一種高可靠性NAND Flash的讀取方法及其系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種高可靠性NAND?Flash的讀取方法及其系統(tǒng)，方法包括：在外圍電路中存儲(chǔ)N個(gè)放電時(shí)間，所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間，在外圍電路中分別存儲(chǔ)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，N為大于1的奇數(shù)；當(dāng)接到讀取命令時(shí),依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取頁，獲取N份讀取結(jié)果；依據(jù)所述讀取結(jié)果，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明采用多次讀取的方式，暫存每次讀取的結(jié)果進(jìn)行比較，配合ECC校驗(yàn)，可有效減少大規(guī)模讀取中錯(cuò)誤讀取的概率，提高讀取操作的準(zhǔn)確性。
【專利說明】—種高可靠性NAND Flash的讀取方法及其系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高可靠性NAND Flash的讀取方法及其系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]閃存(Flash Memory,閃速存儲(chǔ)器，簡稱閃存)是誕生于20世紀(jì)80年代末的一種新型存儲(chǔ)介質(zhì)。由于具有非易失、高速、高抗震、低功耗、小巧輕便等優(yōu)良特性，閃存近年來被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域的嵌入式系統(tǒng)和便攜式設(shè)備上，如手機(jī)、便攜式媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、傳感器，也用于航空航天等領(lǐng)域，如航空航天器等。
[0003]NAND Flash是一種可在線進(jìn)行電擦寫的非易失半導(dǎo)體閃存，具有擦寫速度快、低功耗、大容量、低成本等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用非常廣泛。近年來，隨著音樂播放器、移動(dòng)電話和存儲(chǔ)卡等市場的蓬勃發(fā)展，NAND Flash的出貨量節(jié)節(jié)攀升，半導(dǎo)體廠商通過縮小工藝尺寸和采用多值技術(shù)(MLC/TLC) JfNAND Flash的容量從幾百M(fèi)bit提升到幾個(gè)Gbit，但同時(shí)使得閾值電壓的容限(即編程態(tài)的最小電壓和擦除態(tài)的最大電壓之間的范圍)減小并且導(dǎo)致芯片的可靠性降低，因此，在現(xiàn)有工藝下，精確地調(diào)整NAND Flash的閾值電壓就顯得尤為重要。
[0004]以單值型的NAND Flash為例，傳統(tǒng)的單值型NAND Flash讀取機(jī)制如上圖1所示，其原理為:在編程態(tài)和擦除態(tài)的閾值電壓之間(即編程態(tài)的最小電壓和擦除態(tài)的最大電壓之間)選擇一個(gè)適當(dāng)?shù)姆D(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，進(jìn)行一次讀取，大于此翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)統(tǒng)一確定為編程態(tài)，小于此翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)統(tǒng)一確定為擦除態(tài)。
[0005]這種傳統(tǒng)的一次讀取方法存在一定缺陷。眾所周知，存儲(chǔ)單元的閾值分布本身存在非確定性，在經(jīng)過多次編程擦除操作后，閾值的分布范圍會(huì)進(jìn)一步偏離理想，例如，在采用浮置柵的NAND Flash中，存在由影響閾值電壓的元件的干擾效應(yīng)引起的閾值電壓的偏移現(xiàn)象，可能存在編程態(tài)和擦除態(tài)閾值窗口偏移的問題，例如存儲(chǔ)器電壓分布出現(xiàn)圖2(a)或圖2(b)所示的分布情況，甚至出現(xiàn)編程態(tài)和擦除態(tài)閾值窗口交疊的問題，例如存儲(chǔ)器電壓分布出現(xiàn)圖2(c)所示的分布情況。此時(shí)，若采用傳統(tǒng)的一次讀取方式，在經(jīng)過多次編程擦除操作后，會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤讀取的位數(shù)逐漸增加，在進(jìn)行大規(guī)模的頁讀取時(shí)，將很難直接得到最終正確的數(shù)據(jù)，造成讀取錯(cuò)誤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提出一種高可靠性NAND Flash的讀取方法及其系統(tǒng)，能夠有效降低出錯(cuò)位機(jī)率，提高讀取操作的準(zhǔn)確性，從而提高NAND Flash的可靠性。
[0007]為達(dá)此目的，本發(fā)明提出了一種高可靠性NAND Flash的讀取方法，在所述NANDFlash的外圍電路中存儲(chǔ)N個(gè)放電時(shí)間，所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間，在所述NAND Flash的外圍電路中分別存儲(chǔ)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，所述N為大于I的奇數(shù)；
[0008]當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí):[0009]給靈敏放大器的比較器施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NANDFlash頁，獲取N份讀取結(jié)果；
[0010]依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)位于某放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，將該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一，以及，
[0011]依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果；
[0012]對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0013]進(jìn)一步地，若該Nand Flash為ECC閃存，則所述依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果之后還包括對(duì)該NAND Flash頁的讀取結(jié)果進(jìn)行ECC校驗(yàn)。
[0014]進(jìn)一步地，所述依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)具體包括:在所述N份讀取結(jié)果中，依次對(duì)各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元中編程態(tài)次數(shù)大于擦除態(tài)次數(shù)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為擦除態(tài)，否則將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為編程態(tài)。
