，判斷來自用戶的變更指示的內(nèi)容是否涉及可靠性提高。選擇部32在涉及可靠性提高的場合(步驟Sll的是)，使處理進(jìn)入步驟S12，在不涉及可靠性提高的場合(步驟Sll的否)，使處理進(jìn)入步驟S13。步驟S12中，選擇部32從外部(例如，圖10所示控制器3)接受改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的信息。改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是例如對大量物理塊取得驗(yàn)證數(shù)據(jù)的平均的物理塊單位的平均值。選擇部32判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在閾值TH以上。選擇部32在改寫次數(shù)/刪除次數(shù)不足閾值TH的場合(步驟S12中，“不足TH”)，使處理進(jìn)入步驟S13，在改寫次數(shù)/刪除次數(shù)在閾值TH以上的場合(步驟S12中，“TH以上”)，使處理進(jìn)入步驟S14。步驟S13中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RLl的工作參數(shù)0P1。工作參數(shù)OPl是以可靠性比初始工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)OPl例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低的值的寫入電壓Vpgml。工作參數(shù)OPl例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高的值的刪除電壓Veral。工作參數(shù)OPl例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長的值的讀出時(shí)間Tsensel。工作參數(shù)OPI例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tb I ch長的值的BL充電時(shí)間Tb I ch I。步驟S14中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RL2 ( > RH)的工作參數(shù)0P2。即，選擇部32在步驟S12判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)在閾值TH以上后，識別出應(yīng)該將可靠性等級提高到比步驟S13高的可靠性RL2，選擇可靠性RL2 ( >RLl)的工作參數(shù)0P2。工作參數(shù)0P2是以可靠性比初始工作參數(shù)及工作參數(shù)OPl提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)0P2例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低，且比上述的寫入電壓Vpgml低的值的寫入電壓Vpgm2。工作參數(shù)0P2例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高，且比上述的刪除電壓Veral高的值的刪除電壓Vera2。工作參數(shù)0P2例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長,且比上述的讀出時(shí)間Tsensel長的值的Tsense2。工作參數(shù)0P2例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tblch長，且比上述的BL充電時(shí)間Tblchl長的值的BL充電時(shí)間Tblch2。如上所述，第I實(shí)施例中，在OTP型的R0M20預(yù)先寫入與ROM熔絲存儲器10不同的多個(gè)工作參數(shù)的數(shù)據(jù)，根據(jù)來自用戶的變更指示，選擇多個(gè)工作參數(shù)中要使用于各存儲單元的工作的工作參數(shù)。然后，根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set”,將上述的選擇的工作參數(shù)從OTP型的R0M20讀出，設(shè)定在寄存器40，以該設(shè)定的工作參數(shù)使各存儲單元工作。從而，可變更出廠后的存儲單元的工作特性。另外，第I實(shí)施例中，由于自動地選擇與來自用戶的變更指示相應(yīng)的工作參數(shù)，因此，不需要與工作參數(shù)的值相關(guān)的高度知識，可以簡易的操作變更存儲單元的工作特性。即，用戶通過進(jìn)行簡單操作就可以提高NAND存儲器I的可靠性。另外，第I實(shí)施例中，OTP型的R0M20配置在存儲單元陣列MA1、MA2的周邊。從而，可抑制存儲單元陣列MAI、MA2的消耗。另外，由于可以不接受刪除指令的方式容易地構(gòu)成OTP型的R0M20，因此，可以避免OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)被用戶誤刪除。另外，第I實(shí)施例中，OTP型的R0M20預(yù)先存儲的多個(gè)工作參數(shù)，例如作為與各存儲單元的出廠后的隨時(shí)間劣化狀態(tài)的多個(gè)等級對應(yīng)的參數(shù)，包含與出廠前確定的各存儲單元的工作條件相關(guān)的參數(shù)。從而，根據(jù)來自用戶的變更指示和各存儲單元的出廠后的隨時(shí)間劣化狀態(tài)的等級，可多階段地提高NAND存儲器I的可靠性。 具體地說，如圖4所示，來自用戶的變更指示不涉及可靠性提高的場合，可靠性提高的要求等級雖然沒那么高，但是認(rèn)為用戶不應(yīng)該滿足現(xiàn)狀的可靠性，選擇可靠性RLl的工作參數(shù)0P1，以從現(xiàn)狀稍微提高可靠性。