專(zhuān)利名稱(chēng)：對(duì)地址不對(duì)稱(chēng)nvm單元具有增強(qiáng)的效率的非易失性存儲(chǔ)器的制作方法
對(duì)地址不對(duì)稱(chēng)NVM單元具有增強(qiáng)的效率的非易失性存儲(chǔ)器
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元在沒(méi)有接收到恒定或者持久電源的情況下對(duì)存儲(chǔ)的信息進(jìn)行保持。對(duì)于不需要或者不向單元提供恒定功率的電子系統(tǒng)而言，NVM單元可以提供很大的功率節(jié)省。用于電子系統(tǒng)的初始化時(shí)間也可以經(jīng)由NVM而減小。例如，在NVM中存儲(chǔ)的指令準(zhǔn)備執(zhí)行并且不需要在初始化過(guò)程期間重新創(chuàng)建或者重新加載。NVM單元通常以數(shù)字格式來(lái)存儲(chǔ)信息。例如，NVM單元將信息存儲(chǔ)為0或者1。因此，NVM單元通常在反映數(shù)字格式的第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。所述狀態(tài)可以包括電荷狀態(tài)(例如，閃速存儲(chǔ)器)或者磁性狀態(tài)(例如，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (STT-RAM))。通常，STT-MRAM單元包括充當(dāng)用于信息位的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的磁性隧道結(jié)(MTJ)。使用向MTJ提供驅(qū)動(dòng)電流的NMOS晶體管，MTJ在不同狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，其中所述驅(qū)動(dòng)電流改變?cè)贛TJ部分內(nèi)的電子的自旋，使得STT-MRAM單元可以在沒(méi)有恒定或者持久電源的擴(kuò)展時(shí)段內(nèi)以至少兩個(gè)不同的磁阻狀態(tài)存在。例如，第一狀態(tài)可以是0狀態(tài)，并且第二狀態(tài)是1狀態(tài)，使得每個(gè)狀態(tài)都可以被讀取作為數(shù)字位。為將MTJ在兩個(gè)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變而所需要的驅(qū)動(dòng)電流量可以是不對(duì)稱(chēng)的。簡(jiǎn)言之，用來(lái)將MTJ從第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變回為第一狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)電流相比，更大的驅(qū)動(dòng)電流可以用來(lái)將MTJ從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài)。在NMOS晶體管MRAM單元中，較高的電流狀態(tài)將MTJ和NMOS晶體管置于非最優(yōu)操作條件。例如，較高的電流狀態(tài)可以影響MTJ的可靠性，并且它使NMOS晶體管經(jīng)歷更高的體效應(yīng)。因此，兩個(gè)組件都同時(shí)在次最優(yōu)狀態(tài)或者條件下操作。較高的電流要求也指定了 NMOS晶體管的尺寸并且限制了 MRAM單元到更小幾何形狀的可縮放性。

發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以介紹用來(lái)實(shí)現(xiàn)自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (STT-MRAM)單元的裝置和方法的簡(jiǎn)化概念。下面在具體實(shí)施方式
