專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器大致可分為兩大類(lèi)易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器。易失存儲(chǔ)器在系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)立即失去存儲(chǔ)在內(nèi)的數(shù)據(jù)；它需要持續(xù)的電源供應(yīng)以維持?jǐn)?shù)據(jù)。非易失存儲(chǔ)器在系統(tǒng)關(guān)閉或無(wú)電源供應(yīng)時(shí)仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)數(shù)據(jù)。對(duì)于存儲(chǔ)器而言，數(shù)據(jù)保持能力(Data Retention)、耐久力(Endurance)、和干擾(Disturb)等是評(píng)價(jià)存儲(chǔ)器性能的參數(shù)。在存儲(chǔ)器制作完成之后準(zhǔn)備出廠之前，通常會(huì)通過(guò)可靠性測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)器的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。 在公開(kāi)號(hào)為CN102420017A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了一種閃存的可靠性測(cè)試方法，包括對(duì)閃存進(jìn)行烘焙，使閃存經(jīng)受高溫，并將烘焙之前只讀區(qū)域中只讀數(shù)據(jù)經(jīng)校驗(yàn)算法計(jì)算后的第一校驗(yàn)值和烘焙后只讀區(qū)域中只讀數(shù)據(jù)經(jīng)校驗(yàn)算法計(jì)算后的第二校驗(yàn)值進(jìn)行比較，如果第一校驗(yàn)值和第二校驗(yàn)值相等，判定閃存記憶能力良好。在所述中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中，烘培的過(guò)程用于模擬閃存老化的過(guò)程?，F(xiàn)有技術(shù)采用與所述中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)類(lèi)似的技術(shù)方案，通常比較烘焙前測(cè)量數(shù)據(jù)和烘培后的測(cè)量數(shù)據(jù)，判斷存儲(chǔ)器的性能。以判斷存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力為例，通常對(duì)已經(jīng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出以判斷存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力，具體地，主要讀出存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的“I”數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行判斷。例如，對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器而言，讀出數(shù)據(jù)“I”時(shí)的判斷電流為10 μ A，在進(jìn)行可靠性測(cè)試時(shí)，為了保證存儲(chǔ)器符合規(guī)格，通常以較高判斷標(biāo)準(zhǔn)對(duì)存儲(chǔ)器是否合格進(jìn)行判斷。例如，判斷標(biāo)準(zhǔn)為讀出電流為“ 15 μ A”，對(duì)于上述存儲(chǔ)器，在讀出存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)時(shí)，如果讀出“I”時(shí)，讀出電流大于“ 15 μ Α”，則符合規(guī)格，而如果讀出“ I ”時(shí)讀出的電流小于“ 15 μ Α”，則為差品。現(xiàn)有技術(shù)在烘培前和烘焙后對(duì)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出之后，通常采用相同的判斷標(biāo)準(zhǔn)來(lái)判斷存儲(chǔ)器是否合格(烘培前以15μΑ為判斷標(biāo)準(zhǔn)，烘培后仍然以15μΑ為判斷標(biāo)準(zhǔn))。然而，上述可靠性測(cè)試的方法，容易將一些并非數(shù)據(jù)保持能力差得的產(chǎn)品判為數(shù)據(jù)保持能力差的產(chǎn)品，或者將數(shù)據(jù)保持能力差的產(chǎn)品誤認(rèn)為良品，這使上述可靠性測(cè)試的準(zhǔn)確度不夠高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，對(duì)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力的判斷具有較高的準(zhǔn)確度。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)；如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果小于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)；對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理；對(duì)經(jīng)過(guò)老化處理的存儲(chǔ)器進(jìn)行第二測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)低于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述存儲(chǔ)器為良品；如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果小于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型，如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為差品；如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的第二標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為良品?？