欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

多層光記錄介質(zhì)的制作方法

文檔序號:6772387閱讀:159來源:國知局
專利名稱:多層光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及層積多個記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì),特別涉及用于提高再現(xiàn)信號的品質(zhì)的技術(shù),其中,該記錄再現(xiàn)層能夠通過照射光來再現(xiàn)信息。
背景技術(shù)
在光記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中,借助激光光源的短波長化和光學(xué)系統(tǒng)的高NA化,來提高記錄密度。但是,利用這些光源和光學(xué)系統(tǒng)的努力達(dá)到極限,為了使記錄容量進(jìn)一步增大, 謀求沿光軸方向多重記錄信息的體積記錄。例如,在Blu-ray Disc(BD:藍(lán)光盤)規(guī)格的光記錄介質(zhì)中,在提出本申請時,具有兩層的記錄再現(xiàn)層的光記錄介質(zhì)已經(jīng)實現(xiàn)商品化,關(guān)于 3層結(jié)構(gòu)和4層結(jié)構(gòu),規(guī)格化正在進(jìn)行。另外,在試驗研究中,證實存在具有20層再現(xiàn)專用的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)和具有10 16層的能夠進(jìn)行記錄再現(xiàn)的錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)。在多層光記錄介質(zhì)中,在對記錄再現(xiàn)層的信息進(jìn)行再現(xiàn)時,其他記錄再現(xiàn)層的信號漏入或因其他記錄再現(xiàn)層的影響產(chǎn)生的噪聲(noise)漏入即所謂的串?dāng)_成為問題。該串?dāng)_會導(dǎo)致伺服信號和記錄信號的惡化。該串?dāng)_包括層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_(confocal crosstalk)這兩類。層間串?dāng)_是指, 由與再現(xiàn)中的記錄再現(xiàn)層相鄰的記錄再現(xiàn)層反射后的光漏入到再現(xiàn)光中而產(chǎn)生的現(xiàn)象。因此,在具有兩層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中必定成為問題。若增大層間距離,則該層間串?dāng)_會變小。共焦串?dāng)_是在具有3層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中特有的現(xiàn)象,共焦串?dāng)_是指,在由再現(xiàn)中的記錄再現(xiàn)層僅反射了一次的本來的再現(xiàn)光與由其他記錄再現(xiàn)層反射了多次的雜散光(stray light)之間,彼此的光程一致而產(chǎn)生的現(xiàn)象。關(guān)于共焦串?dāng)_的產(chǎn)生原理,使用圖15 圖18進(jìn)行說明。在如圖15所示那樣的多層光記錄介質(zhì)40中,為了進(jìn)行再現(xiàn)或記錄而會聚在LO記錄再現(xiàn)層40d上的光束70因記錄再現(xiàn)層的半透過性而分支成多個光束。在圖16中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d 的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束71由Ll記錄再現(xiàn)層40c反射,并在L2記錄再現(xiàn)層40b上聚焦,該反射光再次由Ll記錄再現(xiàn)層40c反射而被檢測出。在圖17中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束72由L2記錄再現(xiàn)層40b反射,并在光入射面40z上聚焦,該反射光再次由L2記錄再現(xiàn)層40b反射而被檢測出。該雜散光現(xiàn)象稱為光入射面的內(nèi)焦點光。在圖18中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束73沒有在其他記錄再現(xiàn)層上聚焦,但依次由Ll記錄再現(xiàn)層40c、L3記錄再現(xiàn)層40a、L2記錄再現(xiàn)層40b反射而被檢測出。與光束70進(jìn)行比較,作為雜散光的光束71 73的光量小,但由于以相等的光程和相等的光束直徑入射到光檢測器,所以由干涉產(chǎn)生的影響大,由光檢測器接受到的光量因微小的層間厚度的變化而顯著變動,難以檢測穩(wěn)定的信號。另一方面,關(guān)于雜散光,反射的次數(shù)越多,因成為各記錄再現(xiàn)層的反射率之積,而光量越減少,因此,在實際應(yīng)用上考慮三次的多面反射的雜散光即可。在這些圖15 圖18所示的現(xiàn)象中,例如,若設(shè)定Tl = T2,則光束70和光束71的光程與光束直徑相一致,同時入射到光檢測器(光電檢測器)而被檢測。同樣,若設(shè)定T1+T2 =T3+TC,則光束70和光束72的光程和光束直徑相一致,另外,若設(shè)定T3 = Tl,則光束70 和光束73的光程和光束直徑相一致。因此,為了避免共焦串?dāng)_,通常采用使所有的層間距離不同的方法。非專利文獻(xiàn)1 I. Ichimura et. al.,Appl. Opt.,45,1794-1803 (2006)非專利文獻(xiàn)2 :K. Mishima et. Al. , Proc. of SPIE, 6282,628201 (2006) 0011進(jìn)而,有時在各記錄再現(xiàn)層上必須形成凹槽(grrove)/平臺(land)等的循跡控制用的凹凸。此時,由于需要利用壓模在各中間層上形成凹凸,所以容易在中間層的膜厚上產(chǎn)生誤差。因此,若要預(yù)先考慮該成膜誤差的影響來使各中間層的膜厚不同,則需要將膜厚差設(shè)定得大,所以存在使多層光記錄介質(zhì)的厚度越來越大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種多層光記錄介質(zhì),在使記錄再現(xiàn)層多層化時,能夠抑制由串?dāng)_引起的信號品質(zhì)的惡化,并能夠使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計簡潔化,進(jìn)而,能夠使記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制簡略化。通過本發(fā)明人的潛心研究、上述目的通過以下的手段來實現(xiàn)。即,用于達(dá)成上述目的的本發(fā)明為一種多層光記錄介質(zhì),隔著中間層來層積至少8 層以上的記錄再現(xiàn)層,該記錄再現(xiàn)層能夠通過照射光來再現(xiàn)信息,其特征在于,具有至少兩組以上的記錄再現(xiàn)層組,該記錄再現(xiàn)層組由以層積順序連續(xù)的多個所述記錄再現(xiàn)層構(gòu)成,并且在該記錄再現(xiàn)層組中,層積狀態(tài)的反射率從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)減少,在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中,與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率相比較,在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率更高。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間的所述中間層的膜厚設(shè)定為,比隔著所述記錄再現(xiàn)層在兩側(cè)相鄰的其他中間層的膜厚更厚。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,所述中間層設(shè)定有多個膜厚,配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間的所述中間層的膜厚設(shè)定為所述多個膜厚中的最大膜厚。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,配置在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)的所述中間層構(gòu)成為在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)具有大致相同的膜厚。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,隔著所述記錄再現(xiàn)層,交替層積有具有第一膜厚的第一中間層和具有比所述第一膜厚更厚的第二膜厚的第二中間層。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,所述第二中間層配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,具有3 組以上的所述記錄再現(xiàn)層組,除了最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組以及最里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組以外的剩余的所述記錄再現(xiàn)層組具有偶數(shù)層的所述記錄再現(xiàn)層。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,具有兩組所述記錄再現(xiàn)層組。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,至少一個所述記錄再現(xiàn)層組具有4層以上的所述記錄再現(xiàn)層。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上,其特征在于,用于構(gòu)成距光入射面?zhèn)茸钸h(yuǎn)的所述記錄再現(xiàn)層組的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目在4層以下。根據(jù)本發(fā)明,在多層光記錄介質(zhì)中,能夠抑制層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_,并使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計簡潔化。另外,還能夠使記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制的簡潔化。


圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)和對該多層光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)的光讀寫頭(optical pickup)的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示該多層光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖4是表示該多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖5是表示第二實施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖6是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖7是表示第三實施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖9是表示第四實施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖11是表示第五實施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖12是表示本發(fā)明的實施例B的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖13是表示本發(fā)明的比較例A、以及實施例B的多層光記錄介質(zhì)的記錄條件和再現(xiàn)信號品質(zhì)的圖表以及曲線圖。 圖14是表示本發(fā)明的比較例A、以及實施例B的多層光記錄介質(zhì)的LO記錄再現(xiàn)層的記錄信號波形的圖。圖15是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光(stray light)的狀態(tài)的圖。圖16是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖17是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖18是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖19是表示成為參考例的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖20是表示成為參考例的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線
5圖。
具體實施例方式下面,參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。在圖1中示出第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)10和在該多層光記錄介質(zhì)10的記錄再現(xiàn)中使用的光讀寫頭700的結(jié)構(gòu)。光讀寫頭700具有光學(xué)系統(tǒng)710。該光學(xué)系統(tǒng)710為對多層光記錄介質(zhì)10的記錄再現(xiàn)層組14進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的光學(xué)系統(tǒng)。從光源701出射的具有比較短的波長380 450nm(在此為405nm)的發(fā)散性的藍(lán)色光束770,透過具有球面象差修正單元793的準(zhǔn)直透鏡753,并入射到偏振光束分離器752。入射到偏振光束分離器752的光束770透過偏振光束分離器752,進(jìn)一步因透過四分之一波長板7M變換為圓偏振光后,由物鏡756變換成會聚光束。該光束770會聚到在多層光記錄介質(zhì)10的內(nèi)部形成的多個記錄再現(xiàn)層組14中任一個記錄再現(xiàn)層上。由偏振光束分離器752反射的光束770透過聚光透鏡759變換成會聚光,并經(jīng)由柱面透鏡757入射到光檢測器732。在透過柱面透鏡757時,對光束770賦予像散。光檢測器732具有未圖示的四個受光部,分別輸出與接受到的光量相應(yīng)的電流信號。根據(jù)這些電流信號,能夠生成基于像散法的聚焦誤差(以下稱為FE)信號、基于再現(xiàn)時所限定的推挽法的循軌誤差(以下稱為TE)信號、記錄在多層光記錄介質(zhì)10上的信息的再現(xiàn)信號等。FE 信號以及TE信號被放大為所希望的電平以及進(jìn)行相位補償后,反饋供給至驅(qū)動器791以及 792,以實現(xiàn)聚焦控制以及循跡控制。在圖2中放大表示該多層光記錄介質(zhì)10的剖面結(jié)構(gòu)。該多層光記錄介質(zhì)10為外徑約120mm、厚度約1. 2mm的圓盤形狀,并具有8層以上的記錄再現(xiàn)層。該多層光記錄介質(zhì)10從光入射面IOA側(cè)起具有保護層11、第二記錄再現(xiàn)層組13B、第一記錄再現(xiàn)層組13A以及中間層組16、支撐基板12。在支撐基板12上設(shè)置有軌道間距為0. 32um的凹槽。此外,作為支撐基板12的材料,能夠使用各種材料,例如,能夠利用玻璃、陶瓷、樹脂。在它們之中,從容易成型的觀點考慮,優(yōu)選樹脂。作為樹脂,能夠舉出聚碳酸酯樹脂、烯烴樹脂、丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟類樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等。在它們之中, 從加工性等角度考慮,特別優(yōu)選聚碳酸酯樹脂和烯烴樹脂。此外,支撐基板12由于未成為光束770的光路,所以不需要具有高的光透過性。第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層。 在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi),關(guān)于所屬于記錄再現(xiàn)層組的記錄再現(xiàn)層,從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè),各記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率(以下稱為層積反射率)減少。具體地說,第一記錄再現(xiàn)層組13A為具有LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的4層結(jié)構(gòu),第二記錄再現(xiàn)層組13B為具有L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的6層結(jié)構(gòu)。因此,在第一記錄再現(xiàn)層組13A中,最接近光入射面的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率最高,LO記錄再現(xiàn)層13A的層積反射率最低。同樣,在第二記錄再現(xiàn)層組13B中,最接近光入射面的L9 記錄再現(xiàn)層14J的層積反射率最高,L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率最低。
另外,該第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組1 隔著中間層而相鄰,關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組13A、13B,與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率相比較,在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率高。即,從光入射面?zhèn)纫来慰紤],從L9記錄再現(xiàn)層14J至L4記錄再現(xiàn)層14E,以層積順序使層積反射率依次下降,但在L3記錄再現(xiàn)層 14D,使層積反射率暫時轉(zhuǎn)為增加,然后再次按層積順序使層積反射率下降,直到LO記錄再現(xiàn)層14A為止。作為用于實現(xiàn)如上述那樣的層積反率的膜設(shè)計,LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J, 對應(yīng)于光學(xué)系統(tǒng)710中的藍(lán)色波長區(qū)域的光束770,使單層狀態(tài)的光反射率和吸收率等最優(yōu)化。具體地說,如圖3所示,關(guān)于位于遠(yuǎn)離光入射面一側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A,所屬于第一記錄再現(xiàn)層組13A的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D作為在單層狀態(tài)下的反射率 (以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率,作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說,第一單層反射率設(shè)定為1.9%,第一單層吸收率設(shè)定為6.5%。另外,關(guān)于位于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組13B,所屬于第二記錄再現(xiàn)層組1 的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J,設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說,第二單層反射率設(shè)定為1. 1%,第二單層吸收率設(shè)定為4. 5%。這樣,在本實施方式中,第一記錄再現(xiàn)層組13A的LO L3記錄再現(xiàn)層 14A 14D設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率,另外,第二記錄再現(xiàn)層組13B 的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果,第一記錄再現(xiàn)層組13A、第二記錄再現(xiàn)層組1 都從光入射面?zhèn)绕?,使層積反射率減少。 