中對(duì)裝置和系統(tǒng)進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。本發(fā)明內(nèi)容不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的必要特征，也不旨在用于確定所要求保護(hù)的主題的范圍。STT-MRAM單元是NVM的類(lèi)型，其使用磁性特性的材料以在不同的磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。STT-MRAM包括耦合到存取晶體管或者與存取晶體管進(jìn)行電通信的磁性隧道結(jié)。MTJ包括磁性材料，其使得MTJ能夠在兩個(gè)不同的磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。存取晶體管提供驅(qū)動(dòng)電流， 其使得MTJ能夠在兩個(gè)狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。使用PMOS或者ρ型晶體管作為存取晶體管減小了用于在兩個(gè)不同的磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變的驅(qū)動(dòng)電流不對(duì)稱(chēng)量。


將參考附圖來(lái)闡述具體實(shí)施方式
。在附圖中，參考標(biāo)號(hào)最左邊的(一個(gè)或多個(gè))數(shù)字標(biāo)識(shí)參考標(biāo)號(hào)首次出現(xiàn)于其中的附圖。在不同附圖中的相同參考標(biāo)號(hào)的使用指示類(lèi)似或者相同的項(xiàng)目。
圖1是表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的MRAM單元的示意圖和MRAM裝置的說(shuō)明。圖2是表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的MRAM單元的示意圖。圖3是表示根據(jù)在此描述的方法正向MRAM單元寫(xiě)入的示意圖。圖4是表示合并到襯底中的MRAM單元的說(shuō)明。圖5是在此描述的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式概述
本公開(kāi)涉及一種STT-MRAM單元，其合并了 PMOS或者ρ型晶體管作為存取晶體管以控制提供給STT-MRAM單元的MTJ或者磁性存儲(chǔ)組件的驅(qū)動(dòng)電流。MTJ基于由PMOS晶體管提供的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)在兩個(gè)磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在一個(gè)示例中，MTJ需要比從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài)所需的電流量更高的電流電平以從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙顟B(tài)。在較高的電流狀態(tài)或者轉(zhuǎn)變下，由于可能對(duì)MTJ造成損害的較高的電流電平，MTJ 在次最優(yōu)條件下操作。然而，在較高的電流條件下的PMOS晶體管最低限度地受體效應(yīng)影響，其依賴(lài)于在晶體管源極和襯底之間的電壓差。因此，在MTJ的較高的電流轉(zhuǎn)變期間， PMOS晶體管以最優(yōu)狀態(tài)或者條件操作。在較低的電流狀態(tài)或者轉(zhuǎn)變下，MTJ以更加最優(yōu)的條件操作于可能對(duì)MTJ造成損害的較低電流電平。但是，在該示例下，與它在較高的電流狀態(tài)下操作時(shí)相比，體效應(yīng)對(duì) PMOS晶體管具有更大的影響。因此，PMOS晶體管在MTJ的較低電流轉(zhuǎn)變期間以次最優(yōu)狀態(tài)或者條件進(jìn)行操作。簡(jiǎn)言之，通過(guò)未使得MRAM單元的組件(MTJ與PMOS晶體管)能夠同時(shí)以次最優(yōu)條件進(jìn)行操作，使用PMOS晶體管代替NMOS晶體管作為MRAM單元中的存取晶體管允許MRAM 單元以更加最優(yōu)的方式運(yùn)行。示例STT-MRAM 單元
