專利名稱：Eeprom讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測(cè)試方法，具體而言是一種EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
EEPROM作為一種非易失的存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于單片機(jī)和對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全性及可靠性要求高的其他場(chǎng)合，如門禁考勤系統(tǒng)、測(cè)量和醫(yī)療儀表、非接觸式智能卡、稅控收款機(jī)、預(yù)付費(fèi)電度表或復(fù)費(fèi)率電度表、家電遙控器等。但是EEPROM是通過電子的躍遷實(shí)現(xiàn)寫入和擦除操作，由于電子躍遷所需的時(shí)間比較長，因此EEPROM寫入和擦除時(shí)間較長，一般一個(gè) 字節(jié)的寫入和擦除時(shí)間為200μ s 10ms，而整個(gè)器件的寫入和擦除時(shí)間通常在IOOOms以上，故無法采用隨機(jī)存儲(chǔ)器通常用的算法圖形測(cè)試方法對(duì)EEPROM進(jìn)行測(cè)試，只能參照只讀存儲(chǔ)器ROM進(jìn)行空片的讀操作測(cè)試和直流參數(shù)測(cè)試，而不能進(jìn)行讀寫周期時(shí)間的測(cè)試，無法檢測(cè)出寫入時(shí)間過長等典型故障，容易造成對(duì)器件的誤判。因此，設(shè)計(jì)出一種可全面、準(zhǔn)確、便捷、靈活的測(cè)試讀寫周期時(shí)間的EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法十分必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可全面、準(zhǔn)確、便捷、靈活測(cè)試讀寫周期時(shí)間的EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法，包括以下步驟a.編寫測(cè)試圖形向量；all.根據(jù)被測(cè)EEPROM “頁寫”的大小以及測(cè)試系統(tǒng)圖形發(fā)生器的容量，設(shè)置所編寫的圖形向量為前2η(0 < η < 5)頁存儲(chǔ)單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲(chǔ)單元；al3.設(shè)置背景數(shù)據(jù)；al4.根據(jù)器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的寫周期時(shí)間和實(shí)際運(yùn)行速率，按公式“寫周期時(shí)間=速率X循環(huán)次數(shù)”設(shè)置循環(huán)次數(shù)；al5.發(fā)寫命令，寫入背景數(shù)據(jù)；al6.將步驟al5重復(fù)步驟al4所述的次數(shù)，直至將背景數(shù)據(jù)全部寫入。al7.選擇下一頁存儲(chǔ)單元，設(shè)置不同的背景數(shù)據(jù)；重復(fù)步驟al4 al6，直至步驟all所述存儲(chǔ)單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個(gè)存儲(chǔ)單元；a22.發(fā)讀命令，讀出存儲(chǔ)單元當(dāng)前的數(shù)據(jù)；a23.選擇下一個(gè)地址單元，重復(fù)步驟a22，直至步驟all所述存儲(chǔ)單元全部讀操作完成;b.測(cè)試寫周期時(shí)間bl.設(shè)置寫周期時(shí)間為tw。的最大值，運(yùn)行寫操作圖形向量，對(duì)步驟all所述的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作；b2.等待寫周期時(shí)間tw。，將背景數(shù)據(jù)全部寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元；b3.設(shè)置讀周期時(shí)間為^極限值的5 10倍，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)當(dāng)前的數(shù)據(jù)；b4.比較步驟b3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)是否相同。若相同，則步驟all所述存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間測(cè)試合格；b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2n(0 ^ n ^ 5)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟bfb4，直到被測(cè)EEPROM所有存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間都測(cè)試完畢。b6.若所有存儲(chǔ)單元寫周期時(shí)間均測(cè)試合格，則被測(cè)器件的寫周期時(shí)間測(cè)試合格， 否則測(cè)試不合格。c.測(cè)試讀周期時(shí)間Cl.設(shè)置寫周期時(shí)間為極限值的5 10倍，運(yùn)行寫操作圖形向量，并等待twc極限值5 10倍的時(shí)間，將背景數(shù)據(jù)寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元；c2.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2n (OS 5)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟cl，直到將背景數(shù)據(jù)寫入全部存儲(chǔ)單元；c3.