另外,與第二記錄再現(xiàn)層組13B相比較,第一記錄再現(xiàn)層組13A的單層反射率高,所以與L4 記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率相比較,L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率變高。采用該膜設(shè)計的結(jié)果,LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D能夠以彼此幾乎相同的膜材料以及膜厚形成,另外,L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J能夠以彼此幾乎相同的膜材料以及膜厚形成。由此,能夠大幅削減制造成本。此外,LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J分別為在寫一次型記錄膜的兩外側(cè)層積了電介質(zhì)膜等的3 5層結(jié)構(gòu)(省略圖示)。各記錄再現(xiàn)層的電介質(zhì)膜等除了具有保護寫一次型記錄膜這樣的基本功能外,還具有擴大形成記錄標(biāo)記前后的光學(xué)特性的差異或提高記錄靈敏度的作用。此外,在本實施方式中,例示了具有兩組記錄再現(xiàn)層組的結(jié)構(gòu),該兩組記錄再現(xiàn)層組分別具有連續(xù)的記錄再現(xiàn)層,且從光入射面?zhèn)乳_始使層積反射率依次下降,但是,具有至少兩組以上即可,優(yōu)選具有3組以上。此外,在照射光束770的情況下,若被電介質(zhì)膜吸收的能量大,則記錄靈敏度容易下降。因此,為了防止它,作為這些電介質(zhì)膜的材料,最好選擇在380nm 450nm(特別是 405nm)的波長區(qū)域具有低的吸收系數(shù)(k)的材料。此外,在本實施方式中,作為電介質(zhì)膜的材料,使用TiO2。被電介質(zhì)膜夾持的寫一次型記錄膜是形成不可逆的記錄標(biāo)記的膜,形成有記錄標(biāo)記的部分和除此以外的部分(空白區(qū)域),對光束770的反射率顯著不同。其結(jié)果,能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)。寫一次型記錄膜以含有Bi以及0的材料為主要成分而形成。該寫一次型記錄膜作為無機反應(yīng)膜發(fā)揮功能,反射率因由激光的熱而產(chǎn)生的化學(xué)上或者物理上的變化而顯著不同。作為具體的材料,優(yōu)選以Bi-O為主要成分或者以Bi-M-O(其中,M為Mg、Ca、Y、Dy、 Ce、Tb、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Zn、Al、In、Si、Ge、Sn、Sb、Li、Na、K、Sr、Ba、Sc、La、 Nd、Sm、Gd、Ho、Cr、Co、Ni、Cu、Ga、Pb中選擇的至少一種元素)為主要成分。此外,在本實施方式中,作為寫一次型記錄膜的材料,使用Bi-Ge-0。此外,在此示出了在LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J中采用寫一次型記錄膜的情況,但是,也能夠采用反復(fù)記錄的相變記錄膜。此時的相變記錄膜優(yōu)選為SbTeGe。如圖4所示,中間層組16從遠(yuǎn)離光入射面IOA —側(cè)開始依次具有第一 第九中間層16A 161。這些第一 第九中間層16A 161層積在LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J之間。各中間層16A 161由丙烯類或環(huán)氧類紫外線固化型樹脂構(gòu)成。該中間層16A 161 的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2。 具體地說,第一距離Tl和第二距離T2優(yōu)選具有3 μ m 5 μ m的差,更優(yōu)選具有4 μ m以上的差。在該多層光記錄介質(zhì)10中,第一距離Tl為12 μ m,第二距離T2為16 μ m,從里側(cè)開始依次為,第一中間層16A為12 μ m,第二中間層16B為16 μ m,第三中間層16C為12 μ m, 第四中間層16D為16μπι,第五中間層16Ε為12μπι,第六中間層16F為16 μ m,第七中間層16G為12 μ m,第八中間層16H為16 μ m,第九中間層161為12μπι。也就是說,兩種膜厚 (16μπι、12μπι)的中間層交替層積。詳細(xì)在后面敘述,但若這樣設(shè)置,能夠使層間串?dāng)_以及共焦串?dāng)_都降低。特別是在本實施方式中,位于第一記錄再現(xiàn)層組13Α和第二記錄再現(xiàn)層組1 之間的第四中間層16D設(shè)定為厚的膜厚的第二距離T2 (16 μ m)。因此,該第四中間層16D設(shè)定得比隔著L3記錄再現(xiàn)層14D相鄰的第二中間層16C和隔著L4記錄再現(xiàn)層14E相鄰的第五中間層16E的膜厚更厚。如已經(jīng)敘述那樣,在第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組1 之間相鄰的 L3記錄再現(xiàn)層14D和L4記錄再現(xiàn)層14E之間,里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D層積反射率高(逆轉(zhuǎn))。因此,在對外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層14E進(jìn)行再現(xiàn)時,由里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D反射的光容易漏入到再現(xiàn)光。因此,通過使位于第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B 之間的第四中間層16D的膜厚變大,從而能夠降低層間串?dāng)_。保護層11與中間層組16同樣,由光透過性的丙烯類的紫外線固化型樹脂構(gòu)成,并設(shè)定膜厚為50 μ m。接著,對該多層光記錄介質(zhì)10的制造方法進(jìn)行說明。首先,通過使用了金屬壓模的聚碳酸酯樹脂的射出成型法,制作形成有凹槽以及平臺的支撐基板12。此外,支撐基板 12的制作不限于射出成型法,也可以通過2P法或其他方法制作。然后,在支撐基板12中的設(shè)置有凹槽以及平臺的一側(cè)表面上形成LO記錄再現(xiàn)層 14A。具體地說,按電介質(zhì)膜、寫一次型記錄膜、電介質(zhì)膜的順序使用氣相生長法形成。優(yōu)選使用濺射法。然后,在LO記錄再現(xiàn)層14A之上形成第一中間層16A。第一中間層16A 如下形成,通過旋涂法等覆蓋調(diào)整了粘度的紫外線固化型樹脂,然后,向該紫外線固化性樹脂照射紫外線進(jìn)行固化。重復(fù)該順序,從而依次層積Ll記錄再現(xiàn)層14B、第二中間層16B、 L2記錄再現(xiàn)層14C、第三中間層16C···。直至L9記錄再現(xiàn)層14J完成后,在L9記錄再現(xiàn)層14J上形成保護層11,從而完成多層光記錄介質(zhì)10。此外,保護層11如下形成,例如通過旋涂法等覆蓋調(diào)整了粘度的丙烯類或環(huán)氧類的紫外線固化型樹脂,然后對其照射紫外線進(jìn)行固化。此外,在本實施方式中, 說明了上述制造方法,但本發(fā)明并不限于上述制造方法,也能夠采用其他的制造技術(shù)。接著,對該多層光記錄介質(zhì)10的作用進(jìn)行說明。該多層光記錄介質(zhì)10具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、13B,各自的記錄再現(xiàn)層的層積反射率從接近光入射面的外側(cè)向里側(cè)減少。進(jìn)而,關(guān)于該第一、第二記錄再現(xiàn)層組 13AU3B,與在第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率相比,在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率變
尚ο通過這樣,在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B中,各記錄再現(xiàn)層的層積反射率向里側(cè)依次降低,因此在特定的記錄再現(xiàn)層的再現(xiàn)中,能夠抑制與其在里側(cè)相鄰的記錄再現(xiàn)層的反射光漏入到再現(xiàn)光。其結(jié)果,由于能夠減小中間層的厚度,所以能夠增大記錄再現(xiàn)層組13A、 13B內(nèi)的記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)。另一方面,如圖19的參考例所示,若要對全部LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J從光入射面?zhèn)乳_始依次使層積反射率減少,則最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層14A的層積反射率之差過大,難以使疊層數(shù)增大。另外,例如,如圖20的參考例所示,若要對所有的LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J, 使層積反射率彼此近似,則需要凌亂地設(shè)定LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J的單層反射率和吸收率,使制造工序極其復(fù)雜化。結(jié)果,容易受到制造誤差的影響,需要具有包含誤差的余量的設(shè)計,難以使疊層數(shù)增大。因此,在本實施方式中,使LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J分組化為多個記錄再現(xiàn)組13A、13B,在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi),從接近光入射面的外側(cè)向里側(cè)使層積反射率依次降低,但關(guān)于在記錄再現(xiàn)層組13A、13B的邊界相鄰的L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D,里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率變高。結(jié)果,在第一記錄再現(xiàn)層組13A中, 以層積反射率設(shè)定得高的L3記錄再現(xiàn)層14D為基準(zhǔn),向里側(cè)使層積反射率依次降低,所以能夠減小最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層14A之間的層積反射率的差。