具有自包含式測(cè)試單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其被配置成利用隨機(jī)數(shù)據(jù)模式在內(nèi)部執(zhí)行測(cè)試操作。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括在板上控制邏輯的控制下操作的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元，所述板上控制邏輯也管理半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的正常操作?？刂七壿嬳憫?yīng)于從外部器件接收的簡(jiǎn)單命令來(lái)控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試操作。因此，測(cè)試時(shí)間會(huì)比在由外部器件完全控制測(cè)試時(shí)的測(cè)試時(shí)間少。而且，因?yàn)橥獠科骷恍枰芾黼S機(jī)數(shù)據(jù)模式，測(cè)試成本會(huì)比在外部器件控制下執(zhí)行測(cè)試時(shí)的測(cè)試成本低。
【專利說(shuō)明】具有自包含式測(cè)試單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其測(cè)試方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2012年5月31日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0058231的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明總體而言涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體而言涉及一種包括測(cè)試單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0004]一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件會(huì)在電力切斷時(shí)丟失其中儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器件在電力切斷時(shí)仍會(huì)保留其中儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器件包括各種類型的存儲(chǔ)器單元晶體管。非易失性存儲(chǔ)器件可以根據(jù)存儲(chǔ)器單元晶體管的結(jié)構(gòu)分成快閃存儲(chǔ)器件、鐵電RAM (FRAM, FerroelectricRAM)、磁性 RAM (MRAM, Magnetic RAM)、相變 RAM (PRAM, Phase Change RAM)等。
[0005]在非易失性存儲(chǔ)器件之中，快閃存儲(chǔ)器件根據(jù)存儲(chǔ)器單元與位線之間的連接狀態(tài)而大致分成NOR快閃存儲(chǔ)器件和NAND快閃存儲(chǔ)器件。NOR快閃存儲(chǔ)器件具有二個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元晶體管并聯(lián)至一個(gè)位線的結(jié)構(gòu)。因此，NOR快閃存儲(chǔ)器件擁有良好的隨機(jī)存取時(shí)間特征。另一方面，NAND快閃存儲(chǔ)器件具有二個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元晶體管串聯(lián)至一個(gè)位線的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)稱為單元存儲(chǔ)串結(jié)構(gòu)，而且每個(gè)單元存儲(chǔ)串需要一個(gè)位線接觸。因此，NAND快閃存儲(chǔ)器件在集成度方面具有優(yōu)異的特征。
[0006]快閃存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元根據(jù)閾值電壓分布而分成導(dǎo)通單元(on cell)和截止單元(off cell)。導(dǎo)通單元為擦除的單元(erased cell),截止單元為編程的單元(programmedcell)o編程的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓可能會(huì)因各種因素而改變。例如，編程的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓可能會(huì)因相鄰存儲(chǔ)器單元之間的編程干擾或耦接而改變。下面將更明確地說(shuō)明編程的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓變化。
[0007]例如，相鄰存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)(即閾值電壓分布)可能會(huì)根據(jù)在編程操作期間被編程在選中的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)而改變。另外，在讀取操作期間，流經(jīng)選中的存儲(chǔ)器單元的單元電流可能會(huì)根據(jù)相鄰存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)(即閾值電壓分布)而改變。換言之，存儲(chǔ)器單元的閾值電壓可能會(huì)根據(jù)要被編程在選中的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)或指示相鄰存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)的數(shù)據(jù)模式(data pattern)而改變。
[0008]如上面所述，存儲(chǔ)器單元可能會(huì)根據(jù)特定數(shù)據(jù)模式而或多或少受到編程干擾或耦接的影響。因此，需要有測(cè)試半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是否針對(duì)各種數(shù)據(jù)模式執(zhí)行穩(wěn)定操作的器件和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本文描述一種包括測(cè)試單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其測(cè)試方法。[0010]在本發(fā)明的實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法包括以下步驟:在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且將第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中；以及在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件里產(chǎn)生第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且比較第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)模式。
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法包括以下步驟:響應(yīng)于從外部器件提供的測(cè)試命令在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；利用隨機(jī)數(shù)據(jù)模式執(zhí)行測(cè)試；以及輸出測(cè)試結(jié)果至外部器件。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)器單元；隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元，其被配置成產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；以及數(shù)據(jù)讀取/寫入電路，其被配置成在測(cè)試操作期間將從隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元提供的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在存儲(chǔ)器單元中。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]結(jié)合【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的特點(diǎn)、方面以及實(shí)施例，其中:
[0014]圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖；
[0015]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的流程圖；
[0016]圖3是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的測(cè)試編程方法的流程圖；
[0017]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖；
[0018]圖5是說(shuō)明圖3的測(cè)試編程方法的時(shí)序圖；
[0019]圖6是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的第一測(cè)試讀取方法的流程圖；
[0020]圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖；
[0021]圖8是說(shuō)明圖6的第一測(cè)試讀取方法的時(shí)序圖；
[0022]圖9是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的第二測(cè)試讀取方法的流程圖；
[0023]圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖；
[0024]圖11是說(shuō)明圖9的第二測(cè)試讀取方法的時(shí)序圖；
[0025]圖12是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的流程圖；以及
[0026]圖13是根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的時(shí)序圖。【具體實(shí)施方式】
[0027]下文中將經(jīng)由示例性實(shí)施例并參考附圖來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的包括測(cè)試單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其測(cè)試方法。
[0028]下面將參照附圖更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同的形式來(lái)實(shí)施，而不應(yīng)解釋為限于本文中所提出的實(shí)施例。
[0029]附圖并非按照比例繪制，而且在某些情況中，為了清楚示出實(shí)施例的特點(diǎn)，可能會(huì)放大比例。在本說(shuō)明書(shū)中，使用了特定的術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)是用來(lái)描述本發(fā)明，而并非用來(lái)限定本發(fā)明的意義或限制本發(fā)明的范圍。
[0030]在本說(shuō)明書(shū)中，“和/或”表示包括有安排在“和/或”前后的一個(gè)或更多個(gè)部件。另外，“連接/耦接”表示器件直接或者經(jīng)由另一器件與另外的器件耦接。在本說(shuō)明書(shū)中，只要在句子之中沒(méi)有明確提及，單數(shù)形式可以包括多個(gè)形式。另外，本說(shuō)明書(shū)中所使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示存在或加入了一個(gè)或更多個(gè)器件、步驟、操作以及元件。
[0031]下文中將參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
[0032]在以下的描述中，雖然使用作為一種非易失性存儲(chǔ)器件的NAND快閃存儲(chǔ)器件為例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的特點(diǎn)和功能。然而，下面將說(shuō)明的本發(fā)明的特點(diǎn)和功能并不限于特定類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。即，下面將說(shuō)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法即可應(yīng)用于易失性存儲(chǔ)器件也可應(yīng)用于非易失性存儲(chǔ)器件。
[0033]圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。參見(jiàn)圖1，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100包括存儲(chǔ)器單元陣列110、行譯碼器120、列譯碼器130、數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140、輸入/輸出緩沖器電路150、控制邏輯160以及隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170。
[0034]存儲(chǔ)器單元陣列110包括布置在位線BLO至BLn與字線WLO至WLn之間的各個(gè)交叉處的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以儲(chǔ)存一位數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器單元稱為單電平單元(SLC，Single Level Cell)。SLC被編程成具有對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)和編程狀態(tài)的閾值電壓。再例如，每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以儲(chǔ)存二位或多位數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器單元稱為MLC。MLC根據(jù)多位數(shù)據(jù)被編程成具有對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)和多個(gè)編程狀態(tài)中的任一種編程狀態(tài)的閾值電壓。存儲(chǔ)器單元陣列110可被實(shí)施為具有單層陣列結(jié)構(gòu)(稱為二維陣列結(jié)構(gòu))或多層陣列結(jié)構(gòu)(稱為三維陣列結(jié)構(gòu))。
[0035]行譯碼器120根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)操作。行譯碼器120被配置成響應(yīng)于地址來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列Iio中的行執(zhí)行選擇操作與驅(qū)動(dòng)操作。例如，行譯碼器120被配置成將電壓發(fā)生器(未示出)所提供的各種字線電壓傳送至選中的字線和未選中的字線。
[0036]列譯碼器130根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)操作。列譯碼器130被配置成響應(yīng)于地址來(lái)選擇位線BLO至BLn (或數(shù)據(jù)讀取/寫入電路)。
[0037]數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)操作。數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140被配置成根據(jù)操作模式作為寫入驅(qū)動(dòng)器或感測(cè)放大器操作。另外，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140被配置成在測(cè)試讀取操作期間比較隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取的數(shù)據(jù)。下面將詳細(xì)描述數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140的測(cè)試讀取操作。
