專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄介質(zhì)和光記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如光盤(pán)的光記錄介質(zhì)及其制造方法。更特別地，本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)上的條碼形圖案中記錄有信息的區(qū)域。引用列表專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2005-51805背景技術(shù)：
已知諸如藍(lán)光光盤(pán)(注冊(cè)商標(biāo))和DVD (數(shù)字通用光盤(pán))的光盤(pán)在光盤(pán)內(nèi)周側(cè)的預(yù)定區(qū)域內(nèi)設(shè)有條碼形記錄區(qū)域。其稱(chēng)為BCA (Burst Cutting Area, 二進(jìn)制位組截?cái)鄥^(qū))。該BCA具有形成具有不同反射率的區(qū)域的徑向圖案，使BCA成為不需要跟蹤便可讀取信息的區(qū)域。另外，特別地，在制造成大體積的光盤(pán)中，BCA用作可附著有光盤(pán)的特有信息，例如，關(guān)于序列號(hào)的信息的區(qū)域。在常規(guī)BCA中，光盤(pán)在制造步驟之后完整，隨后，由BCA記錄裝置將每個(gè)光盤(pán)的序列號(hào)、光盤(pán)信息等脫機(jī)寫(xiě)入信號(hào)區(qū)域的進(jìn)一步內(nèi)周(例如，半徑為21至22_的區(qū)域)，從而對(duì)其進(jìn)行管理。BCA為高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域在從軌跡線(xiàn)方向掃描時(shí)交替出現(xiàn)的圖案，信息可根據(jù)每個(gè)區(qū)域的反射光的級(jí)別讀取。為了形成低反射率區(qū)域，BCA記錄裝置輸出高功率激光，以通過(guò)燒去反射膜而形成該區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題如上所述，BCA記錄每個(gè)光盤(pán)的獨(dú)有信息，由此，信息被寫(xiě)入制造的每個(gè)光盤(pán)內(nèi)，因此，要求每條生產(chǎn)線(xiàn)上有昂貴的專(zhuān)用BCA記錄裝置，存在增加制造成本的問(wèn)題。另一方面，可能期望將相同的信息而不是每個(gè)光盤(pán)的獨(dú)有信息記錄到稍微復(fù)雜的光盤(pán)組的BCA中。例如，記錄生產(chǎn)線(xiàn)的獨(dú)有信息便是這種情況。本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種適用于這種情況的BCA模式和光記錄介質(zhì)的制
造方法。問(wèn)題解決方案根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)的高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域，其中，低反射率區(qū)域由凹坑列形成，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域被形成為滿(mǎn)足S+M/2 ( 0. 6H，其中，從高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“H”，從低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“S”，且從低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度表示為“M”。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)的高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域，其中，記錄區(qū)域利用NA為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的波長(zhǎng)為405nm的激光進(jìn)行再現(xiàn)，并且，在低反射率區(qū)域中，軌跡線(xiàn)方向的空間頻率由1667條/mm或以上的凹坑列形成。光記錄介質(zhì)為盤(pán)形光記錄介質(zhì)，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域分別在徑向方向上呈放射狀連續(xù)，并由此形成條碼形反射圖案，其中，徑向方向?yàn)檐壽E節(jié)距方向。在低反射率區(qū)域的凹坑列中，凹坑部分與平面部分的比例為50±5%。在低反射率區(qū)域的凹坑列中，軌跡節(jié)距方向上的相鄰凹坑列互相重疊。高反射率區(qū)域?yàn)槲葱纬砂伎恿械溺R面部分。高反射率區(qū)域由凹坑列或組形成，從凹坑列或組獲得的再現(xiàn)信號(hào)電平高于低反射率區(qū)域中的凹坑列。本發(fā)明的制造方法為光記錄介質(zhì)的制造方法，光記錄介質(zhì)形成有具有高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域的記錄區(qū)域，該制造方法包括原始盤(pán)制造步驟，基于記錄信息制造具有不平坦圖案的原始盤(pán)；壓模制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有原始盤(pán)的不平坦圖案的壓模；襯底模制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有壓模的不平坦圖案的襯底；以及，光記錄介質(zhì)形成步驟，通過(guò)在襯底上形成預(yù)定層狀結(jié)構(gòu)而形成光記錄介質(zhì)。在原始盤(pán)制造步驟中，在原始盤(pán)上形成相當(dāng)于包括高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域的記錄區(qū)域的不平坦圖案，以在光記錄介質(zhì)形成步驟中形成的光記錄介質(zhì)上形成記錄區(qū)域。本發(fā)明的上述技術(shù)采用(例如)這種思想在諸如BCA的條碼形記錄區(qū)域中，低反射率區(qū)域由凹坑列形成。高反射率區(qū)域可以具有比低反射率區(qū)域中的凹坑列高的反射率。例如，低反射率區(qū)域由凹坑列形成時(shí)，凹坑列基于空間頻率限制形成，以及基于高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域的每個(gè)再現(xiàn)信號(hào)電平與調(diào)制度之間的關(guān)系形成。由此，當(dāng)?shù)头瓷渎蕝^(qū)域由凹坑列形成時(shí)，可形成適當(dāng)?shù)挠涗泤^(qū)域(BCA)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，低反射率區(qū)域并非通過(guò)燒去反射膜而形成，而是通過(guò)形成凹坑列而形成，因此，條碼形記錄區(qū)域可在(例如)母盤(pán)制造步驟的階段形成。因此，其適于提高光記錄介質(zhì)的制造步驟的效率，并降低成本。進(jìn)一步，根據(jù)高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域的每個(gè)再現(xiàn)信號(hào)電平、調(diào)制度以及空間頻率限制，在低反射率區(qū)域中形成凹坑列時(shí)，可從記錄區(qū)域獲取高質(zhì)量再現(xiàn)信號(hào)，可獲得適當(dāng)條碼形記錄區(qū)域。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的BCA的說(shuō)明圖。圖2為說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施方式的BCA的低反射率區(qū)域和高反射率區(qū)域的說(shuō)明圖。圖3為根據(jù)第一實(shí)施方式的BCA的示意性說(shuō)明圖。圖4為示出常規(guī)BCA的示意性說(shuō)明圖。圖5為常規(guī)BCA和本實(shí)施方式的再現(xiàn)信號(hào)波形的說(shuō)明圖。圖6為示出信號(hào)的定義的說(shuō)明圖，用于解釋第二實(shí)施方式。