專利名稱：存儲器及其冗余替代方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器及其冗余替代方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲器在數(shù)據(jù)讀取時，通常采用靈敏放大器(SA，Sense Amplifier) 來檢測存儲單元上的位線電流與基準(zhǔn)電流的差值，從而判斷存儲單元內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)為“0” 或“1”位元。靈敏放大器是存儲器的一個重要組成部分，直接影響存儲器的讀取速度。靈敏放大器感應(yīng)位線(bit-line)上的小信號變化并通過放大所述小信號變化來得到存儲單元上儲存的數(shù)據(jù)。在感應(yīng)位線(bit-line)上的小信號變化前，靈敏放大器會將位線電壓調(diào)整至固定值，以使位線電壓盡快穩(wěn)定，進(jìn)而可在讀取時感應(yīng)到穩(wěn)定的位線電流。圖1是現(xiàn)有的一種存儲器及其靈敏放大器的電路圖，如圖1所示，傳統(tǒng)的靈敏放大器主要包含MOS管M2、M3、M5及M6。其中，MOS管M3與MOS管M4相匹配，可將MOS管M4的漏極上的電流I。ell (位線電流)鏡像到MOS管M3上的輸出電流，即Ieell = Iffl3 ；MOS管M2與 MOS管Ml相匹配，可將MOS管Ml上輸出電流鏡像到MOS管M2上的輸出電流，即Iref = Im2 ；MOS管M5與MOS管M6相匹配，即Im5 = Im6。MOS管M6的漏極電壓Ve將取決于Im3與 Iffl6的大小。當(dāng)靈敏放大器用于測試存儲單元的存儲位元為“0”或“1”時，由于Ι。ε11 = Im3、 Iref = Im2> Im5 = Im6、又 Im2 = Im5，如果存儲單元為 “0” 位 元，則 Ieell < Iref, MOS 管 M6 的漏極電壓Ve被拉向地線，為低電平，即緩存器buffer輸出Dout (感應(yīng)電壓)為“0” ；如果存儲單元為“1”位元，則Ieell > Iref, MOS管M6的漏極電壓Ve被拉向電源線Vdd，為高電平， 即緩存器buffer輸出Dout為“1”。上述靈敏放大器是在與存儲單元理想匹配的情況下，根據(jù)緩存器的輸出判斷存儲單元存儲“0”或“ 1，，位元。然而，存儲單元的讀取速度與施加在其上的工作電壓相關(guān)，也就是說，在較低的工作電壓下，存儲單元的位線電流Irell較小，存儲單元的讀取速度也較慢。在實際情況中，由于工藝上的誤差，會導(dǎo)致存儲器中各個存儲單元的器件參數(shù)并不完全相同，因此在對其施加相同的位線電壓(即工作電壓)時，各個存儲單元的讀取速度并不相同。為了提高存儲單元的讀取速度，通常需要提高工作電壓。因此在實際操作中，為了保證存儲器的讀取速度，通常會將較大的工作電壓施加到各個存儲單元上，這樣可以獲得較大的位線電流，從而可以提高存儲器的讀取速度。但是這種情況下，各個存儲單元的功耗會增大，從而使得存儲器的整體功耗增大。因此，如何在保證讀取速度的同時降低存儲器的功耗就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種存儲器及其冗余替代方法，以有效地降低存儲器的功耗并且不會影響其讀取速度。本發(fā)明提供的一種存儲器，包括包含多個存儲單元的存儲陣列以及外圍電路，所述存儲單元包括工作單元以及冗余單元，所述工作單元用于數(shù)據(jù)的存儲，所述冗余單元與工作單元的器件結(jié)構(gòu)相同，并與位線以及字線連接，作為所述工作單元的備份；所述外圍電路包括讀取控制單元，用于在工作單元的讀取時間大于基準(zhǔn)讀取時間時，將所述工作單元替代為冗余單元。 本發(fā)明還提供一種應(yīng)用上述存儲器的冗余替代方法，包括設(shè)置數(shù)據(jù)讀取的基準(zhǔn)工作電壓，并檢測在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失敗；在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓， 并且在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)各工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將調(diào)節(jié)后的工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓?？蛇x地，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓包括逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元， 將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓?？蛇x地，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓包括逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失敗，在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將當(dāng)前工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓；重復(fù)上述各個步驟，將部分或全部的冗余單元替代為工作單元?？