[0038]輸入/輸出緩沖器電路150被配置成從外部器件(例如存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器接口、主機(jī)設(shè)備等)接收數(shù)據(jù)或輸出數(shù)據(jù)給外部器件。此處，數(shù)據(jù)不僅可以包括編程在存儲(chǔ)器單元陣列110中的數(shù)據(jù)或從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取的數(shù)據(jù)，而且還包括控制信號(hào)諸如命令和地址。輸入/輸出緩沖器電路150可能包括數(shù)據(jù)鎖存器電路和輸出驅(qū)動(dòng)電路，以便輸入和輸出數(shù)據(jù)。
[0039]控制邏輯160被配置成響應(yīng)于從外部器件提供的控制信號(hào)來(lái)控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的整體操作。例如，控制邏輯160可以控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的讀取、編程(或?qū)懭?或擦除操作。再例如，控制邏輯160被配置成響應(yīng)于測(cè)試命令(例如測(cè)試編程命令、測(cè)試讀取命令等)來(lái)控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的測(cè)試操作。這意味著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的測(cè)試操作并非由外部器件來(lái)直接執(zhí)行，而是在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100內(nèi)部執(zhí)行。
[0040]隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)操作。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170被配置成在測(cè)試編程操作期間產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170被配置成在測(cè)試讀取操作期間比較所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從存儲(chǔ)器單元陣列110讀取的數(shù)據(jù)。下面將詳細(xì)描述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170的配置和操作。
[0041]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100被配置成在內(nèi)部執(zhí)行針對(duì)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的測(cè)試操作。因此，測(cè)試時(shí)間會(huì)比在外部器件的控制下執(zhí)行測(cè)試時(shí)的測(cè)試時(shí)間少。另夕卜，因?yàn)橥獠科骷恍枰芾黼S機(jī)數(shù)據(jù)模式，測(cè)試成本會(huì)比在外部器件控制下執(zhí)行測(cè)試時(shí)的測(cè)試成本低。
[0042]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的流程圖。參見(jiàn)圖2，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的測(cè)試方法分成用于將隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在存儲(chǔ)器單元中的測(cè)試編程方法S200以及用于通過(guò)將隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)比較而檢測(cè)測(cè)試結(jié)果的測(cè)試讀取方法S300。
[0043]用以編程隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的測(cè)試編程方法S200包括以下步驟:在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100內(nèi)部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；以及將產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在存儲(chǔ)器單元中。下面將更詳細(xì)說(shuō)明測(cè)試編程方法S200。
[0044]在步驟S110，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以從外部器件例如測(cè)試器件接收測(cè)試編程命令、地址以及種值(seed value)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可響應(yīng)于測(cè)試編程命令來(lái)執(zhí)行測(cè)試編程操作。在步驟S120，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100基于接收到的種值來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。這意味著要用于測(cè)試編程操作的數(shù)據(jù)并非由外部器件例如測(cè)試器件提供。在步驟S130，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100將內(nèi)部產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在存儲(chǔ)器單元中。
[0045]為了判斷隨機(jī)數(shù)據(jù)模式是否被正常地編程在存儲(chǔ)器單元中，或者判斷已編程在存儲(chǔ)器單元中的隨機(jī)數(shù)據(jù)是否因物理故障——例如編程干擾或耦合效應(yīng)——而改變，執(zhí)行測(cè)試讀取方法S300。用于將隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)比較的測(cè)試讀取方法S300包括以下步驟:在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100內(nèi)部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；以及比較產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)。下面將更詳細(xì)說(shuō)明測(cè)試讀取方法S300。
[0046]在步驟S140，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收測(cè)試讀取命令、地址以及種值。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以響應(yīng)于測(cè)試讀取命令來(lái)執(zhí)行測(cè)試讀取操作。在步驟S150，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100基于接收到的種值比較所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)。在步驟S160，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100輸出根據(jù)比較結(jié)果所產(chǎn)生的測(cè)試結(jié)果給外部器件例如測(cè)試器件。
[0047]經(jīng)由這一系列的操作，可以測(cè)試隨機(jī)數(shù)據(jù)模式是否正常地被編程在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100中，或者測(cè)試半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100是否依照隨機(jī)數(shù)據(jù)模式穩(wěn)定地操作。
[0048]圖3是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的測(cè)試編程方法的流程圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。此處，將參照?qǐng)D3和圖4來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的測(cè)試編程方法。