圖7為示出空間頻率為600，800的情況下的低反射率區(qū)域的再現(xiàn)電平和調(diào)制度的說(shuō)明圖。圖8為示出空間頻率為1000，1300的情況下的低反射率區(qū)域的再現(xiàn)電平和調(diào)制度的說(shuō)明圖。圖9為示出空間頻率為1667的情況下的低反射率區(qū)域的再現(xiàn)電平和調(diào)制度的說(shuō)明圖。圖10為示出空間頻率為2500，3000的情況下的低反射率區(qū)域的再現(xiàn)電平和調(diào)制度的說(shuō)明圖。圖11為示出空間頻率為3500，4000的情況下的低反射率區(qū)域的再現(xiàn)電平和調(diào)制度的說(shuō)明圖。圖12為示出第三實(shí)施方式的BCA的示意性說(shuō)明圖。圖13為示出根據(jù)第四實(shí)施方式的低反射率區(qū)域和高反射率區(qū)域的說(shuō)明圖。圖14為示出根據(jù)第四實(shí)施方式的BCA的示意性說(shuō)明圖。圖15為示出第四實(shí)施方式的BCA中的再現(xiàn)信號(hào)波形的說(shuō)明圖。圖16為示出根據(jù)第四實(shí)施方式的表面密度的說(shuō)明圖。圖17為示出第四實(shí)施方式 的改型的說(shuō)明圖。圖18為示出該實(shí)施方式的光盤(pán)制造步驟的流程圖。圖19為示出該實(shí)施方式的光盤(pán)制造步驟的說(shuō)明圖。圖20為示出該實(shí)施方式的光盤(pán)制造步驟的說(shuō)明圖。圖21為根據(jù)該實(shí)施方式的原始盤(pán)制作裝置的框圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，本發(fā)明的實(shí)施方式將按以下順序說(shuō)明?！?.實(shí)施方式概述〉<2.第一實(shí)施方式><3.第二實(shí)施方式>〈4 第三實(shí)施方式〉〈5 第四實(shí)施方式〉<6.光盤(pán)制造步驟〉〈1.實(shí)施方式概述〉下文將對(duì)該實(shí)施方式的光盤(pán)進(jìn)行說(shuō)明。該實(shí)施方式的光盤(pán)可實(shí)施為，例如，高密度光盤(pán)壓片法的范圍內(nèi)的ROM型光盤(pán)，稱(chēng)為藍(lán)光光盤(pán)，進(jìn)一步，可實(shí)施為一次寫(xiě)入型光盤(pán)(BD-R)或可重寫(xiě)型光盤(pán)(BD-RE)。下文將對(duì)根據(jù)該實(shí)施方式的高密度光盤(pán)的物理參數(shù)的實(shí)例進(jìn)行解釋。該實(shí)例的光盤(pán)具有直徑為120mm光盤(pán)厚度為1. 2mm的光盤(pán)尺寸。在外觀方面,這些特征與⑶(壓縮光盤(pán))壓片法的光盤(pán)和DVD (數(shù)字多用光盤(pán))壓片法的光盤(pán)相同。用于記錄和再現(xiàn)的激光器采用所謂的藍(lán)色激光(例如，波長(zhǎng)\ =405nm)，光學(xué)系統(tǒng)具有高NA (例如,NA=O. 85)。進(jìn)一步,還達(dá)到窄軌跡節(jié)距(例如,軌跡節(jié)距=0. 32iim)和高線(xiàn)密度(例如，記錄線(xiàn)密度0. 112 ii m/bit)。由此，直徑為12cm的光盤(pán)的用戶(hù)數(shù)據(jù)容量達(dá)到約23G至25GB (千兆字節(jié))。另外，用仍然較高的密度進(jìn)行記錄時(shí)，容量可達(dá)到約30GB。
還開(kāi)發(fā)了具有多個(gè)記錄層的多層光盤(pán)。在使用多層光盤(pán)的情況下，用戶(hù)數(shù)據(jù)容量增加的量基本為層的數(shù)量。圖1示意性示出了整個(gè)光盤(pán)的布局(區(qū)域配置)。光盤(pán)的主要區(qū)域包括從內(nèi)周側(cè)設(shè)置的導(dǎo)入?yún)^(qū)L1、數(shù)據(jù)區(qū)DA和導(dǎo)出區(qū)L0。導(dǎo)入?yún)^(qū)記錄光盤(pán)的物理特性、用于記錄和再現(xiàn)的管理信息等。數(shù)據(jù)區(qū)用于主要數(shù)據(jù)，例如，諸如視頻和音樂(lè)的內(nèi)容數(shù)據(jù)；計(jì)算機(jī)專(zhuān)用數(shù)據(jù)，例如，應(yīng)用程序，等等。導(dǎo)出區(qū)LO可為緩沖區(qū)域，或可記錄管 理信息。這些區(qū)域用于正常記錄和再現(xiàn),但是,特別地，內(nèi)周側(cè)設(shè)有BCA (Burst CuttingArea，二進(jìn)制位組截?cái)鄥^(qū))，與導(dǎo)入?yún)^(qū)LI相對(duì)，用于進(jìn)行單獨(dú)光盤(pán)管理等。如圖所示，該BCA由徑向形成的條碼形圖案構(gòu)成。該BCA包括在軌跡線(xiàn)方向交替出現(xiàn)的高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域分別在軌跡節(jié)距方向(徑向方向)連續(xù)形成，使BCA構(gòu)成條碼形反射圖案。例如，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域在遍布21. Omm至22. 2mm的半徑范圍內(nèi)連續(xù)形成,使高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域構(gòu)成條碼形狀。這種情況下，通過(guò)條碼形圖案，可從該BCA范圍內(nèi)讀取信息，不需要進(jìn)行任何跟
I 示。在過(guò)去，例如，根據(jù)燒去記錄層的反射膜的記錄方法，將光盤(pán)記錄介質(zhì)獨(dú)有的唯一ID等記錄到BCA中。如下文所述，在本實(shí)施方式中，BCA根據(jù)與此不同的方法形成。在該實(shí)施方式中，在BCA中，相同信息記錄到特定批次(lot)中，而不是每個(gè)光盤(pán)中。進(jìn)一步，如下文所述，由于這個(gè)原因，與BCA對(duì)應(yīng)的不平坦圖案在原始盤(pán)制作步驟中形成于原始盤(pán)上。更特別地，BCA的低反射率區(qū)域并非根據(jù)燒去反射膜的方法形成。由于這個(gè)原因，在制造光盤(pán)后，省去了用BCA記錄裝置在每個(gè)光盤(pán)上形成BCA的步驟。隨后，BCA的模式與常規(guī)BCA不同，形成該實(shí)例的BCA的實(shí)施方式中的光盤(pán)可在使用常規(guī)再現(xiàn)裝置不會(huì)造成任何問(wèn)題的情況下進(jìn)行再現(xiàn)。下文將對(duì)這種情況下開(kāi)發(fā)該實(shí)施方式的光盤(pán)上的BCA的基本思想進(jìn)行說(shuō)明。圖4 (a)示例性示出常規(guī)BCA。與圖1相同，在外觀方面，常規(guī)光盤(pán)中的BCA也以放射狀構(gòu)成條碼圖案。如圖4 (a)所示，BCA的低反射率區(qū)域和高反射率區(qū)域在軌跡線(xiàn)方向交替出現(xiàn)。高反射率區(qū)域?yàn)榘ò伎恿?pit string)P和平面L的凹坑列部分。例如，與導(dǎo)入?yún)^(qū)LI和數(shù)據(jù)區(qū)DA中形成的凹坑列相同，高反射率區(qū)域中的凹坑列由RLL(1-7 )進(jìn)行調(diào)制(modu I at e )。另一方面，低反射率區(qū)域?yàn)橥ㄟ^(guò)使BCA記錄裝置燒去反射膜而形成的區(qū)域。更特別地，在常規(guī)光盤(pán)的情況下，BCA區(qū)域(半徑范圍為21. Omm至22. 2mm)為在批量生產(chǎn)中制造每個(gè)光盤(pán)的步驟中由標(biāo)準(zhǔn)凹坑列形成的區(qū)域。在光盤(pán)中，反射膜以與BCA記錄裝置的光盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)同步的預(yù)定時(shí)間(根據(jù)要記錄的唯一數(shù)據(jù)確定的時(shí)間)燒去。由此，低反射率區(qū)域在徑向方向連續(xù)。結(jié)果，形成條碼形反射圖案，其中，在軌跡線(xiàn)方向交替出現(xiàn)的高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域以分別在徑向方向連續(xù)。