專利名稱：磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤、磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤、磁記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
如今,在個人用計算機(jī)或DVD (Digital Versatile Disc)記錄裝置等,為了記錄數(shù)據(jù)內(nèi)置有硬盤裝置(HDD:Hard Disk Drive) 0特別是，在筆記本電腦等以攜帶性為前提的設(shè)備所使用的硬盤裝置中，使用在玻璃基板設(shè)置磁性層的磁盤，用微微上浮于磁盤的面上的磁頭在磁性層進(jìn)行磁記錄信息的記錄或讀取。該磁盤的基板由于與金屬基板(鋁基板)等相比具有不易產(chǎn)生塑性變形的性質(zhì)，所以適用玻璃基板。另外，為滿足硬盤裝置的存儲容量增大的要求，人們正在謀求磁記錄的高密度化。例如，使用磁性層的磁化方向相對于基板的面垂直的方向的垂直磁記錄方式，進(jìn)行磁記錄信息區(qū)域(記錄位)的微細(xì)化。因此，能夠使一張盤面基板的存儲容量增大。并且，為了存儲容量的進(jìn)一步增大化，還進(jìn)行通過使磁頭的記錄再生元件部進(jìn)一步突出來盡量地縮短與磁記錄層的距離，由此進(jìn)一步提高信息的記錄再生的精度(提高S/N比)。另外，將這樣的磁頭的記錄再生元件部的控制稱之為DFH(Dynamic Flying Height)控制機(jī)構(gòu),搭載該控制機(jī)構(gòu)的磁頭稱之為DI7H磁頭。與這樣的DI7H組合而用于HDD的磁盤用基板中，為了避免磁頭或從該處突出的記錄再生元件部的碰撞或者接觸，將基板的表面凹凸做成盡可能小。制造磁盤用玻璃基板的工序包括研削工序,用固定磨粒對經(jīng)過加壓成形后變成平板狀的玻璃雛形的主表面進(jìn)行研削；研磨工序，以消除通過該研削工序而殘留在主表面的傷痕、變形為目的，對主表面進(jìn)行研磨。過去，已公開有在所述主表面的研磨工序中作為研磨劑使用氧化錯(zirconia)磨粒的方法(專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:特許第2783329號

發(fā)明內(nèi)容
但是，在上述專利文獻(xiàn)I中公開有用觸針式表面形狀測量儀來測量玻璃基板主表面的表面形狀的情況。但是，這樣的觸針式的測量方法中，無法測量近年來成問題的所謂納米槽(nano pit)和納米劃痕(nano scratch)。納米槽是在玻璃基板主表面上產(chǎn)生的納米級的尺寸(例如，Rv (從用AFM測量時的粗糙度平均面的深度)50nm以下)的凹部，納米劃痕是在玻璃基板主表面上產(chǎn)生的納米級的寬度和深度的劃痕。這樣的微小尺寸的凹部或者劃痕在以前并不成為問題，但是近年來發(fā)現(xiàn)，通過DHl磁頭讀取和記錄的前提下，隨著磁記錄信息被高度聚集而記錄密度變高，減少磁盤用玻璃基板主表面的納米槽以及/或者納米劃痕的數(shù)量變得重要。即，記錄信息的每個記錄位的大小比原來的記錄位相比變得細(xì)微，因此在原來不成問題的納米級的劃痕等尺寸相對于記錄位占據(jù)相對大的比率，因此相對于包含納米槽以及/或者納米劃痕的記錄位，讀取和記錄時的S/N(Signal to Noise)比下降而產(chǎn)生記錄再生缺陷。因此，降低磁盤用玻璃基板主表面的納米槽以及/或者納米劃痕的程度變得重要。另外，為了實現(xiàn)一張2. 5英寸型(直徑65mm)的磁盤容量為500GB,認(rèn)為，需要約350kTPI (track per inch)以上的軌道密度和約1700kBPI (Bits Per Inch)以上的線記錄密度，使I位(bit)的尺寸例如比15nmX70nm小。這樣的記錄密度提高，I位的尺寸變得非常小時，即使原來不成問題的納米槽或納米劃痕等納米尺寸的缺陷，在I位所占的面積(或者體積)相對增大，因此無法忽視磁信號品質(zhì)(例如S/N比等)的下降。