[0015]進(jìn)一步地，所述依次確定各存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間具體包括:從所述N份讀取結(jié)果中，依次獲取各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在某大小相鄰的兩放電時(shí)間的讀取結(jié)果中的存儲(chǔ)狀態(tài)不同，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為該相鄰兩放電時(shí)間形成的區(qū)間。
[0016]進(jìn)一步地，所述N為3。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的同一構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種高可靠性NAND Flash的讀取系統(tǒng)，在所述NAND Flash的外圍電路中存儲(chǔ)有N個(gè)放電時(shí)間，以及所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成的N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，所述N為大于I的奇數(shù)；
[0018]包括:
[0019]初步讀取模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，在靈敏放大器的比較器施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取N份讀取結(jié)果；
[0020]單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊,用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí),依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)位于某放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，將該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一，以及，
[0021]依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果；
[0022]數(shù)據(jù)調(diào)整模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，依據(jù)所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次
數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0023]進(jìn)一步地，還包括ECC校驗(yàn)?zāi)K，用于當(dāng)該Nand Flash為ECC閃存時(shí)，將單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊讀取的頁的讀取結(jié)果進(jìn)行ECC校驗(yàn)。
[0024]進(jìn)一步地，所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)具體包括:在所述N份讀取結(jié)果中，依次對(duì)各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元中編程態(tài)次數(shù)大于擦除態(tài)次數(shù)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為擦除態(tài)，否則將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為編程態(tài)。
[0025]進(jìn)一步地，所述依次確定各存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間具體包括:從所述N份讀取結(jié)果中，依次獲取各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在某大小相鄰的兩放電時(shí)間的讀取結(jié)果中的存儲(chǔ)狀態(tài)不同，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為該相鄰兩放電時(shí)間形成的區(qū)間。
[0026]進(jìn)一步地，所述N為3。
[0027]本發(fā)明提出了一種緩解存儲(chǔ)器閾值窗口交疊影響的讀取方法，在大規(guī)模的頁讀取中采用多次讀取的方式，暫存每次讀取的結(jié)果進(jìn)行比較，配合ECC校驗(yàn)，可有效減少大規(guī)模讀取中錯(cuò)誤讀取的概率，提高讀取操作的準(zhǔn)確性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)器讀取機(jī)制示意圖；
[0029]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)器電壓分布三種情況的示意圖；
[0030]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一所述高可靠NAND Flash的讀取方法流程圖；
[0031]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二所述高可靠NAND Flash的讀取系統(tǒng)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]本發(fā)明在所述NAND Flash的外圍電路中存儲(chǔ)N個(gè)放電時(shí)間，所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間，在所述NAND Flash的外圍電路中分別存儲(chǔ)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)。
[0033]其中N為大于I的奇數(shù)，例如，N可以為3、5或7等等。為奇數(shù)的目的是為了當(dāng)同一存儲(chǔ)單元cell放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，便于通過統(tǒng)計(jì)該單元的這些讀取結(jié)果中編程態(tài)的次數(shù)和擦除態(tài)的次數(shù)，取次數(shù)相對(duì)較多的存儲(chǔ)狀態(tài)作為該單元的最終存儲(chǔ)狀態(tài)。
[0034]以N為3為例，例如，外圍電路中存儲(chǔ)有3個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，分別為5 μ S，4 μ S，6 μ S，這三個(gè)電壓按從小到大的順序排列后形成的4個(gè)放電時(shí)間區(qū)間從小到大依次為:Τ〈4μ 8，4μ 8〈Τ〈5μ 8，5μ 8〈Τ〈6μ 8，Τ>6μ S，在外圍電路中分別存儲(chǔ)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)。每次讀取數(shù)據(jù)時(shí)，繼續(xù)對(duì)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，預(yù)先設(shè)定調(diào)整條件，依據(jù)所述統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)對(duì)所述3個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整，以備下次讀取時(shí)使用。