再現(xiàn)裝置再現(xiàn)BCA時(shí)，獲取的RF信號(hào)(再現(xiàn)信號(hào))的波形如圖4 (b)所示。更特別地，在由凹坑列形成的高反射率區(qū)域中，根據(jù)凹坑列獲取特定級(jí)別的反射光，因此，雖然由于凹坑列/平面的原因而有些變化，但是RF信號(hào)波形平均處于特定級(jí)別。另一方面，在低反射率區(qū)域中，燒去了反射膜，因此，難以獲取反射光，RF信號(hào)波形處于非常低的級(jí)別。在再現(xiàn)裝置中，可根據(jù)高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域中的RF信號(hào)的振幅差獲取信息〃1〃〃0〃，因此，可讀取BCA中記錄的信息。但是，如上所述，在該方法中，BCA記錄裝置將BCA記錄到制造的每個(gè)光盤(pán)中，因此，該方法在效率和制造成本方面非常不利。另外，要求包括以區(qū)域(lot)為單位的單獨(dú)信息，而不是每個(gè)光盤(pán)的單獨(dú)信息。在這種情況下，與BCA對(duì)應(yīng)的不平坦圖案可在上述原始盤(pán)制作步驟中形成，使用壓模形成光盤(pán)襯底時(shí)，變成BCA的條碼形圖案可形成于光盤(pán)襯底上。這種情況下，可解決BCA記錄造成的效率降低和成本增加的問(wèn)題。因此，在該實(shí)施方式中，為了不用燒去而形成BCA，低反射率區(qū)域由凹坑列形成。高反射率區(qū)域?yàn)榉瓷渎矢哂诎伎恿械膮^(qū)域。例如，其為鏡面部分。這種情況下，當(dāng)?shù)头瓷渎蕝^(qū)域由凹坑列形成時(shí)，需要考慮以下問(wèn)題。圖5 (b)示出常規(guī)BCA的再現(xiàn)波形。獲取如該圖的垂直軸所表示的中心為“ I”至“1. 5”的范圍內(nèi)的振幅，作為來(lái)自凹坑列部分的RF信號(hào)電平。如圖4 (a)和4 (b)中所說(shuō)明的，在常規(guī)BCA中，凹坑列部分為高反射率區(qū)域，燒去部分為低反射率區(qū)域。在低反射率區(qū)域(燒去部分)中，RF信號(hào)電平接近“0”，如圖5 (b)所示。由于高反射率區(qū)域受到凹坑列調(diào)制的影響，RF信號(hào)電平約為“ I”至“1. 5”，如圖5(b)所示。當(dāng)振幅由于凹坑列調(diào)制而大幅變化時(shí)，難以進(jìn)行適當(dāng)?shù)亩祷?。但是，在常?guī)BCA中，首先，燒去部分中的電平基本為“零”，即使來(lái)自凹坑列部分的RF信號(hào)電平在某種程度上受到調(diào)制，也不會(huì)使二值化出現(xiàn)缺陷。例如，該圖中的電平“0.5”為限制電平(slicelevel)時(shí)，毫無(wú)疑問(wèn)，可進(jìn)行二值化。另一方面，在該實(shí)施方式中，低反射率區(qū)域形成為凹坑列。例如，考慮高反射率區(qū)域?yàn)殓R面部分。在鏡面部分中，沒(méi)有形成凹坑列P，平面L在該部分連續(xù)。更特別地，該部分為具有高反射率，不會(huì)受到凹坑列P的衍射的影響的部分。這種情況下的RF信號(hào)必行作為比較示例，如圖5 (a)所示。由于低反射率區(qū)域?yàn)榘伎恿胁糠?，RF信號(hào)電平為約“I”至“1. 5”。另外，其受到凹坑列調(diào)制的影響，可觀測(cè)到相對(duì)較大的電平變化。高反射率區(qū)域的電平高于低反射率區(qū)域。更特別地，與圖5 (b)的情況相比，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域均具有較高RF信號(hào)電平，低反射率區(qū)域中的RF信號(hào)中生成調(diào)制分量。這種情況下，高反射率區(qū)域的RF信號(hào)電平與低反射率區(qū)域的RF信號(hào)電平之間存在相對(duì)較小的差，其振幅由于調(diào)制而大幅變化。隨后，根據(jù)情況的不同，低反射率區(qū)域中的相對(duì)較大的振幅使限制電平上下起伏，這很可能造成錯(cuò)誤二值化。
因此，再現(xiàn)裝置無(wú)法適當(dāng)?shù)刈x出BCA信息，并重復(fù)重試BCA再現(xiàn)，最后，所述再現(xiàn)裝置會(huì)由于光盤(pán)錯(cuò)誤而彈出光盤(pán)，或在再現(xiàn)裝置仍然無(wú)法進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)停止運(yùn)行，不進(jìn)行內(nèi)容再現(xiàn)。在藍(lán)光光盤(pán)標(biāo)準(zhǔn)中，相對(duì)于高反射率區(qū)域中的再現(xiàn)信號(hào)電平，低反射率區(qū)域中的再現(xiàn)信號(hào)電平限定為0. 549或以下?？傮w來(lái)說(shuō)，記錄再現(xiàn)裝置設(shè)計(jì)有約10%的容限，因此，只要低反射率區(qū)域中包括調(diào)制的再現(xiàn)信號(hào)電平為0. 6或以下(0. 603或以下)，再現(xiàn)中不會(huì)出現(xiàn)任何問(wèn)題。因此，在該 實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)头瓷渎蕝^(qū)域由凹坑列形成時(shí)，要考慮這一點(diǎn)，并且，需要盡可能降低低反射率區(qū)域中包括調(diào)制的再現(xiàn)信號(hào)電平，以滿(mǎn)足上述標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)信號(hào)電平為0.6或以下。具體如下文所述。從高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平定義為"H"，從低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平定義為"S"。從低反射率區(qū)域(即，該實(shí)施方式中的凹坑列部分)的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度定義為“M”。在該實(shí)施方式中，這種情況下，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域被形成為滿(mǎn)足以下表達(dá)式S+M/2≤0. 6H?！? 第一實(shí)施方式〉下文將參考圖2 (a)至2 (C)以及3 (a)和3 (b)對(duì)BCA作為第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖2(a)示例性示出如圖1所示的光盤(pán)的BCA部分中徑向設(shè)置的條碼圖案的部分。這種情況下，在條碼形圖案中，用黑帶表示的部分定義為低反射率區(qū)域LA，黑帶之間的白色部分定義為高反射率區(qū)域HA。黑帶所示的其中一個(gè)低反射率區(qū)域LA在圖2 (b)中放大和圖示。如圖2 (b)所示，凹坑列P和平面L構(gòu)成的窄帶形狀內(nèi)形成一條帶。圖2 (b)的帶狀部分進(jìn)一步如圖2 (c)所示，但細(xì)帶狀部分由在徑向方向(軌跡節(jié)距方向)重疊的平面L和凹坑列P構(gòu)成。圖3 (a)和3 (b)示例性示出以與上述圖4相同的格式形成的BCA。如圖3 (a)所示，BCA的低反射率區(qū)域LA和高反射率區(qū)域HA在軌跡線(xiàn)方向交替出現(xiàn)。與圖4的情況相反，低反射率區(qū)域LA為包括凹坑列P和平面L的凹坑列部分。高反射率區(qū)域HA為鏡面部分。更特別地，在本實(shí)施方式的情況下，制造光盤(pán)原始盤(pán)時(shí)，與低反射率區(qū)域LA的凹坑列對(duì)應(yīng)的不平坦圖案已經(jīng)作為BCA形成于光盤(pán)原始盤(pán)上(半徑范圍為21. Omm至22. 2mm)。高反射率區(qū)域HA為具有不包括凹坑列的連續(xù)平面L的對(duì)應(yīng)突起部分。下文將對(duì)光盤(pán)制造步驟進(jìn)行說(shuō)明，壓模從光盤(pán)原始盤(pán)中生成，光盤(pán)利用壓模進(jìn)一步批量生產(chǎn)，但制造批量生產(chǎn)的光盤(pán)時(shí)，BCA已經(jīng)形成。再現(xiàn)裝置再現(xiàn)BCA時(shí)，獲取的RF信號(hào)(再現(xiàn)信號(hào))的波形如圖5 (b)所示。更特別地，在屬于鏡面部分的高反射率區(qū)域HA中，獲取高反射光，因此，RF信號(hào)電平較高。低反射率區(qū)域LA為凹坑列部分，但在低反射率區(qū)域LA中，反射光的量小于鏡面部分，因此，RF信號(hào)電平較低。
