專利名稱：撓曲件的布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種附接到磁頭懸架的撓曲件的布線結(jié)構(gòu)，所述磁頭懸架設(shè)置于，例如，硬盤驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動器包含了硬盤和支持磁頭的磁頭懸架。所述硬盤驅(qū)動器中的硬盤高速旋轉(zhuǎn)，磁頭懸架的磁頭從硬盤的表面輕微浮起，將數(shù)據(jù)寫入硬盤以及從硬盤讀取數(shù)據(jù)。磁頭懸架的磁頭附接撓曲件，所述撓曲件與磁頭懸架相匹配并沿磁頭懸架延伸。所述撓曲件包括布線，所述布線用于傳輸寫入信號至磁頭以及從磁頭讀取信號。如今的硬盤驅(qū)動器被要求具備更大容量，高傳輸速率，以及更低的功耗。為了滿足這些要求，要求硬盤驅(qū)動器中的撓曲件的布線改進電特性，例如降低阻抗和電感、實現(xiàn)與前置放大器的阻抗匹配、避免衰減。為了符合撓曲件布線的這些要求，日本未審查專利申請公開N0.H10-24837公開了一種交錯布線技術(shù)，在撓曲件的寬度方向上交替大量兩極的跡線。該技術(shù)能夠降低撓曲件布線的阻抗等。然而，所述交錯布線會引起布線信號傳輸損耗頻率特性(下文中有時作為“頻損特性”而提到)的局部下降或降低，而這在沒有采用交錯布線技術(shù)的標準布線中是觀察不到的。如果發(fā)生了，頻損特性局部下降會造成一些問題，例如引起不想要的濾波器以及縮小帶
覓ο

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種撓曲件的布線結(jié)構(gòu)，具有交錯配置，能夠在交錯部分不引起布線的頻損特性的局部下降。為了實現(xiàn)該目的，本發(fā)明的一個方面提供了支持磁頭的撓曲件的布線結(jié)構(gòu)，用于將數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)以及從記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)。所述布線結(jié)構(gòu)具有布線，其包含了第一極性的跡線以及第二極性的跡線，所述布線傳輸信號至磁頭以及從磁頭傳輸信號；以及交錯部分，其至少部分地形成在布線中，其中，每個跡線分為子跡線，所述子跡線在布線的寬度方向上交替，在交錯部分的每一側(cè)上，每個跡線的子跡線相互連接，每個跡線的外部子跡線比相同跡線的內(nèi)部子跡線更窄。本發(fā)明的這個方面能夠在交錯部分避免在撓曲件的布線的信號傳輸損耗的頻率特性中發(fā)生的局部下降。


圖1是表示具有采用了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)的撓曲件的磁頭懸架的示例的俯視圖；圖2是表示附圖1的部分撓曲件的透視3
圖3是表示附圖2的撓曲件的剖視圖；圖4是表示根據(jù)第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)的交錯部分的模型；圖5A和5B是列出了根據(jù)第一實施方式的實施例IA至ID與對比實施例2禾Π 3的分析模型的尺度的表格；圖6是表示用于分析圖5Α和5Β的分析模型的頻率特性分析電路的電路圖；圖7是表示采用無交錯部分的對比實施例1的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)的曲線圖；圖8是表示采用了具有等寬的子跡線的交錯部分的對比實施例2的頻損特性的曲線圖；圖9是分別表示實施例1Α、1Β以及具有不同寬度的外部子跡線的對比實施例2的頻損特性的曲線圖；圖10是圖9的部分放大圖；圖11是分別表示實施例IA至ID以及具有不同寬度的外部子跡線的對比實施例 