[0035]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來具體說明當(dāng)NAND Flash接到讀取命令時(shí),讀取NAND Flash頁的操作的方法和系統(tǒng)。
[0036]實(shí)施例一
[0037]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一所述高可靠NAND Flash的讀取方法流程圖，如圖3所示，當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí),在靈敏放大器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓,給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取N份讀取結(jié)果。以N=3為例，具體的讀取方法包括:
[0038]S301、當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第一放電時(shí)間時(shí)，讀取頁并保存讀取結(jié)果；
[0039]Nand Flash有多種結(jié)構(gòu)，以SLC型的NAND Flash為例，數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在存儲(chǔ)單元cell。SLC型的NAND Flash中，一個(gè)cell中只能存儲(chǔ)一個(gè)bit，這些cell以8個(gè)或者16個(gè)為單位組合,形成所謂的byte或word,這就是NAND Device的位寬,這些byte/word會(huì)再組成Page。例如三星的K9F1208U0M,每頁528Byte,每32個(gè)page頁形成一個(gè)Block塊,一個(gè)block塊為16kByte。正如硬盤的盤片被分為磁道,每個(gè)磁道又分為若干扇區(qū)，一塊Nand flash也分為若干塊,每個(gè)塊分為若干頁。一般而言,塊、頁之間的關(guān)系隨著芯片的不同而不同。
[0040]Nand flash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。
[0041]當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第一放電時(shí)間時(shí)，讀取所述NAND Flash頁，獲取讀取結(jié)果。
[0042]具體包括:當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第一放電時(shí)間時(shí)，依次比較各存儲(chǔ)單元電壓與翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的大小，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“0”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。
[0043]S302、當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第二放電時(shí)間時(shí)，讀取頁并保存讀取結(jié)果；
[0044]本步驟與上步操作相同，當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第二放電時(shí)間時(shí)，讀取所述NANDFlash頁，獲得讀取結(jié)果。
[0045]具體包括:當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第二放電時(shí)間時(shí)，依次比較各存儲(chǔ)單元電壓與翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的大小，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“0”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。
[0046]S303、當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第三放電時(shí)間時(shí)，讀取頁并保存讀取結(jié)果；
[0047]本步驟與上兩步操作均相同，通過在放電計(jì)時(shí)達(dá)到第三放電時(shí)間時(shí)，讀取所述NAND Flash頁，獲得讀取結(jié)果。
[0048]具體包括:當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第三放電時(shí)間時(shí)，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“0”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。[0049]S304、逐單元進(jìn)行比較，確定存儲(chǔ)內(nèi)容，確定放電時(shí)間區(qū)間，修改對(duì)應(yīng)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)；
[0050]依次獲取各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在某大小相鄰的兩放電時(shí)間的讀取結(jié)果中的存儲(chǔ)狀態(tài)不同，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為該相鄰兩放電時(shí)間形成的區(qū)間。
[0051]以該NAND Flash頁中八個(gè)存儲(chǔ)單元為例，例如，放電時(shí)間達(dá)到第一放電時(shí)間4μ s時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為10101101，放電時(shí)間達(dá)到第二放電時(shí)間4μ S時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為11101101，放電時(shí)間達(dá)到第三放電時(shí)間4μ s時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為11101111，則確定存儲(chǔ)內(nèi)容和確定放電時(shí)間區(qū)間結(jié)果如下:
[0052]第一位:三次讀取均為1，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為1，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間Τ〈4 μ s，將Τ〈4 μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一;