在再現(xiàn)裝置中，可由高反射率區(qū)域HA和低反射率區(qū)域LA中的RF信號(hào)的振幅差獲取信息“I” “〃0”，因此，可讀取BCA中記錄的信息。這種情況下，如圖5 (a)所示，當(dāng)RF信號(hào)波形受到凹坑列部分的調(diào)制的影響時(shí)，該示例中的低反射率區(qū)域LA中的振幅大幅變化。相反，在本實(shí)施方式中，RF信號(hào)的調(diào)制分量和信號(hào)電平在低反射率區(qū)域LA中受到抑制，如下文所述。在使用藍(lán)光光盤(pán)的情況下，波長(zhǎng)入為405nm，NA為0. 85。因此，由于空間頻率特性的原理，截止頻率為2NA/ A,gp, 4197條/mm或以上時(shí)，所述再現(xiàn)裝置無(wú)法進(jìn)行分辨過(guò)程。該數(shù)值的空間頻率長(zhǎng)度為0. 24 ii m，例如，當(dāng)長(zhǎng)度為0. 12 ii m的凹坑列和長(zhǎng)度為
0.12 u m的平面重復(fù)時(shí)，無(wú)法獲取調(diào)制度。這種情況下，無(wú)論占空比(S卩，凹坑列P與平面L之間的比)如和，都無(wú)法獲取調(diào)制度。因此,例如，凹坑列長(zhǎng)度可為0. 20 ii m,平面長(zhǎng)度可為0. 04ii m。更特別地,在0. 24 ii m的部分內(nèi)，可形成凹坑列P和平面L。因此，如圖2 (b)和2 (C)所示，最有可能使低反射率區(qū)域LA中的RF信號(hào)的調(diào)制觀測(cè)不到的BCA圖案為凹坑列P和平面L的組合的長(zhǎng)度為0. 24 ii m或以下的直線(xiàn)圖案。更特別地，生成方法包括以CAV旋轉(zhuǎn)光盤(pán)，使光學(xué)調(diào)制信號(hào)與光盤(pán)原始盤(pán)曝光(多重曝光(cut))時(shí)轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)同步。例如，以2174rpm (與半徑為21. 6mm的線(xiàn)速度4. 917m/s對(duì)應(yīng))的速度旋轉(zhuǎn)光盤(pán)，用激光器以48. 8nsec的周期驅(qū) 動(dòng)曝光激光時(shí),形成時(shí)間長(zhǎng)度為24. 4nsec的凹坑列。例如，用50個(gè)脈沖記錄時(shí)，滿(mǎn)足線(xiàn)方向上的長(zhǎng)度為12pm的標(biāo)準(zhǔn)的BCA內(nèi)形成數(shù)據(jù)。該記錄在徑向方向進(jìn)行，例如，采用間隔為0. 2 ii m的恒定速度，形成在徑向方向呈放射狀的圖案。如上所述，在根據(jù)本實(shí)施方式的BCA中，低反射率區(qū)域LA由凹坑列形成，但在所述凹坑列中，再現(xiàn)信號(hào)中由于空間頻率的原因無(wú)法獲取調(diào)制度。因此，低反射率區(qū)域LA中的RF信號(hào)波形中的調(diào)制分量可降低。例如，可使BCA提供RF信號(hào)，低反射率區(qū)域LA中RF信號(hào)的調(diào)制分量受到抑制，如圖5 (c)所示。因此，在BCA再現(xiàn)期間的RF信號(hào)波形中，防止低反射率區(qū)域LA中的信號(hào)電平由于調(diào)制分量的原因而使限制電平上下起伏，可實(shí)現(xiàn)適當(dāng)BCA再現(xiàn)?！?.第二實(shí)施方式〉在上述第一實(shí)施方式中，低反射率區(qū)域LA由以線(xiàn)方向上的空間頻率為4197條/mm、軌跡節(jié)距為0. 2 的圖案的凹坑列形成，但也存在其他情況現(xiàn)有裝置可無(wú)誤地進(jìn)行再現(xiàn)，在這種情況下，可增加光盤(pán)的生產(chǎn)利潤(rùn)。本申請(qǐng)的發(fā)明者等人曾將深度和占空比作為參數(shù)模擬調(diào)制度M和信號(hào)電平S，而線(xiàn)方向上的空間頻率不僅設(shè)為如第一實(shí)施方式中的4197條，而且還以九種方式設(shè)置，例如，4000、3500、3000、2500、1667、1300、1000、800、600 條。應(yīng)注意的是，模擬中信號(hào)的定義(如下文所述)如圖6所示。在圖6中，“H電平”為從高反射率區(qū)域HA獲取的再現(xiàn)信號(hào)電平。高反射率區(qū)域?yàn)殓R面部分，如圖3 (a)和3 (b)所示，鏡面部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平為“I”。
“S電平”為從充當(dāng)凹坑列部分的低反射率區(qū)域LA獲取的再現(xiàn)信號(hào)電平?！癝電平”還被稱(chēng)為凹坑列再現(xiàn)電平。其由鏡面部分中的再現(xiàn)信號(hào)電平(H電平)為“I”時(shí)的值表示。調(diào)制度“Mod. ”為從低反射率區(qū)域LA中獲取的再現(xiàn)信號(hào)電平的峰值與底值之間的振幅電平。“深度”為凹坑列深度，是從平面L到凹坑列P的深度?！罢伎毡取睘榘伎恿胁糠峙c平面部分之間的比。圖7、8、9、10和11示出了空間頻率為600條至4000條的情況下從低反射率區(qū)域LA獲取的再現(xiàn)信號(hào)電平“S電平”和調(diào)制度(Mod.)，其由凹坑列深度(深度)與凹坑列/平面比I (占空比)之間的關(guān)系表不。例如，圖7示出空間頻率為600條和800條的情況，并示出了調(diào)制度用每個(gè)等高線(xiàn)劃分的每個(gè)區(qū)域的等級(jí)(gradat ion )表示,其值為右側(cè)的指標(biāo)。

S電平(凹坑列再現(xiàn)電平)也用每個(gè)等高線(xiàn)劃分的每個(gè)區(qū)域的等級(jí)表示，電平值為右側(cè)的指標(biāo)。在基于凸起凹坑列的ROM型光盤(pán)的情況下，最易于獲取調(diào)制度的深度為\ / (4N)(N為覆蓋層的折射率)，在藍(lán)光管盤(pán)的情況下，深度為0. 405/4/1. 55=0. 065 u m。因此，總體來(lái)說(shuō)，生成的凹坑列P的深度為0. 045至0. 07 ii m。這種情況下，將考慮圖9中的1667條的空間頻率。當(dāng)凹坑列深度為0. 06 u m,形成的凹坑列的占空比=50 土 5%時(shí)，調(diào)制度(Mod.)為
0.2以下。更特別地，作為低反射率區(qū)域LA的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度可較小。S電平為0. 5以下。更特別地，其作為低反射率區(qū)域LA的再現(xiàn)信號(hào)電平可以為足夠低的電平。由于這個(gè)原因，凹坑列部分中的信號(hào)電平的最大值為0. 5+0. 2/2=0. 6,可處于從實(shí)際角度來(lái)說(shuō)不會(huì)造成任何問(wèn)題的范圍內(nèi)。更特別地，當(dāng)如上所述的S+M/2 ( 0. 6H成立時(shí)，則以下表達(dá)式成立S=S 電平=0.5M=Mod. =0. 2H=H 電平=1，因此，滿(mǎn)足 S+M/2 ≤ 0. 6H。當(dāng)空間頻率為1667條時(shí)，周期為0. 6 ii m，因此，凹坑列長(zhǎng)度為0. 27至0. 33 y m?？紤]空間頻率的方法還適用于徑向方向。因此，范圍可為調(diào)制度無(wú)法獲取，或從實(shí)際角度來(lái)說(shuō)不會(huì)造成任何問(wèn)題，例如，當(dāng)藍(lán)光光盤(pán)的軌跡節(jié)距為0. 32iim，空間頻率為約3000條時(shí)，即使計(jì)算結(jié)果中的占空比以35至65%的幅度變化，調(diào)制度仍為0.1以下，信號(hào)電平為0. 25以下，從而提供不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題的信號(hào)。圖10和11示出了空間頻率仍然較高的情況，但是，例如，當(dāng)空間頻率為2500條，凹坑列深度為0. 06 ii m時(shí)，在占空比為約0. 4至0. 6的較大范圍內(nèi)，調(diào)制度(Mod.)為0. 2或以下。S電平為0. 35以下。即使在這種情況下，如上所說(shuō)明的，也可滿(mǎn)足上述S+M/2 ( 0. 6H，從實(shí)際角度來(lái)說(shuō)該范圍不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題。即使在空間頻率為3000條、3500條和4000條時(shí)，也不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。另外，凹坑列深度適當(dāng)時(shí)，應(yīng)理解的是，即使上述第一實(shí)施方式的空間頻率為4197條，也可滿(mǎn)足以下表達(dá)式S+M/2 ≤0. 6H。