具體地說,關(guān)于所有的LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J,其中最大的層積反射率在最小的層積反射率的5倍以內(nèi)。優(yōu)選在4倍以內(nèi),期望在3倍以內(nèi)。在此,雖然實際上層積了 10層,但小于3倍0.5倍以下)。另外,通過采用該層積結(jié)構(gòu),在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi),能夠?qū)臃e具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層,所以無需對每個記錄再現(xiàn)層設(shè)置各不相同的成膜條件,能夠大幅減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外,在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi),由于層積實質(zhì)上相同的記錄再現(xiàn)層,所以能夠減小記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)條件的偏差,能夠使記錄再現(xiàn)控制(記錄策略)簡潔化。順便說一下,若使單層反射率和單層吸收率不同的各種記錄再現(xiàn)層復(fù)雜地重合,則由于必須憑經(jīng)驗找到最佳的記錄再現(xiàn)控制,所以伴有相當(dāng)?shù)睦щy。另外,層積反射率逆轉(zhuǎn)的L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D之間,容易如上述那樣產(chǎn)生層間串?dāng)_,但是在本實施方式中,位于第一記錄再現(xiàn)群13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B之間的第四中間層16D設(shè)定為兩種膜厚的中間層中的厚的中間層即16μπι。因此,利用第四中間層16D的膜厚也能夠抑制層間串?dāng)_。進(jìn)而,在該多層光記錄介質(zhì)10中,具有第一膜厚(12μπι)的中間層和具有比第一膜厚更厚的第二膜厚(16 μ m)的中間層隔著記錄再現(xiàn)層14A 14J交替層積。另外,若利用如圖15 圖18所示那樣的共焦串?dāng)_現(xiàn)象進(jìn)行說明,則例如與光束70 相比較,通常作為多面反射光的光束71 73的光量小,但是由于以相等的光程和相等的光束直徑入射到光檢測器,所以由干涉產(chǎn)生的影響比較大。因此,由光檢測器接受的光量因微小的層間厚度的變化而顯著變動,所以難以檢測穩(wěn)定的信號。接著,對該多層光記錄介質(zhì)10的設(shè)計方法進(jìn)行說明。在多層光記錄介質(zhì)10中,交替使用兩種膜厚的中間層,該兩種膜厚在ΙΟμπι以上的范圍。由此能夠同時降低層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_的影響。另外,利用該兩種膜厚中的厚的中間層,還能夠降低在第一記錄再現(xiàn)層組13Α和第二記錄再現(xiàn)層組1 的邊界的層間串?dāng)_。因此,雖然考慮所屬于各記錄再現(xiàn)層組13A、13B的記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)和中間層的數(shù)目,來交替配置兩種中間層,但是位于記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B之間的中間層為膜厚厚的中間層。。對于接近光入射面?zhèn)鹊腖4記錄再現(xiàn)層14E L9記錄再現(xiàn)層14J,通過使用相同結(jié)構(gòu)的記錄再現(xiàn)層,來提高便利性。對于遠(yuǎn)離光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層14A L3記錄再現(xiàn)層 14D,與外側(cè)的6層相比較,單層反射率變高,但是該4層都使用相同結(jié)構(gòu)的記錄膜,能夠提高便利性。在層積相同結(jié)構(gòu)的記錄再現(xiàn)層的情況下,當(dāng)然,在所層積的狀態(tài)下從各記錄再現(xiàn)層向光檢測器732返回的反射光量,與記錄再現(xiàn)層的透過的平方成正比地從光入射面越向里側(cè)單調(diào)減少,而且,到達(dá)各記錄再現(xiàn)層的激光功率也與透過成正比地減少。對記錄再現(xiàn)層組的分組化的例子進(jìn)行說明。首先,對光入射面一側(cè)的記錄再現(xiàn)層設(shè)計特定的成膜條件(第二成膜條件),從光入射面?zhèn)乳_始依次進(jìn)行層積。該記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)增加到滿足特定條件為止,該特定條件是指,在向記錄再現(xiàn)層照射具有不會引起再現(xiàn)惡化程度的再現(xiàn)功率的光時,從各記錄再現(xiàn)層反射返回到光檢測器732的反射光量, 接近由評價裝置能夠處理的極限值,或者接近在記錄再現(xiàn)層上形成記錄標(biāo)記(記錄層的變性)所需的激光功率的極限值(即,記錄靈敏度的極限值)。并且,如果里側(cè)的記錄再現(xiàn)層達(dá)到這些反射光量和記錄靈敏度的極限值,則首先將這些記錄再現(xiàn)層作為記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。在本實施方式中,將L9記錄再現(xiàn)層14J L4記錄再現(xiàn)層14E作為第二記錄再現(xiàn)層組13B進(jìn)行分組化。接著,進(jìn)行相比第二記錄再現(xiàn)層組1 在里側(cè)層積的記錄再現(xiàn)層的設(shè)計。如果保持與第二記錄再現(xiàn)層組13B相同的成膜條件,就會超過上述反射光量和記錄靈敏度的極限值。因此,為了不超過它,設(shè)計單層狀態(tài)的反射率和吸收率變高的下一成膜條件(第一成膜條件)。將采用了該成膜條件的記錄再現(xiàn)層向里側(cè)依次層積。與上述第二記錄再現(xiàn)層組 13B同樣,記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)能夠增加到達(dá)到了評價裝置能夠處理的反射光量為止,或達(dá)到激光功率的極限值為止,或者達(dá)到成為目標(biāo)的疊層數(shù)為止。如果達(dá)到上述目的,則將這些記錄再現(xiàn)層作為記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。在本實施方式中,將L3記錄再現(xiàn)層14D LO記錄再現(xiàn)層14A作為第一記錄再現(xiàn)層組13A進(jìn)行分組化。此外,在第一實施方式中,目標(biāo)為 10層,所以分組化到第一記錄再現(xiàn)層組13A即可。詳細(xì)在后面敘述,但在以更多的疊層數(shù)為目標(biāo)的情況下,確定單層的狀態(tài)的反射率和吸收率變得更高那樣的新的成膜條件,進(jìn)一步向里側(cè)層積,對新的記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。其結(jié)果,若對記錄再現(xiàn)層的材料結(jié)構(gòu)發(fā)生切換的前后的記錄再現(xiàn)層、例如L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D進(jìn)行比較,則關(guān)于從各記錄再現(xiàn)層返回到光檢測器732的反射光量,相比L4記錄再現(xiàn)層14E,L3記錄再現(xiàn)層14D變高。另外,該反射光量之差與各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)的以相同的成膜條件構(gòu)成的記錄再現(xiàn)層彼此之間的差相比變大。 增大記錄再現(xiàn)層的材料結(jié)構(gòu)發(fā)生切換的前后的記錄再現(xiàn)層的反射光量差,會導(dǎo)致在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A中,能夠?qū)Χ鄠€記錄再現(xiàn)層進(jìn)行分組化。另一方面,在反射光量低的 L4記錄再現(xiàn)層14E中,因從單層反射率以及向光檢測器732的返回光量大的L3記錄再現(xiàn)層 14D接受的層間雜散光,對信號品質(zhì)和伺服特性的影響顯著變大。因此,上述反射光量的差小于光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組13B內(nèi)的最大層積反射率和最小層積反射率的差也很重要。另外,在本實施方式中,預(yù)先考慮到層間串?dāng)_,所以將兩種中間層的膜厚內(nèi)的厚的膜厚即16 μ m的中間層配置在L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D之間。接著,對本發(fā)明的第二實施方式的多層光記錄介質(zhì)110,參照圖5以及圖6進(jìn)行說明。此外,對于在以下的說明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記,通過使后兩位與在第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)的說明中使用的附圖標(biāo)記一致,從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)110從光入射面的里側(cè)開始依次層積16層記錄再現(xiàn)層即LO L15記錄再現(xiàn)層114A 114P。另外,在這些LO L15記錄再現(xiàn)層114A 114P之間,層積第一 第十五中間層116A 1160。進(jìn)而,該多層光記錄介質(zhì)110具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組113A、113B。第一、第二記錄再現(xiàn)層組113A、li;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層,從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè),各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。