圖1是在封裝中包裝的代表性MRAM裝置100的說(shuō)明，所述封裝可以被合并到可以向使用存儲(chǔ)器的任何電子裝置中合并的印刷電路板(未示出)中。MRAM單元102是MRAM裝置 100的個(gè)別單元的示意性表示。MRAM裝置100可以包括數(shù)百萬(wàn)個(gè)MRAM單元102。在一個(gè)實(shí)施例中，MRAM單元102包括磁性隧道結(jié)104，其耦合到PMOS晶體管106或者與PMOS晶體管106進(jìn)行電通信。在該實(shí)施例中，MTJ 104被連接到PMOS晶體管106的漏極或者源極區(qū)域。下面將更加詳細(xì)地描述MTJ 104和PMOS晶體管106的功能。圖2是合并了位線(xiàn)200、字線(xiàn)202、以及源極線(xiàn)204的MRAM單元102的示意性表示。 可以將各種電壓施加到位線(xiàn)200、字線(xiàn)202、以及源極線(xiàn)204以便將驅(qū)動(dòng)電流206a或者206b 引導(dǎo)通過(guò)MTJ 104和PMOS晶體管106。如箭頭所表示的，驅(qū)動(dòng)電流206a或者206b可以在任一方向上流動(dòng)通過(guò)MTJ 104和PMOS晶體管106以轉(zhuǎn)換MTJ 104的磁阻狀態(tài)。MTJ 104可以包括幾個(gè)磁性材料層，其使得驅(qū)動(dòng)電流206a或者206b能夠改變至少一個(gè)層的電子自旋， 使得MTJ 104可以以至少兩個(gè)磁阻狀態(tài)存在。在一個(gè)實(shí)施例中，MTJ 104可以包括自由層208、隧道層210、以及固定層212。在該實(shí)施例中，在下面要描述的條件下，驅(qū)動(dòng)電流206a隧穿通過(guò)MTJ 104并且改變自由層208 中的電子自旋，使得MTJ 104的電阻可以被改變并且在沒(méi)有持久電源的情況下被保持。類(lèi)似地，具有與206a不同的值的第二驅(qū)動(dòng)電流206b可以改變自由層的電子自旋以變化MTJ 104的電阻。以此方式，根據(jù)自由層208的磁化，MTJ 104可以具有兩個(gè)不同的電阻。在說(shuō)明性實(shí)施例中，MTJ 104的兩個(gè)狀態(tài)可以是自由層208和固定層212的平行磁化狀態(tài)以及自由層208和固定層212的反平行磁化216。平行狀態(tài)214和反平行狀態(tài)216 具有可區(qū)分的磁阻特性，使得施加到MTJ 104的讀取電流(未示出)將能夠區(qū)分在兩個(gè)狀態(tài)之間的電阻差。以此方式，出于數(shù)字地存儲(chǔ)信息位的目的，MTJ 104可以被讀取為0或者1。在平行狀態(tài)214中，自由層208和固定層212的磁化是類(lèi)似的或者平行的。在圖2 中所示的實(shí)施例中，在平行狀態(tài)中的磁化由自由層208和固定層212中的指向相同方向的箭頭示出。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，平行狀態(tài)可以表示用于信息位的數(shù)字1。在反平行狀態(tài)216中，自由層208和固定層212的磁化是不類(lèi)似的、相反的或者反平行的。在圖2中所示的實(shí)施例中，在反平行狀態(tài)中的電子自旋由自由層208和固定層212 中的指向相反方向的箭頭示出。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，反平行狀態(tài)可以表示用于信息位的數(shù)字0?；诒绢I(lǐng)域中已知的普通MTJ設(shè)計(jì)，為將MTJ 104從反平行(AP)狀態(tài)216轉(zhuǎn)變?yōu)槠叫袪顟B(tài)(PM14所利用或者施加的驅(qū)動(dòng)電流206a的幅度大于從P到AP的轉(zhuǎn)變。在AP —P 轉(zhuǎn)變的高電流條件下，較高的電流久而久之可能導(dǎo)致MTJ 104的可靠性問(wèn)題。較高的電流也可能負(fù)面地影響存取晶體管106的閾值電壓，特別是當(dāng)存取晶體管106是η型晶體管的時(shí)候。例如，在AP — P轉(zhuǎn)變期間，在使用較高的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，MTJ 104處于次最優(yōu)操作條件下，但是PMOS存取晶體管106處于用于最小化體效應(yīng)或者閾值電壓?jiǎn)栴}的最優(yōu)操作條件下。相反，在P —AP轉(zhuǎn)變期間，MTJ 104由于較低的驅(qū)動(dòng)電流而處于最優(yōu)操作條件下，但是 PMOS晶體管處于用于管理體效應(yīng)問(wèn)題的次最優(yōu)操作條件下。因此，在MTJ 104和存取晶體管106之間的次最優(yōu)操作條件在轉(zhuǎn)變條件之間被多樣化。簡(jiǎn)言之，該實(shí)施例通過(guò)不允許用于MRAM單元組件(MTJ 104與晶體管106)的次最優(yōu)操作條件同時(shí)發(fā)生而降低MRAM單元102 的失效率。