另一方面，將考慮圖8中的1300條的情況。當(dāng)凹坑列深度為0.06 iim時(shí)，即使占空比為50，調(diào)制度(Mod.)仍為約0. 35 0 對(duì)
較大)。S電平為約0.55。則S+M/2為約0. 725，不滿(mǎn)足以下表達(dá)式S+M/2 ( 0. 6H。因此，BCA再現(xiàn)中會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。同一圖中1000條的情況與圖7中600條和800條的情況并不適合。因此，當(dāng)BCA的低反射率區(qū)域LA由凹坑列形成時(shí)，作為第二實(shí)施方式的藍(lán)光光盤(pán)壓片法的光盤(pán)時(shí)，低反射率區(qū)域LA由在軌跡線(xiàn)方向的空間頻率為1667條/mm以上凹坑列的凹坑列適當(dāng)?shù)匦纬?。? 第三實(shí)施方式〉第三實(shí)施方式如圖12 Ca)和12 (b)所示。在上述第一和第二實(shí)施方式中，低反射率區(qū)域LA為凹坑列，高反射率區(qū)域HA為鏡面部分。第三實(shí)施方式與其相同之處在于，低反射率區(qū)域LA為凹坑列，第三實(shí)施方式的不同之處在于，高反射率區(qū)域HA也為凹坑列。但是，由于考慮到上述空間頻率，所述低反射率區(qū)域LA為再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度小且信號(hào)電平也小的凹坑列。 另一方面，高反射率區(qū)域HA為可獲取稍高再現(xiàn)信號(hào)電平的凹坑列。圖12 Ca)示例性示出了根據(jù)第三實(shí)施方式的BCA。在低反射率區(qū)域LA中，形成與第一實(shí)施方式的那些相同的凹坑列(第一凹坑列部分)。在高反射率區(qū)域HA中，形成與第一凹坑列部分不同的凹坑列(第二凹坑列部分)。例如，所述第二凹坑列部分被配置為通過(guò)空間頻率、凹坑列深度、占空比等的設(shè)置可獲取高RF信號(hào)電平，例如，約0.7。如圖12 (b)所示，確保第一凹坑列部分與第二凹坑列部分之間RF信號(hào)電平的足
夠差別。如上所述，即使低反射率區(qū)域LA和高反射率區(qū)域HA都由凹坑列形成，如果確保第一凹坑列部分與第二凹坑列部分之間RF信號(hào)電平的足夠差別，仍可獲得適當(dāng)?shù)腂CA。在第三實(shí)施方式中，高反射率區(qū)域HA為凹坑列，因此，與第一實(shí)施方式中的鏡面部分的情況相比，高反射率區(qū)域HA的RF信號(hào)電平較低。其優(yōu)點(diǎn)在于，可避免再現(xiàn)裝置的聚焦伺服機(jī)構(gòu)由于RF信號(hào)電平過(guò)高而變得不穩(wěn)定的情況。更特別地，當(dāng)RF信號(hào)電平高時(shí)，可能無(wú)法依靠再現(xiàn)裝置適當(dāng)?shù)孬@得聚焦錯(cuò)誤信號(hào)。要避免這種情況，有效的方法是，稍微降低RF信號(hào)電平，將高反射率區(qū)域HA作為與當(dāng)前示例相同的第二凹坑列部分。也可設(shè)置凹槽代替第二凹坑列部分?！?.第四實(shí)施方式〉下文將對(duì)第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第四實(shí)施方式中，低反射率區(qū)域LA的凹坑列P以凹坑列P處于不具有任何直角的三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置的彼此之間的位置關(guān)系設(shè)置。圖13 (a)示出與圖2 (a)相同的BCA部分中呈放射狀的條碼圖案。黑帶表示的部分為低反射率區(qū)域LA,其在圖13 (b)中被放大和不出。如圖13 (b)所示，在低反射率區(qū)域LA中，例如，不具有直角的三角形，凹坑列P以由虛線(xiàn)表示的等邊三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置(用黑色圓圈表示)基本位于中心的方式形成。更特別地，如圖所示，在低反射率區(qū)域LA的表面上實(shí)際畫(huà)出構(gòu)成多個(gè)連續(xù)等邊三角形的線(xiàn)條時(shí)，每個(gè)凹坑列P被形成為包括實(shí)際畫(huà)出的等邊三角形的線(xiàn)條的每個(gè)頂點(diǎn)位置。因此，凹坑列的總體設(shè)置為凹坑列以所謂的交錯(cuò)方式布置和設(shè)置在每條軌跡上。圖14 Ca)和14 (b)示出格式與上述圖3 Ca)和3 (b)相同的BCA。如圖14 (a)所示，BCA的低反射率區(qū)域LA和高反射率區(qū)域HA在軌跡線(xiàn)方向交替出現(xiàn)。低反射率區(qū)域LA為包括凹坑列P和平面L的凹坑列部分，高反射率區(qū)域HA為鏡面部分。在低反射率區(qū)域LA的凹坑列中，凹坑列P以基于等邊三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置的位置關(guān)系形成。與上述第一實(shí)施方式的情況相同，在制造光盤(pán)原始盤(pán)時(shí)，與低反射率區(qū)域LA的凹坑列對(duì)應(yīng)的不平坦圖案已經(jīng)作為BCA形成于光盤(pán)原始盤(pán)上(半徑范圍為21. Omm至22. 2mm)。高反射率區(qū)域HA為具有不包括凹坑列的連續(xù)平面L的對(duì)應(yīng)突起部分。壓模從光盤(pán)原始盤(pán)中生成，光盤(pán)利用壓模進(jìn)一步批量生產(chǎn)，但此時(shí)BCA已經(jīng)形成。圖15示出了該第四實(shí)施方式的BCA的再現(xiàn)信號(hào)波形。再現(xiàn)激光具有波長(zhǎng)入=405nm，光學(xué)系統(tǒng)NA=O. 85。凹坑列P由2T個(gè)凹坑列(其中，T表示溝槽時(shí)鐘周期)形成，2T個(gè)凹坑列是藍(lán)光光盤(pán)系統(tǒng)中最短的凹坑列，凹坑列P的中心位置之間的節(jié)距PP (見(jiàn)圖13 (b))為315nm。每個(gè)凹坑列P的中心是等邊三角形的頂點(diǎn)位置，由此，以交錯(cuò)方式形成的所有凹坑列P的節(jié)距PP為315nm。如圖15所示，高反射率區(qū)域HA的再現(xiàn)信號(hào)電平為約1300mV，低反射率區(qū)域LA的再現(xiàn)信號(hào)電平為約524mV。低反射率區(qū)域LA的調(diào)制度為約80至90mV的電平振幅。這種情況下，從高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平定義為“H”，從低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平定義為“S”，H為I時(shí)，S=O. 40成立。調(diào)制度M為0. 06。更特別地，滿(mǎn)足上文所述的S+M/2 ( 0. 6H，從實(shí)際角度來(lái)說(shuō)BCA不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題。當(dāng)考慮利用NA為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的波長(zhǎng)為405nm的激光進(jìn)行再現(xiàn)的系統(tǒng)時(shí)，如果考慮上述考慮的第二實(shí)施方式，低反射率區(qū)域LA優(yōu)選地由在軌跡線(xiàn)方向上的空間頻率為1667條/mm以上凹坑列的凹坑列形成。低反射率區(qū)域LA中的凹坑列優(yōu)選為凹坑列P與平面L之間的比為50±5%。在低反射率區(qū)域LA中的凹坑列中，軌跡節(jié)距優(yōu)選為0. 32 以下。在第四實(shí)施方式中，低反射率區(qū)域LA的凹坑列P之間的位置關(guān)系基于不具有任何直角的三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置，并以交錯(cuò)方式設(shè)置，但在這種情況下，可考慮以下優(yōu)點(diǎn)。