專利名稱：熱輔助記錄圖案化介質(zhì)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用圖案化介質(zhì)的熱輔助記錄(TAR)型磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中每個(gè)數(shù)據(jù)位儲(chǔ)存在盤上的磁隔離島中，更具體而言，涉及具有圖案化多層介質(zhì)的TAR盤驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
具有圖案化磁記錄介質(zhì)(也稱為位圖案化介質(zhì)(BPM))的磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)被提出以增大數(shù)據(jù)密度。在圖案化介質(zhì)中，盤上的磁材料被圖案化成小的隔離數(shù)據(jù)島或布置成同心數(shù)據(jù)道的島。每個(gè)島包含單個(gè)磁“位”且通過非磁區(qū)域與相鄰島分隔開。這與常規(guī)連續(xù)介質(zhì)相反，在常規(guī)連續(xù)介質(zhì)中，單個(gè)“位”由形成單個(gè)磁疇的多個(gè)弱耦合的相鄰磁晶粒構(gòu)成，位彼此物理相鄰。圖案化介質(zhì)盤可以是縱向磁記錄盤或垂直磁記錄盤，在縱向磁記錄盤中，磁化方向平行于記錄層或在記錄層面內(nèi)，在垂直磁記錄盤中，磁化方向垂直于記錄層或離開記錄層平面。為了產(chǎn)生圖案化島所需的磁隔離，島之間的區(qū)域的磁矩必須或破壞或者充分減小以使這些區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是非磁的。備選地，可以制造介質(zhì)使得島之間的區(qū)域基本沒有磁材料。與用于連續(xù)和BPM兩者的磁記錄材料相關(guān)的問題是低熱穩(wěn)定性。隨著磁晶粒變得更小以實(shí)現(xiàn)超高記錄密度，它們變得易受磁衰退影響，即磁化區(qū)域自發(fā)失去它們的磁化，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。這歸因于小磁晶粒的熱激發(fā)，且稱為超順磁現(xiàn)象。磁晶粒的熱穩(wěn)定性在大的程度上由KuV確定，其中Ku是磁記錄材料的磁各向異性常數(shù)，V是磁晶粒的體積。因此，具有高Ku的磁記錄材料對(duì)于熱穩(wěn)定性而言是重要的，盡管Ku不能高得妨礙來自寫頭的磁寫場進(jìn)行寫入。為了實(shí)現(xiàn)高Ku(高各向異性)材料的使用，已經(jīng)提出了熱輔助磁記錄(HAMR)，也稱為熱輔助記錄(TAR)。在TAR系統(tǒng)中，帶有近場換能器(NFT)的光波導(dǎo)引導(dǎo)來自輻射源諸如激光器的熱來加熱盤上的磁記錄層的局部區(qū)域。輻射將磁材料局部加熱到其居里溫度附近或以上以將矯頑力降低到足以通過寫頭進(jìn)行寫入。TAR系統(tǒng)也被提出用于具有BPM的盤驅(qū)動(dòng)器，其中每個(gè)數(shù)據(jù)島在施加來自寫頭的寫場的同時(shí)被加熱。已經(jīng)提出了多層BPM，其中每個(gè)數(shù)據(jù)島具有多個(gè)堆疊的磁單元，其通過非磁間隔層彼此磁去耦。在多層BPM中，數(shù)據(jù)密度增大到2 (n-1)倍，其中η是每個(gè)島中的單元數(shù)。轉(zhuǎn)讓給與本申請(qǐng)相同受讓人的US6865044B1描述了每個(gè)數(shù)據(jù)島中有兩個(gè)磁單元的多層BPM盤驅(qū)動(dòng)器，其中上單元用磁寫場以常規(guī)方式寫入，上和下單元兩者通過加熱該單元利用TAR來寫入。然而，這類盤驅(qū)動(dòng)器受到位尋址能力問題的困擾，因?yàn)閷憟龌蜻吘増?fringe field) 能覆寫正在寫入的數(shù)據(jù)島附近的接近地間隔開的數(shù)據(jù)島的上單元中的數(shù)據(jù)。因?yàn)閳D案化垂直介質(zhì)可具有寬分布的翻轉(zhuǎn)場，即將島的磁化從一個(gè)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)到另一狀態(tài)所需的寫場，所以更可能發(fā)生覆寫。因?yàn)橛涗涱^的磁場梯度有限，所以在相鄰島上的殘余磁場能導(dǎo)致這些島上的上單元的無意的覆寫。采用TAR的BPM記錄緩解了該問題，因?yàn)閸u之間的物理分隔減小了橫向熱流動(dòng)且提供了更大的有效寫梯度。此外，因?yàn)樯蠁卧某C頑力必須足夠低以被常規(guī)寫頭寫入，所以它們不能由高各向異性材料形成，高各向異性材料對(duì)于實(shí)現(xiàn)具有高熱穩(wěn)定性的介質(zhì)而言是期望的。需要一種具有多層BPM的盤驅(qū)動(dòng)器，其不受位尋址能力和低熱穩(wěn)定性問題的困擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種熱輔助記錄(TAR)圖案化介質(zhì)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器具有垂直圖案化介質(zhì)盤和激光器，該垂直圖案化介質(zhì)盤具有多層數(shù)據(jù)島，該激光器能向進(jìn)場換能器(NFT)提供多個(gè)水平的輸出功率。每個(gè)數(shù)據(jù)島包含至少兩個(gè)磁單元，每個(gè)磁單元具有垂直磁各向異性，被非磁間隔層分隔開。在每個(gè)島僅有兩個(gè)單元的一實(shí)施例中，每個(gè)島由具有矯頑力Ha和居里溫度Ta的磁材料的上單元、具有矯頑力Hc2和居里溫度Tc2的磁材料的下單元以及將兩個(gè)磁單元分隔開且磁去耦的非磁間隔層形成。每個(gè)單元表示單個(gè)磁化位且通過非磁間隔層與其島中的另一單元分隔開。每個(gè)單元由高各向異性材料形成從而具有比磁寫場更大的各向異性場。這確保了全部磁單元具有高的熱穩(wěn)定性。