[0053]第二位:三次讀取依次為O, I, I,狀態(tài)為I的次數(shù)為2次,狀態(tài)為O的次數(shù)為I次，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為1，該存儲(chǔ)單元在相鄰的兩放電時(shí)間4 μ s和5 μ s的讀取結(jié)果中由O跳轉(zhuǎn)到1，則該存儲(chǔ)單元在放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)放電時(shí)間范圍位于該相鄰兩時(shí)間的區(qū)間之間，即該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間為4μ s〈T〈5y s，將4μ s〈T〈5y s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0054]第三位:與第一位分析相同，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，將Τ〈4μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0055]第四位:三次讀取均為0，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為0，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間Τ>6 μ s，將Τ>6 μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一;
[0056]第五位，第六位:與第一位分析相同，它們存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，分別將Τ〈4 μ S的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0057]第七位:三次讀取依次為0,0,1,狀態(tài)為O的次數(shù)為2次,狀態(tài)為I的次數(shù)為I次，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為0，該存儲(chǔ)單元在某相鄰的兩翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓5 μ 8和6 μ s的讀取結(jié)果中由O跳轉(zhuǎn)到1，則該存儲(chǔ)單元在放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)放電時(shí)間位于該相鄰兩電壓的區(qū)間之間，即該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間為5 μ s〈T〈6 μ S，將5 μ s〈T〈6 μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0058]第八位:與第一位分析相同，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，將Τ〈4μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一。
[0059]S305、對(duì)確定的存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行ECC校驗(yàn)；
[0060]依上步，該八個(gè)存儲(chǔ)單元確定的存儲(chǔ)結(jié)果為11101101，依照上述方法確定該頁全部存儲(chǔ)單兀的存儲(chǔ)結(jié)果。
[0061]若該Nand Flash為ECC閃存，則對(duì)上述存儲(chǔ)結(jié)果進(jìn)行ECC較驗(yàn)，獲取該頁的最終
存儲(chǔ)結(jié)果。
[0062]S306、判斷是否滿足預(yù)設(shè)的調(diào)整條件，若是則執(zhí)行步驟S307，否則結(jié)束；
[0063]獲取最終存儲(chǔ)結(jié)果之后，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，判斷是否滿足預(yù)設(shè)的調(diào)整條件，若是則執(zhí)行步驟S307，否則結(jié)束。
[0064]所述預(yù)設(shè)的調(diào)整條件為預(yù)先設(shè)定條件，目的是在該Nand Flash使用過程中進(jìn)行讀取自適應(yīng)，實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的自動(dòng)化調(diào)整。
[0065]具體為依據(jù)N個(gè)放電時(shí)間和N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)來設(shè)定，同時(shí)可以結(jié)合Nand Flash的特性來設(shè)定。
[0066]S307、對(duì)N個(gè)放電時(shí)間或統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整，結(jié)束。
[0067]例如，N為3時(shí)，三個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓從小到大依次為Tl，T2, T3,放電時(shí)間區(qū)間為:Τ〈Τ1, Τ1<Τ<Τ2, Τ2〈Τ〈Τ3, Τ>Τ3,可設(shè)定:當(dāng) T1〈T〈T2 的次數(shù)比 Τ2〈Τ〈Τ3 的次數(shù)大 30 時(shí)，Τ2+0.1 μ s ;當(dāng)Τ2〈Τ〈Τ3的次數(shù)比Τ1〈Τ〈Τ2的次數(shù)大30時(shí)，Τ2-0.1 μ s ;當(dāng)?ΧΤ1的次數(shù)除以Τ1<Τ<Τ2的次數(shù)大于500時(shí)，T1-0.2μ s ;當(dāng)ΤΧ3的次數(shù)除以Τ2〈Τ〈Τ3的次數(shù)大于500時(shí)，Τ3+0.2 u s ο
[0068]當(dāng)N為5時(shí)，與上述操作的不同之處在于，在步驟S303之后還包括，分別讀取當(dāng)放電時(shí)間達(dá)到第四或第五放電時(shí)間時(shí)的該頁的結(jié)果，并分別將讀取結(jié)果保存起來，在步驟S304中對(duì)5份讀取結(jié)果逐單元進(jìn)行比較，確定存儲(chǔ)狀態(tài)，確定放電時(shí)間區(qū)間，修改該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)。
[0069]依此類推，當(dāng)N為7、9等奇數(shù)時(shí)，方法相似，在此不作贅述。
[0070]實(shí)施例二
[0071]根據(jù)本發(fā)明的同一構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種高可靠NAND Flash的讀取系統(tǒng)，所述系統(tǒng)中，所述NAND Flash的外圍電路中存儲(chǔ)有N個(gè)放電時(shí)間，以及所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成的N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，所述N為大于I的奇數(shù)。
[0072]圖4是本實(shí)施例所述高可靠NAND Flash的讀取系統(tǒng)框圖，如圖4所示，本實(shí)施例所述的高可靠NAND Flash的讀取系統(tǒng)包括:
[0073]初步讀取模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，在靈敏放大器的比較器施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取N份讀取結(jié)果。
[0074]Nand Flash有多種結(jié)構(gòu)，以SLC型的NAND Flash為例，數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在存儲(chǔ)單元cell。SLC型的NAND Flash中，一個(gè)cell中只能存儲(chǔ)一個(gè)bit，這些cell以8個(gè)或者16個(gè)為單位組合,形成所謂的byte或word,這就是NAND Device的位寬,這些byte/word會(huì)再組成Page。例如三星的K9F1208U0M,每頁528Byte,每32個(gè)page頁形成一個(gè)Block塊,一個(gè)block塊為16kByte。正如硬盤的盤片被分為磁道,每個(gè)磁道又分為若干扇區(qū)，一塊Nand flash也分為若干塊,每個(gè)塊分為若干頁。一般而言,塊、頁之間的關(guān)系隨著芯片的不同而不同。