蛇x地，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試的步驟包括向存儲(chǔ)器中寫(xiě)入“ I ”數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)器中“ I”數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出，獲得讀出電流，所述讀出電流為第一測(cè)試結(jié)果?？蛇x地，所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)為第一讀出電流閾值，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)為第二讀出電流閾值，所述第一讀出電流閾值大于所述第二讀出電流閾值。可選地，所述第一讀出電流閾值與第二讀出電流閾值的比值位于I. Γ1. 2的范圍內(nèi)?？蛇x地，所述第一讀出電流閾值為17 μ Α，所述第二讀出電流閾值為15 μ A?！た蛇x地，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)的步驟包括在存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)寫(xiě)入標(biāo)示性的數(shù)據(jù)?？蛇x地，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)的步驟包括不在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)?？蛇x地，所述判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型的步驟包括從存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)讀出數(shù)據(jù)，判斷是否能讀到所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)?？蛇x地，所述存儲(chǔ)器為非易失存儲(chǔ)器?？蛇x地，所述存儲(chǔ)器為閃存?？蛇x的，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理的步驟包括使存儲(chǔ)器在250°C的溫度條件下持續(xù)72小時(shí)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在兩次測(cè)試中設(shè)置了不同的判斷標(biāo)準(zhǔn)，在第一測(cè)試中設(shè)置較高的判斷標(biāo)準(zhǔn)，在第二測(cè)試中設(shè)置較低的判斷標(biāo)準(zhǔn)，并且在第一測(cè)試之后不對(duì)任何產(chǎn)品進(jìn)行排除，而是對(duì)第一測(cè)試的不同測(cè)試結(jié)果進(jìn)行標(biāo)識(shí)，在第二測(cè)試之后，結(jié)合第一測(cè)試的測(cè)試結(jié)果的標(biāo)識(shí)以及第二測(cè)試的測(cè)試結(jié)果，通過(guò)判斷兩次測(cè)試的差距來(lái)判斷存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力，可將數(shù)據(jù)保持力差和較低飽和電流(但是數(shù)據(jù)保持力還不錯(cuò))的產(chǎn)品進(jìn)行區(qū)分，從而提高了存儲(chǔ)器可靠性測(cè)試的準(zhǔn)確度。


圖I是本發(fā)明存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法一實(shí)施方式的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式
的限制。
發(fā)明人對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法進(jìn)行了分析，發(fā)現(xiàn)有些具有較低飽和電流的產(chǎn)品，在第一測(cè)試時(shí)其讀出電流時(shí)略大于讀出電流閾值，而在經(jīng)過(guò)老化處理之后，所述產(chǎn)品進(jìn)行第二測(cè)試時(shí)的讀出電流略小于讀出電流閾值，這些產(chǎn)品的數(shù)據(jù)保持力是符合設(shè)計(jì)規(guī)格的，但是通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，由于其不滿(mǎn)足第二測(cè)試的判斷標(biāo)準(zhǔn)而被判為差品。相應(yīng)地，為了解決上述問(wèn)題發(fā)明人提供了一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，在第一測(cè)試中設(shè)置較高的判斷標(biāo)準(zhǔn)，在第二測(cè)試中設(shè)置較低的判斷標(biāo)準(zhǔn)，并且在第一測(cè)試之后不對(duì)任何產(chǎn)品進(jìn)行排除，而是對(duì)第一測(cè)試的不同測(cè)試結(jié)果進(jìn)行標(biāo)識(shí)，在第二測(cè)試之后，結(jié)合第一測(cè)試的測(cè)試結(jié)果的標(biāo)識(shí)以及第二測(cè)試的測(cè)試結(jié)果，通過(guò)判斷兩次測(cè)試的差距來(lái)判斷存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力，可將數(shù)據(jù)保持力差和較低飽和電流(但是數(shù)據(jù)保持力還不錯(cuò))的產(chǎn)品進(jìn)行區(qū)分，從而提高了存儲(chǔ)器可靠性測(cè)試的準(zhǔn)確度。參考圖1，示出了本發(fā)明存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法一實(shí)施方式的流程示意圖。本發(fā)明具體實(shí)施方式
的檢測(cè)存儲(chǔ)器記憶能力的方法包括·
