專利名稱：磁頭的測量方法及其測量裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭的測量方法及其測量裝置，尤其涉及磁頭的被釘扎層的被釘扎方向傾斜角的測量方法，以及磁頭的自由層的磁化方向傾斜角的測量方法及其測量裝置。
背景技術(shù)：
包含多個(gè)旋轉(zhuǎn)磁盤的硬盤驅(qū)動器被普遍用來將數(shù)據(jù)存儲在其磁盤表面的磁性媒介上，而包含讀傳感器的可移動磁頭用作從磁盤表面的磁軌上讀取數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的用于磁頭滑塊的磁頭一般包括用于從磁盤讀取數(shù)據(jù)的讀頭以及向磁盤寫入數(shù)據(jù)的寫頭。當(dāng)前，讀傳感器采用磁阻(magnetoresistive, MR)傳感器,其相較薄膜誘導(dǎo)型磁頭具有能夠以更大磁軌和線性密度從磁盤表面上讀取數(shù)據(jù)的能力，因而成為主流的讀傳感器。因此，磁頭的讀頭通常由一個(gè)MR讀頭構(gòu)成，例如有電流垂直平面型(CurrentPerpendicular to Plane, CPP)、電流在平面內(nèi)型(Current In Plane, CIP)、隧道磁電阻(tunnel magnetoresistive, TMR)、巨磁電阻(giant magnetoresistive, GMR)或各向異性磁阻(anisotropic magnetoresistive, AMR)等讀頭。例如，圖1展示了一種具有CPP-TMR讀頭210和寫頭220的傳統(tǒng)磁頭200。該磁頭200包括襯底本體201、空氣承載面(air bearing surface, ABS) 202以及與ABS 202相對的底面(圖未示)、尾邊203以及與該尾邊203相對的前邊(圖未示)。該ABS 202被加工至合適的飛行高度。讀頭210和寫頭220形成于尾邊203上。如圖2a所示，該讀頭210包括襯底層214、兩屏蔽層211、212以及層夾于兩屏蔽層211、212之間的MR元件(圖未標(biāo)示)。如圖所示,該MR元件為一標(biāo)準(zhǔn)的MR元件,其包括釘扎層(或反鐵磁性(antiferromagnetic, AFM)層)236,兩合成的被釘扎層231、234,隧道勢壘層235、自由層237以及蓋帽層232。該讀頭210還包括放置于MR元件兩側(cè)的一對硬磁層238和一絕緣層239，該硬磁層238形成在緩沖層216上，用于縱向偏壓自由層237的磁性；絕緣層239用于將硬磁層238從自由層237及MR元件的其他層中分隔獨(dú)立開來。請?jiān)俅螀⒖紙D2a，具體地，該硬磁層238具有一個(gè)磁方向258，該磁方向258的朝向大致平行于ABS 202 (如圖1所示)。被釘扎層231具有一個(gè)被釘扎方向254，以防其因施加的磁場而在一定范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)。理想情況下，該被釘扎方向254應(yīng)垂直于ABS 202以獲最佳性能，該方向被稱為標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向。自由層237自包含一種鐵磁質(zhì),并具有一個(gè)響應(yīng)外部磁場而改變的磁化方向256。同樣在理想情況下，在沒有施加外部磁場時(shí)，該磁化方向256的朝向平行于ABS202，該方向被稱為標(biāo)準(zhǔn)磁化方向。換言之，理想情況下，被釘扎層231的標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向254垂直于自由層237的標(biāo)準(zhǔn)磁化方向256。然而，在此磁頭的實(shí)際應(yīng)用中，由于內(nèi)部和外部因素的影響，被釘扎層231的實(shí)際被釘扎方向254’往往偏移標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向254,而自由層237的實(shí)際磁化方向256’也偏移標(biāo)準(zhǔn)磁化方向256。如圖2b所不,實(shí)際的被釘扎方向254’從標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向254傾斜,并與其成一角度Θ I ;實(shí)際的磁化方向256’從標(biāo)準(zhǔn)磁化方向256傾斜,并與實(shí)際的被釘扎方向254’成一角度Θ2。顯然，因傾斜角的存在會帶來不穩(wěn)定性能，因此制造商并不希望磁頭產(chǎn)品出現(xiàn)上述的傾斜角。然而，目前并未有準(zhǔn)確測量出上述的實(shí)際傾斜角Θ1、Θ2的方法。因此，對技術(shù)人員而言，在不知道傾斜角的情況下很難測試被釘扎層和自由層的不穩(wěn)定性能，相應(yīng)地，也難于對由傾斜角所帶來的缺陷進(jìn)行補(bǔ)救或改善。更甚，傾斜角嚴(yán)重的磁頭有可能因此而被舍棄。因此，亟待一種改進(jìn)的磁頭的測量方法以測量上述的傾斜角，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種磁頭的測量方法，其能夠測量出被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向從標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向傾斜的被釘扎方向傾斜角；再且，該測量方法易于執(zhí)行，且測