具體地說,第一記錄再現(xiàn)層組113A為具有LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E的5 層結(jié)構(gòu),第二記錄再現(xiàn)層組113B為具有L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114的11層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組113A和第二記錄再現(xiàn)層組11 隔著中間層而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組113A、113B,與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組11 中位于最里側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層114F的層積反射率相比較,在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組113A中位于最外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層114E的層積反射率高。作為用于實現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計,所屬于第一記錄再現(xiàn)層組113A的LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率,作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說,第一單層反射率設(shè)定為1.5%,第一單層吸收率設(shè)定為6.9%。另外,關(guān)于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組113B,所屬于第二記錄再現(xiàn)層組 113B的L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114P設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說,第二單層反射率設(shè)定為0. 7%,第二單層吸收率設(shè)定為4.5%。這樣,在本實施方式中,第一記錄再現(xiàn)層組113A的LO L4記錄再現(xiàn)層114A
11114E設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率,另外,第二記錄再現(xiàn)層組11 的 L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114P設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果,第一記錄再現(xiàn)層組113A、第二記錄再現(xiàn)層組11 都從光入射面?zhèn)纫来问箤臃e反射率下降。與第二記錄再現(xiàn)層組113B相比較,第一記錄再現(xiàn)層組113A的單層反射率高,所以與 L5記錄再現(xiàn)層114F的層積反射率相比較,L4記錄再現(xiàn)層114E的層積反射率變高。中間層116A 1160的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3μπι以上的第二距離Τ2(16μπι)。在該多層光記錄介質(zhì)110中,從里側(cè)開始依次為,第一中間層116Α為16 μ m,第二中間層116B為12 μ m,第三中間層116C為16μπι,第四中間層116D為12 μ m,第五中間層116E為16 μ m,第六中間層116F為12 μ m、···,兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而,在第二實施方式中,位于第一記錄再現(xiàn)層組113A和第二記錄再現(xiàn)層組11 之間的第五中間層116E設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μπι)。因此,該第五中間層116Ε 設(shè)定為,比隔著L4記錄再現(xiàn)層114Ε或者L5記錄再現(xiàn)層114F在兩側(cè)相鄰的第四中間層 116D、第六中間層116F的膜厚厚。如已經(jīng)敘述那樣,在L4記錄再現(xiàn)層114Ε和L5記錄再現(xiàn)層114F之間,由于里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層114Ε的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn)),所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此,增大位于L4記錄再現(xiàn)層114Ε和L5記錄再現(xiàn)層114F之間的第五中間層 116Ε的膜厚,來使層間串?dāng)_降低。在該第二實施方式中,最接近光入射面的L15記錄再現(xiàn)層114Ρ和最遠(yuǎn)離光入射面的LO記錄再現(xiàn)層114Α的層積反射率之差變小。具體地說,關(guān)于所有LO L15記錄再現(xiàn)層 114Α 114Ρ,其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5倍以內(nèi)。優(yōu)選為4倍以內(nèi), 期望在3倍以內(nèi)。實際上,雖然為16層結(jié)構(gòu),但小于4倍。另外,通過采用該層積結(jié)構(gòu),在各記錄再現(xiàn)層組113Α、113Β內(nèi),能夠?qū)盈B具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層,所以能夠大幅減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外,由于在各記錄再現(xiàn)層組113Α、113Β內(nèi),層積幾乎相同特性的記錄再現(xiàn)層,所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小,能夠使記錄再現(xiàn)控制簡潔化。接著,針對本發(fā)明的第三實施方式的多層光記錄介質(zhì)210,參照圖7以及圖8進(jìn)行說明。此外,對于在以下的說明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記,使后兩位與在第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)的說明中使用的附圖標(biāo)記一致,從而省略剖面結(jié)構(gòu)等圖示。該多層光記錄介質(zhì)210從光入射面的里側(cè)開始依次層積有20層記錄再現(xiàn)層即 LO L19記錄再現(xiàn)層214Α 214Τ。另外,在這些LO L19記錄再現(xiàn)層214Α 214Τ之間層積有第一 第十九中間層216Α 216S。進(jìn)而,該多層光記錄介質(zhì)210具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組213Α、213Β。第一、第二記錄再現(xiàn)層組213Α、2 ;3Β分別具有以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層。從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè),各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。具體地說,第一記錄再現(xiàn)層組213Α為具有LO L5記錄再現(xiàn)層214Α 214F的6 層結(jié)構(gòu),第二記錄再現(xiàn)層組21 為具有L6 L19記錄再現(xiàn)層214G 214T的14層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組213A和第二記錄再現(xiàn)層組21 隔著中間層而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組213A、213B,與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組21 中位于最里側(cè)的L6記錄再現(xiàn)層214G的層積反射率相比較,在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組213A中位于最外側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率高。作為用于實現(xiàn)該層積反射率的膜設(shè)計,所屬于第一記錄再現(xiàn)層組213A的LO L5 記錄再現(xiàn)層214A 214F作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率,作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。 具體地說,第一單層反射率設(shè)定為1. 7 %,第一單層吸收率設(shè)定為6. 9%。另外,關(guān)于位于光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組213B,所屬于第二記錄再現(xiàn)層組 213B的L6 L19記錄再現(xiàn)層214G 214T設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說,第二單層反射率設(shè)定為0. 7%,第二單層吸收率設(shè)定為3. 7%。這樣,在本實施方式中,在第一、第二記錄再現(xiàn)層組213A、2i;3B的各組內(nèi),設(shè)定為大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果,第一記錄再現(xiàn)層組213A、第二記錄再現(xiàn)層組21 都從光入射面?zhèn)乳_始依次使層積反射率下降。另外,與第二記錄再現(xiàn)層組 213B相比較,第一記錄再現(xiàn)層組213A的單層反射率高,所以與L6記錄再現(xiàn)層214G的層積反射率相比較,L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率變高。中間層216A 216S的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。