另外，來自用戶的變更指示即使涉及可靠性提高，在改寫次數(shù)/刪除次數(shù)不足閾值TH的場合，考慮可靠性提高的要求等級高的各存儲單元的劣化狀態(tài)，認(rèn)為可靠性提高的必要性不那么高，選擇可靠性RLl的工作參數(shù)0P1，以從現(xiàn)狀稍微提高可靠性。而且，在來自用戶的變更指示涉及可靠性提高，改寫次數(shù)/刪除次數(shù)為閾值TH以上的場合，考慮可靠性提高的要求等級高且各存儲單元的劣化狀態(tài)，認(rèn)為可靠性提高的必要性高，選擇可靠性RL2的工作參數(shù)0P2，以從現(xiàn)狀顯著提高可靠性。從而，可根據(jù)來自用戶的變更指示和各存儲單元的出廠后的隨時(shí)間劣化狀態(tài)的等級，多階段地提高NAND存儲器I的可靠性(參照圖5，其中實(shí)線表示W(wǎng)//E后Vth分布幅度擴(kuò)展，可靠性劣化的狀態(tài)；虛線表示從W//E后的狀態(tài)以提高可靠性的方式變更了動作工作參數(shù)后的Vth分布)。另外，成為選擇部32選擇的候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)也可以不在OTP型的R0M20存儲，而在以不接受存儲單元陣列MA1、MA2內(nèi)的刪除指令的方式設(shè)定的ROM區(qū)域存儲。另外，NAND存儲器I面向高可靠性的場合，選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)也可以省略圖4的步驟S11。即，與來自用戶的變更指示的內(nèi)容無關(guān)地進(jìn)行圖4的步驟S12的處理即可。從而，面向高可靠性的NAND存儲器I中，可根據(jù)W/E次數(shù)選擇必要的工作參數(shù)，提高存儲單元的工作的可靠性。(第2實(shí)施例)接著，用圖6說明第2實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置。圖6是半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。以下，以不同于第I實(shí)施例的部分為中心進(jìn)行說明。作為第2實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的NAND存儲器100具有包含可靠性優(yōu)先的工作模式“B模式”和性能優(yōu)先的工作模式“C模式”的多個(gè)工作模式“A模式” “E模式”。NAND存儲器100具備控制器130?？刂破?30具有確定部135。確定部135從外部接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。確定部135按照變更指令，從NAND存儲器100的多個(gè)工作模式“A模式” “E模式”中，確定與來自用戶的變更指示相應(yīng)的工作模式。選擇部32根據(jù)按來自用戶的變更指示確定的工作模式，選擇要使用于使各存儲單元工作的工作參數(shù)。選擇部32選擇多個(gè)工作參數(shù)中與工作模式相應(yīng)的參數(shù),保持選擇的工作參數(shù)的地址。另外，選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)的詳細(xì)情況如圖7所示，不同于第I實(shí)施例。圖7是表示選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)中的處理的流向的流程圖。步驟S21中，確定部135從外部接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。確定部135根據(jù)變更指令的內(nèi)容，判斷來自用戶的變更指示的內(nèi)容與何有關(guān)。確定部135在來自用戶的變更指示的內(nèi)容為根據(jù)改寫次數(shù)/刪除次數(shù)而提高可靠性的場合(步驟S21中，“W/E次數(shù)”)，使處理進(jìn)入步驟S22。確定部135在來自用戶的變更指示的內(nèi)容為犧牲性能(讀出處理時(shí)間tR/寫入處理時(shí)間tPROG/刪除處理時(shí)間tERASE)而提高可靠性的場合(步驟S21中，“可靠性優(yōu)先”)，使處理進(jìn)入步驟S23。確定部135在來自用戶的變更指示的內(nèi)容為犧牲可靠性而提高性能的場合(步驟S21中，“性能優(yōu)先”)，使處理進(jìn)入步驟S24。確定部135在來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及可靠性要求(要求W/E次數(shù)、ECC數(shù))的場合(步驟S21中，“可靠性要求”)，使處理進(jìn)入步驟S25。確定部135在來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及應(yīng)用程序用途的場合(步驟S21中，“應(yīng)用程序用途”)，使處理進(jìn)入步驟S26。 步驟S22中，確定部135將NAND存儲器100的工作模式確定為A模式。確定部135向選擇部32供給表不工作模式為A模式的信息。選擇部32根據(jù)工作模式為A模式的情況，將A模式用的閾值THl設(shè)定為用于判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的閾值TH。閾值THl例如是標(biāo)準(zhǔn)的閾值。然后，選擇部32使處理進(jìn)入步驟S27。步驟S23中，確定部135將NAND存儲器100的工作模式確定為B模式。確定部135向選擇部32供給表示工作模式為B模式的信息。