在單元不被寫入時(shí)的普通盤驅(qū)動(dòng)器操作溫度(即約275至335開爾文)下，Ha和H。2兩者都大于磁寫場，且Tc2大于 Tqi °上和下單元兩者都可由基于!^ePtLlci相的偽二元合金!^eXPt形成，其中X選自Cu 和Ni。在這些合金中，隨著Cu或Ni增多，磁晶各向異性和居里溫度減小。上單元的材料中存在的Cu或Ni的量大于下單元的材料中存在的Cu或Ni的量以確保Tc2大于Τα。因?yàn)閿?shù)據(jù)島內(nèi)的每個(gè)單元具有不同的Tc，所以通過向NFT提供多個(gè)水平的輸出功率可以將獨(dú)立數(shù)據(jù)寫入到每個(gè)單元。如果每個(gè)島僅有兩個(gè)單元，則僅需要兩級(jí)功率水平 (低水平Pl和高水平P》。兩個(gè)不同的光功率水平允許島被NFT加熱到兩個(gè)截然不同的溫度。激光器功率水平于是響應(yīng)于待寫入的數(shù)據(jù)的值，即島中的兩個(gè)單元將具有相同還是相反的磁化。如果它們將具有相同或平行的磁化，則高激光功率P2被選擇用于島單次經(jīng)過寫頭和NFT。如果它們將具有相反或反平行的磁化，則高激光器功率P2被選擇用于第一次寫經(jīng)過，接著選擇低激光器功率Pl用于第二次寫經(jīng)過。為了全面理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，請(qǐng)接合附圖參考下面的詳細(xì)描述。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的圖案化介質(zhì)TAR盤驅(qū)動(dòng)器的俯視圖。圖2A和圖2B是與本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器相關(guān)的電子系統(tǒng)的框圖，還示出圖案化磁記錄盤和支承讀頭、寫頭和近場換能器(NFT)的一部分氣墊滑塊的截面圖。圖3是從盤觀察時(shí)NFT的視圖，且描繪了作為帶主尖(primary tip)的‘ ”形天線的NFT。圖4是根據(jù)本發(fā)明的多層圖案化磁記錄介質(zhì)的截面圖。圖5A、5B、5C和5D是具有兩個(gè)磁單元的離散數(shù)據(jù)島被寫入以分別記錄四種可能的磁狀態(tài)A-D中的每個(gè)的方式的圖示。
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明的熱輔助記錄(TAR)圖案化介質(zhì)盤驅(qū)動(dòng)器100的俯視圖。驅(qū)動(dòng)器100具有外殼或基座101，其支承致動(dòng)器130和使圖案化磁記錄盤10繞其中心13旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)(未示出)。致動(dòng)器130可以是音圈電機(jī)(VCM)旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器，其具有剛性臂134且如箭頭IM所示地繞樞軸132旋轉(zhuǎn)。頭懸架組件包括一端連接到致動(dòng)器臂134的末端的懸架121和以及連接到懸架121的另一端的頭載具諸如氣墊滑塊122。懸架121允許頭載具 122維持得非?？拷P10的表面?；瑝K122支承讀/寫或記錄頭109。記錄頭109通常是感應(yīng)寫頭和磁致電阻讀頭的組合(也稱為讀/寫頭)，且位于滑塊122的拖尾端或端面上。 TAR輻射源是激光器250，其示為支承在懸架121上，但是備選地可以支承在臂134或滑塊 122上?；瑝K122支承用于將輻射從激光器250引導(dǎo)到盤10的光學(xué)通道或波導(dǎo)和近場換能器(NFT)(未示于圖1中)。僅一個(gè)盤表面以及相關(guān)的滑塊和記錄頭示于圖1中，但是通常有多個(gè)盤堆疊在被主軸電機(jī)旋轉(zhuǎn)的轂上，單獨(dú)的滑塊和記錄頭與每個(gè)盤的每個(gè)表面關(guān)聯(lián)。圖案化磁記錄盤10包括具有基本平坦表面的盤襯底12，其支承離散的多層數(shù)據(jù)島。在圖1中表示為小圓圈的數(shù)據(jù)島如普通數(shù)據(jù)島52、M、56、58具有多個(gè)堆疊的單元，所述單元用作離散的磁位以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。每個(gè)離散的數(shù)據(jù)島通過非磁區(qū)域或間隔彼此分隔開。術(shù)語“非磁”意味著數(shù)據(jù)島之間的間隔由以下材料形成非磁材料，諸如電介質(zhì)；或在沒有外加磁場時(shí)基本沒有剩余磁矩的材料；或在塊(block)之下凹陷得足夠遠(yuǎn)的溝或槽中以不負(fù)面影響讀和寫的磁材料。數(shù)據(jù)島之間的非磁間隔也可以沒有磁材料，諸如磁記錄層或盤襯底中的槽或渠。數(shù)據(jù)島布置成徑向間隔開的圓形道，道分組成環(huán)形帶或區(qū)151、152、153。在每個(gè)道內(nèi)，數(shù)據(jù)島通常布置成數(shù)據(jù)扇區(qū)，數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量在每個(gè)區(qū)中不同。將數(shù)據(jù)道分組成環(huán)形區(qū)允許分帶的記錄，其中在每個(gè)區(qū)中數(shù)據(jù)島的角間隔不同，因而數(shù)據(jù)速率不相同。在圖1中， 示出三個(gè)區(qū)151、152、153，對(duì)于各區(qū)僅示出各自的同心數(shù)據(jù)道161、162、163的一部分。雖然僅三個(gè)區(qū)示于圖1中，但是現(xiàn)在的盤驅(qū)動(dòng)器通常具有約20個(gè)區(qū)。在每個(gè)區(qū)中還有專門的非數(shù)據(jù)區(qū)，其包含一般徑向指向的同步(sync)標(biāo)記，如區(qū)153中的一般同步標(biāo)記173。