量結(jié)果精確。相應(yīng)地，本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁頭的測量方法，其能夠測量出被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向從標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向傾斜的被釘扎方向傾斜角，以及測量出自由層的實(shí)際磁化方向從標(biāo)準(zhǔn)磁化方向傾斜的磁化方向傾斜角。相應(yīng)地，本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種磁頭的測量方法，其能夠測量出被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向從標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向傾斜的被釘扎方向傾斜角；再且，該測量方法易于執(zhí)行，且測量結(jié)果精確。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供一種磁頭的測量方法，其包括以下步驟:(a)將所述磁頭放置于正常位置，定義第一方向和第二方向，所述第一方向平行于所述磁頭的空氣承載面和兩屏蔽層，所述第二方向垂直于所述空氣承載面；(b)傾斜所述磁頭以使其與所述第二方向成一角度，以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，并測量出第一輸出參數(shù)曲線；(C)以不同角度重復(fù)步驟(b)，并測量出多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；(d)根據(jù)多個(gè)所述第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從所述第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率；以及(e)根據(jù)多個(gè)所述被釘扎方向傾斜率計(jì)算所述被釘扎層從所述第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述步驟(b)進(jìn)一步包括以下子步驟:(bl)從OOe至+15k0e逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第一曲線部分；(b2)從+15k0e至OOe逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分；(b3)從OOe至_15k0e逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第三曲線部分；以及(b4)從_15k0e至OOe逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第四曲線部分。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(e)后還包括以下步驟:(f)傾斜所述磁頭以使所述被釘扎方向平行于所述第一方向，以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第二磁場，并測量出第二輸出參數(shù)曲線；
(g)在所述第二輸出參數(shù)曲線上檢測多個(gè)最大輸出振幅，以計(jì)算磁頭的自由層的磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率；以及(h)根據(jù)所述磁化方向傾斜率計(jì)算所述磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化反向傾斜角。相應(yīng)地，本發(fā)明提供一種磁頭的測量裝置，包括:調(diào)節(jié)設(shè)備，用于傾斜所述磁頭以使其與第二方向成一角度，所述第二方向垂直于所述磁頭的空氣承載面；磁場施加設(shè)備，用于以第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，所述第一方向平行于所述磁頭的空氣承載面和兩屏蔽層；測量設(shè)備，用于在多個(gè)所述第一磁場的施加下測量多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；以及計(jì)算設(shè)備，用于根據(jù)所述第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從所述第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率，并根據(jù)多個(gè)所述被釘扎方向傾斜率計(jì)算所述被釘扎層從所述第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述調(diào)節(jié)設(shè)備還用于傾斜所述磁頭以使所述被釘扎層平行于所述第一方向，所述磁場施加設(shè)備還用于以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第二磁場，所述測量設(shè)備還用于在所述第二磁場的施加下測量第二輸出參數(shù)曲線，所述計(jì)算設(shè)備還用于根據(jù)所述第二輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的自由層的磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能夠測量出被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向從第二方向(標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向)處傾斜的被釘扎層傾斜角，并測量出自由層的實(shí)際磁化方向從實(shí)際被釘扎方向處傾斜的磁化方向傾斜角。