蛇x地，在將部分或全部的冗余單元替代為工作單元之后，繼續(xù)降低施加的工作電壓，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元，并將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓?？蛇x地，在0.01 0.4伏的幅度范圍內(nèi)調(diào)節(jié)施加的工作電壓。可選地，所述同址替代包括任意選擇一冗余單元作為替代的單元；變更存儲器中譯碼器的地址表，將該數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元的譯碼地址賦于所選擇的冗余單元，使得所述冗余單元成為新的工作單元?？蛇x地，所述同址替代還包括設(shè)置上下多級基準(zhǔn)讀取時間，其中下級基準(zhǔn)讀取時間大于上級基準(zhǔn)讀取時間；根據(jù)所述失敗的工作單元的讀取時間以及所述上下多級基準(zhǔn)讀取時間，將所述失敗的工作單元進(jìn)行分組標(biāo)識?？蛇x地，將所述失敗的工作單元進(jìn)行分組標(biāo)識還包括當(dāng)所述失敗的工作單元的讀取時間大于最長的基準(zhǔn)讀取時間時，將所述失敗的工作單元進(jìn)行屏蔽?？蛇x地，當(dāng)未標(biāo)識的工作單元在上級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取失敗時，使用下級基準(zhǔn)讀取時間。可選地，當(dāng)未標(biāo)識的工作單元在下級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)仍出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取失敗時，用標(biāo)識為對應(yīng)于該級基準(zhǔn)讀取時間的冗余單元進(jìn)行替代。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點利用存儲器中的冗余單元將部分工作單元替換，使得各個存儲單元所需的工作電壓降低，從而有效地降低了存儲器在進(jìn)行讀取操作時的功耗。



圖1為現(xiàn)有的一種存儲器及其靈敏放大器的電路圖；圖2為本發(fā)明所述存儲器及其靈敏放大器的電路原理圖；圖3為本發(fā)明所述存儲器冗余替代方法的一種實施例的流程示意圖；圖4為圖3中所示調(diào)節(jié)施加的工作電壓的一種實施方式流程示意圖；圖5為圖3中所示調(diào)節(jié)施加的工作電壓的另一種實施方式流程示意圖；圖6為本發(fā)明同址替代的步驟的流程示意圖。
具體實施例方式根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的描述，在半導(dǎo)體存儲器中，存儲單元的讀取速度與施加的工作電壓有關(guān)，而在實際操作中，為了保證存儲單元的讀取速度，通常會在存儲單元上施加較大的工作電壓。但是，這樣會導(dǎo)致各個存儲單元的功耗較大，從而使得存儲器的整體功耗也較大。本發(fā)明提供的存儲器則將讀取時間大于基準(zhǔn)讀取時間的工作單元進(jìn)行了替代，并且通過檢測逐漸降低施加的工作電壓，從而能夠使得存儲單元所需的工作電壓降低，進(jìn)而在保證讀取速度的同時降低了存儲器的功耗。進(jìn)一步地，還可以將全部的冗余單元替代為工作單元，并通過檢測逐漸降低施加的工作電壓，使得施加到存儲單元上的工作電壓為最低，從而將存儲器的功耗降到最低。具體地，圖2示出了本發(fā)明所述存儲器及其靈敏放大器的電路原理圖，需要說明的是，本發(fā)明的存儲器還包括外圍電路，所述外圍電路包括讀取控制單元(圖2未示出)。 如圖2所示，與現(xiàn)有的存儲器相比，本發(fā)明存儲器的存儲單元包括工作單元以及冗余單元， 所述工作單元用于數(shù)據(jù)的存儲，所述冗余單元與工作單元的器件結(jié)構(gòu)相同，并與位線以及字線連接，作為所述工作單元的備份；所述讀取控制單元(圖2未示出)，用于在工作單元的讀取時間大于基準(zhǔn)讀取時間時用冗余單元替代工作單元；本發(fā)明存儲器的其他結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的存儲器的結(jié)構(gòu)相類似，故在此不再贅述。下面再結(jié)合附圖本發(fā)明存儲器的冗余替代方法做詳細(xì)說明。圖3為本發(fā)明所述存儲器冗余替代方法的一種實施例的流程示意圖，所述方法包括如下步驟Si、設(shè)置數(shù)據(jù)讀取的基準(zhǔn)工作電壓，并檢測在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；S2、使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；S3、重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失??；S4、在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓，并且在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)各工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將調(diào)節(jié)后的工作電壓作為所述存儲器的讀取電壓。