每個(gè)同步標(biāo)記173可以是多個(gè)圓周向間隔開的標(biāo)記，間距在每個(gè)帶區(qū)中不同，它們被讀頭檢測以使寫頭能與該區(qū)中的數(shù)據(jù)島的具體間距同步。在每個(gè)區(qū)中的相繼的同步標(biāo)記之間的數(shù)據(jù)區(qū)域(諸如區(qū)153中的同步標(biāo)記173之間的數(shù)據(jù)區(qū)域164)通常包括固定數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)。 同步標(biāo)記可以位于某些數(shù)據(jù)扇區(qū)的扇區(qū)頭部中。數(shù)據(jù)將被寫入或讀取的物理位置通過頭編號(hào)、道編號(hào)(當(dāng)有多個(gè)盤時(shí)也稱為“柱面”編號(hào))和數(shù)據(jù)扇區(qū)編號(hào)來識(shí)別。當(dāng)盤10沿箭頭20的方向繞其中心13旋轉(zhuǎn)時(shí)，致動(dòng)器130的移動(dòng)允許在頭載具 122的拖尾端上的讀/寫頭109訪問盤10上的不同數(shù)據(jù)道和區(qū)。因?yàn)橹聞?dòng)器130是旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器，其繞樞軸132樞轉(zhuǎn)，所以讀/寫頭109橫越盤10的路徑不是完美的徑向，而是弓形線 135。每個(gè)數(shù)據(jù)道還包括多個(gè)圓周向或角間隔開的專用非數(shù)據(jù)伺服區(qū)或扇區(qū)120，其包含可被讀頭檢測的定位信息以用于將頭109移動(dòng)到期望的數(shù)據(jù)道并將頭109維持在該數(shù)據(jù)道上。每個(gè)道中的伺服扇區(qū)與其他道中的伺服扇區(qū)圓周對(duì)準(zhǔn)從而它們沿基本徑向跨道延伸，如徑向指向的伺服扇區(qū)120所表現(xiàn)的那樣。伺服扇區(qū)120具有弓形，其基本復(fù)制頭109 的弓形路徑135。伺服扇區(qū)120是盤上的非數(shù)據(jù)區(qū)，其一旦被磁化(通常在盤的制造或形成期間)，則在盤驅(qū)動(dòng)器的正常操作期間將不會(huì)被故意擦除。雖然同步標(biāo)記(像同步標(biāo)記 173)可以位于數(shù)據(jù)扇區(qū)的扇區(qū)頭部中，但是作為備選，它們可以位于伺服扇區(qū)120中。
圖2A和2B是與TAR盤驅(qū)動(dòng)器100相關(guān)的電子系統(tǒng)的框圖，還示出磁記錄盤10的截面圖，磁記錄盤10具有通過非磁區(qū)或間隔60分隔開的離散可磁化多層數(shù)據(jù)島(諸如一般的島52、54、56、58)形式的圖案化介質(zhì)的磁記錄層。在本發(fā)明的TAR盤驅(qū)動(dòng)器中，每個(gè)數(shù)據(jù)島包括多個(gè)堆疊的單元，每個(gè)單元可磁化在兩個(gè)垂直方向中的一個(gè)上，如具有下單元22 和上單元42的島52。因?yàn)殡y以顯示非常小的特征而未按比例繪制的圖2A和2B還示出部分滑塊122和其面對(duì)盤的表面或氣墊表面(ABQ的截面圖?；瑝K122支承位于磁屏蔽件Sl 和S2之間的磁致電阻讀頭109b、垂直寫頭109a、激光器250、反射鏡255、光通道200和NFT 210。寫頭109a是感應(yīng)線圈寫頭，其包括線圈109c、在ABS處的寫極109d和返回極109e。 當(dāng)寫極109d引導(dǎo)磁寫場到已經(jīng)被NFT 210加熱(由波浪箭頭211表示)的單元時(shí)，發(fā)生數(shù)據(jù)的寫入(島中單元的磁化方向的翻轉(zhuǎn))。如圖2A和2B所示，激光器250和反射鏡255可以位于滑塊122的頂表面上。備選地，這些光學(xué)元件可以位于致動(dòng)器臂134或懸架121(圖1)上或者在盤驅(qū)動(dòng)器中的其他位置，輻射從激光器經(jīng)過光纖或波導(dǎo)被引導(dǎo)。激光器250可以是表面發(fā)射二極管激光器，例如CD-RW型二極管激光器，其提供具有約780nm波長的光學(xué)輻射。NFT 210在滑塊122的ABS處位于光波導(dǎo)或通道200的輸出處。激光器250將輻射指向反射鏡255且然后經(jīng)過光波導(dǎo)200，如箭頭216所示。當(dāng)盤沿方向20旋轉(zhuǎn)經(jīng)過滑塊 122時(shí)，輻射入射到NFT 210，產(chǎn)生到島的會(huì)聚近場輻射。“近場”換能器在這里使用時(shí)指的是“近場光學(xué)裝置”，其中光的路徑是到、來自、經(jīng)過或接近具有亞波長特征的元件且光被耦合到與第一元件相距亞波長距離定位的第二元件。NFT通常使用以這樣的方式成形的低損耗金屬(例如Au、Ag、Al或Cu)將表面電荷運(yùn)動(dòng)集中在成形為主頂點(diǎn)或尖的表面特征處。 振蕩尖電荷產(chǎn)生強(qiáng)烈的近場圖樣(near-field pattern) 0有時(shí)候，金屬結(jié)構(gòu)能產(chǎn)生共振電荷運(yùn)動(dòng)，稱為表面等離激元或局域等離激元，以進(jìn)一步增大強(qiáng)度。振蕩尖電荷的電磁場又提升了近場中的光輸出，其被引導(dǎo)到盤上的數(shù)據(jù)島。NFT 210具有比來自激光器250的輻射的波長小的特征，NFT 210與島之間的間距小于來自激光器250的輻射的波長。圖3是從盤觀察的NFT 210的視圖，且示出NFT 210為具有主尖212的‘ ”形天線?！癊”形和尖的形狀可以通過電子束光刻或光學(xué)光刻來形成。NFT 210的金屬膜的垂直于襯底平面的高度具有優(yōu)選在約75到125nm之間的尺寸。在跨道方向上NFT 210的內(nèi)角之間的距離可以具有約250至400nm的尺寸，兩個(gè)尖的基部之間的距離可以為約100至180nm。 