2和3的頻損特性的曲線圖；圖12是說明頻損特性局部下降的曲線圖；圖13是表示頻損特性局部下降與外部子跡線寬度之間關(guān)系的曲線圖；圖14是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的一個修正的撓曲件的布線結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖15是表示根據(jù)所述修正的頻損特性局部下降與外部子跡線寬度之間關(guān)系的曲線圖；圖16Α和16Β是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的撓曲件的布線結(jié)構(gòu)采用不同子跡線配置的透視圖；圖17是表示根據(jù)第二實施方式的布線結(jié)構(gòu)的模型；圖18是表示根據(jù)第二實施方式的實施例2Α和2Β以及對比實施例4至6的頻損特性的曲線圖；圖19是圖18的部分放大圖；和圖20是表示實施例2Α與對比實施例4和5的頻損特性的曲線圖。
具體實施例方式下面將參考附圖來說明本發(fā)明的實施方式。通過降低外部子跡線的寬度以使其比內(nèi)部子跡線的寬度更窄，每個實施方式避免了在撓曲件的布線結(jié)構(gòu)的交錯部分發(fā)生信號傳輸損耗的頻率特性的局部下降。圖1是表示具有采用了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)的撓曲件的磁頭懸架的俯視圖。在圖1中，所述磁頭懸架1包含了負載梁3、基座5以及撓曲件7。所述負載梁3施加負載于磁頭21上，其包含了剛性部件9與彈性部件11。所述剛性部件9由，例如，不銹鋼制成，且具有大概，例如，100 μ m的厚度。所述彈性部件11與剛性部件9相分離，由例如具有比剛性部件9更低的精密彈簧常數(shù)的彈性薄不銹鋼軋板制成。所述彈性部件11具有大概，例如，40μπι的厚度。所述彈性部件11的第一端被固定于剛性部件9的后端，例如，通過激光焊接，以及其第二端與增強板 13成為一體。所述增強板13被安置和固定于基座板15以形成了基座5。所述基座5附接到支架(未示出)的臂，其繞轉(zhuǎn)軸(未示出)旋轉(zhuǎn)，由此轉(zhuǎn)動磁頭懸架1。所述撓曲件7包含了金屬基底17以及在金屬基底17上形成的布線圖19。所述布線圖19包含了作為傳輸發(fā)往至和來自磁頭21的信號的信號傳輸布線的寫入布線和讀取布線。所述撓曲件7被固定在剛性部件9，例如，通過激光焊接。布線圖19的第一端被連接到磁頭21，其第二端向著基座5延伸。所述撓曲件7具有舌部23，其形成為懸臂。所述舌部23支持著磁頭21的滑動頭， 從而從記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)。所述磁頭21包含寫入元件和讀取元件。 所述寫入元件是，例如，標準的感應(yīng)式磁傳感器。所述讀取元件是，例如，具有高讀取靈敏度的TuMR元件、MR元件、或GMR元件。相對應(yīng)磁頭21，布線圖19傳輸寫入和讀取信號。所述磁頭21可設(shè)置有加熱器和傳感器，加熱器通過相對于硬盤的熱膨脹精密地調(diào)整間隔，傳感器檢測磁頭21是否觸碰硬盤。這種情況下，所述布線圖19進一步包括了加熱器布線和傳感器布線，作為信號傳輸布線，用于傳輸加熱器控制信號以及傳感器檢測信號。圖2是表示部分撓曲件7的透視圖，圖3是表示撓曲件7的剖視圖，圖4是表示根據(jù)第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)交錯部分的模型。根據(jù)所述第一實施方式的撓曲件7的布線結(jié)構(gòu)適用于任何作為信號傳輸布線的寫入布線、讀取布線、加熱器布線以及傳感器布線，因此，下述說明是基于如下假設(shè)布線結(jié)構(gòu)適用于寫入布線、讀取布線、加熱器布線以及傳感器布線之一。也就是說，將被說明的寫入布線、讀取布線、加熱器布線以及傳感器布線的一種從此處以后被稱為“布線”。如圖2-4所示，撓曲件7包含了金屬基底17、在金屬基底17上形成的基座絕緣層 25、以及在基座絕緣層25上形成的布線27。所述金屬基底17由導(dǎo)電薄板制成，例如彈性薄不銹鋼冷軋板(SST)。所述金屬基底17的厚度的范圍為，例如，大概12-20 μ m，根據(jù)所述第一實施方式，大概為20 μ m。所述金屬基底17設(shè)置有通窗29。所述窗29改進了布線27的阻抗，以實現(xiàn)寬的帶寬。所述窗29形成于沿著布線27 的合適位置，該布線27沿著撓曲件7延伸。與布線27有關(guān)的所述窗29的平鋪率被合適的調(diào)整，以實現(xiàn)布線27所要求的阻抗和帶寬。