另外，通過將氧化鋯作為研磨材料的玻璃基板主表面的研磨工序(下面，稱之為“第一研磨工序，”)所產(chǎn)生的納米槽以及/或者納米劃痕雖然可以通過將硅膠等作為研磨劑使用的后研磨工序(下面，稱之為“第二研磨工序”)去除，但是，如果此時的加工余量變得過大，則玻璃基板的主表面的端部形狀容易產(chǎn)生呈滾降(roll off)形狀等缺陷(端部下垂)。另外，第一研磨工序和第二研磨工序之間設(shè)置有用于在玻璃基板主表面上形成壓縮應(yīng)力層的化學(xué)強(qiáng)化工序時，化學(xué)強(qiáng)化工序后的第二研磨工序的加工余量變大而容易產(chǎn)生在玻璃基板的兩個主表面上壓縮應(yīng)力層的厚度差。如果在兩個主表面上產(chǎn)生壓縮應(yīng)力層的厚度差，則產(chǎn)生壓縮應(yīng)力層薄的一側(cè)的主表面的強(qiáng)度下降或者兩個主表面上的壓縮應(yīng)力差所導(dǎo)致的主表面的平坦度變差現(xiàn)象(彎曲等)。因此，為了能夠控制通過第二研磨工序的研磨的加工余量(例如5 u m以下程度)，通過第一研磨工序的研磨中，有必要不讓形成深的納米槽以及/或者納米劃痕。從以上的觀點，優(yōu)選的是，使用將氧化鋯作為研磨材料的研磨液(泥漿)對玻璃基板主表面進(jìn)行研磨時,使其不容易發(fā)生深的納米槽和納米劃痕等傷痕以及玻璃基板主表面的端部的下垂。另外，從其它觀點，使用將氧化鋯作為研磨材料的研磨液(泥漿)對玻璃基板主表面進(jìn)行研磨時，要求提高研磨速度以比現(xiàn)有的生產(chǎn)效率提高。因此，在本發(fā)明的第一觀點中，其目的在于提供一種使用將氧化鋯作為研磨材料的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨時，在主表面上不容易產(chǎn)生深的納米劃痕等傷痕的磁盤用玻璃基板的制造方法。在本發(fā)明的其它觀點中，其目的在于提供一種確保良好的研磨速度的同時能夠使其不容易產(chǎn)生主表面的邊緣部的下垂現(xiàn)象的磁盤用玻璃基板的制造方法。通常知道的是，氧化鋯的晶體結(jié)構(gòu)在約1100度以下的溫度下呈單斜晶(monoclinic)，大約在1100 2370度的溫度范圍下呈正方晶(tetragonal)，約2370度以上的溫度下呈立方晶(cubic)。另外，即使使單斜晶的氧化鋯變?yōu)楦邷囟蛊湎蛘骄噢D(zhuǎn)移，但回到常溫時其還重新向單斜晶相轉(zhuǎn)移。在此，如果向氧化鋯中固溶作為穩(wěn)定劑的氧化鈣、氧化鎂、或者氧化釔等稀土類氧化物，則即使回到常溫下也會成為以正方晶呈穩(wěn)定或者準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的穩(wěn)定化氧化鋯、部分穩(wěn)定化氧化鋯。因此，對于上述課題，發(fā)明人對研磨液中作為研磨材料所包含的氧化鋯的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了關(guān)注，并進(jìn)行了認(rèn)真研究，結(jié)果得到了如下的見解。僅僅由單斜晶構(gòu)成的氧化鋯硬度低，因此作為研磨材料使用該氧化鋯磨粒對玻璃基板主表面進(jìn)行研磨時，在研磨中產(chǎn)生磨粒的破碎現(xiàn)象。通過該磨粒的破碎，小的粒徑的氧化鋯增多，如果粒度分布向低粒徑一側(cè)擴(kuò)展，則粒徑相對大的磨粒的比率變小，施加于研磨平臺的負(fù)荷不會分散到很多磨粒上，而是以在粒徑比較大的磨粒上負(fù)荷局部地被施加的狀態(tài)下進(jìn)行研磨，因此，在玻璃基板主表面上容易產(chǎn)生納米槽以及/或者納米劃痕。另外，僅僅由正方晶構(gòu)成的穩(wěn)定化或者部分穩(wěn)定化氧化鋯，其硬度與作為加工對象的玻璃相比過分大，因此不產(chǎn)生磨粒的破碎現(xiàn)象，但局部地對磨粒施加負(fù)荷時在玻璃基板主表面上容易產(chǎn)納米槽以及/納米劃痕。即，氧化鋯具有適合對玻璃基板主表面進(jìn)行研磨的硬度。關(guān)于上述觀點，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使氧化鋯磨粒包含單斜晶和正方晶兩種晶體結(jié)構(gòu)，氧化鋯的硬度變成適合于對玻璃基板主表面研磨的硬度。