專利名稱：磁頭懸臂組合的抗振方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤驅(qū)動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種磁頭懸臂組合的抗振方法。
背景技術(shù)：
一種常見的信息存儲(chǔ)設(shè)備是用于磁性介質(zhì)來存儲(chǔ)信息的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其具有一個(gè)設(shè)置在磁性介質(zhì)上方的讀/寫磁頭來讀磁性介質(zhì)里面的內(nèi)容或者將信息寫入磁性介質(zhì)里。近來，便攜式信息存儲(chǔ)設(shè)備越來越受歡迎。
振動(dòng)以及碰撞是兩大危險(xiǎn)的因素影響運(yùn)行的磁盤的正常功能。當(dāng)計(jì)算機(jī)遭遇振動(dòng)或碰撞，磁盤的寫程序及讀程序容易因此而受影響。因此，磁盤驅(qū)動(dòng)器中一般設(shè)置有抗振設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，例如，磁盤驅(qū)動(dòng)器以及磁盤驅(qū)動(dòng)器架子之間設(shè)置有緩沖結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在物理層面上初步地使磁盤驅(qū)動(dòng)器抗振。隨著計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，計(jì)算機(jī)所用的元器件都趨于小型化，準(zhǔn)確地說，要求元器件具有高集成功能性及高穩(wěn)定性。上述附加的緩沖結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并不適于設(shè)計(jì)在這樣小型化的計(jì)算機(jī)的磁盤驅(qū)動(dòng)器中，且，該具有抗振功能的緩沖結(jié)構(gòu)只能防止大的振動(dòng)，且它不能使受震磁頭停止讀/寫程序，這樣會(huì)給磁盤帶來損傷。
圖1所示為傳統(tǒng)的磁盤驅(qū)動(dòng)單元100。如圖1所示，該傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動(dòng)單元100包括磁頭懸臂組合110、磁盤120及底座140，所述磁頭懸臂組合110具有一個(gè)或多個(gè)其上帶有磁頭的磁頭折片組合111，所述磁盤120安裝在能帶動(dòng)其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸130上，上述部件均安裝入所述底座140內(nèi)。所述磁頭在磁盤120的表面上高速飛行以讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)至磁盤120的同軸數(shù)據(jù)軌道，而磁盤120被具有扇尾隔片113的驅(qū)動(dòng)臂音圈組合(ACA)112軸向定位。通常，所述扇尾隔片113內(nèi)嵌入有一個(gè)音圈馬達(dá)(a voice coil motor,VCM) 114,其被用于驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)臂音圈組合112。所述磁頭懸臂組合110還包括帶有軟性印刷線纜(FPC) 116的印刷電路板組合(PCBA)(未標(biāo)示)所述印刷電路板組合和所述驅(qū)動(dòng)臂音圈組合112通過所述軟性印刷線纜116連接在一起而形成驅(qū)動(dòng)臂軟線路板組合(AFA)。
現(xiàn)有技術(shù)中，參考圖1-2，磁頭-磁盤接觸傳感器(HDI傳感器)121沉積在磁頭中并適用于做接觸檢測(TD檢測)，HDI傳感器121通常通過PCBA被加于工作電流。當(dāng)HDI傳感器121接近旋轉(zhuǎn)的磁盤120，HDI傳感器121的電阻會(huì)基于旋轉(zhuǎn)磁盤120的冷卻效應(yīng)而改變，且HDI傳感器121的電壓會(huì)相應(yīng)地改變。TD檢測是將在飛行的磁頭接觸磁盤120從而得到零點(diǎn)?；谠摿泓c(diǎn)，磁頭被施加于一個(gè)特定的電壓而飛行于磁盤120上，且基于HDI傳感器121所輸出的變化電壓，磁頭的飛行高度被精確地掌控。HDI傳感器121具有高靈敏性。參考圖1-2，抗振傳感器安裝在連接于且安裝在PCBA下方的驅(qū)動(dòng)器印制電路板上，用于感應(yīng)磁盤驅(qū)動(dòng)器100的振動(dòng)或受撞擊。當(dāng)抗振傳感器感應(yīng)到振動(dòng)或撞擊，它會(huì)輸入變化的電壓至一個(gè)控制器，如果該電壓觸發(fā)設(shè)置在控制器內(nèi)的閥值，該控制器截?cái)嗔魍ㄖ罤SAl 10的工作電流，并控制HSAllO?？吭谛逼屡_(tái)117上，用于抗振，且，磁盤驅(qū)動(dòng)器100停止運(yùn)行。隨著磁頭運(yùn)行的精確度越來越高，磁頭直接接觸的磁盤受重點(diǎn)保護(hù)，且磁頭也被監(jiān)控。然而，傳統(tǒng)的抗振傳感器安裝在印制電路板上，離磁頭的距離比較遠(yuǎn)，該抗振傳感器感應(yīng)磁頭的振動(dòng)或者受撞擊的靈敏度會(huì)比較低。這樣的低靈敏度導(dǎo)致磁盤驅(qū)動(dòng)器的容易受損，且不符合磁頭運(yùn)行高精確度的需求。