步驟SI，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；步驟S2，如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)；步驟S3，如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果小于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)；步驟S4，對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理；步驟S5，對(duì)經(jīng)過(guò)老化處理的存儲(chǔ)器進(jìn)行第二測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)低于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；步驟S6，如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述存儲(chǔ)器為良品；步驟S7，如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果小于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型，如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為差品；如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的第二標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為良品。下面結(jié)合具體實(shí)施例詳述本發(fā)明具體實(shí)施方式
的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法。執(zhí)行步驟SI，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)。此處所述存儲(chǔ)器可以是以閃存、只讀存儲(chǔ)器(Read-Only MemOry，R0M)為例。由于本發(fā)明存儲(chǔ)器可靠性測(cè)試方法目的在于提高數(shù)據(jù)保持力測(cè)試的精度，而數(shù)據(jù)保持力指的是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間之后沒(méi)有失真或丟失還可以有效讀出的能力。實(shí)際應(yīng)用中，以存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)“I”的數(shù)據(jù)保持情況來(lái)判斷存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力。因此，相應(yīng)地，所述對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行的第一測(cè)試指的是對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出操作，對(duì)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的“I”數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的讀出電流是否符合規(guī)格進(jìn)行判斷。具體地，需要先向存儲(chǔ)器中寫(xiě)入“ I”數(shù)據(jù)，之后對(duì)存儲(chǔ)器中“ I”數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出，獲得讀出電流，所述讀出電流即為第一測(cè)試結(jié)果。所述判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)的步驟中，所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)指的是第一讀出電流閾值。本發(fā)明所述第一讀出電流閾值大于現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法中第一測(cè)試的讀出電流閾值，即本發(fā)明在第一測(cè)試中提高了判斷標(biāo)準(zhǔn)。例如，現(xiàn)有技術(shù)中讀出電流閾值為15μΑ，而本發(fā)明第一測(cè)試中第一讀出電流閾值為17 μ A。執(zhí)行步驟S2，如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)。具體地，如果存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的第一讀出電流大于或等于所述第一讀出電流閾值，則對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行第一標(biāo)識(shí)，所述第一標(biāo)識(shí)用于表明存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的測(cè)試結(jié)果(大于或等于第一讀出電流閾值)。例如，所述存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的第一讀出電流為18 μ Α,大于所述17 μ A的第一讀出電流閾值，則在存儲(chǔ)器中進(jìn)行第一標(biāo)識(shí)。本發(fā)明對(duì)第一標(biāo)識(shí)的形式不做限制，本實(shí)施例以在測(cè)試存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)寫(xiě)入標(biāo)示性的數(shù)據(jù)為例。例如，向存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)寫(xiě)入“55”或“ΑΑ”的信息。還可以以其他形式對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一標(biāo)識(shí)，只要可以在后續(xù)步驟S7中獲取所述第一標(biāo)識(shí)即可。執(zhí)行步驟S3，如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果小于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ) 器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)。具體地，如果存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的第一讀出電流小于所述第一讀出電流閾值，則對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行第二標(biāo)識(shí)，所述第二標(biāo)識(shí)用于表明存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的測(cè)試結(jié)果(小于第一讀出電流閾值)。例如，所述存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的第一讀出電流為14. 