專利名稱：磁盤裝置，電子設(shè)備和磁頭控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例基本上涉及磁盤裝置、電子設(shè)備以及磁頭控制方法。
背景技術(shù)：
通過再現(xiàn)包含在磁盤表面上的伺服扇區(qū)中的伺服信息獲得的磁頭位置誤差信號被用于磁盤裝置的磁頭的定位控制和速度控制。然而，在卸載操作期間，不可能在磁頭進入斜面機構(gòu)之后獲得磁頭位置誤差信號。因此，在該卸載操作期間，通?；谟梢羧﹄姍C產(chǎn)生的反電動勢(a counter electromotive voltage)所估計的磁頭速度來控制磁頭的速度，以便即使當磁頭在斜面機構(gòu)上時，也可以執(zhí)行磁頭的速度控制。在這個時候，使用音圈電機中線圈的線圈電阻值來計算該反電動勢。然而，該線圈電阻值可以隨著由電流引起的溫度變化而變化。因此，在卸載操作期間，線圈電阻值可以變化，并且可以使用變化的線圈電阻值來執(zhí)行該計算。因此，有導(dǎo)致用于磁頭的速度控制的反電動勢變化以及磁頭的卸載操作不穩(wěn)定的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種能夠穩(wěn)定地執(zhí)行卸載操作的磁盤裝置以及該卸載操作的控制方法。根據(jù)該實施例，磁盤裝置包括磁頭、線圈電機、驅(qū)動電路、電壓檢測器、磁頭位置計算單元、速度計算單元、反電動勢計算單元、線圈電阻估計單元和控制單元。磁頭在具有伺服信息的信息存儲介質(zhì)上執(zhí)行信息的讀取和寫入。線圈電機移動該磁頭。驅(qū)動電路驅(qū)動該線圈電機。電壓檢測器檢測包含在線圈電機中的線圈的端子間電壓。磁頭位置計算單元基于伺服信息對于每個采樣周期計算磁頭的位置。速度計算單元對于每個采樣周期計算在該位置的磁頭的速度。反電動勢計算單元對于每個采樣周期計算線圈的反電動勢。線圈電阻估計單元基于該速度和該反電動勢依次地估計線圈的線圈電阻值?？刂茊卧谠摲措妱觿輰τ诿總€采樣周期計算用于控制速度的驅(qū)動指令，并且將驅(qū)動指令輸出到驅(qū)動電路。此外，反電動勢計算單元從所述端子間電壓減去由線圈電阻估計單元估計的線圈電阻估計值引起的電壓降，從而計算反電動勢。根據(jù)該實施例的磁盤裝置，即使當線圈電機中的線圈電阻在磁頭的卸載操作期間變化時，通過依次地估計線圈電阻，也能使磁頭的卸載操作被穩(wěn)定地進行。


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閱讀以下詳細說明以及參考附圖，該公開的方面將變得明顯。描述和相關(guān)的附圖被提供為闡明本發(fā)明的實施例，而非限制本發(fā)明的范圍。圖1是顯示根據(jù)實施例的磁盤裝置的構(gòu)成的示意圖。圖2是顯示根據(jù)該實施例的VCM模型(model)的等效電路圖。圖3是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的MPU的內(nèi)部構(gòu)成的框圖。圖4是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的MPU中的信號處理的框圖。圖5是顯示根據(jù)該實施例的線圈電阻估計單元的框圖。圖6是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的模擬中的線圈電阻估計值中的變化的曲線圖。圖7是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的模擬中的磁頭的估計速度中的變化的曲線圖。圖8是顯示根據(jù)該實施例的電子設(shè)備的構(gòu)成的圖。
