專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非揮發(fā)存儲(chǔ)器中讀操作時(shí)內(nèi)部參考電流選取的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
非揮發(fā)存儲(chǔ)器(NVM)進(jìn)行讀操作時(shí)需要有一路參考電流，該電流的實(shí)現(xiàn)通常有兩種方式一種是直接設(shè)計(jì)偏置電路，以基準(zhǔn)電流作為參考電流；一種是利用存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)單元的導(dǎo)通電流作為參考電流。本發(fā)明是對(duì)第二種參考電流結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)化設(shè)計(jì)。利用存儲(chǔ)單元導(dǎo)通電流作為參考電流的方法，通常是在參考電流產(chǎn)生電路中將一個(gè)導(dǎo)通的存儲(chǔ)單元器件作為電流源。如圖1所示，MO為存儲(chǔ)陣列中I個(gè)比特單元，M3為產(chǎn)生參考電流的I個(gè)存儲(chǔ)器件，M3不屬于存儲(chǔ)陣列且不參與高壓操作。將M3的電流按照一定比例鏡像，與MO的電流進(jìn)行比較，實(shí)現(xiàn)讀“O”讀“I”的操作。對(duì)于小容量的存儲(chǔ)器該方法電路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，且有一定的可靠性。但在大容量設(shè)計(jì)中，由于存儲(chǔ)器陳列面積大，在不同區(qū)域的存儲(chǔ)單元在工藝實(shí)現(xiàn)中會(huì)產(chǎn)生較大的偏差，因而導(dǎo)通電流偏差也較大，因此傳統(tǒng)的參考電流設(shè)計(jì)方法已不能保證可靠性。當(dāng)存儲(chǔ)器容量較大時(shí)，陣列所覆蓋的版圖面積也較大，不同地址的存儲(chǔ)單元間存在較大的工藝偏差，使得它們的導(dǎo)通電流的偏差也較大，這種情況下以一個(gè)存儲(chǔ)器件作為電流源產(chǎn)生參考電流顯然是不合理的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)，它可以應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)器中，解決由于存儲(chǔ)單元電流偏差而導(dǎo)致的參考電流不可靠的現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；分布選取產(chǎn)生參考電流的存儲(chǔ)單元，在存儲(chǔ)陣列的中間位置和上下邊緣加入作為參考電流產(chǎn)生單元的行，按照X方向地址分布平均選取N比特單元；與工藝偏差無(wú)關(guān)的參考電流產(chǎn)生電路，將選取的N比特單元電流相加再取平均值，即得到該參考電流。本發(fā)明的有益效果在于通過(guò)選取存儲(chǔ)陣列不同區(qū)域單元，取其平均電流的方法，有效避免了在工藝實(shí)現(xiàn)中產(chǎn)生的電流偏差問(wèn)題，具有較高的可靠性，尤其在大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)更為明顯。存儲(chǔ)陣列內(nèi)有獨(dú)立的三行存儲(chǔ)單元RWl至RW2，用于產(chǎn)生參考電流，分別位于陣列的下邊緣、中間和上邊緣；其中存儲(chǔ)單元RWO和RW2內(nèi)分別選取2比特單元，Rffl內(nèi)選取4比特單元作為電流源。RO至Rn為N個(gè)存儲(chǔ)單元器件，Iref為RO至Rn導(dǎo)通電流的疊加，Iavg為N比特存儲(chǔ)單元電流的平均值，Iavg即為參考電流。其中RO至R8為8個(gè)存儲(chǔ)單元器件。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖1是傳統(tǒng)參考電流產(chǎn)生方式示意圖；圖2是參考電流產(chǎn)生單元物理地址示意圖；圖3是與工藝偏差無(wú)關(guān)的參考電流產(chǎn)生電路示意具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出一種應(yīng)用于存儲(chǔ)器電路的內(nèi)部參考電流的產(chǎn)生方式，該方式通過(guò)選取存儲(chǔ)陣列不同區(qū)域單元，取其平均電流的方法，有效避免了在工藝實(shí)現(xiàn)中產(chǎn)生的電流偏差問(wèn)題，具有較高的可靠性，尤其在大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)更為明顯。