5 μ Α,小于所述17 μ A的第一讀出電流閾值，則在存儲(chǔ)器中進(jìn)行第二標(biāo)識(shí)。本實(shí)施例第二標(biāo)識(shí)以不在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)為例。本發(fā)明對(duì)第二標(biāo)識(shí)的形式不做限制，只要所述第二標(biāo)識(shí)與第一標(biāo)識(shí)有所不同，在后續(xù)步驟S7中可以對(duì)第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)進(jìn)行區(qū)分即可。至此完成了對(duì)存儲(chǔ)器的第一測(cè)試過(guò)程，本發(fā)明對(duì)存儲(chǔ)器完成第一測(cè)試之后，并不像現(xiàn)有技術(shù)一樣對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行任何的排除(判為差品)，而是對(duì)存儲(chǔ)器第一測(cè)試的不同結(jié)果進(jìn)行標(biāo)識(shí)，以備后續(xù)結(jié)合第二測(cè)試的結(jié)果對(duì)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力進(jìn)行分析。執(zhí)行步驟S4，對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理。所述老化處理是為了模擬存儲(chǔ)器進(jìn)行長(zhǎng)期使用的過(guò)程，具體地，本實(shí)施例所述對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理的步驟包括使存儲(chǔ)器在250°C的溫度條件下持續(xù)72小時(shí)，用這樣的方式模擬存儲(chǔ)器在25V (室溫)的條件下使用10年的情況。但是本實(shí)施例對(duì)老化處理的條件不做限制。執(zhí)行步驟S5，對(duì)經(jīng)過(guò)老化處理的存儲(chǔ)器進(jìn)行第二測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)低于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)。此處對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行的第二測(cè)試指的是對(duì)老化處理后的存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出操作，對(duì)老化處理后的存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的“ I ”數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的讀出電流是否符合規(guī)格進(jìn)行判斷。由于在步驟SI中已經(jīng)在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入了“I”的數(shù)據(jù)，本步驟中只要對(duì)老化處理后的存儲(chǔ)器中“I”數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出，獲得讀出電流即可，此次獲得的讀出電流即為第二測(cè)試結(jié)果O所述判斷存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)的步驟中，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)指的是第二讀出電流閾值。本發(fā)明所述第二讀出電流閾值與現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法中第二測(cè)試的讀出電流閾值(現(xiàn)有技術(shù)中第一測(cè)試和第二測(cè)試中的讀出電流閾值相同)相同。例如，現(xiàn)有技術(shù)中讀出電流閾值為15 μ A，而本發(fā)明第二測(cè)試中第二讀出電流閾值為15 μ Α。
需要說(shuō)明的是，本發(fā)明對(duì)第一判斷標(biāo)準(zhǔn)、第二判斷標(biāo)準(zhǔn)與現(xiàn)有技術(shù)第一測(cè)試第二測(cè)試中的判斷標(biāo)準(zhǔn)之間的關(guān)系不做限制，對(duì)于本發(fā)明而言，第一判斷標(biāo)準(zhǔn)大于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)即可，即在本實(shí)施例中，所述第一讀出電流閾值大于所述第二讀出電流閾值。執(zhí)行步驟S6，如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述存儲(chǔ)器為良品。如果存儲(chǔ)器在第二測(cè)試中，讀出電流仍然大于第二讀出電流閾值，說(shuō)明存儲(chǔ)器第一測(cè)試和第二測(cè)試中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)“I”的讀出電流均比較大，因此所述存儲(chǔ)器具有較好的數(shù)據(jù)保持力，以數(shù)據(jù)保持力的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)所述存儲(chǔ)器為良品。例如存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的讀出電流為18 μ A (大于17 μ Α)，在第二測(cè)試中的讀出電流為16 μ A (大于15 μ Α)，該存儲(chǔ)器在第一測(cè)試和第二測(cè)試中讀出電流的差距僅為2 μ Α,所述存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)老化處理之后數(shù)據(jù)變化不大，具有良好的數(shù)據(jù)保持力。執(zhí)行步驟S7，如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果小于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型，如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為差品；如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的是第二標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為良品。
