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一種降低ddr3內(nèi)存刷新功耗的方法

文檔序號:6737033閱讀:1104來源:國知局
專利名稱:一種降低ddr3內(nèi)存刷新功耗的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于DDR3內(nèi)存控制器設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法。
背景技術(shù)
SDRAM顆粒由于需要定時(shí)刷新才能保證內(nèi)存數(shù)據(jù)不丟失,在規(guī)定時(shí)間內(nèi),SDRAM顆粒必須完成相應(yīng)的刷新操作。SDRAM顆粒在刷新時(shí)電流較大,刷新周期較長,與其他操作相比,由于刷新操作帶來的功耗較大,現(xiàn)有技術(shù)一般是按照J(rèn)EDEC規(guī)范,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)按照刷新要求,完成刷新操作。專利號CN201010598447. 5 ( 一種用FPGA實(shí)現(xiàn)的SDRAM刷新的新方法)公開了一種用FPGA實(shí)現(xiàn)的SDRAM內(nèi)存顆粒刷新的新方法,內(nèi)存控制器中有N個(gè)片選CS需要刷新;在規(guī)定刷新時(shí)間到來時(shí),發(fā)出刷新命令,選通第一個(gè)片選CSO ;在CSO刷新周期未完,CSO啟動(dòng) M個(gè)周期后,啟動(dòng)刷新命令,選通第二個(gè)片選CSl ;以此類推刷新全部內(nèi)存。通過采用該方案,可有效降低SDRAM顆粒的刷新電流及刷新功耗。在大容量、多內(nèi)存系統(tǒng)中,對功耗的降低尤為顯著,可有效降低系統(tǒng)整機(jī)功耗。專利號CN200610137607. X(防止內(nèi)存數(shù)據(jù)丟失的方法和裝置)公開了一種防止內(nèi)存數(shù)據(jù)丟失的方法和裝置,屬于處理器領(lǐng)域。為了解決現(xiàn)有技術(shù)中在CPU復(fù)位期間內(nèi)存數(shù)據(jù)可能丟失、可靠性低和成本高等問題,本發(fā)明提供了一種防止內(nèi)存數(shù)據(jù)丟失的方法,包括如下步驟在CPU發(fā)生復(fù)位時(shí),延遲復(fù)位時(shí)間并使內(nèi)存進(jìn)入自刷新狀態(tài);結(jié)束延遲并觸發(fā) CPU真正復(fù)位。本發(fā)明還提供了一種防止內(nèi)存數(shù)據(jù)丟失的裝置,包括延遲模塊、自刷新配置模塊和復(fù)位模塊。本發(fā)明通過增加復(fù)位延遲電路,使內(nèi)存自刷新以后CPU再真正復(fù)位,能夠在CPU發(fā)生復(fù)位時(shí)保持內(nèi)存數(shù)據(jù)不丟失,不僅增強(qiáng)了軟件運(yùn)行的可靠性,還提高了軟件的啟動(dòng)效率。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于DDR3 SDRAM顆粒刷新帶來的巨大功耗問題,可有效降低DDR3 SDRAM顆粒的刷新時(shí)間及功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存的功耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)不足,降低DDR3 SDRAM顆粒的刷新時(shí)間及功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存的功耗。本發(fā)明提供了一種降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,其采用刷新錯(cuò)峰疊加的方法來降低內(nèi)存顆粒刷新帶來的功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存操作的功耗。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,初始化刷新時(shí),在給出第一個(gè)刷新命令的第一周期后,緊接著給出第二個(gè)刷新命令,之后在給出第二個(gè)刷新命令的第二周期后,緊接著給出第三個(gè)刷新命令。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,第三個(gè)刷新命令有效時(shí)間為內(nèi)存顆粒的刷新周期T。
本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,第一周期和第二周期的時(shí)間長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于T。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,第一周期的時(shí)間長度和第二周期的時(shí)間長度相同。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,第一周期和第二周期的時(shí)間長度都為5個(gè)時(shí)鐘周期。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,內(nèi)存為SDRAM。與現(xiàn)有技術(shù)性比,本發(fā)明的有益效果在于通過采用該方案,可有效降低SDRAM顆粒的刷新電流及刷新功耗。在大容量、多內(nèi)存系統(tǒng)中,對功耗的降低尤為顯著,可有效降低系統(tǒng)整機(jī)功耗。