具體實施例方式根據(jù)該實施例的電子設(shè)備包括根據(jù)該實施例的磁盤裝置。根據(jù)該實施例，用于磁盤裝置的磁頭控制方法包括以下步驟。磁盤裝置包括磁頭、 線圈電機、驅(qū)動電路以及電壓檢測器。磁頭在具有伺服信息的信息存儲介質(zhì)上執(zhí)行信息的讀取和寫入。線圈電機移動該磁頭。驅(qū)動電路驅(qū)動該線圈電機。電壓檢測器檢測包含在線圈電機中的線圈的端子間電壓。磁頭控制方法的步驟包括基于該伺服信息對于每個采樣周期計算磁頭的位置；對于每個采樣周期計算在該位置的磁頭的速度；從端子間電壓中減去線圈的線圈電阻值，以便對于每個采樣周期計算線圈的反電動勢；基于速度以及反電動勢， 依次地估計線圈電阻值；以及基于反電動勢，對于每個采樣周期計算驅(qū)動指令以控制速度。實施例以下將說明實施例。圖1是顯示根據(jù)實施例的磁盤裝置的構(gòu)成的示意圖。圖2是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的音圈電機(VCM)4的等效電路圖。將參考圖1說明根據(jù)該實施例的磁盤裝置的示意性的構(gòu)成。在該實施例中，磁盤裝置包括在諸如具有多個伺服扇區(qū)的磁盤的信息存儲介質(zhì)5 上執(zhí)行信息的讀取和寫入的磁頭1、移動磁頭1的VCM 4、驅(qū)動VCM 4的VCM驅(qū)動電路7、檢測VCM 4中的線圈端子間電壓(S卩，線圈的兩個端子之間的電壓)的電壓檢測器11、以及 MPU8，該MPU 8基于預(yù)先磁性地記錄在信息存儲介質(zhì)5的伺服扇區(qū)中的伺服信息，執(zhí)行磁頭 1的定位控制和速度控制。磁頭1被支持在臂桿2的端部。當VCM 4使臂桿2在轉(zhuǎn)動軸3周圍旋轉(zhuǎn)時，磁頭1 在由未顯示的主軸電機轉(zhuǎn)動的信息存儲介質(zhì)5的表面上方在半徑方向上移動，由此執(zhí)行查找操作和“跟隨(follow) ”操作。結(jié)果，磁頭1可以在信息存儲介質(zhì)5上的任何給定的位置執(zhí)行信息的寫入和讀取。在正常的查找和跟隨操作中，MPU 8使用從伺服信息中獲得的位置誤差信號來執(zhí)行磁頭1的定位控制。例如，當未顯示的震動檢測傳感器檢測到施加到裝置的震動時，或當用戶關(guān)掉該裝置時，MPU 8將控制系統(tǒng)從定位控制切換到速度控制，從而執(zhí)行卸載操作，在該卸載操作中，磁頭1退回到靠近信息存儲介質(zhì)5的斜面機構(gòu)6。相反，當指示從卸載狀態(tài)恢復(fù)時，或當用戶開啟該裝置時，MPU 8執(zhí)行速度控制，從而將磁頭1從斜面機構(gòu)6移動到信息存儲介質(zhì) 5。例如，VCM 4是具有彼此面對的磁體和線圈的線圈電機。該磁體被固定到基部。線圈被設(shè)置在軸向支持的臂桿2上。當電流經(jīng)過線圈時，VCM 4用作將轉(zhuǎn)動力施加到臂桿2， 即，驅(qū)動臂桿2的致動器?？梢允褂萌鐖D2所示的等效電路圖來表示VCM 4的模型。L、Rvcm和Rs分別表示電感、線圈電阻和傳感電阻。Vbemf、IvCm、Vmeas和Vc分別表示反電動勢、經(jīng)過線圈的電流 (以下稱為線圈電流)、可檢測的線圈端子間電壓、以及線圈和傳感電阻之間的電壓。