因此，亟待一種改進(jìn)型的磁頭懸臂組合的抗振方法，來克服上述缺陷。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種采用磁頭-磁盤接觸傳感器的磁頭懸臂組合的抗振方法。由于沉積在磁頭里面，磁頭-磁盤接觸傳感器能夠隨著其溫度的變化而輸出相應(yīng)的變化的電壓，該變化的溫度是基于受振動(dòng)的磁頭的導(dǎo)向作用；因此，磁頭懸臂組合能夠以高精確度來受控停止運(yùn)行，從而避免損傷。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種磁頭懸臂組合的抗振方法，所述磁頭懸臂組合適用于支撐其上的磁頭運(yùn)行于一個(gè)磁盤上，該抗振方法包括步驟:輸入直流電流至沉積于所述磁頭的磁頭-磁盤接觸傳感器；得到所述磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，所述變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著所述磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的；將所述變化電壓輸出至其內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器；當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且停靠在所述磁盤旁邊的斜坡臺(tái)上；當(dāng)所述變化電壓保持小于所述閥值少于特定次數(shù)，所述控制器將不會(huì)被觸發(fā)且所述磁頭懸臂組合保持運(yùn)行。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在得到磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，所述變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著所述磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的步驟之后，所述抗振方法還包括:提供信號(hào)處理系統(tǒng)，其內(nèi)設(shè)置有數(shù)個(gè)頻率范圍值以及參考表，所述參考表展示了所述頻率范圍值與受損元件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；將所述變化電壓輸入至所述信號(hào)處理系統(tǒng)；以及得到受損元件，所述受損元件是通過信號(hào)處理系統(tǒng)基于所述變化電壓、所述頻率范圍值以及所述參考表得出的。
在本發(fā)明的一個(gè)具體的實(shí)施例中，上述信號(hào)處理系統(tǒng)還包括預(yù)設(shè)值以及判斷數(shù)量，所述得到受損元件，所述受損元件是通過信號(hào)處理系統(tǒng)基于所述變化電壓、所述頻率范圍值以及所述參考表得出的步驟包括:如果輸入所述信號(hào)處理系統(tǒng)的所述變化電壓超過所述預(yù)設(shè)值的次數(shù)多于所述判斷數(shù)量，得出所述變化電壓對(duì)應(yīng)的頻率范圍，并且找出基于所述頻率范圍以及所述參考表得到的受損元件。
較佳地，所述磁頭懸臂組合的抗振方法中的所述預(yù)設(shè)值的范圍在15毫伏到40毫伏之間。
優(yōu)選地，所述磁頭懸臂組合的抗振方法中的所述判斷數(shù)量為200次。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述控制器包括前置放大器、印制電路板組件以及音圈馬達(dá)，所述前置放大器內(nèi)設(shè)置有比較器；將所述變化電壓輸出至內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器，當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且停靠在所述磁盤旁邊的斜坡臺(tái)上的步驟具體包括:將所述變化電壓輸入至所述前置放大器的內(nèi)置有所述閥值的所述比較器中，所述比較器將所述變化電壓與所述閥值相比較，并將所述比較結(jié)果輸出至所述所述印制電路板組件；當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述印制電路板組件控制所述音圈馬達(dá)將所述磁頭懸臂組合?？康盟鲂逼屡_(tái)上。
