專利名稱：用于磁數(shù)據(jù)記錄的磁介質(zhì)及磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁數(shù)據(jù)記錄，更具體地，涉及具有石墨碳層作為保護(hù)層以改善對(duì)物理?yè)p傷和腐蝕的防護(hù)的磁介質(zhì)。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵部件是被稱作磁盤驅(qū)動(dòng)器的組件。磁盤驅(qū)動(dòng)器包括旋轉(zhuǎn)的磁盤、被懸臂懸掛得鄰近旋轉(zhuǎn)磁盤的表面的讀頭和寫頭以及擺動(dòng)懸臂以將讀頭和寫頭置于旋轉(zhuǎn)盤上的選定圓形道上方的致動(dòng)器。讀頭和寫頭直接定位于具有氣墊面(ABS)的滑塊上。當(dāng)滑塊騎在氣墊面上時(shí)，讀頭和寫頭用于將磁痕跡寫入到旋轉(zhuǎn)盤以及從旋轉(zhuǎn)盤讀取磁痕跡。讀頭和寫頭連接到根據(jù)計(jì)算機(jī)程序操作的處理電路以實(shí)現(xiàn)讀寫功能。極大影響磁記錄系統(tǒng)的性能的一個(gè)參數(shù)是讀頭和寫頭與介質(zhì)的磁記錄層之間的磁間隔。然而，為了保證磁記錄系統(tǒng)具有長(zhǎng)的可靠的壽命，磁記錄層必須被保護(hù)免受腐蝕和損傷，諸如免于接觸磁頭或滑塊。為了防止這樣的腐蝕或損傷，磁頭已經(jīng)提供有保護(hù)涂層。盡管這些層能夠提供一些保護(hù)免受損傷和腐蝕，但是它們的厚度增大了磁間隔，這降低了性能。此外，這些層已經(jīng)由在高溫改變它們的狀態(tài)從而可能受到損壞的材料構(gòu)造。因此，仍然需要即使在高溫暴露也能夠提供對(duì)記錄層的強(qiáng)保護(hù)、也能最小化磁間隔的磁介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于磁數(shù)據(jù)記錄的磁介質(zhì)，包括多個(gè)磁晶粒以及形成在多個(gè)磁晶粒的每個(gè)上的多個(gè)石墨碳層。石墨碳層可以是石墨烯的層，并可以形成為覆蓋或部分包圍各個(gè)磁晶粒的富勒烯。晶?？梢詥为?dú)包圍在石墨碳層中，或者幾個(gè)晶?？梢员话鼑趩谓M的石墨碳層中。各個(gè)晶?？梢詢H通過(guò)石墨碳層彼此分離或者能夠通過(guò)非磁隔離物(segregant)彼此分離。石墨碳層可以是用于磁晶粒的唯一保護(hù)層，或者一個(gè)或兩個(gè)額外的保護(hù)層可以涂覆在石墨碳層上。然而，如果提供這樣的額外保護(hù)層，則由石墨碳提供的保護(hù)允許保護(hù)層的厚度極大地減小。石墨層可以以類似于洋蔥皮的方式形成在各個(gè)磁晶粒上。這些石墨層的存在極大地改善了對(duì)于腐蝕以及對(duì)于物理磨損的防護(hù)，還有利地提供了盤驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的磁頭與磁晶粒之間的減小的磁間隔。這提供了顯著增強(qiáng)的磁性能和可靠性。本發(fā)明的這些和其他的特征以及優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)結(jié)合附圖來(lái)閱讀以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述而變得顯然。


為了更全面的理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用的優(yōu)選方式，應(yīng)當(dāng)參照以下結(jié)合附圖來(lái)閱讀的詳細(xì)描述，附圖沒(méi)有按比例。圖1是其中可以實(shí)施本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的示意圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁介質(zhì)的一部分的放大截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明備選實(shí)施例的磁介質(zhì)的類似于圖2的視圖；圖11是具有石墨層的介質(zhì)與不具有這樣的石墨層的介質(zhì)的X光電子能譜的曲線圖；及圖12是對(duì)于具有石墨層的介質(zhì)與不具有這樣的石墨層的介質(zhì)的潤(rùn)滑劑厚度和結(jié)合百分率隨時(shí)間的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下描述是關(guān)于目前構(gòu)思的實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施例。