設(shè)置讀周期時(shí)間為的最小值，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)的實(shí)際數(shù)據(jù)；c4.比較步驟c3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)是否相同，若所有單元均完全相同，則步驟all所述存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間測(cè)試合格；c5.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2n(05)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟c3 c4，直到被測(cè)EEPROM完全部存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試完畢。c6.若所有存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試合格，則被測(cè)EEPROM的讀周期時(shí)間測(cè)試合格，否則測(cè)試不合格。進(jìn)一步地，在步驟b6之后，若被測(cè)器件的寫周期時(shí)間測(cè)試合格，將存儲(chǔ)器擦空，逐漸減小的值，重復(fù)步驟bf b5，直至tw。= tn時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn)，則tn_i即為被測(cè)EEPROM寫周期時(shí)間的具體值。進(jìn)一步地，在步驟c6之后，若被測(cè)器件的讀周期時(shí)間測(cè)試合格，逐漸降低的值，重復(fù)步驟c3 c5，直至tK= tn時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn)，則tn_i即為被測(cè)EEPROM讀周期時(shí)間的具體值。本發(fā)明采用編寫一小部分測(cè)試圖形向量以降低對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求，同時(shí)通過將高位地址線逐位反相的方法實(shí)現(xiàn)所有存儲(chǔ)單元的地址切換，將EEPROM讀寫周期時(shí)間測(cè)試深入到了每個(gè)單元，從而不需要很大的圖形向量存儲(chǔ)空間即可實(shí)現(xiàn)全部單元逐單元的讀寫周期時(shí)間的測(cè)試，十分有利于進(jìn)行工程質(zhì)量歸零分析。采用本發(fā)明，可全面、準(zhǔn)確、便捷、靈活測(cè)試EEPROM讀寫周期時(shí)間。


圖I為本發(fā)明的EEPROM讀寫周期時(shí)間測(cè)試原理圖；圖2為本發(fā)明的EEPROM寫周期時(shí)間測(cè)試流程圖；圖3為本發(fā)明的EEPROM讀周期時(shí)間測(cè)試流程圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述，但該實(shí)施例不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例I被測(cè)對(duì)象XICRO公司生產(chǎn)的EEPROM器件X28C64DMB-20VI，其詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的寫周期時(shí)間的最大值為IOms,讀周期時(shí)間tK的最小值為200ns,共64頁每頁64個(gè)存儲(chǔ)單
J Li ο測(cè)試方法按以下步驟進(jìn)行a.編寫測(cè)試圖形向量；
·
all.根據(jù)被測(cè)EEPROM “頁寫”的大小以及測(cè)試系統(tǒng)圖形發(fā)生器的容量，設(shè)置所編寫的圖形向量為前23頁即8頁共512個(gè)存儲(chǔ)單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲(chǔ)單元；al3.設(shè)置背景數(shù)據(jù)Oxaa ;al4.根據(jù)器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的寫周期時(shí)間的最大值和實(shí)際運(yùn)行速率1000ns，設(shè)置循環(huán)次數(shù)為10000次；al5.發(fā)寫命令，寫入背景數(shù)據(jù)Oxaa ;al6.將步驟al5重復(fù)10000次，直至將背景數(shù)據(jù)全部寫入。al7.選擇下一頁存儲(chǔ)單元，設(shè)置不同的背景數(shù)據(jù)0x55，重復(fù)步驟al2 al6，直至步驟all所述的存儲(chǔ)單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個(gè)存儲(chǔ)單元；a22.發(fā)讀命令，讀出存儲(chǔ)單元當(dāng)前的數(shù)據(jù)；a23.選擇下一個(gè)地址單元，重復(fù)步驟a22，直至步驟all所述的存儲(chǔ)單元全部讀操作完成；b.搜索寫周期時(shí)間bl.設(shè)置寫周期時(shí)間為tw。的最大值，運(yùn)行寫操作圖形向量，對(duì)步驟all所述的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作；b2.等待寫周期時(shí)間tw。，將背景數(shù)據(jù)全部寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元；b3.設(shè)置讀周期時(shí)間為^最小值的5倍，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)當(dāng)前的數(shù)據(jù)；b4.