即，使用將具有單斜晶和正方晶兩種晶體結(jié)構(gòu)的氧化鋯磨粒作為研磨材料的研磨液對玻璃基板主表面進(jìn)行研磨，由此在玻璃基板主表面上不容易產(chǎn)生納米槽以及/或者納米劃痕。具有這樣的晶體結(jié)構(gòu)的氧化鋯能夠通過在單斜晶氧化鋯開始向正方晶氧化鋯發(fā)生相轉(zhuǎn)移的溫度附近進(jìn)行燒成來獲得。從以上的情況可知，本發(fā)明的第一觀點涉及磁盤用玻璃基板的制造方法，包括如下研磨工序，在所述研磨工序中，使用將具有單斜晶結(jié)構(gòu)和正方晶結(jié)構(gòu)的氧化鋯磨粒作為研磨材料的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨。上述第一觀點的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選的是，所述氧化鋯磨粒中，相對于單斜晶結(jié)構(gòu)的量的正方晶結(jié)構(gòu)的量的比率為0.7%以上3.0%以下的范圍。但是，所述比率是相對于通過X射線衍射的單斜晶結(jié)構(gòu)的峰值強(qiáng)度的正方晶結(jié)構(gòu)的峰值強(qiáng)度的比率。在此，峰值強(qiáng)度是峰值的積分強(qiáng)度。根據(jù)上述第一觀點的磁盤用玻璃基板的制造方法中，還可以是，所述氧化鋯磨粒由氧化鋯的一次粒子的凝集體構(gòu)成，所述氧化鋯的一次粒子具有單斜晶結(jié)構(gòu)和正方晶結(jié)構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述第一觀點的磁盤用玻璃基板的制造方法中，還可以是，所述氧化鋯磨粒不含穩(wěn)定化劑。另外，面對上述課題，發(fā)明人還對向氧化鋯中固溶作為穩(wěn)定劑的氧化鈣、氧化鎂、或者釔等稀土類元素或者其氧化物，由此即使回到常溫下也會是以立方晶呈穩(wěn)定或者準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的部分穩(wěn)定化氧化鋯(或者也簡單稱之為穩(wěn)定化氧化鋯)進(jìn)行了認(rèn)真的研究。結(jié)果，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用將在稀土類元素中包含釔或者其氧化物的部分穩(wěn)定化氧化鋯作為研磨材料的研磨液對磁盤用玻璃基板進(jìn)行研磨來得到下述的效果。含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯其硬度比僅僅由單斜晶構(gòu)成的氧化鋯硬度高，因此，在研磨中不容易發(fā)生磨粒的破碎現(xiàn)象，結(jié)果粒度分布難以產(chǎn)生變化，從而在玻璃基板主表面上難以產(chǎn)生深的劃痕。另外，如果其硬度比僅僅由單斜晶構(gòu)成氧化鋯硬度高，則單位時間的物理性研磨能力提高，并且研磨速度提高。進(jìn)一步，含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯由于對玻璃基板的化學(xué)研磨能力提高，因此認(rèn)為對研磨速度的提高作出貢獻(xiàn)。這樣的理由是，可以推測為含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯中產(chǎn)生氧缺陷，因此，包含在部分穩(wěn)定化氧化鋯中的鋯和玻璃基板表面的二氧化硅(SiO2)中的氧容易產(chǎn)生反應(yīng)，該二氧化硅中的硅從玻璃基板表面容易分離。如上所述，由于難以產(chǎn)生深的劃痕，因此后研磨工序(第二研磨工序)中的加工余量不會變大，玻璃基板主表面的端部難以下垂。另外，如果在研磨中磨粒破碎而微小粒子變多，則玻璃基板上存在發(fā)生端部下垂的傾向，但是，含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯如上所述地不容易產(chǎn)生磨粒的破碎現(xiàn)象，因此端部不容易發(fā)生下垂。