[0075]Nand flash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。
[0076]以N=3為例，NAND Flash的外圍電路中存儲(chǔ)有第一放電時(shí)間、第二放電時(shí)間和第二放電時(shí)間，本模塊功能為:
[0077]在放電計(jì)時(shí)依次達(dá)到第一放電時(shí)間、第二放電時(shí)間和第三放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取3份讀取結(jié)果。
[0078]具體為:當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第一放電時(shí)間時(shí)，依次比較各存儲(chǔ)單元電壓與翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的大小，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“O”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。
[0079]當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第二放電時(shí)間時(shí)，依次比較各存儲(chǔ)單元電壓與翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的大小，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“0”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。
[0080]當(dāng)放電計(jì)時(shí)達(dá)到第三放電時(shí)間時(shí)，依次比較各存儲(chǔ)單元電壓與翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的大小，將大于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為編程態(tài)，記為“0”，將小于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的存儲(chǔ)單元(cell)確定為擦除態(tài)，記為“I”。將該頁的讀取結(jié)果保存起來。
[0081 ] 再用相同方法，再依次將放電計(jì)時(shí)達(dá)到第二放電時(shí)間和第三放電時(shí)間時(shí)該頁內(nèi)容讀取并保存起來。
[0082]單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，依據(jù)所述初步讀取模塊獲取的N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和所處的放電時(shí)間區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元位于某放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，將該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一，以及，依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果；
[0083]依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和所處的放電時(shí)間區(qū)間具體包括:當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間；當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間；當(dāng)某存儲(chǔ)單元在某大小相鄰的兩放電時(shí)間的讀取結(jié)果中的存儲(chǔ)狀態(tài)不同，將該存儲(chǔ)單元電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為該相鄰兩放電時(shí)間形成的區(qū)間。
[0084]以該NAND Flash頁中八個(gè)存儲(chǔ)單元為例，例如，放電時(shí)間達(dá)到第一放電時(shí)間4μ s時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為10101101，放電時(shí)間達(dá)到第二放電時(shí)間4μ S時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為11101101，放電時(shí)間達(dá)到第三放電時(shí)間4μ s時(shí)讀取時(shí)結(jié)果為11101111，則確定存儲(chǔ)內(nèi)容和確定放電時(shí)間區(qū)間結(jié)果如下:
[0085]第一位:三次讀取均為1，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為1，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間Τ〈4 μ s，將Τ〈4 μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一;
[0086]第二位:三次讀取依次為O, I, I,狀態(tài)為I的次數(shù)為2次,狀態(tài)為O的次數(shù)為I次，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為1，該存儲(chǔ)單元在相鄰的兩放電時(shí)間4 μ s和5 μ s的讀取結(jié)果中由O跳轉(zhuǎn)到1，則該存儲(chǔ)單元在放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)放電時(shí)間范圍位于該相鄰兩時(shí)間的區(qū)間之間，即該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間為4μ s〈T〈5y s，將4μ s〈T〈5y s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0087]第三位:與第一位分析相同，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，將Τ〈4μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0088]第四位:三次讀取均為0，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為0，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間Τ>6 μ s，將Τ>6 μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一;