尖212具有約10-40nm的跨道寬度和約20-50nm的沿道長度。激光的波長可以在750nm至 IOOOnm的范圍以匹配這些E形天線尺寸。當(dāng)偏振光與E形天線的主尖212對(duì)準(zhǔn)時(shí)，強(qiáng)的近場圖樣產(chǎn)生在尖212的末端處。通過調(diào)節(jié)E形天線的尺寸以使局域等離激元頻率(local Plasmon frequency)匹配入射光波長，共振電荷運(yùn)動(dòng)能發(fā)生在主尖212處。NFT 210將輸入的光功率聚焦至主尖212附近的盤表面上的非常小的斑點(diǎn)。再參照?qǐng)D2A和2B，盤驅(qū)動(dòng)器電子系統(tǒng)包括讀/寫(R/W)電子系統(tǒng)113、伺服電子系統(tǒng)112、數(shù)據(jù)控制器電子系統(tǒng)115和接口電子系統(tǒng)114。R/W電子系統(tǒng)113接收來自讀頭 109b的信號(hào)，將來自伺服扇區(qū)120(圖1)的伺服信息傳遞到伺服電子系統(tǒng)112，并將來自數(shù)據(jù)區(qū)164(圖1)中的數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞到控制器電子系統(tǒng)115。伺服電子系統(tǒng)112 通常包括伺服控制處理器，其使用來自伺服扇區(qū)120的伺服信息來運(yùn)行產(chǎn)生控制信號(hào)的控制算法。控制信號(hào)被轉(zhuǎn)化成驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器130以定位頭109的電流。接口電子系統(tǒng)114通過接口 116與主機(jī)系統(tǒng)通訊，傳遞數(shù)據(jù)和指令信息。接口電子系統(tǒng)114還通過接口 118 與控制器電子系統(tǒng)115通訊，接口電子系統(tǒng)114通過接口 116接收來自主機(jī)系統(tǒng)諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的請(qǐng)求以用于從數(shù)據(jù)扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)或?qū)憯?shù)據(jù)到數(shù)據(jù)扇區(qū)?？刂破麟娮酉到y(tǒng)115 包括微處理器和相關(guān)的存儲(chǔ)器115a?？刂破麟娮酉到y(tǒng)115接收來自接口電子系統(tǒng)114的一列請(qǐng)求數(shù)據(jù)扇區(qū)并將它們轉(zhuǎn)化為一組編號(hào)，編號(hào)唯一地標(biāo)識(shí)盤表面(與盤表面相關(guān)的頭編號(hào))、道和數(shù)據(jù)扇區(qū)。編號(hào)傳遞到伺服電子系統(tǒng)112以使得能將頭109定位到適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)扇區(qū)。圖2A和2B還示出主機(jī)系統(tǒng)諸如PC與盤驅(qū)動(dòng)器之間的數(shù)據(jù)傳輸。來自數(shù)據(jù)扇區(qū)中的記錄數(shù)據(jù)島的信號(hào)被讀頭109b檢測，被讀/寫電子系統(tǒng)113放大和解碼。數(shù)據(jù)被送到控制器電子系統(tǒng)115且通過接口電子系統(tǒng)114經(jīng)接口 116到主機(jī)。待寫入到盤10的數(shù)據(jù)從主機(jī)送到接口電子系統(tǒng)114和控制器電子系統(tǒng)115且然后作為數(shù)據(jù)隊(duì)列到圖樣生成器117 且然后到寫驅(qū)動(dòng)器119。寫驅(qū)動(dòng)器119產(chǎn)生高頻電流脈沖到寫頭109a的線圈，這導(dǎo)致磁化數(shù)據(jù)島中的單元的磁寫場。能對(duì)應(yīng)于不同數(shù)據(jù)區(qū)以不同頻率操作的寫時(shí)鐘140在線144上輸出時(shí)鐘信號(hào)以控制圖樣生成器117和寫驅(qū)動(dòng)器119的時(shí)標(biāo)(timing)。同步標(biāo)記檢測器 141接收輸入線142上的來自R/W電子系統(tǒng)113的讀回信號(hào)并在線143上輸出信號(hào)以控制寫時(shí)鐘140的時(shí)標(biāo)。同步標(biāo)記檢測器141檢測來自R/W電子系統(tǒng)113的同步標(biāo)記(像圖1 的同步標(biāo)記173)。每個(gè)區(qū)中的同步標(biāo)記間隔不同從而同步標(biāo)記檢測器141使寫時(shí)鐘140能與每個(gè)不同區(qū)中的數(shù)據(jù)島的間隔同步。在本發(fā)明的TAR盤驅(qū)動(dòng)器中，因?yàn)槊總€(gè)數(shù)據(jù)島包括多個(gè)堆疊的單元，每個(gè)單元可在兩個(gè)垂直方向之一上磁化，所以激光器250能提供多個(gè)水平的輸出功率。激光功率水平被圖樣生成器117調(diào)制，圖樣生成器117產(chǎn)生到門252的數(shù)字信號(hào)，門(gate) 252控制激光放大器254。如果在每個(gè)島中僅有兩個(gè)單元，則僅需要兩個(gè)功率水平(低水平Pl和高水平 P2)。因此，取決于圖樣生成器117接收的數(shù)據(jù)隊(duì)列中的數(shù)據(jù)值，圖樣生成器117輸出0或 1到門252，其又將放大器2M設(shè)置到高或低水平以使激光器250輸出水平Pl或P2的激光功率。這導(dǎo)致在NFT 210的兩種不同的光功率水平，從而島能加熱到兩種不同的溫度。激光功率水平因此響應(yīng)于待寫入的數(shù)據(jù)值，即島中的單元將具有相同還是相反的磁化。