經(jīng)比較，步驟b3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)相同，故步驟all所述存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間測(cè)試合格；b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)8頁共512個(gè)存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟bfb4，直到被測(cè)EEPROM所有存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間都測(cè)試完畢。b6.結(jié)果，所有存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間均測(cè)試合格，于是被測(cè)EEPROM的寫周期時(shí)間測(cè)試合格。c.搜索讀周期時(shí)間Cl.設(shè)置寫周期時(shí)間為tw。極限值的5倍，運(yùn)行寫操作圖形向量，并等待tw。極限值5倍的時(shí)間，將背景數(shù)據(jù)寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元；
c2.將高位地址線的逐位反相，選定下一個(gè)8頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟Cl，直到將背景數(shù)據(jù)寫入全部存儲(chǔ)單元；c3.設(shè)置讀周期時(shí)間為的最小值，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)的實(shí)際數(shù)據(jù)；c4.經(jīng)比較，步驟c3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)相同，故步驟all所述存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間測(cè)試合格；c5.將高位地址線的逐位反相，選定下一個(gè)8頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟c3 c4，直到被測(cè)EEPROM完全部存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試完畢。c6.結(jié)果，所有存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試合格，于是，被測(cè)EEPROM的讀周期時(shí)間測(cè)試合格。實(shí)施例2 被測(cè)對(duì)象同實(shí)施例I測(cè)試方法在實(shí)施例I記載的方案中，在步驟b6之后，若被測(cè)器件的寫周期時(shí)間測(cè)試合格，將存儲(chǔ)器擦空，逐漸減小tw。的值,重復(fù)步驟bl b5,當(dāng)tw。= V1=S. Ims時(shí)寫周期時(shí)間測(cè)試依然合格，但至tK= tn=8ms時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn),則^=8. Ims即為被測(cè)EEPROM寫周期時(shí)間的具體值。實(shí)施例3被測(cè)對(duì)象同實(shí)施例2 測(cè)試方法在實(shí)施例2記載的方案中，在步驟c6之后，被測(cè)器件的讀周期時(shí)間測(cè)試合格，逐漸降低tKC；的值,重復(fù)步驟c3"c5,當(dāng)tKC；= V1=IQlms時(shí)寫周期時(shí)間測(cè)試依然合格,但至tK。= tn =190ns時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn)，則V1=Igins即為被測(cè)EEPROM讀周期時(shí)間的具體值。本說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容，屬于本專業(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法，包括以下步驟 a.編寫測(cè)試圖形向量； all.根據(jù)被測(cè)EEPROM “頁寫”的大小以及測(cè)試系統(tǒng)圖形發(fā)生器的容量，設(shè)置所編寫的圖形向量為前2η(0 < η < 5)頁存儲(chǔ)單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲(chǔ)單元；al3.設(shè)置背景數(shù)據(jù)； al4.根據(jù)器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的寫周期時(shí)間和實(shí)際運(yùn)行速率，按公式“寫周期時(shí)間=速率X循環(huán)次數(shù)”設(shè)置循環(huán)次數(shù)；al5.發(fā)寫命令，寫入背景數(shù)據(jù)； al6.將步驟al5重復(fù)步驟al4所述的次數(shù)，直至將背景數(shù)據(jù)全部寫入。al7.選擇下一頁存儲(chǔ)單元，設(shè)置不同的背景數(shù)據(jù)；重復(fù)步驟al4 al6，直至步驟all所述存儲(chǔ)單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個(gè)存儲(chǔ)單元；a22.發(fā)讀命令，讀出存儲(chǔ)單元當(dāng)前的數(shù)據(jù)； a23.選擇下一個(gè)地址單元，重復(fù)步驟a22，直至步驟all所述存儲(chǔ)單元全部讀操作完成； b.測(cè)試寫周期時(shí)間 bl.設(shè)置寫周期時(shí)間為tw。