在該多層光記錄介質(zhì)210中,從里側(cè)開始依次為,第一中間層216A為12 μ m,第二中間層216B為16 μ m,第三中間層216C為12μπι,第四中間層216D為16μm,第五中間層216E為12 μ m,第六中間層216F為16 μ m、···,兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而,在第三實施方式中,位于第一記錄再現(xiàn)層組213A和第二記錄再現(xiàn)層組21 之間的第六中間層216F設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μ m),如已經(jīng)敘述那樣,L5記錄再現(xiàn)層214F和L6記錄再現(xiàn)層214G之間,里側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率變高 (逆轉(zhuǎn)),所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此,通過增大位于L5記錄再現(xiàn)層214F和L6記錄再現(xiàn)層214G之間的第六中間層216F的膜厚,來降低層間串?dāng)_。在第三實施方式中,能夠減小最接近光入射面?zhèn)鹊腖19記錄再現(xiàn)層214T和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層214A的層積反射率之差。具體地說,對于所有LO L19記錄再現(xiàn)層214A 214T,其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5倍以內(nèi)。優(yōu)選在4倍以內(nèi),期望在3倍以內(nèi)。實際上,雖然為20層結(jié)構(gòu),但小于4倍。另外,通過采用該層積結(jié)構(gòu),從而在各記錄再現(xiàn)層組213A、213B內(nèi),由于層積具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層,所以能夠大幅減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外,在各記錄再現(xiàn)層組213A、213B內(nèi),層積大致同樣的記錄再現(xiàn)層,所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小,能夠使記錄再現(xiàn)控制簡潔化。接著,針對本發(fā)明的第四實施方式的多層光記錄介質(zhì)310,參照圖9以及圖10進(jìn)行說明。此外,對于在以下的說明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記,使后兩位與在第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)的說明中使用的附圖標(biāo)記一致,從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)310從光入射面的里側(cè)開始依次層積20層記錄再現(xiàn)層即LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T。另外,在這些LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T之間,層積有第一 第十九中間層316A 316S。進(jìn)而,該多層光記錄介質(zhì)310具有第一、第二、第三記錄再現(xiàn)層組313A、313B、 313C。第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A 313C分別具有以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層,從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè),使各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。具體地說,第一記錄再現(xiàn)層組313A為具有LO L3記錄再現(xiàn)層314A 314D的4 層結(jié)構(gòu),第二記錄再現(xiàn)層組31 為具有L4 L9記錄再現(xiàn)層314E 314J的6層結(jié)構(gòu),第三記錄再現(xiàn)層組313C為具有LlO L19記錄再現(xiàn)層314K 314T的10層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組313A和第二記錄再現(xiàn)層組31 隔著第四中間層316D而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組313A、313B,與接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組 313B中位于最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層314E的層積反射率相比較,在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組313A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層314D的層積反射率高。另外,第二記錄再現(xiàn)層組 313B和第三記錄再現(xiàn)層組313C隔著第十中間層316J而相鄰,關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組 3i;3B、313C,與在接近光入射面的外側(cè)的第三記錄再現(xiàn)層組313C中位于最里側(cè)的LlO記錄再現(xiàn)層314K的層積反射率相比較,在里側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組31 中位于最外側(cè)的L9記錄再現(xiàn)層314J的層積反射率高。此外,作用用于實現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計,所屬于第一記錄再現(xiàn)層組313A的 LO L3記錄再現(xiàn)層314A 314D作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率,作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)有設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說,第一單層反射率設(shè)定為1.6%,第一單層吸收率設(shè)定為6.9%。另夕卜,關(guān)于第二記錄再現(xiàn)層組313B,所屬于第二記錄再現(xiàn)層組31 的L4 L9記錄再現(xiàn)層 314E 314J,設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說,第二單層反射率設(shè)定為0.9%,第二單層吸收率設(shè)定為4.4%。進(jìn)而,關(guān)于第三記錄再現(xiàn)層組313C,所屬于第三記錄再現(xiàn)層組313C的LlO L19記錄再現(xiàn)層 314K 314T,設(shè)定有比第二單層反射率和第二單層吸收率小的第三單層反射率和第三單層吸收率。具體地說,第三單層反射率設(shè)定為0. 5%,第三單層吸收率設(shè)定為3. 0%。這樣,在本實施方式中,在各第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A 313C的組內(nèi)設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果,在各記錄再現(xiàn)層組313A 313C內(nèi),從光入射面?zhèn)乳_始使層積反射率依次降低。另外,與第三記錄再現(xiàn)層組313C相比較,第二記錄再現(xiàn)層組31 的單層反射率設(shè)定得高,而且,與第二記錄再現(xiàn)層組31 相比較,第一記錄再現(xiàn)層組313A的單層反射率設(shè)定得高,所以在記錄再現(xiàn)層組313A 313C的邊界部分,與外側(cè)的層積反射率相比較,里側(cè)的層積反射率高。另外,中間層316A 316S的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。在該多層光記錄介質(zhì)310中,從里側(cè)開始依次為,第一中間層316A為12 4 111,第二中間層3168為16 μ m,第三中間層316C為12 μ m, 第四中間層316D為16μm,第五中間層316E為12 μ m,第六中間層316F為16 μ m、···,兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而,在本實施方式中,位于第一記錄再現(xiàn)層組313A和第二記錄再現(xiàn)層組31 之間的第四中間層316D設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μπι)。另外,位于第二記錄再現(xiàn)層組31 和第三記錄再現(xiàn)層組313C之間的第十中間層316J也設(shè)定為厚的膜厚的第二距離 T2 (16 μ m)。為了實現(xiàn)它,優(yōu)選除了位于最里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組313A和最接近外側(cè)的第三記錄再現(xiàn)層組313C外,位于中間的第二記錄再現(xiàn)層組31 的疊層數(shù)為偶數(shù)(在本實施方式中為6層)。如已經(jīng)敘述那樣,在L3記錄再現(xiàn)層314D和L4記錄再現(xiàn)層314E之間,里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層314D的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn)),所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。同樣,在L9記錄再現(xiàn)層314J和LlO記錄再現(xiàn)層314K之間,里側(cè)的L9記錄再現(xiàn)層314J的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn)),所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此,通過增大位于L3記錄再現(xiàn)層314D和L4記錄再現(xiàn)層 314E之間的第四中間層316D和位于L9記錄再現(xiàn)層314J和LlO記錄再現(xiàn)層314K之間的第十中間層316J的膜厚,能夠積極地降低層間串?dāng)_。