VCM驅(qū)動電路7從MPU 8接收指令電壓(驅(qū)動指令)，并且使電流經(jīng)過線圈從而驅(qū)動臂桿2。VCM驅(qū)動電路7可以具有包括電流反饋電路的已知的構(gòu)成。VCM驅(qū)動電路7被設(shè)置成與VCM 4分開。然而，VCM驅(qū)動電路7和VCM 4實際上被連接。因此，VCM 4的線圈可以被包含在VCM驅(qū)動電路7的一部分中。電壓檢測器11依次地檢測線圈端子間電壓Vmeas。在該實施例中，電壓檢測器11 被單獨設(shè)置。然而，電壓檢測器11可以被設(shè)置為VCM驅(qū)動電路7 —部分。將參考圖3到5說明根據(jù)該實施例的磁盤裝置的MPU內(nèi)部的構(gòu)成和操作。在根據(jù)該實施例的磁盤裝置中，已知的技術(shù)被用于查找操作和跟隨操作。以下將說明在卸載操作期間被執(zhí)行的操作。如上所述，VCM 4中的線圈的反電動勢一般被用于在磁頭1退回到斜面機構(gòu)6的卸載操作期間的磁頭的速度控制。使用轉(zhuǎn)矩常數(shù)Kt和線圈反電動勢Vbemf，由以下公式表示磁頭速度Vel。[等式1]Vel = Vbefflf/Kt然而，隨著在卸載操作期間由經(jīng)過線圈的電流產(chǎn)生的熱以及根據(jù)固體差(lot differences)，線圈電阻值變化。該變化還導(dǎo)致基于線圈電阻值被計算的反電動勢中的變化。根據(jù)該實施例的磁盤裝置具有如圖3所示的構(gòu)成。在卸載操作期間，當磁頭1位于信息存儲介質(zhì)5上時，只要可以從信息存儲介質(zhì)5獲得磁頭位置誤差信號就依次地估計線圈電阻值。如此，MPU 8可以使用該估計的線圈電阻值來計算更精確的反電動勢，并且可以穩(wěn)定地執(zhí)行磁頭1的速度控制。在磁頭1離開信息存儲介質(zhì)5而進入斜面機構(gòu)6之后，剛剛在磁頭1離開之前已經(jīng)估計和獲得的線圈電阻值允許基于更精確的反電動勢來執(zhí)行速度控制。如圖3所示，MPU 8包括計算磁頭1的速度的速度計算單元14、計算線圈的反電動勢的反電動勢計算單元15、依次地估計線圈電阻值的線圈電阻估計單元16和計算用于磁頭1的速度控制的指令電壓以及將計算的指令電壓輸出到VCM驅(qū)動電路7的控制單元17。以下將參考圖4和5詳細說明在磁頭1的速度控制期間的MPU內(nèi)部的“信號”處理。該信號意指對應(yīng)于物理量的數(shù)據(jù)。圖4是顯示根據(jù)該實施例的磁盤裝置的MPU內(nèi)部的信號處理的框圖。磁頭位置計算單元10經(jīng)由AD轉(zhuǎn)換器12接收磁頭1通過再現(xiàn)伺服信息而輸出的磁頭位置誤差信號，從而隨后基于該磁頭位置誤差信號來計算磁頭位置信號。在這個時候， 磁頭1可以為每個伺服扇區(qū)再現(xiàn)伺服信息。因此，磁頭位置計算單元10采用從一個伺服扇區(qū)到下一個伺服扇區(qū)的周期作為采樣周期，從而為每個采樣動作計算磁頭位置信號。然而，如此由磁頭位置計算單元10計算的磁頭位置信號包括由信息存儲介質(zhì)5的轉(zhuǎn)動產(chǎn)生的偏心成分。必須去除該偏心成分。在這個時候，可以利用用于普通的磁頭定位控制的轉(zhuǎn)動同步成分補償來去除該偏心成分。速度計算單元14從兩者都由磁頭位置計算單元10計算的采樣周期的磁頭位置信號和緊鄰著該采樣周期前的先前采樣周期(以下稱為“一個周期前的采樣周期”)的另一個磁頭位置信號之間的差分，計算每個采樣周期的磁頭1的速度信號。磁頭1的速度信號是作為估計線圈電阻的基準的速度。這里基于該差分計算速度。另外地，只要可以從磁頭位置信號計算速度，可以采用任何方法。反電動勢計算單元15從估計的線圈端子間電壓和線圈電阻的估計值(以下稱為 “線圈電阻估計值”)計算每個采樣周期的線圈的反電動勢。當采樣周期采用足以衰減由電感引起的電壓的時間間隔從而去除電感項的影響時，由以下等式表示反電動勢Vbemf。[等式2]V" = V -R · I