例如，圖16 (a)示出了凹坑列P在徑向方向連續(xù)設(shè)置的情況，與第一實(shí)施方式相同。由于BCA免跟蹤，激光點(diǎn)沒(méi)有必要在如箭頭DRl所示的軌跡線(xiàn)方向前進(jìn)，正常的方法是，如相對(duì)于凹坑列的箭頭DR2、DR3所示，相對(duì)于軌跡線(xiàn)方向?qū)蔷€(xiàn)前進(jìn)。激光點(diǎn)SP根據(jù)箭頭DR2、DR3前進(jìn)時(shí)，凹坑列P的間隔與激光點(diǎn)SP根據(jù)箭頭DRl前進(jìn)的情況相比較長(zhǎng)。在這個(gè)意義上，其缺點(diǎn)在于，增加了調(diào)制分量。當(dāng)然，當(dāng)軌跡線(xiàn)方向上的空間頻率如上所述適當(dāng)設(shè)置時(shí)，從實(shí)際角度來(lái)看不會(huì)產(chǎn)生任何問(wèn)題，但由于需要而考慮軌跡線(xiàn)方向上的凹坑列之間的間隔時(shí)，需要考慮激光點(diǎn)前進(jìn)(如箭頭DR2、DR3所示)的情況。另一方面，圖16 (b)示出了凹坑列P以交錯(cuò)方式設(shè)置的情況，與第四實(shí)施方式所示的相同。這種情況下，也考慮激光點(diǎn)SP在各種方向前進(jìn)，如箭頭DR1、DR2、DR3所示，但在任何方向，激光點(diǎn)SP照射的凹坑列P之間的間隔的差別并不大。更特別地，其為二維靠攏(close)狀態(tài)。在這方面，無(wú)論激光點(diǎn)前進(jìn)方向如何，都具有調(diào)制分量不會(huì)大幅增加的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)以交錯(cuò)方式設(shè)置的凹坑列，即使當(dāng)根據(jù)箭頭DRl正常前進(jìn)時(shí)，調(diào)制度也可由于右軌跡和左軌跡的凹坑列的影響而下降，在這方面上，更有利的是，降低低反射率區(qū)域LA的調(diào)制度。然而，在圖13 (b)中，凹坑列在等邊三角形的頂點(diǎn)位置形成，但其設(shè)置并不一定限于等邊三角形。更特別地，不具有任何直角的三角形可為例如凹坑列P被形成為包括等腰三角形的頂點(diǎn)位置，(例如)如圖17所示。然而，等邊三角形的頂點(diǎn)位置的設(shè)置優(yōu)選考慮將凹坑列P靠近包括軌跡線(xiàn)方向和徑向方向的表面設(shè)置(增加表面密度)，并抑制低反射率區(qū)域LA的調(diào)制度。所述第四實(shí)施方式可與第三實(shí)施方式相結(jié)合。更特別地，低反射率區(qū)域LA由以交錯(cuò)方式設(shè)置的凹坑列P形成，而高反射率區(qū)域HA可由可獲取比低反射率區(qū)域LA的凹坑列的再現(xiàn)信號(hào)電平高的凹坑列或凹坑列組形成。<6.光盤(pán)制造步驟〉下文將對(duì)根據(jù)實(shí)施方式的光盤(pán)的制造步驟進(jìn)行說(shuō)明。更特別地，制造步驟為在BCA中，低反射率區(qū)域LA由凹坑列形成，或高反射率區(qū)域LA形成鏡面部分(或第二凹坑列部分)。圖18 (a)示出了光盤(pán)的整個(gè)制造步驟。下文將參照?qǐng)D19 (a)至19 (d)和圖20
(a)至20 (d)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。首先，在圖18 Ca)的步驟FlOl中進(jìn)行原始盤(pán)制作，以生成原始盤(pán)。例如，如圖19 (a)所示，曝光頭46將根據(jù)記錄信息調(diào)制的激光發(fā)射到光盤(pán)原始盤(pán)100上，光盤(pán)原始盤(pán)100上涂敷有諸如無(wú)機(jī)光刻膠等的光刻膠(resist，光阻)，并根據(jù)凹坑列圖案進(jìn)行曝光。因此，如圖19 (b)所示，形成曝光部分R。隨后，在步驟F102中，形成原始盤(pán)。例如，對(duì)如圖19 (b)所示的方式曝光的原始盤(pán)進(jìn)行顯影，制成光盤(pán)原始盤(pán)100，其中，曝光部分凹陷，如圖19 (C)所示。凹陷部分與完成的光盤(pán)的凹坑列P對(duì)應(yīng)。隨后，在步驟F103中，制作壓模。例如，通過(guò)對(duì)光盤(pán)原始盤(pán)100進(jìn)行電鑄鎳處理，制成壓模101，光盤(pán)原始盤(pán)100的不平坦圖案轉(zhuǎn)印到壓模101上(圖19(d))。在壓模101的不平坦圖案IOla中，與凹坑列對(duì)應(yīng)的部分為凸起狀。隨后，在步驟F104中，使用壓模101制造光盤(pán)襯底。如圖20 (a)所示，壓模101設(shè)于用于對(duì)襯底進(jìn)行成型的模具中。該模具包括下模腔120和上模腔121，用于轉(zhuǎn)印凹坑列的壓模101設(shè)于下模腔120中。使用這種模具，例如，通過(guò)聚碳酸酯樹(shù)酯注塑成型制成襯底1，形成的襯底I如圖20 (b)所示。更特別地，由聚碳酸酯樹(shù)酯制成的襯底I的中心為中心孔2，信息讀取表面?zhèn)葹榘伎恿袌D案3，將模具中的壓模101中形成的不平坦圖案IOla轉(zhuǎn)印到凹坑列圖案3上。隨后，在步驟F105中，將薄膜沉積到由此形成的襯底I上。首先，通過(guò)濺射將反射膜4沉積到從壓模101轉(zhuǎn)印的凹坑列圖案上。更特別地，如圖20 (c)所示，例如Ag合金材料的反射膜4形成于由凹坑列圖案3形成的信號(hào)讀取表面?zhèn)壬稀＿M(jìn)一步,例如,通過(guò)UV固化樹(shù)脂旋涂,形成覆蓋層5,如圖20 (d)所示。應(yīng)注意的是，可在覆蓋層5的表面上進(jìn)一步進(jìn)行硬涂層處理。在這種情況下，示出了僅具有一個(gè)記錄層的單層光盤(pán)。在包括兩個(gè)以上層的多層的情況下，進(jìn)一步添加每個(gè)記錄層的形成步驟。在上述 幾積步驟之后，在步驟F106中印刷標(biāo)簽表面?zhèn)?，光盤(pán)完成。通過(guò)上述步驟，形成光盤(pán)。特別地，在步驟F104之后，這些步驟為批量生產(chǎn)步驟，但在本發(fā)明的實(shí)施方式中，完成沉積步驟時(shí)，BCA已經(jīng)形成，如圖20 Cd)所示。更特別地，在原始盤(pán)制作步驟中，已經(jīng)完成用于形成BCA的凹坑列的曝光。圖18(b)示出了步驟FlOl的原始盤(pán)制作步驟，但首先，BCA部分的凹坑列在步驟FlOlA中曝光。隨后，在步驟FlOlB中，對(duì)導(dǎo)入?yún)^(qū)L1、數(shù)據(jù)區(qū)DA和導(dǎo)出區(qū)LO中的每個(gè)的凹坑列進(jìn)行曝光。如上所述，在原始盤(pán)制作步驟中，對(duì)BCA的凹坑列進(jìn)行曝光，與BCA的凹坑列對(duì)應(yīng)的凹陷部分形成于光盤(pán)原始盤(pán)100上。由于這個(gè)原因，使用由光盤(pán)原始盤(pán)100制成的壓模101制造光盤(pán)襯底1，以便構(gòu)成BCA的凹坑列圖案已制作為光盤(pán)襯底I的凹坑列圖案3。因此，隨后，形成反射膜4和覆蓋層5時(shí)，制成上面記錄有BCA的光盤(pán)，因此，與常規(guī)示例不同，不需要隨后使用BCA記錄裝置將BCA記錄到每個(gè)光盤(pán)上。圖21示出了原始盤(pán)制作步驟中使用的原始盤(pán)制作裝置的示例。在曝光頭46中，設(shè)置了曝光激光源和必要的光學(xué)系統(tǒng)。激光光源基于激光驅(qū)動(dòng)器41提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)光。記錄數(shù)據(jù)生成單元43輸出記錄數(shù)據(jù)，對(duì)該記錄數(shù)據(jù)執(zhí)行預(yù)定調(diào)制處理。完成凹坑列已曝光的ROM光盤(pán)的截?cái)嗖襟E時(shí)，進(jìn)行調(diào)制操作，以打開(kāi)和關(guān)閉激光光源。例如，記錄數(shù)據(jù)生成單元43輸出關(guān)于RLL (1_7)調(diào)制信號(hào)的管理信息和實(shí)際內(nèi)容數(shù)據(jù)等，其隨后記錄到光盤(pán)上。記錄數(shù)據(jù)由激光脈沖生成單元42轉(zhuǎn)換成激光驅(qū)動(dòng)脈沖。