較佳地，所述閥值的范圍從10毫伏至31毫伏。
較佳地，所述特定次數(shù)為255次。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了改進(jìn)型的采用磁頭-磁盤接觸傳感器的磁頭懸臂組合的抗振方法。由于磁頭-磁盤接觸傳感器沉積在磁頭里面，該磁頭-磁盤接觸傳感器能夠隨著其溫度的變化而輸出相應(yīng)的變化的電壓，該變化的溫度是基于受振動(dòng)的磁頭的導(dǎo)向作用；因此，磁頭懸臂組合能夠以高精確度來受控停止運(yùn)行，從而避免損傷。
通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)目的及效果將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中傳統(tǒng)的磁盤驅(qū)動(dòng)器的示意圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例中磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。
圖4a是本發(fā)明實(shí)施例中帶有磁頭-磁盤接觸傳感器的磁頭的示意圖。
圖4b是圖4a所示的磁頭的另一個(gè)角度的示意圖。
圖5是本發(fā)明磁頭懸臂組合的抗振方法的流程圖。
圖6a是本發(fā)明實(shí)施例中正在運(yùn)行磁盤驅(qū)動(dòng)器的示意圖。
圖6b是本發(fā)明實(shí)施例中磁盤驅(qū)動(dòng)器停止運(yùn)行的示意圖。
圖7是本發(fā)明中磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓與振動(dòng)輸入信號(hào)的圖示。
圖8a是本發(fā)明中磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓的圖示。
圖8b是圖8a所示的磁頭_磁盤接觸傳感器的變化電壓的局部示意圖。
圖9是本發(fā)明磁頭懸臂組合的抗振方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
圖10是本發(fā)明一實(shí)施例中磁頭-磁盤接觸傳感器在一定頻率范圍內(nèi)對(duì)應(yīng)的變化電壓的圖示。
圖11是本發(fā)明另一實(shí)施例中磁頭-磁盤接觸傳感器在另一個(gè)頻率范圍內(nèi)對(duì)應(yīng)的變化電壓的圖示。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，其中，各個(gè)附圖中相同的標(biāo)記表示相同的元件。
參考圖3，磁盤驅(qū)動(dòng)器包括兩個(gè)部分，分別是磁頭磁盤組合10以及印制電路板驅(qū)動(dòng)器20。當(dāng)該磁盤驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行時(shí)，印制電路板組合(PCBA) 21將信號(hào)分別傳輸至旋轉(zhuǎn)馬達(dá)控制器22、位置控制系統(tǒng)23以及印制電路板驅(qū)動(dòng)器20中的前置放大器24。旋轉(zhuǎn)馬達(dá)控制器22控制磁頭磁盤組合10的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)11從而控制磁盤13旋轉(zhuǎn)起來。磁頭懸臂組合(HSA)的磁頭14在運(yùn)行時(shí)飛行于磁盤13之上，從而將信息寫入磁盤13或者從磁盤13上讀出信息。位置控制系統(tǒng)23控制磁頭磁盤組合10的音圈馬達(dá)(VCM) 12，從而使得VCM12控制HSA將磁頭14定位在磁盤13的預(yù)定軌道上。