所述基座絕緣層25由撓性絕緣樹脂制成，例如聚酰亞胺。所述基座絕緣層25的厚度范圍為，例如，大概5-15 μ m,根據(jù)所述第一實施方式，大約為10 μ m。所述布線27包括第一極性的第一跡線31(圖4中所示的“跡線1”)和第二極性的第二跡線33(圖4中所示的“跡線2”)，跡線由導(dǎo)電金屬制成，例如銅。所述第一跡線31 和第二跡線33在撓曲件7的寬度方向上相互平行。所述布線27的厚度范圍為，例如，大概 8-15 μ m,根據(jù)第一實施方式，大概為15 μ m。所述第一跡線31包含了在兩邊的單跡線部分35以及位于所述單跡線部分35之間的一對第一子跡線39和41。所述第一子跡線39和41在撓曲件7的寬度方向上相互平行。所述第二跡線33包含了兩邊的單跡線部分37以及位于所述單跡線部分37之間的一對第二子跡線43和45。所述第二子跡線43和45在撓曲件7的寬度方向上相互平行。所述第一和第二子跡線39、41、43和45在布線27的一部分上構(gòu)成了交錯部分47。所述交錯部分47能夠完整地形成在布線27上，或在布線27的縱向上形成在布線27的多個部分。也就是說，所述交錯部分47至少一部分地形成在布線27中，在這部分上，所述跡線31和33 的每一個被分為了子跡線39、41、43和45。在所述交錯部分47中，所述第一和第二子跡線39、41、43和45沿撓曲件7的寬度方向在基座絕緣層25上被交替。也就是說，在交錯部分47中，第一極性的所述第一跡線31 的子跡線39和41以及第二極性的所述第二跡線33的子跡線43和45被交錯或者交替。在所述交錯部分47中，每個所述第一和第二子跡線41、43位于布線27的交錯部分47的外側(cè)，每個所述第一和第二子跡線39、45位于布線27的交錯部分47的內(nèi)側(cè)。每個外部第一和第二子跡線41、43的寬度比相應(yīng)的內(nèi)部第一和第二子跡線39、45的寬度窄。外部第一和第二子跡線41、43的寬度被降低，這樣布線27在交錯部分47的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)中的局部下降可相對于在假設(shè)所有的子跡線39、41、43 和45在交錯部分47具有相同的寬度下所觀察到的水平減少。根據(jù)第一實施方式，所述內(nèi)部第一和第二子跡線39、45的每一個的寬度大概為 120 μ m或者150 μ m,外部第一和第二子跡線41、43的每一個具有的寬度大概是內(nèi)部第一和第二子跡線39、45的寬度的50% -80%，特別地，大約60%。在鄰近的第一和第二子跡線39、41、43和45的間隔是相同的，根據(jù)所述第一實施方式，大概是，例如20 μ m。第一和第二子跡線39、41、43和45定義的所述間隔也可能被設(shè)置不相同。例如，所有的間隔可能不同，或者選擇某個間隔相對于其余的間隔不同。第一子跡線39、41的一端通過分叉49被一起連接到單跡線部分35，第一子跡線 39,41的另一端通過橋53被一起連接到單跡線部分35。第二子跡線43、45的一端通過分叉51被一起連接到單跡線部分37，第二子跡線43、45的另一端通過橋55被一起連接到單跡線部分37。也就是說，在交錯部分47的每一側(cè)，第一極性的子跡線39、41被相互連接，第二極性的子跡線43、45被相互連接。具有上述配置的所述布線27被覆蓋絕緣層57所覆蓋，所述覆蓋絕緣層57由例如聚酰亞胺的撓性絕緣樹脂制成。所述覆蓋絕緣層57的厚度范圍是，例如，大概4-5 μ m,根據(jù)第一實施方式，大概為5 μ m。所述覆蓋絕緣層57覆蓋了布線27的表面并保護它避免外部力量等。所述覆蓋絕緣層57可被省略，這樣暴露布線27的表面。各種布線示例的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)將被說明。圖5A和5B是列出了根據(jù)第一實施方式的實施例IA至ID與對比實施例2和3的分析模型的尺度的表格，圖6是表示用于分析圖5A和5B的分析模型的頻率特性分析電路的電路圖。