[0049]在步驟S210，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以從外部器件例如測(cè)試器件接收第一編程命令、地址以及種值SDV。接收到的種值SDV被提供至隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171。
[0050]在步驟S220，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171基于種值SDV來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171可以響應(yīng)于從圖1的控制邏輯160提供的時(shí)鐘信號(hào)CLK_W來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP被提供至數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140。例如，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171可以包括隨機(jī)數(shù)據(jù)發(fā)生電路，例如，線性反饋移位寄存器(LFSR，Linear Feedback Shift Register)。
[0051]在步驟S230，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收第二測(cè)試編程命令。在步驟S240，當(dāng)接收到第二測(cè)試編程命令時(shí)，暫時(shí)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140中的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP被編程在存儲(chǔ)器單元陣列110的存儲(chǔ)器單元中。
[0052]在步驟S250，判斷存儲(chǔ)器單元是否被編程為具有所需要的狀態(tài)。當(dāng)存儲(chǔ)器單元沒(méi)有被編程為具有所需要的狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)編程操作預(yù)定的次數(shù)。即，重復(fù)包括步驟S240和S250的編程循環(huán)預(yù)定的次數(shù)，以便執(zhí)行編程操作。另一方面，當(dāng)存儲(chǔ)器單元被編程為具有所需要的狀態(tài)時(shí)，編程操作結(jié)束。
[0053]圖5是說(shuō)明圖3的測(cè)試編程方法的時(shí)序圖。圖5基于測(cè)試編程方法的流程圖描繪輸入/輸出數(shù)據(jù)以及控制信號(hào)的時(shí)序圖。
[0054]第一測(cè)試編程命令TPCMDldia ADDR以及種值SDV與寫入控制信號(hào)WC同步地被提供至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。種值SDV根據(jù)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的復(fù)雜性可以有不同的大小。
[0055]隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的大小由寫入控制信號(hào)WC來(lái)控制。即，要產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的數(shù)量對(duì)應(yīng)于寫入控制信號(hào)WC的觸發(fā)次數(shù)。要產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的數(shù)量對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的可以同時(shí)被編程的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。另外，可以基于寫入控制信號(hào)WC，產(chǎn)生提供給圖4的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171的時(shí)鐘信號(hào)CLK_W以產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。
[0056]當(dāng)提供第二測(cè)試編程命令TPCMD2時(shí)，產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP被編程在存儲(chǔ)器單元中。即，在提供第二測(cè)試編程命令TPCMD2之后，用來(lái)施加編程電流或電壓的實(shí)際編程操作在第二測(cè)試編程命令TPCMD2被提供之后執(zhí)行。
[0057]圖6是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的第一測(cè)試讀取方法的流程圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。下文中將參照?qǐng)D6和圖7詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一測(cè)試讀取方法。
[0058]在步驟S305，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收第一測(cè)試讀取命令、地址以及種值SDV。接收到的種值SDV被提供至隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171。
[0059]在步驟S310，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收第二測(cè)試讀取命令。
[0060]在步驟S315，當(dāng)接收到第二測(cè)試讀取命令時(shí)，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140從存儲(chǔ)器單元陣列Iio的存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)。即，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。讀取的數(shù)據(jù)可以暫時(shí)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140中。
[0061]在步驟S320，當(dāng)接收到第二測(cè)試讀取命令時(shí)，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171基于種值SDV產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171可以響應(yīng)于從圖1的控制邏輯160提供的時(shí)鐘信號(hào)CLK1_R來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。為此，可以基于讀取控制信號(hào)RC產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)CLK1_R。因此，所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的數(shù)量對(duì)應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC的觸發(fā)次數(shù)。所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP被提供至比較器173。
[0062]例如，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171可以包括隨機(jī)數(shù)據(jù)發(fā)生電路，例如，線性反饋移位寄存器(LFSR)。
[0063]隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生操作可以在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140感測(cè)單元數(shù)據(jù)的同時(shí)或之后執(zhí)行。即，可同時(shí)或順序地執(zhí)行步驟S315與步驟S320。