LJbemimeas AVvcm 丄 vcm在等式2中，Vmeas、Rvcm和Ivcm分別表示線圈端子間電壓、線圈電阻和線圈電流。當電流反饋充分地生效時，線圈電流Ivcm與指令電壓Vvcm成正比，并且它們之間的關(guān)系可以表示為Ivcm= i3Vvcm，其中，β是比例系數(shù))。因此，可以由以下等式表示反電動勢Vbemf0[等式3]V" = V -R · β · V
L wJbemimeas AVvcm 1vcm= Vffleas-R - Vvcffl在上述等式中，“比例系數(shù)β X線圈電阻Rvcm”由被認為是線圈電阻估計值的R 代替。根據(jù)該等式3，反電動勢計算單元15從線圈端子間電壓減去相乘的值，從而計算每個采樣周期的反電動勢。該相乘的值是通過將對于每個采樣周期從線圈電阻估計單元16輸出的線圈電阻估計值與一個周期前的采樣周期的指令電壓相乘而獲得的。該線圈端子間電壓由電壓檢測器11輸出并且由AD轉(zhuǎn)換器12處理。這個乘法是由設(shè)置在反電動勢計算單元15的乘法單元1 執(zhí)行的。然而，在卸載操作開始時，線圈電阻估計單元16還沒有計算線圈電阻估計值，需要將預(yù)定的線圈電阻值RO作為初始值。該預(yù)定的線圈電阻值RO可以通過開始卸載操作之前的標度來獲得，或者可以使用預(yù)先存儲在未顯示的諸如存儲器的存儲單元中的線圈電阻值的標稱值來獲得。在卸載操作開始時，反電動勢計算單元15使用預(yù)定的線圈電阻值RO 來計算反電動勢。線圈電阻估計單元16包括速度誤差計算單元18、校正值計算單元19和線圈電阻校正單元20。以下將參考圖5的框圖詳細說明線圈電阻估計單元16。首先，速度誤差計算單元18對于每個采樣周期獲得從速度計算單元14輸出的速度信號Vel和從反電動勢計算單元15輸出的反電動勢Vbemf。然后，如以下等式所示，從反電動勢Vbemf減去速度信號Vel從而計算每個采樣周期的速度誤差信號AVel。
[等式4]AVel = Vbemf-Vel如上所述，該速度信號Vel被用作估計線圈電阻的基準速度。換句話說，當磁頭速度被認為是實際值時，使用通過將線圈電阻的實際值與比例系數(shù)β相乘而獲得的值 Rreal (以下稱為基準線圈電阻值)，通過以下等式可以虛擬地表示速度信號Vel。[等式δ]Vel = Vffleas-Rreal · Vvcffl0039另一方面，使用線圈電阻誤差Δ R，線圈電阻估計值R被表示為R = Rreal+Δ R，因此允許將等式3變換成為以下等式。[等式6]Vbefflf = Vffleas- (Rreal+ Δ R) · Vvcffl從等式4到6可以理解，速度誤差信號AVel僅僅包括相對于基準線圈電阻值的誤差ar。在校正值計算單元19中，如以下等式所示，除法單元19a通過將速度誤差信號 AVel除以一個周期前的采樣周期的指令電壓來計算對于每個采樣周期的依次的線圈電阻的校正值α。