該描述是為了說(shuō)明本發(fā)明的一般原理的目的而進(jìn)行說(shuō)明且并不意在限制這里要求保護(hù)的發(fā)明構(gòu)思。現(xiàn)在參照?qǐng)D1，示出體現(xiàn)本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器100。如圖1所示，至少一個(gè)可旋轉(zhuǎn)磁盤112被支承在主軸114上并被盤驅(qū)動(dòng)器電機(jī)118旋轉(zhuǎn)。每個(gè)盤上的磁記錄為磁盤112上的同心數(shù)據(jù)道(未示出)的環(huán)形圖案的形式。至少一個(gè)滑塊113位于磁盤112附近，每個(gè)滑塊113支承一個(gè)或多個(gè)磁頭組件121。當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊11 3在盤表面122上方徑向進(jìn)出地移動(dòng)，使得磁頭組件121能夠訪問(wèn)磁盤的寫有期望數(shù)據(jù)的不同道。每個(gè)滑塊11 3通過(guò)懸架115附接到致動(dòng)器臂119。懸架115提供使滑塊113偏置靠向盤表面122的輕微彈力。每個(gè)致動(dòng)器臂119附接到致動(dòng)器機(jī)構(gòu)127。如圖1所示的致動(dòng)器機(jī)構(gòu)127可以是音圈電機(jī)(VCM)。VCM包括在固定磁場(chǎng)內(nèi)可移動(dòng)的線圈，線圈移動(dòng)的方向和速度通過(guò)由控制器129提供的電機(jī)電流信號(hào)來(lái)控制。在盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作期間，磁盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113與盤表面122之間產(chǎn)生氣墊，其對(duì)滑塊施加向上的力或升力。因此氣墊平衡(counter-balance)懸架115的輕微彈力并在正常操作期間以小的基本恒定的間隔將滑塊113支承為離開(kāi)盤表面且略微在盤表面上方。盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)部件在操作中被由控制單元129產(chǎn)生的控制信號(hào)來(lái)控制，諸如訪問(wèn)控制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)和微處理器?？刂茊卧?29產(chǎn)生控制信號(hào)以控制各系統(tǒng)操作，諸如線123上的驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制信號(hào)以及線128上的頭定位和尋址控制信號(hào)。線128上的控制信號(hào)提供期望的電流分布(profile)以將滑塊113優(yōu)化地移動(dòng)并定位到盤112上的期望數(shù)據(jù)道。讀和寫信號(hào)通過(guò)記錄通道125被傳遞到讀頭和寫頭121以及從讀頭和寫頭121傳遞。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁介質(zhì)202的放大截面圖。介質(zhì)包括基板204?；蹇梢杂刹ＡЩ騍i盤形成并可以包括熱沉層(未示出)?？棙?gòu)層206可以形成在基板204上?？棙?gòu)層206可以是多層諸如NiTa/Cr/MgO、NiTa/MgO，盡管還可以使用不同的材料諸如Pt、TiN 或 TiC、RuAl。磁寫層208形成在織構(gòu)層206上。寫層208包括具有高矯頑力并具有磁各向異性的磁材料構(gòu)成的各個(gè)晶粒210，從而它們能夠沿基本垂直于層204、206、208的平面的方向上被磁化并能夠隨時(shí)間推移而保持沿該方向磁化而即使在升高的溫度下也不被退磁。