參考圖3以及圖4a_4b，磁頭-磁盤接觸傳感器(HDI傳感器)15沉積在磁頭14中，且設(shè)置在磁寫頭141和磁讀頭142之間。參考圖4b，HDI傳感器15設(shè)置在磁頭的極尖部位并且形成在面對(duì)磁盤13的空氣承載面(ABS) 143上。當(dāng)HDI傳感器15運(yùn)行時(shí)，它被供給直流電流，HDI傳感器15被加熱從而產(chǎn)生熱量。然而，當(dāng)磁盤13旋轉(zhuǎn)時(shí),旋轉(zhuǎn)的磁盤13產(chǎn)生冷卻氣流，因此HDI傳感器15的溫度受旋轉(zhuǎn)的磁盤13的影響，該效應(yīng)叫做冷卻效應(yīng)。當(dāng)磁頭14受振動(dòng)，由于工作中的磁頭14是懸空飛行于磁盤13之上，磁頭14會(huì)時(shí)而遠(yuǎn)離磁盤13時(shí)而接近磁盤13。具體地，當(dāng)磁頭14遠(yuǎn)離磁盤13，即磁頭14與磁盤13之間的距離增大，HDI傳感器15與磁盤13之間的冷卻效應(yīng)比較弱，由于旋轉(zhuǎn)的磁盤13對(duì)于HDI傳感器15的冷卻效應(yīng)較弱，所以此時(shí)傳感器15的溫度較高。當(dāng)磁頭14靠近磁盤13，即磁頭14與磁盤13之間的距離減小，HDI傳感器15與磁盤13之間的冷卻效應(yīng)比較強(qiáng)，由于旋轉(zhuǎn)的磁盤13對(duì)于HDI傳感器15的冷卻效應(yīng)較強(qiáng)，所以此時(shí)傳感器15的溫度較低。由于當(dāng)磁頭14振動(dòng)時(shí)HDI傳感器15的溫度一直在變化，HDI傳感器15的電阻亦隨著其溫度的變化而變化。
參考圖5，在本發(fā)明的實(shí)施例中，本發(fā)明的磁頭懸臂組合的抗振方法包括下述步驟:步驟一，輸入直流電流至沉積于所述磁頭的磁頭-磁盤接觸傳感器(SI);步驟二，得到所述磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，所述變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著所述磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的(S2);步驟三，將所述變化電壓輸出至其內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器(S3);步驟四，當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且?？吭谒龃疟P旁邊的斜坡臺(tái)上(S4-1);當(dāng)所述變化電壓保持小于所述閥值少于特定次數(shù)，所述控制器將不會(huì)被觸發(fā)且所述磁頭懸臂組合保持運(yùn)行(S4-2)。
參考圖3-5，在磁頭懸臂組合的抗振方法的步驟一中，工作電流為直流電流，該工作電流從PCBA21流至前置放大器24，并輸入至沉積于磁頭14上的HDI傳感器15中。
參考圖3-5，在步驟二中，當(dāng)受振動(dòng)，磁頭14時(shí)而遠(yuǎn)離磁盤13時(shí)而靠近磁盤13，故上述的冷卻效應(yīng)因而產(chǎn)生于HDI傳感器15與旋轉(zhuǎn)的磁盤13之間。如上所述，HDI傳感器15的電阻值隨著冷卻效應(yīng)的變化而變化。由于HDI傳感器15的工作電流是直流的，其電壓隨著其電阻值的變化而變化，也就是說，由于冷卻效應(yīng)的影響，HDI傳感器15的電壓隨著其自身溫度的變化而變化。因此，該步驟中最終得到HDI傳感器15的變化電壓。
參考圖5，在本發(fā)明實(shí)施例的步驟三中，所述控制器包括前置放大器24，PCBA21,位置控制系統(tǒng)23以及VCM12。前置放大器24其內(nèi)設(shè)置有比較器，該比較器內(nèi)設(shè)置有閥值。該閥值的取值范圍可在10毫伏至31毫伏之間任意一個(gè)值。在該步驟三中，HDI傳感器的變化電壓輸出至前置放大器24中的比較器中。
參考圖6a_6b，磁盤驅(qū)動(dòng)器101包括斜坡臺(tái)17，當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器101工作時(shí)，HSA16支撐著磁頭14使其飛行在磁盤13上方來讀磁盤上的信息或?qū)⑿畔懭氪疟P中。當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器101停止工作，HSA16轉(zhuǎn)向磁盤13旁邊的斜坡臺(tái)17，將磁頭14?？吭谛逼屡_(tái)17上，避免磁頭14與磁盤13相碰撞。
參考圖3_8b，在步驟4中，在本實(shí)施例中，閥值取值31毫伏，比較器中的閥值可在10毫伏至31毫伏之間任意取值。由于磁頭遭遇碰撞，HDI傳感器15與磁盤13之間的冷卻效應(yīng)時(shí)時(shí)刻刻都在變化著，且該變化電壓隨著冷卻效應(yīng)的變化而變化。前置放大器24中的比較器將HDI傳感器15的變化電壓與閥值相比對(duì)。當(dāng)所述變化電壓超過該閥值特定次數(shù)后，前置放大器24將第一次比較結(jié)果輸出至PCBA21，該第一次比較結(jié)果觸發(fā)該P(yáng)CBA21。如圖6b所示，PCBA21將觸發(fā)信號(hào)傳輸至位置控制系統(tǒng)23，接著該位置控制系統(tǒng)23將該控制信號(hào)傳輸至VCM12，繼而該VCM12控制HSA16停止運(yùn)行并將HSA16?？