[0064]在步驟S325，比較器173比較數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140所提供的讀取數(shù)據(jù)與從隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171提供的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。比較器173可以包括被配置成執(zhí)行邏輯運(yùn)算的邏輯電路。例如，比較器173可以包括被配置成對(duì)讀取的數(shù)據(jù)和隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP執(zhí)行“異或”運(yùn)算的電路。
[0065]在步驟S330，比較器173響應(yīng)于從控制邏輯160提供的時(shí)鐘信號(hào)0^2_1?而輸出測(cè)試通過(guò)/失敗數(shù)據(jù)?？梢曰谧x取控制信號(hào)RC來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)CLK2_R。當(dāng)讀取的數(shù)據(jù)與隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP具有相同值時(shí)，比較器173可以輸出測(cè)試通過(guò)數(shù)據(jù)。另外，當(dāng)讀取的數(shù)據(jù)與隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP具有不同值時(shí)，比較器173可以輸出測(cè)試失敗數(shù)據(jù)。即，比較器173響應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC來(lái)輸出各個(gè)存儲(chǔ)器單元的測(cè)試通過(guò)/失敗信息。
[0066]圖8是說(shuō)明圖6的第一測(cè)試讀取方法的時(shí)序圖。圖8基于第一測(cè)試讀取方法的流程圖描繪輸入/輸出數(shù)據(jù)和控制信號(hào)的時(shí)序圖。
[0067]第一測(cè)試讀取命令TRCMDUia ADDR、種值SDV以及第二測(cè)試讀取命令TRCMD2與寫入控制信號(hào)WC同步地被提供至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。圖8示出順序地提供信號(hào)TRCMDl、ADDR、SDV以及TRCMD2。然而，順序可以改變。同時(shí)，種值SDV的大小可以根據(jù)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的復(fù)雜性而不同。
[0068]當(dāng)提供第二測(cè)試讀取命令TRCMD2時(shí)，讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。即，在提供第二測(cè)試讀取命令TRCMD2之后，圖7的數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140讀取存儲(chǔ)器單元陣列110的數(shù)據(jù)。
[0069]響應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC來(lái)執(zhí)行隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的產(chǎn)生、隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP與讀取的數(shù)據(jù)之間的比較，以及比較結(jié)果的輸出操作。例如，圖7的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171響應(yīng)于基于讀取控制信號(hào)RC所產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLK1_R來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。另外，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140響應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC來(lái)提供讀取的數(shù)據(jù)至圖7的比較器173。另外，比較器173響應(yīng)于基于讀取控制信號(hào)RC所產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLK2_R來(lái)比較隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP與讀取的數(shù)據(jù)，并且輸出比較結(jié)果(即通過(guò)/失敗數(shù)據(jù))。圖中雖然未示出，但是，從比較器173輸出的比較結(jié)果經(jīng)由圖1的輸入/輸出緩沖器電路150被輸出至外部器件例如測(cè)試器件。
[0070]圖9是更加詳細(xì)地示出圖2的測(cè)試方法的第二測(cè)試讀取方法的流程圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。下文將參照?qǐng)D9和圖10詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第二測(cè)試讀取方法。
[0071]在步驟S355，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收第一測(cè)試讀取命令和種值SDV。接收到的種值SDV被提供至隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171。`
[0072]在步驟S360，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171基于種值SDV產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171可以響應(yīng)于從圖1的控制邏輯160提供的時(shí)鐘信號(hào)0^_1?來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP?？梢曰谧x取控制信號(hào)RC來(lái)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)CLK_R。為此，所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的數(shù)量對(duì)應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC的觸發(fā)次數(shù)。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171將隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP提供至數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140`。隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP可以暫時(shí)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/與入電路140中。[0073]在步驟S365，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收第二測(cè)試讀取命令和地址。在步驟S370，在接收到第二測(cè)試讀取命令之后，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140從存儲(chǔ)器單元陣列110的存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)。即，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。讀取數(shù)據(jù)可以暫時(shí)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140中。