[等式7]Δ Vel/Vvcffl = (Vbefflf-Vel) /Vvcffl = - Δ R 三 α在上述等式中可以看出，線圈電阻的正的和負的誤差A(yù)R分別使校正值α為負的和正的。當校正值α是零時，線圈電阻估計值R基本上等于基準線圈電阻值Rreal。因此，即使當線圈電阻的實際值改變時，通過使校正值α收斂成零，也可以依次地估計線圈電阻。校正值計算單元19還具有低通濾波器21。利用低通濾波器21過濾校正值α的輸出允許根據(jù)截止頻率控制校正值α的收斂速度。如果截止頻率太高，則校正值α以振動的方式收斂。如果截止頻率太低，則校正值α非常緩慢地收斂。因此，根據(jù)磁盤裝置的目的和期望的性能可以預(yù)先調(diào)節(jié)截止頻率。如以下等式所示，線圈電阻校正單元20通過將從校正值計算單元19輸出的線圈電阻校正值α加上一個周期前的采樣周期的線圈電阻估計值R來計算每個采樣周期的線圈電阻估計值。[等式8]Rk = Rlri+ α k在上述等式中，變量k是大于等于1的自然數(shù)，并且代表每個采樣周期的采樣號。 因此，在卸載操作開始時，線圈電阻校正單元20通過將第一線圈電阻校正值加上預(yù)定的線圈電阻值RO來計算第一線圈電阻估計值。此后，線圈電阻校正單元20根據(jù)等式8依次地計算對于每個采樣周期的線圈電阻估計值。對于每個采樣周期，控制單元17接收從反電動勢計算單元15輸出的反電動勢的反饋信號以及預(yù)先存儲在存儲器等等中的目標速度信號，從而計算反電動勢和目標速度信號之間的差分?？刂朴嬎銌卧?7a對于該差分執(zhí)行諸如PI控制的計算，以對于每個采樣周期計算指令電壓。另外地，該目標速度信號可以被給予一個定值，或者可以被給予時間和距離的函數(shù)以達到例如目標值。該目標速度信號假定被預(yù)先存儲在存儲器等等中。另外地，在卸載操作期間，通過MPU 8可以依次地計算目標速度信號。在卸載操作開始時，用于估計線圈電阻的預(yù)定的線圈電阻值RO可能先前已經(jīng)偏離實際值。因此，在卸載操作開始時，PI增益可以被設(shè)定為小的值，并且可以在校正值減小到小于等于預(yù)定值之后立即被增加到預(yù)定值。該描述是基于PI控制。另外地，可以采用PID控制、PD控制及其他控制規(guī)則。通過控制單元17如此計算的指令電壓經(jīng)由DA轉(zhuǎn)換器13被輸出到VCM驅(qū)動電路 7。VCM驅(qū)動電路7實際上控制線圈電流從而能夠?qū)崿F(xiàn)被速度控制的磁頭1的卸載操作。開始上述卸載操作的時間可以基于從定位控制改變到速度控制的對于磁頭1的控制的時刻，即，通過使用由控制單元17計算的指令電壓來開始速度控制的時刻。在該實施例的描述中，在卸載操作期間估計線圈電阻。然而，即使在加載操作期間或者開始卸載操作之前，也可以依次地估計線圈電阻，同時可以從信息存儲介質(zhì)5獲得磁頭位置誤差信號依次。在該實施例中，包含線圈電流Ivcm和指令電壓Vvcm的比例系數(shù)β的虛擬量被采用作為線圈電阻估計值。另外地，當先前已知該值β時，排除β的影響的真實的物理量可以被采用作為線圈電阻估計值。在上述描述中，在卸載操作期間，磁頭1位于信息存儲介質(zhì)5的上方。換句話說， 在卸載操作期間從信息存儲介質(zhì)5獲得伺服信息。另外地，當磁頭1進入斜面機構(gòu)6從而沒有獲得伺服信息時，可以使用反電動勢執(zhí)行磁頭1的速度控制?；谠诖蓬^1離開信息記錄介質(zhì)5之前立即由線圈電阻估計單元觀估計的線圈電阻值，由反電動勢計算單元15 計算反電動勢?，F(xiàn)在，進行模擬作為使用該實施例的一個實例。