·
在存儲(chǔ)器第二測(cè)試中獲得的讀出電流小于第二電流閾值時(shí)，判斷存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型。此處所述標(biāo)識(shí)類(lèi)型包括第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)，判斷存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型的步驟為判斷所述標(biāo)識(shí)為第一標(biāo)識(shí)還是第二標(biāo)識(shí)的過(guò)程。具體地，如果所述存儲(chǔ)器上設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，表示該存儲(chǔ)器在第一測(cè)試時(shí)獲得的讀出電流是大于第一電流閾值的，而在第二測(cè)試中該存儲(chǔ)器的讀出電流小于第二電流閾值，由于第一電流閾值大于第二電流閾值，表示所述存儲(chǔ)器在老化處理前和老化處理后的讀出電流變化量大于第一電流閾值和第二電流閾值的差，也就是說(shuō)，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的“ I”數(shù)據(jù)已經(jīng)發(fā)生較大的改變，以數(shù)據(jù)保持力特性來(lái)判斷所述存儲(chǔ)器不符合要求，為差品。例如存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的讀出電流為18 μ A (大于17 μ Α)，在第二測(cè)試中的讀出電流為
14μ A (小于15 μ Α)，該存儲(chǔ)器在第一測(cè)試和第二測(cè)試中讀出電流的差距為4 μ Α，所述存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)老化處理之后數(shù)據(jù)變化較大，具有較差的數(shù)據(jù)保持力。相反地，如果所述存儲(chǔ)器上設(shè)置的是第二標(biāo)識(shí)，說(shuō)明該存儲(chǔ)器在第一測(cè)試時(shí)的讀出電流小于第一電流閾值，在第二測(cè)試時(shí)的讀出電流小于第二電流閾值，說(shuō)明所述存儲(chǔ)器的兩次測(cè)試的讀出電流不大，所述存儲(chǔ)器只是具有較低的飽和電流。因此以數(shù)據(jù)保持力特性來(lái)判斷所述存儲(chǔ)器為良品，可以在其他的可靠性測(cè)試中對(duì)存儲(chǔ)器的飽和電流是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格再進(jìn)行測(cè)試。例如存儲(chǔ)器在第一測(cè)試中的讀出電流為16μΑ(小于17μΑ)，在第二測(cè)試中的讀出電流為14 μ A (小于15 μ Α)，該存儲(chǔ)器在第一測(cè)試和第二測(cè)試中讀出電流的差距為2 μ Α,所述存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)老化處理之后數(shù)據(jù)變化不大，數(shù)據(jù)保持力符合設(shè)計(jì)規(guī)格。需要說(shuō)明的是，如果第一讀出電流閾值與第二讀出電流閾值之間相差過(guò)大，會(huì)造成對(duì)數(shù)據(jù)保持力的要求過(guò)低，而無(wú)法判斷出數(shù)據(jù)保持力較差的差品；如果第一讀出電流閾值與第二讀出電流閾值之間的差別過(guò)小，則仍難以分辨數(shù)據(jù)保持力較差的產(chǎn)品和具有較低飽和電流產(chǎn)品。因此優(yōu)選地，所述第一讀出電流閾值與第二讀出電流閾值的比值位于I. f I. 2的范圍內(nèi)。例如，所述第一讀出電流閾值為17 μ A，所述第二讀出電流閾值為
15μ A。本實(shí)施例中，由于在步驟S2中，以在存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)寫(xiě)入標(biāo)示性的數(shù)據(jù)作為第一標(biāo)識(shí)，以不在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)作為第二標(biāo)識(shí)，因此，相應(yīng)地，本步驟所述判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型的步驟包括從存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)讀出數(shù)據(jù)，判斷是否能讀到所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)。例如，從存儲(chǔ)器相應(yīng)扇區(qū)內(nèi)如果讀出“55”或“AA”，則表示所述存儲(chǔ)器設(shè)置的為第一標(biāo)識(shí)，如果未從相應(yīng)扇區(qū)中讀出“55”或“AA”，則表示所述存儲(chǔ)器設(shè)置的為第二標(biāo)識(shí)，從而完成了存儲(chǔ)器中標(biāo)識(shí)類(lèi)型的判斷。本發(fā)明對(duì)第一標(biāo)識(shí)、第二標(biāo)識(shí)的形式不做限制，相應(yīng)地，對(duì)如何執(zhí)行判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型的步驟也不做限制，所述判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型以能分辨所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)為準(zhǔn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行相應(yīng)地修改、變形和替換。需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例中，第一判斷標(biāo)準(zhǔn)和第二判斷標(biāo)準(zhǔn)以存儲(chǔ)器的讀出電流為例進(jìn)行說(shuō)明的，但是本發(fā)明對(duì)此不作限制，在其他實(shí)施例中所述判斷標(biāo)準(zhǔn)還可以是電壓表示存儲(chǔ)器的讀出信息，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行相應(yīng)地修改、變形和替換。