如圖5A所列出的，分析模型的每一個具有20 μ m厚度的金屬基底17 (SST) UOym 厚度的基座絕緣層25 (Base PI)、15 μ m厚度的布線27 (Cu)、以及5 μ m厚度的覆蓋絕緣層 57 (Cover)0如圖5B所列出的，內(nèi)部第一和第二子跡線(39、45)的每一個的寬度被設(shè)置為 150μπι(25Ω的阻抗(Ζ0))，子跡線之間的間隔每一個被設(shè)置為20μπι。分析模型的外部第一和第二子跡線(41、43)的寬度分別被設(shè)置為內(nèi)部子跡線寬度的40%、50%、60%、80%、 100%和120%。依據(jù)不同的外部子跡線寬度，分析模型的所述金屬基底17設(shè)置的窗29分另Ij具有 580 μ m、610 μ m、640 μ m、700 μ m、760 μ m 禾P 820 μ m 的寬度。三維電磁域分析軟件“Ansoft HFSS (注冊商標)”被用于形成布線27的每一個三維模型，以及計算S-參數(shù)。由軟件而產(chǎn)生的結(jié)果數(shù)據(jù)被應(yīng)用到圖6的電路，由電路分析軟件“Ansoft Designer (注冊商標)”執(zhí)行電路計算。圖7-10是表示模型的頻損特性分析結(jié)果的曲線圖，其中，圖7是采用無交錯部分的對比實施例1，圖8是采用了具有等寬子跡線的交錯部分的對比實施例2，圖9是實施例 IA和IB以及具有不同寬度的外部子跡線的對比實施例2，圖10是圖9的部分放大圖。在圖7-10中，縱坐標表示增益，橫坐標表示頻率。根據(jù)圖7所示的對比實施例1，因為沒有采用交錯部分，所以在頻損特性上觀察不到局部下降。然而，_3dB級半增益衰減的頻率大概是2GHz，這表明帶寬很窄。根據(jù)圖8所示的對比實施例2，頻損特性大體是平緩的，這表明帶寬擴大了。然而，由于頻損特性的下降，-3dB的增益處的頻率只有大概10GHz。另一方面，圖9和10中的根據(jù)第一實施方式的實施例IA(60%)和1B(80%)使得頻損特性更加平緩，從而擴大了帶寬，減少了頻損特性的下降。實施例IA(60%)增加-3dB 增益的頻率至大概18GHz，實施例1B(80% )增加至大概17GHz。圖11是說明了根據(jù)第一實施方式的實施例1A、1B、1C和ID以及對比實施例2和3 的頻損特性的曲線圖。實施例1A、1B、1C和ID采用了分別為內(nèi)部子跡線寬度的60%、80%、 40 %和50 %的外部子跡線寬度。對比實施例2和3采用了分別是內(nèi)部子跡線寬度的100 % 和120%的外部子跡線寬度。在圖11中，根據(jù)第一實施方式的實施例1C(40% )和1D(50% )普遍的平緩了頻損曲線，從而擴大了帶寬，減少了頻損特性中的下降。實施例IC (40%)增加-3dB增益的頻率至大概1 IGHz，實施例ID (50% )增加至大概16GHz。另一方面，對比實施例3(120% )擴大了外部子跡線的寬度，其比內(nèi)部子跡線的寬度更寬，因此，-3dB增益的頻率被惡化至大概5GHz。圖12是說明了發(fā)生在頻損特性中的局部下降的曲線圖。圖13是表示頻損特性中的局部下降與外部子跡線寬度之間關(guān)系的曲線圖。在圖13中，虛線是寬度120μπι(30Ω的阻抗(ZO))的內(nèi)部子跡線，實線是寬度150 μ m(25 Ω的阻抗(ZO))的內(nèi)部子跡線。在圖13 中，縱坐標代表下降，橫坐標代表外部子跡線寬度。在圖12中，下降D對應(yīng)于與沒有下降的參考增益線的距離，并以單位增益來表達。 在圖13中，所述外部子跡線的寬度在內(nèi)部子跡線寬度的40%-120%之間變化，在每個外部子跡線的寬度處測量所述下降。在寬度150 μ m(阻抗(ZO) 25 Ω )和寬度120 μ m(阻抗(ZO) 30 Ω )的每一個內(nèi)部子跡線處，所述下降隨著外部子跡線的寬度從100%減少至60%而減少。當外部子跡線的寬度為內(nèi)部子跡線的寬度的60%時，所述下降幾乎為0。當外部子跡線寬度比率從60%減少時，所述下降從幾乎為0增加，最終超過外部子跡線寬度比率為100%的級別。同樣，當外部子跡線寬度比率增加到超過100%時，下降增加。在阻抗為25Ω和30Ω的不同情況下，這種現(xiàn)象均被觀察到。