因此，生產(chǎn)制造商能夠通過這些傾斜角去了解磁頭的性能，繼而能在磁頭產(chǎn)品投入市場之前設(shè)法改善其不良性能。因此，本發(fā)明的測量方法對生產(chǎn)制造商而言十分合意。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1為傳統(tǒng)磁頭的立體圖。圖2a為圖1所示的磁頭的讀頭的剖視圖。圖2b為圖2a所示的讀頭的被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向和自由層的實(shí)際磁化方向的示意圖。圖3為本發(fā)明的磁頭的立體圖。圖4為圖3所示的磁頭的讀頭的立體圖。圖5為本發(fā)明磁頭的測量方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖6為本發(fā)明磁頭的測量方法的另一實(shí)施例的流程圖。圖7a_7i和圖8a_8i為依照第一實(shí)施例的第一磁頭樣品的測量曲線圖。圖9為第一實(shí)施例的全部被釘扎方向傾斜率的描跡曲線。圖9a為被釘扎方向傾斜率的第一傾斜狀態(tài)。圖9b為被釘扎方向傾斜率的第二傾斜狀態(tài)。
圖9c為被釘扎方向傾斜率的第三傾斜狀態(tài)。圖9d為第一實(shí)施例的被釘扎方向傾斜率的實(shí)際傾斜狀態(tài)。圖10為第一實(shí)施例的被釘扎方向與第一方向平行后磁頭的響應(yīng)曲線。圖11為第一實(shí)施例的實(shí)際被釘扎方向和實(shí)際磁化方向的傾斜狀態(tài)。圖12a_12h為依照第二實(shí)施例的第二磁頭樣品的測量曲線圖。圖12i為第二實(shí)施例的全部被釘扎方向傾斜率的描跡曲線。圖12j為第二實(shí)施例的被釘扎方向與第一方向平行后磁頭的響應(yīng)曲線。圖12k為第二實(shí)施例的實(shí)際被釘扎方向和實(shí)際磁化方向的傾斜狀態(tài)。圖13a_13h為依照第三實(shí)施例的第三磁頭樣品的測量曲線圖。圖13i為第三實(shí)施例的全部被釘扎方向傾斜率的描跡曲線。圖13j為第三實(shí)施例的被釘扎方向與第一方向平行后磁頭的響應(yīng)曲線。圖13k為第三實(shí)施例的實(shí)際被釘扎方向和實(shí)際磁化方向的傾斜狀態(tài)。圖14為本發(fā)明磁頭的測量裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個(gè)不同的最佳實(shí)施例，其中不同圖中相同的標(biāo)號代表相同的部件。如上所述，本發(fā)明的實(shí)質(zhì)在于提供一種磁頭的測量方法，其能夠測量出被釘扎層的實(shí)際被釘扎方向從標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向傾斜的被釘扎方向傾斜角；再且，該測量方法易于執(zhí)行，且測量結(jié)果精確。在本發(fā)明中，本說明書僅著重描述CPP-TMR讀頭，但本發(fā)明并不限于此類讀頭，任何具有被釘扎層和自由層的MR讀頭均可由本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本說明書后通過本發(fā)明的測量方法進(jìn)行測量。如圖3所示，本發(fā)明的磁頭300包括襯底本體301、ABS 202以及與ABS 302相對的底面(圖未示)、尾邊303以及與該尾邊303相對的前邊(圖未示)。尾邊303上設(shè)有讀頭310和寫頭320。如圖4所示，該讀頭310包括襯底層314、兩屏蔽層311、312以及層夾于兩屏蔽層311、312之間的MR元件330。如圖所示，該MR元件330包括釘扎層(或AFM層)336，兩合成的被釘扎層331、334，隧道勢壘層335以及自由層337。在MR元件330的兩側(cè)設(shè)有一對硬磁層338。以下對被釘扎層331的實(shí)際被釘扎方向和自由層337的實(shí)際磁化方向的測量方法進(jìn)行描述。為更好的說明，以下的圖示中僅顯示被釘扎方向和磁化方向。圖5為本發(fā)明磁頭的測量方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖，其包括以下步驟:(51)將所述磁頭放置于正常位置，定義第一方向和第二方向，第一方向平行于磁頭的ABS和兩屏蔽層,第二方向垂直于ABS ；(52)傾斜磁頭以使其與第二方向成一角度，以第一方向向磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，并測量出第一輸出參數(shù)曲線；(53)以不同角度重復(fù)步驟(52)，并測量出多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；(54)根據(jù)多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率；以及(55)根據(jù)多個(gè)被釘扎方向傾斜率計(jì)算被釘扎層從第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。結(jié)合圖4及圖5，本發(fā)明的磁頭300的正常位置即指磁頭300的ABS 302與水平面平行，即，磁頭300的襯底本體302與水平面平行，沒有發(fā)生傾斜。