具體地，首先執(zhí)行步驟Si，其中，判斷工作單元是否數(shù)據(jù)讀取失敗，可以對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲并讀取，然后驗證讀取的數(shù)據(jù)是否與原先存儲的數(shù)據(jù)一致，如果某一工作單元存在讀取錯誤則表示該工作單元的數(shù)據(jù)讀取失敗(類似于硬盤中的壞道)。若不存在數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元，則表示存儲器工作正常，無需進(jìn)行冗余替代；若存在數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元，則執(zhí)行步驟S2，即使用冗余單元對其進(jìn)行同址替代。所述同址替代中的“址”指的是存儲器的邏輯地址，即系統(tǒng)對工作單元的標(biāo)識，而字線的連接決定的是存儲單元的物理地址。所述同址替代包括系統(tǒng)通過物理地址選中冗余單元，然后將失敗工作單元的邏輯地址賦予該冗余單元，使其成為新的工作單元。上述同址替代方法可以由軟件實現(xiàn)。需要說明的是，本實施例中的冗余單元的結(jié)構(gòu)以及大小并不影響本發(fā)明的保護(hù)范圍。也就是說，對工作單元進(jìn)行同址替代的可以是固定大小的冗余單元，也可以是可變大小冗余單元；并且所述冗余單元可以是行冗余單元、列冗余單元或者扇區(qū)冗余單元。在不違背本發(fā)明的精神下，所述冗余單元還可以采用其他的結(jié)構(gòu)，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。再執(zhí)行步驟S3，在所述步驟S2執(zhí)行完成之后，若仍有在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的單元，則重復(fù)執(zhí)行步驟S2，即使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；若重新檢測后未有在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的單元，則執(zhí)行步驟S4,即調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓，并且在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)各工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將調(diào)節(jié)后的工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓。所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓的幅度可以根據(jù)實際情況對進(jìn)行設(shè)置，在本實施例中， 所述遞減調(diào)節(jié)的幅度為0. 01 0. 4伏。當(dāng)然，可以理解的是，本實施例中的幅度范圍僅為舉例說明，其不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在不同的工作環(huán)境(例如，常溫、低溫或高溫)中，存儲器所需的工作條件也會有所不同。為了保證本實施例的檢測以及遞減調(diào)節(jié)步驟的可靠性，即為了保證存儲器在不同的環(huán)境中都能正常有效地運作，可以將本實施例所述的冗余替代方法做進(jìn)一步地限定，例如，在常溫下進(jìn)行本實施例的冗余替代方法時，可以適當(dāng)減小基準(zhǔn)讀取時間，以保證存儲器在低溫或者高溫下也能正常的進(jìn)行讀取操作；還可以分別在常溫、低溫、高溫的條件下分別進(jìn)行本實施例的冗余替代方法，并且取其不同條件下的最壞情形將冗余單元替代為工作單元，這樣也能保證存儲器在不同的環(huán)境中的正常操作。本實施例中，通過用冗余單元將在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行了替代，并在保證工作單元正確讀取數(shù)據(jù)的情況下適當(dāng)降低了施加的工作電壓，從而在保持讀取速度的同時降低了各個存儲單元的功耗，因此也降低了存儲器的整體功耗。圖4示出了圖3中步驟S4的一種實施方式，如圖4所示，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓的過程包括步驟S11、逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測；步驟S12、當(dāng)出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元時，將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓。在這種實施方式中，通過逐漸降低施加的工作電壓和檢測工作單元的讀取狀態(tài)， 得出了可以施加的更低的工作電壓，因此通過這種實施方式可以進(jìn)一步地降低存儲器的功
^^ ο相應(yīng)地，圖5示出了圖3中步驟S4的另一種實施方式。參考圖5，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓的過程包括S21、逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；