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從所述分析能夠了解到，使外部子跡線的寬度比率降低到比100%低，可以有效的減少頻損特性中的下降。從圖13中很明顯，外部子跡線的寬度比率為50% -85%的下降等于或者少于外部子跡線的寬度比率為100%的下降的一半。當比率為60%時，所述下降減少到幾乎為0。相應(yīng)地，所述外部子跡線寬度比率優(yōu)選在50% -85%的范圍內(nèi)。將總結(jié)所述第一實施方式的效果。具有根據(jù)第一實施方式的所述布線結(jié)構(gòu)的撓曲件是支持磁頭21以寫入數(shù)據(jù)至記錄介質(zhì)和從記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的撓曲件1。所述撓曲件1的布線結(jié)構(gòu)包括連接至磁頭21的布線27。至少部分地，所述布線27具有交錯部分47，其中，第一和第二跡線31、33被分為第一和第二子跡線39、41、43和45，這些子跡線在布線27的寬度方向上交替。在交錯部分 47的每一側(cè)，第一極性的所述子跡線39和41相互連接，第二極性的所述子跡線43和45相互連接。每個外部第一和第二子跡線41和43的寬度比相對應(yīng)的內(nèi)部第一和第二子跡線39 和45的寬度窄。外部第一和第二子跡線41、43的寬度被降低，這樣布線27在交錯部分47 的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)中的局部下降可相對于在假設(shè)所有的第一和第二子跡線39、41、43和45在交錯部分47具有相同寬度的情況下所觀察到的級別減少。根據(jù)第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)能夠減少布線27在交錯部分47的頻損特性中的局部下降。相應(yīng)地，第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)能夠降低布線27的阻抗和電感，實現(xiàn)與前置放大器的阻抗匹配、降低衰減，擴大帶寬，避免不想要的過濾器的生成。因此，第一實施方式的布線結(jié)構(gòu)滿足多種電氣要求，例如寫入布線的低阻抗和擴大的帶寬。根據(jù)第一實施方式，每個外部第一和第二子跡線41和43的寬度被縮小為相對應(yīng)的內(nèi)部第一和第二子跡線39和45的寬度的50% -85%。與采用每個具有相同寬度的子跡線的交錯部分的布線結(jié)構(gòu)相比，這種配置在交錯部分47使布線27的頻損特性中的下降基本上減半。所述第一實施方式可將每一外部第一和第二子跡線41、43的寬度設(shè)置為內(nèi)部第一和第二子跡線39、45的寬度的60%。這種配置使得布線27在交錯部分47的頻損特性中的下降基本上降低為零。第一實施方式在基座絕緣層25上形成布線27，所述基座絕緣層25在具有窗四的金屬基底17上形成。所述窗四在對應(yīng)于交錯部分47的位置形成。即使具有這樣的配置， 第一實施方式減少在交錯部分47的布線27的頻損特性的下降。通常地，在金屬基底17上形成的所述窗四有效地調(diào)整布線27的阻抗和帶寬。然而，當所述交錯部分47準備用于在窗四的位置的布線27時，所述窗四趨向于引起布線27 的頻損特性中的下降。第一實施方式能夠減少在交錯部分47的布線27的頻損特性中的下降，同時，允許所述窗四調(diào)整布線27的阻抗和帶寬。將說明第一實施方式的一個修正。圖14是表示根據(jù)所述修正的撓曲件7A的剖視圖，圖15是表示根據(jù)所述修正的頻損特性中的局部下降與外部子跡線寬度之間關(guān)系的曲線圖。所述修正與第一實施方式基本上是相同的，因此，為了省略重復(fù)說明，相對應(yīng)的部分以相同的附圖標記來表示，或者是以相同的附圖標記加上“A”來表示。根據(jù)所述修正的所述撓曲件7A具有沒有窗的金屬基底17A。根據(jù)所述修正，布線27A的阻抗(ZO)被設(shè)置為10 Ω和15 Ω，如圖15所示。當外部子跡線的寬度比率處于 50% -85%的范圍時，所述撓曲件7Α顯示了交錯部分47Α處的布線27Α的頻損特性中的下降大幅地減少，當所述比率為60%時，所述下降被最小化。這樣，所述修正提供與第一實施方式相同的效果。