特別在實施方式中,雖然層積了 20層,但能夠減小最接近光入射面的L19記錄再現(xiàn)層314T和最遠(yuǎn)離光入射面的LO記錄再現(xiàn)層314A的層積反射率之差。具體地說,關(guān)于所有的LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T,其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5 倍以內(nèi)。優(yōu)選在4倍以內(nèi),期望在3倍以內(nèi)。特別是由于使記錄再現(xiàn)層組為三組,所以雖然為20層結(jié)構(gòu),但小于3倍。另外,通過采用該層積結(jié)構(gòu),在各記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C內(nèi),由于層積具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層,所以能夠大幅減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外,由于在各記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C內(nèi)層積大致同樣的記錄再現(xiàn)層,所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小,能夠使記錄再現(xiàn)控制簡潔化。接著,針對本發(fā)明的第五實施方式的多層光記錄介質(zhì)410,參照圖11進(jìn)行說明。此夕卜,對于在以下的說明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記,使后兩位與在第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)的說明中使用的附圖標(biāo)記一致,從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)410從光入射面的里側(cè)開始依次層積16層記錄再現(xiàn)層即LO L15記錄再現(xiàn)層414A 414P。另外,在這些LO L15記錄再現(xiàn)層414A 414P之間,層積有第一 第十五中間層416A 4160。進(jìn)而,該多層光記錄介質(zhì)410具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組413A、413B。第一、第二記錄再現(xiàn)層組413A、4i;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層,從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè),使各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。具體地說,第一記錄再現(xiàn)層組413A為具有LO L4記錄再現(xiàn)層414A 414E的5 層結(jié)構(gòu),第二記錄再現(xiàn)層組41 為具有L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P的11層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組413A和第二記錄再現(xiàn)層組41 隔著中間層而相鄰,但關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組413A、413B,與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組41 中位于最里側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層414F的層積反射率相比較,在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組413A中位于最外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率高。此外,雖然沒有特別圖示,但是作為用于實現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計,所屬于第一記錄再現(xiàn)層組413A的LO L4記錄再現(xiàn)層 414A 414E的單層反射率設(shè)定為1. 5%,單層吸收率設(shè)定為6. 9%。另外,關(guān)于位于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組413B,所屬于第二記錄再現(xiàn)層組41 的L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P的單層反射率設(shè)定為0. 7%,單層吸收率設(shè)定為4. 5%。這樣,在本實施方式中,第一記錄再現(xiàn)層組413A的LO L4記錄再現(xiàn)層414A 414E設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率,另外,第二記錄再現(xiàn)層組41 的 L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果,第一記錄再現(xiàn)層組413A、第二記錄再現(xiàn)層組41 都從光入射面?zhèn)乳_始依次使層積反射
15率下降。與第二記錄再現(xiàn)層組41 相比較,第一記錄再現(xiàn)層組413A的單層反射率高,所以與L5記錄再現(xiàn)層414F的層積反射率相比較,L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率高。中間層416A 4160的膜厚采用IOym以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。特別在該多層光記錄介質(zhì)410中,僅是位于第一記錄再現(xiàn)層組413A和第二記錄再現(xiàn)層組41 之間的第五中間層416E,設(shè)定為厚的膜厚的第二距離T2 (16 μ m)。其他中間層的膜厚設(shè)定為第一距離Tl (12 μ m)。即,各記錄再現(xiàn)層組413A、4i;3B的內(nèi)部的中間層的膜厚全部統(tǒng)一為12 μ m。結(jié)果,第五中間層416E的膜厚設(shè)定得大于隔著L4記錄再現(xiàn)層414E或者L5記錄再現(xiàn)層414F在兩側(cè)相鄰的第四中間層416D以及第六中間層416F。如已經(jīng)敘述那樣,在L4 記錄再現(xiàn)層414E和L5記錄再現(xiàn)層414F之間,由于里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn)),所以容易發(fā)生層間串?dāng)_。因此,通過增大位于L4記錄再現(xiàn)層414E和L5記錄再現(xiàn)層414F之間的第五中間層416E的膜厚,來使層間串?dāng)_降低?!磳嵤├约氨容^例〉關(guān)于第一實施方式的多層光記錄介質(zhì)10 (管理記號B/2Block型),使構(gòu)成外側(cè)6 層的記錄膜在單層狀態(tài)下的反射率為0. 7%,吸收率為4. 5%,使構(gòu)成里側(cè)4層的記錄膜在單層狀態(tài)下的反射率為1.4%,吸收率為6.5%,以此來進(jìn)行制造。在圖12中示出該實施例的多層光記錄介質(zhì)的層積反射率、層積吸收率的狀態(tài)。對于該多層光記錄介質(zhì)10,使用光讀寫頭90 —邊控制記錄功率一邊記錄信息,對其再現(xiàn)光進(jìn)行了評價。另一方面,對于作為比較例的多層光記錄介質(zhì)(管理記號A/Normal型),如以往那樣,以層積狀態(tài)下的返回到光檢測器732的反射光量和到達(dá)各記錄再現(xiàn)層的激光功率在各記錄再現(xiàn)層幾乎同樣的方式,來設(shè)計各記錄再現(xiàn)層。此外,該比較例的層積反射率、層積吸收率的狀態(tài)設(shè)定為與圖M所示的相同,中間層的結(jié)構(gòu)與上述實施例相同。此外,作為光讀寫頭90的記錄功率條件,在實施例中,在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B 內(nèi),控制為從外側(cè)越向里側(cè),越使記錄功率增加。另一方面,從第二記錄再現(xiàn)層組13B向第一記錄再現(xiàn)層組13A切換時,使記錄功率減少。具體地說,關(guān)于第二記錄再現(xiàn)層組13B,以最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J的記錄功率設(shè)定為22. OmW,最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層 14E為30. Omff的方式,依次使記錄功率增加。另一方面,在第一記錄再現(xiàn)層組13A中,以最接近光入射面的L3記錄再現(xiàn)層14D設(shè)定為比L4記錄再現(xiàn)層14E的記錄功率小的22. 5mff, 最里側(cè)的LO記錄再現(xiàn)層14A為30. Omff的方式,依次使記錄功率增加。即,記錄功率的關(guān)系與記錄再現(xiàn)層組14的層積反射率相反。另外,記錄信號的線密度為25GB,記錄速度為 BDlX (36Mbps)。此外,在比較例的多層光記錄介質(zhì)中,與各記錄再現(xiàn)層的特性相配合,適當(dāng)控制為大致相同的記錄功率。在圖13中示出在實施例和比較例以相同的再現(xiàn)功率3. OmW對這樣記錄的信號進(jìn)行再現(xiàn)時的再現(xiàn)信號的評價結(jié)果。從該結(jié)果可知,得到在實施例的多層光記錄介質(zhì)10和比較例的多層光記錄介質(zhì)中,關(guān)于Jitter (抖動率)能夠得到毫無遜色的結(jié)果。特別可知,位于各記錄再現(xiàn)層組13A、 13B的邊界的L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D也能夠得到耐得住實用的信號品質(zhì)。特別是關(guān)于L4記錄再現(xiàn)層14E,如在設(shè)計方法中說明那樣,實質(zhì)上使層積反射率下降到接近可評價的下限為止,所以反射光量少。盡管如此,但聚焦、循跡伺服穩(wěn)定,包含Jitter在內(nèi)的信號特性與其他記錄再現(xiàn)層相比較也沒有出現(xiàn)大幅惡化。