如下面將說明的那樣，如果它們將具有相同或平行的磁化，則數(shù)據(jù)隊(duì)列將導(dǎo)致選擇激光功率P2 且島經(jīng)過寫頭和NFT —次。如果它們將具有相反或反平行的磁化，則數(shù)據(jù)隊(duì)列將首先導(dǎo)致選擇激光功率P2和島第一次經(jīng)過寫頭和NFT，接著是選擇激光功率Pl和島第二次經(jīng)過寫頭禾口 NFT。圖4是根據(jù)本發(fā)明的多層圖案化磁記錄介質(zhì)的截面圖。介質(zhì)包括襯底12、多層垂直磁記錄層50、可選的襯層14和可選的保護(hù)外涂層16。記錄層50包括通過非磁間隔60 間隔開的多個(gè)島諸如代表性的島52、54、56、58。在每個(gè)島僅有兩個(gè)單元的一實(shí)施例中，于是每個(gè)島由具有垂直磁各向異性的磁材料的第一下層20、具有垂直磁各向異性的磁材料的第二上層40、以及將每個(gè)島中的兩個(gè)磁層20、40分隔開且磁去耦的非磁間隔層30形成。每個(gè)島因此是多層磁島，具有至少兩個(gè)堆疊的磁去耦的單元，諸如島52中的單元22、42。每個(gè)單元表示單個(gè)磁化位且通過間隔層30與其島中的另一單元分隔開并通過間隔60繪示的區(qū)域與其他島中的單元分隔開。每個(gè)單元由高各向異性材料形成以具有比磁寫場更大的各向異性場。這確保了全部磁單元具有高的熱穩(wěn)定性。堆疊中最上面的單元(單元42、44、46、48)由具有垂直磁各向異性、矯頑力Hci和居里溫度Tci的材料形成。堆疊中最下面的單元(單元22、24J6、28) 由具有垂直磁各向異性、矯頑力Hc2和居里溫度Tc2的材料形成。當(dāng)單元不被寫入時(shí)，Hci和 Hc2兩者都大于正常盤驅(qū)動(dòng)器操作溫度(即約275至335開爾文)下的磁寫場。此外，要求 TC2大于TC1。鐵磁材料的居里溫度是可逆點(diǎn)，在該點(diǎn)以上其變?yōu)轫槾判浴Ｔ诰永餃囟戎略阼F磁材料中磁疇內(nèi)的磁矩平行排列。隨著溫度上升到居里點(diǎn)附近，每個(gè)疇內(nèi)的排列(磁化)降低。在居里溫度以上，材料是順磁的，從而磁矩處在完全無序狀態(tài)。間隔60定義磁島之間的區(qū)域且通常由非磁材料形成，但是可以由鐵磁材料形成， 只要材料不負(fù)面影響對(duì)其分隔開的磁島的信號(hào)記錄和檢測。磁島可以通過首先光刻構(gòu)圖襯底，在圖案化的抗蝕劑上沉積構(gòu)成記錄層50的層，然后去除抗蝕劑，留下磁島來形成。或者，磁島可以通過首先在襯底上沉積構(gòu)成記錄層50的層、光刻構(gòu)圖該記錄層、通過光刻掩模蝕刻該記錄層、然后去除抗蝕劑、留下磁島來形成。在兩種示例中，島之間的區(qū)域中的間隔60是空洞，其可以填充有非磁填充材料諸如氧化鋁或聚合材料以基本平坦化盤10。平坦化工藝將包括首先形成磁島，然后沉積填充劑至比填充間隔60所需的厚度更大的厚度，然后用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝拋光填充劑材料。這留下大致共面的間隔60的頂部和磁島的頂部，之后可以濺射沉積可選的外涂層16。如圖4中的代表性字母A、B、C、D和單元中的箭頭所示，每個(gè)島中有四種可能的磁水平或狀態(tài)，每種磁狀態(tài)依賴于每個(gè)磁單元中的磁化(磁矩)的方向。圖4的兩層實(shí)施例中的每種磁狀態(tài)因此能表示為兩位字節(jié)或字。如果下層20中的單元選擇為字節(jié)或字中的第一位且上方向視為0，則磁狀態(tài)為如下A [1,1]B
C
D [1,0]圖4示出有兩個(gè)磁層，但是三個(gè)或更多磁層是可行的。例如，如果有三個(gè)磁層且因此三個(gè)單元堆疊在每個(gè)島中，則堆疊中的中間單元也由具有垂直磁各向異性和比磁寫場大的矯頑力Hc3的材料形成，但具有居里溫度Ira，其中Ira大于Ta且小于TC2。η個(gè)不同磁層上集成的總讀回信號(hào)產(chǎn)生2η個(gè)不同的信號(hào)水平，其能用于磁記錄。記錄密度因此增大到2(Iri) 倍。間隔層30可以是非磁材料但是導(dǎo)熱，只要它足夠厚以確保島中的磁單元被磁去耦?？捎糜陂g隔層的材料包括MgO, SiO2, A1203、Pt、Cu、Ag、Au和Ru。單元中的磁材料可以是提供垂直磁各向異性的任何類型的磁記錄材料和結(jié)構(gòu)。磁單元因此可以是具有垂直磁各向異性的金屬性多層，如C0/Ni、C0/Pt、C0/Pd、i^e/Pt或
Pd多層。磁單元也可由生長在生長增強(qiáng)下層上的顆粒多晶鈷鉬鉻(CoPtCr)合金形成，該生長增強(qiáng)下層誘導(dǎo)晶體C軸垂直于層平面，從而層具有強(qiáng)的垂直磁晶各向異性。磁單元也可以是公知的化學(xué)有序二元合金CoPt、CoPcU FePt, FePd, CoPt3、Co3Pt、CoPd3和Co3Pd或者基于CoPt和!^ePt Lltl相的偽二元合金中的一種。塊體形式的化學(xué)有序合金CoPt、CoCrPt、 CoPd,FePt和FePd (全部沿Ll0或Ll1有序)以及CoPt3^Co3Pt和CoPd3 (全部沿Ll2有序) 因其高的磁晶各向異性和磁化、適于高密度磁記錄材料的屬性而眾所周知。磁單元也可由展現(xiàn)垂直磁各向異性的已知非晶材料諸如CoSm、TbFe, TbFeCo和GdFe合金中的任一種形成。然而，用于單元的優(yōu)選材料是基于!^ePtLlci相的!^eXPt合金，其中X選自Cu和Ni。 在這些合金中，隨著Cu或Ni增多，磁晶各向異性和居里溫度減小。更具體而言，此類材料是基于!^ePt Ll0相的偽二元合金，例如(Fe(y)Pt(1QQ_y))-X，其中y在約44和55原子百分比之間，元素X可以是Cu、Ni或Ag且以約1至約20原子百分比的范圍存在。雖然偽二元合金一般具有與二元合金I^ePt相似的高各向異性，但是Cu或M的添加允許對(duì)材料磁屬性的額外控制，具體地，減小磁晶各向異性和居里溫度。