[0074]在步驟S375，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140根據(jù)從控制邏輯160提供的控制信號(hào)CNTO來(lái)比較暫時(shí)儲(chǔ)存的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP與讀取的數(shù)據(jù)，并且提供比較的數(shù)據(jù)即比較結(jié)果給計(jì)數(shù)器175。例如，當(dāng)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP和讀取的數(shù)據(jù)具有相同值時(shí)，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140輸出測(cè)試通過(guò)數(shù)據(jù)給計(jì)數(shù)器175。另外，當(dāng)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP和讀取的數(shù)據(jù)具有不同值時(shí)，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140可以輸出測(cè)試失敗數(shù)據(jù)給計(jì)數(shù)器175。
[0075]在步驟S380，計(jì)數(shù)器175基于從數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140提供的比較數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。計(jì)數(shù)器175可以根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)輸出失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量給外部器件例如測(cè)試器件。計(jì)數(shù)器175可被包括在控制邏輯160中，也可以與控制邏輯160物理上分開(kāi)。
[0076]圖11是說(shuō)明圖9的第二測(cè)試讀取方法的時(shí)序圖。圖11基于圖9的第二測(cè)試讀取方法的流程圖描繪輸入/輸出數(shù)據(jù)和控制信號(hào)的時(shí)序圖。
[0077]第一測(cè)試讀取命令TRCMDl和種值SDV與寫入控制信號(hào)WC同步地被提供至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。種值SDV的大小可以根據(jù)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的復(fù)雜性而不同。
[0078]在提供種值SDV之后，隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP響應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC而產(chǎn)生。例如，圖10的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式發(fā)生器171響應(yīng)于基于讀取控制信號(hào)RC所產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)CLK-R來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。
[0079]當(dāng)提供第二測(cè)試讀取命令TRCMD2和地址時(shí)，讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。即，在提供第二測(cè)試讀取命令TRCMD2之后，圖10的數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140讀取存儲(chǔ)器單元陣列110的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140響應(yīng)于控制信號(hào)CNTO來(lái)比較儲(chǔ)存的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)，并且將比較結(jié)果輸出至計(jì)數(shù)器175。
[0080]視需要而定，可以響應(yīng)于從外部器件例如測(cè)試器件提供的讀取控制信號(hào)RC而輸出失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。再例如，可以根據(jù)從外部器件例如測(cè)試器件提供的狀態(tài)檢查命令而輸出失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量可以暫時(shí)儲(chǔ)存在控制邏輯160或計(jì)數(shù)器175中，直到該值被輸出至外部器件。
[0081]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的流程圖。參見(jiàn)圖12，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的測(cè)試方法的特征在于:根據(jù)一個(gè)命令例如隨機(jī)測(cè)試命令,來(lái)順序地執(zhí)行如下操作:產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；編程所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)；以及比較產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)。下文中將參照?qǐng)D11和12來(lái)詳細(xì)描述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法。
[0082]在步驟S410，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100從外部器件例如測(cè)試器件接收隨機(jī)測(cè)試命令、地址以及種值。
[0083]在步驟S420，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170基于所接收到的種值而產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。這意味著用于測(cè)試編程操作的數(shù)據(jù)并非從外部器件例如測(cè)試器件提供。所產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式被暫時(shí)儲(chǔ)存，直到執(zhí)行后續(xù)的比較操作。例如，當(dāng)執(zhí)行編程操作和后續(xù)的比較操作時(shí)，從隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元170提供至圖1的數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式可以暫時(shí)儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140的鎖存器電路中。
[0084]在步驟S430，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140將接收到的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程到存儲(chǔ)器單元。在步驟S440，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。例如，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140可以將讀取的數(shù)據(jù)暫時(shí)儲(chǔ)存在鎖存器電路中。