如圖3、4所示，該第一方向12平行于ABS 302和兩屏蔽層311、312，第二方向13垂直于ABS 302和第一方向12，該第二方向13即相當(dāng)于標(biāo)準(zhǔn)被釘扎方向。具體地，步驟(52)和步驟(53)所指的角度的范圍是-80° 90°。在本發(fā)明中，每一磁頭樣品在上述角度范圍內(nèi)進(jìn)行18次測量，以確保測量精度，例如分別在以下角度進(jìn)行測量:-80°，-70。，—, -20° , -10° ,0, +10°，+20。，—, +70°，+80。，+90。。當(dāng)然，本發(fā)明并不限制測量的次數(shù)。較佳地，每次測量時(shí)所施加的第一磁場的強(qiáng)度范圍為_15k0e 15k0e。需注意的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員均能理解正磁場的方向和負(fù)磁場的方向相反。具體地，步驟(52)的第一輸出參數(shù)曲線通過在一個(gè)周期內(nèi)分別施·加四次不同的第一磁場而測量得到。更具體地，其子步驟包括:從OOe至+15k0e逐漸施加第一磁場，以得到第一輸出參數(shù)曲線的第一曲線部分 ’從+15k0e至OOe逐漸施加第一磁場，以得到第一輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分；從OOe至_15k0e逐漸施加第一磁場，以得到第一輸出參數(shù)曲線的第三曲線部分；以及從_15k0e至OOe逐漸施加第一磁場，以得到第一輸出參數(shù)曲線的第四曲線部分。作為本發(fā)明的要點(diǎn)，步驟(54)的被釘扎方向傾斜率通過在第一輸出參數(shù)曲線的對稱坐標(biāo)上檢測一對輸出振幅，并在第一輸出參數(shù)曲線上檢測最小輸出振幅，進(jìn)而通過公式進(jìn)行計(jì)算。較佳地，在第一磁場的強(qiáng)度在-1.5k0e和+1.5k0e或-1.0kOe和1.0kOe下檢測該對輸出振幅。更佳地，在第一輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分和第四曲線部分的對稱坐標(biāo)上檢測該對輸出振幅。在本發(fā)明的構(gòu)思之下，基于測量出的被釘扎方向傾斜角，可測出自由層的磁化方向從被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜角。圖6為本發(fā)明磁頭的測量方法的另一優(yōu)選實(shí)施例的流程圖，其包括以下步驟:(61)將所述磁頭放置于正常位置，定義第一方向和第二方向，第一方向平行于磁頭的ABS和兩屏蔽層,第二方向垂直于ABS ；(62)傾斜磁頭以使其與第二方向成一角度，以第一方向向磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，并測量出第一輸出參數(shù)曲線；(63)以不同角度重復(fù)步驟(62)，并測量出多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；(64)根據(jù)多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率；(65)根據(jù)多個(gè)被釘扎方向傾斜率計(jì)算被釘扎層從第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角；(66)傾斜磁頭以使被釘扎方向平行于第一方向，以第一方向向磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第二磁場，并測量出第二輸出參數(shù)曲線；(67)在第二輸出參數(shù)曲線上檢測多個(gè)最大輸出振幅，以計(jì)算磁頭的自由層的磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率；以及(68)根據(jù)磁化方向傾斜率計(jì)算磁化方向從被釘扎方向傾斜的磁化反向傾斜角。與第一實(shí)施例相似，本實(shí)施例的第二磁場的強(qiáng)度范圍同樣為_15k0e 15k0e。具體地，步驟￠6)的第而輸出參數(shù)曲線通過在一個(gè)周期內(nèi)分別施加四次不同的第二磁場而測量得到。更具體地，其子步驟包括:從OOe至+15kOe逐漸施加第二磁場，以得到第二輸出參數(shù)曲線的第一曲線部分 ’從+15k0e至OOe逐漸施加第二磁場，以得到第二輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分 ’從OOe至_15k0e逐漸施加第二磁場，以得到第二輸出參數(shù)曲線的第三曲線部分；以及從_15k0e至OOe逐漸施加第二磁場，以得到第二輸出參數(shù)曲線的第四曲線部分。具體地，在 第一、第二曲線部分上檢測第一最大輸出振幅，在第三、第四曲線部分上檢測第二最大輸出振幅，通過這兩個(gè)最大輸出振幅可以計(jì)算出磁化方向從被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率，進(jìn)而根據(jù)磁化方向傾斜率計(jì)算出磁化方向傾斜角?，F(xiàn)通過幾個(gè)測量實(shí)驗(yàn)的例子對本發(fā)明的具體構(gòu)思進(jìn)行詳細(xì)說明。在以下的例子中，第一、第二輸出參數(shù)曲線的輸出參數(shù)由輸出電壓表征，當(dāng)然其也可用輸出電阻表征。圖7a_7i和圖8a_8i為依照第一實(shí)施例的第一磁頭樣品的測量曲線圖。如上所述，該磁頭樣品分別在傾斜角度為-80°，-70°，…，-20° , -10° ,0, +10°，+20°，…，+70°，+80°，+90°進(jìn)行測量。按照上述的磁場施加方法對該磁頭樣品施加第一磁場，從而獲得第一輸出參數(shù)曲線，該第一輸出參數(shù)曲線包括第一、第二、第三、第四曲線部分(圖未標(biāo)不)。繼而，根據(jù)這些曲線測量出多個(gè)被釘扎方向傾斜率。以圖7a為例解釋被釘扎方向傾斜率的計(jì)算方法。如圖7a所示，檢測出第一輸出參數(shù)的最小輸出振幅Mini，并在Y坐標(biāo)為-1.5k0e和+1.5k0e下檢測出兩個(gè)輸出振幅V1、V2，繼而依照以下公式計(jì)算被釘扎方向傾斜率:
權(quán)利要求
1.種磁頭的測量方法，其特征在于包括以下步驟: (a)將所述磁頭放置于正常位置，定義第一方向和第二方向，所述第一方向平行于所述磁頭的空氣承載面和兩屏蔽層，所述第二方向垂直于所述空氣承載面； (b)傾斜所述磁頭以使其與所述第二方向成一角度，以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，并測量出第一輸出參數(shù)曲線； (C)以不同角度重復(fù)步驟(b)，并測量出多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線； (d)根據(jù)多個(gè)所述第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從所述第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率；以及 (e)根據(jù)多個(gè)所述被釘扎方向傾斜率計(jì)算所述被釘扎層從所述第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。
2.權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(b)進(jìn)一步包括以下子步驟: (bl)從OOe至+15kOe逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第一曲線部分； (b2)從+15k0e至OOe逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分； (b3)從OOe至-15k0e逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第三曲線部分；以及 (b4)從_15k0e至OOe逐漸施加所述第一磁場，以得到所述第一輸出參數(shù)曲線的第四曲線部分。
3.權(quán)利要求2所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(d)進(jìn)一步包括在所述第一輸出參數(shù)曲線的對稱坐標(biāo)上檢測一對輸出振幅，并在所述第一輸出參數(shù)曲線上檢測最小輸出振幅，從而計(jì)算所述被釘扎方向傾斜率。
4.權(quán)利要求3所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(d)進(jìn)一步包括在所述第二曲線部分和所述第四曲線部分的對稱坐標(biāo)上檢測所述一對輸出振幅。
5.權(quán)利要求3所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(d)進(jìn)一步包括分別在第一磁場的強(qiáng)度在-1.5k0e和+1.5k0e下檢測所述一對輸出振幅。
6.權(quán)利要求3所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(d)進(jìn)一步包括分別在第一磁場的強(qiáng)度在-1kOe和+IkOe下檢測所述一對輸出振幅。
7.權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(e)進(jìn)一步包括用曲線描跡法計(jì)算所述被釘扎方向傾斜角。
8.權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(b)中的角度的范圍是-80。 +90。。
9.權(quán)利要求1所述的測量方法，其特征在于:在所述步驟(e)后還包括以下步驟: (f)傾斜所述磁頭以使所述被釘扎方向平行于所述第一方向，以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第二磁場，并測量出第二輸出參數(shù)曲線； (g)在所述第二輸出參數(shù)曲線上檢測多個(gè)最大輸出振幅，以計(jì)算磁頭的自由層的磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率；以及 (h)根據(jù)所述磁化方向傾斜率計(jì)算所述磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化反向傾斜角。
10.權(quán)利要求9所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(f)進(jìn)一步包括傾斜所述磁頭以使所述被釘扎方向與所述第一方向相同。
11.權(quán)利要求9所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(f)進(jìn)一步包括傾斜所述磁頭以使所述被釘扎方向與所述第一方向相反。