FePt-Cu合金的屬性已經(jīng)由J. Uemoto 等人描述于"Control of Curie Temperature of FePt (Cu) Films Prepared From Pt (Cu) / Fe Bilayers，，，IEEE Transactions on Magnetics, Volume 44, Issue 11, Nov. 2008, pp. 3543-3546 l^XM, S. D. Willoughby"Electronic and magnetic properties of Fe1^xCuxPt", J. Appl.Phys. 95,6586(2004)中。FePt-Ni 合金的屬性已經(jīng)由 J. Thiele 等人描述于"Temperature dependent magnetic properties of highly chemically ordered Fe55_xNixPt45Ll0films”，J. App 1. Phys. 91,6595(2002)。無論用于單元的磁材料，重要特征在于居里溫度的相對(duì)值和比寫場更大的矯頑力值。高矯頑力確保僅在寫場被施加且同時(shí)單元被加熱到其各自的居里溫度附近或以上時(shí)單元才能使其磁化被翻轉(zhuǎn)。在任何單元的溫度實(shí)質(zhì)上在其居里溫度之下時(shí)，例如在室溫或正常盤驅(qū)動(dòng)器操作溫度(約275至335K)，寫場太低而不能翻轉(zhuǎn)任何單元的磁化。居里溫度的相對(duì)值確保當(dāng)最高單元在以低激光功率被加熱的同時(shí)使其磁化被翻轉(zhuǎn)時(shí)，最低單元不使其磁化被翻轉(zhuǎn)。在兩層介質(zhì)的一個(gè)示例中，上和下單元兩者都可由厚度約5nm的!^eCuxPt形成，其中X大于或等于1原子百分比且小于或等于20原子百分比。向!^ePt添加Cu降低了居里溫度，且僅有小的磁各向異性下降。上單元的材料中存在的Cu的量大于下單元的材料中存在的Cu的量。這確保了 Te2大于Tei。通過適當(dāng)?shù)剡x擇Cu的量，產(chǎn)生具有30k0e的Ha和 625K的Tei的上單元以及具有35k0e的He2和720K的Te2的下單元。這些!^eCuxPt材料具有用于上單元的SOkOe的高各向異性及用于下單元的IOOkOe的高各向異性，其每個(gè)實(shí)質(zhì)地高于IOkOe的寫場且因此確保了來自NFT的熱輪廓(heat profile)確定道寬度。上和下單元也可由具有適當(dāng)選擇的Ni的量的!^eNiPt合金形成，因?yàn)橄?^eCuPt合金那樣，添加Ni 到!^ePt減小了磁晶各向異性和居里溫度。此外，下單元可以由化學(xué)有序的二元合金!^ePt 形成，上單元由！^eCuPt或!^eNiPt合金形成。圖5A-5D示出具有兩個(gè)磁單元22、42的普通磁島52被寫入從而記錄四種可能磁狀態(tài)A-D中的每種的方式。參照?qǐng)D5A，寫頭109a是垂直頭且具有連接到提供固定寫電流I。 的電流源的線圈109c。電流源是寫驅(qū)動(dòng)器119(圖2A和2B)的部件，寫驅(qū)動(dòng)器119還包括翻轉(zhuǎn)電路以產(chǎn)生具有正或負(fù)電流水平Itl的雙向?qū)懨}沖。NFT 210示為位于寫極109d和返回極109e之間。寫電流Itl產(chǎn)生來自寫極109d的基本垂直磁寫場Hw，其返回到返回極109e。 在雙層介質(zhì)中，下磁單元22具有比上磁單元42的居里溫度Ta更大的居里溫度Tc2和優(yōu)選地比上磁單元42的矯頑力Hci更大的矯頑力HC2。當(dāng)單元不被寫入時(shí)Hci和Hc2兩者都大于在正常盤驅(qū)動(dòng)器操作溫度(即約275至335K)下的磁寫場Hw。圖5A示出產(chǎn)生磁狀態(tài)A[l，l]的寫過程，在磁狀態(tài)A[1，1]中單元22和42中的磁化平行且向下取向。這是通過高激光輸出功率P2使NFT 210能加熱下單元22至Tc2附近或以上來實(shí)現(xiàn)的，其也加熱上單元42至Tci以上。這將兩層的矯頑力減小至Hw以下。寫場 Hw由電流I。產(chǎn)生。正Itl電流脈沖與到NFT 210的激光功率P2組合改變了層22、42兩者中的磁化方向且產(chǎn)生A狀態(tài)。類似地，如圖5B所示，負(fù)Itl電流脈沖與到NFT 210的激光功率 P2組合改變了層22、42兩者中的磁化方向且產(chǎn)生C
狀態(tài)，其中層22和42中的磁化平行且向上取向。產(chǎn)生磁狀態(tài)A和C的寫過程僅需要介質(zhì)單次經(jīng)過寫頭109a和NFT 210。圖5C示出產(chǎn)生磁狀態(tài)D[1，0]的寫過程，磁狀態(tài)D[1，0]中磁化是反平行的，即下單元22的磁化向下，上單元42的磁化向上。為了產(chǎn)生D狀態(tài)，島必須首先在A狀態(tài)，其要求在存在產(chǎn)生Hw的正電流Itl脈沖時(shí)介質(zhì)第一次經(jīng)過寫頭109a和具有P2的激光功率的NFT 210。然后在介質(zhì)第二次經(jīng)過時(shí)，施加低的激光輸出功率P1，其足以使NFT 210加熱上單元 42至Ta附近或以上而不加熱下單元22至T。2附近。這將上單元42的矯頑力Ha減小到寫場Hw以下而不將下單元22的矯頑力Hc2降低到寫場Hw以下。寫場因此不足以改變下單元 22的磁化。寫場Hw由負(fù)I。電流脈沖產(chǎn)生，其與NFT 210的激光功率Pl組合以僅改變上單元42的磁化并產(chǎn)生D狀態(tài)。圖5D示出與圖5C所示的寫過程類似的寫過程，但產(chǎn)生磁狀態(tài)Β