選擇部32根據(jù)工作模式為B模式的情況，將B模式用的閾值TH2(<TH1)設(shè)定為用于判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的閾值TH。閾值TH2相對于閾值TH1，是可靠性優(yōu)先的較低閾值。然后，選擇部32使處理進(jìn)入步驟S27。步驟S24中，確定部135將NAND存儲器100的工作模式確定為C模式。確定部135向選擇部32供給表示工作模式為C模式的信息。選擇部32根據(jù)工作模式為C模式的情況，將C模式用的閾值TH3(>TH1)設(shè)定為用于判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的閾值TH。閾值TH3相對于閾值TH1，是性能優(yōu)先的較高閾值。然后，選擇部32使處理進(jìn)入步驟S27。步驟S25中，確定部135將NAND存儲器100的工作模式確定為D模式。確定部135向選擇部32供給表不工作模式為D模式的信息。選擇部32根據(jù)工作模式為D模式的情況，將D模式用的閾值TH4(<TH1)設(shè)定為用于判斷要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的閾值TH。閾值TH4相對于閾值TH1，是可靠性優(yōu)先的較低閾值。另外，選擇部32根據(jù)工作模式為D模式的情況，將D模式用的閾值ETH4設(shè)定為用于判斷ECC(Error Checking and Correction 錯(cuò)誤檢查和校正)數(shù)(即，由ECC處理補(bǔ)救的比特?cái)?shù))的閾值ETH。然后，選擇部32使處理進(jìn)入步驟S28。步驟S26中，確定部135將NAND存儲器100的工作模式確定為E模式。確定部135向選擇部32供給表示工作模式為E模式的信息。選擇部32根據(jù)工作模式為E模式的情況，將E模式用的閾值TH5設(shè)定為用于判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的閾值TH。閾值TH5相對于閾值TH1，是變更為應(yīng)用程序用的閾值。然后，選擇部32使處理進(jìn)入步驟S27。步驟S27中，選擇部32從外部(例如，圖10所示控制器3)接受改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的信息。選擇部32判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在閾值TH以上。選擇部32在改寫次數(shù)/刪除次數(shù)不足閾值TH的場合(步驟S27中，“不足TH”)，使處理進(jìn)入步驟S31，改寫次數(shù)/刪除次數(shù)為閾值TH以上的場合(步驟S27中，“TH以上”)，使處理進(jìn)入步驟S33。步驟S28中，選擇部32從外部(例如，圖10所示控制器3)接受要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的信息。選擇部32判斷要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在閾值TH以上。選擇部32在要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)不足閾值TH的場合(步驟S28中，“不足TH”)，使處理進(jìn)入步驟S29，改寫次數(shù)/刪除次數(shù)為閾值TH以上的場合(步驟S28中，“TH以上”)，使處理進(jìn)入步驟S30。步驟S29中，選擇部32從外部(例如，圖10所示ECC電路2)接受ECC數(shù)的信息。選擇部32判斷ECC數(shù)是否在閾值ETH以上。選擇部32在ECC數(shù)不足閾值ETH的場合(步驟S29中，“不足ETH”)，使處理進(jìn)入步驟S31，在ECC數(shù)為閾值ETH以上的場合(步驟S29 中，“ETH以上”)，使處理進(jìn)入步驟S32。步驟S30中，選擇部32從外部(例如，圖10所示ECC電路2)接受ECC數(shù)的信息。選擇部32判斷ECC數(shù)是否在閾值ETH以上。選擇部32在ECC數(shù)不足閾值ETH的場合(步驟S30中，“不足ETH” )，使處理進(jìn)入步驟S33，在ECC數(shù)為閾值ETH以上的場合(步驟S30中，“ETH以上”)，使處理進(jìn)入步驟S34。步驟S31中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RLll的工作參數(shù)0P11。工作參數(shù)OPll是以可靠性比初始工作參數(shù)低而性能可提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)OPll例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm高的值的寫入電壓Vpgmll。工作參數(shù)OPll例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera低的值的刪除電壓Verall0工作參數(shù)OPll例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense短的值的讀出時(shí)間TsenselI。工作參數(shù)OPll例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tblch短的值的BL充電時(shí)間TblchlI。步驟S32中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RL12( > RL11)的工作參數(shù)0P12。工作參數(shù)0P12是以可靠性比初始工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)0P12例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低的值的寫入電壓Vpgml2。