S22、使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；S23、重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失敗；S24、在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將當(dāng)前工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓；S25、重復(fù)上述各個步驟，將部分或全部的冗余單元替代為工作單元。與圖4所示的實施方式相比，在本實施例中，通過重復(fù)檢測工作單元的讀取狀態(tài)并且逐漸降低施加的工作電壓，并且將部分或全部的冗余單元替代為工作單元，從而使得存儲單元所需的工作電壓進(jìn)一步降低，因此進(jìn)一步地減小了各個存儲單元的功耗。更優(yōu)地，還可以在將部分或全部的冗余單元替代為工作單元之后，繼續(xù)降低施加的工作電壓，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元。這時，不再降低施加的工作電壓，將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓，以保證當(dāng)前的存儲單元能夠在基準(zhǔn)的讀取時間內(nèi)實現(xiàn)正常的讀取操作。這樣，在冗余單元替代為工作單元之后，通過逐漸降低調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其降低到當(dāng)前存儲單元所需的最低工作電壓，從而更進(jìn)一步地減小了各個存儲單元的功耗。根據(jù)前述內(nèi)容，同址替代是存儲器系統(tǒng)通過軟件實現(xiàn)(通過存儲器的操作指令) 的，基本思想是將失敗工作單元的邏輯地址賦予冗余單元，使得所述冗余單元成為新的工作單元。圖6為所述同址替代的流程示意圖，基本步驟包括S301、任意選擇一冗余單元作為替代的單元；S302、變更存儲器中譯碼器的地址表，將該數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元的譯碼地址賦于所選擇的冗余單元，使得所述冗余單元成為新的工作單元。根據(jù)公知原理，存儲器中每個存儲單元通過字線連接從而具有唯一的物理地址， 此外在存儲器系統(tǒng)中還對應(yīng)一個譯碼地址(即邏輯地址)，外部應(yīng)用服務(wù)對存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時，提供所需調(diào)用數(shù)據(jù)的存儲位置也即譯碼地址，通常存儲器的譯碼器會根據(jù)地址表(包含譯碼地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系信息)找到該存儲單元，并通過字線選中，以便于靈敏放大器讀取數(shù)據(jù)。上述同址替換即變更譯碼地址與存儲單元的物理地址對應(yīng)關(guān)系，使得所述選擇的冗余單元替代原數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元對應(yīng)該譯碼地址。作為優(yōu)選的方案，通常還可以在同址替代后，將原數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行分組標(biāo)識，即在存儲器系統(tǒng)中標(biāo)識該工作單元為數(shù)據(jù)讀取失敗單元，但是被標(biāo)識的存儲單元并不是被完全廢棄。為了達(dá)到更好的優(yōu)化，可以設(shè)置上下多級基準(zhǔn)讀取時間，其中，下級基準(zhǔn)讀取時間大于上級基準(zhǔn)讀取時間；并且根據(jù)失敗的工作單元的讀取時間將其分組標(biāo)識為與多級基準(zhǔn)讀取時間一一對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀取失敗單元。當(dāng)未被標(biāo)識的工作單元由于老化而無法在上級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)讀取數(shù)據(jù)時，將使用下級基準(zhǔn)讀取時間；若在下級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)仍無法正確讀取數(shù)據(jù)，則可以用與該級基準(zhǔn)讀取時間相對應(yīng)的，且標(biāo)識為數(shù)據(jù)讀取失敗單元進(jìn)行替代。這樣就可以更好地達(dá)到優(yōu)化， 以增強存儲單元的利用率和存儲單元的使用壽命。
另外，若存儲單元在預(yù)先設(shè)定的最長的基準(zhǔn)時間內(nèi)仍無法正確讀取數(shù)據(jù)時，則會將其進(jìn)行標(biāo)識并屏蔽，即在存儲器系統(tǒng)中標(biāo)識該存儲單元為失效單元并將其屏蔽，以避免存儲器將其作為冗余單元替代其他工作單元。通過這種設(shè)置可以有效地提高存儲器的替代效率。 本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種存儲器，包括包含多個存儲單元的存儲陣列以及外圍電路，其特征在于，所述存儲單元包括工作單元以及冗余單元，所述工作單元用于數(shù)據(jù)的存儲，所述冗余單元與工作單元的器件結(jié)構(gòu)相同，并與位線以及字線連接，作為所述工作單元的備份；所述外圍電路包括讀取控制單元，用于在工作單元的讀取時間大于基準(zhǔn)讀取時間時，將所述工作單元替代為冗余單元。