的最大值，運(yùn)行寫操作圖形向量，對(duì)步驟all所述的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作； b2.等待寫周期時(shí)間tw。，將背景數(shù)據(jù)全部寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元；b3.設(shè)置讀周期時(shí)間為極限值的5 10倍，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)當(dāng)前的數(shù)據(jù)； b4.比較步驟b3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)是否相同。若相同，則步驟all所述存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間測(cè)試合格； b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2n (O ^n^5)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟bf b4，直到被測(cè)EEPROM所有存儲(chǔ)單元的寫周期時(shí)間都測(cè)試完畢。
b6.若所有存儲(chǔ)單元寫周期時(shí)間均測(cè)試合格，則被測(cè)器件的寫周期時(shí)間測(cè)試合格，否則測(cè)試不合格。
c.測(cè)試讀周期時(shí)間 Cl.設(shè)置寫周期時(shí)間為tw。極限值的5 10倍，運(yùn)行寫操作圖形向量，并等待極限值5^10倍的時(shí)間，將背景數(shù)據(jù)寫入步驟all所述的存儲(chǔ)單元； c2.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2n(0 Sn < 5)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟Cl，直到將背景數(shù)據(jù)寫入全部存儲(chǔ)單元； c3.設(shè)置讀周期時(shí)間為tK。的最小值，運(yùn)行讀操作圖形向量，進(jìn)行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲(chǔ)單元內(nèi)的實(shí)際數(shù)據(jù)； c4.比較步驟c3讀出的數(shù)據(jù)與背景數(shù)據(jù)是否相同，若所有單元均完全相同，則步驟all所述存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間測(cè)試合格； c5.將高位地址線逐位反相，選定下一個(gè)2η(0 < η < 5)頁存儲(chǔ)單元，重復(fù)步驟c3 c4，直到被測(cè)EEPROM完全部存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試完畢。c6.若所有存儲(chǔ)單元的讀周期時(shí)間均測(cè)試合格，則被測(cè)EEPROM的讀周期時(shí)間測(cè)試合格，否則測(cè)試不合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法，其特征在于在步驟b6之后，若被測(cè)器件的寫周期時(shí)間測(cè)試合格，將存儲(chǔ)器擦空，逐漸減小的值，重復(fù)步驟bfb5，直至tK=tn時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn)，則tn_i即為被測(cè)EEPROM寫周期時(shí)間的具體值。
3.根據(jù)權(quán)利要求I和2所述的EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法，其特征在于在步驟c6之后，若被測(cè)器件的讀周期時(shí)間測(cè)試合格，逐漸降低的值，重復(fù)步驟c3 c5，直至tK=tn時(shí)測(cè)試結(jié)果翻轉(zhuǎn)，則tn_i即為被測(cè)EEPROM讀周期時(shí)間的具體值。
全文摘要
本發(fā)明涉及EEPROM讀寫周期時(shí)間的測(cè)試方法，包括以下步驟編寫前2n(0≤n≤5)頁存儲(chǔ)單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；運(yùn)行寫操作圖形向量，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作，測(cè)試寫周期時(shí)間；運(yùn)行讀操作圖形向量，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作，測(cè)試讀周期時(shí)間。本發(fā)明采用編寫一小部分測(cè)試圖形向量以降低對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求，同時(shí)通過將高位地址線逐位反相的方法實(shí)現(xiàn)所有存儲(chǔ)單元的地址切換，將EEPROM讀寫周期時(shí)間測(cè)試深入到了每個(gè)單元，從而不需要很大的圖形向量存儲(chǔ)空間即可實(shí)現(xiàn)全部單元逐單元的讀寫周期時(shí)間的測(cè)試，十分有利于進(jìn)行工程質(zhì)量歸零分析。采用本發(fā)明，可全面、準(zhǔn)確、便捷、靈活測(cè)試EEPROM讀寫周期時(shí)間。
文檔編號(hào)G11C29/56GK102842344SQ201210302880
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日
發(fā)明者袁云華, 李永梅, 王炳軍 申請(qǐng)人:湖北航天技術(shù)研究院計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所