工作參數(shù)0P12例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高的值的刪除電壓Veral2。工作參數(shù)0P12例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長的值的讀出時(shí)間Tsensel2。工作參數(shù)0P12例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tblch長的值的BL充電時(shí)間Tblchl2。步驟S33中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RL13( > RL12)的工作參數(shù)0P13。工作參數(shù)0P13是以可靠性比初始工作參數(shù)及工作參數(shù)0P12可提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)0P13例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低，且比上述的寫入電壓Vpgml2低的值的寫入電壓Vpgml3。工作參數(shù)0P13例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高，且比上述的刪除電壓Veral2高的值的刪除電壓Veral3。工作參數(shù)0P13例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長,且比上述的讀出時(shí)間Tsensel2長的值的Tsensel3。工作參數(shù)0P13例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間Tblch長，且比上述的BL充電時(shí)間Tblchl2長的值的BL充電時(shí)間Tblchl3。步驟S34中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇可靠性RL14( > RL13)的工作參數(shù)0P14。工作參數(shù)0P14以可靠性可比初始工作參數(shù)及工作參數(shù)0P12、0P13提高的方式預(yù)先確定的參數(shù)。工作參數(shù)0P14例如包含比初始工作參數(shù)的寫入電壓Vpgm低，且比上述的寫入電壓Vpgml2、Vpgml3低的值的寫入電壓Vpgml4。工作參數(shù)0P14例如包含比初始工作參數(shù)的刪除電壓Vera高，且比上述的刪除電壓Veral2、Veral3高的值的刪除電壓Veral4。工作參數(shù)0P14例如包含比初始工作參數(shù)的讀出時(shí)間Tsense長，且比上述的讀出時(shí)間Tsensel2、Tsensel3長的值的Tsensel4。工作參數(shù)0P14例如包含比初始工作參數(shù)的BL充電時(shí)間 Tblch長，且比上述的BL充電時(shí)間Tblchl2、Tblchl3長的值的BL充電時(shí)間TblchH0如上所述，第2實(shí)施例中，在包含可靠性優(yōu)先的工作模式和性能優(yōu)先的工作模式的多個(gè)工作模式中，確定與來自用戶的變更指示相應(yīng)的工作模式，根據(jù)該確定的工作模式，選擇要使用于使存儲單元工作的工作參數(shù)。從而，可根據(jù)來自用戶的多樣變更要求，多階段地提高NAND存儲器100的可靠性。具體地說，作為NAND存儲器100的工作模式，準(zhǔn)備與來自用戶的多樣的變更要求相應(yīng)的多樣的工作模式“A模式” “E模式”，自動地確定與來自用戶的變更指示相應(yīng)的工作模式。從而，不需要與工作參數(shù)的值相關(guān)的高度的知識，可以通過簡易操作變更存儲單元的工作特性。S卩，用戶通過簡單的操作，例如，可以提高NAND存儲器100的可靠性，或者提高性能。換言之，用戶可以根據(jù)用途、目的而自由選擇與NAND存儲器100的多個(gè)工作模式對應(yīng)的多個(gè)工作參數(shù)。(第3實(shí)施例)接著，說明第3實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置。以下，以不同于第I實(shí)施例的部分為中心進(jìn)行說明。作為第3實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的NAND存儲器I的選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)的詳細(xì)情況如圖8所示，不同于第I實(shí)施例。圖8是表示選擇工作參數(shù)的處理(步驟S3)中的處理的流向的流程圖。步驟S31中，選擇部32從外部接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。選擇部32根據(jù)變更指令的內(nèi)容，判斷來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及哪種用途。選擇部32在來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及第I用途的場合(步驟S21中，“第I用途”)，使處理進(jìn)入步驟S32。選擇部32在來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及第2用途的場合(步驟S21中，“第2用途”)，使處理進(jìn)入步驟S33。步驟S32中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲的多個(gè)工作參數(shù)中，選擇與第I用途對應(yīng)的第I工作參數(shù)0P31。