轉(zhuǎn)到圖3Α和3Β，將討論通過(guò)P — AP或者AP — P轉(zhuǎn)變而實(shí)現(xiàn)的寫(xiě)入條件。如在圖 2中所討論的，驅(qū)動(dòng)電流206a或206b實(shí)現(xiàn)MTJ 104在兩個(gè)磁阻狀態(tài)或者寫(xiě)入條件之間的轉(zhuǎn)變。例如，平行條件214可以表示寫(xiě)入“1”條件而反平行條件216可以表示寫(xiě)入“0”條件， 這實(shí)現(xiàn)在MRAM單元102內(nèi)的數(shù)字信息的存儲(chǔ)。在圖3A中，由MRAM單元300說(shuō)明的寫(xiě)入“0”實(shí)施例通過(guò)如下來(lái)實(shí)現(xiàn)向位線(xiàn)200 和字線(xiàn)202提供零或者較低電壓信號(hào)304、306，同時(shí)向源極線(xiàn)204施加諸如VDD 308的較高電壓，使得驅(qū)動(dòng)電流206a改變自由層的磁化以將MTJ 104定向?yàn)榉雌叫袟l件或者寫(xiě)入“0” 狀態(tài)。在使用MRAM單元302的、圖中所說(shuō)明的寫(xiě)入“ 1 ”實(shí)施例中，通過(guò)如下來(lái)實(shí)現(xiàn) 向字線(xiàn)202和源極線(xiàn)204提供低或者零電壓信號(hào)310、312，同時(shí)向位線(xiàn)200施加諸如VDD 314的較高電壓，使得驅(qū)動(dòng)電流206b改變自由層的磁化以將MTJ 104定向?yàn)槠叫袟l件或者寫(xiě)入“1”狀態(tài)。在上面的實(shí)施例中，相對(duì)的電壓值在其他實(shí)施例中可以不同，但是提供了在磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變MTJ 104的相同結(jié)果。例如，只要VDD信號(hào)314和308的絕對(duì)電壓值大于相應(yīng)的零電壓信號(hào)304、306、或者310、312，則寫(xiě)入條件仍然可以實(shí)現(xiàn)而不用上面關(guān)于在MRAM 單元300中的寫(xiě)入“0”條件或者在MRAM單元302中的寫(xiě)入“ 1”條件所討論的精確電壓值。用于STT-MRAM單元的示例存取晶體管
圖4A和圖4B提供了向包括MTJ 104的襯底中實(shí)現(xiàn)的存取晶體管106的說(shuō)明性實(shí)施例。 在圖4A中所說(shuō)明的一個(gè)實(shí)施例中，MRAM單元400包括與MTJ 104耦合的PMOS晶體管106， 其中所述MTJ 104由自由層208、阻擋層210、以及固定層212表示。金屬層402將MTJ耦合到PMOS晶體管106。出于說(shuō)明方便的目的，金屬層402被示為單層金屬，但是在其他實(shí)施例中，被用于將晶體管106連接到MTJ 104的金屬層可以更多。在MRAM單元400中，晶體管柵極408處于形成晶體管106的源極區(qū)域的ρ型摻雜區(qū)域410上方。η型摻雜區(qū)域406形成晶體管106的體區(qū)或者襯底或者阱，并且另一 ρ型摻雜區(qū)域412形成晶體管106的漏極區(qū)域。晶體管106在該實(shí)施例中也被實(shí)現(xiàn)在ρ型襯底 414中。位線(xiàn)200、字線(xiàn)202、以及源極線(xiàn)204在圖4中示為被分別耦合到晶體管106的漏極區(qū)域、柵極區(qū)域、和源極區(qū)域。在圖4Β中說(shuō)明的另一實(shí)施例中，MRAM單元416被實(shí)現(xiàn)在η型襯底418中。在該實(shí)施例中，存取晶體管106仍然是PMOS晶體管106，其包括形成存取晶體管106的ρ型摻雜區(qū)域422、η型摻雜區(qū)域420、以及另一 ρ型摻雜區(qū)域424。上面的兩個(gè)實(shí)施例是PMOS晶體管的示例，其可以被實(shí)現(xiàn)在襯底中并且被耦合到 MTJ0然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)摻雜劑、材料或者襯底的多種設(shè)置以形成可以耦合到MTJ的PMOS晶體管。在圖4Α和圖4Β中的實(shí)施例僅僅是代表性示例。用于STT-MRAM單元的示例方法