從以上的情況可知，本發(fā)明的第二觀點涉及磁盤用玻璃基板的制造方法，包括如下研磨工序在所述研磨工序中，使用將含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯作為研磨材料的研磨液進(jìn)行研磨。優(yōu)選的是，所述部分穩(wěn)定化氧化鋯將釔以釔的氧化物形式所包含，在上述第二觀點的磁盤用玻璃基板的制造方法中，包含在所述研磨材料的釔的摩爾比為1% 6%的范圍。上述第二觀點的磁盤用玻璃基板的制造方法中，優(yōu)選的是，相對于所述研磨材料，表示通過粉末X射線衍射的入射角和衍射強(qiáng)度關(guān)系的衍射圖案中，氧化鋯的晶體結(jié)構(gòu)中立方晶的衍射強(qiáng)度的峰值最高。優(yōu)選的是，所述磁盤用玻璃基板的制造方法中，所述玻璃基板由破壞韌性值為0. 4 1. 5MPa/m1/2范圍內(nèi)的玻璃構(gòu)成。優(yōu)選的是，所述磁盤用玻璃基板的制造方法中，所述氧化鋯磨粒的平均粒徑D50為0. 2 0. 5iim范圍內(nèi)。優(yōu)選的是，所述磁盤用玻璃基板的制造方法中，在所述研磨工序中利用以JIS-A硬度具有80 100范圍硬度的研磨墊對所述玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨。上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，在所述研磨工序后，還可以包括后研磨工序，在所述后研磨工序中使用將硅膠作為磨粒的研磨液進(jìn)行研磨。上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，還可以是所述后研磨工序的加工余量為5 U m以下。上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，還可以在所述研磨工序和所述后研磨工序之間進(jìn)一步包括利用含有氧化鈰磨粒的研磨液進(jìn)行研磨的中間研磨工序。上述磁盤用玻璃基板的制造方法中，還可以在所述研磨工序和所述后研磨工序之間包括化學(xué)強(qiáng)化工序。本發(fā)明的第三觀點涉及磁盤，在通過上述的磁盤用玻璃基板的制造方法所制造的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成磁性層。本發(fā)明的第四觀點涉及磁記錄再生裝置，包括上述磁盤和搭載DFH(DynamicFlying Height)控制機(jī)構(gòu)的磁頭。


圖1為在第一研磨工序中使用的研磨裝置(兩面研磨裝置)的概略截面圖；圖2為概略表示氧化鋯磨粒的多晶結(jié)構(gòu)的圖；圖3為概括說明玻璃基板的端部形狀的滾降(Dub-off)值的計算方法的圖；圖4為表示相對于實施例的研磨材料的粉末X線衍射裝置的測量結(jié)果的圖。附圖標(biāo)記說明10研磨墊30 載體40上平臺50下平臺
61太陽齒輪62內(nèi)齒輪71研磨液供給箱72 配管100 一次粒子200凝集體M單斜晶T正方晶
具體實施例方式以下，就實施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。(第一實施方式)[磁盤用玻璃基板]作為本實施方式的磁盤用玻璃基板的材料，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、硼硅玻璃等。特別是，從能夠?qū)嵤┗瘜W(xué)強(qiáng)化、且從能夠制造主表面的平坦度和基板的強(qiáng)度優(yōu)異的磁盤用玻璃基板的方面考慮，優(yōu)選使用鋁硅酸鹽玻璃。本實施方式的磁盤用玻璃基板的組成并不限定，但本實施方式的玻璃基板優(yōu)選的是，以氧化物基準(zhǔn)換算、并以摩爾％表示，包含50 75 %的SiO2、I 15 %的A1203、合計5 35%的從Li20、Na2O以及K2O選擇的至少一種成分、合計0 20%的從MgO、CaO、SrO, BaO以及ZnO選擇的至少一種成分、合計0 10%的從Zr02、TiO2, La203、Y2O3> Ta2O5, Nb2O5以及HfO2選擇的至少一種成分的鋁硅酸鹽玻璃。