工作參數(shù)0P31是以比初始工作參數(shù)更適于第I用途的方式預(yù)先確定的參數(shù)。步驟S33中，選擇部32從OTP型的R0M20存儲多個(gè)工作參數(shù)中，選擇與第2用途對應(yīng)的第2工作參數(shù)0P32。工作參數(shù)0P32是以比初始工作參數(shù)更適于第2用途的方式預(yù)先確定的參數(shù)。如上所述，第3實(shí)施例中，根據(jù)來自用戶的變更指示的內(nèi)容涉及哪種用途，自動地選擇與該用途相應(yīng)的工作參數(shù)，因此，不需要與工作參數(shù)的值相關(guān)的高度的知識就可以通過簡易操作變更存儲單元的工作特性。即，作為制造商方，可以將不想對用戶公開的訣竅、特殊的內(nèi)部工作和定時(shí)相關(guān)的信息預(yù)先嵌入工作參數(shù)。(第4實(shí)施例)接著，用圖9說明第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置。圖9是半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的示圖。以下，以不同于第I實(shí)施例的部分為中心進(jìn)行說明。作為第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的NAND存儲器200，具備控制器230及ROM熔絲存儲器210。控制器230具有存儲控制部236及啟動處理部231。存儲控制部236從外部(例如，圖10所示控制器3)接受根據(jù)來自用戶的變更指示生成的變更指令。存儲控制部236按照變更指令，從OTP型的R0M20讀出選擇部32選擇的工作參數(shù)，用讀出的工作參數(shù)取代初始工作參數(shù)，在ROM熔絲存儲器210存儲。具體地說，存儲控制部236按照變更指令，訪問選擇部32保持的OTP型的R0M20內(nèi)的地址，讀出工作參數(shù)。存儲控制部236用讀出的工作參數(shù)改寫ROM熔絲存儲器210內(nèi)的初始工作參數(shù)。換 言之，存儲控制部236將讀出的工作參數(shù)覆寫存儲到ROM熔絲存儲器210內(nèi)的存儲初始工作參數(shù)的地址的存儲區(qū)域。啟動處理部231從外部(例如，圖10所示控制器3)接受根據(jù)來自用戶的啟動指示“Power On Read”生成的電源啟動指令及第I讀出指令。啟動處理部231按照電源啟動指令，啟動NAND存儲器200內(nèi)的電源電路(未圖示)。啟動處理部231識別電源電路的啟動結(jié)束后，按照第I讀出指令，讀出在ROM熔絲存儲器210存儲的上述的工作參數(shù)，向寄存器40轉(zhuǎn)送并存儲。從而，選擇部32選擇的在ROM熔絲存儲器210存儲的工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。ROM熔絲存儲器210通過存儲控制部236改寫初始工作參數(shù)前，將初始工作參數(shù)從其存儲地址拷貝到其他地址，進(jìn)行備份。從而，存儲控制部236改寫初始工作參數(shù)后，根據(jù)需要，可將備份的初始工作參數(shù)再度返回其存儲地址。如上所述，第4實(shí)施例中，根據(jù)來自用戶的變更指示，從OTP型的R0M20讀出選擇的工作參數(shù)，用讀出的工作參數(shù)改寫ROM熔絲存儲器210。然后，根據(jù)來自用戶的啟動指示"Power On Read”，從ROM熔絲存儲器210讀出上述選擇的工作參數(shù)，設(shè)定成可使用狀態(tài)。從而，與從OTP型的R0M20讀出工作參數(shù)并設(shè)定成可使用狀態(tài)的場合比，可以簡化讀出處理的內(nèi)容，因此可以縮短讀出處理需要的時(shí)間。接著，用圖10說明適用第I 第4實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的存儲系統(tǒng)4。存儲系統(tǒng)4經(jīng)由通信介質(zhì)與主機(jī)裝置HA的外部連接，起到主機(jī)裝置HA的外部存儲介質(zhì)的功能。主機(jī)裝置HA包含例如個(gè)人電腦或CPU核。存儲系統(tǒng)4例如包含SSD (SolidState Drive:固態(tài)驅(qū)動器)或存儲卡。以下，例示地說明了適用作為第I實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的NAND存儲器I的存儲系統(tǒng)4。存儲系統(tǒng)4具備控制器3、ECC (Error Checking and Correction :錯(cuò)誤檢查和校正)電路2及NAND存儲器I?？刂破?統(tǒng)一地控制存儲系統(tǒng)4的各構(gòu)成要素，從主機(jī)裝置HA接受命令的場合，按照該命令執(zhí)行控制。例如，控制器3按照來自主機(jī)裝置HA的命令，控制對NAND存儲器I的數(shù)據(jù)寫入、從NAND存儲器I的數(shù)據(jù)讀出、NAND存儲器I內(nèi)的數(shù)據(jù)刪除等。另外，控制器3管理對NAND存儲器I的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)，根據(jù)需要，將改寫次數(shù)/刪除次數(shù)的信息經(jīng)由ECC電路2供給NAND存儲器I。例如，控制器3根據(jù)來自用戶的啟動指示“Power On Read”，生成電源啟動指令及第I讀出指令，經(jīng)由ECC電路2供給NAND存儲器I。例如,控制器3根據(jù)來自用戶的啟動指示“Parameter read and set”,生成電源啟動指令、第I讀出指令及第2讀出指令，經(jīng)由ECC電路2供給NAND存儲器I。