在該模擬中，線圈電阻的初始值與它們的實際值不同。圖6是顯示線圈電阻估計值中的變化的曲線圖。可以看到，在卸載操作開始時包含誤差，但是線圈電阻估計值隨著時間的過去而收斂為定值，即，實際值。圖7是顯示基于線圈電阻估計值被計算的磁頭1的估計速度中的變化的曲線圖。 可以看出，在卸載操作開始時，線圈電阻估計值包含誤差?；谄渲涤嬎愕墓烙嬎俣扰c從磁頭位置計算的實際速度非常地不同。然而，隨著線圈電阻估計值收斂為實際值，估計速度明顯地收斂為實際速度。根據(jù)該實施例的磁盤裝置，即使在磁頭1的卸載操作期間線圈電機中的線圈電阻變化時，通過依次地估計線圈電阻，也能使磁頭1的卸載操作被穩(wěn)定地進行。根據(jù)該實施例的磁盤裝置可以被安裝在各種電子裝置等等上。圖8是顯示作為該實施例的應(yīng)用實例的電子設(shè)備的構(gòu)成的圖。使用計算機說明該電子設(shè)備的應(yīng)用實例。計算機包括鍵盤31、CPU 32、存儲器33、根據(jù)該實施例的磁盤34和顯示裝置35。鍵盤31是用戶使用以將命令和字符輸入到計算機的輸入裝置。CPU 32基于用戶使用鍵盤31輸入的信息執(zhí)行諸如計算的各種處理與操作。存儲器33臨時地存儲數(shù)據(jù)以及存儲用于由CPU 32執(zhí)行的處理與操作的控制程序。CPU 32執(zhí)行在磁盤裝置34上寫入數(shù)據(jù)/從磁盤裝置34讀取數(shù)據(jù)。顯示裝置35顯示由用戶輸入的信息等等。這個計算機能使根據(jù)該實施例的磁盤裝置以穩(wěn)定的方式操作，因此提高數(shù)據(jù)存儲的可靠性或者縮短它們的存儲時間。在該實施例的描述中，計算機被用作一個實例。另外地，該實施例能夠適用于可能包括該磁盤裝置的每個電子設(shè)備，諸如電視機和錄像攝像機。雖然已經(jīng)描述了該發(fā)明的某個實施例，但是僅僅通過實例來給出實施例，并且并不是想要限定本發(fā)明的范圍。實際上，在這里敘述的新的部件和設(shè)備可能以各種其它形式被具體化；此外，在沒有違背本發(fā)明的精神的情況下，可以在這里敘述的方法的形式中作出各種的省略，代替和改變。后附的權(quán)利要求以及它們的等效物是打算用來覆蓋這樣的將屬于本發(fā)明的范圍以及精神的形式或改進。
權(quán)利要求
1.一種磁盤裝置，其特征在于，包括磁頭，所述磁頭在具有伺服信息的信息存儲介質(zhì)上執(zhí)行信息的讀取和寫入； 移動所述磁頭的線圈電機； 驅(qū)動所述線圈電機的驅(qū)動電路；電壓檢測器，檢測包含在所述線圈電機中的線圈的端子間電壓； 磁頭位置計算單元，基于所述伺服信息對于每個采樣周期計算所述磁頭的位置； 速度計算單元，對于每個采樣周期計算在所述位置的所述磁頭的速度； 反電動勢計算單元，對于每個采樣周期計算所述線圈的反電動勢； 線圈電阻估計單元，基于所述速度和所述反電動勢依次地估計所述線圈的線圈電阻值；和控制單元，基于所述反電動勢，對于每個采樣周期計算用于控制所述速度的驅(qū)動指令， 并且將所述驅(qū)動指令輸出到所述驅(qū)動電路， 其中所述反電動勢計算單元從所述端子間電壓減去由所述線圈電阻估計單元估計的所述線圈電阻引起的電壓降，從而計算所述反電動勢。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于， 所述線圈電阻估計單元進一步包括速度誤差計算單元，用于從所述反電動勢減去所述速度以計算磁頭速度誤差； 校正值計算單元，用于將所述磁頭速度誤差除以所述驅(qū)動指令，以便依次地計算所述線圈電阻值的校正值；和線圈電阻校正單元，通過使用預(yù)定的線圈電阻值作為初始值，將所述校正值與所述預(yù)定的線圈電阻值相加，以便依次地計算所述線圈電阻估計值。