[0085]在步驟S450，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140根據(jù)控制邏輯160的控制來(lái)比較儲(chǔ)存的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與儲(chǔ)存的讀取數(shù)據(jù)，并且儲(chǔ)存比較結(jié)果。例如，當(dāng)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)具有相同值時(shí)，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140將測(cè)試通過(guò)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在相應(yīng)的鎖存器電路中。另外，當(dāng)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式和讀取數(shù)據(jù)具有不同值時(shí)，數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140將測(cè)試失敗數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在相應(yīng)的鎖存器電路中。
[0086]在步驟S460，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100將儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)讀取/寫入電路140中的測(cè)試結(jié)果輸出給外部器件例如測(cè)試器件。
[0087]隨著順序執(zhí)行這系列的操作，可以測(cè)試半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100是否穩(wěn)定地按照隨機(jī)數(shù)據(jù)模式來(lái)操作。
[0088]圖13是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法的時(shí)序圖。
[0089]第一隨機(jī)測(cè)試命令RTCMDl、地址ADDR以及種值SDV與寫入控制信號(hào)WC同步地被提供至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。種值SDV的大小可以根據(jù)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP的復(fù)雜性而不同。響應(yīng)于寫入控制信號(hào)WC而產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP。
[0090]當(dāng)接著提供第二隨機(jī)測(cè)試命令RTCMD2時(shí)，產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式RDP被編程在存儲(chǔ)器單元中。即，在提供第二隨機(jī)測(cè)試命令RTCMD2之后，執(zhí)行施加編程電流或電壓的實(shí)際編程操作。
[0091]當(dāng)接著提供第三隨機(jī)測(cè)試命令RTCMD3和地址ADDR時(shí)，讀取被編程在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。另外，暫時(shí)儲(chǔ)存的隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)相互作比較。另外，將比較結(jié)果輸出至外部器件。讀取操作、比較操作以及比較結(jié)果的輸出操作可以響應(yīng)于讀取控制信號(hào)RC來(lái)執(zhí)行。
[0092]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100被配置成在內(nèi)部執(zhí)行針對(duì)隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的測(cè)試操作。因此，測(cè)試時(shí)間會(huì)比在外部器件的控制下執(zhí)行測(cè)試時(shí)的測(cè)試時(shí)間少。另外，因?yàn)橥獠科骷恍枰芾黼S機(jī)數(shù)據(jù)模式，測(cè)試成本會(huì)比在外部器件的控制下執(zhí)行測(cè)試時(shí)的測(cè)試成本低。
[0093]雖然上面已經(jīng)說(shuō)明了某些實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，描述的實(shí)施例僅僅是示例性的。因此，本文所描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和測(cè)試方法不應(yīng)基于所描述的實(shí)施例而受限制。而是，本文所描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和測(cè)試方法僅僅根據(jù)結(jié)合以上描述和附圖的所附權(quán)利要求來(lái)受限制。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法，包括以下步驟: 在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且將所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中；以及 在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式和從所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)模式。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式并且將所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的步驟包括以下步驟: 從外部器件接收種值；以及 基于所述接收到的種值，產(chǎn)生所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試方法，其中，根據(jù)所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的復(fù)雜性而接收所述種值至少一次。
4.如權(quán)利要求3所述的測(cè)試方法，其中，基于相同的種值來(lái)產(chǎn)生所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式和所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
5.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試方法，其中，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式并且將所述第一隨 機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的步驟還包括以下步驟: 接收測(cè)試編程命令；以及 接收要被編程有所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的存儲(chǔ)器單元的地址。
6.如權(quán)利要求5所述的測(cè)試方法，其中，接收所述測(cè)試編程命令的步驟、接收所述存儲(chǔ)器單元地址的步驟、產(chǎn)生所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的步驟、以及編程所述第一隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的步驟是順序執(zhí)行的。
7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其中，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式和從所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)模式的步驟包括以下步驟: 從外部器件接收種值；以及 基于接收到的種值而產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
8.如權(quán)利要求7所述的測(cè)試方法，其中，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式，并且比較所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式和從所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)模式的步驟還包括以下步驟: 接收測(cè)試讀取命令； 接收用于讀取所述存儲(chǔ)器單元的地址；以及 讀取所述存儲(chǔ)器單元。