12.權(quán)利要求9所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(f)進(jìn)一步包括以下子步驟: (fl)從OOe至+15kOe逐漸施加所述第二磁場，以得到所述第二輸出參數(shù)曲線的第一曲線部分； (b2)從+15k0e至OOe逐漸施加所述第二磁場，以得到所述第二輸出參數(shù)曲線的第二曲線部分； (b3)從OOe至-15k0e逐漸施加所述第二磁場，以得到所述第二輸出參數(shù)曲線的第三曲線部分；以及 (b4)從_15k0e至OOe逐漸施加所述第二磁場，以得到所述第二輸出參數(shù)曲線的第四曲線部分。
13.權(quán)利要求12所述的測量方法，其特征在于:所述步驟(g)進(jìn)一步包括在所述第二輸出參數(shù)曲線的第一、第二曲線部分上檢測第一最大輸出振幅，在所述第二輸出參數(shù)曲線的第三、第四曲線部分上檢測第二最大輸出振幅。
14.權(quán)利要求9所述的測量方法，其特征在于:所述第一、第二磁場的強(qiáng)度的范圍是-15k0e +15k0e。
15.權(quán)利要求9所述的測量方法，其特征在于:所述第一、第二輸出參數(shù)曲線的輸出參數(shù)是輸出電阻或輸出電壓。
16.種磁頭的測量裝置，其特征在于，包括: 調(diào)節(jié)設(shè)備，用于傾斜所述磁頭以使其與第二方向成一角度，所述第二方向垂直于所述磁頭的空氣承載面； 磁場施加設(shè)備，用于以第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，所述第一方向平行于所述磁頭的空氣承載面和兩屏蔽層； 測量設(shè)備，用于在多個(gè)所述第一磁場的施加下測量多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；以及 計(jì)算設(shè)備，用于根據(jù)所述第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從所述第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率，并根據(jù)多個(gè)所述被釘扎方向傾斜率計(jì)算所述被釘扎層從所述第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。
17.權(quán)利要求16所述的測量裝置，其特征在于:所述計(jì)算設(shè)備還用于在對稱坐標(biāo)上檢測一對輸出振幅，并在所述第一輸出參數(shù)曲線上檢測最小輸出振幅，從而計(jì)算所述被釘扎方向傾斜率。
18.權(quán)利要求16所述的測量裝置，其特征在于:所述調(diào)節(jié)設(shè)備還用于傾斜所述磁頭以使所述被釘扎層平行于所述第一方向。
19.權(quán)利要求18所述的測量裝置，其特征在于:所述磁場施加設(shè)備還用于以所述第一方向向所述磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第二磁場。
20.權(quán)利要求19所述的測量裝置，其特征在于:所述測量設(shè)備還用于在所述第二磁場的施加下測量第二輸出參數(shù)曲線。
21.權(quán)利要求20所述的測量裝置，其特征在于:所述計(jì)算設(shè)備還用于根據(jù)所述第二輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的自由層的磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化方向傾斜率。
22.權(quán)利要求21所述的測量裝置，其特征在于:所述計(jì)算設(shè)備還用于在所述第二輸出參數(shù)曲線上檢測多個(gè)最大輸出振幅，以計(jì)算所述磁化方向傾斜率。
23.權(quán)利要求22所述的測量裝置，其特征在于:所述計(jì)算設(shè)備還用于根據(jù)所述磁化方向傾斜率計(jì)算所述磁化方向從所述被釘扎方向傾斜的磁化反向傾斜角。
24.權(quán)利要求19所述的測量裝置，其特征在于:所述第一、第二磁場的強(qiáng)度的范圍是-15kOe +15kOe。
25.權(quán)利要求16所述的測量裝置，其特征在于:所述調(diào)節(jié)設(shè)備用于傾斜所述磁頭以使其與所述第二方向所成的 角度的范圍是-80° +90°。
全文摘要
本發(fā)明公開一種磁頭的測量方法，包括(a)將所述磁頭放置于正常位置，定義第一方向和第二方向，第一方向平行于磁頭的空氣承載面和兩屏蔽層，第二方向垂直于空氣承載面；(b)傾斜磁頭以使其與第二方向成一角度，以第一方向向磁頭施加多個(gè)不同強(qiáng)度的第一磁場，并測量出第一輸出參數(shù)曲線；(c)以不同角度重復(fù)步驟(b)，并測量出多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線；(d)根據(jù)多個(gè)第一輸出參數(shù)曲線計(jì)算磁頭的被釘扎層的被釘扎方向從第二方向傾斜的多個(gè)被釘扎方向傾斜率；以及(e)根據(jù)多個(gè)被釘扎方向傾斜率計(jì)算被釘扎層從第二方向傾斜的被釘扎方向傾斜角。本發(fā)明有利于磁頭制造商掌握磁頭的性能。
文檔編號G11B5/455GK103093763SQ201110344950
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者梁釗明, 李文杰, 梁卓榮, 丁菊仁, 倪榮光 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司