為此目的，各個(gè)晶粒210可由諸如FePt-X的材料構(gòu)成，其中X為Ag、Si0x、0、N、Au、Cu或Pd。在織構(gòu)層206與寫層208的晶粒210之間，可以有薄的FePt籽層205，其幫助FePt-X晶粒以正確的晶向分離。磁晶粒210被非常薄的石墨碳層212覆蓋并保護(hù)。碳可以采取不同的形式，諸如石墨、石墨烯(其是單個(gè)的石墨單原子層)、納米管(卷成圓筒形狀的石墨片)以及富勒烯(卷成成封閉形狀諸如球的石墨片)。富勒烯可以是多層的，具有類似于形成為幾個(gè)同心球形外殼的洋蔥皮的形式。納米管和富勒烯可以包裹納米材料，諸如將納米晶體包圍在里面的富勒烯籠(像豆莢中的豌豆)。石墨烯、納米管和富勒烯可以通過(guò)催化或其他類型的物理-化學(xué)工藝在金屬性納米材料的表面制造(例如，富勒烯可以利用其內(nèi)部的納米晶體合成，或者可以在金屬籽晶的周圍或之上生長(zhǎng))。石墨層212是形成為洋蔥狀外殼的富勒烯，其提供良好的抗磨損和抗腐蝕性以用于保護(hù)磁晶粒210。此外，如將示出的，石墨層212非常兼容于目前在磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)中的磁介質(zhì)上使用的潤(rùn)滑劑，如將在下面更詳細(xì)地討論的。腐蝕產(chǎn)物的生長(zhǎng)和高粗糙性是硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁介質(zhì)的表面上遇到的典型問(wèn)題。對(duì)氧化的防護(hù)以及在磁介質(zhì)上實(shí)現(xiàn)并保持平坦的表面目前是通過(guò)用類金剛石碳的薄(通常小于35埃)膜覆蓋介質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，其已經(jīng)被稱作碳涂層。該方案的缺點(diǎn)是碳涂層增加了頭中的磁傳感器與磁介質(zhì)的磁記錄層之間的磁間隔，導(dǎo)致性能的損失(特別是在較低的寫場(chǎng)和讀回信號(hào)的情況下)。此外，磁介質(zhì)的磁記錄層和碳涂層通常以不同的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)相繼地沉積在盤上。例如，磁層首先通過(guò)反應(yīng)磁控濺射生長(zhǎng)為多層，然后碳涂層通過(guò)離子束沉積來(lái)沉積。這要求將盤從一個(gè)沉積設(shè)備移動(dòng)到另一個(gè)，這要求額外的時(shí)間和制造成本。實(shí)際上，介質(zhì)和碳涂層沉積要求幾個(gè)單獨(dú)的沉積站，導(dǎo)致低的盤制造生產(chǎn)量。本發(fā)明克服了所有這些限制和挑戰(zhàn)。本發(fā)明利用了在基于FePt-C的熱輔助記錄(TAR)介質(zhì)的沉積期間的高溫和碳原子隔離物(segregant)的存在來(lái)形成碳涂層。在高溫，碳隔離物形成如以上參照?qǐng)D2描述的洋蔥狀石墨結(jié)構(gòu)212，其包裹磁晶粒210并因而用作保護(hù)涂層。具有洋蔥狀石墨涂層212的基于FePt-C的TAR介質(zhì)可以有利地在一單個(gè)步驟中制造，或者可以具有幾個(gè)額外的步驟。磁晶粒210和石墨保護(hù)層212能夠在單步工藝中形成，或者可以在使用高度兼容或相同的材料和沉積方法的多步工藝中形成。洋蔥狀石墨保護(hù)涂層提供對(duì)腐蝕的防護(hù)。在FePt基磁晶粒210上的FeOx的形成會(huì)導(dǎo)致盤驅(qū)動(dòng)器故障，諸如頭碰撞和不可逆的盤損傷。洋蔥狀碳層212的穩(wěn)定抗腐蝕層有助防止在盤表面上的鐵氧化物FeOx的生長(zhǎng)。洋蔥狀碳保護(hù)涂層212還提供了表面鈍化。介質(zhì)表面通過(guò)在空氣-表面界面處建立穩(wěn)定的石墨保護(hù)層而表現(xiàn)為化學(xué)穩(wěn)定(對(duì)氣體和污染物的低化學(xué)反應(yīng)性)。然而，該層仍能夠提供潤(rùn)滑劑層的吸收。洋蔥狀保護(hù)層還提供了熱穩(wěn)定性。