圖5是用于將“0”或者“ 1，，寫(xiě)入到包括PMOS晶體管106的MRAM單元102的方法500 的表示。在502處，MRAM單元102經(jīng)由PMOS晶體管106接收驅(qū)動(dòng)電流206a以轉(zhuǎn)變MRAM單元102的MTJ 104的磁阻狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將比施加到與晶體管106連接的位線(xiàn)200和字線(xiàn)202的電壓更高的電壓施加到源極線(xiàn)204，將“0”寫(xiě)入到MTJ 104，如圖3中的MRAM單元300所示。在該實(shí)施例中，通過(guò)如圖2中所示的MTJ 104的平行配置214來(lái)表示寫(xiě)入“0”狀態(tài)。在504處，MRAM單元102經(jīng)由PMOS 106接收另一驅(qū)動(dòng)電流206b以轉(zhuǎn)變MRAM單元 102的MTJ 104的磁阻狀態(tài)。在該實(shí)施例中，通過(guò)將比施加到與晶體管106連接的字線(xiàn)202 和源極線(xiàn)204的電壓更高的電壓施加到位線(xiàn)200，將“1”寫(xiě)入到MTJ 104，如圖3中的MRAM 單元302中所示。在該實(shí)施例中，通過(guò)如圖2中所示的MTJ 104的反平行配置216來(lái)表示寫(xiě)入“1”狀態(tài)。結(jié)論
雖然以對(duì)結(jié)構(gòu)特征和/或方法動(dòng)作特定的語(yǔ)言描述了實(shí)施例，但是權(quán)利要求不必受限于所描述的特定特征或者動(dòng)作。相反，所述特定特征和動(dòng)作被公開(kāi)作為實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)中描述的主題的說(shuō)明性形式。
權(quán)利要求
1.一種電路，包括存取晶體管，包括柵極區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域，所述存取晶體管是PMOS晶體管；以及磁性組件，被連接到所述存取晶體管的所述漏極區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述磁性組件包括磁性隧道結(jié)，所述磁性隧道結(jié)被配置為具有第一磁阻狀態(tài)和第二磁阻狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述磁性隧道結(jié)包括第一磁性層；第二磁性層，被布置在所述第一磁性層下面；以及阻擋層，被布置在所述第一磁性層和所述第二磁性層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中所述第一磁性層包括在兩個(gè)不同的磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中所述第二磁性層包括固定的磁性狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，進(jìn)一步包括 字線(xiàn)，連接到所述存取晶體管的柵極區(qū)域；位線(xiàn)，經(jīng)由所述磁性組件而連接到所述存取晶體管的所述漏極區(qū)域；以及源極線(xiàn)，連接到所述存取晶體管的所述源極區(qū)域，所述字線(xiàn)、所述位線(xiàn)、以及所述源極線(xiàn)使得所述存取晶體管的驅(qū)動(dòng)電流能夠在第一磁阻狀態(tài)和第二磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換所述磁性組件。
7.一種襯底，包括第一摻雜區(qū)域，包括P型摻雜劑的多子；第二摻雜區(qū)域，在所述襯底中包括η型摻雜劑的多子；第三摻雜區(qū)域，在所述襯底中包括P型摻雜劑的多子，所述第二摻雜區(qū)域被設(shè)置在所述第一摻雜區(qū)域和所述第三摻雜區(qū)域之間；以及磁性隧道結(jié)，與所述第三摻雜區(qū)域電通信。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述磁性隧道結(jié)包括 第一磁性層，包括第一磁阻狀態(tài)和第二磁阻狀態(tài)；第二磁性層，在所述第一磁性層下面并且包括固定的磁性狀態(tài)；以及隧道阻擋層，被布置在所述第一磁性層和所述第二磁性層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底，其中所述磁性隧道結(jié)和第三摻雜區(qū)域與被配置為傳導(dǎo)位線(xiàn)電壓的金屬位線(xiàn)進(jìn)行電通信。