激光脈沖生成單元42向激光驅(qū)動(dòng)器41提供激光驅(qū)動(dòng)脈沖。激光驅(qū)動(dòng)器41基于激光驅(qū)動(dòng)脈沖向曝光頭46中的曝光激光源提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。由此，來(lái)自曝光激光源的記錄激光根據(jù)凹坑列變成調(diào)制光，與凹坑列對(duì)應(yīng)的曝光圖案形成于光盤(pán)原始盤(pán)100上。光盤(pán)原始盤(pán)100由主軸馬達(dá)44旋轉(zhuǎn)和驅(qū)動(dòng)。主軸馬達(dá)44在旋轉(zhuǎn)速度由主軸伺服機(jī)構(gòu)/驅(qū)動(dòng)器47控制時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)和驅(qū)動(dòng)。由此,光盤(pán)原始盤(pán)100以(例如)恒定線(xiàn)速度或恒定角速度旋轉(zhuǎn)?；瑝K45由滑塊驅(qū)動(dòng)器48驅(qū)動(dòng)，并移動(dòng)包括攜帶光盤(pán)原始盤(pán)100的主軸機(jī)構(gòu)的整個(gè)底座。更特別地，主軸馬達(dá)44旋轉(zhuǎn)的光盤(pán)原始盤(pán)100在徑向方向由滑塊45移動(dòng)的同時(shí)由光學(xué)系統(tǒng)曝光，由此以螺旋狀形成凹坑列已曝光的軌跡。滑塊45的移動(dòng)位置，即，光盤(pán)原始盤(pán)100的曝光位置(光盤(pán)半徑位置滑塊半徑位置)由傳感器49進(jìn)行檢測(cè)。傳感器49的位置檢測(cè)信息提供給控制器40?？刂破?0控制整個(gè)原始盤(pán)制作裝置。更特別地，控制器40，例如，利用記錄數(shù)據(jù)生成單元54進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出，控制激光驅(qū)動(dòng)脈沖生成單元42中的脈沖生成參數(shù)，控制激光驅(qū)動(dòng)器41的激光功率設(shè)置，利用主軸伺服機(jī)構(gòu)/驅(qū)動(dòng)器47進(jìn)行主軸旋轉(zhuǎn)操作控制，并利用滑塊驅(qū)動(dòng)器48控制滑塊45的移動(dòng)操作。例如，在這種原始盤(pán)制作裝置中，首先，在圖18(b)的步驟FlOlA中曝光BCA圖案。例如，在制造根據(jù)第一實(shí)施方式的光盤(pán)的情況下，控制器40將低反射率區(qū)域LA的凹坑列的數(shù)據(jù)(光學(xué)調(diào)制信號(hào))輸出給記錄數(shù)據(jù)生成單元43。隨后，將光學(xué)調(diào)制信號(hào)與主軸旋轉(zhuǎn)同步，以CAV旋轉(zhuǎn)光盤(pán)。例如，以2174rpm (與半徑為21. 6mm的線(xiàn)速度4. 917m/s對(duì)應(yīng))的速度旋轉(zhuǎn)光盤(pán)，用周期為48. 8nsec的矩形脈沖驅(qū)動(dòng)曝光激光源時(shí),形成長(zhǎng)度為24. 4nsec的凹坑列。例如，用50個(gè)脈沖記錄時(shí)，可形成凹坑列圖案，作為滿(mǎn)足線(xiàn)方向上的長(zhǎng)度為12 的標(biāo)準(zhǔn)的低反射率區(qū)域LA。在與高反射率區(qū)域HA對(duì)應(yīng)的部分中，不發(fā)射激光。更特別地，不進(jìn)行曝光的情況下，其形成與平面對(duì)應(yīng)的部分?？刂破?0通過(guò)控制滑塊45而執(zhí)行該記錄操作，以恒定速度(例如，0. 2 y m節(jié)距)在徑向方向移動(dòng)，從而在光盤(pán)原始盤(pán)100上以徑向方向形成徑向曝光圖案。 控制器40監(jiān)控來(lái)自傳感器49的檢測(cè)信號(hào)，并控制(例如)半徑為21. Omm至22. 2mm的范圍內(nèi)的上述曝光的執(zhí)行。應(yīng)理解的是，在制造根據(jù)圖12的第三實(shí)施方式的光盤(pán)的情況下，在與高反射率區(qū)域HA對(duì)應(yīng)的部分內(nèi)也發(fā)射激光，形成第二凹坑列部分。進(jìn)一步，在制造根據(jù)圖14的第四實(shí)施方式的光盤(pán)的情況下，在與高反射率區(qū)域HA對(duì)應(yīng)的部分內(nèi)不發(fā)射激光，可在與低反射率區(qū)域LA對(duì)應(yīng)的部分內(nèi)的每次旋轉(zhuǎn)時(shí)在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)切換激光發(fā)射時(shí)間，并適當(dāng)設(shè)置滑塊移動(dòng)節(jié)距，從而能夠形成以基于圖13 (b)所示的等邊三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置的相互位置關(guān)系設(shè)置的凹坑列(曝光部分)，并形成以基于圖17所示的等腰三角形的每個(gè)頂點(diǎn)位置的相互位置關(guān)系設(shè)置的的凹坑列(曝光部分)。在半徑為24.00mm之后，形成與導(dǎo)入?yún)^(qū)L1、數(shù)據(jù)區(qū)DA和導(dǎo)出區(qū)LO的凹坑列對(duì)應(yīng)的曝光圖案，與步驟FlOlB的處理過(guò)程中的常規(guī)光盤(pán)相同。如上所述，在原始盤(pán)制作步驟中，例如，對(duì)圖3 (a)至3 (b)(或圖12 (a)和12
(b)，或圖14 (a)和14 (b))所示的BCA圖案進(jìn)行曝光，從而可在不降低制造效率且不增加成本的情況下制造(例如)具有記錄有信息(以制造批次為單位)的BCA的光盤(pán)。在實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)應(yīng)用于藍(lán)光光盤(pán)壓片法的光盤(pán)的示例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的光記錄介質(zhì)還可應(yīng)用于其他類(lèi)型的光盤(pán)。本發(fā)明的光記錄介質(zhì)還可為除光盤(pán)形式之外的記錄介質(zhì)，例如，卡形光記錄介質(zhì)。
符合說(shuō)明I光盤(pán)襯底、2中心孔、3凹坑列圖案、4反射膜、5覆蓋層、40控制器、46曝光頭、100光盤(pán)原始盤(pán)、101壓模、LA低反射率區(qū)域、HA高反射率區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)的所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用所述反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域， 其中，所述低反射率區(qū)域由凹坑列形成，以及 所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域被形成為滿(mǎn)足S+M/2 ( 0. 6H，其中，從所述高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“H”，從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“S”，且從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度表示為“M”。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述光記錄介質(zhì)為盤(pán)形光記錄介質(zhì)，所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域分別在徑向方向上呈放射狀連續(xù)形成，并由此形成條碼形反射圖案，所述徑向方向?yàn)樗鲕壽E節(jié)距方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，通過(guò)NA為0.85的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的波長(zhǎng)為405nm的激光進(jìn)行再現(xiàn)，以及 在所述低反射率區(qū)域中，所述軌跡線(xiàn)方向的空間頻率由1667條/mm或以上的凹坑列形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述低反射率區(qū)域的凹坑列中，凹坑部分與平面部分的比例為50±5%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述低反射率區(qū)域的所述凹坑列中，所述軌跡節(jié)距方向上的相鄰凹坑列互相重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述高反射率區(qū)域?yàn)槲葱纬砂伎恿械溺R面部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述高反射率區(qū)域由凹坑列或組形成，所述凹坑列或組獲得的再現(xiàn)信號(hào)電平高于所述低反射率區(qū)域中的凹坑列。