，其中下單元22的磁化向上，上單元42的磁化向下。為了產(chǎn)生B狀態(tài)，島必須首先在C狀態(tài)，其需要在存在產(chǎn)生Hw的負(fù)電流IO脈沖時(shí)介質(zhì)第一次經(jīng)過寫頭109a和具有激光器功率P2的NFT 210。然后在介質(zhì)的第二次經(jīng)過時(shí)，施加低激光器輸出功率P1，其足以使NFT 210能加熱上單元42至Ta附近或以上而不加熱下單元22至T。2附近。這將上單元42的矯頑力Ha減小至寫場Hw以下，而不將下單元22的矯頑力Hc2降低至寫場Hw以下。因此寫場不足以改變下單元22的磁化。寫場Hw由正IO電流脈沖產(chǎn)生，其與送至NFT 210的激光功率P^i合以僅改變上單元42中的磁化并產(chǎn)生B狀態(tài)。下磁單元和上磁單元的居里溫度的實(shí)質(zhì)性不同(Tc2大于Ta)將確保當(dāng)激光器在低功率水平Pl時(shí)，在Hw的存在下，島中僅上單元的磁化被翻轉(zhuǎn)。通常這意味著下磁單元和上磁單元的矯頑力也存在實(shí)質(zhì)性差異(Hc2大于矯頑力Ha)。對(duì)于上面描述的具體示例，上單元是具有62 的Ta和30k0e的Ha的!^eCuxPt,下單元是具有720K的Tc2和3^0e的Hc2 的!^eCuyPt (其中χ大于y)。60mA的固定寫電流脈沖I。將產(chǎn)生約IOkOe的磁寫場Hw。與 NFT的輸出具有5%耦合效率的5mW的激光功率水平Pl將把上單元的溫度增大到約650K， 其將把Ha減小到約OOe。IOmff的激光功率水平P2將把兩層的溫度增大到超過750K，這將把HCl減小到約OOe且把He2減小到約00e。優(yōu)選地，Te2和Tei之間的差異至少為100K。上述寫過程緩解了位尋址能力問題，因?yàn)榧词箒碜詫戭^的寫場或邊緣場與正被尋址(寫入)的島附近的島中的單元相互作用，那些單元也不能被覆寫，因?yàn)樗鼈兾幢┞兜絹碜訬FT的熱。因此，在本發(fā)明中，更少地?fù)?dān)心圖案化介質(zhì)具有窄的SFD，因此在介質(zhì)制造期間對(duì)單元和島的成分和厚度的控制要求更少。多個(gè)磁狀態(tài)A-D的讀取要求能檢測堆疊磁單元產(chǎn)生的讀回信號(hào)水平。每個(gè)層的剩磁(Mr)和厚度⑴能被選擇為最大化記錄在一個(gè)島上的2n種可能磁狀態(tài)(其中η是堆疊層的數(shù)量)之間的讀回信號(hào)差異。對(duì)于兩層系統(tǒng)，讀頭產(chǎn)生的信號(hào)可近似為讀回信號(hào)=信號(hào)信號(hào)2方程式1其中1和2分別指示頂和底單元的貢獻(xiàn)。為了優(yōu)化每個(gè)單元的貢獻(xiàn)之間的凈差異，信號(hào)工應(yīng)優(yōu)選為信號(hào)2的至少兩倍。信號(hào)工彡2*信號(hào)2方程式2或者α ^MrJ1 彡 2* α ^MrJ2方程式 3其中(Mrt)是單元的剩磁-厚度乘積，α是間隔損耗因子(由讀頭幾何構(gòu)型以及讀頭、磁層和可能的軟磁襯層(SUL)之間的間隔給出)。因此，使用以上示例，F(xiàn)eCuxPt的上單元將具有900memu/cc的Mr1且能具有5nm的厚度t1; FeCuyPt的下單元將具有IlOOmemu/ cc的Mr2且能具有5nm的厚度t2?？臻g損耗因子α為約exp (-2 π * δ /L)，其中L是沿道方向的島節(jié)距，δ是各個(gè)單元的頂部和頭之間的間隔。結(jié)果，方程式3的關(guān)系可以通過下面的關(guān)系實(shí)現(xiàn)(Mi^t1) / (Mr2t2)彡 2*exp (_2 π *、/!)方程式 4因此適當(dāng)選擇Mrt值和單元厚度以及間隔層厚度能用于實(shí)現(xiàn)期望的讀回信號(hào)水平。雖然已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例特別顯示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不偏離本發(fā)明的思想和范圍。因此，所公開的發(fā)明將僅視為示例性的且僅限制在所附權(quán)利要求確定的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種熱輔助記錄(TAR)圖案化介質(zhì)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器，包括能旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤，具有多個(gè)同心數(shù)據(jù)道，每個(gè)數(shù)據(jù)道被圖案化成通過非磁間隔分隔開的離散數(shù)據(jù)島，每個(gè)島包括具有垂直磁各向異性的至少兩個(gè)堆疊的磁單元，島中的每個(gè)單元與其島中的其他單元分隔開，堆疊中的最上面的單元具有矯頑力Hci和居里溫度Ta，堆疊中的最下面的單元具有矯頑力Hc2和比Ta大的居里溫度Tc2 ；寫頭，用于施加比Ha和Hra小的磁寫場到所述數(shù)據(jù)島；激光器光源，能提供至少兩個(gè)水平的激光輸出功率；光學(xué)通道和近場換能器，用于將來自所述光源的輻射引導(dǎo)到所述盤來加熱所述數(shù)據(jù)島；其中第一水平的激光功率Pl將島中所述最上面的單元加熱到Ta附近但是小于T。2的溫度，第二水平的激光功率Ρ2將島中所述最下面和最上面的單元加熱到大于Ta且在Tra附近的溫度；以及載具，用于支承所述寫頭和所述近場換能器，該載具的面對(duì)盤的表面維持在離所述盤比激光的波長更小的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中每個(gè)單元包括!^eXPt合金，其中X選自Cu和Ni。
3.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中堆疊中所述最下面的單元包括化學(xué)有序的二元合金!^ePt。
4.如權(quán)利要求2所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中堆疊中所述最下面的單元包括!^eCuPt合金，其中Cu的量大于或等于1原子百分比且小于或等于20原子百分比，且堆疊中所述最上面的單元包括i^eCuPt合金，其中存在的Cu的量大于所述最下面的單元中存在的Cu的量。