設(shè)計(jì)原理以列數(shù)為Nbit X 8的存儲(chǔ)陣列為例，如圖2所示，RWO至RW2是存儲(chǔ)陣列內(nèi)獨(dú)立的三行存儲(chǔ)單元，用于產(chǎn)生參考電流，分別位于陣列的下邊緣、中間和上邊緣；RWO和RW2內(nèi)分別選取2比特單元，RWl內(nèi)選取4比特單元作為電流源，位置如圖2中標(biāo)記R所示。由于工藝偏差主要體現(xiàn)在X方向(行內(nèi)分布)和Y方向(列內(nèi)分布)，因此選取的作為參考電流源的存儲(chǔ)單元可以體現(xiàn)陣列內(nèi)X方向和Y方向的偏差，將8比特單元的電流取平均值，即得到參考電流。參考電流產(chǎn)生電路如圖3所示，RO至Rn為N個(gè)存儲(chǔ)單元器件，本例中N = 8，物理位置如圖2中標(biāo)記R所示；Iref為RO至Rn導(dǎo)通電流的疊加，Iavg為N比特存儲(chǔ)單元電流的平均值，Iavg即為參考電流。本發(fā)明并不限于上文討論的實(shí)施方式。以上對(duì)具體實(shí)施方式
的描述旨在于為了描述和說(shuō)明本發(fā)明涉及的技術(shù)方案?；诒景l(fā)明啟示的顯而易見(jiàn)的變換或替代也應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。以上的具體實(shí)施方式
用來(lái)揭示本發(fā)明的最佳實(shí)施方法，以使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠應(yīng)用本發(fā)明的多種實(shí)施方式以及多種替代方式來(lái)達(dá)到本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；其特征在于， 分布選取產(chǎn)生參考電流的存儲(chǔ)單元，在存儲(chǔ)陣列的中間位置和上下邊緣加入作為參考電流產(chǎn)生單元的行，按照X方向地址分布平均選取N比特單元； 與工藝偏差無(wú)關(guān)的參考電流產(chǎn)生電路，將選取的N比特單元電流相加再取平均值，SP得到該參考電流。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；其特征在于，存儲(chǔ)陣列內(nèi)有獨(dú)立的三行存儲(chǔ)單元RWl至RW2，用于產(chǎn)生參考電流，分別位于陣列的下邊緣、中間和上邊緣；其中存儲(chǔ)單元RWO和RW2內(nèi)分別選取2比特單元，Rffl內(nèi)選取4比特單元作為電流源。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；其特征在于，RO至Rn為N個(gè)存儲(chǔ)單元器件，Iref為RO至Rn導(dǎo)通電流的疊加，Iavg為N比特存儲(chǔ)單元電流的平均值，Iavg即為參考電流。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；其特征在于，其中RO至R8為8個(gè)存儲(chǔ)單元器件。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器中讀操作參考電流的結(jié)構(gòu)；分布選取產(chǎn)生參考電流的存儲(chǔ)單元，在存儲(chǔ)陣列的中間位置和上下邊緣加入作為參考電流產(chǎn)生單元的行，按照X方向地址分布平均選取N比特單元；與工藝偏差無(wú)關(guān)的參考電流產(chǎn)生電路，將選取的N比特單元電流相加再取平均值，即得到該參考電流。本發(fā)明通過(guò)選取存儲(chǔ)陣列不同區(qū)域單元，取其平均電流的方法，有效避免了在工藝實(shí)現(xiàn)中產(chǎn)生的電流偏差問(wèn)題，具有較高的可靠性，尤其在大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)更為明顯。
文檔編號(hào)G11C16/06GK103065681SQ201110322548
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
發(fā)明者郭璐, 金建明 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司