在熱輔助記錄期間，具有500-600攝氏度或更高(取決于介質(zhì)的居里溫度和記錄物理)的峰值溫度的熱脈沖被施加納秒數(shù)量級(jí)的時(shí)間段，這由沿道的位長(zhǎng)度和盤旋轉(zhuǎn)的線性速度確定。盡管溫度瞬態(tài)的持續(xù)時(shí)間非常短并且當(dāng)貫穿盤驅(qū)動(dòng)器件的預(yù)期壽命來(lái)計(jì)算時(shí)每個(gè)位可能暴露于這些瞬態(tài)總共幾秒，但暴露到高溫會(huì)退化碳涂層并增加過(guò)早驅(qū)動(dòng)器故障的可能性。所提出的洋蔥狀石墨涂層的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)通過(guò)碳自身的微結(jié)構(gòu)給出，其不同于目前在產(chǎn)品中使用的通常的無(wú)定形碳變體或類金剛石碳。對(duì)于所有的碳同素異形體石墨是熱力學(xué)的基態(tài)。這表示隨著時(shí)間的推移，特別當(dāng)材料暴露到升高的溫度時(shí)，石墨碳的微機(jī)構(gòu)將不改變，與將經(jīng)受石墨化(石墨化是它們的sp3結(jié)合的碳轉(zhuǎn)變?yōu)閟p2結(jié)合的碳)的無(wú)定形類金剛石碳相反。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，高于200-300攝氏度的熱處理能夠?qū)㈩惤饎偸嫁D(zhuǎn)變成石墨碳[Robertson, Mat Sci Eng R 37, 129-181 (2002) ] 0如果材料開(kāi)始就是石墨的，那么熱瞬態(tài)將對(duì)石墨碳的微機(jī)構(gòu)有很小的影響至沒(méi)有影響。因此，對(duì)于熱輔助記錄，所提出的洋蔥狀保護(hù)層比通常的碳涂層更堅(jiān)固，因而有助于防止過(guò)早的盤驅(qū)動(dòng)器故障。圖2示出一實(shí)施例，其中石墨外殼212是磁晶粒210與環(huán)境之間的唯一保護(hù)。由于這些層212能夠制作得非常薄(每個(gè)層是石墨烯的單原子層)，磁晶粒210與磁頭121 (圖1)之間的間隔非常小。由于磁場(chǎng)(來(lái)自介質(zhì)或由寫頭產(chǎn)生)的強(qiáng)度隨距離指數(shù)地減小，所以該減小的間隔極大地提高了磁記錄系統(tǒng)的性能。現(xiàn)在參照?qǐng)D3，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，額外的保護(hù)層諸如碳涂層302可以提供在洋蔥狀層212上。該層302可以是無(wú)定形的類金剛石碳或無(wú)定形碳。層302提供額外的熱保護(hù)、良好的摩擦性能、額外的抗腐蝕保護(hù)和平坦化。盡管層302與圖2的實(shí)施例相比導(dǎo)致額外的磁間隔，但是洋蔥狀石墨層212的存在允許層302構(gòu)造得比沒(méi)有層212時(shí)要薄得多。參照?qǐng)D4，在另一實(shí)施例中，可以提供額外的兩層保護(hù)涂層402、404。第一層可以是碳涂層402諸如無(wú)定形類金剛石碳或無(wú)定形碳，第二層404可以是材料諸如SiN、SiC、TiSiN、TiSiC、ZrN、ZrO2或ZrB2。第一底層402能夠提供額外的抗腐蝕保護(hù)和平坦化。上層404提供熱保護(hù)和良好的摩 擦性能。圖2-圖4示出每個(gè)磁晶粒210被包圍在洋蔥狀石墨層212中的實(shí)施例。然而，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，如圖5所示，多個(gè)磁晶粒502可以被包圍在洋蔥狀石墨碳504內(nèi)。此外，這些晶粒502可以通過(guò)非磁隔尚材料506彼此分開(kāi)，非磁隔尚材料506可以是氧化物、碳化物或氮化物諸如C、SiO2^TiO2, TaOx, SiC、SiN、TiC、TiN、BN、它們的混合物或一些類似的材料。此外，該多晶粒結(jié)構(gòu)可提供有額外的保護(hù)層，諸如圖6所示的碳涂層602，或者提供有如圖7所示的兩個(gè)額外的保護(hù)層諸如碳涂層702和SiN、SiC、TiSiN、TiSiC、ZrN、ZrO2或ZrB2的保護(hù)層704。圖8示出另一實(shí)施例，其中各個(gè)磁晶粒802通過(guò)非磁隔離材料804彼此分離。石墨碳層806可以形成在晶粒802上，如圖8所不。在形成晶粒802和隔尚物804之后，這些層806可以通過(guò)隨后在晶粒802頂上的高溫碳沉積而形成，導(dǎo)致通過(guò)催化作用形成類石墨烯碳。類石墨烯層的額外層806使表面平坦化并有助于對(duì)腐蝕的防護(hù)?？蛇x地，一層碳涂層902可應(yīng)用于圖8的結(jié)構(gòu)，得到圖9所示的結(jié)構(gòu)。此外，第二保護(hù)層1002諸如SiNx、SiC、TiSiN、ZrN、ZrOx, ZrB2等可以施加在碳涂層902上，形成如圖10所示的結(jié)構(gòu)。