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本 發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，包括 對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)； 如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)； 如果存儲(chǔ)器的第一測(cè)試結(jié)果小于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)； 對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理； 對(duì)經(jīng)過(guò)老化處理的存儲(chǔ)器進(jìn)行第二測(cè)試，判斷存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)低于所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)； 如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果大于或等于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，則所述存儲(chǔ)器為良品； 如果存儲(chǔ)器的第二測(cè)試結(jié)果小于所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型，如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為差品；如果所述存儲(chǔ)器設(shè)置的第二標(biāo)識(shí)，則所述存儲(chǔ)器為良品。
2.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試的步驟包括向存儲(chǔ)器中寫(xiě)入“I”數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)器中“I”數(shù)據(jù)進(jìn)行讀出，獲得讀出電流，所述讀出電流為第一測(cè)試結(jié)果。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述第一判斷標(biāo)準(zhǔn)為第一讀出電流閾值，所述第二判斷標(biāo)準(zhǔn)為第二讀出電流閾值，所述第一讀出電流閾值大于所述第二讀出電流閾值。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述第一讀出電流閾值與第二讀出電流閾值的比值位于I. Π. 2的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述第一讀出電流閾值為17 μ A，所述第二讀出電流閾值為15 μ Α。
6.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)的步驟包括在存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)寫(xiě)入標(biāo)示性的數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)的步驟包括不在存儲(chǔ)器中寫(xiě)入所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述判斷所述存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型的步驟包括從存儲(chǔ)器的扇區(qū)內(nèi)讀出數(shù)據(jù)，判斷是否能讀到所述標(biāo)示性的數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為非易失存儲(chǔ)器。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為閃存。
11.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，其特征在于，所述對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理的步驟包括使存儲(chǔ)器在250°C的溫度條件下持續(xù)72小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的可靠性測(cè)試方法，包括對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一測(cè)試，判斷第一測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；如果第一測(cè)試結(jié)果大于或等于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)置第一標(biāo)識(shí)；如果第一測(cè)試結(jié)果小于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)置第二標(biāo)識(shí)；對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行老化處理；對(duì)經(jīng)過(guò)老化處理的存儲(chǔ)器進(jìn)行第二測(cè)試，判斷第二測(cè)試結(jié)果是否大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，第二判斷標(biāo)準(zhǔn)低于第一判斷標(biāo)準(zhǔn)；如果第二測(cè)試結(jié)果大于或等于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，則存儲(chǔ)器為良品；如果第二測(cè)試結(jié)果小于第二判斷標(biāo)準(zhǔn)，判斷存儲(chǔ)器的標(biāo)識(shí)類(lèi)型，如果存儲(chǔ)器設(shè)置的是第一標(biāo)識(shí)，則存儲(chǔ)器為差品；如果存儲(chǔ)器設(shè)置的第二標(biāo)識(shí)，則存儲(chǔ)器為良品。本發(fā)明對(duì)數(shù)據(jù)保持力的判斷具有較高的準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)G11C29/56GK102903395SQ201210403218
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者錢(qián)亮 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司