[0089]第五位，第六位:與第一位分析相同，它們存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，分別將Τ〈4μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0090]第七位:三次讀取依次為0,0,1,狀態(tài)為O的次數(shù)為2次,狀態(tài)為I的次數(shù)為I次，最終確定存儲(chǔ)狀態(tài)為O，該存儲(chǔ)單元在某相鄰的兩翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓5 μ 8和6 μ S的讀取結(jié)果中由O跳轉(zhuǎn)到1，則該存儲(chǔ)單元在放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)放電時(shí)間位于該相鄰兩電壓的區(qū)間之間，即該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間為5 μ s〈T〈6 μ S，將5 μ s〈T〈6 μ S的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一；
[0091]第八位:與第一位分析相同，該存儲(chǔ)單元的放電時(shí)間區(qū)間均為Τ〈4μ S，將Τ〈4μ s的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一。
[0092]依上述分析，該八個(gè)存儲(chǔ)單元確定的存儲(chǔ)結(jié)果為11101101，依照上述確定該頁全部存儲(chǔ)單兀的存儲(chǔ)結(jié)果。
[0093]ECC校驗(yàn)?zāi)K，用于當(dāng)該Nand Flash為ECC閃存時(shí)，將單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊讀取的頁的讀取結(jié)果進(jìn)行ECC校驗(yàn)。
[0094]若該Nand Flash為ECC閃存，則對(duì)上述存儲(chǔ)結(jié)果進(jìn)行ECC較驗(yàn)，獲取該頁的最終
存儲(chǔ)結(jié)果。
[0095]數(shù)據(jù)調(diào)整模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，依據(jù)所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0096]該模塊用于所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊獲取最終存儲(chǔ)結(jié)果之后，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)滿足預(yù)設(shè)的調(diào)整條件時(shí)，對(duì)該Nand Flash 進(jìn)行讀取自適應(yīng)，實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的自動(dòng)化調(diào)整。
[0097]所述預(yù)設(shè)的調(diào)整條件為預(yù)先設(shè)定條件，目的在該Nand Flash使用過程中進(jìn)行讀取自適應(yīng)，實(shí)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓的自動(dòng)化調(diào)整。
[0098]具體為依據(jù)N個(gè)放電時(shí)間和N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)來設(shè)定，同時(shí)可以結(jié)合Nand Flash的特性來設(shè)定。
[0099]例如，N為3時(shí)，三個(gè)翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓從小到大依次為Tl，T2, T3,放電時(shí)間區(qū)間為:Τ〈Τ1, Τ1<Τ<Τ2, Τ2〈Τ〈Τ3, Τ>Τ3,可設(shè)定:當(dāng) Τ1〈Τ〈Τ2 的次數(shù)比 Τ2〈Τ〈Τ3 的次數(shù)大 30 時(shí)，Τ2+0.1 μ s ;當(dāng)Τ2〈Τ〈Τ3的次數(shù)比Τ1〈Τ〈Τ2的次數(shù)大30時(shí)，Τ2-0.1 μ s ;當(dāng)?ΧΤ1的次數(shù)除以Τ1<Τ<Τ2的次數(shù)大于500時(shí)，T1-0.2μ s ;當(dāng)Τ>Τ3的次數(shù)除以T2〈T〈T3的次數(shù)大于500時(shí)，T3+0.2 u s ο
[0100]當(dāng)N為5時(shí)，與N=3相比，與上述操作的不同之處在于，在初步讀取模塊中還包括，分別讀取當(dāng)放電時(shí)間達(dá)到第四或第五放電時(shí)間時(shí)的該頁的結(jié)果，并分別將讀取結(jié)果保存起來，在在單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中對(duì)5份讀取結(jié)果逐單元進(jìn)行比較，確定存儲(chǔ)狀態(tài)，確定放電時(shí)間區(qū)間，修改該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)。
[0101]依此類推，當(dāng)N為7、9等奇數(shù)時(shí)，方法相似，在此不作贅述。
[0102]本發(fā)明通過在大規(guī)模的頁讀取中采用多次讀取的方式，暫存每次讀取的結(jié)果進(jìn)行比較，配合ECC校驗(yàn)，可有效減少大規(guī)模讀取中錯(cuò)誤讀取的概率，提高讀取操作的準(zhǔn)確性。
[0103]以上實(shí)施例提供的技術(shù)方案中的全部或部分內(nèi)容可以通過軟件編程實(shí)現(xiàn)，其軟件程序存儲(chǔ)在可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)例如:計(jì)算機(jī)中的硬盤、光盤或軟盤。
[0104]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高可靠性NAND Flash的讀取方法，其特征在于，在所述NANDFlash的外圍電路中存儲(chǔ)N個(gè)放電時(shí)間，所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間，在所述NANDFlash的外圍電路中分別存儲(chǔ)各放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，所述N為大于I的奇數(shù)； 當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí): 在靈敏放大器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取N份讀取結(jié)果； 依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)位于某放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，將該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一，以及， 依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果； 對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