5.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中Tc2和Ta之間的差異至少為100K。
6.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中每個(gè)島包括在單元的堆疊中的所述最下面的單元和所述最上面的單元之間的中間單元，所述中間單元具有矯頑力Hra和大于Ta且小于Tc2 的居里溫度Tra ；且其中所述激光器光源能提供大于Pl且小于P2的第三水平激光輸出功率 P3。
7.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，還包括在該載具上用于檢測來自所述數(shù)據(jù)島的讀回信號(hào)的讀頭，其中來自島中所述最上面的單元的信號(hào)是來自島中所述最下面的單元的信號(hào)的至少兩倍。
8.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動(dòng)器，還包括在該載具上用于檢測來自所述數(shù)據(jù)島的讀回信號(hào)的讀頭，其中每個(gè)島中僅有兩個(gè)單元，其中所述最上面的單元具有剩磁-厚度乘積 (Mr^1)且所述最下面的單元具有剩磁-厚度乘積(Mr2t2)，且其中(MrJ1) / (Mr2t2)等于或大于2*exp (-2 π *、/!)，其中L是沿道方向的島節(jié)距。
9.一種熱輔助記錄(TAR)圖案化介質(zhì)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器，包括能旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤，具有支承多個(gè)同心數(shù)據(jù)道的基本平坦表面，每個(gè)數(shù)據(jù)道被圖案化成通過非磁間隔分隔開的離散數(shù)據(jù)島，每個(gè)島包括由能基本垂直于盤表面磁化的磁材料構(gòu)成并通過非磁間隔物分隔開的兩個(gè)堆疊單元，堆疊中的上單元具有居里溫度Τα，堆疊中的下單元具有比Ta大的居里溫度Tc2 ；盤驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)控制器，用于控制將要寫入到數(shù)據(jù)島的數(shù)據(jù)；寫頭，用于向數(shù)據(jù)島施加磁寫場，當(dāng)所述單元實(shí)質(zhì)上處于其居里溫度以下的溫度時(shí)，該磁寫場不足以磁化所述單元；激光器，耦合到該數(shù)據(jù)控制器且響應(yīng)于將要寫入到數(shù)據(jù)島的數(shù)據(jù)提供兩個(gè)水平的激光輸出功率，第一激光功率Pl用于與島的兩個(gè)單元中的反平行的磁化對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，比Pl更大的第二水平的激光功率P2用于與島的兩個(gè)單元中的平行的磁化對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)；光學(xué)通道和近場換能器，用于將來自激光器的輻射引導(dǎo)到盤以加熱數(shù)據(jù)島；其中激光功率Pl將島中的上單元加熱到Ta附近但是小于Tc2的溫度，激光功率P2將島中的下和上單元加熱到大于Ta且在T。2附近的溫度；以及載具，用于支承寫頭和近場換能器，該載具的面對(duì)盤的表面維持在離所述盤比激光的波長更小的距離。
10.如權(quán)利要求9所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中每個(gè)單元包括!^eXPt合金，其中X選自Cu和Ni。
11.如權(quán)利要求9所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中堆疊中的下單元包括化學(xué)有序的二元合金 FePt0
12.如權(quán)利要求9所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中堆疊中的下單元包括!^eCuPt合金，其中Cu的量大于或等于1原子百分比且小于或等于20原子百分比，堆疊中的上單元包括!^eCuPt合金，其中存在的Cu的量大于下單元中存在的Cu的量。
13.如權(quán)利要求9所述的盤驅(qū)動(dòng)器，其中Tc2和Ta之間的差異為至少100Κ。
14.如權(quán)利要求9所述的盤驅(qū)動(dòng)器，還包括在該載具上用于檢測來自數(shù)據(jù)島的讀回信號(hào)的讀頭，其中來自島中的上單元的信號(hào)是來自島中的下單元的信號(hào)的至少兩倍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種熱輔助記錄(TAR)圖案化介質(zhì)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器，具有帶多層數(shù)據(jù)島的垂直圖案化介質(zhì)盤和能提供多個(gè)輸出功率水平到近場換能器的激光器。如果每個(gè)島中僅有兩個(gè)單元，則每個(gè)島由具有矯頑力HC1和居里溫度TC1的磁材料的上單元、具有矯頑力HC2和大于TC1的居里溫度TC2的磁材料的下單元、以及在兩個(gè)單元之間的非磁間隔層形成。每個(gè)單元由高各向異性材料形成從而具有比磁寫場更大的各向異性場。TAR激光器能提供至少兩個(gè)水平的輸出功率到NFT以允許島被加熱到兩個(gè)截然不同的溫度，使得島中的兩個(gè)單元能被寫入以具有相同或相反的磁化。
文檔編號(hào)G11B5/66GK102467914SQ20111035197
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者B.C.斯蒂普, D.K.韋勒, G.澤爾策, M.K.格羅比斯 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司