吭谠O(shè)置于磁盤13旁邊的斜坡臺(tái)17上。同步地，PCBA21產(chǎn)生停止信號(hào)并輸出至前置放大器24，該前置放大器24處理該信號(hào)并將控制磁頭14停止工作。這樣，避免了磁頭13以及HSA16與磁盤13相碰撞，且整個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器101避免了損害。相反地，如果該變化電壓保持小于所述閥值少于特定次數(shù)，PCBA21因此不會(huì)被觸發(fā)，且該HSA16依舊正常運(yùn)行。在本實(shí)施例中，上述的特定次數(shù)是255次；在其它的實(shí)施例中，特定次數(shù)可為其它數(shù)量。參考圖7，曲線A為振動(dòng)輸入信號(hào)，曲線B為本發(fā)明HDI傳感器的變化電壓信號(hào)。如圖8a-8b所示，直線C展示的是閥值，曲線D展示的是HDI傳感器的變化電壓。
參考圖9-11，在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)處理系統(tǒng)具有頻率范圍值以及參考表，該參考表展示了頻率范圍值與受損元件之間的關(guān)系。更進(jìn)一步，該信號(hào)處理系統(tǒng)還具有預(yù)設(shè)值以及判斷數(shù)量。在得到HDI傳感器的變化電壓之后，該變化電壓輸入至信號(hào)處理系統(tǒng)中與預(yù)設(shè)值相比對(duì)，當(dāng)輸入所述信號(hào)處理系統(tǒng)的所述變化電壓超過所述預(yù)設(shè)值的次數(shù)多于所述判斷數(shù)量，得出所述變化電壓對(duì)應(yīng)的頻率范圍，并且找出基于所述頻率范圍以及所述參考表得到的受損元件。當(dāng)該變化電壓一直保持小于該預(yù)設(shè)值，則表示沒有元件受損。例如,參考圖10,曲線E展示了變化電壓,頻率范圍在1-1000赫茲之間等同于底座元件受損，當(dāng)該電壓變化超過預(yù)設(shè)值40毫伏200次，該底座元件因此被判斷為受損元件。參考圖11，在另一個(gè)實(shí)施例中，曲線E展示了變化電壓，頻率范圍在5000-10000赫茲等同于懸臂件受損，當(dāng)該電壓變化超過預(yù)設(shè)值18毫伏200次，該懸臂件因此被判斷為受損元件。且，頻率范圍值在25000至30000赫茲之間相對(duì)于磁頭的空氣承載面，當(dāng)該電壓變化超過預(yù)設(shè)值15毫伏200次，該磁頭的空氣承載面因此被判斷為受損元件。由于設(shè)置了信號(hào)處理系統(tǒng)，當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)器受振動(dòng)，受損元件可在在線狀態(tài)下被找到，而不需要拆開磁盤驅(qū)動(dòng)器。在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)值取值范圍在15毫伏至40毫伏之間，且判斷數(shù)量為200次；在其它的實(shí)施例中，預(yù)設(shè)值以及判斷數(shù)量可取其它數(shù)值。
需要注意的是，上述受損元件可為導(dǎo)致HSA不能正常工作的主要元器件，但是在沒有與其它任何元件協(xié)同工作的情況下，該元器件在獨(dú)自接受測試時(shí)，其本身是的功能是完整的；上述受損元件可同時(shí)為導(dǎo)致HSA不能正常工作的主要元器件，并且在沒有與其它任何元件協(xié)同工作的情況下，該元器件在獨(dú)自接受測試時(shí)，其本身是的功能是也是受損的。
以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示的實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求
1.一種磁頭懸臂組合的抗振方法，所述磁頭懸臂組合適用于支撐其上的磁頭運(yùn)行于一磁盤上，其包括: 輸入直流電流至沉積于所述磁頭的磁頭-磁盤接觸傳感器； 得到所述磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，所述變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著所述磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的； 將所述變化電壓輸出至其內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器； 當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且?？