9.如權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其中，接收所述測(cè)試讀取命令的步驟、接收所述地址的步驟、接收所述種值的步驟、讀取所述存儲(chǔ)器單元的步驟、以及產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的步驟是順序執(zhí)行的。
10.如權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其中，接收所述測(cè)試讀取命令的步驟、接收所述地址的步驟以及接收所述種值的步驟是順序執(zhí)行的，以及 產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的步驟和讀取所述存儲(chǔ)器單元的步驟是同時(shí)執(zhí)行的。
11.如權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其中，所述測(cè)試讀取命令分成第一測(cè)試讀取命令和第二測(cè)試讀取命令；以及 產(chǎn)生所述第二隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的步驟是在接收所述第一測(cè)試讀取命令的步驟與接收所述第二測(cè)試讀取命令的步驟之間執(zhí)行的。
12.如權(quán)利要求11所述的測(cè)試方法，其中，讀取所述存儲(chǔ)器單元的步驟是在所述第二測(cè)試讀取命令被接收之后執(zhí)行的。
13.如權(quán)利要求12所述的測(cè)試方法，還包括輸出包括失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量的比較結(jié)果的步驟。
14.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法，包括以下步驟: 響應(yīng)于從外部器件提供的測(cè)試命令，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件內(nèi)部產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式； 利用所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式執(zhí)行測(cè)試；以及 輸出測(cè)試結(jié)果至所述外部器件。
15.如權(quán)利要求14所述的測(cè)試方法，其中，基于從外部器件提供的種值而產(chǎn)生所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
16.如權(quán)利要求14所述的測(cè)試方法，其中，將所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元中，并且將所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與從所述存儲(chǔ)器單元讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
17.如權(quán)利要求14所述的測(cè)試`方法，其中，所述測(cè)試結(jié)果包括失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。
18.如權(quán)利要求14所述的測(cè)試方法，其中，所述測(cè)試結(jié)果包括所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的每個(gè)存儲(chǔ)器單元的測(cè)試通過(guò)/失敗信息。
19.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括: 存儲(chǔ)器單元； 隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元被配置成產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)模式；以及 數(shù)據(jù)讀取/寫入電路，所述數(shù)據(jù)讀取/寫入電路被配置成在測(cè)試操作期間將從所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元提供的所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式編程在所述存儲(chǔ)器單元中。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元基于從外部器件提供的種值來(lái)產(chǎn)生所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元響應(yīng)于從所述外部器件提供的寫入控制信號(hào)而產(chǎn)生所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式的大小根據(jù)所述寫入控制信號(hào)的觸發(fā)次數(shù)來(lái)決定。
23.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元包括比較器。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)讀取/寫入電路讀取被編程在所述存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，并且提供所述讀取的數(shù)據(jù)給所述比較器；以及 所述比較器比較所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)，并且輸出比較結(jié)果。
25.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述比較器響應(yīng)于從外部器件提供的讀取控制信號(hào)來(lái)執(zhí)行比較操作和輸出操作。
26.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元包括計(jì)數(shù)器。
27.如權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)讀取/寫入電路讀取被編程在所述存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，比較所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式與讀取的數(shù)據(jù)，并且提供比較結(jié)果給所述計(jì)數(shù)器；以及 所述計(jì)數(shù)器通過(guò)參照所述比較結(jié)果來(lái)對(duì)失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量計(jì)數(shù)，并且輸出所計(jì)數(shù)的失敗數(shù)據(jù)的數(shù)量。
28.如權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述數(shù)據(jù)讀取/寫入電路暫時(shí)儲(chǔ)存從所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元提供的所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。
29.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括控制邏輯，所述控制邏輯被配置成響應(yīng)于從外部器件提供的測(cè)試命令來(lái)控制所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元和所述數(shù)據(jù)讀取/與入電路。
30.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述隨機(jī)數(shù)據(jù)模式測(cè)試單元包括線性反饋移位寄存 器。
【文檔編號(hào)】G11C29/12GK103456366SQ201210465502
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】全泰昊, 鄭畯燮, 鄭升炫 申請(qǐng)人:愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司