將說明本發(fā)明的第二實施方式的布線結(jié)構(gòu)。圖16Α和16Β是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的撓曲件布線結(jié)構(gòu)采用的不同子跡線配置的透視圖。在圖16Α中，只有每個跡線的外部子跡線比跡線的其他子跡線窄。圖16Β中，每個跡線的外部和中間子跡線比跡線的內(nèi)部子跡線窄。圖17是表示根據(jù)第二實施方式的布線結(jié)構(gòu)的模型。所述第二實施方式與第一實施方式基本上是相同的，因此，為了省略重復(fù)說明，相對應(yīng)的部分以相同的附圖標記來表示，或者是以相同的附圖標記加上“B”來表示。根據(jù)第二實施方式，所述撓曲件7Β的布線結(jié)構(gòu)27Β被設(shè)置為具有交錯部分47Β，在交錯部分47Β中，每個跡線被分為了三個子跡線。更準確的來說，第一極性的第一跡線31Β包含在單跡線部分35Β之間的第一子跡線59、39Β和41Β。所述第一子跡線59、39Β和41Β在撓曲件7Β的寬度方向上相互平行。第二極性的第二跡線33Β包含在單跡線部分37Β之間的第二子跡線43Β、45Β和61。所述第二子跡線43Β、45Β和61在撓曲件7Β的寬度方向上相互平行。在交錯部分47Β中，所述第一和第二子跡線59、39Β、41Β、43Β、45Β、61沿撓曲件7Β 的寬度方向在基座絕緣層25Β上被交替。在所述交錯部分47Β中，每個所述第一和第二子跡線41Β和43Β位于交錯部分47Β的外側(cè)，所述第一和第二子跡線59和61分別被中間地安置于子跡線41Β和43Β的內(nèi)側(cè)，以及所述第一和第二子跡線39Β和45Β分別被中心地安置于子跡線59和61的內(nèi)側(cè)。每個外部第一和第二子跡線41Β、43Β的寬度比相應(yīng)的內(nèi)部第一和第二子跡線 39Β、45Β的寬度窄。根據(jù)第二實施方式，如圖16Α所示，只有外部第一和第二子跡線41Β、43Β可變窄， 或者如圖16Β所示，外部第一和第二子跡線41Β、43Β以及中間第一和第二子跡線59、61可變窄。將說明根據(jù)第二實施方式的撓曲件7Β的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)。 所述外部第一和第二子跡線41Β和43Β的寬度被改變?yōu)閮?nèi)部第一和第二子跡線39Β和45Β 的寬度的100%、60%和36%。此外，中間第一和第二子跡線59和61的寬度被改變?yōu)閮?nèi)部第一和第二子跡線39Β和45Β的寬度的100%、80%和60%。圖18-20是表示根據(jù)第二實施方式的實施例2Α和2Β以及對比實施例4至6的頻損特性的曲線圖。在圖18中，實施例2Α具有60%的外部子跡線的寬度比率，實施例2Β具有80%的中間子跡線的寬度比率和60%的外部子跡線的寬度比率，對比實施例4的每個子跡線具有相同的寬度(100% )，對比實施例5具有中間子跡線的寬度比率為60%和外部子跡線的寬度比率為36%，對比實施例6具有中間子跡線的寬度比率為60%且外部子跡線的寬度比率為60%。圖19是圖18的部分放大圖，圖20是表示實施例2Α與對比實施例4和 5的頻損特性的曲線圖。在圖18-20中，縱坐標表示增益，橫坐標表示頻率，“All”表示所有的子跡線具有相同的寬度，“Out”表示外部子跡線的寬度，“Mid”表示中間子跡線的寬度， “Cnt”表示內(nèi)部(中心)子跡線的寬度。在圖18-20中，根據(jù)采用了所有的子跡線相同寬度(100% )的對比實施例4 的_3dB增益處的頻率大概為17GHz，根據(jù)采用了外部子跡線的寬度比率為60%的實施例2A 以及根據(jù)采用了外部子跡線的寬度比率為60%且中間子跡線的寬度比率為80%的實施例 2B的_3dB增益處的頻率大概為18GHz，下降減少了。另一方面，采用了中間子跡線的寬度比率為60%且外部子跡線的寬度比率為 36%的對比實施例5以及采用了中間子跡線的寬度比率為60%且外部子跡線的寬度比率為60%的對比實施例6，均增加了下降，且3dB增益處的頻率分別減少為大概15GHz和 14GHz。當外部子跡線的寬度比率設(shè)置為大概60%時，將每個跡線分為三個子跡線以形成交錯部分47B的第二實施方式能夠優(yōu)化在交錯部分47B的布線27B的頻損特性。根據(jù)第二實施方式，所述中間子跡線的寬度比率可減少為約80%，而不引起在交錯部分47B的布線27B的頻損特性的惡化。然而，如果中間子跡線的寬度比率減少為約 60%，頻損特性將惡化。如果外部子跡線的寬度相對于中間子跡線的寬度窄，頻損特性也將