具有被洋蔥狀的石墨碳層覆蓋的磁晶粒的磁介質(zhì)提供了對(duì)腐蝕和磨損的良好防護(hù)。圖11示出具有洋蔥狀石墨保護(hù)層的磁介質(zhì)與沒(méi)有這樣的層的介質(zhì)相比的X射線光電子譜(XPS)的結(jié)果。在圖11中，線1102示出具有洋蔥狀石墨層的介質(zhì)的結(jié)果，而線1104示出對(duì)于沒(méi)有這樣的層的介質(zhì)的結(jié)果?？梢钥吹?，在具有隔離的包裹在碳層中的晶粒的FePtAgC膜的Fe 2p3/2譜中，F(xiàn)e以其原始金屬化學(xué)態(tài)存在，而在沒(méi)有保護(hù)碳層的FePt織構(gòu)的連續(xù)膜的情形，F(xiàn)e部分地被氧化為自然表面氧化物。此外，洋蔥狀石墨層提供與目前使用的潤(rùn)滑劑的良好兼容性，如參照?qǐng)D12所示。在圖12中，附圖中示出為方形的數(shù)據(jù)點(diǎn)表示用于具有期望的洋蔥狀石墨層的介質(zhì)的數(shù)據(jù)點(diǎn)，而示出為圓形的數(shù)據(jù)點(diǎn)表示用于沒(méi)有這樣的保護(hù)層的介質(zhì)的數(shù)據(jù)。圖12顯示具有石墨層的介質(zhì)可與目前在磁盤驅(qū)動(dòng)器中使用的常規(guī)潤(rùn)滑劑(ZTMD)兼容。所有被潤(rùn)滑的盤表現(xiàn)相對(duì)低的表面能，在30mN/m附近，其可與當(dāng)前的盤產(chǎn)品相比。低的表面能是減小對(duì)污染物的吸引的要求。同時(shí)，盤的表面是有足夠反應(yīng)性的以使得潤(rùn)滑劑被有效地結(jié)合。ZTMD非常好地附著到所有的膜，所測(cè)量的結(jié)合百分率在一個(gè)星期之后在95%以上。盡管以上描述了幾個(gè)實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，它們僅通過(guò)示例的方式給出而不進(jìn)行限制。落在本發(fā)明范圍內(nèi)的其他實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員也會(huì)變得明顯。因此，本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)被以上描述的任何示范性實(shí)施例限制，而是應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)權(quán)利要求書(shū)及其等同物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種用于磁數(shù)據(jù)記錄的磁介質(zhì)，包括: 多個(gè)磁晶粒； 多個(gè)石墨碳層，形成在所述多個(gè)磁晶粒的每個(gè)上。
2.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)石墨碳層的每個(gè)是碳的單原子層。
3.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)石墨碳層的每個(gè)是石墨烯層。
4.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述石墨碳層為富勒烯。
5.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)石墨碳層部分地包圍所述多個(gè)磁晶粒的每個(gè)。
6.按權(quán)利要求5所述的磁介質(zhì)，其中所述石墨碳層將所述磁晶粒彼此分離。