另外可知,關(guān)于光入射面的里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組(L0 L3記錄再現(xiàn)層14A 14D),相比比較例,實施例的信號品質(zhì)變得良好。接著,關(guān)于該實施例和比較例,針對共焦串?dāng)_的影響最顯著的最里側(cè)的LO記錄再現(xiàn)層14A,在圖14中示出記錄了 1周(圈)時的信號照片。在比較例的照片(A-LO)中,觀測到在1周的記錄信號中由共焦串?dāng)_引起的反射率的變動顯著。因此,從圖13的曲線圖也可知,在比較例中LO記錄再現(xiàn)層的Jitter特性惡化。另一方面,從實施例的照片(B-LO)可知,在LO記錄再現(xiàn)層14A大幅抑制如在比較例觀測到那樣的反射率變動。特別從圖13的曲線圖也可知,雖然向光檢測器732的反射光量小,但以相同的再現(xiàn)功率,Jitter特性得以改善。以上,在本實施方式中,說明了記錄再現(xiàn)層為10 20層,并由相同特性的記錄再現(xiàn)層構(gòu)成的記錄再現(xiàn)層組為2 3組的情況,但本發(fā)明并不限于此。在記錄再現(xiàn)層為8層以上的情況下,通過應(yīng)用本發(fā)明,能夠大幅減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)。此時,至少一個記錄再現(xiàn)層組(特別是最接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組)具有4層以上的記錄再現(xiàn)層,而能夠使疊層數(shù)增大。 另外,關(guān)于至少兩個記錄再現(xiàn)層組(特別是最接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組和第二接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組),都優(yōu)選具有3層以上的記錄再現(xiàn)層。另外,在本發(fā)明中,只要評價機的限制、例如球面象差補正范圍、激光功率等允許, 就能夠增加記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù),進(jìn)而,根據(jù)評價機上的限制,也能夠使記錄再現(xiàn)層組的數(shù)目增加到4組以上。進(jìn)而,在本實施方式中,示出了采用兩種膜厚的中間層的情況,但本發(fā)明并不限于此,只要適當(dāng)設(shè)定中間層的厚度即可。例如,只要反射率變動的影響在評價機允許的范圍, 也可以在記錄再現(xiàn)層組內(nèi)不交替設(shè)置而使中間層的膜厚相同(參照第五實施方式)。在該情況下,為了降低切換位置的層間雜散光的影響,期望僅在記錄再現(xiàn)層組切換的位置將中間層的膜厚設(shè)定得大。進(jìn)而,在作為中間層設(shè)定有多個膜厚的情況下,優(yōu)選將其中的最大的膜厚設(shè)定為配置在記錄再現(xiàn)層組之間的中間層的膜厚。此外,已經(jīng)在第四實施方式進(jìn)行了說明,但在交替配置兩種膜厚的中間層的情況下,在構(gòu)成三組以上的記錄再現(xiàn)層組時,就在第二接近入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組和位于其之后的記錄再現(xiàn)層組中至少除了最遠(yuǎn)離入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組以外的各記錄再現(xiàn)層組而言,各自的記錄再現(xiàn)層數(shù)優(yōu)選為偶數(shù)層。這樣,能夠使記錄再現(xiàn)層組被切換的中間層的膜厚總是為厚的膜厚。此外,本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)并不限于上述的實施方式,在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi),能夠進(jìn)行各種變更。本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)能夠應(yīng)用于各種規(guī)格的光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種多層光記錄介質(zhì),隔著中間層來層積至少8層以上的記錄再現(xiàn)層,該記錄再現(xiàn)層能夠通過照射光來再現(xiàn)信息,其特征在于,具有至少兩組以上的記錄再現(xiàn)層組,該記錄再現(xiàn)層組由以層積順序連續(xù)的多個所述記錄再現(xiàn)層構(gòu)成,并且在該記錄再現(xiàn)層組中,層積狀態(tài)的反射率從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)減少,在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中,與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率相比較,在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率更高。
2.如權(quán)利要求1所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于,配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間的所述中間層的膜厚設(shè)定為,比隔著所述記錄再現(xiàn)層在兩側(cè)相鄰的其他中間層的膜厚更厚。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于, 所述中間層設(shè)定有多個膜厚,配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間的所述中間層的膜厚設(shè)定為所述多個膜厚中的最大膜厚。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于,配置在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)的所述中間層構(gòu)成為在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)具有大致相同的膜厚。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于,隔著所述記錄再現(xiàn)層,交替層積有具有第一膜厚的第一中間層和具有比所述第一膜厚更厚的第二膜厚的第二中間層。
6.如權(quán)利要求5所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于, 所述第二中間層配置在相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組之間。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于, 具有3組以上的所述記錄再現(xiàn)層組,除了最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組以及最里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組以外的剩余的所述記錄再現(xiàn)層組具有偶數(shù)層的所述記錄再現(xiàn)層。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于, 具有兩組所述記錄再現(xiàn)層組。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于, 至少一個所述記錄再現(xiàn)層組具有4層以上的所述記錄再現(xiàn)層。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項所述的多層光記錄介質(zhì),其特征在于,用于構(gòu)成距光入射面?zhèn)茸钸h(yuǎn)的所述記錄再現(xiàn)層組的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目在4層以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層光記錄介質(zhì),抑制層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_,并使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計簡潔化。另外,還實現(xiàn)記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制的簡潔化。在層積8層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中,具有至少2組以上的記錄再現(xiàn)層組(13A、13B)。各記錄再現(xiàn)層組(13A、13B)由以層積順序連續(xù)的多個記錄再現(xiàn)層構(gòu)成,層積狀態(tài)的反射率從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)減少。另外,在相鄰的記錄再現(xiàn)層組(13A、13B)中,與在光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組(13B)中位于最里側(cè)的記錄再現(xiàn)層(14E)的層積狀態(tài)的反射率相比較,在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組(13A)中位于最外側(cè)的記錄再現(xiàn)層(14D)的層積狀態(tài)的反射率高。
文檔編號G11B7/242GK102456369SQ201110328418
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者丑田智樹, 井上素宏, 小須田敦子, 平田秀樹, 菊川隆 申請人:Tdk股份有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
东城区| 定州市| 贵港市| 衡南县| 瑞丽市| 高陵县| 北海市| 红桥区| 临泉县| 桂阳县| 芦溪县| 郸城县| 集安市| 泽州县| 射洪县| 清徐县| 遂川县| 顺昌县| 古交市| 宜良县| 壶关县| 光泽县| 浮梁县| 仲巴县| 鱼台县| 明星| 保德县| 合阳县| 西城区| 镇江市| 洮南市| 正定县| 潜江市| 买车| 崇仁县| 普定县| 张掖市| 万宁市| 外汇| 大名县| 周宁县|