2.一種應(yīng)用權(quán)利要求1所述存儲器的冗余替代方法，其特征在于，包括設(shè)置數(shù)據(jù)讀取的基準(zhǔn)工作電壓，并檢測在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失?。辉诠ぷ鲉卧从袛?shù)據(jù)讀取失敗時，調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓，并且在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)各工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將調(diào)節(jié)后的工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的冗余替代方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓包括逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元，將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓。
4.如權(quán)利要求2所述的冗余替代方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓包括逐漸降低施加的工作電壓，并對工作單元進(jìn)行檢測，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失敗，在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將當(dāng)前工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓；重復(fù)上述各個步驟，將部分或全部的冗余單元替代為工作單元。
5.如權(quán)利要求4所述的冗余替代方法，其特征在于，還包括在將部分或全部的冗余單元替代為工作單元之后，繼續(xù)降低施加的工作電壓，直至出現(xiàn)在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元，并將最后一次調(diào)節(jié)前的電壓作為存儲器的工作電壓。
6.如權(quán)利要求2所述的冗余替代方法，其特征在于，在0.01 0. 4伏的幅度范圍內(nèi)調(diào)節(jié)施加的工作電壓。
7.如權(quán)利要求2所述的冗余替代方法，其特征在于，所述同址替代包括任意選擇一冗余單元作為替代的單元；變更存儲器中譯碼器的地址表，將該數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元的譯碼地址賦于所選擇的冗余單元，使得所述冗余單元成為新的工作單元。
8.如權(quán)利要求7所述的冗余替代方法，其特征在于，所述同址替代還包括設(shè)置上下多級基準(zhǔn)讀取時間，其中下級基準(zhǔn)讀取時間大于上級基準(zhǔn)讀取時間；根據(jù)所述失敗的工作單元的讀取時間以及所述上下多級基準(zhǔn)讀取時間，將所述失敗的工作單元進(jìn)行分組標(biāo)識。
9.如權(quán)利要求8所述的冗余替代方法，其特征在于，將所述失敗的工作單元進(jìn)行分組標(biāo)識還包括當(dāng)所述失敗的工作單元的讀取時間大于最長的基準(zhǔn)讀取時間時，將所述失敗的工作單元進(jìn)行屏蔽。
10.如權(quán)利要求8所述的冗余替代方法，其特征在于，還包括當(dāng)未標(biāo)識的工作單元在上級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取失敗時，使用下級基準(zhǔn)讀取時間。
11.如權(quán)利要求10所述的冗余替代方法，其特征在于，當(dāng)未標(biāo)識的工作單元在下級基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)仍出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀取失敗時，用標(biāo)識為對應(yīng)于該級基準(zhǔn)讀取時間的冗余單元進(jìn)行替代。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種存儲器及其冗余替代方法，所述冗余替代方法包括設(shè)置數(shù)據(jù)讀取的基準(zhǔn)工作電壓，并檢測在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元；使用冗余單元對數(shù)據(jù)讀取失敗的工作單元進(jìn)行同址替代；重新檢測各工作單元的數(shù)據(jù)讀取是否失敗；在工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，調(diào)節(jié)施加的工作電壓使其小于基準(zhǔn)工作電壓，并且在基準(zhǔn)讀取時間內(nèi)各工作單元未有數(shù)據(jù)讀取失敗時，將調(diào)節(jié)后的工作電壓作為所述存儲器的數(shù)據(jù)讀取電壓。本發(fā)明利用存儲器中的冗余單元將部分工作單元替換，使得各個存儲單元所需的工作電壓降低，從而有效地降低了存儲器在進(jìn)行讀取操作時的功耗。
文檔編號G11C7/06GK102436841SQ201110379680
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者楊光軍 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司