本實施方式的玻璃基板是招娃酸鹽玻璃，其中，相對于整體玻璃成分包含55 75質(zhì)量％的Si02、5 18質(zhì)量％的Al203、3 10質(zhì)量％的Li20、3 15質(zhì)量％的Na20、0 5質(zhì)量％的K20、0 5質(zhì)量％的Mg0、0.1 5質(zhì)量％的Ca0、0 8質(zhì)量％的Zr02，可以是不合有As和Sb的任一種元素，而含有選自由P、V、Mn、N1、Nb、Mo、Sn、Ce、Ta和Bi組成的組中的至少一種多價元素，并含有選自由Y203、Yb203、La2O3> Gd2O3> Nb2O5, Ta2O5, HfO2組成的組中擇的至少一種以上的玻璃。另外，優(yōu)選的是，將各所述多價元素的氧化物形成為P205、V2O5, MnO2, Ni203、Nb2O5,Mo03、Sn02、Ce02、Ta205、Bi2O3的情況下的、所述多價元素的氧化物的總量相對于所述CaO的摩爾比率(所述多價元素的氧化物的總量/CaO)為0.25以上。由此，能夠充分去除玻璃中的氣泡。另外，優(yōu)選的是，所述多價元素的氧化物含有選自由V、Mn、Sn和Ce組成的組中的至少一種多價元素。由于V、Mn、Sn和Ce能夠特別有效地去除氣泡，所以是優(yōu)選的。如后述，在本實施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法中，包括使用將具有單斜晶結(jié)構(gòu)和正方晶結(jié)構(gòu)的氧化鋯磨粒作為研磨材料的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨的研磨工序，而相對這樣的研磨材料，具有上述玻璃組成的玻璃基板的硬度是適合的。即，在研磨工序中，能夠抑制在玻璃基板的主表面上產(chǎn)生的納米槽或納米劃痕的同時能夠提高研磨速度。另外，更優(yōu)選的是，這些玻璃由非結(jié)晶的鋁硅酸鹽玻璃形成，由于非結(jié)晶的鋁硅酸鹽玻璃不含有如結(jié)晶化玻璃的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，因此為均勻的結(jié)構(gòu)，因此能夠獲得極其平滑的表面。另外，本實施方式的玻璃基板的破壞韌性值K1C，優(yōu)選的是根據(jù)維氏硬度計的測量值為0. 4 1. 5 [MPa/m172]，更優(yōu)選的是該值為0. 5 1. 0 [MPa/m1/2]。如果使用該范圍內(nèi)的玻璃組成，則在通過上述研磨材料的研磨工序中，能夠良好地維持研磨速度的同時，能夠降低在玻璃基板的主表面上產(chǎn)生納米槽或納米劃痕。在此，破壞韌性值K1C可以通過將公知的維氏硬度計的尖銳的鉆石壓頭壓入玻璃材料板的方法進(jìn)行測量。即，破壞韌性值K1C可以根據(jù)在壓入維氏壓頭時在玻璃材料板上殘留的壓頭的壓痕的大小和壓痕縫隙中發(fā)生的裂痕的長度由下述式求出。其中，P為維氏壓頭的壓入負(fù)荷[N]，a為維氏壓痕的對角線長的一半的長度[m]。E為玻璃材料板的楊氏模量[Pa]，C為裂痕長度的一半的長度[m]。[數(shù)I]
權(quán)利要求
1.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括研磨工序，在所述研磨工序中使用研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，所述研磨液包含作為研磨材料的具有單斜晶結(jié)構(gòu)和正方晶結(jié)構(gòu)的氧化鋯磨粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述氧化鋯磨粒中，將相對于單斜晶結(jié)構(gòu)的量的正方晶結(jié)構(gòu)的量的比率以通過X射線衍射的相對于單斜晶結(jié)構(gòu)的峰值的積分強(qiáng)度的正方晶結(jié)構(gòu)的峰值的積分強(qiáng)度的比率求出時，該比率為O. 