圖1本發(fā)明的周期結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明采用刷新錯(cuò)峰疊加的方法降低SDRAM顆粒刷新帶來的功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存操作的功耗。示意圖如附圖1所示。若在當(dāng)前內(nèi)存控制器中有三個(gè)片選CS需要刷新,在規(guī)定的刷新時(shí)間到來時(shí),如圖中第1個(gè)時(shí)鐘周期所示,發(fā)出刷新命令,選通第一個(gè)片選CS0,在 CSO刷新周期未完,CSO啟動(dòng)刷新5個(gè)周期后,發(fā)出第二個(gè)刷新命令,選通第二個(gè)片選CS1, 同樣在CSl選通刷新5個(gè)周期后,發(fā)出第三個(gè)刷新命令,同時(shí)選通第三個(gè)片選CS2,由于內(nèi)存型號相同,在CS2的刷新周期滿足的前提下,CSO和CSl的刷新周期也必定滿足。正常情況下,在啟動(dòng)CSO刷新后,若刷新周期為T,必須等待刷新周期T結(jié)束后才能啟動(dòng)CSl的刷新, 依次類推刷新這三個(gè)片選需要的時(shí)間為3T,而在該刷新模式下,在啟動(dòng)CSO刷新后到刷新完CS2,總共不要2T的時(shí)間(如附圖為T+10個(gè)周期),刷新時(shí)間大大減小,可有效降低刷新電流及刷新帶來的功耗。本發(fā)明采用刷新錯(cuò)峰疊加的方法來降低現(xiàn)有技術(shù)中由于DDR3 SDRAM顆粒刷新帶來的巨大功耗問題,可有效降低DDR3 SDRAM顆粒的刷新時(shí)間及功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存的功耗。以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制,盡管參照上述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,所述領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行修改或者同等替換,而未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換, 其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,其特征在于采用刷新錯(cuò)峰疊加的方法來降低內(nèi)存顆粒刷新帶來的功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存操作的功耗。
2.權(quán)利要求1的方法,其特征在于,內(nèi)存刷新時(shí),在給出第一個(gè)刷新命令的若干周期后,緊接著給出第二個(gè)刷新命令,之后在給出第二個(gè)刷新命令的若干周期后,緊接著給出第三個(gè)刷新命令。
3.權(quán)利要求1-2的方法,其特征在于,第三個(gè)刷新命令有效時(shí)間為內(nèi)存顆粒的刷新周期T。
4.權(quán)利要求1-3的方法,其特征在于,第一次刷新時(shí)間和第二次刷新時(shí)間長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于T。
5.權(quán)利要求1-4的方法,其特征在于,第一次刷新命令和第二次刷新命令持續(xù)的時(shí)間長度相同。
6.權(quán)利要求1-5的方法,其特征在于,三次刷新命令兩兩之間的間隔長度都為5個(gè)時(shí)鐘周期。
7.權(quán)利要求1-6的方法,其特征在于,內(nèi)存為SDRAM。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,采用刷新錯(cuò)峰疊加的方法來降低內(nèi)存顆粒刷新帶來的功耗,進(jìn)而降低內(nèi)存操作的功耗。本發(fā)明提供的降低DDR3內(nèi)存刷新功耗的方法,可有效降低SDRAM顆粒的刷新電流及刷新功耗。在大容量、多內(nèi)存系統(tǒng)中,對功耗的降低尤為顯著,可有效降低系統(tǒng)整機(jī)功耗。
文檔編號G11C11/406GK102426854SQ201110413488
公開日2012年4月25日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者劉朝輝, 張磊, 李靜, 白宗元, 竇曉光, 紀(jì)奎 申請人:曙光信息產(chǎn)業(yè)(北京)有限公司
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