A亞仆
石心Ki O所以，相對具有相同寬度的中間和內(nèi)部子跡線，僅僅將外部子跡線變窄有效地減少在交錯部分47B的布線27B的頻損特性中的下降。所述中間子跡線可變窄為內(nèi)部子跡線寬度的約80%，而不引起在交錯部分47B的布線27B的頻損特性的惡化。這樣，所述第二實施方式提供了撓曲件7B的布線27B，其具有交錯部分47B，在交錯部分47B中，每個跡線被分為超過2個子跡線的多個子跡線，這些子跡線中，外部第一和第二子跡線41B和43B比內(nèi)部第一和第二子跡線39B和45B窄，因此提供了與第一實施方式相同的效果。類似第一實施方式的修正，所述第二實施方式可以省略窗^B。如上所述，本發(fā)明僅僅將布線27、27A、27B中的每個跡線的子跡線的外部子跡線設(shè)置的比相同跡線的內(nèi)部子跡線窄，以減少在交錯部分47、47A、47B的布線的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)中的局部下降。因此，布線結(jié)構(gòu)和撓曲件7的尺度、布線27、27A和27B的子跡線的阻抗、子跡線的數(shù)目等并不被這些實施方式所限制，可以根據(jù)眾所周知的撓曲件而改變。進一步地，為了滿足本發(fā)明的目的，布線27、27A和27B的支持部件并不被限于金
屬基底和基座絕緣層。
權(quán)利要求
1.一種支持磁頭寫入數(shù)據(jù)至記錄介質(zhì)和從記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的撓曲件的布線結(jié)構(gòu)，包括布線，其包括第一極性的跡線和第二極性的跡線，并傳輸信號至磁頭和從磁頭傳輸信號；交錯部分，其至少部分地形成在所述布線中，在交錯部分中，每個所述跡線被分為多條子跡線，所述多條子跡線在所述布線的寬度方向上交替，在所述交錯部分的每一側(cè)上，每個所述跡線的所述多條子跡線相互連接；和每個跡線的外部子跡線比同一跡線的內(nèi)部子跡線更窄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其中所述外部子跡線的寬度在所述內(nèi)部子跡線的寬度的50% -85%的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其中所述外部子跡線的寬度為所述內(nèi)部子跡線的寬度的60%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線結(jié)構(gòu)，其中所述布線結(jié)構(gòu)包括金屬基底和形成在所述金屬基底上的基座絕緣層，所述布線形成在所述基座絕緣層上，在對應(yīng)于所述交錯部分的位置，所述金屬基底設(shè)置有窗。
全文摘要
一種撓曲件的布線結(jié)構(gòu)，其包括布線，其包含第一極性的跡線和第二極性的跡線，其傳輸信號至磁頭和從磁頭傳輸信號，所述磁頭被撓曲件以及布線支持，將數(shù)據(jù)寫入記錄介質(zhì)以及從記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)；和交錯部分，其至少部分地形成在所述布線中，在交錯部分，每個所述跡線分為子跡線，所述子跡線在所述布線的寬度方向上交替，在所述交錯部分的每一側(cè)上，每個所述跡線的所述子跡線相互連接，每個所述跡線的外部子跡線比相同跡線的內(nèi)部子跡線更窄。所述布線結(jié)構(gòu)減少在交錯部分的布線的信號傳輸損耗的頻率特性(頻損特性)中的局部下降。
文檔編號G11B5/48GK102446514SQ201110310139
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者福島清隆, 荒井肇 申請人:日本發(fā)條株式會社