2.如權(quán)利要求1所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，若該NandFlash為ECC閃存，則所述依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果之后還包括對(duì)該NAND Flash頁的讀取結(jié)果進(jìn)行ECC校驗(yàn)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，所述依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)具體包括:在所述N份讀取結(jié)果中，依次對(duì)各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元中編程態(tài)次數(shù)大于擦除態(tài)次數(shù)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為擦除態(tài)，否則將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為編程態(tài)。
4.如權(quán)利要求3所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，所述依次確定各存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間具體包括:從所述N份讀取結(jié)果中，依次獲取各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間，若某存儲(chǔ)單元在相鄰的兩放電時(shí)間讀取結(jié)果不同，則將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為所述兩放電時(shí)間形成的放電時(shí)間區(qū)間。
5.如權(quán)利要求3所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，所述N為3。
6.一種高可靠性NAND Flash的讀取系統(tǒng)，其特征在于，在所述NANDFlash的外圍電路中存儲(chǔ)有N個(gè)放電時(shí)間，以及所述N個(gè)放電時(shí)間按大小排列形成的N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，所述N為大于I的奇數(shù)； 包括: 初步讀取模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí),在靈敏放大器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)施加翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓，給所述NAND Flash頁施加預(yù)設(shè)充電電壓對(duì)各存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電并計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)超過預(yù)設(shè)充電時(shí)間閾值時(shí)，撤除所述預(yù)設(shè)充電電壓，結(jié)束充電并進(jìn)行放電計(jì)時(shí)，依次在放電計(jì)時(shí)達(dá)到所述N個(gè)放電時(shí)間時(shí)讀取所述NAND Flash頁，獲取N份讀取結(jié)果； 單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，依據(jù)所述N份讀取結(jié)果，依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)和放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)位于某放電時(shí)間區(qū)間時(shí)，將該放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)加一，以及， 依據(jù)所述各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)確定該NAND Flash頁的讀取結(jié)果； 數(shù)據(jù)調(diào)整模塊，用于當(dāng)所述NAND Flash接到讀取命令時(shí)，依據(jù)所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)，對(duì)所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行分析，當(dāng)滿足預(yù)設(shè)調(diào)整條件時(shí)，對(duì)所述N個(gè)放電時(shí)間或所述N+1個(gè)放電時(shí)間區(qū)間的統(tǒng)計(jì)次數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
7.如權(quán)利要求6所述的高可靠性NANDFlash的讀取系統(tǒng)，其特征在于，還包括ECC校驗(yàn)?zāi)K，用于當(dāng)該Nand Flash為ECC閃存時(shí)，將單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊讀取的頁的讀取結(jié)果進(jìn)行ECC校驗(yàn)。
8.如權(quán)利要求6或7所述的高可靠性NANDFlash的讀取系統(tǒng)，其特征在于，所述單元分析與數(shù)據(jù)獲取模塊中依次確定各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)具體包括:在所述N份讀取結(jié)果中，依次對(duì)各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元中編程態(tài)次數(shù)大于擦除態(tài)次數(shù)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為擦除態(tài)，否則將該存儲(chǔ)單元內(nèi)容確定為編程態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，所述依次確定各存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間具體包括:從所述N份讀取結(jié)果中，依次獲取各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為編程態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為大于最大放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在N份讀取結(jié)果中的狀態(tài)均為擦除態(tài)時(shí)，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為小于最小放電時(shí)間的區(qū)間，當(dāng)某存儲(chǔ)單元在某大小相鄰的兩放電時(shí)間的讀取結(jié)果中的存儲(chǔ)狀態(tài)不同，將該存儲(chǔ)單元放電到電壓等于翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較電壓時(shí)所處的放電時(shí)間區(qū)間確定為該相鄰兩放電時(shí)間形成的區(qū)間。
10.如權(quán)利要求8所述的高可靠性NANDFlash的讀取方法，其特征在于，所述N為3。
【文檔編號(hào)】G11C16/26GK103811071SQ201210460852
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】朱一明, 蘇志強(qiáng), 丁沖, 張君宇 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司