吭谒龃疟P旁邊的斜坡臺(tái)上；當(dāng)所述變化電壓保持小于所述閥值少于特定次數(shù)，所述控制器將不會(huì)被觸發(fā)且所述磁頭懸臂組合保持運(yùn)行。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，在得到磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，所述變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著所述磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的步驟之后，所述抗振方法還包括: 提供信號(hào)處理系統(tǒng)，其內(nèi)設(shè)置有數(shù)個(gè)頻率范圍值以及參考表，所述參考表展示了所述頻率范圍值與受損元件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系； 將所述變化電壓輸入至所述信號(hào)處理系統(tǒng)；以及 得到受損元件，所述受損元件是通過信號(hào)處理系統(tǒng)基于所述變化電壓、所述頻率范圍值以及所述參考表得出的。
3.如權(quán)利要求2所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述信號(hào)處理系統(tǒng)還包括預(yù)設(shè)值以及判斷數(shù)量，所述得到受損元件，所述受損元件是通過信號(hào)處理系統(tǒng)基于所述變化電壓、所述頻率范圍值以及所述參考表得出的步驟包括: 如果輸入所述信號(hào)處理系統(tǒng)的所述變化電壓超過所述預(yù)設(shè)值的次數(shù)多于所述判斷數(shù)量，得出所述變化電壓對(duì)應(yīng)的頻率范圍，并且找出基于所述頻率范圍以及所述參考表得到的受損元件。
4.如權(quán)利要求3所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值的范圍在15毫伏到40毫伏之間。
5.如權(quán)利要求3所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述判斷數(shù)量為200次。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述控制器包括前置放大器、印制電路板組件以及音圈馬達(dá)，所述前置放大器內(nèi)設(shè)置有比較器；將所述變化電壓輸出至內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器，當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且?？吭谒龃疟P旁邊的斜坡臺(tái)上的步驟具體包括: 將所述變化電壓輸入至所述前置放大器的內(nèi)置有所述閥值的所述比較器中，所述比較器將所述變化電壓與所述閥值相比較，并將所述比較結(jié)果輸出至所述印制電路板組件；當(dāng)所述變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述印制電路板組件控制所述音圈馬達(dá)將所述磁頭懸臂組合?？吭谒鲂逼屡_(tái)上。
7.如權(quán)利要求1所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述閥值的范圍從10毫伏至31毫伏。
8.如權(quán)利要求1所述的磁頭懸臂組合的抗振方法，其特征在于，所述特定次數(shù)為255次。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁頭懸臂組合的抗振方法，該磁頭懸臂組合適用于支撐其上的磁頭運(yùn)行于一磁盤上，該抗振方法包括步驟輸入直流電流至沉積于磁頭的磁頭-磁盤接觸傳感器；得到磁頭-磁盤接觸傳感器的變化電壓，該變化電壓是當(dāng)磁頭振動(dòng)時(shí)隨著磁頭-磁盤接觸傳感器的溫度變化而變化的；將變化電壓輸出至其內(nèi)設(shè)置有閥值的控制器；當(dāng)變化電壓超過所述閥值多于特定次數(shù)后，所述控制器被觸發(fā)而控制所述磁頭懸臂組合停止運(yùn)行且停靠在磁盤旁邊的斜坡臺(tái)上；當(dāng)變化電壓保持小于閥值少于特定次數(shù)，控制器將不會(huì)被觸發(fā)且磁頭懸臂組合保持運(yùn)行。
文檔編號(hào)G11B5/40GK103187072SQ201110452870
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者趙大鵬, 魏雄飛, 劉斌, 陳勝祥 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司