7.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述磁晶粒通過(guò)非磁隔離材料彼此分離。
8.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)磁晶粒中的至少一部分共同地被單組的石墨碳層覆蓋。
9.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)石墨碳層是保護(hù)所述磁晶粒的唯一保護(hù)層，沒(méi)有形成在其上的其他保護(hù)層。
10.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，還包括形成在所述多個(gè)石墨烯層上的非磁保護(hù)涂層。
11.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，還包括形成在所述多個(gè)石墨碳層上的第一和第二保護(hù)層。
12.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，還包括形成在所述多個(gè)石墨碳層上的類金剛石碳或無(wú)定形碳的層。
13.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，還包括形成在所述多個(gè)石墨碳層上的第一和第二層，所述第一層包括類金剛石碳或無(wú)定形碳，所述第二層包括SiNx、SiC、TiSiN、ZrN, ZrOx或ZrB2O
14.按權(quán)利要求1所述的磁介質(zhì)，其中所述多個(gè)石墨碳層像洋蔥上的洋蔥皮一樣形成在彼此上。
15.一種磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，包括: 殼體； 磁介質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)地安裝在所述殼體內(nèi)； 致動(dòng)器；以及 磁頭，與所述致動(dòng)器連接以鄰近所述磁介質(zhì)的表面移動(dòng)； 所述磁介質(zhì)還包括: 多個(gè)磁晶粒； 多個(gè)石墨碳層，形成在所述多個(gè)磁晶粒的每個(gè)上。
16.按權(quán)利要求15所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述多個(gè)石墨碳層的每個(gè)是碳的單原子層。
17.按權(quán)利要求15所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述多個(gè)石墨碳層的每個(gè)是石墨烯層。
18.按權(quán)利要求15所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述多個(gè)石墨碳層的每個(gè)是富勒烯。
19.按權(quán)利要求15所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述多個(gè)石墨碳層部分地包圍所述多個(gè)磁晶粒的每個(gè)。
20.按權(quán)利要求15所述的磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，其中所述磁晶粒通過(guò)非磁隔離材料彼此分 離 。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于磁數(shù)據(jù)記錄的磁介質(zhì)及磁數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，該磁介質(zhì)具有被石墨碳的薄層保護(hù)的多個(gè)磁晶粒。石墨碳層以類似于洋蔥上的洋蔥皮的方式形成并能夠構(gòu)造為碳的各個(gè)原子層。石墨碳的薄層可以形成為石墨烯或富勒烯的層，其覆蓋或部分圍繞磁晶粒。石墨碳的層提供抵抗腐蝕和磨損的良好保護(hù)并極大地減小磁間隔用來(lái)改善磁性能。
文檔編號(hào)G11B5/72GK103093765SQ20121044138
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者O.莫森德茲, S.皮薩納, F.D.R.迪特羅斯, D.K.韋勒 申請(qǐng)人:Hgst荷蘭公司