ECC電路2對要寫入NAND存儲器I的數(shù)據(jù)和從NAND存儲器I讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行ECC處理。另外，ECC電路2管理ECC數(shù)(S卩，由ECC處理補(bǔ)救的比特?cái)?shù))，根據(jù)需要將ECC數(shù)的信息供給NAND存儲器I。另外，如圖11所不，存儲系統(tǒng)4a中，啟動控制部31a、選擇部32a、啟動處理部33a、 工作控制部34a也可以不具備在NAND存儲器Ia內(nèi)的控制器30a，而具備在控制器3a。啟動控制部3la、選擇部32a、啟動處理部33a、工作控制部34a的工作內(nèi)容分別與第I實(shí)施例中的NAND存儲器I內(nèi)的控制器30具備的啟動控制部31、選擇部32、啟動處理部33、工作控制部34的工作內(nèi)容同樣。雖然說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是這些實(shí)施例只是例示，而不是限定發(fā)明的范圍。這些新實(shí)施例可以各種各樣的形態(tài)實(shí)施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施例及其變形是發(fā)明的范圍、要旨所包含的，同時(shí)也是權(quán)利要求的范圍所述的發(fā)明及其均等的范圍所包含的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，包括 排列了多個(gè)存儲単元的存儲單元陣列； 預(yù)先存儲成為選擇候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)的存儲部； 選擇部，根據(jù)來自用戶的變更指示，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)； 啟動處理部，根據(jù)來自用戶的啟動指示，啟動電源的同時(shí)，從上述存儲部讀出由上述選擇部選擇的工作參數(shù)，設(shè)定成可使用狀態(tài)； 工作控制部，使用由上述啟動處理部設(shè)定成可使用狀態(tài)的工作參數(shù)，使上述存儲單元工作。
2.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 還包括存儲上述工作控制部要使用的工作參數(shù)的寄存器， 上述啟動處理部通過將上述選擇部選擇的工作參數(shù)從上述存儲部讀出并在上述寄存器存儲，將上述選擇部選擇的工作參數(shù)設(shè)定成可使用狀態(tài)。
3.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述多個(gè)工作參數(shù)以與上述多個(gè)存儲単元的各自的隨時(shí)間劣化狀態(tài)的多個(gè)等級對應(yīng)的方式預(yù)先確定。
4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述多個(gè)工作參數(shù)具有與上述多個(gè)等級對應(yīng)地從初始工作參數(shù)移動的值。
5.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部判斷來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容是否涉及可靠性提高，根據(jù)判斷的結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)。
6.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在閾值以上，根據(jù)判斷的結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)。
7.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部在上述改寫次數(shù)/上述刪除次數(shù)不足上述閾值的場合，選擇以可靠性比初始工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的第I工作參數(shù)，上述改寫次數(shù)/上述刪除次數(shù)在上述閾值以上的場合，選擇以可靠性比上述第I工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的第2工作參數(shù)。
8.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 還包括確定部，在包含可靠性優(yōu)先的第I工作模式和性能優(yōu)先的第2工作模式的多個(gè)工作模式中，確定與來自用戶的上述變更指示相應(yīng)的工作模式， 上述選擇部根據(jù)上述確定部確定的工作模式，選擇要使用于使上述存儲單元工作的エ作參數(shù)。
9.權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容涉及可靠性提高的場合，將工作模式確定為上述第I工作模式，在來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容涉及性能提高的場合，將工作模式確定為上述第2工作模式， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第I工作模式或上述第2工作模式的場合，設(shè)定與上述確定部確定的工作模式相應(yīng)的閾值的值，判斷改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在上述設(shè)定的閾值的值以上，根據(jù)判斷的結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元エ作的工作參數(shù)。