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于所述線圈電阻校正單元將每個采樣周期的采樣號k設(shè)定為大于等于1的自然數(shù)，以當 k是1時，通過使用以下等式(1)計算第一估計值， R1 = R0+ α ！等式(1)R1表示第一線圈電阻估計值，R0表示預(yù)定的線圈電阻值，α ！表示第一校正值；以及其中當k大于1時，所述線圈電阻校正單元通過使用以下等式(2)來依次地計算第k個估計值，Rk = Rh+ α k等式 O)&表示第k個線圈電阻估計值，Rlri表示第(k-Ι)個線圈電阻估計值，ak表示第k個校正值。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述校正值計算單元進一步包括濾波器，其中，通過將所述磁頭速度誤差信號除以所述驅(qū)動指令而獲得的信號經(jīng)受所述濾波器的濾波處理，從而計算所述校正值。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，在所述磁頭的所述速度控制根據(jù)由所述控制單元計算的所述驅(qū)動指令而開始之后，所述線圈電阻估計單元依次地估計所述線圈的所述線圈電阻值。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，當所述磁頭還沒有獲得所述伺服信息時，所述反電動勢計算單元從所述端子間電壓減去電壓降，所述電壓降是由所述線圈電阻估計單元最后估計的所述線圈電阻估計值引起的。
7.一種電子設(shè)備，其特征在于，包含如權(quán)利要求1所述的磁盤裝置。
8.一種用于磁盤裝置的磁頭控制方法，其特征在于，包括基于信息存儲介質(zhì)的伺服信息，對于每個采樣周期計算磁頭的位置； 對于每個采樣周期計算在所述位置的所述磁頭的速度；從端子間電壓減去由線圈的線圈電阻引起的電壓降，以對于每個采樣周期計算所述線圈的反電動勢；基于所述速度和所述反電動勢，依次地估計所述線圈電阻值；和基于反電動勢，對于每個采樣周期計算控制所述速度的驅(qū)動指令， 其中所述磁盤裝置包括磁頭，所述磁頭在具有所述伺服信息的所述信息存儲介質(zhì)上執(zhí)行信息的讀取和寫入； 移動所述磁頭的包含所述線圈的線圈電機； 驅(qū)動所述線圈電機的驅(qū)動電路；以及檢測所述線圈的所述端子間電壓的電壓檢測器。
全文摘要
一種磁盤裝置包括磁頭、線圈電機、驅(qū)動電路、電壓檢測器、磁頭位置計算單元、速度計算單元、反電動勢計算單元、線圈電阻估計單元和控制單元。磁頭位置計算單元基于伺服信息對于每個采樣周期計算磁頭的位置。速度計算單元對于每個采樣周期計算磁頭的速度。反電動勢計算單元對于每個采樣周期計算線圈的反電動勢。線圈電阻估計單元依次地估計線圈的線圈電阻值?？刂茊卧嬎阌糜诳刂扑俣鹊尿?qū)動指令并且將驅(qū)動指令輸出到驅(qū)動電路。此外，反電動勢計算單元從端子間電壓減去電壓降，從而計算反電動勢。
文檔編號G11B5/58GK102419983SQ20111028353
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者保中志元, 石原羲之, 高倉晉司 申請人:株式會社東芝