7%以上3.0%以下的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述氧化鋯磨粒由氧化鋯的一次粒子的凝集體構(gòu)成，所述氧化鋯的一次粒子具有單斜晶結(jié)構(gòu)和正方晶結(jié)構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述氧化鋯磨粒不包含穩(wěn)定化劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述氧化鋯磨粒的平均粒徑D50為O. 2 O. 5 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序中，使用具有JIS-A硬度為80 100的研磨墊對所述玻璃基板主表面進(jìn)行研磨。
7.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括研磨工序，在所述研磨工序中使用研磨液進(jìn)行研磨，所述研磨液包含作為研磨材料的含釔的部分穩(wěn)定化氧化鋯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述部分穩(wěn)定化氧化鋯將釔以釔的氧化物形式含在其中，包含在所述研磨材料的釔的摩爾比為1% 6% 的范圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，相對于所述研磨材料，表示通過粉末X射線衍射的入射角和衍射強(qiáng)度關(guān)系的衍射圖案中，氧化鋯的晶體結(jié)構(gòu)中立方晶的衍射強(qiáng)度的峰值最高。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板的破壞韌性值為O. 4 1. 5MPa/m1/2范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序后，還包括后研磨工序，在所述后研磨工序中使用包含作為磨粒的硅膠的研磨液進(jìn)行研磨。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述后研磨工序的加工余量為5 μ m以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或者12所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序和后研磨工序之間，進(jìn)一步包括使用包含氧化鈰磨粒的研磨液進(jìn)行研磨的中間研磨工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述研磨工序和所述后研磨工序之間包括化學(xué)強(qiáng)化工序。
15.—種磁盤,其特征在于,在通過權(quán)利要求1至14中任一項所述的磁盤用玻璃基板的制造方法所制造的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成磁性層。
16.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求15所述的磁盤和搭載DHl控制機(jī)構(gòu) 的磁頭。
全文摘要
本發(fā)明提供磁盤用玻璃基板的制造方法、磁盤、磁記錄再生裝置，其中，使用將氧化鋯作為研磨材料的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨時，按照難以產(chǎn)生納米槽和納米劃痕的方式提供磁盤用玻璃基板的制造方法，該磁盤用玻璃基板的制造方法包括如下研磨工序，在該研磨工序中，使用將具有單斜晶結(jié)構(gòu)(M)和正方晶結(jié)構(gòu)(T)的氧化鋯磨粒作為研磨材料的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨。
文檔編號G11B5/84GK103035257SQ20121036697
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者玉置將德, 中川裕樹, 俵義浩 申請人:Hoya株式會社