10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第I工作模式的場合，將比標(biāo)準(zhǔn)值小的第I值設(shè)定為上述閾值，在上述確定部確定為上述第2工作模式的場合，將比上述標(biāo)準(zhǔn)值大的第2值設(shè)定為上述閾值。
11.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容為根據(jù)改寫次數(shù)/刪除次數(shù)而提高可靠性的場合，將工作模式確定為第3工作模式， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第3工作模式的場合，將上述標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定為上述閾值。
12.權(quán)利要求9或權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部在上述改寫次數(shù)/上述刪除次數(shù)不足上述設(shè)定的閾值的值的場合，選擇以性能比初始工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的第I工作參數(shù)，在上述改寫次數(shù)/上述刪除次數(shù)為上述設(shè)定的閾值的值以上的場合，選擇以可靠性比上述初始工作參數(shù)提高的方式預(yù)先確定的第2工作參數(shù)。
13.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容涉及應(yīng)用用途的場合，將工作模式確定為第4工作模式， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第4工作模式的場合，將第3值設(shè)定為上述閾值。
14.權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容涉及可靠性要求的場合，將工作模式確定為第5工作模式， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第5工作模式的場合，設(shè)定與上述第4工作模式相應(yīng)的閾值的值，判斷要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)是否在上述設(shè)定的閾值的值以上，根據(jù)判斷的結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)。
15.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部在上述確定部確定為上述第5工作模式的場合，設(shè)定與上述第5工作模式相應(yīng)的第2閾值的值，進(jìn)一歩判斷由ECC處理補(bǔ)救的比特?cái)?shù)是否在上述設(shè)定的第2閾值的值以上，根據(jù)對要求的改寫次數(shù)/刪除次數(shù)判斷的結(jié)果和對由ECC處理補(bǔ)救的比特?cái)?shù)判斷的結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)。
16.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述存儲部是在上述存儲單元陣列的周邊配置的一次性可編程OTP型的ROM區(qū)域。
17.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述存儲部是在上述存儲單元陣列內(nèi)配置的ROM區(qū)域。
18.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在干， 上述選擇部判斷來自用戶的上述變更指示的內(nèi)容涉及哪種用途，根據(jù)判斷結(jié)果，選擇上述多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數(shù)。
19.權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于，還包括預(yù)先存儲初始工作參數(shù)的第2存儲部； 存儲控制部，根據(jù)來自用戶的上述變更指示，從上述存儲部讀出上述選擇部選擇的エ作參數(shù)，取代上述初始工作參數(shù)，存儲到上述第2存儲部； 第2啟動處理部 ，根據(jù)來自用戶的第2啟動指示，從上述第2存儲部讀出上述選擇部選擇的工作參數(shù)，設(shè)定成可使用狀態(tài)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體存儲裝置。根據(jù)實(shí)施例，提供包括存儲單元陣列、存儲部、選擇部、啟動處理部和工作控制部的半導(dǎo)體存儲裝置。存儲單元陣列中，排列多個(gè)存儲單元。存儲部預(yù)先存儲成為選擇候補(bǔ)的多個(gè)工作參數(shù)。選擇部根據(jù)來自用戶的變更指示，選擇多個(gè)工作參數(shù)中要使用于使存儲單元工作的工作參數(shù)。啟動處理部根據(jù)來自用戶的啟動指示，啟動電源的同時(shí)，從存儲部讀出由選擇部選擇的工作參數(shù)，設(shè)定成可使用狀態(tài)。工作控制部使用由啟動處理部設(shè)定成可使用狀態(tài)的工作參數(shù)，使存儲單元工作。
文檔編號G11C16/20GK102693756SQ20111027611
公開日2012年9月26日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月24日
發(fā)明者品川勇一 申請人:株式會社 東芝