8.—種光記錄介質(zhì)，通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)的所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用所述反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域，其中，所述記錄區(qū)域利用NA為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的波長(zhǎng)為405nm的激光進(jìn)行再現(xiàn)，以及 在所述低反射率區(qū)域中，所述軌跡線(xiàn)方向的空間頻率由1667條/mm以上的凹坑列形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述光記錄介質(zhì)為盤(pán)形光記錄介質(zhì)，以及 所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域以分別在徑向方向上呈放射狀連續(xù)形成，并由此形成條碼形反射圖案，其中，所述徑向?yàn)樗鲕壽E節(jié)距方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域被形成為滿(mǎn)足S+M/2 ( 0. 6H，其中，從所述高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“H”，從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“S”，且從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度表示為“M”。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述低反射率區(qū)域的凹坑列中，凹坑部分與平面部分的比例為50±5%。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述低反射率區(qū)域的凹坑列中，所述軌跡節(jié)距方向上的相鄰凹坑列互相重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述高反射率區(qū)域?yàn)槲葱纬砂伎恿械溺R面部分。
14.一種光記錄介質(zhì)的制造方法，所述光記錄介質(zhì)通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)的所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用所述反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域， 其中，所述低反射率區(qū)域由凹坑列形成，以及 所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域被形成為滿(mǎn)足S+M/2 ( 0. 6H，其中，從所述高反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“H”，從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)電平表示為“S”，且從所述低反射率區(qū)域的反射光獲取的再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度表示為“M”， 所述制造方法包括 原始盤(pán)制造步驟，基于記錄信息制造具有不平坦圖案的原始盤(pán)； 壓模制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有所述原始盤(pán)的不平坦圖案的壓模； 襯底制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有所述壓模的不平坦圖案的襯底；以及 光記錄介質(zhì)形成步驟，通過(guò)在所述襯底上形成預(yù)定層狀結(jié)構(gòu)而形成光記錄介質(zhì)， 其中，在原始盤(pán)制造步驟中，在所述原始盤(pán)上形成相當(dāng)于包括所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域的記錄區(qū)域的不平坦圖案，以在所述光記錄介質(zhì)形成步驟中形成的所述光記錄介質(zhì)上形成所述記錄區(qū)域。
15.一種光記錄介質(zhì)的制造方法，所述光記錄介質(zhì)通過(guò)形成高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域而形成有條碼形反射圖案，從軌跡線(xiàn)方向看交替出現(xiàn)所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域以分別在軌跡節(jié)距方向連續(xù)的狀態(tài)形成，所述光記錄介質(zhì)包括利用所述反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域，其中，所述記錄區(qū)域利用NA為0. 85的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的波長(zhǎng)為405nm的激光進(jìn)行再現(xiàn)，以及 在所述低反射率區(qū)域中，所述軌跡線(xiàn)方向的空間頻率由1667條/mm以上的凹坑列形成， 所述制造方法包括 原始盤(pán)制造步驟，基于記錄信息制造設(shè)置有不平坦圖案的原始盤(pán)； 壓模制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有所述原始盤(pán)的不平坦圖案的壓模； 襯底模制作步驟，制作轉(zhuǎn)印有所述壓模的不平坦圖案的襯底；以及 光記錄介質(zhì)形成步驟，通過(guò)在所述襯底上形成預(yù)定層狀結(jié)構(gòu)而形成光記錄介質(zhì)， 其中，在原始盤(pán)制造步驟中，在所述原始盤(pán)上形成相當(dāng)于包括所述高反射率區(qū)域和所述低反射率區(qū)域的記錄區(qū)域的不平坦圖案，以在所述光記錄介質(zhì)形成步驟中形成的所述光記錄介質(zhì)上形成所述記錄區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)和光記錄介質(zhì)的制造方法，其能使合適的回放信號(hào)從光記錄介質(zhì)中屬于條碼形記錄區(qū)域(BCA)的區(qū)域獲取。從軌跡線(xiàn)方向看交替的高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域分別以連續(xù)狀態(tài)在軌跡節(jié)距方向形成條碼形反射圖案，由此提供利用反射圖案記錄信息的記錄區(qū)域(BCA)。在BCA中，低反射率區(qū)域由多行凹坑構(gòu)成。另外，高反射率區(qū)域和低反射率區(qū)域形成為滿(mǎn)足公式S+M/2≤0.6H，其中，從高反射率區(qū)域的反射束獲取的回放信號(hào)的信號(hào)電平表示為“H”，從低反射率區(qū)域的反射束獲取的回放信號(hào)的信號(hào)電平表示為“S”，從低反射率區(qū)域的反射束獲取的回放信號(hào)的調(diào)制度表示為“M”。
文檔編號(hào)G11B7/24GK103069488SQ201180039288
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者柏木俊行, 秋元義浩, 齊藤公博, 齋藤昭也 申請(qǐng)人:索尼公司