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底，其中所述第二摻雜區(qū)域與被配置為傳導(dǎo)字線(xiàn)電壓的金屬字線(xiàn)進(jìn)行電通信。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底，其中所述第一摻雜區(qū)域與被配置為傳導(dǎo)源極線(xiàn)電壓的金屬源極線(xiàn)進(jìn)行電通信。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中所述位線(xiàn)電壓、所述字線(xiàn)電壓、以及所述源極線(xiàn)電壓以組合提供，該組合使得驅(qū)動(dòng)電流能夠被提供到所述磁性隧道結(jié)以實(shí)現(xiàn)所述磁性隧道結(jié)的第一磁性狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的襯底，其中所述源極線(xiàn)電壓具有比所述位線(xiàn)電壓的絕對(duì)值更大的并且比所述字線(xiàn)電壓的絕對(duì)值更大的絕對(duì)值。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底，其中所述位線(xiàn)電壓、所述字線(xiàn)電壓、以及所述源極線(xiàn)電壓以組合提供，該組合使得驅(qū)動(dòng)電流能夠被提供到所述磁性隧道結(jié)以實(shí)現(xiàn)所述磁性隧道結(jié)的第二磁性狀態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的襯底，其中所述位線(xiàn)電壓具有比所述源極線(xiàn)電壓的絕對(duì)值更大的并且比所述字線(xiàn)電壓的絕對(duì)值更大的絕對(duì)值。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，進(jìn)一步包括體摻雜區(qū)域，包括ρ型摻雜劑的多子，使得P型摻雜劑的數(shù)目超過(guò)η型摻雜劑的數(shù)目。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，進(jìn)一步包括體摻雜區(qū)域，包括η型摻雜劑的多子。
18.一種用于操作電路的方法，包括從PMOS晶體管向磁性隧道結(jié)提供第一驅(qū)動(dòng)電流，以實(shí)現(xiàn)所述磁性隧道結(jié)的第一磁阻狀態(tài)；以及從所述PMOS晶體管向所述磁性隧道結(jié)提供第二驅(qū)動(dòng)電流，以實(shí)現(xiàn)所述磁性隧道結(jié)的第二磁阻狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中從PMOS晶體管提供第一驅(qū)動(dòng)電流包括所述 PMOS晶體管的源極電壓具有比所述PMOS晶體管的柵極電壓和漏極電壓的絕對(duì)值更高的較高絕對(duì)值。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中從所述PMOS晶體管提供第二驅(qū)動(dòng)電流包括所述 PMOS晶體管的漏極電壓具有比所述PMOS晶體管的柵極電壓和漏極電壓的絕對(duì)值更高的較高絕對(duì)值。
全文摘要
本發(fā)明涉及對(duì)地址不對(duì)稱(chēng)NVM單元具有增強(qiáng)的效率的非易失性存儲(chǔ)器。本申請(qǐng)描述了利用PMOS晶體管作為存取晶體管的MRAM單元的實(shí)施例。MRAM單元被配置為減輕施加不對(duì)稱(chēng)電流負(fù)荷以使MRAM單元的磁性隧道結(jié)在磁阻狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變的效果。
文檔編號(hào)G11C16/08GK102568579SQ20111040835
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者A.奈伊 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司